bibdb/bibdb.bib

   1 %
   2 % bibliography database
   3 %
   4
   5 @Article{albe_sic_pot,
   6   author =       "Paul Erhart and Karsten Albe",
   7   title =        "Analytical potential for atomistic simulations of
   8                  silicon, carbon, and silicon carbide",
   9   publisher =    "APS",
  10   year =         "2005",
  11   journal =      "Phys. Rev. B",
  12   volume =       "71",
  13   number =       "3",
  14   eid =          "035211",
  15   numpages =     "14",
  16   pages =        "035211",
  17   notes =        "alble reparametrization, analytical bond oder
  18                  potential (ABOP)",
  19   keywords =     "silicon; elemental semiconductors; carbon; silicon
  20                  compounds; wide band gap semiconductors; elasticity;
  21                  enthalpy; point defects; crystallographic shear; atomic
  22                  forces",
  23   URL =          "http://link.aps.org/abstract/PRB/v71/e035211",
  24   doi =          "10.1103/PhysRevB.71.035211",
  25 }
  26
  27 @Article{albe2002,
  28   title =        "Modeling the metal-semiconductor interaction:
  29                  Analytical bond-order potential for platinum-carbon",
  30   author =       "Karsten Albe and Kai Nordlund and Robert S. Averback",
  31   journal =      "Phys. Rev. B",
  32   volume =       "65",
  33   number =       "19",
  34   pages =        "195124",
  35   numpages =     "11",
  36   year =         "2002",
  37   month =        may,
  38   doi =          "10.1103/PhysRevB.65.195124",
  39   publisher =    "American Physical Society",
  40   notes =        "derivation of albe bond order formalism",
  41 }
  42
  43 @Article{bean71,
  44   title =        "The solubility of carbon in pulled silicon crystals",
  45   journal =      "Journal of Physics and Chemistry of Solids",
  46   volume =       "32",
  47   number =       "6",
  48   pages =        "1211--1219",
  49   year =         "1971",
  50   note =         "",
  51   ISSN =         "0022-3697",
  52   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-3697(71)80179-8",
  53   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXR-4PR80SS-D/2/ce21d10d2bb885b5641905883a618ff5",
  54   author =       "A. R. Bean and R. C. Newman",
  55   notes =        "experimental solubility data of carbon in silicon",
  56 }
  57
  58 @Article{capano97,
  59   author =       "M. A. Capano and R. J. Trew",
  60   title =        "Silicon Carbide Electronic Materials and Devices",
  61   journal =      "MRS Bull.",
  62   volume =       "22",
  63   pages =        "19",
  64   year =         "1997",
  65 }
  66
  67 @Article{fischer90,
  68   author =       "G. R. Fisher and P. Barnes",
  69   title =        "Towards a unified view of polytypism in silicon
  70                  carbide",
  71   journal =      "Philos. Mag. B",
  72   volume =       "61",
  73   pages =        "217--236",
  74   year =         "1990",
  75   notes =        "sic polytypes",
  76 }
  77
  78 @Article{koegler03,
  79   author =       "R. K{\"{o}}gler and F. Eichhorn and J. R. Kaschny and
  80                  A. M{\"{u}}cklich and H. Reuther and W. Skorupa and C.
  81                  Serre and A. Perez-Rodriguez",
  82   title =        "Synthesis of nano-sized Si{C} precipitates in Si by
  83                  simultaneous dual-beam implantation of {C}+ and Si+
  84                  ions",
  85   journal =      "Appl. Phys. A: Mater. Sci. Process.",
  86   volume =       "76",
  87   pages =        "827--835",
  88   month =        mar,
  89   year =         "2003",
  90   notes =        "dual implantation, sic prec enhanced by vacancies,
  91                  precipitation by interstitial and substitutional
  92                  carbon, both mechanisms explained + refs",
  93 }
  94
  95 @Article{skorupa96,
  96   title =        "Carbon-mediated effects in silicon and in
  97                  silicon-related materials",
  98   journal =      "Materials Chemistry and Physics",
  99   volume =       "44",
 100   number =       "2",
 101   pages =        "101--143",
 102   year =         "1996",
 103   note =         "",
 104   ISSN =         "0254-0584",
 105   doi =          "DOI: 10.1016/0254-0584(95)01673-I",
 106   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TX4-3VR9V74-2/2/4ab972315eb79eaa76b55ffab5aed982",
 107   author =       "W. Skorupa and R. A. Yankov",
 108   notes =        "review of silicon carbon compound",
 109 }
 110
 111 @Book{laplace,
 112   author =       "P. S. de Laplace",
 113   title =        "Th\'eorie analytique des probabilit\'es",
 114   series =       "Oeuvres Compl\`etes de Laplace",
 115   volume =       "VII",
 116   publisher =    "Gauthier-Villars",
 117   year =         "1820",
 118 }
 119
 120 @Article{mattoni2007,
 121   author =       "A. {Mattoni} and M. {Ippolito} and L. {Colombo}",
 122   title =        "{Atomistic modeling of brittleness in covalent
 123                  materials}",
 124   journal =      "Phys. Rev. B",
 125   year =         "2007",
 126   month =        dec,
 127   volume =       "76",
 128   number =       "22",
 129   pages =        "224103",
 130   doi =          "10.1103/PhysRevB.76.224103",
 131   notes =        "adopted tersoff potential for Si, C, Ge ad SiC;
 132                  longe(r)-range-interactions, brittle propagation of
 133                  fracture, more available potentials, universal energy
 134                  relation (uer), minimum range model (mrm)",
 135 }
 136
 137 @Article{balamane92,
 138   title =        "Comparative study of silicon empirical interatomic
 139                  potentials",
 140   author =       "H. Balamane and T. Halicioglu and W. A. Tiller",
 141   journal =      "Phys. Rev. B",
 142   volume =       "46",
 143   number =       "4",
 144   pages =        "2250--2279",
 145   numpages =     "29",
 146   year =         "1992",
 147   month =        jul,
 148   doi =          "10.1103/PhysRevB.46.2250",
 149   publisher =    "American Physical Society",
 150   notes =        "comparison of classical potentials for si",
 151 }
 152
 153 @Article{koster2002,
 154   title =        "Stress relaxation in $a-Si$ induced by ion
 155                  bombardment",
 156   author =       "H. M. Urbassek M. Koster",
 157   journal =      "Phys. Rev. B",
 158   volume =       "62",
 159   number =       "16",
 160   pages =        "11219--11224",
 161   numpages =     "5",
 162   year =         "2000",
 163   month =        oct,
 164   doi =          "10.1103/PhysRevB.62.11219",
 165   publisher =    "American Physical Society",
 166   notes =        "virial derivation for 3-body tersoff potential",
 167 }
 168
 169 @Article{breadmore99,
 170   title =        "Direct simulation of ion-beam-induced stressing and
 171                  amorphization of silicon",
 172   author =       "N. Gr\o{}nbech-Jensen K. M. Beardmore",
 173   journal =      "Phys. Rev. B",
 174   volume =       "60",
 175   number =       "18",
 176   pages =        "12610--12616",
 177   numpages =     "6",
 178   year =         "1999",
 179   month =        nov,
 180   doi =          "10.1103/PhysRevB.60.12610",
 181   publisher =    "American Physical Society",
 182   notes =        "virial derivation for 3-body tersoff potential",
 183 }
 184
 185 @Article{moissan04,
 186   author =       "Henri Moissan",
 187   title =        "Nouvelles recherches sur la météorité de Cañon
 188                  Diablo",
 189   journal =      "Comptes rendus de l'Académie des Sciences",
 190   volume =       "139",
 191   pages =        "773--786",
 192   year =         "1904",
 193 }
 194
 195 @Book{park98,
 196   author =       "Y. S. Park",
 197   title =        "Si{C} Materials and Devices",
 198   publisher =    "Academic Press",
 199   address =      "San Diego",
 200   year =         "1998",
 201 }
 202
 203 @Article{tsvetkov98,
 204   author =       "Valeri F. Tsvetkov and R. C. Glass and D. Henshall and
 205                  Calvin H. Carter Jr. and D. Asbury",
 206   title =        "Si{C} Seeded Boule Growth",
 207   journal =      "Materials Science Forum",
 208   volume =       "264-268",
 209   pages =        "3--8",
 210   year =         "1998",
 211   notes =        "modified lely process, micropipes",
 212 }
 213
 214 @Article{verlet67,
 215   title =        "Computer {"}Experiments{"} on Classical Fluids. {I}.
 216                  Thermodynamical Properties of Lennard-Jones Molecules",
 217   author =       "Loup Verlet",
 218   journal =      "Phys. Rev.",
 219   volume =       "159",
 220   number =       "1",
 221   pages =        "98",
 222   year =         "1967",
 223   month =        jul,
 224   doi =          "10.1103/PhysRev.159.98",
 225   publisher =    "American Physical Society",
 226   notes =        "velocity verlet integration algorithm equation of
 227                  motion",
 228 }
 229
 230 @Article{berendsen84,
 231   author =       "H. J. C. Berendsen and J. P. M. Postma and W. F. van
 232                  Gunsteren and A. DiNola and J. R. Haak",
 233   collaboration = "",
 234   title =        "Molecular dynamics with coupling to an external bath",
 235   publisher =    "AIP",
 236   year =         "1984",
 237   journal =      "J. Chem. Phys.",
 238   volume =       "81",
 239   number =       "8",
 240   pages =        "3684--3690",
 241   keywords =     "MOLECULAR DYNAMICS CALCULATION; TRANSPORT THEORY;
 242                  COMPUTERIZED SIMULATION; LIQUIDS; STRUCTURE FACTORS",
 243   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/81/3684/1",
 244   doi =          "10.1063/1.448118",
 245   notes =        "berendsen thermostat barostat",
 246 }
 247
 248 @Article{huang95,
 249   author =       "Hanchen Huang and N M Ghoniem and J K Wong and M
 250                  Baskes",
 251   title =        "Molecular dynamics determination of defect energetics
 252                  in beta -Si{C} using three representative empirical
 253                  potentials",
 254   journal =      "Modell. Simul. Mater. Sci. Eng.",
 255   volume =       "3",
 256   number =       "5",
 257   pages =        "615--627",
 258   URL =          "http://stacks.iop.org/0965-0393/3/615",
 259   notes =        "comparison of tersoff, pearson and eam for defect
 260                  energetics in sic; (m)eam parameters for sic",
 261   year =         "1995",
 262 }
 263
 264 @Article{brenner89,
 265   title =        "Relationship between the embedded-atom method and
 266                  Tersoff potentials",
 267   author =       "Donald W. Brenner",
 268   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 269   volume =       "63",
 270   number =       "9",
 271   pages =        "1022",
 272   numpages =     "1",
 273   year =         "1989",
 274   month =        aug,
 275   doi =          "10.1103/PhysRevLett.63.1022",
 276   publisher =    "American Physical Society",
 277   notes =        "relation of tersoff and eam potential",
 278 }
 279
 280 @Article{batra87,
 281   title =        "Molecular-dynamics study of self-interstitials in
 282                  silicon",
 283   author =       "Inder P. Batra and Farid F. Abraham and S. Ciraci",
 284   journal =      "Phys. Rev. B",
 285   volume =       "35",
 286   number =       "18",
 287   pages =        "9552--9558",
 288   numpages =     "6",
 289   year =         "1987",
 290   month =        jun,
 291   doi =          "10.1103/PhysRevB.35.9552",
 292   publisher =    "American Physical Society",
 293   notes =        "selft-interstitials in silicon, stillinger-weber,
 294                  calculation of defect formation energy, defect
 295                  interstitial types",
 296 }
 297
 298 @Article{schober89,
 299   title =        "Extended interstitials in silicon and germanium",
 300   author =       "H. R. Schober",
 301   journal =      "Phys. Rev. B",
 302   volume =       "39",
 303   number =       "17",
 304   pages =        "13013--13015",
 305   numpages =     "2",
 306   year =         "1989",
 307   month =        jun,
 308   doi =          "10.1103/PhysRevB.39.13013",
 309   publisher =    "American Physical Society",
 310   notes =        "stillinger-weber silicon 110 stable and metastable
 311                  dumbbell configuration",
 312 }
 313
 314 @Article{gao02a,
 315   title =        "Cascade overlap and amorphization in $3{C}-Si{C}:$
 316                  Defect accumulation, topological features, and
 317                  disordering",
 318   author =       "F. Gao and W. J. Weber",
 319   journal =      "Phys. Rev. B",
 320   volume =       "66",
 321   number =       "2",
 322   pages =        "024106",
 323   numpages =     "10",
 324   year =         "2002",
 325   month =        jul,
 326   doi =          "10.1103/PhysRevB.66.024106",
 327   publisher =    "American Physical Society",
 328   notes =        "sic intro, si cascade in 3c-sic, amorphization,
 329                  tersoff modified, pair correlation of amorphous sic, md
 330                  result analyze",
 331 }
 332
 333 @Article{devanathan98,
 334   title =        "Computer simulation of a 10 ke{V} Si displacement
 335                  cascade in Si{C}",
 336   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
 337   volume =       "141",
 338   number =       "1-4",
 339   pages =        "118--122",
 340   year =         "1998",
 341   ISSN =         "0168-583X",
 342   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00084-6",
 343   author =       "R. Devanathan and W. J. Weber and T. Diaz de la
 344                  Rubia",
 345   notes =        "modified tersoff short range potential, ab initio
 346                  3c-sic",
 347 }
 348
 349 @Article{devanathan98_2,
 350   title =        "Displacement threshold energies in [beta]-Si{C}",
 351   journal =      "J. Nucl. Mater.",
 352   volume =       "253",
 353   number =       "1-3",
 354   pages =        "47--52",
 355   year =         "1998",
 356   ISSN =         "0022-3115",
 357   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-3115(97)00304-8",
 358   author =       "R. Devanathan and T. Diaz de la Rubia and W. J.
