]> hackdaworld.org Git - lectures/latex.git/commitdiff
changed to bibitem list
authorhackbard <hackbard@hackdaworld.org>
Wed, 30 May 2012 08:04:09 +0000 (10:04 +0200)
committerhackbard <hackbard@hackdaworld.org>
Wed, 30 May 2012 08:04:09 +0000 (10:04 +0200)
posic/publications/emrs2012.tex

index 2627c46d98afe60b781c5ea214cdffdafafe012b..92d93bea7b2253699d586c0d08a8b58dd0030ec9 100644 (file)
@@ -333,8 +333,321 @@ Rearrangement of stable C$_{\text{s}}$ is enabled by excess Si$_{\text{i}}$, whi
 We gratefully acknowledge financial support by the Bayerische Forschungsstiftung (Grant No. DPA-61/05) and the Deutsche Forschungsgemeinschaft (Grant No. DFG SCHM 1361/11).
 \end{acknowledgement}
 
-\bibliography{../../bibdb/bibdb}{}
-\bibliographystyle{pss.bst}
+%\bibliography{../../bibdb/bibdb}{}
+%\bibliographystyle{pss.bst}
 
-\end{document}
 
+\providecommand{\WileyBibTextsc}{}
+\let\textsc\WileyBibTextsc
+\providecommand{\othercit}{}
+\providecommand{\jr}[1]{#1}
+\providecommand{\etal}{~et~al.}
+
+
+\begin{thebibliography}{[10]}
+
+\bibitem{edgar92}% article
+ \textsc{J.\,H. Edgar}\iffalse Prospects for device implementation of wide band
+  gap semiconductors\fi,
+ \jr{J. Mater. Res.} \textbf{7}(January), 235 (1992).
+
+
+\bibitem{capano97}% article
+ \textsc{M.\,A. Capano} and  \textsc{R.\,J. Trew}\iffalse Silicon carbide
+  electronic materials and devices\fi,
+ \jr{MRS Bull.} \textbf{22}(3), 19--22 (1997).
+
+
+\othercit
+\bibitem{park98}% book
+ \textsc{Y.\,S. Park},
+Si{C} Materials and Devices (Academic Press, San Diego, 1998).
+
+
+\bibitem{borders71}% article
+ \textsc{J.\,A. Borders},  \textsc{S.\,T. Picraux},  and
+  \textsc{W.~Beezhold}\iffalse {FORMATION} {OF} si{C} {IN} {SILICON} {BY} {ION}
+  {IMPLANTATION}\fi,
+ \jr{Appl. Phys. Lett.} \textbf{18}(11), 509--511 (1971).
+
+
+\bibitem{lindner01}% article
+ \textsc{J.\,K.\,N. Lindner}\iffalse Ion beam synthesis of buried si{C} layers
+  in silicon: Basic physical processes\fi,
+ \jr{Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B} \textbf{178}(1-4), 44--54 (2001).
+
+
+\othercit
+\bibitem{werner96}% inproceedings
+ \textsc{P.~Werner},  \textsc{R.~K{\"{o}}gler},  \textsc{W.~Skorupa},  and
+  \textsc{D.~Eichler},
+{TEM} investigation of {C}-si defects in carbon implanted silicon,
+ in: Proceedings of the 11th International Conference on Ion Implantation
+  Technology.,  (June 1996),  pp.\,675--678.
+
+
+\bibitem{lindner99_2}% article
+ \textsc{J.\,K.\,N. Lindner} and  \textsc{B.~Stritzker}\iffalse Mechanisms in
+  the ion beam synthesis of si{C} layers in silicon\fi,
+ \jr{Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B} \textbf{148}(1-4), 528--533 (1999).
+
+
+\bibitem{koegler03}% article
+ \textsc{R.~K{\"{o}}gler},  \textsc{F.~Eichhorn},  \textsc{J.\,R. Kaschny},
+  \textsc{A.~M{\"{u}}cklich},  \textsc{H.~Reuther},  \textsc{W.~Skorupa},
+  \textsc{C.~Serre},  and  \textsc{A.~Perez-Rodriguez}\iffalse Synthesis of
+  nano-sized si{C} precipitates in si by simultaneous dual-beam implantation of
+  {C}+ and si+ ions\fi,
+ \jr{Appl. Phys. A} \textbf{76}(March), 827--835 (2003).
+
+
+\bibitem{strane94}% article
+ \textsc{J.\,W. Strane},  \textsc{H.\,J. Stein},  \textsc{S.\,R. Lee},
+  \textsc{S.\,T. Picraux},  \textsc{J.\,K. Watanabe},  and  \textsc{J.\,W.
