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diff --git a/posic/talks/seminar_2008.tex b/posic/talks/seminar_2008.tex
index b684a8c..2d2218e 100644 (file)
--- a/posic/talks/seminar_2008.tex
+++ b/posic/talks/seminar_2008.tex
@@ -97,7 +97,7 @@
 
  \vspace{08pt}
 
- 13. November 2008
+ 20. November 2008
 
 \end{center}
 \end{slide}
@@ -142,6 +142,7 @@
   \item hohe mechanische Stabilit"at
   \item gute Ladungstr"agermobilit"at
   \item sp"ate S"attigung der Elektronen-Driftgeschwindigkeit
+  \item hohe Durchbruchfeldst"arke
   \item chemisch inerte Substanz
   \item hohe thermische Leitf"ahigkeit und Stabilit"at
   \item geringer Neutroneneinfangquerschnitt
@@ -170,6 +171,56 @@
  
 \end{slide}
 
+\begin{slide}
+
+ {\large\bf
+  Motivation
+ }
+ 
+ \vspace{4pt}
+
+ SiC - \emph{Born from the stars, perfected on earth.}
+
+ \vspace{4pt}
+
+ Herstellung d"unner SiC-Filme:
+ \begin{itemize}
+  \item modifizierter Lely-Prozess
+        \begin{itemize}
+         \item Impfkristall mit $T=2200 \, ^{\circ} \text{C}$
+         \item umgeben von polykristallinen SiC mit
+               $T=2400 \, ^{\circ} \text{C}$
+        \end{itemize}
+  \item CVD Homoepitaxie
+        \begin{itemize}
+         \item 'step controlled epitaxy' auf 6H-SiC-Substrat
+         \item C$_3$H$_8$/SiH$_4$/H$_2$ bei $1500 \, ^{\circ} \text{C}$
+         \item Winkel $\rightarrow$ 3C/6H/4H-SiC
+         \item hohe Qualit"at aber limitiert durch\\
+               Substratgr"o"se
+        \end{itemize}
+  \item CVD/MBE Heteroepitaxie von 3C-SiC auf Si
+        \begin{itemize}
+         \item 2 Schritte: Karbonisierung und Wachstum
+         \item $T=650-1050 \, ^{\circ} \text{C}$
+         \item Qualit"at/Gr"o"se noch nicht ausreichend
+        \end{itemize}
+ \end{itemize}
+
+ \begin{picture}(0,0)(-245,-50)
+  \includegraphics[width=5cm]{6h-sic_3c-sic.eps}
+ \end{picture}
+ \begin{picture}(0,0)(-240,-35)
+  \begin{minipage}{5cm}
+  {\scriptsize
+   NASA: 6H-SiC LED und 3C-SiC LED\\[-6pt]
+   nebeneinander auf 6H-SiC-Substrat
+  }
+  \end{minipage}
+ \end{picture}
+
+\end{slide}
+
 \begin{slide}
 
  {\large\bf
@@ -182,25 +233,27 @@
  6H-SiC (\foreignlanguage{greek}{a}-SiC)
  \begin{itemize}
   \item h"ohere Ladungstr"agerbeweglichkeit in \foreignlanguage{greek}{b}-SiC
-  \item Micropipes (Offene Kerne von Schraubenversetzungen) in c-Richtung
+  \item h"ohere Durchbruchfeldst"arke in \foreignlanguage{greek}{b}-SiC
+  \item Micropipes (makroskopischer Bereich an Fehlstellen bis hin zur
+        Oberfl"ache) entlang c-Richtung
         bei \foreignlanguage{greek}{a}-SiC
-  \item Herstellung gro"sfl"achiger einkristalliner 3C-SiC Filme
-        im Anfangsstudium
+  \item gro"sfl"achige epitaktische \foreignlanguage{greek}{a}-SiC-Herstellung
+        sehr viel weiter fortgeschritten verglichen mit der von 3C-SiC
  \end{itemize}
 