 359                  Weber",
 360   notes =        "modified tersoff, ab initio, combined ab initio
 361                  tersoff",
 362 }
 363
 364 @Article{kitabatake00,
 365   title =        "Si{C}/Si heteroepitaxial growth",
 366   author =       "M. Kitabatake",
 367   journal =      "Thin Solid Films",
 368   volume =       "369",
 369   pages =        "257--264",
 370   numpages =     "8",
 371   year =         "2000",
 372   notes =        "md simulation, sic si heteroepitaxy, mbe",
 373 }
 374
 375 @Article{tang97,
 376   title =        "Intrinsic point defects in crystalline silicon:
 377                  Tight-binding molecular dynamics studies of
 378                  self-diffusion, interstitial-vacancy recombination, and
 379                  formation volumes",
 380   author =       "M. Tang and L. Colombo and J. Zhu and T. Diaz de la
 381                  Rubia",
 382   journal =      "Phys. Rev. B",
 383   volume =       "55",
 384   number =       "21",
 385   pages =        "14279--14289",
 386   numpages =     "10",
 387   year =         "1997",
 388   month =        jun,
 389   doi =          "10.1103/PhysRevB.55.14279",
 390   publisher =    "American Physical Society",
 391   notes =        "si self interstitial, diffusion, tbmd",
 392 }
 393
 394 @Article{johnson98,
 395   author =       "M. D. Johnson and M.-J. Caturla and T. D\'{\i}az de la
 396                  Rubia",
 397   collaboration = "",
 398   title =        "A kinetic Monte--Carlo study of the effective
 399                  diffusivity of the silicon self-interstitial in the
 400                  presence of carbon and boron",
 401   publisher =    "AIP",
 402   year =         "1998",
 403   journal =      "J. Appl. Phys.",
 404   volume =       "84",
 405   number =       "4",
 406   pages =        "1963--1967",
 407   keywords =     "MONTE CARLO METHOD; DIFFUSION; SILICON; INTERSTITIALS;
 408                  CARBON ADDITIONS; BORON ADDITIONS; elemental
 409                  semiconductors; self-diffusion",
 410   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/84/1963/1",
 411   doi =          "10.1063/1.368328",
 412   notes =        "kinetic monte carlo of si self interstitial
 413                  diffsuion",
 414 }
 415
 416 @Article{bar-yam84,
 417   title =        "Barrier to Migration of the Silicon
 418                  Self-Interstitial",
 419   author =       "Y. Bar-Yam and J. D. Joannopoulos",
 420   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 421   volume =       "52",
 422   number =       "13",
 423   pages =        "1129--1132",
 424   numpages =     "3",
 425   year =         "1984",
 426   month =        mar,
 427   doi =          "10.1103/PhysRevLett.52.1129",
 428   publisher =    "American Physical Society",
 429   notes =        "si self-interstitial migration barrier",
 430 }
 431
 432 @Article{bar-yam84_2,
 433   title =        "Electronic structure and total-energy migration
 434                  barriers of silicon self-interstitials",
 435   author =       "Y. Bar-Yam and J. D. Joannopoulos",
 436   journal =      "Phys. Rev. B",
 437   volume =       "30",
 438   number =       "4",
 439   pages =        "1844--1852",
 440   numpages =     "8",
 441   year =         "1984",
 442   month =        aug,
 443   doi =          "10.1103/PhysRevB.30.1844",
 444   publisher =    "American Physical Society",
 445 }
 446
 447 @Article{bloechl93,
 448   title =        "First-principles calculations of self-diffusion
 449                  constants in silicon",
 450   author =       "Peter E. Bl{\"o}chl and Enrico Smargiassi and R. Car
 451                  and D. B. Laks and W. Andreoni and S. T. Pantelides",
 452   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 453   volume =       "70",
 454   number =       "16",
 455   pages =        "2435--2438",
 456   numpages =     "3",
 457   year =         "1993",
 458   month =        apr,
 459   doi =          "10.1103/PhysRevLett.70.2435",
 460   publisher =    "American Physical Society",
 461   notes =        "si self int diffusion by ab initio md, formation
 462                  entropy calculations",
 463 }
 464
 465 @Article{colombo02,
 466   title =        "Tight-binding theory of native point defects in
 467                  silicon",
 468   author =       "L. Colombo",
 469   journal =      "Annu. Rev. Mater. Res.",
 470   volume =       "32",
 471   pages =        "271--295",
 472   numpages =     "25",
 473   year =         "2002",
 474   doi =          "10.1146/annurev.matsci.32.111601.103036",
 475   publisher =    "Annual Reviews",
 476   notes =        "si self interstitial, tbmd, virial stress",
 477 }
 478
 479 @Article{al-mushadani03,
 480   title =        "Free-energy calculations of intrinsic point defects in
 481                  silicon",
 482   author =       "O. K. Al-Mushadani and R. J. Needs",
 483   journal =      "Phys. Rev. B",
 484   volume =       "68",
 485   number =       "23",
 486   pages =        "235205",
 487   numpages =     "8",
 488   year =         "2003",
 489   month =        dec,
 490   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.235205",
 491   publisher =    "American Physical Society",
 492   notes =        "formation energies of intrinisc point defects in
 493                  silicon, si self interstitials, free energy",
 494 }
 495
 496 @Article{goedecker02,
 497   title =        "A Fourfold Coordinated Point Defect in Silicon",
 498   author =       "Stefan Goedecker and Thierry Deutsch and Luc Billard",
 499   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 500   volume =       "88",
 501   number =       "23",
 502   pages =        "235501",
 503   numpages =     "4",
 504   year =         "2002",
 505   month =        may,
 506   doi =          "10.1103/PhysRevLett.88.235501",
 507   publisher =    "American Physical Society",
 508   notes =        "first time ffcd, fourfold coordinated point defect in
 509                  silicon",
 510 }
 511
 512 @Article{sahli05,
 513   title =        "Ab initio molecular dynamics simulation of
 514                  self-interstitial diffusion in silicon",
 515   author =       "Beat Sahli and Wolfgang Fichtner",
 516   journal =      "Phys. Rev. B",
 517   volume =       "72",
 518   number =       "24",
 519   pages =        "245210",
 520   numpages =     "6",
 521   year =         "2005",
 522   month =        dec,
 523   doi =          "10.1103/PhysRevB.72.245210",
 524   publisher =    "American Physical Society",
 525   notes =        "si self int, diffusion, barrier height, voronoi
 526                  mapping applied",
 527 }
 528
 529 @Article{hobler05,
 530   title =        "Ab initio calculations of the interaction between
 531                  native point defects in silicon",
 532   journal =      "Mater. Sci. Eng., B",
 533   volume =       "124-125",
 534   number =       "",
 535   pages =        "368--371",
 536   year =         "2005",
 537   note =         "EMRS 2005, Symposium D - Materials Science and Device
 538                  Issues for Future Technologies",
 539   ISSN =         "0921-5107",
 540   doi =          "DOI: 10.1016/j.mseb.2005.08.072",
 541   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXF-4H6PKRB-3/2/e217bd3d7ee1fffee899eeb4a2f133a4",
 542   author =       "G. Hobler and G. Kresse",
 543   notes =        "vasp intrinsic si defect interaction study, capture
 544                  radius",
 545 }
 546
 547 @Article{ma10,
 548   title =        "Ab initio study of self-diffusion in silicon over a
 549                  wide temperature range: Point defect states and
 550                  migration mechanisms",
 551   author =       "Shangyi Ma and Shaoqing Wang",
 552   journal =      "Phys. Rev. B",
 553   volume =       "81",
 554   number =       "19",
 555   pages =        "193203",
 556   numpages =     "4",
 557   year =         "2010",
 558   month =        may,
 559   doi =          "10.1103/PhysRevB.81.193203",
 560   publisher =    "American Physical Society",
 561   notes =        "si self interstitial diffusion + refs",
 562 }
 563
 564 @Article{posselt06,
 565   title =        "Atomistic simulations on the thermal stability of the
 566                  antisite pair in 3{C}- and 4{H}-Si{C}",
 567   author =       "M. Posselt and F. Gao and W. J. Weber",
 568   journal =      "Phys. Rev. B",
 569   volume =       "73",
 570   number =       "12",
 571   pages =        "125206",
 572   numpages =     "8",
 573   year =         "2006",
 574   month =        mar,
 575   doi =          "10.1103/PhysRevB.73.125206",
 576   publisher =    "American Physical Society",
 577 }
 578
 579 @Article{posselt08,
 580   title =        "Correlation between self-diffusion in Si and the
 581                  migration mechanisms of vacancies and
 582                  self-interstitials: An atomistic study",
 583   author =       "M. Posselt and F. Gao and H. Bracht",
 584   journal =      "Phys. Rev. B",
 585   volume =       "78",
 586   number =       "3",
 587   pages =        "035208",
 588   numpages =     "9",
 589   year =         "2008",
 590   month =        jul,
 591   doi =          "10.1103/PhysRevB.78.035208",
 592   publisher =    "American Physical Society",
 593   notes =        "si self-interstitial and vacancy diffusion, stillinger
 594                  weber and tersoff",
 595 }
 596
 597 @Article{gao2001,
 598   title =        "Ab initio and empirical-potential studies of defect
 599                  properties in $3{C}-Si{C}$",
 600   author =       "F. Gao and E. J. Bylaska and W. J. Weber and L. R.
 601                  Corrales",
 602   journal =      "Phys. Rev. B",
 603   volume =       "64",
 604   number =       "24",
 605   pages =        "245208",
 606   numpages =     "7",
 607   year =         "2001",
 608   month =        dec,
 609   doi =          "10.1103/PhysRevB.64.245208",
 610   publisher =    "American Physical Society",
 611   notes =        "defects in 3c-sic",
 612 }
 613
 614 @Article{gao02,
 615   title =        "Empirical potential approach for defect properties in
 616                  3{C}-Si{C}",
 617   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
 618   volume =       "191",
 619   number =       "1-4",
 620   pages =        "487--496",
 621   year =         "2002",
 622   note =         "",
 623   ISSN =         "0168-583X",
 624   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(02)00600-6",
 625   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-453NR6B-G/2/e65b0730e94e13d66f72a2147b449ea7",
 626   author =       "Fei Gao and William J. Weber",
 627   keywords =     "Empirical potential",
 628   keywords =     "Defect properties",
 629   keywords =     "Silicon carbide",
 630   keywords =     "Computer simulation",
 631   notes =        "sic potential, brenner type, like erhart/albe",
 632 }
 633
 634 @Article{gao04,
 635   title =        "Atomistic study of intrinsic defect migration in
 636                  3{C}-Si{C}",
 637   author =       "Fei Gao and William J. Weber and M. Posselt and V.
 638                  Belko",
 639   journal =      "Phys. Rev. B",
 640   volume =       "69",
 641   number =       "24",
 642   pages =        "245205",
 643   numpages =     "5",
 644   year =         "2004",
 645   month =        jun,
 646   doi =          "10.1103/PhysRevB.69.245205",
 647   publisher =    "American Physical Society",
 648   notes =        "defect migration in sic",
 649 }
 650
 651 @Article{gao07,
 652   author =       "F. Gao and J. Du and E. J. Bylaska and M. Posselt and
 653                  W. J. Weber",
 654   collaboration = "",
 655   title =        "Ab Initio atomic simulations of antisite pair recovery
 656                  in cubic silicon carbide",
 657   publisher =    "AIP",
 658   year =         "2007",
 659   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
 660   volume =       "90",
 661   number =       "22",
 662   eid =          "221915",
 663   numpages =     "3",
 664   pages =        "221915",
 665   keywords =     "ab initio calculations; silicon compounds; antisite
 666                  defects; wide band gap semiconductors; molecular
 667                  dynamics method; density functional theory;
 668                  electron-hole recombination; photoluminescence;
 669                  impurities; diffusion",
 670   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/90/221915/1",
 671   doi =          "10.1063/1.2743751",
 672 }
 673
 674 @Article{mattoni2002,
 675   title =        "Self-interstitial trapping by carbon complexes in
 676                  crystalline silicon",
 677   author =       "A. Mattoni and F. Bernardini and L. Colombo",
 678   journal =      "Phys. Rev. B",
 679   volume =       "66",
 680   number =       "19",
 681   pages =        "195214",
 682   numpages =     "6",
 683   year =         "2002",
 684   month =        nov,
 685   doi =          "10.1103/PhysRevB.66.195214",
 686   publisher =    "American Physical Society",
 687   notes =        "c in c-si, diffusion, interstitial configuration +
 688                  links, interaction of carbon and silicon interstitials,
 689                  tersoff suitability",
 690 }
 691
 692 @Article{leung99,
 693   title =        "Calculations of Silicon Self-Interstitial Defects",
 694   author =       "W.-K. Leung and R. J. Needs and G. Rajagopal and S.
 695                  Itoh and S. Ihara",
 696   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 697   volume =       "83",
 698   number =       "12",
 699   pages =        "2351--2354",
 700   numpages =     "3",
 701   year =         "1999",
 702   month =        sep,
 703   doi =          "10.1103/PhysRevLett.83.2351",
 704   publisher =    "American Physical Society",
 705   notes =        "nice images of the defects, si defect overview +
 706                  refs",
 707 }
 708
 709 @Article{capaz94,
 710   title =        "Identification of the migration path of interstitial
 711                  carbon in silicon",
 712   author =       "R. B. Capaz and A. {Dal Pino} and J. D. Joannopoulos",
 713   journal =      "Phys. Rev. B",
 714   volume =       "50",
 715   number =       "11",
 716   pages =        "7439--7442",
 717   numpages =     "3",
 718   year =         "1994",
 719   month =        sep,
 720   doi =          "10.1103/PhysRevB.50.7439",
 721   publisher =    "American Physical Society",
 722   notes =        "carbon interstitial migration path shown, 001 c-si
 723                  dumbbell",
 724 }
 725
 726 @Article{capaz98,
 727   title =        "Theory of carbon-carbon pairs in silicon",
 728   author =       "R. B. Capaz and A. {Dal Pino} and J. D. Joannopoulos",
 729   journal =      "Phys. Rev. B",
 730   volume =       "58",
 731   number =       "15",
 732   pages =        "9845--9850",
 733   numpages =     "5",
 734   year =         "1998",
 735   month =        oct,
 736   doi =          "10.1103/PhysRevB.58.9845",
 737   publisher =    "American Physical Society",
 738   notes =        "c_i c_s pair configuration, theoretical results",
 739 }
 740
 741 @Article{song90_2,
 742   title =        "Bistable interstitial-carbon--substitutional-carbon
 743                  pair in silicon",
 744   author =       "L. W. Song and X. D. Zhan and B. W. Benson and G. D.
 745                  Watkins",
 746   journal =      "Phys. Rev. B",
 747   volume =       "42",
 748   number =       "9",
 749   pages =        "5765--5783",
 750   numpages =     "18",
 751   year =         "1990",
 752   month =        sep,
 753   doi =          "10.1103/PhysRevB.42.5765",
 754   publisher =    "American Physical Society",
 755   notes =        "c_i c_s pair configuration, experimental results",
 756 }
 757
 758 @Article{liu02,
 759   author =       "Chun-Li Liu and Wolfgang Windl and Len Borucki and
 760                  Shifeng Lu and Xiang-Yang Liu",
 761   collaboration = "",
 762   title =        "Ab initio modeling and experimental study of {C}--{B}
 763                  interactions in Si",
 764   publisher =    "AIP",
 765   year =         "2002",
 766   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
 767   volume =       "80",
 768   number =       "1",
 769   pages =        "52--54",
 770   keywords =     "silicon; boron; carbon; elemental semiconductors;
 771                  impurity-defect interactions; ab initio calculations;
 772                  secondary ion mass spectra; diffusion; interstitials",
 773   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/80/52/1",
 774   doi =          "10.1063/1.1430505",
 775   notes =        "c-c 100 split, lower as a and b states of capaz",
 776 }
 777
 778 @Article{dal_pino93,
 779   title =        "Ab initio investigation of carbon-related defects in
 780                  silicon",
 781   author =       "A. {Dal Pino} and Andrew M. Rappe and J. D.
 782                  Joannopoulos",
 783   journal =      "Phys. Rev. B",
 784   volume =       "47",
 785   number =       "19",
 786   pages =        "12554--12557",
 787   numpages =     "3",
 788   year =         "1993",
 789   month =        may,
 790   doi =          "10.1103/PhysRevB.47.12554",
 791   publisher =    "American Physical Society",
 792   notes =        "c interstitials in crystalline silicon",
 793 }
 794
 795 @Article{car84,
 796   title =        "Microscopic Theory of Atomic Diffusion Mechanisms in
 797                  Silicon",
 798   author =       "Roberto Car and Paul J. Kelly and Atsushi Oshiyama and
 799                  Sokrates T. Pantelides",
 800   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 801   volume =       "52",
 802   number =       "20",
 803   pages =        "1814--1817",
 804   numpages =     "3",
 805   year =         "1984",
 806   month =        may,
 807   doi =          "10.1103/PhysRevLett.52.1814",
 808   publisher =    "American Physical Society",
 809   notes =        "microscopic theory diffusion silicon dft migration
 810                  path formation",
 811 }
 812
 813 @Article{car85,
 814   title =        "Unified Approach for Molecular Dynamics and
 815                  Density-Functional Theory",
 816   author =       "R. Car and M. Parrinello",
 817   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 818   volume =       "55",
 819   number =       "22",
 820   pages =        "2471--2474",
 821   numpages =     "3",
 822   year =         "1985",
 823   month =        nov,
 824   doi =          "10.1103/PhysRevLett.55.2471",
 825   publisher =    "American Physical Society",
 826   notes =        "car parrinello method, dft and md",
 827 }
 828
 829 @Article{kelires97,
 830   title =        "Short-range order, bulk moduli, and physical trends in
 831                  c-$Si1-x$$Cx$ alloys",
 832   author =       "P. C. Kelires",
 833   journal =      "Phys. Rev. B",
 834   volume =       "55",
 835   number =       "14",
 836   pages =        "8784--8787",
 837   numpages =     "3",
 838   year =         "1997",
 839   month =        apr,
 840   doi =          "10.1103/PhysRevB.55.8784",
 841   publisher =    "American Physical Society",
 842   notes =        "c strained si, montecarlo md, bulk moduli, next
 843                  neighbour dist",
 844 }
 845
 846 @Article{kelires95,
 847   title =        "Monte Carlo Studies of Ternary Semiconductor Alloys:
 848                  Application to the $Si1-x-yGexCy$ System",
 849   author =       "P. C. Kelires",
 850   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 851   volume =       "75",
 852   number =       "6",
 853   pages =        "1114--1117",
 854   numpages =     "3",
 855   year =         "1995",
 856   month =        aug,
 857   doi =          "10.1103/PhysRevLett.75.1114",
 858   publisher =    "American Physical Society",
 859   notes =        "mc md, strain compensation in si ge by c insertion",
 860 }
 861
 862 @Article{bean70,
 863   title =        "Low temperature electron irradiation of silicon
 864                  containing carbon",
 865   journal =      "Solid State Communications",
 866   volume =       "8",
 867   number =       "3",
 868   pages =        "175--177",
 869   year =         "1970",
 870   note =         "",
 871   ISSN =         "0038-1098",
 872   doi =          "DOI: 10.1016/0038-1098(70)90074-8",
 873   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVW-46MF8S4-156/2/5f4d9c189a3d97227fde9214195aa081",
 874   author =       "A. R. Bean and R. C. Newman",
 875 }
 876
 877 @Article{watkins76,
 878   title =        "{EPR} Observation of the Isolated Interstitial Carbon
 879                  Atom in Silicon",
 880   author =       "G. D. Watkins and K. L. Brower",
 881   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 882   volume =       "36",
 883   number =       "22",
 884   pages =        "1329--1332",
 885   numpages =     "3",
 886   year =         "1976",
 887   month =        may,
 888   doi =          "10.1103/PhysRevLett.36.1329",
 889   publisher =    "American Physical Society",
 890   notes =        "epr observations of 100 interstitial carbon atom in
 891                  silicon",
 892 }
 893
 894 @Article{song90,
 895   title =        "{EPR} identification of the single-acceptor state of
 896                  interstitial carbon in silicon",
 897   author =       "L. W. Song and G. D. Watkins",
 898   journal =      "Phys. Rev. B",
 899   volume =       "42",
 900   number =       "9",
 901   pages =        "5759--5764",
 902   numpages =     "5",
 903   year =         "1990",
 904   month =        sep,
 905   doi =          "10.1103/PhysRevB.42.5759",
 906   publisher =    "American Physical Society",
 907   notes =        "carbon diffusion in silicon",
 908 }
 909
 910 @Article{tipping87,
 911   author =       "A K Tipping and R C Newman",
 912   title =        "The diffusion coefficient of interstitial carbon in
 913                  silicon",
 914   journal =      "Semicond. Sci. Technol.",
 915   volume =       "2",
 916   number =       "5",
 917   pages =        "315--317",
 918   URL =          "http://stacks.iop.org/0268-1242/2/315",
 919   year =         "1987",
 920   notes =        "diffusion coefficient of carbon interstitials in
 921                  silicon",
 922 }
 923
 924 @Article{strane96,
 925   title =        "Carbon incorporation into Si at high concentrations by
 926                  ion implantation and solid phase epitaxy",
 927   author =       "J. W. Strane and S. R. Lee and H. J. Stein and S. T.
 928                  Picraux and J. K. Watanabe and J. W. Mayer",
 929   journal =      "J. Appl. Phys.",
 930   volume =       "79",
 931   pages =        "637",
 932   year =         "1996",
 933   month =        jan,
 934   doi =          "10.1063/1.360806",
 935   notes =        "strained silicon, carbon supersaturation",
 936 }
 937
 938 @Article{laveant2002,
 939   title =        "Epitaxy of carbon-rich silicon with {MBE}",
 940   journal =      "Mater. Sci. Eng., B",
 941   volume =       "89",
 942   number =       "1-3",
 943   pages =        "241--245",
 944   year =         "2002",
 945   ISSN =         "0921-5107",
 946   doi =          "DOI: 10.1016/S0921-5107(01)00794-2",
 947   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXF-44YVPGS-1V/2/024ece074ad18ebbec62a39a2510a268",
 948   author =       "P. Lav\'eant and G. Gerth and P. Werner and U.
 949                  G{\"{o}}sele",
 950   notes =        "low c in si, tensile stress to compensate compressive
 951                  stress, avoid sic precipitation",
 952 }
 953
 954 @Article{werner97,
 955   author =       "P. Werner and S. Eichler and G. Mariani and R.