+  Mayer}\iffalse Precipitation and relaxation in strained si[sub 1 - y]{C}[sub
+  y]/si heterostructures\fi,
+ \jr{J. Appl. Phys.} \textbf{76}(6), 3656--3668 (1994).
+
+
+\bibitem{nejim95}% article
+ \textsc{A.~Nejim},  \textsc{P.\,L.\,F. Hemment},  and
+  \textsc{J.~Stoemenos}\iffalse Si{C} buried layer formation by ion beam
+  synthesis at 950 [degree]{C}\fi,
+ \jr{Appl. Phys. Lett.} \textbf{66}(20), 2646--2648 (1995).
+
+
+\bibitem{serre95}% article
+ \textsc{C.~Serre},  \textsc{A.~P\'{e}rez-Rodr\'{\i}guez},
+  \textsc{A.~Romano-Rodr\'{\i}guez},  \textsc{J.\,R. Morante},
+  \textsc{R.~K{\"{o}}gler},  and  \textsc{W.~Skorupa}\iffalse Spectroscopic
+  characterization of phases formed by high-dose carbon ion implantation in
+  silicon\fi,
+ \jr{J. Appl. Phys.} \textbf{77}(7), 2978--2984 (1995).
+
+
+\bibitem{bar-yam84}% article
+ \textsc{Y.~Bar-Yam} and  \textsc{J.\,D. Joannopoulos}\iffalse Barrier to
+  migration of the silicon self-interstitial\fi,
+ \jr{Phys. Rev. Lett.} \textbf{52}(13), 1129--1132 (1984).
+
+
+\bibitem{car84}% article
+ \textsc{R.~Car},  \textsc{P.\,J. Kelly},  \textsc{A.~Oshiyama},  and
+  \textsc{S.\,T. Pantelides}\iffalse Microscopic theory of atomic diffusion
+  mechanisms in silicon\fi,
+ \jr{Phys. Rev. Lett.} \textbf{52}(20), 1814--1817 (1984).
+
+
+\bibitem{bloechl93}% article
+ \textsc{P.\,E. Bl{\"o}chl},  \textsc{E.~Smargiassi},  \textsc{R.~Car},
+  \textsc{D.\,B. Laks},  \textsc{W.~Andreoni},  and  \textsc{S.\,T.
+  Pantelides}\iffalse First-principles calculations of self-diffusion constants
+  in silicon\fi,
+ \jr{Phys. Rev. Lett.} \textbf{70}(16), 2435--2438 (1993).
+
+
+\bibitem{tang97}% article
+ \textsc{M.~Tang},  \textsc{L.~Colombo},  \textsc{J.~Zhu},  and  \textsc{T.\,D.
+  de\,la Rubia}\iffalse Intrinsic point defects in crystalline silicon:
+  Tight-binding molecular dynamics studies of self-diffusion,
+  interstitial-vacancy recombination, and formation volumes\fi,
+ \jr{Phys. Rev. B} \textbf{55}(21), 14279--14289 (1997).
+
+
+\bibitem{leung99}% article
+ \textsc{W.\,K. Leung},  \textsc{R.\,J. Needs},  \textsc{G.~Rajagopal},
+  \textsc{S.~Itoh},  and  \textsc{S.~Ihara}\iffalse Calculations of silicon
+  self-interstitial defects\fi,
+ \jr{Phys. Rev. Lett.} \textbf{83}(12), 2351--2354 (1999).
+
+
+\bibitem{al-mushadani03}% article
+ \textsc{O.\,K. Al-Mushadani} and  \textsc{R.\,J. Needs}\iffalse Free-energy
+  calculations of intrinsic point defects in silicon\fi,
+ \jr{Phys. Rev. B} \textbf{68}(23), 235205 (2003).
+
+
+\bibitem{hobler05}% article
+ \textsc{G.~Hobler} and  \textsc{G.~Kresse}\iffalse Ab initio calculations of
+  the interaction between native point defects in silicon\fi,
+ \jr{Mater. Sci. Eng., B} \textbf{124-125}, 368--371 (2005),
+EMRS 2005, Symposium D - Materials Science and Device Issues for Future
+  Technologies.
+
+
+\bibitem{sahli05}% article
+ \textsc{B.~Sahli} and  \textsc{W.~Fichtner}\iffalse Ab initio molecular
+  dynamics simulation of self-interstitial diffusion in silicon\fi,
+ \jr{Phys. Rev. B} \textbf{72}(24), 245210 (2005).
+
+
+\bibitem{posselt08}% article
+ \textsc{M.~Posselt},  \textsc{F.~Gao},  and  \textsc{H.~Bracht}\iffalse
+  Correlation between self-diffusion in si and the migration mechanisms of
+  vacancies and self-interstitials: An atomistic study\fi,
+ \jr{Phys. Rev. B} \textbf{78}(3), 035208 (2008).
