bibdb/bibdb.bib

   1 %
   2 % bibliography database
   3 %
   4
   5 @Article{albe_sic_pot,
   6   author =       "Paul Erhart and Karsten Albe",
   7   title =        "Analytical potential for atomistic simulations of
   8                  silicon, carbon, and silicon carbide",
   9   publisher =    "APS",
  10   year =         "2005",
  11   journal =      "Phys. Rev. B",
  12   volume =       "71",
  13   number =       "3",
  14   eid =          "035211",
  15   numpages =     "14",
  16   pages =        "035211",
  17   notes =        "alble reparametrization, analytical bond oder
  18                  potential (ABOP)",
  19   keywords =     "silicon; elemental semiconductors; carbon; silicon
  20                  compounds; wide band gap semiconductors; elasticity;
  21                  enthalpy; point defects; crystallographic shear; atomic
  22                  forces",
  23   URL =          "http://link.aps.org/abstract/PRB/v71/e035211",
  24   doi =          "10.1103/PhysRevB.71.035211",
  25 }
  26
  27 @Article{albe2002,
  28   title =        "Modeling the metal-semiconductor interaction:
  29                  Analytical bond-order potential for platinum-carbon",
  30   author =       "Karsten Albe and Kai Nordlund and Robert S. Averback",
  31   journal =      "Phys. Rev. B",
  32   volume =       "65",
  33   number =       "19",
  34   pages =        "195124",
  35   numpages =     "11",
  36   year =         "2002",
  37   month =        may,
  38   doi =          "10.1103/PhysRevB.65.195124",
  39   publisher =    "American Physical Society",
  40   notes =        "derivation of albe bond order formalism",
  41 }
  42
  43 @Article{bean71,
  44   title =        "The solubility of carbon in pulled silicon crystals",
  45   journal =      "Journal of Physics and Chemistry of Solids",
  46   volume =       "32",
  47   number =       "6",
  48   pages =        "1211--1219",
  49   year =         "1971",
  50   note =         "",
  51   ISSN =         "0022-3697",
  52   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-3697(71)80179-8",
  53   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXR-4PR80SS-D/2/ce21d10d2bb885b5641905883a618ff5",
  54   author =       "A. R. Bean and R. C. Newman",
  55   notes =        "experimental solubility data of carbon in silicon",
  56 }
  57
  58 @Article{capano97,
  59   author =       "M. A. Capano and R. J. Trew",
  60   title =        "Silicon Carbide Electronic Materials and Devices",
  61   journal =      "MRS Bull.",
  62   volume =       "22",
  63   pages =        "19",
  64   year =         "1997",
  65 }
  66
  67 @Article{fischer90,
  68   author =       "G. R. Fisher and P. Barnes",
  69   title =        "Towards a unified view of polytypism in silicon
  70                  carbide",
  71   journal =      "Philosophical Magazine Part B",
  72   volume =       "61",
  73   pages =        "217--236",
  74   year =         "1990",
  75   notes =        "sic polytypes",
  76 }
  77
  78 @Article{koegler03,
  79   author =       "R. K{\"{o}}gler and F. Eichhorn and J. R. Kaschny and
  80                  A. M{\"{u}}cklich and H. Reuther and W. Skorupa and C.
  81                  Serre and A. Perez-Rodriguez",
  82   title =        "Synthesis of nano-sized Si{C} precipitates in Si by
  83                  simultaneous dual-beam implantation of {C}+ and Si+
  84                  ions",
  85   journal =      "Applied Physics A: Materials Science \& Processing",
  86   volume =       "76",
  87   pages =        "827--835",
  88   month =        mar,
  89   year =         "2003",
  90   notes =        "dual implantation, sic prec enhanced by vacancies,
  91                  precipitation by interstitial and substitutional
  92                  carbon, both mechanisms explained + refs",
  93 }
  94
  95 @Book{laplace,
  96   author =       "P. S. de Laplace",
  97   title =        "Th\'eorie analytique des probabilit\'es",
  98   series =       "Oeuvres Compl\`etes de Laplace",
  99   volume =       "VII",
 100   publisher =    "Gauthier-Villars",
 101   year =         "1820",
 102 }
 103
 104 @Article{mattoni2007,
 105   author =       "A. {Mattoni} and M. {Ippolito} and L. {Colombo}",
 106   title =        "{Atomistic modeling of brittleness in covalent
 107                  materials}",
 108   journal =      "Phys. Rev. B",
 109   year =         "2007",
 110   month =        dec,
 111   volume =       "76",
 112   number =       "22",
 113   pages =        "224103",
 114   doi =          "10.1103/PhysRevB.76.224103",
 115   notes =        "adopted tersoff potential for Si, C, Ge ad SiC;
 116                  longe(r)-range-interactions, brittle propagation of
 117                  fracture, more available potentials, universal energy
 118                  relation (uer), minimum range model (mrm)",
 119 }
 120
 121 @Article{balamane92,
 122   title =        "Comparative study of silicon empirical interatomic
 123                  potentials",
 124   author =       "H. Balamane and T. Halicioglu and W. A. Tiller",
 125   journal =      "Phys. Rev. B",
 126   volume =       "46",
 127   number =       "4",
 128   pages =        "2250--2279",
 129   numpages =     "29",
 130   year =         "1992",
 131   month =        jul,
 132   doi =          "10.1103/PhysRevB.46.2250",
 133   publisher =    "American Physical Society",
 134   notes =        "comparison of classical potentials for si",
 135 }
 136
 137 @Article{koster2002,
 138   title =        "Stress relaxation in $a-Si$ induced by ion
 139                  bombardment",
 140   author =       "H. M. Urbassek M. Koster",
 141   journal =      "Phys. Rev. B",
 142   volume =       "62",
 143   number =       "16",
 144   pages =        "11219--11224",
 145   numpages =     "5",
 146   year =         "2000",
 147   month =        oct,
 148   doi =          "10.1103/PhysRevB.62.11219",
 149   publisher =    "American Physical Society",
 150   notes =        "virial derivation for 3-body tersoff potential",
 151 }
 152
 153 @Article{breadmore99,
 154   title =        "Direct simulation of ion-beam-induced stressing and
 155                  amorphization of silicon",
 156   author =       "N. Gr\o{}nbech-Jensen K. M. Beardmore",
 157   journal =      "Phys. Rev. B",
 158   volume =       "60",
 159   number =       "18",
 160   pages =        "12610--12616",
 161   numpages =     "6",
 162   year =         "1999",
 163   month =        nov,
 164   doi =          "10.1103/PhysRevB.60.12610",
 165   publisher =    "American Physical Society",
 166   notes =        "virial derivation for 3-body tersoff potential",
 167 }
 168
 169 @Article{moissan04,
 170   author =       "Henri Moissan",
 171   title =        "Nouvelles recherches sur la météorité de Cañon
 172                  Diablo",
 173   journal =      "Comptes rendus de l'Académie des Sciences",
 174   volume =       "139",
 175   pages =        "773--786",
 176   year =         "1904",
 177 }
 178
 179 @Book{park98,
 180   author =       "Y. S. Park",
 181   title =        "Si{C} Materials and Devices",
 182   publisher =    "Academic Press",
 183   address =      "San Diego",
 184   year =         "1998",
 185 }
 186
 187 @Article{tsvetkov98,
 188   author =       "Valeri F. Tsvetkov and R. C. Glass and D. Henshall and
 189                  Calvin H. Carter Jr. and D. Asbury",
 190   title =        "Si{C} Seeded Boule Growth",
 191   journal =      "Materials Science Forum",
 192   volume =       "264-268",
 193   pages =        "3--8",
 194   year =         "1998",
 195   notes =        "modified lely process, micropipes",
 196 }
 197
 198 @Article{verlet67,
 199   title =        "Computer {"}Experiments{"} on Classical Fluids. {I}.
 200                  Thermodynamical Properties of Lennard-Jones Molecules",
 201   author =       "Loup Verlet",
 202   journal =      "Phys. Rev.",
 203   volume =       "159",
 204   number =       "1",
 205   pages =        "98",
 206   year =         "1967",
 207   month =        jul,
 208   doi =          "10.1103/PhysRev.159.98",
 209   publisher =    "American Physical Society",
 210   notes =        "velocity verlet integration algorithm equation of
 211                  motion",
 212 }
 213
 214 @Article{berendsen84,
 215   author =       "H. J. C. Berendsen and J. P. M. Postma and W. F. van
 216                  Gunsteren and A. DiNola and J. R. Haak",
 217   collaboration = "",
 218   title =        "Molecular dynamics with coupling to an external bath",
 219   publisher =    "AIP",
 220   year =         "1984",
 221   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
 222   volume =       "81",
 223   number =       "8",
 224   pages =        "3684--3690",
 225   keywords =     "MOLECULAR DYNAMICS CALCULATION; TRANSPORT THEORY;
 226                  COMPUTERIZED SIMULATION; LIQUIDS; STRUCTURE FACTORS",
 227   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/81/3684/1",
 228   doi =          "10.1063/1.448118",
 229   notes =        "berendsen thermostat barostat",
 230 }
 231
 232 @Article{huang95,
 233   author =       "Hanchen Huang and N M Ghoniem and J K Wong and M
 234                  Baskes",
 235   title =        "Molecular dynamics determination of defect energetics
 236                  in beta -Si{C} using three representative empirical
 237                  potentials",
 238   journal =      "Modelling and Simulation in Materials Science and
 239                  Engineering",
 240   volume =       "3",
 241   number =       "5",
 242   pages =        "615--627",
 243   URL =          "http://stacks.iop.org/0965-0393/3/615",
 244   notes =        "comparison of tersoff, pearson and eam for defect
 245                  energetics in sic; (m)eam parameters for sic",
 246   year =         "1995",
 247 }
 248
 249 @Article{brenner89,
 250   title =        "Relationship between the embedded-atom method and
 251                  Tersoff potentials",
 252   author =       "Donald W. Brenner",
 253   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 254   volume =       "63",
 255   number =       "9",
 256   pages =        "1022",
 257   numpages =     "1",
 258   year =         "1989",
 259   month =        aug,
 260   doi =          "10.1103/PhysRevLett.63.1022",
 261   publisher =    "American Physical Society",
 262   notes =        "relation of tersoff and eam potential",
 263 }
 264
 265 @Article{batra87,
 266   title =        "Molecular-dynamics study of self-interstitials in
 267                  silicon",
 268   author =       "Inder P. Batra and Farid F. Abraham and S. Ciraci",
 269   journal =      "Phys. Rev. B",
 270   volume =       "35",
 271   number =       "18",
 272   pages =        "9552--9558",
 273   numpages =     "6",
 274   year =         "1987",
 275   month =        jun,
 276   doi =          "10.1103/PhysRevB.35.9552",
 277   publisher =    "American Physical Society",
 278   notes =        "selft-interstitials in silicon, stillinger-weber,
 279                  calculation of defect formation energy, defect
 280                  interstitial types",
 281 }
 282
 283 @Article{schober89,
 284   title =        "Extended interstitials in silicon and germanium",
 285   author =       "H. R. Schober",
 286   journal =      "Phys. Rev. B",
 287   volume =       "39",
 288   number =       "17",
 289   pages =        "13013--13015",
 290   numpages =     "2",
 291   year =         "1989",
 292   month =        jun,
 293   doi =          "10.1103/PhysRevB.39.13013",
 294   publisher =    "American Physical Society",
 295   notes =        "stillinger-weber silicon 110 stable and metastable
 296                  dumbbell configuration",
 297 }
 298
 299 @Article{gao02a,
 300   title =        "Cascade overlap and amorphization in $3{C}-Si{C}:$
 301                  Defect accumulation, topological features, and
 302                  disordering",
 303   author =       "F. Gao and W. J. Weber",
 304   journal =      "Phys. Rev. B",
 305   volume =       "66",
 306   number =       "2",
 307   pages =        "024106",
 308   numpages =     "10",
 309   year =         "2002",
 310   month =        jul,
 311   doi =          "10.1103/PhysRevB.66.024106",
 312   publisher =    "American Physical Society",
 313   notes =        "sic intro, si cascade in 3c-sic, amorphization,
 314                  tersoff modified, pair correlation of amorphous sic, md
 315                  result analyze",
 316 }
 317
 318 @Article{devanathan98,
 319   title =        "Computer simulation of a 10 ke{V} Si displacement
 320                  cascade in Si{C}",
 321   journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
 322                  Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
 323   volume =       "141",
 324   number =       "1-4",
 325   pages =        "118--122",
 326   year =         "1998",
 327   ISSN =         "0168-583X",
 328   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00084-6",
 329   author =       "R. Devanathan and W. J. Weber and T. Diaz de la
 330                  Rubia",
 331   notes =        "modified tersoff short range potential, ab initio
 332                  3c-sic",
 333 }
 334
 335 @Article{devanathan98_2,
 336   title =        "Displacement threshold energies in [beta]-Si{C}",
 337   journal =      "Journal of Nuclear Materials",
 338   volume =       "253",
 339   number =       "1-3",
 340   pages =        "47--52",
 341   year =         "1998",
 342   ISSN =         "0022-3115",
 343   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-3115(97)00304-8",
 344   author =       "R. Devanathan and T. Diaz de la Rubia and W. J.