 956                  K{\"{o}}gler and W. Skorupa",
 957   title =        "Investigation of {C}[sub x]Si defects in {C} implanted
 958                  silicon by transmission electron microscopy",
 959   publisher =    "AIP",
 960   year =         "1997",
 961   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
 962   volume =       "70",
 963   number =       "2",
 964   pages =        "252--254",
 965   keywords =     "silicon; ion implantation; carbon; crystal defects;
 966                  transmission electron microscopy; annealing; positron
 967                  annihilation; secondary ion mass spectroscopy; buried
 968                  layers; precipitation",
 969   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/70/252/1",
 970   doi =          "10.1063/1.118381",
 971   notes =        "si-c complexes, agglomerate, sic in si matrix, sic
 972                  precipitate",
 973 }
 974
 975 @InProceedings{werner96,
 976   author =       "P. Werner and R. K{\"{o}}gler and W. Skorupa and D.
 977                  Eichler",
 978   booktitle =    "Ion Implantation Technology. Proceedings of the 11th
 979                  International Conference on",
 980   title =        "{TEM} investigation of {C}-Si defects in carbon
 981                  implanted silicon",
 982   year =         "1996",
 983   month =        jun,
 984   volume =       "",
 985   number =       "",
 986   pages =        "675--678",
 987   doi =          "10.1109/IIT.1996.586497",
 988   ISSN =         "",
 989   notes =        "c-si agglomerates dumbbells",
 990 }
 991
 992 @Article{werner98,
 993   author =       "P. Werner and U. G{\"{o}}sele and H.-J. Gossmann and
 994                  D. C. Jacobson",
 995   collaboration = "",
 996   title =        "Carbon diffusion in silicon",
 997   publisher =    "AIP",
 998   year =         "1998",
 999   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1000   volume =       "73",
1001   number =       "17",
1002   pages =        "2465--2467",
1003   keywords =     "silicon; carbon; elemental semiconductors; diffusion;
1004                  secondary ion mass spectra; semiconductor epitaxial
1005                  layers; annealing; impurity-defect interactions;
1006                  impurity distribution",
1007   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/73/2465/1",
1008   doi =          "10.1063/1.122483",
1009   notes =        "c diffusion in si, kick out mechnism",
1010 }
1011
1012 @Article{strane94,
1013   author =       "J. W. Strane and H. J. Stein and S. R. Lee and S. T.
1014                  Picraux and J. K. Watanabe and J. W. Mayer",
1015   collaboration = "",
1016   title =        "Precipitation and relaxation in strained Si[sub 1 -
1017                  y]{C}[sub y]/Si heterostructures",
1018   publisher =    "AIP",
1019   year =         "1994",
1020   journal =      "J. Appl. Phys.",
1021   volume =       "76",
1022   number =       "6",
1023   pages =        "3656--3668",
1024   keywords =     "SILICON CARBIDES; SILICON; PRECIPITATION; STRAINS",
1025   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/76/3656/1",
1026   doi =          "10.1063/1.357429",
1027   notes =        "strained si-c to 3c-sic, carbon nucleation + refs,
1028                  precipitation by substitutional carbon, coherent prec,
1029                  coherent to incoherent transition strain vs interface
1030                  energy",
1031 }
1032
1033 @Article{fischer95,
1034   author =       "G. G. Fischer and P. Zaumseil and E. Bugiel and H. J.
1035                  Osten",
1036   collaboration = "",
1037   title =        "Investigation of the high temperature behavior of
1038                  strained Si[sub 1 - y]{C}[sub y] /Si heterostructures",
1039   publisher =    "AIP",
1040   year =         "1995",
1041   journal =      "J. Appl. Phys.",
1042   volume =       "77",
1043   number =       "5",
1044   pages =        "1934--1937",
1045   keywords =     "SILICON CARBIDES; SILICON; HETEROSTRUCTURES; STRAINS;
1046                  XRD; MOLECULAR BEAM EPITAXY; STABILITY; TENSILE
1047                  PROPERTIES; EPITAXIAL LAYERS; ANNEALING; PRECIPITATION;
1048                  TEMPERATURE RANGE 04001000 K",
1049   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/77/1934/1",
1050   doi =          "10.1063/1.358826",
1051 }
1052
1053 @Article{edgar92,
1054   title =        "Prospects for device implementation of wide band gap
1055                  semiconductors",
1056   author =       "J. H. Edgar",
1057   journal =      "J. Mater. Res.",
1058   volume =       "7",
1059   pages =        "235",
1060   year =         "1992",
1061   month =        jan,
1062   doi =          "10.1557/JMR.1992.0235",
1063   notes =        "properties wide band gap semiconductor, sic
1064                  polytypes",
1065 }
1066
1067 @Article{zirkelbach2007,
1068   title =        "Monte Carlo simulation study of a selforganisation
1069                  process leading to ordered precipitate structures",
1070   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
1071                  and B. Stritzker",
1072   journal =      "Nucl. Instr. and Meth. B",
1073   volume =       "257",
1074   number =       "1--2",
1075   pages =        "75--79",
1076   numpages =     "5",
1077   year =         "2007",
1078   month =        apr,
1079   doi =          "doi:10.1016/j.nimb.2006.12.118",
1080   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
1081                  NETHERLANDS",
1082 }
1083
1084 @Article{zirkelbach2006,
1085   title =        "Monte-Carlo simulation study of the self-organization
1086                  of nanometric amorphous precipitates in regular arrays
1087                  during ion irradiation",
1088   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
1089                  and B. Stritzker",
1090   journal =      "Nucl. Instr. and Meth. B",
1091   volume =       "242",
1092   number =       "1--2",
1093   pages =        "679--682",
1094   numpages =     "4",
1095   year =         "2006",
1096   month =        jan,
1097   doi =          "doi:10.1016/j.nimb.2005.08.162",
1098   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
1099                  NETHERLANDS",
1100 }
1101
1102 @Article{zirkelbach2005,
1103   title =        "Modelling of a selforganization process leading to
1104                  periodic arrays of nanometric amorphous precipitates by
1105                  ion irradiation",
1106   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
1107                  and B. Stritzker",
1108   journal =      "Comp. Mater. Sci.",
1109   volume =       "33",
1110   number =       "1--3",
1111   pages =        "310--316",
1112   numpages =     "7",
1113   year =         "2005",
1114   month =        apr,
1115   doi =          "doi:10.1016/j.commatsci.2004.12.016",
1116   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
1117                  NETHERLANDS",
1118 }
1119
1120 @Article{zirkelbach09,
1121   title =        "Molecular dynamics simulation of defect formation and
1122                  precipitation in heavily carbon doped silicon",
1123   journal =      "Mater. Sci. Eng., B",
1124   volume =       "159-160",
1125   number =       "",
1126   pages =        "149--152",
1127   year =         "2009",
1128   note =         "EMRS 2008 Spring Conference Symposium K: Advanced
1129                  Silicon Materials Research for Electronic and
1130                  Photovoltaic Applications",
1131   ISSN =         "0921-5107",
1132   doi =          "DOI: 10.1016/j.mseb.2008.10.010",
1133   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXF-4TX1547-2/2/cb9f4921f324735087020ccce7843e39",
1134   author =       "F. Zirkelbach and J. K. N. Lindner and K. Nordlund and
1135                  B. Stritzker",
1136   keywords =     "Silicon",
1137   keywords =     "Carbon",
1138   keywords =     "Silicon carbide",
1139   keywords =     "Nucleation",
1140   keywords =     "Defect formation",
1141   keywords =     "Molecular dynamics simulations",
1142 }
1143
1144 @Article{zirkelbach10a,
1145   title =        "Defects in carbon implanted silicon calculated by
1146                  classical potentials and first-principles methods",
1147   author =       "F. Zirkelbach and B. Stritzker and K. Nordlund and J.
1148                  K. N. Lindner and W. G. Schmidt and E. Rauls",
1149   journal =      "Phys. Rev. B",
1150   volume =       "82",
1151   number =       "9",
1152   pages =        "094110",
1153   numpages =     "6",
1154   year =         "2010",
1155   month =        sep,
1156   doi =          "10.1103/PhysRevB.82.094110",
1157   publisher =    "American Physical Society",
1158 }
1159
1160 @Article{zirkelbach10b,
1161   title =        "First principles study of defects in carbon implanted
1162                  silicon",
1163   journal =      "to be published",
1164   volume =       "",
1165   number =       "",
1166   pages =        "",
1167   year =         "2010",
1168   author =       "F. Zirkelbach and B. Stritzker and K. Nordlund and J.
1169                  K. N. Lindner and W. G. Schmidt and E. Rauls",
1170 }
1171
1172 @Article{zirkelbach10c,
1173   title =        "...",
1174   journal =      "to be published",
1175   volume =       "",
1176   number =       "",
1177   pages =        "",
1178   year =         "2010",
1179   author =       "F. Zirkelbach and B. Stritzker and K. Nordlund and J.
1180                  K. N. Lindner and W. G. Schmidt and E. Rauls",
1181 }
1182
1183 @Article{lindner99,
1184   title =        "Controlling the density distribution of Si{C}
1185                  nanocrystals for the ion beam synthesis of buried Si{C}
1186                  layers in silicon",
1187   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
1188   volume =       "147",
1189   number =       "1-4",
1190   pages =        "249--255",
1191   year =         "1999",
1192   note =         "",
1193   ISSN =         "0168-583X",
1194   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00598-9",
1195   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3YMWWDY-1H/2/ad53e614f783b2a7474aecb936dd0169",
1196   author =       "J. K. N. Lindner and B. Stritzker",
1197   notes =        "two-step implantation process",
1198 }
1199
1200 @Article{lindner99_2,
1201   title =        "Mechanisms in the ion beam synthesis of Si{C} layers
1202                  in silicon",
1203   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
1204   volume =       "148",
1205   number =       "1-4",
1206   pages =        "528--533",
1207   year =         "1999",
1208   ISSN =         "0168-583X",
1209   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00787-3",
1210   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3XGFSSH-3H/2/17d138baa6db68cb279e6de9161e5f85",
1211   author =       "J. K. N. Lindner and B. Stritzker",
1212   notes =        "3c-sic precipitation model, c-si dimers (dumbbells)",
1213 }
1214
1215 @Article{lindner01,
1216   title =        "Ion beam synthesis of buried Si{C} layers in silicon:
1217                  Basic physical processes",
1218   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
1219   volume =       "178",
1220   number =       "1-4",
1221   pages =        "44--54",
1222   year =         "2001",
1223   note =         "",
1224   ISSN =         "0168-583X",
1225   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(01)00504-3",
1226   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-435KG96-8/2/f222574d8945c3fd7aaf9ae1efdd37b3",
1227   author =       "J{\"{o}}rg K. N. Lindner",
1228 }
1229
1230 @Article{lindner02,
1231   title =        "High-dose carbon implantations into silicon:
1232                  fundamental studies for new technological tricks",
1233   author =       "J. K. N. Lindner",
1234   journal =      "Appl. Phys. A",
1235   volume =       "77",
1236   pages =        "27--38",
1237   year =         "2003",
1238   doi =          "10.1007/s00339-002-2062-8",
1239   notes =        "ibs, burried sic layers",
1240 }
1241
1242 @Article{lindner06,
1243   title =        "On the balance between ion beam induced nanoparticle
1244                  formation and displacive precipitate resolution in the
1245                  {C}-Si system",
1246   journal =      "Mater. Sci. Eng., C",
1247   volume =       "26",
1248   number =       "5-7",
1249   pages =        "857--861",
1250   year =         "2006",
1251   note =         "Current Trends in Nanoscience - from Materials to
1252                  Applications",
1253   ISSN =         "0928-4931",
1254   doi =          "DOI: 10.1016/j.msec.2005.09.099",
1255   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXG-4HSXVVM-1/2/5b0e351198cc2e8f5f4446a80a73d04a",
1256   author =       "J. K. N. Lindner and M. H{\"a}berlen and G. Thorwarth
1257                  and B. Stritzker",
1258   notes =        "c int diffusion barrier",
1259 }
1260
1261 @Article{ito04,
1262   title =        "Ion beam synthesis of 3{C}-Si{C} layers in Si and its
1263                  application in buffer layer for Ga{N} epitaxial
1264                  growth",
1265   journal =      "Applied Surface Science",
1266   volume =       "238",
1267   number =       "1-4",
1268   pages =        "159--164",
1269   year =         "2004",
1270   note =         "APHYS'03 Special Issue",
1271   ISSN =         "0169-4332",
1272   doi =          "DOI: 10.1016/j.apsusc.2004.05.199",
1273   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6THY-4CTTNGX-B/2/d24ee637db87f3f1a6ef7fe6820f267c",
1274   author =       "Y. Ito and T. Yamauchi and A. Yamamoto and M. Sasase
1275                  and S. Nishio and K. Yasuda and Y. Ishigami",
1276   notes =        "gan on 3c-sic, focus on ibs of 3c-sic",
1277 }
1278
1279 @Article{yamamoto04,
1280   title =        "Organometallic vapor phase epitaxial growth of Ga{N}
1281                  on a 3c-Si{C}/Si(1 1 1) template formed by {C}+-ion
1282                  implantation into Si(1 1 1) substrate",
1283   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1284   volume =       "261",
1285   number =       "2-3",
1286   pages =        "266--270",
1287   year =         "2004",
1288   note =         "Proceedings of the 11th Biennial (US) Workshop on
1289                  Organometallic Vapor Phase Epitaxy (OMVPE)",
1290   ISSN =         "0022-0248",
1291   doi =          "DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2003.11.041",
1292   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-4B5BFSX-2/2/55e79e024f2a23b487d19c6fd8dbf166",
1293   author =       "A. Yamamoto and T. Yamauchi and T. Tanikawa and M.
1294                  Sasase and B. K. Ghosh and A. Hashimoto and Y. Ito",
1295   notes =        "gan on 3c-sic",
1296 }
1297
1298 @Article{liu_l02,
1299   title =        "Substrates for gallium nitride epitaxy",
1300   journal =      "Materials Science and Engineering: R: Reports",
1301   volume =       "37",
1302   number =       "3",
1303   pages =        "61--127",
1304   year =         "2002",
1305   note =         "",
1306   ISSN =         "0927-796X",
1307   doi =          "DOI: 10.1016/S0927-796X(02)00008-6",
1308   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXH-45DFBSV-2/2/38c47e77fa91f23f8649a044e7135401",
1309   author =       "L. Liu and J. H. Edgar",
1310   notes =        "gan substrates",
1311 }
1312
1313 @Article{takeuchi91,
1314   title =        "Growth of single crystalline Ga{N} film on Si
1315                  substrate using 3{C}-Si{C} as an intermediate layer",
1316   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1317   volume =       "115",
1318   number =       "1-4",
1319   pages =        "634--638",
1320   year =         "1991",
1321   note =         "",
1322   ISSN =         "0022-0248",
1323   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(91)90817-O",
1324   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46FJ525-TY/2/7bb50016a50b1dd1dbc36b43c46b3140",
1325   author =       "Tetsuya Takeuchi and Hiroshi Amano and Kazumasa
1326                  Hiramatsu and Nobuhiko Sawaki and Isamu Akasaki",
1327   notes =        "gan on 3c-sic (first time?)",
1328 }
1329
1330 @Article{alder57,
1331   author =       "B. J. Alder and T. E. Wainwright",
1332   title =        "Phase Transition for a Hard Sphere System",
1333   publisher =    "AIP",
1334   year =         "1957",
1335   journal =      "J. Chem. Phys.",
1336   volume =       "27",
1337   number =       "5",
1338   pages =        "1208--1209",
1339   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/27/1208/1",
1340   doi =          "10.1063/1.1743957",
1341 }
1342
1343 @Article{alder59,
1344   author =       "B. J. Alder and T. E. Wainwright",
1345   title =        "Studies in Molecular Dynamics. {I}. General Method",
1346   publisher =    "AIP",
1347   year =         "1959",
1348   journal =      "J. Chem. Phys.",
1349   volume =       "31",
1350   number =       "2",
1351   pages =        "459--466",
1352   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/31/459/1",
1353   doi =          "10.1063/1.1730376",
1354 }
1355
1356 @Article{tersoff_si1,
1357   title =        "New empirical model for the structural properties of
1358                  silicon",
1359   author =       "J. Tersoff",
1360   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1361   volume =       "56",
1362   number =       "6",
1363   pages =        "632--635",
1364   numpages =     "3",
1365   year =         "1986",
1366   month =        feb,
1367   doi =          "10.1103/PhysRevLett.56.632",
1368   publisher =    "American Physical Society",
1369 }
1370
1371 @Article{tersoff_si2,
1372   title =        "New empirical approach for the structure and energy of
1373                  covalent systems",
1374   author =       "J. Tersoff",
1375   journal =      "Phys. Rev. B",
1376   volume =       "37",
1377   number =       "12",
1378   pages =        "6991--7000",
1379   numpages =     "9",
1380   year =         "1988",
1381   month =        apr,
1382   doi =          "10.1103/PhysRevB.37.6991",
1383   publisher =    "American Physical Society",
1384 }
1385
1386 @Article{tersoff_si3,
1387   title =        "Empirical interatomic potential for silicon with
1388                  improved elastic properties",
1389   author =       "J. Tersoff",
1390   journal =      "Phys. Rev. B",
1391   volume =       "38",
1392   number =       "14",
1393   pages =        "9902--9905",
1394   numpages =     "3",
1395   year =         "1988",
1396   month =        nov,
1397   doi =          "10.1103/PhysRevB.38.9902",
1398   publisher =    "American Physical Society",
1399 }
1400
1401 @Article{tersoff_c,
1402   title =        "Empirical Interatomic Potential for Carbon, with
1403                  Applications to Amorphous Carbon",
1404   author =       "J. Tersoff",
1405   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1406   volume =       "61",
1407   number =       "25",
1408   pages =        "2879--2882",
1409   numpages =     "3",
1410   year =         "1988",
1411   month =        dec,
1412   doi =          "10.1103/PhysRevLett.61.2879",
1413   publisher =    "American Physical Society",
1414 }
1415
1416 @Article{tersoff_m,
1417   title =        "Modeling solid-state chemistry: Interatomic potentials
1418                  for multicomponent systems",
1419   author =       "J. Tersoff",
1420   journal =      "Phys. Rev. B",
1421   volume =       "39",
1422   number =       "8",
1423   pages =        "5566--5568",
1424   numpages =     "2",
1425   year =         "1989",
1426   month =        mar,
1427   doi =          "10.1103/PhysRevB.39.5566",
1428   publisher =    "American Physical Society",
1429 }
1430
1431 @Article{tersoff90,
1432   title =        "Carbon defects and defect reactions in silicon",
1433   author =       "J. Tersoff",
1434   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1435   volume =       "64",
1436   number =       "15",
1437   pages =        "1757--1760",
1438   numpages =     "3",
1439   year =         "1990",
1440   month =        apr,
1441   doi =          "10.1103/PhysRevLett.64.1757",
1442   publisher =    "American Physical Society",
1443 }
1444
1445 @Article{fahey89,
1446   title =        "Point defects and dopant diffusion in silicon",
1447   author =       "P. M. Fahey and P. B. Griffin and J. D. Plummer",
1448   journal =      "Rev. Mod. Phys.",
1449   volume =       "61",
1450   number =       "2",
1451   pages =        "289--384",
1452   numpages =     "95",
1453   year =         "1989",
1454   month =        apr,
1455   doi =          "10.1103/RevModPhys.61.289",
1456   publisher =    "American Physical Society",
1457 }
1458
1459 @Article{wesch96,
1460   title =        "Silicon carbide: synthesis and processing",
1461   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
1462   volume =       "116",
1463   number =       "1-4",
1464   pages =        "305--321",
1465   year =         "1996",
1466   note =         "Radiation Effects in Insulators",
1467   ISSN =         "0168-583X",
1468   doi =          "DOI: 10.1016/0168-583X(96)00065-1",
1469   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3VXHNFT-C7/2/4216cb1ec9e422c22de5fed7360fb06e",
1470   author =       "W. Wesch",
1471 }
1472
1473 @Article{morkoc94,
1474   author =       "H. Morko\c{c} and S. Strite and G. B. Gao and M. E.