+
+
+\bibitem{ma10}% article
+ \textsc{S.~Ma} and  \textsc{S.~Wang}\iffalse Ab initio study of self-diffusion
+  in silicon over a wide temperature range: Point defect states and migration
+  mechanisms\fi,
+ \jr{Phys. Rev. B} \textbf{81}(19), 193203 (2010).
+
+
+\bibitem{tersoff90}% article
+ \textsc{J.~Tersoff}\iffalse Carbon defects and defect reactions in silicon\fi,
+ \jr{Phys. Rev. Lett.} \textbf{64}(15), 1757--1760 (1990).
+
+
+\bibitem{dal_pino93}% article
+ \textsc{A.~{Dal Pino}},  \textsc{A.\,M. Rappe},  and  \textsc{J.\,D.
+  Joannopoulos}\iffalse Ab initio investigation of carbon-related defects in
+  silicon\fi,
+ \jr{Phys. Rev. B} \textbf{47}(19), 12554--12557 (1993).
+
+
+\bibitem{capaz94}% article
+ \textsc{R.\,B. Capaz},  \textsc{A.~{Dal Pino}},  and  \textsc{J.\,D.
+  Joannopoulos}\iffalse Identification of the migration path of interstitial
+  carbon in silicon\fi,
+ \jr{Phys. Rev. B} \textbf{50}(11), 7439--7442 (1994).
+
+
+\bibitem{burnard93}% article
+ \textsc{M.\,J. Burnard} and  \textsc{G.\,G. DeLeo}\iffalse Interstitial carbon
+  and the carbon-carbon pair in silicon: Semiempirical electronic-structure
+  calculations\fi,
+ \jr{Phys. Rev. B} \textbf{47}(16), 10217--10225 (1993).
+
+
+\bibitem{leary97}% article
+ \textsc{P.~Leary},  \textsc{R.~Jones},  \textsc{S.~{\"O}berg},  and
+  \textsc{V.\,J.\,B. Torres}\iffalse Dynamic properties of interstitial carbon
+  and carbon-carbon pair defects in silicon\fi,
+ \jr{Phys. Rev. B} \textbf{55}(4), 2188--2194 (1997).
+
+
+\bibitem{capaz98}% article
+ \textsc{R.\,B. Capaz},  \textsc{A.~{Dal Pino}},  and  \textsc{J.\,D.
+  Joannopoulos}\iffalse Theory of carbon-carbon pairs in silicon\fi,
+ \jr{Phys. Rev. B} \textbf{58}(15), 9845--9850 (1998).
+
+
+\bibitem{mattoni2002}% article
+ \textsc{A.~Mattoni},  \textsc{F.~Bernardini},  and
+  \textsc{L.~Colombo}\iffalse Self-interstitial trapping by carbon complexes in
+  crystalline silicon\fi,
+ \jr{Phys. Rev. B} \textbf{66}(19), 195214 (2002).
+
+
+\bibitem{kresse96}% article
+ \textsc{G.~Kresse} and  \textsc{J.~Furthm{\"{u}}ller}\iffalse Efficiency of
+  ab-initio total energy calculations for metals and semiconductors using a
+  plane-wave basis set\fi,
+ \jr{Comput. Mater. Sci.} \textbf{6}(1), 15--50 (1996).
+
+
+\bibitem{perdew86}% article
+ \textsc{J.\,P. Perdew} and  \textsc{Y.~Wang}\iffalse Accurate and simple
+  density functional for the electronic exchange energy: Generalized gradient
+  approximation\fi,
+ \jr{Phys. Rev. B} \textbf{33}(12), 8800--8802 (1986).
+
+
+\bibitem{perdew92}% article
+ \textsc{J.\,P. Perdew},  \textsc{J.\,A. Chevary},  \textsc{S.\,H. Vosko},
+  \textsc{K.\,A. Jackson},  \textsc{M.\,R. Pederson},  \textsc{D.\,J. Singh},
+  and  \textsc{C.~Fiolhais}\iffalse Atoms, molecules, solids, and surfaces:
+  Applications of the generalized gradient approximation for exchange and
+  correlation\fi,
+ \jr{Phys. Rev. B} \textbf{46}(11), 6671--6687 (1992).
+
+
+\bibitem{hamann79}% article
+ \textsc{D.\,R. Hamann},  \textsc{M.~Schl{\"u}ter},  and
+  \textsc{C.~Chiang}\iffalse Norm-conserving pseudopotentials\fi,
+ \jr{Phys. Rev. Lett.} \textbf{43}(20), 1494--1497 (1979).
