checkin
authorhackbard <hackbard@sage.physik.uni-augsburg.de>
Thu, 13 Nov 2008 18:00:07 +0000 (19:00 +0100)
committerhackbard <hackbard@sage.physik.uni-augsburg.de>
Thu, 13 Nov 2008 18:00:07 +0000 (19:00 +0100)
posic/talks/seminar_2008.tex

index 84559f3..b684a8c 100644 (file)
 
 \end{slide}
 
- \small
+\begin{slide}
+
+ {\large\bf
+  SiC-Ausscheidungsvorgang
+ }
+
+ \vspace{64pt}
+
+ Hier die aus experimentellen Untersuchungen heraus vermuteten
+ Ausscheidungsvorgaenge rein.
+
+\end{slide}
+
 \begin{slide}
 
  {\large\bf
  }
 
  \small
+
  \vspace{6pt}
 
- Vermuteter SiC-Ausscheidungsvorgang in Si:
+ Vermuteter 3C-SiC-Ausscheidungsvorgang in c-Si:
 
  \vspace{8pt}
 
  \end{minipage}
  \hspace{0.6cm}
  \begin{minipage}{3.8cm}
- Ausscheidung von 3C-SiC + Erzeugung von Si-Zwischengitteratomen\\
+ Ausscheidung von 3C-SiC + Erzeugung von Si-Zwischengitteratomen
  \end{minipage}
 
  \vspace{12pt}
 
- \begin{minipage}{7cm}
- Experimentally observed [3]:
+ Aus experimentellen Untersuchungen:
  \begin{itemize}
-  \item Minimal diameter of precipitation: 4 - 5 nm
-  \item Equal orientation of Si and SiC (hkl)-planes
+  \item kritischer Durchmesser einer Ausscheidung: 4 - 5 nm
+  \item gleiche Orientierung der c-Si and 3C-SiC (hkl)-Ebenen
  \end{itemize}
- \end{minipage}
- \begin{minipage}{6cm}
- \vspace{32pt}
- \hspace{16pt}
-  {\tiny [3] J. K. N. Lindner, Appl. Phys. A 77 (2003) 27.}
- \end{minipage}
 
 \end{slide}
 
-\end{document}
-
 \begin{slide}
 
  {\large\bf
-  Simulation details
+  Details der MD-Simulation
  }
 
+ \vspace{12pt}
  \small
 
- {\bf MD basics:}
+ {\bf MD-Grundlagen:}
  \begin{itemize}
-  \item Microscopic description of N particle system
-  \item Analytical interaction potential
-  \item Hamilton's equations of motion as propagation rule\\
-        in 6N-dimensional phase space
-  \item Observables obtained by time or ensemble averages
+  \item Mikroskopische Beschreibung eines N-Teilchensystems
+  \item Analytisches Wechselwirkungspotential
+  \item Numerische Integration der Newtonschen Bewegungsgleichung\\
+        als Propagationsvorschrift im 6N-dimensionalen Phasenraum
+  \item Observablen sind die Zeit- und/oder Ensemblemittelwerte
  \end{itemize}
- {\bf Application details:}
+ {\bf Details der Simulation:}
  \begin{itemize}
-  \item Integrator: Velocity Verlet, timestep: $1\text{ fs}$
-  \item Ensemble: isothermal-isobaric NPT [4]
+  \item Integration: Velocity Verlet, Zeitschritt: $1\text{ fs}$
+  \item Ensemble: NpT, isothermal-isobares Ensemble
         \begin{itemize}
-        \item Berendsen thermostat:
+        \item Berendsen Thermostat:
               $\tau_{\text{T}}=100\text{ fs}$
-        \item Brendsen barostat:\\
+        \item Berendsen Barostat:\\
               $\tau_{\text{P}}=100\text{ fs}$,
               $\beta^{-1}=100\text{ GPa}$
        \end{itemize}
-  \item Potential: Tersoff-like bond order potential [5]
+  \item Potential: Tersoff-"ahnliches 'bond order' Potential
+  \vspace*{12pt}
         \[
        E = \frac{1}{2} \sum_{i \neq j} \pot_{ij}, \quad
        \pot_{ij} = f_C(r_{ij}) \left[ f_R(r_{ij}) + b_{ij} f_A(r_{ij}) \right]
        \]
  \end{itemize}
- {\tiny
-  [4] L. Verlet, Phys. Rev. 159 (1967) 98.}\\
- {\tiny
-  [5] P. Erhart and K. Albe, Phys. Rev. B 71 (2005) 35211.}
 