1475                  Lin and B. Sverdlov and M. Burns",
1476   collaboration = "",
1477   title =        "Large-band-gap Si{C}, {III}-{V} nitride, and {II}-{VI}
1478                  ZnSe-based semiconductor device technologies",
1479   publisher =    "AIP",
1480   year =         "1994",
1481   journal =      "J. Appl. Phys.",
1482   volume =       "76",
1483   number =       "3",
1484   pages =        "1363--1398",
1485   keywords =     "SEMICONDUCTOR DEVICES; SILICON CARBIDES; GALLIUM
1486                  NITRIDES; ZINC SELENIDES; SUBSTRATES; MOS JUNCTIONS;
1487                  LASER MATERIALS; MATERIALS; REVIEWS; ENERGY GAP; THIN
1488                  FILMS; INDUSTRY",
1489   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/76/1363/1",
1490   doi =          "10.1063/1.358463",
1491   notes =        "sic intro, properties",
1492 }
1493
1494 @Article{foo,
1495   author =       "Noch Unbekannt",
1496   title =        "How to find references",
1497   journal =      "Journal of Applied References",
1498   year =         "2009",
1499   volume =       "77",
1500   pages =        "1--23",
1501 }
1502
1503 @Article{tang95,
1504   title =        "Atomistic simulation of thermomechanical properties of
1505                  \beta{}-Si{C}",
1506   author =       "Meijie Tang and Sidney Yip",
1507   journal =      "Phys. Rev. B",
1508   volume =       "52",
1509   number =       "21",
1510   pages =        "15150--15159",
1511   numpages =     "9",
1512   year =         "1995",
1513   doi =          "10.1103/PhysRevB.52.15150",
1514   notes =        "modified tersoff, scale cutoff with volume, promising
1515                  tersoff reparametrization",
1516   publisher =    "American Physical Society",
1517 }
1518
1519 @Article{sarro00,
1520   title =        "Silicon carbide as a new {MEMS} technology",
1521   journal =      "Sensors and Actuators A: Physical",
1522   volume =       "82",
1523   number =       "1-3",
1524   pages =        "210--218",
1525   year =         "2000",
1526   ISSN =         "0924-4247",
1527   doi =          "DOI: 10.1016/S0924-4247(99)00335-0",
1528   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6THG-406VM55-13/2/75385a587669b215d9ef88029a93fd59",
1529   author =       "Pasqualina M. Sarro",
1530   keywords =     "MEMS",
1531   keywords =     "Silicon carbide",
1532   keywords =     "Micromachining",
1533   keywords =     "Mechanical stress",
1534 }
1535
1536 @Article{casady96,
1537   title =        "Status of silicon carbide (Si{C}) as a wide-bandgap
1538                  semiconductor for high-temperature applications: {A}
1539                  review",
1540   journal =      "Solid-State Electronics",
1541   volume =       "39",
1542   number =       "10",
1543   pages =        "1409--1422",
1544   year =         "1996",
1545   ISSN =         "0038-1101",
1546   doi =          "DOI: 10.1016/0038-1101(96)00045-7",
1547   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TY5-3VSR9J0-1/2/a871c11636e937dc45bfdf48e29f725b",
1548   author =       "J. B. Casady and R. W. Johnson",
1549   notes =        "sic intro",
1550 }
1551
1552 @Article{giancarli98,
1553   title =        "Design requirements for Si{C}/Si{C} composites
1554                  structural material in fusion power reactor blankets",
1555   journal =      "Fusion Engineering and Design",
1556   volume =       "41",
1557   number =       "1-4",
1558   pages =        "165--171",
1559   year =         "1998",
1560   ISSN =         "0920-3796",
1561   doi =          "DOI: 10.1016/S0920-3796(97)00200-7",
1562   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6V3C-3V8RYK8-T/2/16949194114900fd1330f79892d7a7be",
1563   author =       "L. Giancarli and J. P. Bonal and A. Caso and G. Le
1564                  Marois and N. B. Morley and J. F. Salavy",
1565 }
1566
1567 @Article{pensl93,
1568   title =        "Electrical and optical characterization of Si{C}",
1569   journal =      "Physica B: Condensed Matter",
1570   volume =       "185",
1571   number =       "1-4",
1572   pages =        "264--283",
1573   year =         "1993",
1574   ISSN =         "0921-4526",
1575   doi =          "DOI: 10.1016/0921-4526(93)90249-6",
1576   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVH-46G8HRX-99/2/eab9398bf2bbf10df3ae42c2ab28a776",
1577   author =       "G. Pensl and W. J. Choyke",
1578 }
1579
1580 @Article{tairov78,
1581   title =        "Investigation of growth processes of ingots of silicon
1582                  carbide single crystals",
1583   journal =      "J. Cryst. Growth",
1584   volume =       "43",
1585   number =       "2",
1586   pages =        "209--212",
1587   year =         "1978",
1588   notes =        "modified lely process",
1589   ISSN =         "0022-0248",
1590   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(78)90169-0",
1591   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46BY2NR-7S/2/fa6fee78ebd8322491f6366e72d5b6dc",
1592   author =       "Yu. M. Tairov and V. F. Tsvetkov",
1593 }
1594
1595 @Article{tairov81,
1596   title =        "General principles of growing large-size single
1597                  crystals of various silicon carbide polytypes",
1598   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1599   volume =       "52",
1600   number =       "Part 1",
1601   pages =        "146--150",
1602   year =         "1981",
1603   note =         "",
1604   ISSN =         "0022-0248",
1605   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(81)90184-6",
1606   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46FVMF6-2Y/2/b7c4025f0ef07ceec37fbd596819d529",
1607   author =       "Yu.M. Tairov and V. F. Tsvetkov",
1608 }
1609
1610 @Article{barrett91,
1611   title =        "Si{C} boule growth by sublimation vapor transport",
1612   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1613   volume =       "109",
1614   number =       "1-4",
1615   pages =        "17--23",
1616   year =         "1991",
1617   note =         "",
1618   ISSN =         "0022-0248",
1619   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(91)90152-U",
1620   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46FJ4VX-KF/2/fb802a6d67a8074a672007e972b264e1",
1621   author =       "D. L. Barrett and R. G. Seidensticker and W. Gaida and
1622                  R. H. Hopkins and W. J. Choyke",
1623 }
1624
1625 @Article{barrett93,
1626   title =        "Growth of large Si{C} single crystals",
1627   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1628   volume =       "128",
1629   number =       "1-4",
1630   pages =        "358--362",
1631   year =         "1993",
1632   note =         "",
1633   ISSN =         "0022-0248",
1634   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(93)90348-Z",
1635   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46YKSGB-4D/2/bc26617f48735a9ffbf5c61a5e164d9c",
1636   author =       "D. L. Barrett and J. P. McHugh and H. M. Hobgood and
1637                  R. H. Hopkins and P. G. McMullin and R. C. Clarke and
1638                  W. J. Choyke",
1639 }
1640
1641 @Article{stein93,
1642   title =        "Control of polytype formation by surface energy
1643                  effects during the growth of Si{C} monocrystals by the
1644                  sublimation method",
1645   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1646   volume =       "131",
1647   number =       "1-2",
1648   pages =        "71--74",
1649   year =         "1993",
1650   note =         "",
1651   ISSN =         "0022-0248",
1652   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(93)90397-F",
1653   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46FX1XJ-1X/2/493b180c29103dba5dba351e0fae5b9d",
1654   author =       "R. A. Stein and P. Lanig",
1655   notes =        "6h and 4h, sublimation technique",
1656 }
1657
1658 @Article{nishino83,
1659   author =       "Shigehiro Nishino and J. Anthony Powell and Herbert A.
1660                  Will",
1661   collaboration = "",
1662   title =        "Production of large-area single-crystal wafers of
1663                  cubic Si{C} for semiconductor devices",
1664   publisher =    "AIP",
1665   year =         "1983",
1666   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1667   volume =       "42",
1668   number =       "5",
1669   pages =        "460--462",
1670   keywords =     "silicon carbides; layers; chemical vapor deposition;
1671                  monocrystals",
1672   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/42/460/1",
1673   doi =          "10.1063/1.93970",
1674   notes =        "cvd of 3c-sic on si, sic buffer layer",
1675 }
1676
1677 @Article{nishino87,
1678   author =       "Shigehiro Nishino and Hajime Suhara and Hideyuki Ono
1679                  and Hiroyuki Matsunami",
1680   collaboration = "",
1681   title =        "Epitaxial growth and electric characteristics of cubic
1682                  Si{C} on silicon",
1683   publisher =    "AIP",
1684   year =         "1987",
1685   journal =      "J. Appl. Phys.",
1686   volume =       "61",
1687   number =       "10",
1688   pages =        "4889--4893",
1689   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/61/4889/1",
1690   doi =          "10.1063/1.338355",
1691   notes =        "cvd of 3c-sic on si, sic buffer layer, first time
1692                  carbonization",
1693 }
1694
1695 @Article{powell87,
1696   author =       "J. Anthony Powell and Lawrence G. Matus and Maria A.
1697                  Kuczmarski",
1698   title =        "Growth and Characterization of Cubic Si{C}
1699                  Single-Crystal Films on Si",
1700   publisher =    "ECS",
1701   year =         "1987",
1702   journal =      "Journal of The Electrochemical Society",
1703   volume =       "134",
1704   number =       "6",
1705   pages =        "1558--1565",
1706   keywords =     "semiconductor materials; silicon compounds; carbon
1707                  compounds; crystal morphology; electron mobility",
1708   URL =          "http://link.aip.org/link/?JES/134/1558/1",
1709   doi =          "10.1149/1.2100708",
1710   notes =        "blue light emitting diodes (led)",
1711 }
1712
1713 @Article{powell87_2,
1714   author =       "J. A. Powell and L. G. Matus and M. A. Kuczmarski and
1715                  C. M. Chorey and T. T. Cheng and P. Pirouz",
1716   collaboration = "",
1717   title =        "Improved beta-Si{C} heteroepitaxial films using
1718                  off-axis Si substrates",
1719   publisher =    "AIP",
1720   year =         "1987",
1721   journal =      "Applied Physics Letters",
1722   volume =       "51",
1723   number =       "11",
1724   pages =        "823--825",
1725   keywords =     "VAPOR PHASE EPITAXY; SILICON CARBIDES; VAPOR DEPOSITED
1726                  COATINGS; SILICON; EPITAXIAL LAYERS; INTERFACE
1727                  STRUCTURE; SURFACE STRUCTURE; FILM GROWTH; STACKING
1728                  FAULTS; CRYSTAL DEFECTS; ANTIPHASE BOUNDARIES;
1729                  OXIDATION; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; ROUGHNESS",
1730   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/51/823/1",
1731   doi =          "10.1063/1.98824",
1732   notes =        "improved sic on off-axis si substrates, reduced apbs",
1733 }
1734
1735 @Article{kimoto93,
1736   author =       "Tsunenobu Kimoto and Hironori Nishino and Woo Sik Yoo
1737                  and Hiroyuki Matsunami",
1738   title =        "Growth mechanism of 6{H}-Si{C} in step-controlled
1739                  epitaxy",
1740   publisher =    "AIP",
1741   year =         "1993",
1742   journal =      "J. Appl. Phys.",
1743   volume =       "73",
1744   number =       "2",
1745   pages =        "726--732",
1746   keywords =     "SILICON CARBIDES; EPITAXY; GROWTH RATE; TEMPERATURE
1747                  RANGE 10004000 K; TWINNING; ACTIVATION ENERGY; CHEMICAL
1748                  VAPOR DEPOSITION",
1749   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/73/726/1",
1750   doi =          "10.1063/1.353329",
1751   notes =        "cvd of 6h-sic on 6h-sic, twinned 3c-sic",
1752 }
1753
1754 @Article{powell90_2,
1755   author =       "J. A. Powell and D. J. Larkin and L. G. Matus and W.
1756                  J. Choyke and J. L. Bradshaw and L. Henderson and M.
1757                  Yoganathan and J. Yang and P. Pirouz",
1758   collaboration = "",
1759   title =        "Growth of high quality 6{H}-Si{C} epitaxial films on
1760                  vicinal (0001) 6{H}-Si{C} wafers",
1761   publisher =    "AIP",
1762   year =         "1990",
1763   journal =      "Applied Physics Letters",
1764   volume =       "56",
1765   number =       "15",
1766   pages =        "1442--1444",
1767   keywords =     "SILICON CARBIDES; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; SORPTIVE
1768                  PROPERTIES; WAFERS; CARRIER DENSITY; CARRIER MOBILITY;
1769                  TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; CRYSTAL DEFECTS;
1770                  DISLOCATIONS; PHOTOLUMINESCENCE; VAPOR PHASE EPITAXY",
1771   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/56/1442/1",
1772   doi =          "10.1063/1.102492",
1773   notes =        "cvd of 6h-sic on 6h-sic",
1774 }
1775
1776 @Article{kong88_2,
1777   author =       "H. S. Kong and J. T. Glass and R. F. Davis",
1778   collaboration = "",
1779   title =        "Chemical vapor deposition and characterization of
1780                  6{H}-Si{C} thin films on off-axis 6{H}-Si{C}
1781                  substrates",
1782   publisher =    "AIP",
1783   year =         "1988",
1784   journal =      "Journal of Applied Physics",
1785   volume =       "64",
1786   number =       "5",
1787   pages =        "2672--2679",
1788   keywords =     "THIN FILMS; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; VAPOR DEPOSITED
1789                  COATINGS; SILICON CARBIDES; TRANSMISSION ELECTRON
1790                  MICROSCOPY; MONOCRYSTALS; MORPHOLOGY; CRYSTAL
1791                  STRUCTURE; CRYSTAL DEFECTS; CARRIER DENSITY; VAPOR
1792                  PHASE EPITAXY; CRYSTAL ORIENTATION",
1793   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/64/2672/1",
1794   doi =          "10.1063/1.341608",
1795 }
1796
1797 @Article{powell90,
1798   author =       "J. A. Powell and D. J. Larkin and L. G. Matus and W.
1799                  J. Choyke and J. L. Bradshaw and L. Henderson and M.
1800                  Yoganathan and J. Yang and P. Pirouz",
1801   collaboration = "",
1802   title =        "Growth of improved quality 3{C}-Si{C} films on
1803                  6{H}-Si{C} substrates",
1804   publisher =    "AIP",
1805   year =         "1990",
1806   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1807   volume =       "56",
1808   number =       "14",
1809   pages =        "1353--1355",
1810   keywords =     "SILICON CARBIDES; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; SORPTIVE
1811                  PROPERTIES; PHOTOLUMINESCENCE; TRANSMISSION ELECTRON
1812                  MICROSCOPY; DEFECT STRUCTURE; STACKING FAULTS; VAPOR
1813                  PHASE EPITAXY",
1814   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/56/1353/1",
1815   doi =          "10.1063/1.102512",
1816   notes =        "cvd of 3c-sic on 6h-sic",
1817 }
1818
1819 @Article{kong88,
1820   author =       "H. S. Kong and B. L. Jiang and J. T. Glass and G. A.
1821                  Rozgonyi and K. L. More",
1822   collaboration = "",
1823   title =        "An examination of double positioning boundaries and
1824                  interface misfit in beta-Si{C} films on alpha-Si{C}
1825                  substrates",
1826   publisher =    "AIP",
1827   year =         "1988",
1828   journal =      "Journal of Applied Physics",
1829   volume =       "63",
1830   number =       "8",
1831   pages =        "2645--2650",
1832   keywords =     "SILICON CARBIDES; INTERFACES; SILICON; STACKING
1833                  FAULTS; TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; EPITAXY; THIN
1834                  FILMS; OPTICAL MICROSCOPY; TOPOGRAPHY; NUCLEATION;
1835                  MORPHOLOGY; ROTATION; SURFACE STRUCTURE; INTERFACE
1836                  STRUCTURE; XRAY TOPOGRAPHY; EPITAXIAL LAYERS",
1837   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/63/2645/1",
1838   doi =          "10.1063/1.341004",
1839 }
1840
1841 @Article{powell91,
1842   author =       "J. A. Powell and J. B. Petit and J. H. Edgar and I. G.
