oups ;)

diff --git a/nlsop/nlsop.tex b/nlsop/nlsop.tex
index 91c1923..1d1bc26 100644 (file)
--- a/nlsop/nlsop.tex
+++ b/nlsop/nlsop.tex
@@ -122,7 +122,7 @@ wobei:
 \]
 Integration "uber alle alle m"oglichen Energien $T_n$, gewichtet mit deren Wahrscheinlichkeit liefert Bremsquerschnitt $S_n$:
 \[
 \]
 Integration "uber alle alle m"oglichen Energien $T_n$, gewichtet mit deren Wahrscheinlichkeit liefert Bremsquerschnitt $S_n$:
 \[

- S_n(E) = \int_0^\infty T_n(E,p) 2 \pi \partial p = \int_0^{T_{max}} T \partial \sigma(E,T_n)
+ S_n(E) = \int_0^\infty T_n(E,p) 2 \pi \partial p = \int_0^{T_{max}} T \sigma(E,T_n) \partial \sigma

 \]
 \end{slide}
 
 \]
 \end{slide}
 


@@ -135,10 +135,10 @@ wobei $\phi$ Abschirmfunktion darstellt.
 \end{slide}
 
 \begin{slide}
 \end{slide}
 
 \begin{slide}

-\slideheading{Implanationsprofil}
+\slideheading{Implantationsprofil}

 Wegen Richtungs"anderungen der Ionen:
 \[
 Wegen Richtungs"anderungen der Ionen:
 \[

- R \neq \textrm{mittlere Implanationstiefe}
+ R \neq \textrm{mittlere Implantationstiefe}

 \]
 N"aherung des Konzentartionsprofils durch Gau"sverteilung:
 \[
 \]
 N"aherung des Konzentartionsprofils durch Gau"sverteilung:
 \[


@@ -155,7 +155,7 @@ mit:
 \end{slide}
 
 \begin{slide}
 \end{slide}
 
 \begin{slide}

-Ionisationsprofil aus Monte-Carlo-Simulation (TRIM):
+Implantationsprofil aus Monte-Carlo-Simulation (TRIM):

 \\
 bild von maik requesten...
 \end{slide}
 \\
 bild von maik requesten...
 \end{slide}


@@ -178,7 +178,7 @@ Intensit"at der Strahlensch"adigung verh"alt sich wie nukleare Bremskraft (ledig
 \end{slide}
 
 \begin{slide}
 \end{slide}
 
 \begin{slide}

-\section{Nannolamelare Selbstordnungsprozesse}
+\section{Nanolamelare Selbstordnungsprozesse}

 \end{slide}
 
 \begin{slide}
 \end{slide}
 
 \begin{slide}


@@ -186,7 +186,7 @@ Intensit"at der Strahlensch"adigung verh"alt sich wie nukleare Bremskraft (ledig
 Parameter:
 \begin{itemize}
  \item niedrige Targettemperaturen, $T < 400$ Grad Celsius
 Parameter:
 \begin{itemize}
  \item niedrige Targettemperaturen, $T < 400$ Grad Celsius

- \item Implanation in $(100)$-orientiertes Silizium
+ \item Implantation in $(100)$-orientiertes Silizium

 \end{itemize}
 Beobachtungen an oberer Grenzfl"ache zur amorphen Schicht:\\
 $\rightarrow$ Bildung amorpher lamellarer Strukturen
 \end{itemize}
 Beobachtungen an oberer Grenzfl"ache zur amorphen Schicht:\\
 $\rightarrow$ Bildung amorpher lamellarer Strukturen