a bit more ...

diff --git a/nlsop/diplom/ergebnisse.tex b/nlsop/diplom/ergebnisse.tex
index f1e29a0..b5ac3ac 100644 (file)
--- a/nlsop/diplom/ergebnisse.tex
+++ b/nlsop/diplom/ergebnisse.tex
@@ -15,12 +15,26 @@ Im Anschluss werden die Simulationen "uber den gesamten Implantationsbereich dis
 
   \section{Simulation bis $300 nm$ Tiefe}
 
 
   \section{Simulation bis $300 nm$ Tiefe}
 

- 
+  Die erste Version der Simulation behandelt den Tiefenbereich bis $300 nm$.
+  Wie in Abschnitt \ref{section:sim_tiefenbereich} beschrieben, kann das Implantationsprofil und die nukleare Bremskraft in diesem Bereich linear gen"ahert werden.
+  Es besteht kein Zusammenhang zwischen Anzahl der Durchl"aufe und der implantierten Dosis.
+  In jedem Durchlauf wird nur ein Sto"sprozess, der zur Amorphisierung beziehungsweise Rekristallisation eines Targetvolumens f"uhren kann betrachtet.
+  Diffusion des Kohlenstoffs von kristallinen in amorphe Gebiete findet statt.
+  Sputtereffekte k"onnen wegen fehlender Information "uber Kohlenstoffgehalt und die amorph/kristalline Struktur in tieferen Ebenen nicht beachtet werden.

 
     \subsection{Erste Simulationsdurchl"aufe}
 
 
     \subsection{Erste Simulationsdurchl"aufe}
 

+    In den ersten Simulationen wurde zun"achst das Abbruchkriterium f"ur den Einflussbereich der Druckspannungen der amorphen Gebiete auf die kristalline $Si$-Matrix untersucht.
+    Ein Abbruchkriterium ist zum einem wegen der Behandlung eines in $x-y$-Richtung unendlich ausgedehnten Festk"orpers, realisiert durch periodische Randbedingungen, und zum anderen wegen schnellerer Berechnung der Druckspannungen n"otig.
+    Eine Erh"ohung des Einflussbereichs von $4$ auf $6$ Volumen zeigt eine gr"ossere Menge an amorphen Gebieten, die lamellare Ordnung der Ausscheidungen steigt jedoch nicht an.
+    Aus den oben genannten Gr"unden wurde f"ur alle weiteren Simulationen ein Einflussbereich von $5$ Volumen gew"ahlt.
+
+    EDIT: Variation von $p_s$ bringt nicht viel, man brauch hohe Schrittzahl.\\
+

     \subsection{Vergleich von Simulationsergebnis und TEM-Aufnahme}
 
     \subsection{Vergleich von Simulationsergebnis und TEM-Aufnahme}
 

+
+

     \subsection{Notwendigkeit der Diffusion}
 
     \subsection{Einfluss der Druckspannungen}
     \subsection{Notwendigkeit der Diffusion}
 
     \subsection{Einfluss der Druckspannungen}

diff --git a/nlsop/diplom/simulation.tex b/nlsop/diplom/simulation.tex
index 56f0e98..c1ced37 100644 (file)
--- a/nlsop/diplom/simulation.tex
+++ b/nlsop/diplom/simulation.tex
@@ -255,6 +255,7 @@
     Bei den gegebenen Bedingungen werden ungef"ahr $50 nm$ des Targets bei einer Dosis von $4,3 \times 10^{-17} cm^{-2}$ abgetragen.
 
   \section{Simulierte Tiefenbereiche}
     Bei den gegebenen Bedingungen werden ungef"ahr $50 nm$ des Targets bei einer Dosis von $4,3 \times 10^{-17} cm^{-2}$ abgetragen.
 
   \section{Simulierte Tiefenbereiche}

+  \label{section:sim_tiefenbereich}

 
   Wie bereits erw"ahnt gibt es zwei verschiedene Versionen des Programms, die verschiedene Tiefenbereiche, im Folgenden Simulationsfenster genannt, simulieren.
 
 
   Wie bereits erw"ahnt gibt es zwei verschiedene Versionen des Programms, die verschiedene Tiefenbereiche, im Folgenden Simulationsfenster genannt, simulieren.