1843                  Jenkins and L. G. Matus and J. W. Yang and P. Pirouz
1844                  and W. J. Choyke and L. Clemen and M. Yoganathan",
1845   collaboration = "",
1846   title =        "Controlled growth of 3{C}-Si{C} and 6{H}-Si{C} films
1847                  on low-tilt-angle vicinal (0001) 6{H}-Si{C} wafers",
1848   publisher =    "AIP",
1849   year =         "1991",
1850   journal =      "Applied Physics Letters",
1851   volume =       "59",
1852   number =       "3",
1853   pages =        "333--335",
1854   keywords =     "SILICON CARBIDES; SURFACE TREATMENTS; SORPTIVE
1855                  PROPERTIES; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; MATHEMATICAL
1856                  MODELS; CRYSTAL STRUCTURE; VERY HIGH TEMPERATURE",
1857   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/59/333/1",
1858   doi =          "10.1063/1.105587",
1859 }
1860
1861 @Article{yuan95,
1862   author =       "C. Yuan and A. J. Steckl and J. Chaudhuri and R.
1863                  Thokala and M. J. Loboda",
1864   collaboration = "",
1865   title =        "Reduced temperature growth of crystalline 3{C}-Si{C}
1866                  films on 6{H}-Si{C} by chemical vapor deposition from
1867                  silacyclobutane",
1868   publisher =    "AIP",
1869   year =         "1995",
1870   journal =      "J. Appl. Phys.",
1871   volume =       "78",
1872   number =       "2",
1873   pages =        "1271--1273",
1874   keywords =     "SILICON CARBIDES; THIN FILMS; CVD; EPITAXY; ABSORPTION
1875                  EDGE; CRYSTAL STRUCTURE; STRAINS; DISLOCATIONS; XRD;
1876                  SPECTROPHOTOMETRY",
1877   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/78/1271/1",
1878   doi =          "10.1063/1.360368",
1879   notes =        "3c-sic on 6h-sic, cvd, reduced temperature",
1880 }
1881
1882 @Article{fissel95,
1883   title =        "Epitaxial growth of Si{C} thin films on Si-stabilized
1884                  [alpha]-Si{C}(0001) at low temperatures by solid-source
1885                  molecular beam epitaxy",
1886   journal =      "J. Cryst. Growth",
1887   volume =       "154",
1888   number =       "1-2",
1889   pages =        "72--80",
1890   year =         "1995",
1891   ISSN =         "0022-0248",
1892   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(95)00170-0",
1893   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-3Y5MMXM-1N/2/65549019b878bf02d5ec645b7eea9e98",
1894   author =       "A. Fissel and U. Kaiser and E. Ducke and B.
1895                  Schr{\"{o}}ter and W. Richter",
1896   notes =        "solid source mbe of 3c-sic on si and 6h-sic",
1897 }
1898
1899 @Article{fissel95_apl,
1900   author =       "A. Fissel and B. Schr{\"{o}}ter and W. Richter",
1901   collaboration = "",
1902   title =        "Low-temperature growth of Si{C} thin films on Si and
1903                  6{H}--Si{C} by solid-source molecular beam epitaxy",
1904   publisher =    "AIP",
1905   year =         "1995",
1906   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1907   volume =       "66",
1908   number =       "23",
1909   pages =        "3182--3184",
1910   keywords =     "SILICON CARBIDES; MOLECULAR BEAM EPITAXY; MORPHOLOGY;
1911                  RHEED; NUCLEATION",
1912   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/66/3182/1",
1913   doi =          "10.1063/1.113716",
1914   notes =        "mbe 3c-sic on si and 6h-sic",
1915 }
1916
1917 @Article{borders71,
1918   author =       "J. A. Borders and S. T. Picraux and W. Beezhold",
1919   collaboration = "",
1920   title =        "{FORMATION} {OF} Si{C} {IN} {SILICON} {BY} {ION}
1921                  {IMPLANTATION}",
1922   publisher =    "AIP",
1923   year =         "1971",
1924   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1925   volume =       "18",
1926   number =       "11",
1927   pages =        "509--511",
1928   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/18/509/1",
1929   doi =          "10.1063/1.1653516",
1930   notes =        "first time sic by ibs, follow cites for precipitation
1931                  ideas",
1932 }
1933
1934 @Article{reeson87,
1935   author =       "K. J. Reeson and P. L. F. Hemment and J. Stoemenos and
1936                  J. Davis and G. E. Celler",
1937   collaboration = "",
1938   title =        "Formation of buried layers of beta-Si{C} using ion
1939                  beam synthesis and incoherent lamp annealing",
1940   publisher =    "AIP",
1941   year =         "1987",
1942   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1943   volume =       "51",
1944   number =       "26",
1945   pages =        "2242--2244",
1946   keywords =     "SILICON CARBIDES; FILM GROWTH; SOLIDPHASE EPITAXY; ION
1947                  IMPLANTATION; CARBON IONS; DOPING PROFILES; SYNTHESIS",
1948   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/51/2242/1",
1949   doi =          "10.1063/1.98953",
1950   notes =        "nice tem images, sic by ibs",
1951 }
1952
1953 @Article{scace59,
1954   author =       "R. I. Scace and G. A. Slack",
1955   collaboration = "",
1956   title =        "Solubility of Carbon in Silicon and Germanium",
1957   publisher =    "AIP",
1958   year =         "1959",
1959   journal =      "J. Chem. Phys.",
1960   volume =       "30",
1961   number =       "6",
1962   pages =        "1551--1555",
1963   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/30/1551/1",
1964   doi =          "10.1063/1.1730236",
1965   notes =        "solubility of c in c-si, si-c phase diagram",
1966 }
1967
1968 @Article{cowern96,
1969   author =       "N. E. B. Cowern and A. Cacciato and J. S. Custer and
1970                  F. W. Saris and W. Vandervorst",
1971   collaboration = "",
1972   title =        "Role of {C} and {B} clusters in transient diffusion of
1973                  {B} in silicon",
1974   publisher =    "AIP",
1975   year =         "1996",
1976   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1977   volume =       "68",
1978   number =       "8",
1979   pages =        "1150--1152",
1980   keywords =     "ATOMIC CLUSTERS; BORON ADDITIONS; CRYSTAL DOPING;
1981                  DIFFUSION; DOPED MATERIALS; IMPURITIES; INTERSTITIALS;
1982                  SILICON",
1983   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/68/1150/1",
1984   doi =          "10.1063/1.115706",
1985   notes =        "suppression of transient enhanced diffusion (ted)",
1986 }
1987
1988 @Article{stolk95,
1989   title =        "Implantation and transient boron diffusion: the role
1990                  of the silicon self-interstitial",
1991   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
1992   volume =       "96",
1993   number =       "1-2",
1994   pages =        "187--195",
1995   year =         "1995",
1996   note =         "Selected Papers of the Tenth International Conference
1997                  on Ion Implantation Technology (IIT '94)",
1998   ISSN =         "0168-583X",
1999   doi =          "DOI: 10.1016/0168-583X(94)00481-1",
2000   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-40WKY1P-29/2/602c6e5b809221323d2d2968edd0a71c",
2001   author =       "P. A. Stolk and H. -J. Gossmann and D. J. Eaglesham
2002                  and J. M. Poate",
2003 }
2004
2005 @Article{stolk97,
2006   author =       "P. A. Stolk and H.-J. Gossmann and D. J. Eaglesham and
2007                  D. C. Jacobson and C. S. Rafferty and G. H. Gilmer and
2008                  M. Jara\'{\i}z and J. M. Poate and H. S. Luftman and T.
2009                  E. Haynes",
2010   collaboration = "",
2011   title =        "Physical mechanisms of transient enhanced dopant
2012                  diffusion in ion-implanted silicon",
2013   publisher =    "AIP",
2014   year =         "1997",
2015   journal =      "J. Appl. Phys.",
2016   volume =       "81",
2017   number =       "9",
2018   pages =        "6031--6050",
2019   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/81/6031/1",
2020   doi =          "10.1063/1.364452",
2021   notes =        "ted, transient enhanced diffusion, c silicon trap",
2022 }
2023
2024 @Article{powell94,
2025   author =       "A. R. Powell and F. K. LeGoues and S. S. Iyer",
2026   collaboration = "",
2027   title =        "Formation of beta-Si{C} nanocrystals by the relaxation
2028                  of Si[sub 1 - y]{C}[sub y] random alloy layers",
2029   publisher =    "AIP",
2030   year =         "1994",
2031   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2032   volume =       "64",
2033   number =       "3",
2034   pages =        "324--326",
2035   keywords =     "SILICON CARBIDES; NANOSTRUCTURES; DISPERSIONS;
2036                  EPITAXIAL LAYERS; STRESS RELAXATION; ANNEALING;
2037                  TEMPERATURE EFFECTS; PRECIPITATION; DISLOCATIONS;
2038                  SYNTHESIS",
2039   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/64/324/1",
2040   doi =          "10.1063/1.111195",
2041   notes =        "beta sic nano crystals in si, mbe, annealing",
2042 }
2043
2044 @Article{soref91,
2045   author =       "Richard A. Soref",
2046   collaboration = "",
2047   title =        "Optical band gap of the ternary semiconductor Si[sub 1
2048                  - x - y]Ge[sub x]{C}[sub y]",
2049   publisher =    "AIP",
2050   year =         "1991",
2051   journal =      "J. Appl. Phys.",
2052   volume =       "70",
2053   number =       "4",
2054   pages =        "2470--2472",
2055   keywords =     "SILICON CARBIDES; GERMANIUM CARBIDES; ENERGY GAP;
2056                  OPTICAL PROPERTIES; DIAMONDS; SEMICONDUCTOR ALLOYS;
2057                  TERNARY ALLOYS",
2058   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/70/2470/1",
2059   doi =          "10.1063/1.349403",
2060   notes =        "band gap of strained si by c",
2061 }
2062
2063 @Article{kasper91,
2064   author =       "E Kasper",
2065   title =        "Superlattices of group {IV} elements, a new
2066                  possibility to produce direct band gap material",
2067   journal =      "Physica Scripta",
2068   volume =       "T35",
2069   pages =        "232--236",
2070   URL =          "http://stacks.iop.org/1402-4896/T35/232",
2071   year =         "1991",
2072   notes =        "superlattices, convert indirect band gap into a
2073                  quasi-direct one",
2074 }
2075
2076 @Article{osten99,
2077   author =       "H. J. Osten and J. Griesche and S. Scalese",
2078   collaboration = "",
2079   title =        "Substitutional carbon incorporation in epitaxial
2080                  Si[sub 1 - y]{C}[sub y] alloys on Si(001) grown by
2081                  molecular beam epitaxy",
2082   publisher =    "AIP",
2083   year =         "1999",
2084   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2085   volume =       "74",
2086   number =       "6",
2087   pages =        "836--838",
2088   keywords =     "molecular beam epitaxial growth; semiconductor growth;
2089                  wide band gap semiconductors; interstitials; silicon
2090                  compounds",
2091   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/74/836/1",
2092   doi =          "10.1063/1.123384",
2093   notes =        "substitutional c in si",
2094 }
2095
2096 @Article{hohenberg64,
2097   title =        "Inhomogeneous Electron Gas",
2098   author =       "P. Hohenberg and W. Kohn",
2099   journal =      "Phys. Rev.",
2100   volume =       "136",
2101   number =       "3B",
2102   pages =        "B864--B871",
2103   numpages =     "7",
2104   year =         "1964",
2105   month =        nov,
2106   doi =          "10.1103/PhysRev.136.B864",
2107   publisher =    "American Physical Society",
2108   notes =        "density functional theory, dft",
2109 }
2110
2111 @Article{kohn65,
2112   title =        "Self-Consistent Equations Including Exchange and
2113                  Correlation Effects",
2114   author =       "W. Kohn and L. J. Sham",
2115   journal =      "Phys. Rev.",
2116   volume =       "140",
2117   number =       "4A",
2118   pages =        "A1133--A1138",
2119   numpages =     "5",
2120   year =         "1965",
2121   month =        nov,
2122   doi =          "10.1103/PhysRev.140.A1133",
2123   publisher =    "American Physical Society",
2124   notes =        "dft, exchange and correlation",
2125 }
2126
2127 @Article{ruecker94,
2128   title =        "Strain-stabilized highly concentrated pseudomorphic
2129                  $Si1-x$$Cx$ layers in Si",
2130   author =       "H. R{\"u}cker and M. Methfessel and E. Bugiel and H.
2131                  J. Osten",
2132   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2133   volume =       "72",
2134   number =       "22",
2135   pages =        "3578--3581",
2136   numpages =     "3",
2137   year =         "1994",
2138   month =        may,
2139   doi =          "10.1103/PhysRevLett.72.3578",
2140   publisher =    "American Physical Society",
2141   notes =        "high c concentration in si, heterostructure, strained
2142                  si, dft",
2143 }
2144
2145 @Article{chang05,
2146   title =        "Electron Transport Model for Strained Silicon-Carbon
2147                  Alloy",
2148   author =       "Shu-Tong Chang and Chung-Yi Lin",
2149   journal =      "Japanese J. Appl. Phys.",
2150   volume =       "44",
2151   number =       "4B",
2152   pages =        "2257--2262",
2153   numpages =     "5",
2154   year =         "2005",
2155   URL =          "http://jjap.ipap.jp/link?JJAP/44/2257/",
2156   doi =          "10.1143/JJAP.44.2257",
2157   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
2158   notes =        "enhance of electron mobility in starined si",
2159 }
2160
2161 @Article{osten97,
2162   author =       "H. J. Osten and P. Gaworzewski",
2163   collaboration = "",
2164   title =        "Charge transport in strained Si[sub 1 - y]{C}[sub y]
2165                  and Si[sub 1 - x - y]Ge[sub x]{C}[sub y] alloys on
2166                  Si(001)",
2167   publisher =    "AIP",
2168   year =         "1997",
2169   journal =      "J. Appl. Phys.",
2170   volume =       "82",
2171   number =       "10",
2172   pages =        "4977--4981",
2173   keywords =     "silicon compounds; Ge-Si alloys; wide band gap
2174                  semiconductors; semiconductor epitaxial layers; carrier
2175                  density; Hall mobility; interstitials; defect states",
2176   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/82/4977/1",
2177   doi =          "10.1063/1.366364",
2178   notes =        "charge transport in strained si",
2179 }
2180
2181 @Article{kapur04,
2182   title =        "Carbon-mediated aggregation of self-interstitials in
2183                  silicon: {A} large-scale molecular dynamics study",
2184   author =       "Sumeet S. Kapur and Manish Prasad and Talid Sinno",
2185   journal =      "Phys. Rev. B",
2186   volume =       "69",
2187   number =       "15",
2188   pages =        "155214",
2189   numpages =     "8",
2190   year =         "2004",
2191   month =        apr,
2192   doi =          "10.1103/PhysRevB.69.155214",
2193   publisher =    "American Physical Society",
2194   notes =        "simulation using promising tersoff reparametrization",
2195 }
2196
2197 @Article{barkema96,
2198   title =        "Event-Based Relaxation of Continuous Disordered
2199                  Systems",
2200   author =       "G. T. Barkema and Normand Mousseau",
2201   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2202   volume =       "77",
2203   number =       "21",
2204   pages =        "4358--4361",
2205   numpages =     "3",
2206   year =         "1996",
2207   month =        nov,
2208   doi =          "10.1103/PhysRevLett.77.4358",
2209   publisher =    "American Physical Society",
2210   notes =        "activation relaxation technique, art, speed up slow
2211                  dynamic mds",
2212 }
2213
2214 @Article{cances09,
2215   author =       "E. Canc\`{e}s and F. Legoll and M.-C. Marinica and K.
2216                  Minoukadeh and F. Willaime",
2217   collaboration = "",
2218   title =        "Some improvements of the activation-relaxation
2219                  technique method for finding transition pathways on
2220                  potential energy surfaces",
2221   publisher =    "AIP",
2222   year =         "2009",
2223   journal =      "J. Chem. Phys.",
2224   volume =       "130",
2225   number =       "11",
2226   eid =          "114711",
2227   numpages =     "6",
2228   pages =        "114711",
2229   keywords =     "eigenvalues and eigenfunctions; iron; potential energy
2230                  surfaces; vacancies (crystal)",
2231   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/130/114711/1",
2232   doi =          "10.1063/1.3088532",
2233   notes =        "improvements to art, refs for methods to find
2234                  transition pathways",
2235 }
2236
2237 @Article{parrinello81,
2238   author =       "M. Parrinello and A. Rahman",
2239   collaboration = "",
2240   title =        "Polymorphic transitions in single crystals: {A} new
2241                  molecular dynamics method",
2242   publisher =    "AIP",
2243   year =         "1981",
2244   journal =      "J. Appl. Phys.",
2245   volume =       "52",
2246   number =       "12",
2247   pages =        "7182--7190",
2248   keywords =     "MONOCRYSTALS; PHASE TRANSFORMATIONS; STRUCTURAL
2249                  MODELS; DYNAMICS; THEORETICAL DATA; STRESSES;
2250                  CONFIGURATION; LAGRANGE EQUATIONS; SIZE; NICKEL;
2251                  COMPRESSION; TENSILE PROPERTIES; COMPARATIVE
2252                  EVALUATIONS; STRAINS; CUBIC LATTICES; HCP LATTICES;
2253                  IMPACT SHOCK",
2254   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/52/7182/1",
2255   doi =          "10.1063/1.328693",
2256 }
2257
2258 @Article{stillinger85,
2259   title =        "Computer simulation of local order in condensed phases
2260                  of silicon",
2261   author =       "Frank H. Stillinger and Thomas A. Weber",
2262   journal =      "Phys. Rev. B",
2263   volume =       "31",
2264   number =       "8",
2265   pages =        "5262--5271",
2266   numpages =     "9",
2267   year =         "1985",
2268   month =        apr,
2269   doi =          "10.1103/PhysRevB.31.5262",
2270   publisher =    "American Physical Society",
2271 }
2272
2273 @Article{brenner90,
2274   title =        "Empirical potential for hydrocarbons for use in
2275                  simulating the chemical vapor deposition of diamond
2276                  films",
2277   author =       "Donald W. Brenner",
2278   journal =      "Phys. Rev. B",
2279   volume =       "42",
2280   number =       "15",
2281   pages =        "9458--9471",
2282   numpages =     "13",
2283   year =         "1990",
2284   month =        nov,
2285   doi =          "10.1103/PhysRevB.42.9458",
2286   publisher =    "American Physical Society",
2287   notes =        "brenner hydro carbons",
2288 }
2289
2290 @Article{bazant96,
2291   title =        "Modeling of Covalent Bonding in Solids by Inversion of
2292                  Cohesive Energy Curves",
2293   author =       "Martin Z. Bazant and Efthimios Kaxiras",
2294   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2295   volume =       "77",
2296   number =       "21",
2297   pages =        "4370--4373",
2298   numpages =     "3",
2299   year =         "1996",
2300   month =        nov,
2301   doi =          "10.1103/PhysRevLett.77.4370",
2302   publisher =    "American Physical Society",
2303   notes =        "first si edip",
2304 }
2305
2306 @Article{bazant97,
2307   title =        "Environment-dependent interatomic potential for bulk
2308                  silicon",
2309   author =       "Martin Z. Bazant and Efthimios Kaxiras and J. F.
