bis auf selfdesigned 3c-sic in c-si durch

diff --git a/posic/talks/seminar_2008.tex b/posic/talks/seminar_2008.tex
index 737a7cecf7e8119018725ed5c6de4b9167ba602a..19dad6bca19bbbefbed8b3f39048ec449ff55e98 100644 (file)
--- a/posic/talks/seminar_2008.tex
+++ b/posic/talks/seminar_2008.tex
@@ -903,6 +903,23 @@
 
  Variation des Einf"ugevorgangs des Kohlenstoffs
 
+ \scriptsize
+
+ \begin{minipage}{6.3cm}
+ \begin{center}
+ Kritischer Abstand 0.15 nm $\rightarrow$ 0.05 nm\\
+ \end{center}
+ \includegraphics[width=5.9cm]{1250_12_cr.ps}
+ \includegraphics[width=5.9cm]{1250_12_cr_ba.ps}
+ \end{minipage}
+ \begin{minipage}{6.3cm}
+ \begin{center}
+ Dosirate: C auf einmal hinzugef"ugt\\
+ \end{center}
+ \includegraphics[width=5.9cm]{1250_12_notrelax_pc.ps}
+ \includegraphics[width=5.9cm]{1250_12_notrelax_ba.ps}
+ \end{minipage}
+
 \end{slide}
 
 \begin{slide}
@@ -911,40 +928,59 @@
   Simulationen zum Ausscheidungsvorgang
  }
 
- Variation des Einf"ugevorgangs des Kohlenstoffs
+ Modifikation der Kraft/Potentialberechnung
+
+ \underline{Erh"ohter C-C cut-off}
+ \begin{center}
+ \includegraphics[width=6.5cm]{12_pc_c-c_amod.ps}
+ \end{center}
+
+ \underline{Beitrag zur Kraft aus Ableitung von $f_{\text{C}}$ weglassen}
+ \begin{itemize}
+  \item System nicht mehr konservativ
+  \item Energie steigt trotz 'starker' T-Kontrolle
+ \end{itemize}
+ $\Rightarrow$ nicht geeignet f"ur Simulationen mit endlicher/hoher Temperatur
 
 \end{slide}
 
 \begin{slide}
 
  {\large\bf
-  Simulationen zum Ausscheidungsvorgang
+  SiC-Ausscheidungen in Si
  }
 
- Modifikation der Kraft/Potentialberechnung
 
 \end{slide}
 
 \begin{slide}
 
  {\large\bf
-  Zusammenfassung / Ausblick
+  Zusammenfassung und Ausblick
  }
 
-\vspace{24pt}
+\vspace{8pt}
+
+\begin{itemize}
+ \item SiC als HL-Bauelemente f"ur Anwendungen unter extremen Bedingungen
+ \item Schwierigkeiten in der Herstellung d"unner SiC-Schichten
+ \item Notwendigkeit den 3C-SiC-Asuscheidungsvorgang zu verstehen
+\end{itemize}
+
+\vspace{8pt}
 
 \begin{itemize}
- \item Importance of understanding the SiC precipitation mechanism
- \item Interstitial configurations in silicon using the Albe potential
- \item Indication of SiC precipitation
+ \item Zwischengitterkonfigurationen
+ \item Suche nach SiC-Ausscheidungsbedingungen
+ \item Untersuchungen zu selbst konstruierten 3C-SiC in c-Si
 \end{itemize}
 
 \vspace{24pt}
 
 \begin{itemize}
- \item Displacement and stress calculations
- \item Refinement of simulation sequence to create 3C-SiC
- \item Analyzing self-designed Si/SiC interface
+ \item Neue Versuche, neue Kombinationen
+ \item W"armebad koppelt nur an Randatome der Simulationszelle
+ \item Alternative Potentiale (SW, mod. Tersoff)
 \end{itemize}
 
 \end{slide}