posic/publications/sic_prec_merge_reply01.txt

   1
   2 Re: BC11912
   3     Combined ab initio and classical potential simulation study
   4     on the silicon carbide precipitation in silicon
   5     by F. Zirkelbach, B. Stritzker, K. Nordlund, et al.
   6
   7
   8 Dear Dr. Dahal,
   9
  10 once again, thank you for the feedback to our submission.
  11
  12 > The above manuscript has been reviewed by our referee. While we
  13 > cannot make a definite commitment, we will probably accept your
  14 > paper for publication, provided you make changes that we judge to be
  15 > in accordance with the appended comments (or other satisfactory
  16 > responses are given).
  17
  18 Please find below the summary of changes and hopefully convincing
  19 responses to the recommendations of the referee.
  20
  21 -- Response to recommendations --
  22
  23 > The figures showing structures (2, 11, 14) would be improved by
  24 > showing the bonds ? perhaps undistorted bonds in one color and those
  25 > highly distorted by the defect in another.
  26
  27 We changed figures 2 and 14 to show all bonds in blue color while
  28 bonds of the defect atoms or atoms of interest are displayed in red
  29 color. We are thankful to the referee since the quality of the images
  30 showing these structures, thereby, has been improved, indeed. In
  31 figure 11, all bonds are actually already displayed.
  32
  33 -> Change 1 and 2
  34
  35 > My main feeling is that it is too long, and the sections
  36 > particularle of the different configurations (Section IV, A-D and
  37 > some of the discussions in section VI) include far more details than
  38 > the reader will be interested in. If the authors would prune out
  39 > some of the details and make the discussions more succinct, though,
  40 > it would be vastly improved.
  41
  42 With further omitting content of the manuscript - originally intended to
  43 be presented in two separated publications - we feel that
  44 scientifically significant results would remain unpublished. Although
  45 we would prefere a publication as in our last submission, we revised
  46 the addressed parts of the manuscript and omitted several sentences
  47 and one figure as detailed below.
  48
  49 -> Change 3 and 4
  50
  51 We hope to enable a publication in the Physical Review B by these
  52 changes.
  53
  54 Sincerely,
  55
  56 Frank Zirkelbach
  57
  58 -- Summary of changes --
  59
  60 - = removed
  61 + = added
  62
  63 Change 1 - Additional bonds in Fig. 2
  64
  65 -\includegraphics[width=\columnwidth]{si110.eps}
  66 +\includegraphics[width=\columnwidth]{si110_bonds.eps}
  67
  68 -\includegraphics[width=\columnwidth]{sihex.eps}
  69 +\includegraphics[width=\columnwidth]{sihex_bonds.eps}
  70
  71 -\includegraphics[width=\columnwidth]{sitet.eps}
  72 +\includegraphics[width=\columnwidth]{sitet_bonds.eps}
  73
  74 -\includegraphics[width=\columnwidth]{si100.eps}
  75 +\includegraphics[width=\columnwidth]{si100_bonds.eps}
  76
  77 -\includegraphics[width=\columnwidth]{csub.eps}
  78 +\includegraphics[width=\columnwidth]{csub_bonds.eps}
  79
  80 -\includegraphics[width=\columnwidth]{c100.eps}
  81 +\includegraphics[width=\columnwidth]{c100_bonds.eps}
  82
  83 -\includegraphics[width=\columnwidth]{c110.eps}
  84 +\includegraphics[width=\columnwidth]{c110_bonds.eps}
  85
  86 -\includegraphics[width=\columnwidth]{cbc.eps}
  87 +\includegraphics[width=\columnwidth]{cbc_bonds.eps}
  88
  89 -\caption{Configurations of Si and C point defects in Si. Si and C
  90  atoms are illustrated by yellow and gray spheres respectively. Bonds
  91  are drawn whenever considered appropriate to ease identifying defect
  92  structures for the reader. Dumbbell configurations are abbreviated by
  93  DB.}
  94 +\caption{Configurations of Si and C point defects in Si. Si and C
  95  atoms are illustrated by yellow and gray spheres respectively. Bonds
  96  of the defect atoms are drawn in red color. Dumbbell configurations
  97  are abbreviated by DB.}
  98
  99 Change 2 - Additional bonds + colored bonds in Fig. 14
 100
 101 -\includegraphics[width=\columnwidth]{md01.eps}
 102 +\includegraphics[width=\columnwidth]{md01_bonds.eps}
 103
 104 -\includegraphics[width=\columnwidth]{md02.eps}\\
 105 +\includegraphics[width=\columnwidth]{md02_bonds.eps}\\
 106
 107 -\caption{Atomic configurations of an {\em ab initio} molecular
 108  dynamics run at \unit[900]{$^{\circ}$C} starting from a configuration
 109  of C$_{\text{s}}$ located next to a Si$_{\text{i}}$ \hkl[1 1 0] DB
 110  (atoms 1 and 2). Equal atoms are marked by equal numbers. Bonds are
 111  drawn for substantial atoms only.}
 112 +\caption{Atomic configurations of an {\em ab initio} molecular
 113  dynamics run at \unit[900]{$^{\circ}$C} starting from a configuration
 114  of C$_{\text{s}}$ located next to a Si$_{\text{i}}$ \hkl[1 1 0] DB
 115  (atoms 1 and 2). Equal atoms are marked by equal numbers.}
 116
 117 Change 3 - Omitted text
 118
 119 +\prune{
 120  C$_{\text{i}}$ pairs of the \hkl<1 0 0> type have been investigated
 121  in the first part.
 122 +}
 123
 124 +\prune{
 125  In the last subsection configurations of a C$_{\text{i}}$ DB with
 126  C$_{\text{s}}$ occupying a vacant site have been investigated.
 127  Additionally, configurations might arise in IBS, in which the
 128  impinging C atom creates a vacant site near a C$_{\text{i}}$ DB, but
 129  does not occupy it.
 130 -Resulting binding energies of a C$_{\text{i}}$ DB and a nearby
 131  vacancy are listed in the second row of Table~\ref{table:dc_c-sv}.
 132 +Resulting} Binding energies of a C$_{\text{i}}$ DB and a nearby
 133  vacancy are listed in the second row of Table~\ref{table:dc_c-sv}.
 134
 135 +\prune{
 136  There are good reasons for the existence of regions exhibiting such
 137  configurations with regard to the IBS process.
 138  Highly energetic C atoms are able to kick out a Si atom from its
 139  lattice site, resulting in a Si self-interstitial accompanied by a
 140  vacant site, which might get occupied by another C atom that lost
 141  almost all of its kinetic energy.
 142  Provided that the first C atom, which created the V and
 143  Si$_{\text{i}}$ pair has enough kinetic energy to escape the affected
 144  region, the C$_{\text{s}}$-Si$_{\text{i}}$ pair can be described as a
 145  separated defect complex.
 146 +}
 147
 148 +\prune{
 149  Simulations are restricted to classical potential simulations using
 150  the procedure introduced in section \ref{meth}.
 151 +}
 152
 153 Change 3 - Omitted figure and respective text
 154
 155 +\prune{
 156  \begin{figure}
 157  \begin{center}
 158  \includegraphics[width=\columnwidth]{2050.eps}
 159  ...
 160  \label{fig:v2as}
 161  \end{figure}
 162  A cross-section along the \hkl(1 -1 0) plane of the atomic structure
 163  for a  C insertion temperature of \unit[2050]{$^{\circ}$C} is shown in
 164  Fig.~\ref{fig:v2as}.
 165 +}
 166
 167