2310                  Justo",
2311   journal =      "Phys. Rev. B",
2312   volume =       "56",
2313   number =       "14",
2314   pages =        "8542--8552",
2315   numpages =     "10",
2316   year =         "1997",
2317   month =        oct,
2318   doi =          "10.1103/PhysRevB.56.8542",
2319   publisher =    "American Physical Society",
2320   notes =        "second si edip",
2321 }
2322
2323 @Article{justo98,
2324   title =        "Interatomic potential for silicon defects and
2325                  disordered phases",
2326   author =       "Jo\tilde{a}o F. Justo and Martin Z. Bazant and
2327                  Efthimios Kaxiras and V. V. Bulatov and Sidney Yip",
2328   journal =      "Phys. Rev. B",
2329   volume =       "58",
2330   number =       "5",
2331   pages =        "2539--2550",
2332   numpages =     "11",
2333   year =         "1998",
2334   month =        aug,
2335   doi =          "10.1103/PhysRevB.58.2539",
2336   publisher =    "American Physical Society",
2337   notes =        "latest si edip, good dislocation explanation",
2338 }
2339
2340 @Article{parcas_md,
2341   title =        "{PARCAS} molecular dynamics code",
2342   author =       "K. Nordlund",
2343   year =         "2008",
2344 }
2345
2346 @Article{voter97,
2347   title =        "Hyperdynamics: Accelerated Molecular Dynamics of
2348                  Infrequent Events",
2349   author =       "Arthur F. Voter",
2350   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2351   volume =       "78",
2352   number =       "20",
2353   pages =        "3908--3911",
2354   numpages =     "3",
2355   year =         "1997",
2356   month =        may,
2357   doi =          "10.1103/PhysRevLett.78.3908",
2358   publisher =    "American Physical Society",
2359   notes =        "hyperdynamics, accelerated md",
2360 }
2361
2362 @Article{voter97_2,
2363   author =       "Arthur F. Voter",
2364   collaboration = "",
2365   title =        "A method for accelerating the molecular dynamics
2366                  simulation of infrequent events",
2367   publisher =    "AIP",
2368   year =         "1997",
2369   journal =      "J. Chem. Phys.",
2370   volume =       "106",
2371   number =       "11",
2372   pages =        "4665--4677",
2373   keywords =     "COMPUTERIZED SIMULATION; NICKEL; DIFFUSION; ATOM
2374                  TRANSPORT; MOLECULAR ORBITAL METHOD; POTENTIAL ENERGY;
2375                  SURFACE POTENTIAL; MOLECULAR DYNAMICS METHOD; potential
2376                  energy functions; surface diffusion; reaction kinetics
2377                  theory; potential energy surfaces",
2378   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/106/4665/1",
2379   doi =          "10.1063/1.473503",
2380   notes =        "improved hyperdynamics md",
2381 }
2382
2383 @Article{sorensen2000,
2384   author =       "Mads R. S{\o }rensen and Arthur F. Voter",
2385   collaboration = "",
2386   title =        "Temperature-accelerated dynamics for simulation of
2387                  infrequent events",
2388   publisher =    "AIP",
2389   year =         "2000",
2390   journal =      "J. Chem. Phys.",
2391   volume =       "112",
2392   number =       "21",
2393   pages =        "9599--9606",
2394   keywords =     "SOLID STATE PHYSICS; SIMULATION; DIFFUSION; SURFACES;
2395                  MOLECULAR DYNAMICS METHOD; surface diffusion",
2396   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/112/9599/1",
2397   doi =          "10.1063/1.481576",
2398   notes =        "temperature accelerated dynamics, tad",
2399 }
2400
2401 @Article{voter98,
2402   title =        "Parallel replica method for dynamics of infrequent
2403                  events",
2404   author =       "Arthur F. Voter",
2405   journal =      "Phys. Rev. B",
2406   volume =       "57",
2407   number =       "22",
2408   pages =        "R13985--R13988",
2409   numpages =     "3",
2410   year =         "1998",
2411   month =        jun,
2412   doi =          "10.1103/PhysRevB.57.R13985",
2413   publisher =    "American Physical Society",
2414   notes =        "parallel replica method, accelerated md",
2415 }
2416
2417 @Article{wu99,
2418   author =       "Xiongwu Wu and Shaomeng Wang",
2419   collaboration = "",
2420   title =        "Enhancing systematic motion in molecular dynamics
2421                  simulation",
2422   publisher =    "AIP",
2423   year =         "1999",
2424   journal =      "J. Chem. Phys.",
2425   volume =       "110",
2426   number =       "19",
2427   pages =        "9401--9410",
2428   keywords =     "molecular dynamics method; argon; Lennard-Jones
2429                  potential; crystallisation; liquid theory",
2430   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/110/9401/1",
2431   doi =          "10.1063/1.478948",
2432   notes =        "self guided md, sgmd, accelerated md, enhancing
2433                  systematic motion",
2434 }
2435
2436 @Article{choudhary05,
2437   author =       "Devashish Choudhary and Paulette Clancy",
2438   collaboration = "",
2439   title =        "Application of accelerated molecular dynamics schemes
2440                  to the production of amorphous silicon",
2441   publisher =    "AIP",
2442   year =         "2005",
2443   journal =      "J. Chem. Phys.",
2444   volume =       "122",
2445   number =       "15",
2446   eid =          "154509",
2447   numpages =     "8",
2448   pages =        "154509",
2449   keywords =     "molecular dynamics method; silicon; glass structure;
2450                  amorphous semiconductors",
2451   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/122/154509/1",
2452   doi =          "10.1063/1.1878733",
2453   notes =        "explanation of sgmd and hyper md, applied to amorphous
2454                  silicon",
2455 }
2456
2457 @Article{taylor93,
2458   author =       "W. J. Taylor and T. Y. Tan and U. G{\"{o}}sele",
2459   collaboration = "",
2460   title =        "Carbon precipitation in silicon: Why is it so
2461                  difficult?",
2462   publisher =    "AIP",
2463   year =         "1993",
2464   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2465   volume =       "62",
2466   number =       "25",
2467   pages =        "3336--3338",
2468   keywords =     "SILICON; CARBON ADDITIONS; OXYGEN ADDITIONS; DOPED
2469                  MATERIALS; PRECIPITATION; THERMODYNAMICS; SURFACE
2470                  ENERGY",
2471   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/62/3336/1",
2472   doi =          "10.1063/1.109063",
2473   notes =        "interfacial energy of cubic sic and si",
2474 }
2475
2476 @Article{chaussende08,
2477   title =        "Prospects for 3{C}-Si{C} bulk crystal growth",
2478   journal =      "J. Cryst. Growth",
2479   volume =       "310",
2480   number =       "5",
2481   pages =        "976--981",
2482   year =         "2008",
2483   note =         "Proceedings of the E-MRS Conference, Symposium G -
2484                  Substrates of Wide Bandgap Materials",
2485   ISSN =         "0022-0248",
2486   doi =          "DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2007.11.140",
2487   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-4R7J67S-F/2/e92fc194b652409f5b119393d608b082",
2488   author =       "D. Chaussende and F. Mercier and A. Boulle and F.
2489                  Conchon and M. Soueidan and G. Ferro and A. Mantzari
2490                  and A. Andreadou and E. K. Polychroniadis and C.
2491                  Balloud and S. Juillaguet and J. Camassel and M. Pons",
2492   notes =        "3c-sic crystal growth, sic fabrication + links,
2493                  metastable",
2494 }
2495
2496 @Article{chaussende07,
2497   author =       "D. Chaussende and P. J. Wellmann and M. Pons",
2498   title =        "Status of Si{C} bulk growth processes",
2499   journal =      "Journal of Physics D: Applied Physics",
2500   volume =       "40",
2501   number =       "20",
2502   pages =        "6150",
2503   URL =          "http://stacks.iop.org/0022-3727/40/i=20/a=S02",
2504   year =         "2007",
2505   notes =        "review of sic single crystal growth methods, process
2506                  modelling",
2507 }
2508
2509 @Article{feynman39,
2510   title =        "Forces in Molecules",
2511   author =       "R. P. Feynman",
2512   journal =      "Phys. Rev.",
2513   volume =       "56",
2514   number =       "4",
2515   pages =        "340--343",
2516   numpages =     "3",
2517   year =         "1939",
2518   month =        aug,
2519   doi =          "10.1103/PhysRev.56.340",
2520   publisher =    "American Physical Society",
2521   notes =        "hellmann feynman forces",
2522 }
2523
2524 @Article{buczko00,
2525   title =        "Bonding Arrangements at the $Si-Si{O}_{2}$ and
2526                  $Si{C}-Si{O}_{2}$ Interfaces and a Possible Origin of
2527                  their Contrasting Properties",
2528   author =       "Ryszard Buczko and Stephen J. Pennycook and Sokrates
2529                  T. Pantelides",
2530   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2531   volume =       "84",
2532   number =       "5",
2533   pages =        "943--946",
2534   numpages =     "3",
2535   year =         "2000",
2536   month =        jan,
2537   doi =          "10.1103/PhysRevLett.84.943",
2538   publisher =    "American Physical Society",
2539   notes =        "si sio2 and sic sio2 interface",
2540 }
2541
2542 @Article{djurabekova08,
2543   title =        "Atomistic simulation of the interface structure of Si
2544                  nanocrystals embedded in amorphous silica",
2545   author =       "Flyura Djurabekova and Kai Nordlund",
2546   journal =      "Phys. Rev. B",
2547   volume =       "77",
2548   number =       "11",
2549   pages =        "115325",
2550   numpages =     "7",
2551   year =         "2008",
2552   month =        mar,
2553   doi =          "10.1103/PhysRevB.77.115325",
2554   publisher =    "American Physical Society",
2555   notes =        "nc-si in sio2, interface energy, nc construction,
2556                  angular distribution, coordination",
2557 }
2558
2559 @Article{wen09,
2560   author =       "C. Wen and Y. M. Wang and W. Wan and F. H. Li and J.
2561                  W. Liang and J. Zou",
2562   collaboration = "",
2563   title =        "Nature of interfacial defects and their roles in
2564                  strain relaxation at highly lattice mismatched
2565                  3{C}-Si{C}/Si (001) interface",
2566   publisher =    "AIP",
2567   year =         "2009",
2568   journal =      "J. Appl. Phys.",
2569   volume =       "106",
2570   number =       "7",
2571   eid =          "073522",
2572   numpages =     "8",
2573   pages =        "073522",
2574   keywords =     "anelastic relaxation; crystal structure; dislocations;
2575                  elemental semiconductors; semiconductor growth;
2576                  semiconductor thin films; silicon; silicon compounds;
2577                  stacking faults; wide band gap semiconductors",
2578   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/106/073522/1",
2579   doi =          "10.1063/1.3234380",
2580   notes =        "sic/si interface, follow refs, tem image
2581                  deconvolution, dislocation defects",
2582 }
2583
2584 @Article{kitabatake93,
2585   author =       "Makoto Kitabatake and Masahiro Deguchi and Takashi
2586                  Hirao",
2587   collaboration = "",
2588   title =        "Simulations and experiments of Si{C} heteroepitaxial
2589                  growth on Si(001) surface",
2590   publisher =    "AIP",
2591   year =         "1993",
2592   journal =      "J. Appl. Phys.",
2593   volume =       "74",
2594   number =       "7",
2595   pages =        "4438--4445",
2596   keywords =     "SILICON CARBIDES; FILM GROWTH; SIMULATION; MOLECULAR
2597                  BEAM EPITAXY; MOLECULAR DYNAMICS CALCULATIONS; SILICON;
2598                  MICROSTRUCTURE; ULTRAVIOLET RADIATION; IRRADIATION",
2599   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/74/4438/1",
2600   doi =          "10.1063/1.354385",
2601   notes =        "mbe and md of sic growth on si, 4 to 5 shrinkage
2602                  model, interface",
2603 }
2604
2605 @Article{kitabatake97,
2606   author =       "Makoto Kitabatake",
2607   title =        "Simulations and Experiments of 3{C}-Si{C}/Si
2608                  Heteroepitaxial Growth",
2609   publisher =    "WILEY-VCH Verlag",
2610   year =         "1997",
2611   journal =      "physica status solidi (b)",
2612   volume =       "202",
2613   pages =        "405--420",
2614   URL =          "http://dx.doi.org/10.1002/1521-3951(199707)202:1<405::AID-PSSB405>3.0.CO;2-5",
2615   doi =          "10.1002/1521-3951(199707)202:1<405::AID-PSSB405>3.0.CO;2-5",
2616   notes =        "3c-sic heteroepitaxial growth on si off-axis model",
2617 }
2618
2619 @Article{chirita97,
2620   title =        "Strain relaxation and thermal stability of the
2621                  3{C}-Si{C}(001)/Si(001) interface: {A} molecular
2622                  dynamics study",
2623   journal =      "Thin Solid Films",
2624   volume =       "294",
2625   number =       "1-2",
2626   pages =        "47--49",
2627   year =         "1997",
2628   note =         "",
2629   ISSN =         "0040-6090",
2630   doi =          "DOI: 10.1016/S0040-6090(96)09257-7",
2631   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TW0-41WBB52-C/2/6ef684a04d02dd3b108f972377cde8f4",
2632   author =       "V. Chirita and L. Hultman and L. R. Wallenberg",
2633   keywords =     "Strain relaxation",
2634   keywords =     "Interfaces",
2635   keywords =     "Thermal stability",
2636   keywords =     "Molecular dynamics",
2637   notes =        "tersoff sic/si interface study",
2638 }
2639
2640 @Article{cicero02,
2641   title =        "Ab initio Study of Misfit Dislocations at the
2642                  $Si{C}/Si(001)$ Interface",
2643   author =       "Giancarlo Cicero and Laurent Pizzagalli and Alessandra
2644                  Catellani",
2645   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2646   volume =       "89",
2647   number =       "15",
2648   pages =        "156101",
2649   numpages =     "4",
2650   year =         "2002",
2651   month =        sep,
2652   doi =          "10.1103/PhysRevLett.89.156101",
2653   publisher =    "American Physical Society",
2654   notes =        "sic/si interface study",
2655 }
2656
2657 @Article{pizzagalli03,
2658   title =        "Theoretical investigations of a highly mismatched
2659                  interface: Si{C}/Si(001)",
2660   author =       "Laurent Pizzagalli and Giancarlo Cicero and Alessandra
2661                  Catellani",
2662   journal =      "Phys. Rev. B",
2663   volume =       "68",
2664   number =       "19",
2665   pages =        "195302",
2666   numpages =     "10",
2667   year =         "2003",
2668   month =        nov,
2669   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.195302",
2670   publisher =    "American Physical Society",
2671   notes =        "tersoff md and ab initio sic/si interface study",
2672 }
2673
2674 @Article{tang07,
2675   title =        "Atomic configurations of dislocation core and twin
2676                  boundaries in $ 3{C}-Si{C} $ studied by high-resolution
2677                  electron microscopy",
2678   author =       "C. Y. Tang and F. H. Li and R. Wang and J. Zou and X.
2679                  H. Zheng and J. W. Liang",
2680   journal =      "Phys. Rev. B",
2681   volume =       "75",
2682   number =       "18",
2683   pages =        "184103",
2684   numpages =     "7",
2685   year =         "2007",
2686   month =        may,
2687   doi =          "10.1103/PhysRevB.75.184103",
2688   publisher =    "American Physical Society",
2689   notes =        "hrem image deconvolution on 3c-sic on si, distinguish
2690                  si and c",
2691 }
2692
2693 @Article{hornstra58,
2694   title =        "Dislocations in the diamond lattice",
2695   journal =      "Journal of Physics and Chemistry of Solids",
2696   volume =       "5",
2697   number =       "1-2",
2698   pages =        "129--141",
2699   year =         "1958",
2700   note =         "",
2701   ISSN =         "0022-3697",
2702   doi =          "DOI: 10.1016/0022-3697(58)90138-0",
2703   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXR-46MMPHJ-10D/2/7176c01c29cd4e73faa26ab2aacdcea5",
2704   author =       "J. Hornstra",
2705   notes =        "dislocations in diamond lattice",
2706 }
2707
2708 @Article{deguchi92,
2709   title =        "Synthesis of $\beta$-Si{C} Layer in Silicon by Carbon
2710                  Ion `Hot' Implantation",
2711   author =       "Masahiro Deguchi and Makoto Kitabatake and Takashi
2712                  Hirao and Naoki Arai and Tomio Izumi",
2713   journal =      "Japanese Journal of Applied Physics",
2714   volume =       "31",
2715   number =       "Part 1, No. 2A",
2716   pages =        "343--347",
2717   numpages =     "4",
2718   year =         "1992",
2719   URL =          "http://jjap.ipap.jp/link?JJAP/31/343/",
2720   doi =          "10.1143/JJAP.31.343",
2721   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
2722   notes =        "c-c bonds in c implanted si, hot implantation
2723                  efficiency, c-c hard to break by thermal annealing",
2724 }
2725
2726 @Article{eichhorn99,
2727   author =       "F. Eichhorn and N. Schell and W. Matz and R.