 345                  Weber",
 346   notes =        "modified tersoff, ab initio, combined ab initio
 347                  tersoff",
 348 }
 349
 350 @Article{kitabatake00,
 351   title =        "Si{C}/Si heteroepitaxial growth",
 352   author =       "M. Kitabatake",
 353   journal =      "Thin Solid Films",
 354   volume =       "369",
 355   pages =        "257--264",
 356   numpages =     "8",
 357   year =         "2000",
 358   notes =        "md simulation, sic si heteroepitaxy, mbe",
 359 }
 360
 361 @Article{tang97,
 362   title =        "Intrinsic point defects in crystalline silicon:
 363                  Tight-binding molecular dynamics studies of
 364                  self-diffusion, interstitial-vacancy recombination, and
 365                  formation volumes",
 366   author =       "M. Tang and L. Colombo and J. Zhu and T. Diaz de la
 367                  Rubia",
 368   journal =      "Phys. Rev. B",
 369   volume =       "55",
 370   number =       "21",
 371   pages =        "14279--14289",
 372   numpages =     "10",
 373   year =         "1997",
 374   month =        jun,
 375   doi =          "10.1103/PhysRevB.55.14279",
 376   publisher =    "American Physical Society",
 377   notes =        "si self interstitial, diffusion, tbmd",
 378 }
 379
 380 @Article{johnson98,
 381   author =       "M. D. Johnson and M.-J. Caturla and T. D\'{\i}az de la
 382                  Rubia",
 383   collaboration = "",
 384   title =        "A kinetic Monte--Carlo study of the effective
 385                  diffusivity of the silicon self-interstitial in the
 386                  presence of carbon and boron",
 387   publisher =    "AIP",
 388   year =         "1998",
 389   journal =      "Journal of Applied Physics",
 390   volume =       "84",
 391   number =       "4",
 392   pages =        "1963--1967",
 393   keywords =     "MONTE CARLO METHOD; DIFFUSION; SILICON; INTERSTITIALS;
 394                  CARBON ADDITIONS; BORON ADDITIONS; elemental
 395                  semiconductors; self-diffusion",
 396   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/84/1963/1",
 397   doi =          "10.1063/1.368328",
 398   notes =        "kinetic monte carlo of si self interstitial
 399                  diffsuion",
 400 }
 401
 402 @Article{bar-yam84,
 403   title =        "Barrier to Migration of the Silicon
 404                  Self-Interstitial",
 405   author =       "Y. Bar-Yam and J. D. Joannopoulos",
 406   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 407   volume =       "52",
 408   number =       "13",
 409   pages =        "1129--1132",
 410   numpages =     "3",
 411   year =         "1984",
 412   month =        mar,
 413   doi =          "10.1103/PhysRevLett.52.1129",
 414   publisher =    "American Physical Society",
 415   notes =        "si self-interstitial migration barrier",
 416 }
 417
 418 @Article{bar-yam84_2,
 419   title =        "Electronic structure and total-energy migration
 420                  barriers of silicon self-interstitials",
 421   author =       "Y. Bar-Yam and J. D. Joannopoulos",
 422   journal =      "Phys. Rev. B",
 423   volume =       "30",
 424   number =       "4",
 425   pages =        "1844--1852",
 426   numpages =     "8",
 427   year =         "1984",
 428   month =        aug,
 429   doi =          "10.1103/PhysRevB.30.1844",
 430   publisher =    "American Physical Society",
 431 }
 432
 433 @Article{bloechl93,
 434   title =        "First-principles calculations of self-diffusion
 435                  constants in silicon",
 436   author =       "Peter E. Bl{\"o}chl and Enrico Smargiassi and R. Car
 437                  and D. B. Laks and W. Andreoni and S. T. Pantelides",
 438   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 439   volume =       "70",
 440   number =       "16",
 441   pages =        "2435--2438",
 442   numpages =     "3",
 443   year =         "1993",
 444   month =        apr,
 445   doi =          "10.1103/PhysRevLett.70.2435",
 446   publisher =    "American Physical Society",
 447   notes =        "si self int diffusion by ab initio md, formation
 448                  entropy calculations",
 449 }
 450
 451 @Article{colombo02,
 452   title =        "Tight-binding theory of native point defects in
 453                  silicon",
 454   author =       "L. Colombo",
 455   journal =      "Annu. Rev. Mater. Res.",
 456   volume =       "32",
 457   pages =        "271--295",
 458   numpages =     "25",
 459   year =         "2002",
 460   doi =          "10.1146/annurev.matsci.32.111601.103036",
 461   publisher =    "Annual Reviews",
 462   notes =        "si self interstitial, tbmd, virial stress",
 463 }
 464
 465 @Article{al-mushadani03,
 466   title =        "Free-energy calculations of intrinsic point defects in
 467                  silicon",
 468   author =       "O. K. Al-Mushadani and R. J. Needs",
 469   journal =      "Phys. Rev. B",
 470   volume =       "68",
 471   number =       "23",
 472   pages =        "235205",
 473   numpages =     "8",
 474   year =         "2003",
 475   month =        dec,
 476   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.235205",
 477   publisher =    "American Physical Society",
 478   notes =        "formation energies of intrinisc point defects in
 479                  silicon, si self interstitials, free energy",
 480 }
 481
 482 @Article{goedecker02,
 483   title =        "A Fourfold Coordinated Point Defect in Silicon",
 484   author =       "Stefan Goedecker and Thierry Deutsch and Luc Billard",
 485   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 486   volume =       "88",
 487   number =       "23",
 488   pages =        "235501",
 489   numpages =     "4",
 490   year =         "2002",
 491   month =        may,
 492   doi =          "10.1103/PhysRevLett.88.235501",
 493   publisher =    "American Physical Society",
 494   notes =        "first time ffcd, fourfold coordinated point defect in
 495                  silicon",
 496 }
 497
 498 @Article{ma10,
 499   title =        "Ab initio study of self-diffusion in silicon over a
 500                  wide temperature range: Point defect states and
 501                  migration mechanisms",
 502   author =       "Shangyi Ma and Shaoqing Wang",
 503   journal =      "Phys. Rev. B",
 504   volume =       "81",
 505   number =       "19",
 506   pages =        "193203",
 507   numpages =     "4",
 508   year =         "2010",
 509   month =        may,
 510   doi =          "10.1103/PhysRevB.81.193203",
 511   publisher =    "American Physical Society",
 512   notes =        "si self interstitial diffusion + refs",
 513 }
 514
 515 @Article{posselt06,
 516   title =        "Atomistic simulations on the thermal stability of the
 517                  antisite pair in 3{C}- and 4{H}-Si{C}",
 518   author =       "M. Posselt and F. Gao and W. J. Weber",
 519   journal =      "Phys. Rev. B",
 520   volume =       "73",
 521   number =       "12",
 522   pages =        "125206",
 523   numpages =     "8",
 524   year =         "2006",
 525   month =        mar,
 526   doi =          "10.1103/PhysRevB.73.125206",
 527   publisher =    "American Physical Society",
 528 }
 529
 530 @Article{posselt08,
 531   title =        "Correlation between self-diffusion in Si and the
 532                  migration mechanisms of vacancies and
 533                  self-interstitials: An atomistic study",
 534   author =       "M. Posselt and F. Gao and H. Bracht",
 535   journal =      "Phys. Rev. B",
 536   volume =       "78",
 537   number =       "3",
 538   pages =        "035208",
 539   numpages =     "9",
 540   year =         "2008",
 541   month =        jul,
 542   doi =          "10.1103/PhysRevB.78.035208",
 543   publisher =    "American Physical Society",
 544   notes =        "si self-interstitial and vacancy diffusion, stillinger
 545                  weber and tersoff",
 546 }
 547
 548 @Article{gao2001,
 549   title =        "Ab initio and empirical-potential studies of defect
 550                  properties in $3{C}-Si{C}$",
 551   author =       "F. Gao and E. J. Bylaska and W. J. Weber and L. R.
 552                  Corrales",
 553   journal =      "Phys. Rev. B",
 554   volume =       "64",
 555   number =       "24",
 556   pages =        "245208",
 557   numpages =     "7",
 558   year =         "2001",
 559   month =        dec,
 560   doi =          "10.1103/PhysRevB.64.245208",
 561   publisher =    "American Physical Society",
 562   notes =        "defects in 3c-sic",
 563 }
 564
 565 @Article{gao02,
 566   title =        "Empirical potential approach for defect properties in
 567                  3{C}-Si{C}",
 568   journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
 569                  Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
 570   volume =       "191",
 571   number =       "1-4",
 572   pages =        "504--508",
 573   year =         "2002",
 574   note =         "",
 575   ISSN =         "0168-583X",
 576   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(02)00600-6",
 577   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-453NR6B-G/2/e65b0730e94e13d66f72a2147b449ea7",
 578   author =       "Fei Gao and William J. Weber",
 579   keywords =     "Empirical potential",
 580   keywords =     "Defect properties",
 581   keywords =     "Silicon carbide",
 582   keywords =     "Computer simulation",
 583   notes =        "sic potential, brenner type, like erhart/albe",
 584 }
 585
 586 @Article{gao04,
 587   title =        "Atomistic study of intrinsic defect migration in
 588                  3{C}-Si{C}",
 589   author =       "Fei Gao and William J. Weber and M. Posselt and V.
 590                  Belko",
 591   journal =      "Phys. Rev. B",
 592   volume =       "69",
 593   number =       "24",
 594   pages =        "245205",
 595   numpages =     "5",
 596   year =         "2004",
 597   month =        jun,
 598   doi =          "10.1103/PhysRevB.69.245205",
 599   publisher =    "American Physical Society",
 600   notes =        "defect migration in sic",
 601 }
 602
 603 @Article{gao07,
 604   author =       "F. Gao and J. Du and E. J. Bylaska and M. Posselt and
 605                  W. J. Weber",
 606   collaboration = "",
 607   title =        "Ab Initio atomic simulations of antisite pair recovery
 608                  in cubic silicon carbide",
 609   publisher =    "AIP",
 610   year =         "2007",
 611   journal =      "Applied Physics Letters",
 612   volume =       "90",
 613   number =       "22",
 614   eid =          "221915",
 615   numpages =     "3",
 616   pages =        "221915",
 617   keywords =     "ab initio calculations; silicon compounds; antisite
 618                  defects; wide band gap semiconductors; molecular
 619                  dynamics method; density functional theory;
 620                  electron-hole recombination; photoluminescence;
 621                  impurities; diffusion",
 622   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/90/221915/1",
 623   doi =          "10.1063/1.2743751",
 624 }
 625
 626 @Article{mattoni2002,
 627   title =        "Self-interstitial trapping by carbon complexes in
 628                  crystalline silicon",
 629   author =       "A. Mattoni and F. Bernardini and L. Colombo",
 630   journal =      "Phys. Rev. B",
 631   volume =       "66",
 632   number =       "19",
 633   pages =        "195214",
 634   numpages =     "6",
 635   year =         "2002",
 636   month =        nov,
 637   doi =          "10.1103/PhysRevB.66.195214",
 638   publisher =    "American Physical Society",
 639   notes =        "c in c-si, diffusion, interstitial configuration +
 640                  links, interaction of carbon and silicon interstitials,
 641                  tersoff suitability",
 642 }
 643
 644 @Article{leung99,
 645   title =        "Calculations of Silicon Self-Interstitial Defects",
 646   author =       "W.-K. Leung and R. J. Needs and G. Rajagopal and S.
 647                  Itoh and S. Ihara",
 648   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 649   volume =       "83",
 650   number =       "12",
 651   pages =        "2351--2354",
 652   numpages =     "3",
 653   year =         "1999",
 654   month =        sep,
 655   doi =          "10.1103/PhysRevLett.83.2351",
 656   publisher =    "American Physical Society",
 657   notes =        "nice images of the defects, si defect overview +
 658                  refs",
 659 }
 660
 661 @Article{capaz94,
 662   title =        "Identification of the migration path of interstitial
 663                  carbon in silicon",
 664   author =       "R. B. Capaz and A. {Dal Pino} and J. D. Joannopoulos",
 665   journal =      "Phys. Rev. B",
 666   volume =       "50",
 667   number =       "11",
 668   pages =        "7439--7442",
 669   numpages =     "3",
 670   year =         "1994",
 671   month =        sep,
 672   doi =          "10.1103/PhysRevB.50.7439",
 673   publisher =    "American Physical Society",
 674   notes =        "carbon interstitial migration path shown, 001 c-si
 675                  dumbbell",
 676 }
 677
 678 @Article{capaz98,
 679   title =        "Theory of carbon-carbon pairs in silicon",
 680   author =       "R. B. Capaz and A. {Dal Pino} and J. D. Joannopoulos",
 681   journal =      "Phys. Rev. B",
 682   volume =       "58",
 683   number =       "15",
 684   pages =        "9845--9850",
 685   numpages =     "5",
 686   year =         "1998",
 687   month =        oct,
 688   doi =          "10.1103/PhysRevB.58.9845",
 689   publisher =    "American Physical Society",
 690   notes =        "carbon pairs in si",
 691 }
 692
 693 @Article{dal_pino93,
 694   title =        "Ab initio investigation of carbon-related defects in
 695                  silicon",
 696   author =       "A. {Dal Pino} and Andrew M. Rappe and J. D.
