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--- a/posic/talks/seminar_2008.tex
+++ b/posic/talks/seminar_2008.tex
@@ -245,7 +245,7 @@
 
  {\color{blue}
  \begin{center}
-  Genaues Verst"andnis des 3C-SiC-Ausscheidungsvorganges\\
+  Genaues Verst"andnis des 3C-SiC-Ausscheidungsvorgangs\\
   $\Downarrow$\\ 
   Grundlage f"ur technologischen Fortschritt in 3C-SiC-D"unnschichtherstellung
  \end{center}
@@ -671,7 +671,7 @@
    bei konstanter Temperatur
    \begin{itemize}
     \item gesamte Simulationsvolumen {\pnode{in1}}
-    \item Volumen einer minimal SiC-Ausscheidung {\pnode{in2}}
+    \item Volumen einer minimalen SiC-Ausscheidung {\pnode{in2}}
     \item Bereich der ben"otigten Si-Atome {\pnode{in3}}
    \end{itemize} 
   }}}}
@@ -682,8 +682,11 @@
   \ncline[]{->}{init}{insert}
   \ncline[]{->}{insert}{cool}
   \psframe[fillstyle=solid,fillcolor=white](7.5,1.8)(13.5,7.8)
+  \rput(7.8,7.6){\footnotesize $V_1$}
   \psframe[fillstyle=solid,fillcolor=lightgray](9,3.3)(12,6.3)
+  \rput(9.2,6.15){\tiny $V_2$}
   \psframe[fillstyle=solid,fillcolor=gray](9.25,3.55)(11.75,6.05)
+  \rput(9.55,5.85){\footnotesize $V_3$}
   \rput(7.9,4.2){\pnode{ins1}}
   \rput(9.22,3.5){\pnode{ins2}}
   \rput(11.0,3.8){\pnode{ins3}}
@@ -740,44 +743,192 @@
  \footnotesize
  
  \underline{Niedrige C-Konzentration ($V_1$)}:
- 100 Dumbbell-Konfiguration
+ 100 Dumbbell-Konfiguration\\
+ dehnt Si-Si NN-Abstand auf 0.3 nm\\
+ Beitrag zum Si-C Peak bei 0.19 nm\\
+ erkl"art weitere Si-C Peaks (gestrichelte Linien)\\
+ $\Rightarrow$ C-Atome als erstes im erwarteten 3C-SiC-Abstand\\
+ \underline{Hohe C-Konzentration ($V_2$ und $V_3$)}:\\
+ Gro"se Anzahl an Defekten/Sch"adigung erzeugt\\
+ Fast nur kurzreichweitige Ordnung erkennbar\\
+ $\Rightarrow$ Bildung einer amorphen SiC-"ahnlichen Phase\\
+ $\Rightarrow$ T$\uparrow$ oder t$\uparrow$ f"ur Bildung von 3C-SiC
+
+ \begin{picture}(0,0)(-230,-15)
+ \includegraphics[width=5cm]{a-sic_pc.eps}
+ \end{picture}
+ \begin{picture}(0,0)(-240,-5)
+ \begin{minipage}{5cm}
+  {\scriptsize
+  PRB 66, 024106 (2002)\\[-4pt]
+  F. Gao und W. J. Weber
+  }
+ \end{minipage}
+ \end{picture}
+
+\end{slide}
+
+ \begin{slide}
+
+ {\large\bf
+  Simulationen zum Ausscheidungsvorgang
+ }
+ 
+ \footnotesize
+
+ Zusammenfassung und Problemstellung:
  \begin{itemize}
-  \item dehnt Si-Si NN-Abstand auf 0.3 nm
-  \item Beitrag zum Si-C Peak bei 0.19 nm
-  \item erkl"art weitere Si-C Peaks (gestrichelte Linien)
+  \item keine 3C-SiC-Ausscheidungen
+  \item C-Konzentration niedrig:
+        \begin{itemize}
+         \item 100 Dumbbell gepr"agte Struktur\\
+               (entspricht Vermutungen aus IBS Untersuchungen)
+         \item keine Anh"aufung zu Embryos
+        \end{itemize}
+  \item C-Konzentration hoch:
+        \begin{itemize}
+         \item Ausbildung von C-C Bindungen
+               (IBS: C-"Uberdosis behindert C-Umverteilung)
+         \item amorphes SiC
+               (C-induzierte Amorphisierung ab einem T-abh"angigen
+                Wert der Dosis)
+        \end{itemize}
  \end{itemize}
- $\Rightarrow$ C-Atome als erstes im erwarteten 3C-SiC-Abstand
- \underline{Hohe C-Konzentration ($V_2$ und $V_3$)}:
+ \vspace{0.2cm}
+ {\color{blue} Ziel:}
+ \underline{
+ Bedingungen finden unter denen 3C-SiC-Ausscheidung stattfindet}\\[0.3cm]
+ Ans"atze:\\[0.2cm]
+ \begin{minipage}{7.5cm}
  \begin{itemize}
-  \item High amount of damage introduced into the system
-  \item Short range order observed but almost no long range order
+  \item H"ohere Temperaturen
+        \begin{itemize}
+         \item Temperaturen im Implantationsbereich h"oher
+         \item H"ohere T statt l"angerer Simulationszeit\\
+               Arrhenius-Gesetz $\rightarrow$ "Ubergangszeiten
+        \end{itemize}
+  \item Variation des Einf"ugevorgangs des Kohlenstoffs
+        \begin{itemize}
+         \item minimaler Abstand
+         \item Zeitpunkt, Geschwindigkeit (Dosisrate)
+        \end{itemize}
  \end{itemize}
- $\Rightarrow$ Start of amorphous SiC-like phase formation\\
- $\Rightarrow$ Higher temperatures required for proper SiC formation
+ \end{minipage}
+ \begin{minipage}{5.1cm}
+ \begin{itemize}
+  \item Modifikation der\\
+        Kraft/Potentialberechnung
+        \begin{itemize}
+         \item C-C cut-off erh"ohen
+         \item Beitrag aus Ableitung von $f_{\text{C}}$ zur Kraft
+               weglassen
+         \\\\
+        \end{itemize}
+ \end{itemize} 
+ \end{minipage}
 