- \begin{picture}(0,0)(-240,-70)
+ \begin{picture}(0,0)(-230,-30)
   \includegraphics[width=5cm]{tersoff_angle.eps} 
  \end{picture}
 
 \begin{slide}
 
  {\large\bf
-  Simulation sequence
+  Zwischengitter-Konfigurationen
  }
 
  \vspace{8pt}
 
- Interstitial configurations:
+ Simulationssequenz:\\
 
  \vspace{8pt}
 
   \rput(3.5,7){\rnode{init}{\psframebox[fillstyle=solid,fillcolor=hb]{
    \parbox{7cm}{
    \begin{itemize}
-    \item Initial configuration: $9\times9\times9$ unit cells Si
-    \item Periodic boundary conditions
+    \item initiale Konfiguration:\\
+          $9\times9\times9$ Einheitszellen c-Si
+    \item periodische Randbedingungen
     \item $T=0\text{ K}$, $p=0\text{ bar}$
    \end{itemize}
   }}}}
 \rput(3.5,3.5){\rnode{insert}{\psframebox{
  \parbox{7cm}{
-  Insertion of C / Si atom:
+  Einf"ugen der C/Si Atome:
   \begin{itemize}
-   \item $(0,0,0)$ $\rightarrow$ {\color{red}tetrahedral}
+   \item $(0,0,0)$ $\rightarrow$ {\color{red}tetraedrisch}
          (${\color{red}\triangleleft}$)
    \item $(-1/8,-1/8,1/8)$ $\rightarrow$ {\color{green}hexagonal}
          (${\color{green}\triangleright}$)
    \item $(-1/8,-1/8,-1/4)$, $(-1/4,-1/4,-1/4)$\\
-         $\rightarrow$ {\color{magenta}110 dumbbell}
+         $\rightarrow$ {\color{magenta}110 Dumbbell}
         (${\color{magenta}\Box}$,$\circ$)
-   \item random positions (critical distance check)
+   \item zuf"allige Position (Minimalabstand)
   \end{itemize}
   }}}}
   \rput(3.5,1){\rnode{cool}{\psframebox[fillstyle=solid,fillcolor=lbb]{
    \parbox{3.5cm}{
-   Relaxation time: $2\, ps$
+   Relaxation ($>2$ ps)
   }}}}
   \ncline[]{->}{init}{insert}
   \ncline[]{->}{insert}{cool}
 \begin{slide}
 
  {\large\bf
-  Results
- } - Si self-interstitial runs
+  Zwischengitter-Konfigurationen
+ }
 
  \small
 
  \begin{minipage}[t]{4.3cm}
- \underline{Tetrahedral}\\
+ \underline{Tetraedrisch}\\
  $E_f=3.41$ eV\\
  \includegraphics[width=3.8cm]{si_self_int_tetra_0.eps}
  \end{minipage}
  \begin{minipage}[t]{4.3cm}
- \underline{110 dumbbell}\\
+ \underline{110 Dumbbell}\\
  $E_f=4.39$ eV\\
  \includegraphics[width=3.8cm]{si_self_int_dumbbell_0.eps}
  \end{minipage}
  \begin{minipage}[t]{4.3cm}
  \underline{Hexagonal} \hspace{4pt}
  \href{../video/si_self_int_hexa.avi}{$\rhd$}\\
- $E_f^{\star}\approx4.48$ eV (unstable!)\\
+ $E_f^{\star}\approx4.48$ eV (nicht stabil!)\\
  \includegraphics[width=3.8cm]{si_self_int_hexa_0.eps}
  \end{minipage}
 
- \underline{Random insertion}
+ \underline{zuf"allige Positionen}
 
  \begin{minipage}{4.3cm}
  $E_f=3.97$ eV\\
 \begin{slide}
 
  {\large\bf
-  Results
- } - Carbon interstitial runs
+  Zwischengitter-Konfigurationen
+ }
 