2728                  K{\"{o}}gler",
2729   collaboration = "",
2730   title =        "Strain and Si{C} particle formation in silicon
2731                  implanted with carbon ions of medium fluence studied by
2732                  synchrotron x-ray diffraction",
2733   publisher =    "AIP",
2734   year =         "1999",
2735   journal =      "J. Appl. Phys.",
2736   volume =       "86",
2737   number =       "8",
2738   pages =        "4184--4187",
2739   keywords =     "silicon; carbon; elemental semiconductors; chemical
2740                  interdiffusion; ion implantation; X-ray diffraction;
2741                  precipitation; semiconductor doping",
2742   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/86/4184/1",
2743   doi =          "10.1063/1.371344",
2744   notes =        "sic conversion by ibs, detected substitutional carbon,
2745                  expansion of si lattice",
2746 }
2747
2748 @Article{eichhorn02,
2749   author =       "F. Eichhorn and N. Schell and A. M{\"{u}}cklich and H.
2750                  Metzger and W. Matz and R. K{\"{o}}gler",
2751   collaboration = "",
2752   title =        "Structural relation between Si and Si{C} formed by
2753                  carbon ion implantation",
2754   publisher =    "AIP",
2755   year =         "2002",
2756   journal =      "J. Appl. Phys.",
2757   volume =       "91",
2758   number =       "3",
2759   pages =        "1287--1292",
2760   keywords =     "silicon compounds; wide band gap semiconductors; ion
2761                  implantation; annealing; X-ray scattering; transmission
2762                  electron microscopy",
2763   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/91/1287/1",
2764   doi =          "10.1063/1.1428105",
2765   notes =        "3c-sic alignement to si host in ibs depending on
2766                  temperature, might explain c into c sub trafo",
2767 }
2768
2769 @Article{lucas10,
2770   author =       "G Lucas and M Bertolus and L Pizzagalli",
2771   title =        "An environment-dependent interatomic potential for
2772                  silicon carbide: calculation of bulk properties,
2773                  high-pressure phases, point and extended defects, and
2774                  amorphous structures",
2775   journal =      "J. Phys.: Condens. Matter",
2776   volume =       "22",
2777   number =       "3",
2778   pages =        "035802",
2779   URL =          "http://stacks.iop.org/0953-8984/22/i=3/a=035802",
2780   year =         "2010",
2781   notes =        "edip sic",
2782 }
2783
2784 @Article{godet03,
2785   author =       "J Godet and L Pizzagalli and S Brochard and P
2786                  Beauchamp",
2787   title =        "Comparison between classical potentials and ab initio
2788                  methods for silicon under large shear",
2789   journal =      "J. Phys.: Condens. Matter",
2790   volume =       "15",
2791   number =       "41",
2792   pages =        "6943",
2793   URL =          "http://stacks.iop.org/0953-8984/15/i=41/a=004",
2794   year =         "2003",
2795   notes =        "comparison of empirical potentials, stillinger weber,
2796                  edip, tersoff, ab initio",
2797 }
2798
2799 @Article{moriguchi98,
2800   title =        "Verification of Tersoff's Potential for Static
2801                  Structural Analysis of Solids of Group-{IV} Elements",
2802   author =       "Koji Moriguchi and Akira Shintani",
2803   journal =      "Japanese J. Appl. Phys.",
2804   volume =       "37",
2805   number =       "Part 1, No. 2",
2806   pages =        "414--422",
2807   numpages =     "8",
2808   year =         "1998",
2809   URL =          "http://jjap.ipap.jp/link?JJAP/37/414/",
2810   doi =          "10.1143/JJAP.37.414",
2811   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
2812   notes =        "tersoff stringent test",
2813 }
2814
2815 @Article{mazzarolo01,
2816   title =        "Low-energy recoils in crystalline silicon: Quantum
2817                  simulations",
2818   author =       "Massimiliano Mazzarolo and Luciano Colombo and Giorgio
2819                  Lulli and Eros Albertazzi",
2820   journal =      "Phys. Rev. B",
2821   volume =       "63",
2822   number =       "19",
2823   pages =        "195207",
2824   numpages =     "4",
2825   year =         "2001",
2826   month =        apr,
2827   doi =          "10.1103/PhysRevB.63.195207",
2828   publisher =    "American Physical Society",
2829 }
2830
2831 @Article{holmstroem08,
2832   title =        "Threshold defect production in silicon determined by
2833                  density functional theory molecular dynamics
2834                  simulations",
2835   author =       "E. Holmstr{\"o}m and A. Kuronen and K. Nordlund",
2836   journal =      "Phys. Rev. B",
2837   volume =       "78",
2838   number =       "4",
2839   pages =        "045202",
2840   numpages =     "6",
2841   year =         "2008",
2842   month =        jul,
2843   doi =          "10.1103/PhysRevB.78.045202",
2844   publisher =    "American Physical Society",
2845   notes =        "threshold displacement comparison empirical and ab
2846                  initio",
2847 }
2848
2849 @Article{nordlund97,
2850   title =        "Repulsive interatomic potentials calculated using
2851                  Hartree-Fock and density-functional theory methods",
2852   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
2853   volume =       "132",
2854   number =       "1",
2855   pages =        "45--54",
2856   year =         "1997",
2857   note =         "",
2858   ISSN =         "0168-583X",
2859   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(97)00447-3",
2860   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-4CP0TGF-91/2/1a9100c0aae82d2d258fc83dfdba23c1",
2861   author =       "K. Nordlund and N. Runeberg and D. Sundholm",
2862   notes =        "repulsive ab initio potential",
2863 }
2864
2865 @Article{kresse96,
2866   title =        "Efficiency of ab-initio total energy calculations for
2867                  metals and semiconductors using a plane-wave basis
2868                  set",
2869   journal =      "Comput. Mater. Sci.",
2870   volume =       "6",
2871   number =       "1",
2872   pages =        "15--50",
2873   year =         "1996",
2874   note =         "",
2875   ISSN =         "0927-0256",
2876   doi =          "DOI: 10.1016/0927-0256(96)00008-0",
2877   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TWM-3VRVTBF-3/2/88689b1eacfe2b5fe57f09d37eff3b74",
2878   author =       "G. Kresse and J. Furthm{\"{u}}ller",
2879   notes =        "vasp ref",
2880 }
2881
2882 @Article{bloechl94,
2883   title =        "Projector augmented-wave method",
2884   author =       "P. E. Bl{\"o}chl",
2885   journal =      "Phys. Rev. B",
2886   volume =       "50",
2887   number =       "24",
2888   pages =        "17953--17979",
2889   numpages =     "26",
2890   year =         "1994",
2891   month =        dec,
2892   doi =          "10.1103/PhysRevB.50.17953",
2893   publisher =    "American Physical Society",
2894   notes =        "paw method",
2895 }
2896
2897 @Article{hamann79,
2898   title =        "Norm-Conserving Pseudopotentials",
2899   author =       "D. R. Hamann and M. Schl{\"u}ter and C. Chiang",
2900   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2901   volume =       "43",
2902   number =       "20",
2903   pages =        "1494--1497",
2904   numpages =     "3",
2905   year =         "1979",
2906   month =        nov,
2907   doi =          "10.1103/PhysRevLett.43.1494",
2908   publisher =    "American Physical Society",
2909   notes =        "norm-conserving pseudopotentials",
2910 }
2911
2912 @Article{vanderbilt90,
2913   title =        "Soft self-consistent pseudopotentials in a generalized
2914                  eigenvalue formalism",
2915   author =       "David Vanderbilt",
2916   journal =      "Phys. Rev. B",
2917   volume =       "41",
2918   number =       "11",
2919   pages =        "7892--7895",
2920   numpages =     "3",
2921   year =         "1990",
2922   month =        apr,
2923   doi =          "10.1103/PhysRevB.41.7892",
2924   publisher =    "American Physical Society",
2925   notes =        "vasp pseudopotentials",
2926 }
2927
2928 @Article{perdew86,
2929   title =        "Accurate and simple density functional for the
2930                  electronic exchange energy: Generalized gradient
2931                  approximation",
2932   author =       "John P. Perdew and Yue Wang",
2933   journal =      "Phys. Rev. B",
2934   volume =       "33",
2935   number =       "12",
2936   pages =        "8800--8802",
2937   numpages =     "2",
2938   year =         "1986",
2939   month =        jun,
2940   doi =          "10.1103/PhysRevB.33.8800",
2941   publisher =    "American Physical Society",
2942   notes =        "rapid communication gga",
2943 }
2944
2945 @Article{perdew02,
2946   title =        "Generalized gradient approximations for exchange and
2947                  correlation: {A} look backward and forward",
2948   journal =      "Physica B: Condensed Matter",
2949   volume =       "172",
2950   number =       "1-2",
2951   pages =        "1--6",
2952   year =         "1991",
2953   note =         "",
2954   ISSN =         "0921-4526",
2955   doi =          "DOI: 10.1016/0921-4526(91)90409-8",
2956   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVH-46G8GR9-3D/2/18e610a616e4d80b934079c89063ece7",
2957   author =       "John P. Perdew",
2958   notes =        "gga overview",
2959 }
2960
2961 @Article{perdew92,
2962   title =        "Atoms, molecules, solids, and surfaces: Applications
2963                  of the generalized gradient approximation for exchange
2964                  and correlation",
2965   author =       "John P. Perdew and J. A. Chevary and S. H. Vosko and
2966                  Koblar A. Jackson and Mark R. Pederson and D. J. Singh
2967                  and Carlos Fiolhais",
2968   journal =      "Phys. Rev. B",
2969   volume =       "46",
2970   number =       "11",
2971   pages =        "6671--6687",
2972   numpages =     "16",
2973   year =         "1992",
2974   month =        sep,
2975   doi =          "10.1103/PhysRevB.46.6671",
2976   publisher =    "American Physical Society",
2977   notes =        "gga pw91 (as in vasp)",
2978 }
2979
2980 @Article{baldereschi73,
2981   title =        "Mean-Value Point in the Brillouin Zone",
2982   author =       "A. Baldereschi",
2983   journal =      "Phys. Rev. B",
2984   volume =       "7",
2985   number =       "12",
2986   pages =        "5212--5215",
2987   numpages =     "3",
2988   year =         "1973",
2989   month =        jun,
2990   doi =          "10.1103/PhysRevB.7.5212",
2991   publisher =    "American Physical Society",
2992   notes =        "mean value k point",
2993 }
2994
2995 @Article{zhu98,
2996   title =        "Ab initio pseudopotential calculations of dopant
2997                  diffusion in Si",
2998   journal =      "Comput. Mater. Sci.",
2999   volume =       "12",
3000   number =       "4",
3001   pages =        "309--318",
3002   year =         "1998",
3003   note =         "",
3004   ISSN =         "0927-0256",
3005   doi =          "DOI: 10.1016/S0927-0256(98)00023-8",
3006   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TWM-3VB7F2K-7/2/aa864582273be8e054300efb7bd16a1b",
3007   author =       "Jing Zhu",
3008   keywords =     "TED (transient enhanced diffusion)",
3009   keywords =     "Boron dopant",
3010   keywords =     "Carbon dopant",
3011   keywords =     "Defect",
3012   keywords =     "ab initio pseudopotential method",
3013   keywords =     "Impurity cluster",
3014   notes =        "binding of c to si interstitial, c in si defects",
3015 }
3016
3017 @Article{nejim95,
3018   author =       "A. Nejim and P. L. F. Hemment and J. Stoemenos",
3019   collaboration = "",
3020   title =        "Si{C} buried layer formation by ion beam synthesis at
3021                  950 [degree]{C}",
3022   publisher =    "AIP",
3023   year =         "1995",
3024   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
3025   volume =       "66",
3026   number =       "20",
3027   pages =        "2646--2648",
3028   keywords =     "SILICON; ION IMPLANTATION; CARBON IONS; SILICON
3029                  CARBIDES; BURIED LAYERS; SYNTHESIS; KEV RANGE 100 --
3030                  1000; CRYSTAL DEFECTS; MORPHOLOGY; RBS; TRANSMISSION
3031                  ELECTRON MICROSCOPY",
3032   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/66/2646/1",
3033   doi =          "10.1063/1.113112",
3034   notes =        "precipitation mechanism by substitutional carbon, si
3035                  self interstitials react with further implanted c",
3036 }
3037
3038 @Article{guedj98,
3039   author =       "C. Guedj and M. W. Dashiell and L. Kulik and J.
3040                  Kolodzey and A. Hairie",
3041   collaboration = "",
3042   title =        "Precipitation of beta-Si{C} in Si[sub 1 - y]{C}[sub y]
3043                  alloys",
3044   publisher =    "AIP",
3045   year =         "1998",
3046   journal =      "J. Appl. Phys.",
3047   volume =       "84",
3048   number =       "8",
3049   pages =        "4631--4633",
3050   keywords =     "silicon compounds; precipitation; localised modes;
3051                  semiconductor epitaxial layers; infrared spectra;
3052                  Fourier transform spectra; thermal stability;
3053                  annealing",
3054   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/84/4631/1",
3055   doi =          "10.1063/1.368703",
3056   notes =        "coherent 3C-SiC, topotactic, critical coherence size",
3057 }
3058
3059 @Article{jones04,
3060   author =       "R Jones and B J Coomer and P R Briddon",
3061   title =        "Quantum mechanical modelling of defects in
3062                  semiconductors",
3063   journal =      "J. Phys.: Condens. Matter",
3064   volume =       "16",
3065   number =       "27",
3066   pages =        "S2643",
3067   URL =          "http://stacks.iop.org/0953-8984/16/i=27/a=004",
3068   year =         "2004",
3069   notes =        "ab inito init, vibrational modes, c defect in si",
3070 }
3071
3072 @Article{park02,
3073   author =       "S. Y. Park and J. D'Arcy-Gall and D. Gall and J. A. N.
3074                  T Soares and Y.-W. Kim and H. Kim and P. Desjardins and
3075                  J. E. Greene and S. G. Bishop",
3076   collaboration = "",
3077   title =        "Carbon incorporation pathways and lattice sites in
3078                  Si[sub 1 - y]{C}[sub y] alloys grown on Si(001) by
3079                  molecular-beam epitaxy",
3080   publisher =    "AIP",
3081   year =         "2002",
3082   journal =      "J. Appl. Phys.",
3083   volume =       "91",
3084   number =       "9",
3085   pages =        "5716--5727",
3086   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/91/5716/1",
3087   doi =          "10.1063/1.1465122",
3088   notes =        "c substitutional incorporation pathway, dft and expt",
3089 }
3090
3091 @Article{leary97,
3092   title =        "Dynamic properties of interstitial carbon and
3093                  carbon-carbon pair defects in silicon",
3094   author =       "P. Leary and R. Jones and S. {\"O}berg and V. J. B.
3095                  Torres",
3096   journal =      "Phys. Rev. B",
3097   volume =       "55",
3098   number =       "4",
3099   pages =        "2188--2194",
3100   numpages =     "6",
3101   year =         "1997",
3102   month =        jan,
3103   doi =          "10.1103/PhysRevB.55.2188",
3104   publisher =    "American Physical Society",
3105   notes =        "ab initio c in si and di-carbon defect, no formation
3106                  energies, different migration barriers and paths",
3107 }
3108
3109 @Article{burnard93,
3110   title =        "Interstitial carbon and the carbon-carbon pair in
3111                  silicon: Semiempirical electronic-structure
3112                  calculations",
3113   author =       "Matthew J. Burnard and Gary G. DeLeo",
3114   journal =      "Phys. Rev. B",
3115   volume =       "47",
3116   number =       "16",
3117   pages =        "10217--10225",
3118   numpages =     "8",
3119   year =         "1993",
3120   month =        apr,
3121   doi =          "10.1103/PhysRevB.47.10217",
3122   publisher =    "American Physical Society",
3123   notes =        "semi empirical mndo, pm3 and mindo3 c in si and di
3124                  carbon defect, formation energies",
3125 }
3126
3127 @Article{besson91,
3128   title =        "Electronic structure of interstitial carbon in
3129                  silicon",
3130   author =       "Morgan Besson and Gary G. DeLeo",
3131   journal =      "Phys. Rev. B",
3132   volume =       "43",
3133   number =       "5",
3134   pages =        "4028--4033",
3135   numpages =     "5",
3136   year =         "1991",
3137   month =        feb,
3138   doi =          "10.1103/PhysRevB.43.4028",
3139   publisher =    "American Physical Society",
3140 }
3141
3142 @Article{kaxiras96,
3143   title =        "Review of atomistic simulations of surface diffusion
3144                  and growth on semiconductors",
3145   journal =      "Comput. Mater. Sci.",
3146   volume =       "6",
3147   number =       "2",
3148   pages =        "158--172",
3149   year =         "1996",
3150   note =         "Proceedings of the Workshop on Virtual Molecular Beam
3151                  Epitaxy",
3152   ISSN =         "0927-0256",
3153   doi =          "DOI: 10.1016/0927-0256(96)00030-4",
3154   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TWM-3VSFF1G-7/2/afc8408b00ded1ca2dc3ad1686c2dae6",
3155   author =       "Efthimios Kaxiras",
3156   notes =        "might contain c 100 db formation energy, overview md,
3157                  tight binding, first principles",
3158 }
3159
3160 @Article{kaukonen98,
3161   title =        "Effect of {N} and {B} doping on the growth of {CVD}
3162                  diamond
3163                  $(100):{H}(2\ifmmode\times\else\texttimes\fi{}1)$
3164                  surfaces",
3165   author =       "M. Kaukonen and P. K. Sitch and G. Jungnickel and R.