 697                  Joannopoulos",
 698   journal =      "Phys. Rev. B",
 699   volume =       "47",
 700   number =       "19",
 701   pages =        "12554--12557",
 702   numpages =     "3",
 703   year =         "1993",
 704   month =        may,
 705   doi =          "10.1103/PhysRevB.47.12554",
 706   publisher =    "American Physical Society",
 707   notes =        "c interstitials in crystalline silicon",
 708 }
 709
 710 @Article{car84,
 711   title =        "Microscopic Theory of Atomic Diffusion Mechanisms in
 712                  Silicon",
 713   author =       "Roberto Car and Paul J. Kelly and Atsushi Oshiyama and
 714                  Sokrates T. Pantelides",
 715   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 716   volume =       "52",
 717   number =       "20",
 718   pages =        "1814--1817",
 719   numpages =     "3",
 720   year =         "1984",
 721   month =        may,
 722   doi =          "10.1103/PhysRevLett.52.1814",
 723   publisher =    "American Physical Society",
 724   notes =        "microscopic theory diffusion silicon dft migration
 725                  path formation",
 726 }
 727
 728 @Article{car85,
 729   title =        "Unified Approach for Molecular Dynamics and
 730                  Density-Functional Theory",
 731   author =       "R. Car and M. Parrinello",
 732   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 733   volume =       "55",
 734   number =       "22",
 735   pages =        "2471--2474",
 736   numpages =     "3",
 737   year =         "1985",
 738   month =        nov,
 739   doi =          "10.1103/PhysRevLett.55.2471",
 740   publisher =    "American Physical Society",
 741   notes =        "car parrinello method, dft and md",
 742 }
 743
 744 @Article{kelires97,
 745   title =        "Short-range order, bulk moduli, and physical trends in
 746                  c-$Si1-x$$Cx$ alloys",
 747   author =       "P. C. Kelires",
 748   journal =      "Phys. Rev. B",
 749   volume =       "55",
 750   number =       "14",
 751   pages =        "8784--8787",
 752   numpages =     "3",
 753   year =         "1997",
 754   month =        apr,
 755   doi =          "10.1103/PhysRevB.55.8784",
 756   publisher =    "American Physical Society",
 757   notes =        "c strained si, montecarlo md, bulk moduli, next
 758                  neighbour dist",
 759 }
 760
 761 @Article{kelires95,
 762   title =        "Monte Carlo Studies of Ternary Semiconductor Alloys:
 763                  Application to the $Si1-x-yGexCy$ System",
 764   author =       "P. C. Kelires",
 765   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 766   volume =       "75",
 767   number =       "6",
 768   pages =        "1114--1117",
 769   numpages =     "3",
 770   year =         "1995",
 771   month =        aug,
 772   doi =          "10.1103/PhysRevLett.75.1114",
 773   publisher =    "American Physical Society",
 774   notes =        "mc md, strain compensation in si ge by c insertion",
 775 }
 776
 777 @Article{bean70,
 778   title =        "Low temperature electron irradiation of silicon
 779                  containing carbon",
 780   journal =      "Solid State Communications",
 781   volume =       "8",
 782   number =       "3",
 783   pages =        "175--177",
 784   year =         "1970",
 785   note =         "",
 786   ISSN =         "0038-1098",
 787   doi =          "DOI: 10.1016/0038-1098(70)90074-8",
 788   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVW-46MF8S4-156/2/5f4d9c189a3d97227fde9214195aa081",
 789   author =       "A. R. Bean and R. C. Newman",
 790 }
 791
 792 @Article{watkins76,
 793   title =        "{EPR} Observation of the Isolated Interstitial Carbon
 794                  Atom in Silicon",
 795   author =       "G. D. Watkins and K. L. Brower",
 796   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 797   volume =       "36",
 798   number =       "22",
 799   pages =        "1329--1332",
 800   numpages =     "3",
 801   year =         "1976",
 802   month =        may,
 803   doi =          "10.1103/PhysRevLett.36.1329",
 804   publisher =    "American Physical Society",
 805   notes =        "epr observations of 100 interstitial carbon atom in
 806                  silicon",
 807 }
 808
 809 @Article{song90,
 810   title =        "{EPR} identification of the single-acceptor state of
 811                  interstitial carbon in silicon",
 812   author =       "L. W. Song and G. D. Watkins",
 813   journal =      "Phys. Rev. B",
 814   volume =       "42",
 815   number =       "9",
 816   pages =        "5759--5764",
 817   numpages =     "5",
 818   year =         "1990",
 819   month =        sep,
 820   doi =          "10.1103/PhysRevB.42.5759",
 821   publisher =    "American Physical Society",
 822   notes =        "carbon diffusion in silicon",
 823 }
 824
 825 @Article{tipping87,
 826   author =       "A K Tipping and R C Newman",
 827   title =        "The diffusion coefficient of interstitial carbon in
 828                  silicon",
 829   journal =      "Semiconductor Science and Technology",
 830   volume =       "2",
 831   number =       "5",
 832   pages =        "315--317",
 833   URL =          "http://stacks.iop.org/0268-1242/2/315",
 834   year =         "1987",
 835   notes =        "diffusion coefficient of carbon interstitials in
 836                  silicon",
 837 }
 838
 839 @Article{strane96,
 840   title =        "Carbon incorporation into Si at high concentrations by
 841                  ion implantation and solid phase epitaxy",
 842   author =       "J. W. Strane and S. R. Lee and H. J. Stein and S. T.
 843                  Picraux and J. K. Watanabe and J. W. Mayer",
 844   journal =      "J. Appl. Phys.",
 845   volume =       "79",
 846   pages =        "637",
 847   year =         "1996",
 848   month =        jan,
 849   doi =          "10.1063/1.360806",
 850   notes =        "strained silicon, carbon supersaturation",
 851 }
 852
 853 @Article{laveant2002,
 854   title =        "Epitaxy of carbon-rich silicon with {MBE}",
 855   journal =      "Materials Science and Engineering B",
 856   volume =       "89",
 857   number =       "1-3",
 858   pages =        "241--245",
 859   year =         "2002",
 860   ISSN =         "0921-5107",
 861   doi =          "DOI: 10.1016/S0921-5107(01)00794-2",
 862   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXF-44YVPGS-1V/2/024ece074ad18ebbec62a39a2510a268",
 863   author =       "P. Lav\'eant and G. Gerth and P. Werner and U.
 864                  G{\"{o}}sele",
 865   notes =        "low c in si, tensile stress to compensate compressive
 866                  stress, avoid sic precipitation",
 867 }
 868
 869 @Article{werner97,
 870   author =       "P. Werner and S. Eichler and G. Mariani and R.
 871                  K{\"{o}}gler and W. Skorupa",
 872   title =        "Investigation of {C}[sub x]Si defects in {C} implanted
 873                  silicon by transmission electron microscopy",
 874   publisher =    "AIP",
 875   year =         "1997",
 876   journal =      "Applied Physics Letters",
 877   volume =       "70",
 878   number =       "2",
 879   pages =        "252--254",
 880   keywords =     "silicon; ion implantation; carbon; crystal defects;
 881                  transmission electron microscopy; annealing; positron
 882                  annihilation; secondary ion mass spectroscopy; buried
 883                  layers; precipitation",
 884   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/70/252/1",
 885   doi =          "10.1063/1.118381",
 886   notes =        "si-c complexes, agglomerate, sic in si matrix, sic
 887                  precipitate",
 888 }
 889
 890 @InProceedings{werner96,
 891   author =       "P. Werner and R. K{\"{o}}gler and W. Skorupa and D.
 892                  Eichler",
 893   booktitle =    "Ion Implantation Technology. Proceedings of the 11th
 894                  International Conference on",
 895   title =        "{TEM} investigation of {C}-Si defects in carbon
 896                  implanted silicon",
 897   year =         "1996",
 898   month =        jun,
 899   volume =       "",
 900   number =       "",
 901   pages =        "675--678",
 902   keywords =     "beta;-SiC precipitates;30 s;700 to 1300 C;C
 903                  atom/radiation induced defect interaction;C depth
 904                  distribution;C precipitation;C-Si defects;C-Si
 905                  dimers;CZ Si;HREM;Si:C;TEM;buried layer morphology;high
 906                  energy ion implantation;ion implantation;metastable
 907                  agglomerates;microdefects;positron annihilation
 908                  spectroscopy;rapid thermal annealing;secondary ion mass
 909                  spectrometry;vacancy clusters;buried
 910                  layers;carbon;elemental semiconductors;impurity-defect
 911                  interactions;ion implantation;positron
 912                  annihilation;precipitation;rapid thermal
 913                  annealing;secondary ion mass
 914                  spectra;silicon;transmission electron
 915                  microscopy;vacancies (crystal);",
 916   doi =          "10.1109/IIT.1996.586497",
 917   ISSN =         "",
 918   notes =        "c-si agglomerates dumbbells",
 919 }
 920
 921 @Article{strane94,
 922   author =       "J. W. Strane and H. J. Stein and S. R. Lee and S. T.
 923                  Picraux and J. K. Watanabe and J. W. Mayer",
 924   collaboration = "",
 925   title =        "Precipitation and relaxation in strained Si[sub 1 -
 926                  y]{C}[sub y]/Si heterostructures",
 927   publisher =    "AIP",
 928   year =         "1994",
 929   journal =      "Journal of Applied Physics",
 930   volume =       "76",
 931   number =       "6",
 932   pages =        "3656--3668",
 933   keywords =     "SILICON CARBIDES; SILICON; PRECIPITATION; STRAINS",
 934   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/76/3656/1",
 935   doi =          "10.1063/1.357429",
 936   notes =        "strained si-c to 3c-sic, carbon nucleation + refs,
 937                  precipitation by substitutional carbon, coherent prec,
 938                  coherent to incoherent transition strain vs interface
 939                  energy",
 940 }
 941
 942 @Article{fischer95,
 943   author =       "G. G. Fischer and P. Zaumseil and E. Bugiel and H. J.
 944                  Osten",
 945   collaboration = "",
 946   title =        "Investigation of the high temperature behavior of
 947                  strained Si[sub 1 - y]{C}[sub y] /Si heterostructures",
 948   publisher =    "AIP",
 949   year =         "1995",
 950   journal =      "Journal of Applied Physics",
 951   volume =       "77",
 952   number =       "5",
 953   pages =        "1934--1937",
 954   keywords =     "SILICON CARBIDES; SILICON; HETEROSTRUCTURES; STRAINS;
 955                  XRD; MOLECULAR BEAM EPITAXY; STABILITY; TENSILE
 956                  PROPERTIES; EPITAXIAL LAYERS; ANNEALING; PRECIPITATION;
 957                  TEMPERATURE RANGE 04001000 K",
 958   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/77/1934/1",
 959   doi =          "10.1063/1.358826",
 960 }
 961
 962 @Article{edgar92,
 963   title =        "Prospects for device implementation of wide band gap
 964                  semiconductors",
 965   author =       "J. H. Edgar",
 966   journal =      "J. Mater. Res.",
 967   volume =       "7",
 968   pages =        "235",
 969   year =         "1992",
 970   month =        jan,
 971   doi =          "10.1557/JMR.1992.0235",
 972   notes =        "properties wide band gap semiconductor, sic
 973                  polytypes",
 974 }
 975
 976 @Article{zirkelbach2007,
 977   title =        "Monte Carlo simulation study of a selforganisation
 978                  process leading to ordered precipitate structures",
 979   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
 980                  and B. Stritzker",
 981   journal =      "Nucl. Instr. and Meth. B",
 982   volume =       "257",
 983   number =       "1--2",
 984   pages =        "75--79",
 985   numpages =     "5",
 986   year =         "2007",
 987   month =        apr,
 988   doi =          "doi:10.1016/j.nimb.2006.12.118",
 989   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
 990                  NETHERLANDS",
 991 }
 992
 993 @Article{zirkelbach2006,
 994   title =        "Monte-Carlo simulation study of the self-organization
 995                  of nanometric amorphous precipitates in regular arrays
 996                  during ion irradiation",
 997   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
 998                  and B. Stritzker",
 999   journal =      "Nucl. Instr. and Meth. B",
1000   volume =       "242",
1001   number =       "1--2",
1002   pages =        "679--682",
1003   numpages =     "4",
1004   year =         "2006",
1005   month =        jan,
1006   doi =          "doi:10.1016/j.nimb.2005.08.162",
1007   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
1008                  NETHERLANDS",
1009 }
1010
1011 @Article{zirkelbach2005,
1012   title =        "Modelling of a selforganization process leading to
1013                  periodic arrays of nanometric amorphous precipitates by
1014                  ion irradiation",
1015   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
1016                  and B. Stritzker",
1017   journal =      "Comp. Mater. Sci.",
1018   volume =       "33",
1019   number =       "1--3",
1020   pages =        "310--316",
1021   numpages =     "7",
1022   year =         "2005",
1023   month =        apr,
1024   doi =          "doi:10.1016/j.commatsci.2004.12.016",
1025   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
1026                  NETHERLANDS",
1027 }
1028
1029 @Article{zirkelbach09,
1030   title =        "Molecular dynamics simulation of defect formation and
1031                  precipitation in heavily carbon doped silicon",
1032   journal =      "Materials Science and Engineering: B",
1033   volume =       "159-160",
1034   number =       "",
1035   pages =        "149--152",
1036   year =         "2009",
1037   note =         "EMRS 2008 Spring Conference Symposium K: Advanced
1038                  Silicon Materials Research for Electronic and
1039                  Photovoltaic Applications",
1040   ISSN =         "0921-5107",
1041   doi =          "DOI: 10.1016/j.mseb.2008.10.010",
1042   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXF-4TX1547-2/2/cb9f4921f324735087020ccce7843e39",
1043   author =       "F. Zirkelbach and J. K. N. Lindner and K. Nordlund and
1044                  B. Stritzker",
1045   keywords =     "Silicon",
1046   keywords =     "Carbon",
1047   keywords =     "Silicon carbide",
1048   keywords =     "Nucleation",
1049   keywords =     "Defect formation",
1050   keywords =     "Molecular dynamics simulations",
1051 }
1052
1053 @Article{zirkelbach10a,
1054   title =        "Defects in Carbon implanted Silicon calculated by
1055                  classical potentials and first principles methods",
1056   journal =      "to be published",
1057   volume =       "",
1058   number =       "",
1059   pages =        "",
1060   year =         "2010",
1061   author =       "F. Zirkelbach and B. Stritzker and K. Nordlund and J.