  \small
 
  \begin{minipage}[t]{4.3cm}
- \underline{Tetrahedral}\\
+ \underline{Tetraedrisch}\\
  $E_f=2.67$ eV\\
  \includegraphics[width=3.8cm]{c_in_si_int_tetra_0.eps}
  \end{minipage}
  \begin{minipage}[t]{4.3cm}
- \underline{110 dumbbell}\\
+ \underline{110 Dumbbell}\\
  $E_f=1.76$ eV\\
  \includegraphics[width=3.8cm]{c_in_si_int_dumbbell_0.eps}
  \end{minipage}
  \begin{minipage}[t]{4.3cm}
  \underline{Hexagonal} \hspace{4pt}
  \href{../video/c_in_si_int_hexa.avi}{$\rhd$}\\
- $E_f^{\star}\approx5.6$ eV (unstable!)\\
+ $E_f^{\star}\approx5.6$ eV (nicht stabil!)\\
  \includegraphics[width=3.8cm]{c_in_si_int_hexa_0.eps}
  \end{minipage}
 
- \underline{Random insertion}
+ \underline{zuf"allige Positionen}
 
  \footnotesize
 
    $E_f=0.47$ eV\\
    \includegraphics[width=3.3cm]{c_in_si_int_001db_0.eps}
    \begin{picture}(0,0)(-15,-3)
-    100 dumbbell
+    100 Dumbbell
    \end{picture}
 \end{minipage}
 \begin{minipage}[t]{3.3cm}
 \begin{slide}
 
  {\large\bf
-  Results
- } - <100> dumbbell configuration
+  Zwischengitter-Konfigurationen
+ }
+
+ Das 100 Dumbbell
 
  \vspace{8pt}
 
 \begin{slide}
 
  {\large\bf
-  Simulation sequence
+  Simulationen zum Ausscheidungsvorgang
  }
 
  \small
 
  \vspace{8pt}
 
- SiC precipitation simulations:
+ Simulationssequenz:\\
 
  \vspace{8pt}
 
   \rput(3.5,6.5){\rnode{init}{\psframebox[fillstyle=solid,fillcolor=hb]{
    \parbox{7cm}{
    \begin{itemize}
-    \item Initial configuration: $31\times31\times31$ unit cells Si
-    \item Periodic boundary conditions
+    \item initiale Konfiguration:\\
+          $31\times31\times31$ c-Si Einheitszellen
+    \item periodsche Randbedingungen
     \item $T=450\, ^{\circ}\text{C}$, $p=0\text{ bar}$
-    \item Equilibration of $E_{kin}$ and $E_{pot}$
+    \item "Aquilibrierung von $E_{\text{kin}}$ and $E_{\text{pot}}$
    \end{itemize}
   }}}}
   \rput(3.5,3.2){\rnode{insert}{\psframebox[fillstyle=solid,fillcolor=lachs]{
    \parbox{7cm}{
-   Insertion of 6000 carbon atoms at constant\\
-   temperature into:
+   Einf"ugen von 6000 C-Atomen bei konstanter Temperatur\\
    \begin{itemize}
-    \item Total simulation volume {\pnode{in1}}
-    \item Volume of minimal SiC precipitation {\pnode{in2}}
-    \item Volume of necessary amount of Si {\pnode{in3}}
+    \item gesamte Simulationsvolumen {\pnode{in1}}
+    \item Volumen einer minimal SiC-Ausscheidung {\pnode{in2}}
+    \item Bereich der ben"otigten Si-Atome {\pnode{in3}}
    \end{itemize} 
   }}}}
   \rput(3.5,1){\rnode{cool}{\psframebox[fillstyle=solid,fillcolor=lbb]{
    \parbox{3.5cm}{
-   Cooling down to $20\, ^{\circ}C$
+   Abk"uhlen auf $20\, ^{\circ}\textrm{C}$
   }}}}
   \ncline[]{->}{init}{insert}
   \ncline[]{->}{insert}{cool}
 
 \end{slide}
 
+\end{document}
+
 \begin{slide}
 
  {\large\bf