+
+
+\bibitem{vanderbilt90}% article
+ \textsc{D.~Vanderbilt}\iffalse Soft self-consistent pseudopotentials in a
+  generalized eigenvalue formalism\fi,
+ \jr{Phys. Rev. B} \textbf{41}(11), 7892--7895 (1990).
+
+
+\bibitem{kaukonen98}% article
+ \textsc{M.~Kaukonen},  \textsc{P.\,K. Sitch},  \textsc{G.~Jungnickel},
+  \textsc{R.\,M. Nieminen},  \textsc{S.~P{\"o}ykk{\"o}},  \textsc{D.~Porezag},
+  and  \textsc{T.~Frauenheim}\iffalse Effect of {N} and {B} doping on the
+  growth of {CVD} diamond $(100):{H}(2\ifmmode\times\else\texttimes\fi{}1)$
+  surfaces\fi,
+ \jr{Phys. Rev. B} \textbf{57}(16), 9965--9970 (1998).
+
+
+\bibitem{albe_sic_pot}% article
+ \textsc{P.~Erhart} and  \textsc{K.~Albe}\iffalse Analytical potential for
+  atomistic simulations of silicon, carbon, and silicon carbide\fi,
+ \jr{Phys. Rev. B} \textbf{71}(3), 035211 (2005).
+
+
+\bibitem{berendsen84}% article
+ \textsc{H.\,J.\,C. Berendsen},  \textsc{J.\,P.\,M. Postma},  \textsc{W.\,F.
+  van Gunsteren},  \textsc{A.~DiNola},  and  \textsc{J.\,R. Haak}\iffalse
+  Molecular dynamics with coupling to an external bath\fi,
+ \jr{J. Chem. Phys.} \textbf{81}(8), 3684--3690 (1984).
+
+
+\bibitem{verlet67}% article
+ \textsc{L.~Verlet}\iffalse Computer {"}experiments{"} on classical fluids.
+  {I}. thermodynamical properties of lennard-jones molecules\fi,
+ \jr{Phys. Rev.} \textbf{159}(1), 98 (1967).
+
+
+\bibitem{watkins76}% article
+ \textsc{G.\,D. Watkins} and  \textsc{K.\,L. Brower}\iffalse {EPR} observation
+  of the isolated interstitial carbon atom in silicon\fi,
+ \jr{Phys. Rev. Lett.} \textbf{36}(22), 1329--1332 (1976).
+
+
+\bibitem{song90}% article
+ \textsc{L.\,W. Song} and  \textsc{G.\,D. Watkins}\iffalse {EPR} identification
+  of the single-acceptor state of interstitial carbon in silicon\fi,
+ \jr{Phys. Rev. B} \textbf{42}(9), 5759--5764 (1990).
+
+
+\bibitem{lindner06}% article
+ \textsc{J.\,K.\,N. Lindner},  \textsc{M.~H{\"a}berlen},
+  \textsc{G.~Thorwarth},  and  \textsc{B.~Stritzker}\iffalse On the balance
+  between ion beam induced nanoparticle formation and displacive precipitate
+  resolution in the {C}-si system\fi,
+ \jr{Mater. Sci. Eng., C} \textbf{26}(5-7), 857--861 (2006),
+Current Trends in Nanoscience - from Materials to Applications.
+
+
+\bibitem{tipping87}% article
+ \textsc{A.\,K. Tipping} and  \textsc{R.\,C. Newman}\iffalse The diffusion
+  coefficient of interstitial carbon in silicon\fi,
+ \jr{Semicond. Sci. Technol.} \textbf{2}(5), 315--317 (1987).
+
+
+\bibitem{zirkelbach11}% article
+ \textsc{F.~Zirkelbach},  \textsc{B.~Stritzker},  \textsc{K.~Nordlund},
+  \textsc{J.\,K.\,N. Lindner},  \textsc{W.\,G. Schmidt},  and
+  \textsc{E.~Rauls}\iffalse Combined \textit{ab initio} and classical potential
+  simulation study on silicon carbide precipitation in silicon\fi,
+ \jr{Phys. Rev. B} \textbf{84}(August), 064126 (2011).
+
+
+\bibitem{zirkelbach10}% article
+ \textsc{F.~Zirkelbach},  \textsc{B.~Stritzker},  \textsc{K.~Nordlund},
+  \textsc{J.\,K.\,N. Lindner},  \textsc{W.\,G. Schmidt},  and
+  \textsc{E.~Rauls}\iffalse Defects in carbon implanted silicon calculated by
+  classical potentials and first-principles methods\fi,
+ \jr{Phys. Rev. B} \textbf{82}(9), 094110 (2010).
+
+
+\end{thebibliography}
+
+
+\end{document}