- $T_{\text{i}}=500 \, ^{\circ} \text{C}$\\
- $\rightarrow$
- \item Implantation 2:\\
- 180 keV C$^+\rightarrow$ FZ-Si(100)\\
+ $T_{\text{i}}=500 \, ^{\circ} \text{C}$
+ \begin{center}
+ $\Downarrow$\\
+ epitaktisch orientierte 3C-SiC Ausscheidungen
+ in kastenf"ormigen Bereich,
+ eingeschlossen in a-Si:C
+ \end{center}
+ \item Implantation 2:
+ 180 keV C$^+\rightarrow$ FZ-Si(100),