1062                  K. N. Lindner and W. G. Schmidtd and E. Rauls",
1063 }
1064
1065 @Article{zirkelbach10b,
1066   title =        "Extensive first principles study of carbon defects in
1067                  silicon",
1068   journal =      "to be published",
1069   volume =       "",
1070   number =       "",
1071   pages =        "",
1072   year =         "2010",
1073   author =       "F. Zirkelbach and B. Stritzker and K. Nordlund and J.
1074                  K. N. Lindner and W. G. Schmidtd and E. Rauls",
1075 }
1076
1077 @Article{zirkelbach10c,
1078   title =        "...",
1079   journal =      "to be published",
1080   volume =       "",
1081   number =       "",
1082   pages =        "",
1083   year =         "2010",
1084   author =       "F. Zirkelbach and B. Stritzker and K. Nordlund and J.
1085                  K. N. Lindner and W. G. Schmidtd and E. Rauls",
1086 }
1087
1088 @Article{lindner99,
1089   title =        "Controlling the density distribution of Si{C}
1090                  nanocrystals for the ion beam synthesis of buried Si{C}
1091                  layers in silicon",
1092   journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
1093                  Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
1094   volume =       "147",
1095   number =       "1-4",
1096   pages =        "249--255",
1097   year =         "1999",
1098   note =         "",
1099   ISSN =         "0168-583X",
1100   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00598-9",
1101   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3YMWWDY-1H/2/ad53e614f783b2a7474aecb936dd0169",
1102   author =       "J. K. N. Lindner and B. Stritzker",
1103   notes =        "two-step implantation process",
1104 }
1105
1106 @Article{lindner99_2,
1107   title =        "Mechanisms in the ion beam synthesis of Si{C} layers
1108                  in silicon",
1109   journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
1110                  Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
1111   volume =       "148",
1112   number =       "1-4",
1113   pages =        "528--533",
1114   year =         "1999",
1115   ISSN =         "0168-583X",
1116   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00787-3",
1117   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3XGFSSH-3H/2/17d138baa6db68cb279e6de9161e5f85",
1118   author =       "J. K. N. Lindner and B. Stritzker",
1119   notes =        "3c-sic precipitation model, c-si dimers (dumbbells)",
1120 }
1121
1122 @Article{lindner01,
1123   title =        "Ion beam synthesis of buried Si{C} layers in silicon:
1124                  Basic physical processes",
1125   journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
1126                  Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
1127   volume =       "178",
1128   number =       "1-4",
1129   pages =        "44--54",
1130   year =         "2001",
1131   note =         "",
1132   ISSN =         "0168-583X",
1133   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(01)00504-3",
1134   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-435KG96-8/2/f222574d8945c3fd7aaf9ae1efdd37b3",
1135   author =       "J{\"{o}}rg K. N. Lindner",
1136 }
1137
1138 @Article{lindner02,
1139   title =        "High-dose carbon implantations into silicon:
1140                  fundamental studies for new technological tricks",
1141   author =       "J. K. N. Lindner",
1142   journal =      "Appl. Phys. A",
1143   volume =       "77",
1144   pages =        "27--38",
1145   year =         "2003",
1146   doi =          "10.1007/s00339-002-2062-8",
1147   notes =        "ibs, burried sic layers",
1148 }
1149
1150 @Article{lindner06,
1151   title =        "On the balance between ion beam induced nanoparticle
1152                  formation and displacive precipitate resolution in the
1153                  {C}-Si system",
1154   journal =      "Materials Science and Engineering: C",
1155   volume =       "26",
1156   number =       "5-7",
1157   pages =        "857--861",
1158   year =         "2006",
1159   note =         "Current Trends in Nanoscience - from Materials to
1160                  Applications",
1161   ISSN =         "0928-4931",
1162   doi =          "DOI: 10.1016/j.msec.2005.09.099",
1163   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXG-4HSXVVM-1/2/5b0e351198cc2e8f5f4446a80a73d04a",
1164   author =       "J. K. N. Lindner and M. Häberlen and G. Thorwarth and
1165                  B. Stritzker",
1166   notes =        "c int diffusion barrier",
1167 }
1168
1169 @Article{ito04,
1170   title =        "Ion beam synthesis of 3{C}-Si{C} layers in Si and its
1171                  application in buffer layer for Ga{N} epitaxial
1172                  growth",
1173   journal =      "Applied Surface Science",
1174   volume =       "238",
1175   number =       "1-4",
1176   pages =        "159--164",
1177   year =         "2004",
1178   note =         "APHYS'03 Special Issue",
1179   ISSN =         "0169-4332",
1180   doi =          "DOI: 10.1016/j.apsusc.2004.05.199",
1181   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6THY-4CTTNGX-B/2/d24ee637db87f3f1a6ef7fe6820f267c",
1182   author =       "Y. Ito and T. Yamauchi and A. Yamamoto and M. Sasase
1183                  and S. Nishio and K. Yasuda and Y. Ishigami",
1184   notes =        "gan on 3c-sic",
1185 }
1186
1187 @Article{alder57,
1188   author =       "B. J. Alder and T. E. Wainwright",
1189   title =        "Phase Transition for a Hard Sphere System",
1190   publisher =    "AIP",
1191   year =         "1957",
1192   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
1193   volume =       "27",
1194   number =       "5",
1195   pages =        "1208--1209",
1196   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/27/1208/1",
1197   doi =          "10.1063/1.1743957",
1198 }
1199
1200 @Article{alder59,
1201   author =       "B. J. Alder and T. E. Wainwright",
1202   title =        "Studies in Molecular Dynamics. {I}. General Method",
1203   publisher =    "AIP",
1204   year =         "1959",
1205   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
1206   volume =       "31",
1207   number =       "2",
1208   pages =        "459--466",
1209   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/31/459/1",
1210   doi =          "10.1063/1.1730376",
1211 }
1212
1213 @Article{tersoff_si1,
1214   title =        "New empirical model for the structural properties of
1215                  silicon",
1216   author =       "J. Tersoff",
1217   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1218   volume =       "56",
1219   number =       "6",
1220   pages =        "632--635",
1221   numpages =     "3",
1222   year =         "1986",
1223   month =        feb,
1224   doi =          "10.1103/PhysRevLett.56.632",
1225   publisher =    "American Physical Society",
1226 }
1227
1228 @Article{tersoff_si2,
1229   title =        "New empirical approach for the structure and energy of
1230                  covalent systems",
1231   author =       "J. Tersoff",
1232   journal =      "Phys. Rev. B",
1233   volume =       "37",
1234   number =       "12",
1235   pages =        "6991--7000",
1236   numpages =     "9",
1237   year =         "1988",
1238   month =        apr,
1239   doi =          "10.1103/PhysRevB.37.6991",
1240   publisher =    "American Physical Society",
1241 }
1242
1243 @Article{tersoff_si3,
1244   title =        "Empirical interatomic potential for silicon with
1245                  improved elastic properties",
1246   author =       "J. Tersoff",
1247   journal =      "Phys. Rev. B",
1248   volume =       "38",
1249   number =       "14",
1250   pages =        "9902--9905",
1251   numpages =     "3",
1252   year =         "1988",
1253   month =        nov,
1254   doi =          "10.1103/PhysRevB.38.9902",
1255   publisher =    "American Physical Society",
1256 }
1257
1258 @Article{tersoff_c,
1259   title =        "Empirical Interatomic Potential for Carbon, with
1260                  Applications to Amorphous Carbon",
1261   author =       "J. Tersoff",
1262   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1263   volume =       "61",
1264   number =       "25",
1265   pages =        "2879--2882",
1266   numpages =     "3",
1267   year =         "1988",
1268   month =        dec,
1269   doi =          "10.1103/PhysRevLett.61.2879",
1270   publisher =    "American Physical Society",
1271 }
1272
1273 @Article{tersoff_m,
1274   title =        "Modeling solid-state chemistry: Interatomic potentials
1275                  for multicomponent systems",
1276   author =       "J. Tersoff",
1277   journal =      "Phys. Rev. B",
1278   volume =       "39",
1279   number =       "8",
1280   pages =        "5566--5568",
1281   numpages =     "2",
1282   year =         "1989",
1283   month =        mar,
1284   doi =          "10.1103/PhysRevB.39.5566",
1285   publisher =    "American Physical Society",
1286 }
1287
1288 @Article{tersoff90,
1289   title =        "Carbon defects and defect reactions in silicon",
1290   author =       "J. Tersoff",
1291   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1292   volume =       "64",
1293   number =       "15",
1294   pages =        "1757--1760",
1295   numpages =     "3",
1296   year =         "1990",
1297   month =        apr,
1298   doi =          "10.1103/PhysRevLett.64.1757",
1299   publisher =    "American Physical Society",
1300 }
1301
1302 @Article{fahey89,
1303   title =        "Point defects and dopant diffusion in silicon",
1304   author =       "P. M. Fahey and P. B. Griffin and J. D. Plummer",
1305   journal =      "Rev. Mod. Phys.",
1306   volume =       "61",
1307   number =       "2",
1308   pages =        "289--384",
1309   numpages =     "95",
1310   year =         "1989",
1311   month =        apr,
1312   doi =          "10.1103/RevModPhys.61.289",
1313   publisher =    "American Physical Society",
1314 }
1315
1316 @Article{wesch96,
1317   title =        "Silicon carbide: synthesis and processing",
1318   journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
1319                  Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
1320   volume =       "116",
1321   number =       "1-4",
1322   pages =        "305--321",
1323   year =         "1996",
1324   note =         "Radiation Effects in Insulators",
1325   ISSN =         "0168-583X",
1326   doi =          "DOI: 10.1016/0168-583X(96)00065-1",
1327   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3VXHNFT-C7/2/4216cb1ec9e422c22de5fed7360fb06e",
1328   author =       "W. Wesch",
1329 }
1330
1331 @Article{morkoc94,
1332   author =       "H. Morko\c{c} and S. Strite and G. B. Gao and M. E.
