+ {\large\bf
+ Motivation
+ }
+
+ \vspace{8pt}
+
+ 3C-SiC (\foreignlanguage{greek}{b}-SiC) /
+ 6H-SiC (\foreignlanguage{greek}{a}-SiC)
+ \begin{itemize}
+ \item h"ohere Ladungstr"agerbeweglichkeit in \foreignlanguage{greek}{b}-SiC
+ \item h"ohere Durchbruchfeldst"arke in \foreignlanguage{greek}{b}-SiC
+ \item Micropipes (makroskopischer Bereich an Fehlstellen bis hin zur
+ Oberfl"ache) entlang c-Richtung
+ bei \foreignlanguage{greek}{a}-SiC
+ \item gro"sfl"achige epitaktische \foreignlanguage{greek}{a}-SiC-Herstellung
+ sehr viel weiter fortgeschritten verglichen mit der von 3C-SiC
+ \end{itemize}
+
+ \vspace{16pt}
+
+ {\color{blue}
+ \begin{center}
+ Genaues Verst"andnis des 3C-SiC-Ausscheidungsvorganges\\
+ $\Downarrow$\\
+ Grundlage f"ur technologischen Fortschritt in 3C-SiC-D"unnschichtherstellung
+ \end{center}
+ }
+
+ \vspace{16pt}
+
+ Grundlage zur Vermeidung von SiC-Ausscheidungen in
+ $\text{Si}_{\text{1-y}}\text{C}_{\text{y}}$ Legierungen
+
+ \begin{itemize}
+ \item Ma"sschneidern der elektronischen Eigenschaften von Si
+ \item gestreckte Heterostrukturen
+ \end{itemize}