 \end{slide}
 
 \begin{slide}
 
  {\large\bf
-  Very first results of the SiC precipitation runs
+  Simulationen zum Ausscheidungsvorgang
  }
 
- \begin{minipage}[t]{6.9cm}
-  \includegraphics[width=6.3cm]{../plot/sic_pc.ps}
-  \includegraphics[width=6.3cm]{../plot/foo_end.ps}
-  \hspace{12pt}
- \end{minipage}
- \begin{minipage}[c]{5.5cm}
-  \includegraphics[width=6.0cm]{sic_si-c-n.eps}
+ H"ohere Temperaturen - $V_1$-Simulationen\\
+ \includegraphics[width=6.3cm]{tot_ba.ps}
+ \includegraphics[width=6.3cm]{tot_pc.ps}
+ \small
+ \begin{minipage}{6.5cm}
+ \[
+ \text{\scriptsize Quality}
+  = \frac{\textrm{\scriptsize Anzahl C mit 4 Bindungen zu Si}}
+         {\textrm{\scriptsize Gesamtanzahl C}}
+ \]
+ \\
+ \underline{Si-C PCF}:\\
+ cut-off Artefakt nimmt ab mit T $\uparrow$\\
+ $2050 \, ^{\circ}\text{C}$ Si-C Peaks
+ $\rightarrow \text{C}_{\text{S}}$-Si Bindungen\\[0.2cm]
+ {\color{red} Problem: L"oslichkeit durch hohe T erh"oht}
  \end{minipage}
 
+ \begin{picture}(0,0)(-175,-2)
+ \includegraphics[width=4.0cm]{cs-si_01.eps}
+ \end{picture}
+ \begin{picture}(0,0)(-278,16)
+ \includegraphics[width=4.0cm]{cs-si_02.eps}
+ \end{picture}
+
+\end{slide}
+
+\begin{slide}
+
+ {\large\bf
+  Simulationen zum Ausscheidungsvorgang
+ }
+
+ H"ohere Temperaturen - $V_2$-Simulationen\\
+ \includegraphics[width=6.2cm]{12_pc.ps}
+ \includegraphics[width=6.2cm]{12_ba.ps}
+ \includegraphics[width=6.2cm]{12_pc_c-c.ps}
+ \includegraphics[width=6.2cm]{12_ba_noa.ps}
+
+\end{slide}
+
+\begin{slide}
+
+ {\large\bf
+  Simulationen zum Ausscheidungsvorgang
+ }
+
+ H"ohere Temperaturen - Neuer Temperaturfahrplan\\[0.3cm]
+ \begin{itemize}
+  \item Einf"ugen der C-Atome bei $1650 \, ^{\circ} \text{C}$
+  \item Aufw"armen auf $2650 \, ^{\circ} \text{C}$
+  \item Temperatur f"ur 100 ps halten
+  \item Abk"uhlen auf $20 \, ^{\circ} \text{C}$
+ \end{itemize}
+ \vspace{0.2cm}
+ \includegraphics[width=6.3cm]{12_anneal_amod.ps}
+ \includegraphics[width=6.3cm]{12_amod_anneal.ps}
+
+\end{slide}
+
+\begin{slide}
+
+ {\large\bf
+  Simulationen zum Ausscheidungsvorgang
+ }
+
+ Variation des Einf"ugevorgangs des Kohlenstoffs
+
+\end{slide}
+
+\begin{slide}
+
+ {\large\bf
+  Simulationen zum Ausscheidungsvorgang
+ }
+
+ Variation des Einf"ugevorgangs des Kohlenstoffs
+
+\end{slide}
+
+\begin{slide}
+
+ {\large\bf
+  Simulationen zum Ausscheidungsvorgang
+ }
+
+ Modifikation der Kraft/Potentialberechnung
+
 \end{slide}
 
 \begin{slide}
 
  {\large\bf
-  Summary / Outlook
+  Zusammenfassung / Ausblick
  }
 
 \vspace{24pt}