3166                  M. Nieminen and Sami P{\"o}ykk{\"o} and D. Porezag and
3167                  Th. Frauenheim",
3168   journal =      "Phys. Rev. B",
3169   volume =       "57",
3170   number =       "16",
3171   pages =        "9965--9970",
3172   numpages =     "5",
3173   year =         "1998",
3174   month =        apr,
3175   doi =          "10.1103/PhysRevB.57.9965",
3176   publisher =    "American Physical Society",
3177   notes =        "constrained conjugate gradient relaxation technique
3178                  (crt)",
3179 }
3180
3181 @Article{gali03,
3182   title =        "Correlation between the antisite pair and the ${DI}$
3183                  center in Si{C}",
3184   author =       "A. Gali and P. De\'ak and E. Rauls and N. T. Son and
3185                  I. G. Ivanov and F. H. C. Carlsson and E. Janz\'en and
3186                  W. J. Choyke",
3187   journal =      "Phys. Rev. B",
3188   volume =       "67",
3189   number =       "15",
3190   pages =        "155203",
3191   numpages =     "5",
3192   year =         "2003",
3193   month =        apr,
3194   doi =          "10.1103/PhysRevB.67.155203",
3195   publisher =    "American Physical Society",
3196 }
3197
3198 @Article{chen98,
3199   title =        "Production and recovery of defects in Si{C} after
3200                  irradiation and deformation",
3201   journal =      "J. Nucl. Mater.",
3202   volume =       "258-263",
3203   number =       "Part 2",
3204   pages =        "1803--1808",
3205   year =         "1998",
3206   note =         "",
3207   ISSN =         "0022-3115",
3208   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-3115(98)00139-1",
3209   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXN-43G486N-47/2/56905f48f025ab98e5de4d6cde09c62b",
3210   author =       "J. Chen and P. Jung and H. Klein",
3211 }
3212
3213 @Article{weber01,
3214   title =        "Accumulation, dynamic annealing and thermal recovery
3215                  of ion-beam-induced disorder in silicon carbide",
3216   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
3217   volume =       "175-177",
3218   number =       "",
3219   pages =        "26--30",
3220   year =         "2001",
3221   note =         "",
3222   ISSN =         "0168-583X",
3223   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(00)00542-5",
3224   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-435KH7Y-2R/2/8acc176700c95bb8614d96c40cfc5577",
3225   author =       "W. J. Weber and W. Jiang and S. Thevuthasan",
3226 }
3227
3228 @Article{bockstedte03,
3229   title =        "Ab initio study of the migration of intrinsic defects
3230                  in $3{C}-Si{C}$",
3231   author =       "Michel Bockstedte and Alexander Mattausch and Oleg
3232                  Pankratov",
3233   journal =      "Phys. Rev. B",
3234   volume =       "68",
3235   number =       "20",
3236   pages =        "205201",
3237   numpages =     "17",
3238   year =         "2003",
3239   month =        nov,
3240   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.205201",
3241   publisher =    "American Physical Society",
3242   notes =        "defect migration in sic",
3243 }
3244
3245 @Article{rauls03a,
3246   title =        "Theoretical study of vacancy diffusion and
3247                  vacancy-assisted clustering of antisites in Si{C}",
3248   author =       "E. Rauls and Th. Frauenheim and A. Gali and P.
3249                  De\'ak",
3250   journal =      "Phys. Rev. B",
3251   volume =       "68",
3252   number =       "15",
3253   pages =        "155208",
3254   numpages =     "9",
3255   year =         "2003",
3256   month =        oct,
3257   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.155208",
3258   publisher =    "American Physical Society",
3259 }
3260
3261 @Article{losev27,
3262   journal =      "Telegrafiya i Telefoniya bez Provodov",
3263   volume =       "44",
3264   pages =        "485--494",
3265   year =         "1927",
3266   author =       "O. V. Lossev",
3267 }
3268
3269 @Article{losev28,
3270   title =        "Luminous carborundum detector and detection effect and
3271                  oscillations with crystals",
3272   journal =      "Philosophical Magazine Series 7",
3273   volume =       "6",
3274   number =       "39",
3275   pages =        "1024--1044",
3276   year =         "1928",
3277   URL =          "http://www.informaworld.com/10.1080/14786441108564683",
3278   author =       "O. V. Lossev",
3279 }
3280
3281 @Article{losev29,
3282   journal =      "Physik. Zeitschr.",
3283   volume =       "30",
3284   pages =        "920--923",
3285   year =         "1929",
3286   author =       "O. V. Lossev",
3287 }
3288
3289 @Article{losev31,
3290   journal =      "Physik. Zeitschr.",
3291   volume =       "32",
3292   pages =        "692--696",
3293   year =         "1931",
3294   author =       "O. V. Lossev",
3295 }
3296
3297 @Article{losev33,
3298   journal =      "Physik. Zeitschr.",
3299   volume =       "34",
3300   pages =        "397--403",
3301   year =         "1933",
3302   author =       "O. V. Lossev",
3303 }
3304
3305 @Article{round07,
3306   title =        "A note on carborundum",
3307   journal =      "Electrical World",
3308   volume =       "49",
3309   pages =        "308",
3310   year =         "1907",
3311   author =       "H. J. Round",
3312 }
3313
3314 @Article{vashishath08,
3315   title =        "Recent trends in silicon carbide device research",
3316   journal =      "Mj. Int. J. Sci. Tech.",
3317   volume =       "2",
3318   number =       "03",
3319   pages =        "444--470",
3320   year =         "2008",
3321   author =       "Munish Vashishath and Ashoke K. Chatterjee",
3322   URL =          "http://www.doaj.org/doaj?func=abstract&id=286746",
3323   notes =        "sic polytype electronic properties",
3324 }
3325
3326 @Article{nelson69,
3327   author =       "W. E. Nelson and F. A. Halden and A. Rosengreen",
3328   collaboration = "",
3329   title =        "Growth and Properties of beta-Si{C} Single Crystals",
3330   publisher =    "AIP",
3331   year =         "1966",
3332   journal =      "Journal of Applied Physics",
3333   volume =       "37",
3334   number =       "1",
3335   pages =        "333--336",
3336   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/37/333/1",
3337   doi =          "10.1063/1.1707837",
3338   notes =        "sic melt growth",
3339 }
3340
3341 @Article{arkel25,
3342   author =       "A. E. van Arkel and J. H. de Boer",
3343   title =        "Darstellung von reinem Titanium-, Zirkonium-, Hafnium-
3344                  und Thoriummetall",
3345   publisher =    "WILEY-VCH Verlag GmbH",
3346   year =         "1925",
3347   journal =      "Z. Anorg. Chem.",
3348   volume =       "148",
3349   pages =        "345--350",
3350   URL =          "http://dx.doi.org/10.1002/zaac.19251480133",
3351   doi =          "10.1002/zaac.19251480133",
3352   notes =        "van arkel apparatus",
3353 }
3354
3355 @Article{moers31,
3356   author =       "K. Moers",
3357   year =         "1931",
3358   journal =      "Z. Anorg. Chem.",
3359   volume =       "198",
3360   pages =        "293",
3361   notes =        "sic by van arkel apparatus, pyrolitical vapor growth
3362                  process",
3363 }
3364
3365 @Article{kendall53,
3366   author =       "J. T. Kendall",
3367   title =        "Electronic Conduction in Silicon Carbide",
3368   publisher =    "AIP",
3369   year =         "1953",
3370   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
3371   volume =       "21",
3372   number =       "5",
3373   pages =        "821--827",
3374   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/21/821/1",
3375   notes =        "sic by van arkel apparatus, pyrolitical vapor growth
3376                  process",
3377 }
3378
3379 @Article{lely55,
3380   author =       "J. A. Lely",
3381   year =         "1955",
3382   journal =      "Ber. Deut. Keram. Ges.",
3383   volume =       "32",
3384   pages =        "229",
3385   notes =        "lely sublimation growth process",
3386 }
3387
3388 @Article{knippenberg63,
3389   author =       "W. F. Knippenberg",
3390   year =         "1963",
3391   journal =      "Philips Res. Repts.",
3392   volume =       "18",
3393   pages =        "161",
3394   notes =        "acheson process",
3395 }
3396
3397 @Article{hoffmann82,
3398   author =       "L. Hoffmann and G. Ziegler and D. Theis and C.
3399                  Weyrich",
3400   collaboration = "",
3401   title =        "Silicon carbide blue light emitting diodes with
3402                  improved external quantum efficiency",
3403   publisher =    "AIP",
3404   year =         "1982",
3405   journal =      "Journal of Applied Physics",
3406   volume =       "53",
3407   number =       "10",
3408   pages =        "6962--6967",
3409   keywords =     "light emitting diodes; silicon carbides; quantum
3410                  efficiency; visible radiation; experimental data;
3411                  epitaxy; fabrication; medium temperature; layers;
3412                  aluminium; nitrogen; substrates; pn junctions;
3413                  electroluminescence; spectra; current density;
3414                  optimization",
3415   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/53/6962/1",
3416   doi =          "10.1063/1.330041",
3417   notes =        "blue led, sublimation process",
3418 }
3419
3420 @Article{neudeck95,
3421   author =       "Philip Neudeck",
3422   affiliation =  "NASA Lewis Research Center M.S. 77-1, 21000 Brookpark
3423                  Road 44135 Cleveland OH",
3424   title =        "Progress in silicon carbide semiconductor electronics
3425                  technology",
3426   journal =      "Journal of Electronic Materials",
3427   publisher =    "Springer Boston",
3428   ISSN =         "0361-5235",
3429   keyword =      "Chemistry and Materials Science",
3430   pages =        "283--288",
3431   volume =       "24",
3432   issue =        "4",
3433   URL =          "http://dx.doi.org/10.1007/BF02659688",
3434   note =         "10.1007/BF02659688",
3435   year =         "1995",
3436   notes =        "sic data, advantages of 3c sic",
3437 }
3438
3439 @Article{bhatnagar93,
3440   author =       "M. Bhatnagar and B. J. Baliga",
3441   journal =      "Electron Devices, IEEE Transactions on",
3442   title =        "Comparison of 6{H}-Si{C}, 3{C}-Si{C}, and Si for power
3443                  devices",
3444   year =         "1993",
3445   month =        mar,
3446   volume =       "40",
3447   number =       "3",
3448   pages =        "645--655",
3449   keywords =     "3C-SiC;50 to 5000 V;6H-SiC;Schottky
3450                  rectifiers;Si;SiC;breakdown voltages;drift region
3451                  properties;output characteristics;power MOSFETs;power
3452                  semiconductor devices;switching characteristics;thermal
3453                  analysis;Schottky-barrier diodes;electric breakdown of
3454                  solids;insulated gate field effect transistors;power
3455                  transistors;semiconductor materials;silicon;silicon
3456                  compounds;solid-state rectifiers;thermal analysis;",
3457   doi =          "10.1109/16.199372",
3458   ISSN =         "0018-9383",
3459   notes =        "comparison 3c 6h sic and si devices",
3460 }
3461
3462 @Article{neudeck94,
3463   author =       "P. G. Neudeck and D. J. Larkin and J. E. Starr and J.
3464                  A. Powell and C. S. Salupo and L. G. Matus",
3465   journal =      "Electron Devices, IEEE Transactions on",
3466   title =        "Electrical properties of epitaxial 3{C}- and
3467                  6{H}-Si{C} p-n junction diodes produced side-by-side on
3468                  6{H}-Si{C} substrates",
3469   year =         "1994",
3470   month =        may,
3471   volume =       "41",
3472   number =       "5",
3473   pages =        "826--835",
3474   keywords =     "20 nA;200 micron;300 to 1100 V;3C-SiC layers;400
3475                  C;6H-SiC layers;6H-SiC substrates;CVD
3476                  process;SiC;chemical vapor deposition;doping;electrical
3477                  properties;epitaxial layers;light
3478                  emission;low-tilt-angle 6H-SiC substrates;p-n junction
3479                  diodes;polytype;rectification characteristics;reverse
3480                  leakage current;reverse voltages;temperature;leakage
3481                  currents;power electronics;semiconductor
3482                  diodes;semiconductor epitaxial layers;semiconductor
3483                  growth;semiconductor materials;silicon
3484                  compounds;solid-state rectifiers;substrates;vapour
3485                  phase epitaxial growth;",
3486   doi =          "10.1109/16.285038",
3487   ISSN =         "0018-9383",
3488   notes =        "comparison 6h 3c sic, cvd of 3c and 6h on single 6h
3489                  substrate",
3490 }
3491
3492 @Article{schulze98,
3493   author =       "N. Schulze and D. L. Barrett and G. Pensl",
3494   collaboration = "",
3495   title =        "Near-equilibrium growth of micropipe-free 6{H}-Si{C}
3496                  single crystals by physical vapor transport",
3497   publisher =    "AIP",
3498   year =         "1998",
3499   journal =      "Applied Physics Letters",
3500   volume =       "72",
3501   number =       "13",
3502   pages =        "1632--1634",
3503   keywords =     "silicon compounds; semiconductor materials;
3504                  semiconductor growth; crystal growth from vapour;
3505                  photoluminescence; Hall mobility",
3506   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/72/1632/1",
3507   doi =          "10.1063/1.121136",
3508   notes =        "micropipe free 6h-sic pvt growth",
3509 }
3510
3511 @Article{pirouz87,
3512   author =       "P. Pirouz and C. M. Chorey and J. A. Powell",
3513   collaboration = "",
3514   title =        "Antiphase boundaries in epitaxially grown beta-Si{C}",
3515   publisher =    "AIP",
3516   year =         "1987",
3517   journal =      "Applied Physics Letters",
3518   volume =       "50",
3519   number =       "4",
3520   pages =        "221--223",
3521   keywords =     "SILICON CARBIDES; DOMAIN STRUCTURE; SCANNING ELECTRON
3522                  MICROSCOPY; NUCLEATION; EPITAXIAL LAYERS; CHEMICAL
3523                  VAPOR DEPOSITION; ETCHING; ETCH PITS; TRANSMISSION
3524                  ELECTRON MICROSCOPY; ELECTRON MICROSCOPY; ANTIPHASE
3525                  BOUNDARIES",
3526   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/50/221/1",
3527   doi =          "10.1063/1.97667",
3528   notes =        "apb 3c-sic heteroepitaxy on si",
3529 }
3530
3531 @Article{shibahara86,
3532   title =        "Surface morphology of cubic Si{C}(100) grown on
3533                  Si(100) by chemical vapor deposition",
3534   journal =      "Journal of Crystal Growth",
3535   volume =       "78",
3536   number =       "3",
3537   pages =        "538--544",
3538   year =         "1986",
3539   note =         "",
3540   ISSN =         "0022-0248",
3541   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(86)90158-2",
3542   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46D26F7-1R/2/cfdbc7607352f3bc99d321303e3934e9",
3543   author =       "Kentaro Shibahara and Shigehiro Nishino and Hiroyuki
3544                  Matsunami",
3545   notes =        "defects in 3c-sis cvd on si, anti phase boundaries",
3546 }
3547
3548 @Article{desjardins96,
3549   author =       "P. Desjardins and J. E. Greene",
3550   collaboration = "",
3551   title =        "Step-flow epitaxial growth on two-domain surfaces",
3552   publisher =    "AIP",
3553   year =         "1996",
3554   journal =      "Journal of Applied Physics",
3555   volume =       "79",
3556   number =       "3",
3557   pages =        "1423--1434",
3558   keywords =     "ADATOMS; COMPUTERIZED SIMULATION; DIFFUSION; EPITAXY;
3559                  FILM GROWTH; SURFACE STRUCTURE",
3560   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/79/1423/1",
3561   doi =          "10.1063/1.360980",
3562   notes =        "apb model",
3563 }
3564
3565 @Article{henke95,
3566   author =       "S. Henke and B. Stritzker and B. Rauschenbach",
3567   collaboration = "",
3568   title =        "Synthesis of epitaxial beta-Si{C} by {C}[sub 60]
3569                  carbonization of silicon",
3570   publisher =    "AIP",
3571   year =         "1995",
3572   journal =      "Journal of Applied Physics",
3573   volume =       "78",
3574   number =       "3",
3575   pages =        "2070--2073",
3576   keywords =     "SILICON CARBIDES; THIN FILMS; EPITAXY; CARBONIZATION;
3577                  FULLERENES; ANNEALING; XRD; RBS; TWINNING; CRYSTAL
3578                  STRUCTURE",
3579   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/78/2070/1",
3580   doi =          "10.1063/1.360184",
3581   notes =        "ssmbe of sic on si, lower temperatures",
3582 }
3583
3584 @Article{fuyuki97,
3585   author =       "T. Fuyuki and T. Hatayama and H. Matsunami",
3586   title =        "Heterointerface Control and Epitaxial Growth of
3587                  3{C}-Si{C} on Si by Gas Source Molecular Beam Epitaxy",
3588   publisher =    "WILEY-VCH Verlag",
3589   year =         "1997",
3590   journal =      "physica status solidi (b)",
3591   volume =       "202",
3592   pages =        "359--378",
3593   notes =        "3c-sic heteroepitaxial growth on si by gsmbe, lower
3594                  temperatures 750",
3595 }
3596
3597 @Article{takaoka98,
3598   title =        "Initial stage of Si{C} growth on Si(1 0 0) surface",
3599   journal =      "Journal of Crystal Growth",
3600   volume =       "183",
3601   number =       "1-2",
3602   pages =        "175--182",
3603   year =         "1998",
3604   note =         "",
3605   ISSN =         "0022-0248",
3606   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-0248(97)00391-6",
3607   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-3W8STD4-V/2/8de695de037d5e20b8326c4107547918",
3608   author =       "T. Takaoka and H. Saito and Y. Igari and I. Kusunoki",
3609   keywords =     "Reflection high-energy electron diffraction (RHEED)",
3610   keywords =     "Scanning electron microscopy (SEM)",
3611   keywords =     "Silicon carbide",
3612   keywords =     "Silicon",
3613   keywords =     "Island growth",
3614   notes =        "lower temperature, 550-700",
3615 }
3616
3617 @Article{hatayama95,
3618   title =        "Low-temperature heteroepitaxial growth of cubic Si{C}
3619                  on Si using hydrocarbon radicals by gas source
3620                  molecular beam epitaxy",
3621   journal =      "Journal of Crystal Growth",
3622   volume =       "150",
3623   number =       "Part 2",
3624   pages =        "934--938",
3625   year =         "1995",
3626   note =         "",
3627   ISSN =         "0022-0248",
3628   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(95)80077-P",
3629   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-47RY2F6-1P/2/49acd5c4545dd9fd3486f70a6c25586e",
3630   author =       "Tomoaki Hatayama and Yoichiro Tarui and Takashi Fuyuki
3631                  and Hiroyuki Matsunami",
3632 }