1333                  Lin and B. Sverdlov and M. Burns",
1334   collaboration = "",
1335   title =        "Large-band-gap Si{C}, {III}-{V} nitride, and {II}-{VI}
1336                  ZnSe-based semiconductor device technologies",
1337   publisher =    "AIP",
1338   year =         "1994",
1339   journal =      "Journal of Applied Physics",
1340   volume =       "76",
1341   number =       "3",
1342   pages =        "1363--1398",
1343   keywords =     "SEMICONDUCTOR DEVICES; SILICON CARBIDES; GALLIUM
1344                  NITRIDES; ZINC SELENIDES; SUBSTRATES; MOS JUNCTIONS;
1345                  LASER MATERIALS; MATERIALS; REVIEWS; ENERGY GAP; THIN
1346                  FILMS; INDUSTRY",
1347   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/76/1363/1",
1348   doi =          "10.1063/1.358463",
1349   notes =        "sic intro, properties",
1350 }
1351
1352 @Article{neudeck95,
1353   author =       "P. G. Neudeck",
1354   title =        "{PROGRESS} {IN} {SILICON}-{CARBIDE} {SEMICONDUCTOR}
1355                  {ELECTRONICS} {TECHNOLOGY}",
1356   journal =      "Journal of Electronic Materials",
1357   year =         "1995",
1358   volume =       "24",
1359   number =       "4",
1360   pages =        "283--288",
1361   month =        apr,
1362 }
1363
1364 @Article{foo,
1365   author =       "Noch Unbekannt",
1366   title =        "How to find references",
1367   journal =      "Journal of Applied References",
1368   year =         "2009",
1369   volume =       "77",
1370   pages =        "1--23",
1371 }
1372
1373 @Article{tang95,
1374   title =        "Atomistic simulation of thermomechanical properties of
1375                  \beta{}-Si{C}",
1376   author =       "Meijie Tang and Sidney Yip",
1377   journal =      "Phys. Rev. B",
1378   volume =       "52",
1379   number =       "21",
1380   pages =        "15150--15159",
1381   numpages =     "9",
1382   year =         "1995",
1383   doi =          "10.1103/PhysRevB.52.15150",
1384   notes =        "modified tersoff, scale cutoff with volume, promising
1385                  tersoff reparametrization",
1386   publisher =    "American Physical Society",
1387 }
1388
1389 @Article{sarro00,
1390   title =        "Silicon carbide as a new {MEMS} technology",
1391   journal =      "Sensors and Actuators A: Physical",
1392   volume =       "82",
1393   number =       "1-3",
1394   pages =        "210--218",
1395   year =         "2000",
1396   ISSN =         "0924-4247",
1397   doi =          "DOI: 10.1016/S0924-4247(99)00335-0",
1398   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6THG-406VM55-13/2/75385a587669b215d9ef88029a93fd59",
1399   author =       "Pasqualina M. Sarro",
1400   keywords =     "MEMS",
1401   keywords =     "Silicon carbide",
1402   keywords =     "Micromachining",
1403   keywords =     "Mechanical stress",
1404 }
1405
1406 @Article{casady96,
1407   title =        "Status of silicon carbide (Si{C}) as a wide-bandgap
1408                  semiconductor for high-temperature applications: {A}
1409                  review",
1410   journal =      "Solid-State Electronics",
1411   volume =       "39",
1412   number =       "10",
1413   pages =        "1409--1422",
1414   year =         "1996",
1415   ISSN =         "0038-1101",
1416   doi =          "DOI: 10.1016/0038-1101(96)00045-7",
1417   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TY5-3VSR9J0-1/2/a871c11636e937dc45bfdf48e29f725b",
1418   author =       "J. B. Casady and R. W. Johnson",
1419   notes =        "sic intro",
1420 }
1421
1422 @Article{giancarli98,
1423   title =        "Design requirements for Si{C}/Si{C} composites
1424                  structural material in fusion power reactor blankets",
1425   journal =      "Fusion Engineering and Design",
1426   volume =       "41",
1427   number =       "1-4",
1428   pages =        "165--171",
1429   year =         "1998",
1430   ISSN =         "0920-3796",
1431   doi =          "DOI: 10.1016/S0920-3796(97)00200-7",
1432   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6V3C-3V8RYK8-T/2/16949194114900fd1330f79892d7a7be",
1433   author =       "L. Giancarli and J. P. Bonal and A. Caso and G. Le
1434                  Marois and N. B. Morley and J. F. Salavy",
1435 }
1436
1437 @Article{pensl93,
1438   title =        "Electrical and optical characterization of Si{C}",
1439   journal =      "Physica B: Condensed Matter",
1440   volume =       "185",
1441   number =       "1-4",
1442   pages =        "264--283",
1443   year =         "1993",
1444   ISSN =         "0921-4526",
1445   doi =          "DOI: 10.1016/0921-4526(93)90249-6",
1446   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVH-46G8HRX-99/2/eab9398bf2bbf10df3ae42c2ab28a776",
1447   author =       "G. Pensl and W. J. Choyke",
1448 }
1449
1450 @Article{tairov78,
1451   title =        "Investigation of growth processes of ingots of silicon
1452                  carbide single crystals",
1453   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1454   volume =       "43",
1455   number =       "2",
1456   pages =        "209--212",
1457   year =         "1978",
1458   notes =        "modified lely process",
1459   ISSN =         "0022-0248",
1460   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(78)90169-0",
1461   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46BY2NR-7S/2/fa6fee78ebd8322491f6366e72d5b6dc",
1462   author =       "Yu. M. Tairov and V. F. Tsvetkov",
1463 }
1464
1465 @Article{nishino83,
1466   author =       "Shigehiro Nishino and J. Anthony Powell and Herbert A.
1467                  Will",
1468   collaboration = "",
1469   title =        "Production of large-area single-crystal wafers of
1470                  cubic Si{C} for semiconductor devices",
1471   publisher =    "AIP",
1472   year =         "1983",
1473   journal =      "Applied Physics Letters",
1474   volume =       "42",
1475   number =       "5",
1476   pages =        "460--462",
1477   keywords =     "silicon carbides; layers; chemical vapor deposition;
1478                  monocrystals",
1479   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/42/460/1",
1480   doi =          "10.1063/1.93970",
1481   notes =        "cvd of 3c-sic on si, sic buffer layer",
1482 }
1483
1484 @Article{nishino87,
1485   author =       "Shigehiro Nishino and Hajime Suhara and Hideyuki Ono
1486                  and Hiroyuki Matsunami",
1487   collaboration = "",
1488   title =        "Epitaxial growth and electric characteristics of cubic
1489                  Si{C} on silicon",
1490   publisher =    "AIP",
1491   year =         "1987",
1492   journal =      "Journal of Applied Physics",
1493   volume =       "61",
1494   number =       "10",
1495   pages =        "4889--4893",
1496   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/61/4889/1",
1497   doi =          "10.1063/1.338355",
1498   notes =        "cvd of 3c-sic on si, sic buffer layer, first time
1499                  carbonization",
1500 }
1501
1502 @Article{powell87,
1503   author =       "J. Anthony Powell and Lawrence G. Matus and Maria A.
1504                  Kuczmarski",
1505   title =        "Growth and Characterization of Cubic Si{C}
1506                  Single-Crystal Films on Si",
1507   publisher =    "ECS",
1508   year =         "1987",
1509   journal =      "Journal of The Electrochemical Society",
1510   volume =       "134",
1511   number =       "6",
1512   pages =        "1558--1565",
1513   keywords =     "semiconductor materials; silicon compounds; carbon
1514                  compounds; crystal morphology; electron mobility",
1515   URL =          "http://link.aip.org/link/?JES/134/1558/1",
1516   doi =          "10.1149/1.2100708",
1517   notes =        "blue light emitting diodes (led)",
1518 }
1519
1520 @Article{kimoto93,
1521   author =       "Tsunenobu Kimoto and Hironori Nishino and Woo Sik Yoo
1522                  and Hiroyuki Matsunami",
1523   title =        "Growth mechanism of 6{H}-Si{C} in step-controlled
1524                  epitaxy",
1525   publisher =    "AIP",
1526   year =         "1993",
1527   journal =      "Journal of Applied Physics",
1528   volume =       "73",
1529   number =       "2",
1530   pages =        "726--732",
1531   keywords =     "SILICON CARBIDES; EPITAXY; GROWTH RATE; TEMPERATURE
1532                  RANGE 10004000 K; TWINNING; ACTIVATION ENERGY; CHEMICAL
1533                  VAPOR DEPOSITION",
1534   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/73/726/1",
1535   doi =          "10.1063/1.353329",
1536   notes =        "cvd of 6h-sic on 6h-sic, twinned 3c-sic",
1537 }
1538
1539 @Article{powell90,
1540   author =       "J. A. Powell and D. J. Larkin and L. G. Matus and W.
1541                  J. Choyke and J. L. Bradshaw and L. Henderson and M.
1542                  Yoganathan and J. Yang and P. Pirouz",
1543   collaboration = "",
1544   title =        "Growth of improved quality 3{C}-Si{C} films on
1545                  6{H}-Si{C} substrates",
1546   publisher =    "AIP",
1547   year =         "1990",
1548   journal =      "Applied Physics Letters",
1549   volume =       "56",
1550   number =       "14",
1551   pages =        "1353--1355",
1552   keywords =     "SILICON CARBIDES; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; SORPTIVE
1553                  PROPERTIES; PHOTOLUMINESCENCE; TRANSMISSION ELECTRON
1554                  MICROSCOPY; DEFECT STRUCTURE; STACKING FAULTS; VAPOR
1555                  PHASE EPITAXY",
1556   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/56/1353/1",
1557   doi =          "10.1063/1.102512",
1558   notes =        "cvd of 3c-sic on 6h-sic",
1559 }
1560
1561 @Article{yuan95,
1562   author =       "C. Yuan and A. J. Steckl and J. Chaudhuri and R.
1563                  Thokala and M. J. Loboda",
1564   collaboration = "",
1565   title =        "Reduced temperature growth of crystalline 3{C}-Si{C}
1566                  films on 6{H}-Si{C} by chemical vapor deposition from
1567                  silacyclobutane",
1568   publisher =    "AIP",
1569   year =         "1995",
1570   journal =      "Journal of Applied Physics",
1571   volume =       "78",
1572   number =       "2",
1573   pages =        "1271--1273",
1574   keywords =     "SILICON CARBIDES; THIN FILMS; CVD; EPITAXY; ABSORPTION
1575                  EDGE; CRYSTAL STRUCTURE; STRAINS; DISLOCATIONS; XRD;
1576                  SPECTROPHOTOMETRY",
1577   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/78/1271/1",
1578   doi =          "10.1063/1.360368",
1579   notes =        "3c-sic on 6h-sic, cvd, reduced temperature",
1580 }
1581
1582 @Article{fissel95,
1583   title =        "Epitaxial growth of Si{C} thin films on Si-stabilized
1584                  [alpha]-Si{C}(0001) at low temperatures by solid-source
1585                  molecular beam epitaxy",
1586   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1587   volume =       "154",
1588   number =       "1-2",
1589   pages =        "72--80",
1590   year =         "1995",
1591   ISSN =         "0022-0248",
1592   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(95)00170-0",
1593   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-3Y5MMXM-1N/2/65549019b878bf02d5ec645b7eea9e98",
1594   author =       "A. Fissel and U. Kaiser and E. Ducke and B.