  \vspace{16pt}
 
+ {\color{blue}
  \begin{center}
-  {\color{red}
   Genaues Verst"andnis des 3C-SiC-Ausscheidungsvorganges\\
-  }
   $\Downarrow$\\ 
-  signifikanter technologischen Fortschritt in 3C-SiC D"unnschichtherstellung
+  Grundlage f"ur technologischen Fortschritt in 3C-SiC-D"unnschichtherstellung
  \end{center}
+ }
 
  \vspace{16pt}
 
- Vermeidung von SiC-Ausscheidungen in
+ Grundlage zur Vermeidung von SiC-Ausscheidungen in
  $\text{Si}_{\text{1-y}}\text{C}_{\text{y}}$ Legierungen
 
  \begin{itemize}
@@ -213,12 +266,18 @@
 \begin{slide}
 
  {\large\bf
-  Motivation bzw. SiC-Ausscheidungsvorgang
+  Motivation
  }
 
- \vspace{64pt}
+ Die Alternative: Ionenstrahlsynthese
 
- Noch was zur Herstellung rein ...
+ \begin{itemize}
+  \item Implantation:
+        180 keV C$^+\rightarrow$ Si, $D=8.5 \times 10^{17}$ cm$^{-2}$,
+        $T_{\text{i}}=450 \, ^{\circ} \text{C}$
+  \item Temperschritt:
+        $T=1250 \, ^{\circ} \text{C}$, $t=??\text{ h}$
+ \end{itemize}
 
 \end{slide}
 
@@ -233,7 +292,7 @@
  {\bf Kristallstruktur und Einheitszelle:}
  \begin{itemize}
    \item kristallines Silizium (c-Si): Diamantstruktur\\
-         ${\color{si-yellow}\bullet}$, ${\color{gray}\bullet}$
+         ${\color{si-yellow}\bullet}$ und ${\color{gray}\bullet}$
          $\leftarrow$ Si-Atome
    \item kubisches SiC (3C-SiC): Zinkblende-Struktur\\
          ${\color{si-yellow}\bullet} \leftarrow$ Si-Atome\\
@@ -553,7 +612,7 @@
 
  \begin{pspicture}(0,0)(12,8)
   % nodes
-  \rput(3.5,6.5){\rnode{init}{\psframebox[fillstyle=solid,fillcolor=hb]{
+  \rput(3.5,7.0){\rnode{init}{\psframebox[fillstyle=solid,fillcolor=hb]{
    \parbox{7cm}{
    \begin{itemize}
     \item initiale Konfiguration:\\
@@ -565,7 +624,8 @@
   }}}}
   \rput(3.5,3.2){\rnode{insert}{\psframebox[fillstyle=solid,fillcolor=lachs]{
    \parbox{7cm}{
-   Einf"ugen von 6000 C-Atomen bei konstanter Temperatur\\
+   Einf"ugen von 6000 C-Atomen\\
+   bei konstanter Temperatur
    \begin{itemize}
     \item gesamte Simulationsvolumen {\pnode{in1}}
     \item Volumen einer minimal SiC-Ausscheidung {\pnode{in2}}
@@ -581,9 +641,9 @@
   \psframe[fillstyle=solid,fillcolor=white](7.5,1.8)(13.5,7.8)
   \psframe[fillstyle=solid,fillcolor=lightgray](9,3.3)(12,6.3)
   \psframe[fillstyle=solid,fillcolor=gray](9.25,3.55)(11.75,6.05)
-  \rput(7.9,4.8){\pnode{ins1}}
-  \rput(9.22,4.4){\pnode{ins2}}
-  \rput(10.5,4.8){\pnode{ins3}}
+  \rput(7.9,4.2){\pnode{ins1}}
+  \rput(9.22,3.5){\pnode{ins2}}
+  \rput(11.0,3.8){\pnode{ins3}}
   \ncline[]{->}{in1}{ins1}
   \ncline[]{->}{in2}{ins2}
   \ncline[]{->}{in3}{ins3}
@@ -596,9 +656,8 @@
 \begin{slide}
 
  {\large\bf
-  Results
- } - SiC precipitation runs
-
+  Simulationen zum Ausscheidungsvorgang
+ }
 
  \includegraphics[width=6.3cm]{pc_si-c_c-c.eps}
  \includegraphics[width=6.3cm]{pc_si-si.eps}