\section{Simulation bis $300 nm$ Tiefe}
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+ Die erste Version der Simulation behandelt den Tiefenbereich bis $300 nm$.
+ Wie in Abschnitt \ref{section:sim_tiefenbereich} beschrieben, kann das Implantationsprofil und die nukleare Bremskraft in diesem Bereich linear gen"ahert werden.
+ Es besteht kein Zusammenhang zwischen Anzahl der Durchl"aufe und der implantierten Dosis.
+ In jedem Durchlauf wird nur ein Sto"sprozess, der zur Amorphisierung beziehungsweise Rekristallisation eines Targetvolumens f"uhren kann betrachtet.
+ Diffusion des Kohlenstoffs von kristallinen in amorphe Gebiete findet statt.
+ Sputtereffekte k"onnen wegen fehlender Information "uber Kohlenstoffgehalt und die amorph/kristalline Struktur in tieferen Ebenen nicht beachtet werden.
\subsection{Erste Simulationsdurchl"aufe}
+ In den ersten Simulationen wurde zun"achst das Abbruchkriterium f"ur den Einflussbereich der Druckspannungen der amorphen Gebiete auf die kristalline $Si$-Matrix untersucht.
+ Ein Abbruchkriterium ist zum einem wegen der Behandlung eines in $x-y$-Richtung unendlich ausgedehnten Festk"orpers, realisiert durch periodische Randbedingungen, und zum anderen wegen schnellerer Berechnung der Druckspannungen n"otig.
+ Eine Erh"ohung des Einflussbereichs von $4$ auf $6$ Volumen zeigt eine gr"ossere Menge an amorphen Gebieten, die lamellare Ordnung der Ausscheidungen steigt jedoch nicht an.
+ Aus den oben genannten Gr"unden wurde f"ur alle weiteren Simulationen ein Einflussbereich von $5$ Volumen gew"ahlt.
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+ EDIT: Variation von $p_s$ bringt nicht viel, man brauch hohe Schrittzahl.\\
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\subsection{Vergleich von Simulationsergebnis und TEM-Aufnahme}
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\subsection{Notwendigkeit der Diffusion}
\subsection{Einfluss der Druckspannungen}
Bei den gegebenen Bedingungen werden ungef"ahr $50 nm$ des Targets bei einer Dosis von $4,3 \times 10^{-17} cm^{-2}$ abgetragen.
\section{Simulierte Tiefenbereiche}
+ \label{section:sim_tiefenbereich}
Wie bereits erw"ahnt gibt es zwei verschiedene Versionen des Programms, die verschiedene Tiefenbereiche, im Folgenden Simulationsfenster genannt, simulieren.