1595                  Schr{\"{o}}ter and W. Richter",
1596   notes =        "solid source mbe of 3c-sic on si and 6h-sic",
1597 }
1598
1599 @Article{fissel95_apl,
1600   author =       "A. Fissel and B. Schr{\"{o}}ter and W. Richter",
1601   collaboration = "",
1602   title =        "Low-temperature growth of Si{C} thin films on Si and
1603                  6{H}--Si{C} by solid-source molecular beam epitaxy",
1604   publisher =    "AIP",
1605   year =         "1995",
1606   journal =      "Applied Physics Letters",
1607   volume =       "66",
1608   number =       "23",
1609   pages =        "3182--3184",
1610   keywords =     "SILICON CARBIDES; MOLECULAR BEAM EPITAXY; MORPHOLOGY;
1611                  RHEED; NUCLEATION",
1612   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/66/3182/1",
1613   doi =          "10.1063/1.113716",
1614   notes =        "mbe 3c-sic on si and 6h-sic",
1615 }
1616
1617 @Article{borders71,
1618   author =       "J. A. Borders and S. T. Picraux and W. Beezhold",
1619   collaboration = "",
1620   title =        "{FORMATION} {OF} Si{C} {IN} {SILICON} {BY} {ION}
1621                  {IMPLANTATION}",
1622   publisher =    "AIP",
1623   year =         "1971",
1624   journal =      "Applied Physics Letters",
1625   volume =       "18",
1626   number =       "11",
1627   pages =        "509--511",
1628   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/18/509/1",
1629   doi =          "10.1063/1.1653516",
1630   notes =        "first time sic by ibs, follow cites for precipitation
1631                  ideas",
1632 }
1633
1634 @Article{reeson87,
1635   author =       "K. J. Reeson and P. L. F. Hemment and J. Stoemenos and
1636                  J. Davis and G. E. Celler",
1637   collaboration = "",
1638   title =        "Formation of buried layers of beta-Si{C} using ion
1639                  beam synthesis and incoherent lamp annealing",
1640   publisher =    "AIP",
1641   year =         "1987",
1642   journal =      "Applied Physics Letters",
1643   volume =       "51",
1644   number =       "26",
1645   pages =        "2242--2244",
1646   keywords =     "SILICON CARBIDES; FILM GROWTH; SOLIDPHASE EPITAXY; ION
1647                  IMPLANTATION; CARBON IONS; DOPING PROFILES; SYNTHESIS",
1648   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/51/2242/1",
1649   doi =          "10.1063/1.98953",
1650   notes =        "nice tem images, sic by ibs",
1651 }
1652
1653 @Article{scace59,
1654   author =       "R. I. Scace and G. A. Slack",
1655   collaboration = "",
1656   title =        "Solubility of Carbon in Silicon and Germanium",
1657   publisher =    "AIP",
1658   year =         "1959",
1659   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
1660   volume =       "30",
1661   number =       "6",
1662   pages =        "1551--1555",
1663   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/30/1551/1",
1664   doi =          "10.1063/1.1730236",
1665   notes =        "solubility of c in c-si, si-c phase diagram",
1666 }
1667
1668 @Article{cowern96,
1669   author =       "N. E. B. Cowern and A. Cacciato and J. S. Custer and
1670                  F. W. Saris and W. Vandervorst",
1671   collaboration = "",
1672   title =        "Role of {C} and {B} clusters in transient diffusion of
1673                  {B} in silicon",
1674   publisher =    "AIP",
1675   year =         "1996",
1676   journal =      "Applied Physics Letters",
1677   volume =       "68",
1678   number =       "8",
1679   pages =        "1150--1152",
1680   keywords =     "ATOMIC CLUSTERS; BORON ADDITIONS; CRYSTAL DOPING;
1681                  DIFFUSION; DOPED MATERIALS; IMPURITIES; INTERSTITIALS;
1682                  SILICON",
1683   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/68/1150/1",
1684   doi =          "10.1063/1.115706",
1685   notes =        "suppression of transient enhanced diffusion (ted)",
1686 }
1687
1688 @Article{stolk95,
1689   title =        "Implantation and transient boron diffusion: the role
1690                  of the silicon self-interstitial",
1691   journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
1692                  Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
1693   volume =       "96",
1694   number =       "1-2",
1695   pages =        "187--195",
1696   year =         "1995",
1697   note =         "Selected Papers of the Tenth International Conference
1698                  on Ion Implantation Technology (IIT '94)",
1699   ISSN =         "0168-583X",
1700   doi =          "DOI: 10.1016/0168-583X(94)00481-1",
1701   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-40WKY1P-29/2/602c6e5b809221323d2d2968edd0a71c",
1702   author =       "P. A. Stolk and H. -J. Gossmann and D. J. Eaglesham
1703                  and J. M. Poate",
1704 }
1705
1706 @Article{stolk97,
1707   author =       "P. A. Stolk and H.-J. Gossmann and D. J. Eaglesham and
1708                  D. C. Jacobson and C. S. Rafferty and G. H. Gilmer and
1709                  M. Jara\'{\i}z and J. M. Poate and H. S. Luftman and T.
1710                  E. Haynes",
1711   collaboration = "",
1712   title =        "Physical mechanisms of transient enhanced dopant
1713                  diffusion in ion-implanted silicon",
1714   publisher =    "AIP",
1715   year =         "1997",
1716   journal =      "Journal of Applied Physics",
1717   volume =       "81",
1718   number =       "9",
1719   pages =        "6031--6050",
1720   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/81/6031/1",
1721   doi =          "10.1063/1.364452",
1722   notes =        "ted, transient enhanced diffusion, c silicon trap",
1723 }
1724
1725 @Article{powell94,
1726   author =       "A. R. Powell and F. K. LeGoues and S. S. Iyer",
1727   collaboration = "",
1728   title =        "Formation of beta-Si{C} nanocrystals by the relaxation
1729                  of Si[sub 1 - y]{C}[sub y] random alloy layers",
1730   publisher =    "AIP",
1731   year =         "1994",
1732   journal =      "Applied Physics Letters",
1733   volume =       "64",
1734   number =       "3",
1735   pages =        "324--326",
1736   keywords =     "SILICON CARBIDES; NANOSTRUCTURES; DISPERSIONS;
1737                  EPITAXIAL LAYERS; STRESS RELAXATION; ANNEALING;
1738                  TEMPERATURE EFFECTS; PRECIPITATION; DISLOCATIONS;
1739                  SYNTHESIS",
1740   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/64/324/1",
1741   doi =          "10.1063/1.111195",
1742   notes =        "beta sic nano crystals in si, mbe, annealing",
1743 }
1744
1745 @Article{soref91,
1746   author =       "Richard A. Soref",
1747   collaboration = "",
1748   title =        "Optical band gap of the ternary semiconductor Si[sub 1
1749                  - x - y]Ge[sub x]{C}[sub y]",
1750   publisher =    "AIP",
1751   year =         "1991",
1752   journal =      "Journal of Applied Physics",
1753   volume =       "70",
1754   number =       "4",
1755   pages =        "2470--2472",
1756   keywords =     "SILICON CARBIDES; GERMANIUM CARBIDES; ENERGY GAP;
1757                  OPTICAL PROPERTIES; DIAMONDS; SEMICONDUCTOR ALLOYS;
1758                  TERNARY ALLOYS",
1759   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/70/2470/1",
1760   doi =          "10.1063/1.349403",
1761   notes =        "band gap of strained si by c",
1762 }
1763
1764 @Article{kasper91,
1765   author =       "E Kasper",
1766   title =        "Superlattices of group {IV} elements, a new
1767                  possibility to produce direct band gap material",
1768   journal =      "Physica Scripta",
1769   volume =       "T35",
1770   pages =        "232--236",
1771   URL =          "http://stacks.iop.org/1402-4896/T35/232",
1772   year =         "1991",
1773   notes =        "superlattices, convert indirect band gap into a
1774                  quasi-direct one",
1775 }
1776
1777 @Article{osten99,
1778   author =       "H. J. Osten and J. Griesche and S. Scalese",
1779   collaboration = "",
1780   title =        "Substitutional carbon incorporation in epitaxial
1781                  Si[sub 1 - y]{C}[sub y] alloys on Si(001) grown by
1782                  molecular beam epitaxy",
1783   publisher =    "AIP",
1784   year =         "1999",
1785   journal =      "Applied Physics Letters",
1786   volume =       "74",
1787   number =       "6",
1788   pages =        "836--838",
1789   keywords =     "molecular beam epitaxial growth; semiconductor growth;
1790                  wide band gap semiconductors; interstitials; silicon
1791                  compounds",
1792   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/74/836/1",
1793   doi =          "10.1063/1.123384",
1794   notes =        "substitutional c in si",
1795 }
1796
1797 @Article{hohenberg64,
1798   title =        "Inhomogeneous Electron Gas",
1799   author =       "P. Hohenberg and W. Kohn",
1800   journal =      "Phys. Rev.",
1801   volume =       "136",
1802   number =       "3B",
1803   pages =        "B864--B871",
1804   numpages =     "7",
1805   year =         "1964",
1806   month =        nov,
1807   doi =          "10.1103/PhysRev.136.B864",
1808   publisher =    "American Physical Society",
1809   notes =        "density functional theory, dft",
1810 }
1811
1812 @Article{kohn65,
1813   title =        "Self-Consistent Equations Including Exchange and
1814                  Correlation Effects",
1815   author =       "W. Kohn and L. J. Sham",
1816   journal =      "Phys. Rev.",
1817   volume =       "140",
1818   number =       "4A",
1819   pages =        "A1133--A1138",
1820   numpages =     "5",
1821   year =         "1965",
1822   month =        nov,
1823   doi =          "10.1103/PhysRev.140.A1133",
1824   publisher =    "American Physical Society",
1825   notes =        "dft, exchange and correlation",
1826 }
1827
1828 @Article{ruecker94,
1829   title =        "Strain-stabilized highly concentrated pseudomorphic
1830                  $Si1-x$$Cx$ layers in Si",
1831   author =       "H. R{\"u}cker and M. Methfessel and E. Bugiel and H.
1832                  J. Osten",
1833   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1834   volume =       "72",
1835   number =       "22",
1836   pages =        "3578--3581",
1837   numpages =     "3",
1838   year =         "1994",
1839   month =        may,
1840   doi =          "10.1103/PhysRevLett.72.3578",
1841   publisher =    "American Physical Society",
1842   notes =        "high c concentration in si, heterostructure, starined
1843                  si, dft",
1844 }
1845
1846 @Article{chang05,
1847   title =        "Electron Transport Model for Strained Silicon-Carbon
1848                  Alloy",
1849   author =       "Shu-Tong Chang and Chung-Yi Lin",
1850   journal =      "Japanese Journal of Applied Physics",
1851   volume =       "44",
1852   number =       "4B",
1853   pages =        "2257--2262",
1854   numpages =     "5",
1855   year =         "2005",
1856   URL =          "http://jjap.ipap.jp/link?JJAP/44/2257/",
1857   doi =          "10.1143/JJAP.44.2257",
1858   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
1859   notes =        "enhance of electron mobility in starined si",
1860 }
1861
1862 @Article{osten97,
1863   author =       "H. J. Osten and P. Gaworzewski",
1864   collaboration = "",
1865   title =        "Charge transport in strained Si[sub 1 - y]{C}[sub y]
1866                  and Si[sub 1 - x - y]Ge[sub x]{C}[sub y] alloys on
1867                  Si(001)",
1868   publisher =    "AIP",
1869   year =         "1997",
1870   journal =      "Journal of Applied Physics",
1871   volume =       "82",
1872   number =       "10",
1873   pages =        "4977--4981",
1874   keywords =     "silicon compounds; Ge-Si alloys; wide band gap
1875                  semiconductors; semiconductor epitaxial layers; carrier
1876                  density; Hall mobility; interstitials; defect states",
1877   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/82/4977/1",
1878   doi =          "10.1063/1.366364",
1879   notes =        "charge transport in strained si",
1880 }
1881
1882 @Article{kapur04,
1883   title =        "Carbon-mediated aggregation of self-interstitials in
1884                  silicon: {A} large-scale molecular dynamics study",
1885   author =       "Sumeet S. Kapur and Manish Prasad and Talid Sinno",
1886   journal =      "Phys. Rev. B",
1887   volume =       "69",
1888   number =       "15",
1889   pages =        "155214",
1890   numpages =     "8",
1891   year =         "2004",
1892   month =        apr,
1893   doi =          "10.1103/PhysRevB.69.155214",
1894   publisher =    "American Physical Society",
1895   notes =        "simulation using promising tersoff reparametrization",
1896 }
1897
1898 @Article{barkema96,
1899   title =        "Event-Based Relaxation of Continuous Disordered
1900                  Systems",
1901   author =       "G. T. Barkema and Normand Mousseau",
1902   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1903   volume =       "77",
1904   number =       "21",
1905   pages =        "4358--4361",
1906   numpages =     "3",
1907   year =         "1996",
1908   month =        nov,
1909   doi =          "10.1103/PhysRevLett.77.4358",
1910   publisher =    "American Physical Society",
1911   notes =        "activation relaxation technique, art, speed up slow
1912                  dynamic mds",
1913 }
1914
1915 @Article{cances09,
1916   author =       "E. Canc\`{e}s and F. Legoll and M.-C. Marinica and K.
1917                  Minoukadeh and F. Willaime",
1918   collaboration = "",
1919   title =        "Some improvements of the activation-relaxation
1920                  technique method for finding transition pathways on
1921                  potential energy surfaces",
1922   publisher =    "AIP",
1923   year =         "2009",
1924   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
1925   volume =       "130",
1926   number =       "11",
1927   eid =          "114711",
1928   numpages =     "6",
1929   pages =        "114711",
1930   keywords =     "eigenvalues and eigenfunctions; iron; potential energy
1931                  surfaces; vacancies (crystal)",
1932   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/130/114711/1",
1933   doi =          "10.1063/1.3088532",
1934   notes =        "improvements to art, refs for methods to find
1935                  transition pathways",
1936 }
1937
1938 @Article{parrinello81,
1939   author =       "M. Parrinello and A. Rahman",
1940   collaboration = "",
1941   title =        "Polymorphic transitions in single crystals: {A} new
1942                  molecular dynamics method",
1943   publisher =    "AIP",
1944   year =         "1981",
1945   journal =      "Journal of Applied Physics",
1946   volume =       "52",
1947   number =       "12",
1948   pages =        "7182--7190",
1949   keywords =     "MONOCRYSTALS; PHASE TRANSFORMATIONS; STRUCTURAL
1950                  MODELS; DYNAMICS; THEORETICAL DATA; STRESSES;
1951                  CONFIGURATION; LAGRANGE EQUATIONS; SIZE; NICKEL;
1952                  COMPRESSION; TENSILE PROPERTIES; COMPARATIVE
1953                  EVALUATIONS; STRAINS; CUBIC LATTICES; HCP LATTICES;
1954                  IMPACT SHOCK",
1955   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/52/7182/1",
1956   doi =          "10.1063/1.328693",
1957 }
1958
1959 @Article{stillinger85,
1960   title =        "Computer simulation of local order in condensed phases
1961                  of silicon",
1962   author =       "Frank H. Stillinger and Thomas A. Weber",
1963   journal =      "Phys. Rev. B",
1964   volume =       "31",
1965   number =       "8",
1966   pages =        "5262--5271",
1967   numpages =     "9",
1968   year =         "1985",
1969   month =        apr,
1970   doi =          "10.1103/PhysRevB.31.5262",
1971   publisher =    "American Physical Society",
1972 }
1973
1974 @Article{brenner90,
1975   title =        "Empirical potential for hydrocarbons for use in
1976                  simulating the chemical vapor deposition of diamond
1977                  films",
1978   author =       "Donald W. Brenner",
1979   journal =      "Phys. Rev. B",
1980   volume =       "42",
1981   number =       "15",
1982   pages =        "9458--9471",
1983   numpages =     "13",
1984   year =         "1990",
1985   month =        nov,
1986   doi =          "10.1103/PhysRevB.42.9458",
1987   publisher =    "American Physical Society",
1988   notes =        "brenner hydro carbons",
1989 }
1990
1991 @Article{bazant96,
1992   title =        "Modeling of Covalent Bonding in Solids by Inversion of
1993                  Cohesive Energy Curves",
1994   author =       "Martin Z. Bazant and Efthimios Kaxiras",
1995   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1996   volume =       "77",
1997   number =       "21",
1998   pages =        "4370--4373",
1999   numpages =     "3",
2000   year =         "1996",
2001   month =        nov,
2002   doi =          "10.1103/PhysRevLett.77.4370",
2003   publisher =    "American Physical Society",
2004   notes =        "first si edip",
2005 }
2006
2007 @Article{bazant97,
2008   title =        "Environment-dependent interatomic potential for bulk
2009                  silicon",
2010   author =       "Martin Z. Bazant and Efthimios Kaxiras and J. F.
