\]
Integration "uber alle alle m"oglichen Energien $T_n$, gewichtet mit deren Wahrscheinlichkeit liefert Bremsquerschnitt $S_n$:
\[
- S_n(E) = \int_0^\infty T_n(E,p) 2 \pi \partial p = \int_0^{T_{max}} T \partial \sigma(E,T_n)
+ S_n(E) = \int_0^\infty T_n(E,p) 2 \pi \partial p = \int_0^{T_{max}} T \sigma(E,T_n) \partial \sigma
\]
\end{slide}
\end{slide}
\begin{slide}
-\slideheading{Implanationsprofil}
+\slideheading{Implantationsprofil}
Wegen Richtungs"anderungen der Ionen:
\[
- R \neq \textrm{mittlere Implanationstiefe}
+ R \neq \textrm{mittlere Implantationstiefe}
\]
N"aherung des Konzentartionsprofils durch Gau"sverteilung:
\[
\end{slide}
\begin{slide}
-Ionisationsprofil aus Monte-Carlo-Simulation (TRIM):
+Implantationsprofil aus Monte-Carlo-Simulation (TRIM):
\\
bild von maik requesten...
\end{slide}
\end{slide}
\begin{slide}
-\section{Nannolamelare Selbstordnungsprozesse}
+\section{Nanolamelare Selbstordnungsprozesse}
\end{slide}
\begin{slide}
Parameter:
\begin{itemize}
\item niedrige Targettemperaturen, $T < 400$ Grad Celsius
- \item Implanation in $(100)$-orientiertes Silizium
+ \item Implantation in $(100)$-orientiertes Silizium
\end{itemize}
Beobachtungen an oberer Grenzfl"ache zur amorphen Schicht:\\
$\rightarrow$ Bildung amorpher lamellarer Strukturen