Die Alternative: Ionenstrahlsynthese
+ {\small
+
\begin{itemize}
\item Implantation 1:
- 180 keV C$^+\rightarrow$ FZ-Si(100), $D=7.9 \times 10^{17}$ cm$^{-2}$,
- $T_{\text{i}}=500 \, ^{\circ} \text{C}$\\
- $\rightarrow$
+ 180 keV C$^+\rightarrow$ FZ-Si(100),
+ $D=7.9 \times 10^{17}$ cm$^{-2}$,
+ $T_{\text{i}}=500 \, ^{\circ} \text{C}$
+ \begin{center}
+ $\Downarrow$\\
+ epitaktisch orientierte 3C-SiC Ausscheidungen
+ in kastenf"ormigen Bereich,
+ eingeschlossen in a-Si:C
+ \end{center}
\item Implantation 2:
- 180 keV C$^+\rightarrow$ FZ-Si(100), $D=0.6 \times 10^{17}$ cm$^{-2}$,
- $T_{\text{i}}=250 \, ^{\circ} \text{C}$\\
- $\rightarrow$
- \item Tempern:
+ 180 keV C$^+\rightarrow$ FZ-Si(100),
+ $D=0.6 \times 10^{17}$ cm$^{-2}$,
+ $T_{\text{i}}=250 \, ^{\circ} \text{C}$
+ \begin{center}
+ $\Downarrow$\\
+ Zerst"orung einzelner SiC Ausscheidungen
+ in gr"o"ser werdenden amorphen Grenzschichten
+ \end{center}
+ \item Tempen:
$T=1250 \, ^{\circ} \text{C}$, $t=10\text{ h}$
+ \begin{center}
+ $\Downarrow$\\
+ Homogene, st"ochiometrische 3C-SiC Schicht mit
+ scharfen Grenzfl"achen
+ \end{center}
\end{itemize}
+
+ \begin{minipage}{5.9cm}
+ \includegraphics[width=6cm]{ibs_3c-sic.eps}
+ \end{minipage}
+ \hspace*{0.3cm}
+ \begin{minipage}{6.5cm}
+ \vspace*{0.5cm}
+ {\scriptsize
+ Querschnitts-TEM-Aufnahme einer einkristallinen vergrabenen
+ 3C-SiC-Schicht.\\
+ (a) Hellfeldaufnahme\\
+ (b) 3C-SiC(111) Dunkelfeldaufnahme\\
+ }
+ \end{minipage}
+
+}
+
\end{slide}
\begin{slide}