2011                  Justo",
2012   journal =      "Phys. Rev. B",
2013   volume =       "56",
2014   number =       "14",
2015   pages =        "8542--8552",
2016   numpages =     "10",
2017   year =         "1997",
2018   month =        oct,
2019   doi =          "10.1103/PhysRevB.56.8542",
2020   publisher =    "American Physical Society",
2021   notes =        "second si edip",
2022 }
2023
2024 @Article{justo98,
2025   title =        "Interatomic potential for silicon defects and
2026                  disordered phases",
2027   author =       "Jo\tilde{a}o F. Justo and Martin Z. Bazant and
2028                  Efthimios Kaxiras and V. V. Bulatov and Sidney Yip",
2029   journal =      "Phys. Rev. B",
2030   volume =       "58",
2031   number =       "5",
2032   pages =        "2539--2550",
2033   numpages =     "11",
2034   year =         "1998",
2035   month =        aug,
2036   doi =          "10.1103/PhysRevB.58.2539",
2037   publisher =    "American Physical Society",
2038   notes =        "latest si edip, good dislocation explanation",
2039 }
2040
2041 @Article{parcas_md,
2042   title =        "{PARCAS} molecular dynamics code",
2043   author =       "K. Nordlund",
2044   year =         "2008",
2045 }
2046
2047 @Article{voter97,
2048   title =        "Hyperdynamics: Accelerated Molecular Dynamics of
2049                  Infrequent Events",
2050   author =       "Arthur F. Voter",
2051   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2052   volume =       "78",
2053   number =       "20",
2054   pages =        "3908--3911",
2055   numpages =     "3",
2056   year =         "1997",
2057   month =        may,
2058   doi =          "10.1103/PhysRevLett.78.3908",
2059   publisher =    "American Physical Society",
2060   notes =        "hyperdynamics, accelerated md",
2061 }
2062
2063 @Article{voter97_2,
2064   author =       "Arthur F. Voter",
2065   collaboration = "",
2066   title =        "A method for accelerating the molecular dynamics
2067                  simulation of infrequent events",
2068   publisher =    "AIP",
2069   year =         "1997",
2070   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
2071   volume =       "106",
2072   number =       "11",
2073   pages =        "4665--4677",
2074   keywords =     "COMPUTERIZED SIMULATION; NICKEL; DIFFUSION; ATOM
2075                  TRANSPORT; MOLECULAR ORBITAL METHOD; POTENTIAL ENERGY;
2076                  SURFACE POTENTIAL; MOLECULAR DYNAMICS METHOD; potential
2077                  energy functions; surface diffusion; reaction kinetics
2078                  theory; potential energy surfaces",
2079   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/106/4665/1",
2080   doi =          "10.1063/1.473503",
2081   notes =        "improved hyperdynamics md",
2082 }
2083
2084 @Article{sorensen2000,
2085   author =       "Mads R. S\o rensen and Arthur F. Voter",
2086   collaboration = "",
2087   title =        "Temperature-accelerated dynamics for simulation of
2088                  infrequent events",
2089   publisher =    "AIP",
2090   year =         "2000",
2091   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
2092   volume =       "112",
2093   number =       "21",
2094   pages =        "9599--9606",
2095   keywords =     "SOLID STATE PHYSICS; SIMULATION; DIFFUSION; SURFACES;
2096                  MOLECULAR DYNAMICS METHOD; surface diffusion",
2097   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/112/9599/1",
2098   doi =          "10.1063/1.481576",
2099   notes =        "temperature accelerated dynamics, tad",
2100 }
2101
2102 @Article{voter98,
2103   title =        "Parallel replica method for dynamics of infrequent
2104                  events",
2105   author =       "Arthur F. Voter",
2106   journal =      "Phys. Rev. B",
2107   volume =       "57",
2108   number =       "22",
2109   pages =        "R13985--R13988",
2110   numpages =     "3",
2111   year =         "1998",
2112   month =        jun,
2113   doi =          "10.1103/PhysRevB.57.R13985",
2114   publisher =    "American Physical Society",
2115   notes =        "parallel replica method, accelerated md",
2116 }
2117
2118 @Article{wu99,
2119   author =       "Xiongwu Wu and Shaomeng Wang",
2120   collaboration = "",
2121   title =        "Enhancing systematic motion in molecular dynamics
2122                  simulation",
2123   publisher =    "AIP",
2124   year =         "1999",
2125   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
2126   volume =       "110",
2127   number =       "19",
2128   pages =        "9401--9410",
2129   keywords =     "molecular dynamics method; argon; Lennard-Jones
2130                  potential; crystallisation; liquid theory",
2131   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/110/9401/1",
2132   doi =          "10.1063/1.478948",
2133   notes =        "self guided md, sgmd, accelerated md, enhancing
2134                  systematic motion",
2135 }
2136
2137 @Article{choudhary05,
2138   author =       "Devashish Choudhary and Paulette Clancy",
2139   collaboration = "",
2140   title =        "Application of accelerated molecular dynamics schemes
2141                  to the production of amorphous silicon",
2142   publisher =    "AIP",
2143   year =         "2005",
2144   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
2145   volume =       "122",
2146   number =       "15",
2147   eid =          "154509",
2148   numpages =     "8",
2149   pages =        "154509",
2150   keywords =     "molecular dynamics method; silicon; glass structure;
2151                  amorphous semiconductors",
2152   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/122/154509/1",
2153   doi =          "10.1063/1.1878733",
2154   notes =        "explanation of sgmd and hyper md, applied to amorphous
2155                  silicon",
2156 }
2157
2158 @Article{taylor93,
2159   author =       "W. J. Taylor and T. Y. Tan and U. G{\"{o}}sele",
2160   collaboration = "",
2161   title =        "Carbon precipitation in silicon: Why is it so
2162                  difficult?",
2163   publisher =    "AIP",
2164   year =         "1993",
2165   journal =      "Applied Physics Letters",
2166   volume =       "62",
2167   number =       "25",
2168   pages =        "3336--3338",
2169   keywords =     "SILICON; CARBON ADDITIONS; OXYGEN ADDITIONS; DOPED
2170                  MATERIALS; PRECIPITATION; THERMODYNAMICS; SURFACE
2171                  ENERGY",
2172   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/62/3336/1",
2173   doi =          "10.1063/1.109063",
2174   notes =        "interfacial energy of cubic sic and si",
2175 }
2176
2177 @Article{chaussende08,
2178   title =        "Prospects for 3{C}-Si{C} bulk crystal growth",
2179   journal =      "Journal of Crystal Growth",
2180   volume =       "310",
2181   number =       "5",
2182   pages =        "976--981",
2183   year =         "2008",
2184   note =         "Proceedings of the E-MRS Conference, Symposium G -
2185                  Substrates of Wide Bandgap Materials",
2186   ISSN =         "0022-0248",
2187   doi =          "DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2007.11.140",
2188   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-4R7J67S-F/2/e92fc194b652409f5b119393d608b082",
2189   author =       "D. Chaussende and F. Mercier and A. Boulle and F.
2190                  Conchon and M. Soueidan and G. Ferro and A. Mantzari
2191                  and A. Andreadou and E. K. Polychroniadis and C.
2192                  Balloud and S. Juillaguet and J. Camassel and M. Pons",
2193   notes =        "3c-sic crystal growth, sic fabrication + links,
2194                  metastable",
2195 }
2196
2197 @Article{feynman39,
2198   title =        "Forces in Molecules",
2199   author =       "R. P. Feynman",
2200   journal =      "Phys. Rev.",
2201   volume =       "56",
2202   number =       "4",
2203   pages =        "340--343",
2204   numpages =     "3",
2205   year =         "1939",
2206   month =        aug,
2207   doi =          "10.1103/PhysRev.56.340",
2208   publisher =    "American Physical Society",
2209   notes =        "hellmann feynman forces",
2210 }
2211
2212 @Article{buczko00,
2213   title =        "Bonding Arrangements at the $Si-Si{O}_{2}$ and
2214                  $Si{C}-Si{O}_{2}$ Interfaces and a Possible Origin of
2215                  their Contrasting Properties",
2216   author =       "Ryszard Buczko and Stephen J. Pennycook and Sokrates
2217                  T. Pantelides",
2218   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2219   volume =       "84",
2220   number =       "5",
2221   pages =        "943--946",
2222   numpages =     "3",
2223   year =         "2000",
2224   month =        jan,
2225   doi =          "10.1103/PhysRevLett.84.943",
2226   publisher =    "American Physical Society",
2227   notes =        "si sio2 and sic sio2 interface",
2228 }
2229
2230 @Article{djurabekova08,
2231   title =        "Atomistic simulation of the interface structure of Si
2232                  nanocrystals embedded in amorphous silica",
2233   author =       "Flyura Djurabekova and Kai Nordlund",
2234   journal =      "Phys. Rev. B",
2235   volume =       "77",
2236   number =       "11",
2237   pages =        "115325",
2238   numpages =     "7",
2239   year =         "2008",
2240   month =        mar,
2241   doi =          "10.1103/PhysRevB.77.115325",
2242   publisher =    "American Physical Society",
2243   notes =        "nc-si in sio2, interface energy, nc construction,
2244                  angular distribution, coordination",
2245 }
2246
2247 @Article{wen09,
2248   author =       "C. Wen and Y. M. Wang and W. Wan and F. H. Li and J.
2249                  W. Liang and J. Zou",
2250   collaboration = "",
2251   title =        "Nature of interfacial defects and their roles in
2252                  strain relaxation at highly lattice mismatched
2253                  3{C}-Si{C}/Si (001) interface",
2254   publisher =    "AIP",
2255   year =         "2009",
2256   journal =      "Journal of Applied Physics",
2257   volume =       "106",
2258   number =       "7",
2259   eid =          "073522",
2260   numpages =     "8",
2261   pages =        "073522",
2262   keywords =     "anelastic relaxation; crystal structure; dislocations;
2263                  elemental semiconductors; semiconductor growth;
2264                  semiconductor thin films; silicon; silicon compounds;
2265                  stacking faults; wide band gap semiconductors",
2266   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/106/073522/1",
2267   doi =          "10.1063/1.3234380",
2268   notes =        "sic/si interface, follow refs, tem image
2269                  deconvolution, dislocation defects",
2270 }
2271
2272 @Article{kitabatake93,
2273   author =       "Makoto Kitabatake and Masahiro Deguchi and Takashi
2274                  Hirao",
2275   collaboration = "",
2276   title =        "Simulations and experiments of Si{C} heteroepitaxial
2277                  growth on Si(001) surface",
2278   publisher =    "AIP",
2279   year =         "1993",
2280   journal =      "Journal of Applied Physics",
2281   volume =       "74",
2282   number =       "7",
2283   pages =        "4438--4445",
2284   keywords =     "SILICON CARBIDES; FILM GROWTH; SIMULATION; MOLECULAR
2285                  BEAM EPITAXY; MOLECULAR DYNAMICS CALCULATIONS; SILICON;
2286                  MICROSTRUCTURE; ULTRAVIOLET RADIATION; IRRADIATION",
2287   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/74/4438/1",
2288   doi =          "10.1063/1.354385",
2289   notes =        "mbe and md of sic growth on si, 4 to 5 shrinkage
2290                  model, interface",
2291 }
2292
2293 @Article{chirita97,
2294   title =        "Strain relaxation and thermal stability of the
2295                  3{C}-Si{C}(001)/Si(001) interface: {A} molecular
2296                  dynamics study",
2297   journal =      "Thin Solid Films",
2298   volume =       "294",
2299   number =       "1-2",
2300   pages =        "47--49",
2301   year =         "1997",
2302   note =         "",
2303   ISSN =         "0040-6090",
2304   doi =          "DOI: 10.1016/S0040-6090(96)09257-7",
2305   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TW0-41WBB52-C/2/6ef684a04d02dd3b108f972377cde8f4",
2306   author =       "V. Chirita and L. Hultman and L. R. Wallenberg",
2307   keywords =     "Strain relaxation",
2308   keywords =     "Interfaces",
2309   keywords =     "Thermal stability",
2310   keywords =     "Molecular dynamics",
2311   notes =        "tersoff sic/si interface study",
2312 }
2313
2314 @Article{cicero02,
2315   title =        "Ab initio Study of Misfit Dislocations at the
2316                  $Si{C}/Si(001)$ Interface",
2317   author =       "Giancarlo Cicero and Laurent Pizzagalli and Alessandra
2318                  Catellani",
2319   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2320   volume =       "89",
2321   number =       "15",
2322   pages =        "156101",
2323   numpages =     "4",
2324   year =         "2002",
2325   month =        sep,
2326   doi =          "10.1103/PhysRevLett.89.156101",
2327   publisher =    "American Physical Society",
2328   notes =        "sic/si interface study",
2329 }
2330
2331 @Article{pizzagalli03,
2332   title =        "Theoretical investigations of a highly mismatched
2333                  interface: Si{C}/Si(001)",
2334   author =       "Laurent Pizzagalli and Giancarlo Cicero and Alessandra
2335                  Catellani",
2336   journal =      "Phys. Rev. B",
2337   volume =       "68",
2338   number =       "19",
2339   pages =        "195302",
2340   numpages =     "10",
2341   year =         "2003",
2342   month =        nov,
2343   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.195302",
2344   publisher =    "American Physical Society",
2345   notes =        "tersoff md and ab initio sic/si interface study",
2346 }
2347
2348 @Article{tang07,
2349   title =        "Atomic configurations of dislocation core and twin
2350                  boundaries in $ 3{C}-Si{C} $ studied by high-resolution
2351                  electron microscopy",
2352   author =       "C. Y. Tang and F. H. Li and R. Wang and J. Zou and X.
2353                  H. Zheng and J. W. Liang",
2354   journal =      "Phys. Rev. B",
2355   volume =       "75",
2356   number =       "18",
2357   pages =        "184103",
2358   numpages =     "7",
2359   year =         "2007",
2360   month =        may,
2361   doi =          "10.1103/PhysRevB.75.184103",
2362   publisher =    "American Physical Society",
2363   notes =        "hrem image deconvolution on 3c-sic on si, distinguish
2364                  si and c",
2365 }
2366
2367 @Article{hornstra58,
2368   title =        "Dislocations in the diamond lattice",
2369   journal =      "Journal of Physics and Chemistry of Solids",
2370   volume =       "5",
2371   number =       "1-2",
2372   pages =        "129--141",
2373   year =         "1958",
2374   note =         "",
2375   ISSN =         "0022-3697",
2376   doi =          "DOI: 10.1016/0022-3697(58)90138-0",
2377   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXR-46MMPHJ-10D/2/7176c01c29cd4e73faa26ab2aacdcea5",
2378   author =       "J. Hornstra",
2379   notes =        "dislocations in diamond lattice",
2380 }
2381
2382 @Article{eichhorn99,
2383   author =       "F. Eichhorn and N. Schell and W. Matz and R.
2384                  K{\"{o}}gler",
2385   collaboration = "",
2386   title =        "Strain and Si{C} particle formation in silicon
2387                  implanted with carbon ions of medium fluence studied by
2388                  synchrotron x-ray diffraction",
2389   publisher =    "AIP",
2390   year =         "1999",
2391   journal =      "Journal of Applied Physics",
2392   volume =       "86",
2393   number =       "8",
2394   pages =        "4184--4187",
2395   keywords =     "silicon; carbon; elemental semiconductors; chemical
2396                  interdiffusion; ion implantation; X-ray diffraction;
2397                  precipitation; semiconductor doping",
2398   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/86/4184/1",
2399   doi =          "10.1063/1.371344",
2400   notes =        "sic conversion by ibs, detected substitutional carbon,
2401                  expansion of si lattice",
2402 }
2403
2404 @Article{eichhorn02,
2405   author =       "F. Eichhorn and N. Schell and A. M{\"{u}}cklich and H.
2406                  Metzger and W. Matz and R. K{\"{o}}gler",
2407   collaboration = "",
2408   title =        "Structural relation between Si and Si{C} formed by
2409                  carbon ion implantation",
2410   publisher =    "AIP",
2411   year =         "2002",
2412   journal =      "Journal of Applied Physics",
2413   volume =       "91",
2414   number =       "3",
2415   pages =        "1287--1292",
2416   keywords =     "silicon compounds; wide band gap semiconductors; ion
2417                  implantation; annealing; X-ray scattering; transmission
2418                  electron microscopy",
2419   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/91/1287/1",
2420   doi =          "10.1063/1.1428105",
2421   notes =        "3c-sic alignement to si host in ibs depending on
2422                  temperature, might explain c int to c sub trafo",
2423 }
2424
2425 @Article{lucas10,
2426   author =       "G Lucas and M Bertolus and L Pizzagalli",
2427   title =        "An environment-dependent interatomic potential for
2428                  silicon carbide: calculation of bulk properties,
2429                  high-pressure phases, point and extended defects, and
2430                  amorphous structures",
2431   journal =      "Journal of Physics: Condensed Matter",
2432   volume =       "22",
2433   number =       "3",
2434   pages =        "035802",
2435   URL =          "http://stacks.iop.org/0953-8984/22/i=3/a=035802",
2436   year =         "2010",
2437   notes =        "edip sic",
2438 }
2439
2440 @Article{godet03,
2441   author =       "J Godet and L Pizzagalli and S Brochard and P
2442                  Beauchamp",
2443   title =        "Comparison between classical potentials and ab initio
2444                  methods for silicon under large shear",
2445   journal =      "Journal of Physics: Condensed Matter",
2446   volume =       "15",
2447   number =       "41",
2448   pages =        "6943",
2449   URL =          "http://stacks.iop.org/0953-8984/15/i=41/a=004",
2450   year =         "2003",
2451   notes =        "comparison of empirical potentials, stillinger weber,
2452                  edip, tersoff, ab initio",
2453 }
2454
2455 @Article{moriguchi98,
2456   title =        "Verification of Tersoff's Potential for Static
2457                  Structural Analysis of Solids of Group-{IV} Elements",
2458   author =       "Koji Moriguchi and Akira Shintani",
2459   journal =      "Japanese Journal of Applied Physics",
2460   volume =       "37",
2461   number =       "Part 1, No. 2",
2462   pages =        "414--422",
2463   numpages =     "8",
2464   year =         "1998",
2465   URL =          "http://jjap.ipap.jp/link?JJAP/37/414/",
2466   doi =          "10.1143/JJAP.37.414",
2467   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
2468   notes =        "tersoff stringent test",
2469 }
2470
2471 @Article{mazzarolo01,
2472   title =        "Low-energy recoils in crystalline silicon: Quantum
2473                  simulations",
2474   author =       "Massimiliano Mazzarolo and Luciano Colombo and Giorgio
2475                  Lulli and Eros Albertazzi",
2476   journal =      "Phys. Rev. B",
2477   volume =       "63",
2478   number =       "19",
2479   pages =        "195207",
2480   numpages =     "4",
2481   year =         "2001",
2482   month =        apr,
2483   doi =          "10.1103/PhysRevB.63.195207",
2484   publisher =    "American Physical Society",
2485 }
2486
2487 @Article{holmstroem08,
2488   title =        "Threshold defect production in silicon determined by
2489                  density functional theory molecular dynamics
2490                  simulations",
2491   author =       "E. Holmstr{\"o}m and A. Kuronen and K. Nordlund",
2492   journal =      "Phys. Rev. B",
2493   volume =       "78",
2494   number =       "4",
2495   pages =        "045202",
2496   numpages =     "6",
2497   year =         "2008",
2498   month =        jul,
2499   doi =          "10.1103/PhysRevB.78.045202",
2500   publisher =    "American Physical Society",
2501   notes =        "threshold displacement comparison empirical and ab
2502                  initio",
2503 }
2504
2505 @Article{nordlund97,
2506   title =        "Repulsive interatomic potentials calculated using
2507                  Hartree-Fock and density-functional theory methods",
2508   journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
2509                  Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
2510   volume =       "132",
2511   number =       "1",
2512   pages =        "45--54",
2513   year =         "1997",
2514   note =         "",
2515   ISSN =         "0168-583X",
2516   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(97)00447-3",
2517   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-4CP0TGF-91/2/1a9100c0aae82d2d258fc83dfdba23c1",
2518   author =       "K. Nordlund and N. Runeberg and D. Sundholm",
2519   notes =        "repulsive ab initio potential",
2520 }
2521
2522 @Article{kresse96,
2523   title =        "Efficiency of ab-initio total energy calculations for
2524                  metals and semiconductors using a plane-wave basis
2525                  set",
2526   journal =      "Computational Materials Science",
2527   volume =       "6",
2528   number =       "1",
2529   pages =        "15--50",
2530   year =         "1996",
2531   note =         "",
2532   ISSN =         "0927-0256",
2533   doi =          "DOI: 10.1016/0927-0256(96)00008-0",
2534   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TWM-3VRVTBF-3/2/88689b1eacfe2b5fe57f09d37eff3b74",
2535   author =       "G. Kresse and J. Furthm{\"{u}}ller",
2536   notes =        "vasp ref",
2537 }
2538
2539 @Article{bloechl94,
2540   title =        "Projector augmented-wave method",
2541   author =       "P. E. Bl{\"o}chl",
2542   journal =      "Phys. Rev. B",
2543   volume =       "50",
2544   number =       "24",
2545   pages =        "17953--17979",
2546   numpages =     "26",
2547   year =         "1994",
2548   month =        dec,
2549   doi =          "10.1103/PhysRevB.50.17953",
2550   publisher =    "American Physical Society",
2551   notes =        "paw method",
2552 }
2553
2554 @Article{hamann79,
2555   title =        "Norm-Conserving Pseudopotentials",
2556   author =       "D. R. Hamann and M. Schl{\"u}ter and C. Chiang",
2557   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2558   volume =       "43",
2559   number =       "20",
2560   pages =        "1494--1497",
2561   numpages =     "3",
2562   year =         "1979",
2563   month =        nov,
2564   doi =          "10.1103/PhysRevLett.43.1494",
2565   publisher =    "American Physical Society",
2566   notes =        "norm-conserving pseudopotentials",
2567 }
2568
2569 @Article{vanderbilt90,
2570   title =        "Soft self-consistent pseudopotentials in a generalized
2571                  eigenvalue formalism",
2572   author =       "David Vanderbilt",
2573   journal =      "Phys. Rev. B",
2574   volume =       "41",
2575   number =       "11",
2576   pages =        "7892--7895",
2577   numpages =     "3",
2578   year =         "1990",
2579   month =        apr,
2580   doi =          "10.1103/PhysRevB.41.7892",
2581   publisher =    "American Physical Society",
2582   notes =        "vasp pseudopotentials",
2583 }
2584
2585 @Article{perdew86,
2586   title =        "Accurate and simple density functional for the
2587                  electronic exchange energy: Generalized gradient
2588                  approximation",
2589   author =       "John P. Perdew and Wang Yue",
2590   journal =      "Phys. Rev. B",
2591   volume =       "33",
2592   number =       "12",
2593   pages =        "8800--8802",
2594   numpages =     "2",
2595   year =         "1986",
2596   month =        jun,
2597   doi =          "10.1103/PhysRevB.33.8800",
2598   publisher =    "American Physical Society",
2599   notes =        "rapid communication gga",
2600 }
2601
2602 @Article{perdew02,
2603   title =        "Generalized gradient approximations for exchange and
2604                  correlation: {A} look backward and forward",
2605   journal =      "Physica B: Condensed Matter",
2606   volume =       "172",
2607   number =       "1-2",
2608   pages =        "1--6",
2609   year =         "1991",
2610   note =         "",
2611   ISSN =         "0921-4526",
2612   doi =          "DOI: 10.1016/0921-4526(91)90409-8",
2613   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVH-46G8GR9-3D/2/18e610a616e4d80b934079c89063ece7",
2614   author =       "John P. Perdew",
2615   notes =        "gga overview",
2616 }
2617
2618 @Article{perdew92,
2619   title =        "Atoms, molecules, solids, and surfaces: Applications
2620                  of the generalized gradient approximation for exchange
2621                  and correlation",
2622   author =       "John P. Perdew and J. A. Chevary and S. H. Vosko and
2623                  Koblar A. Jackson and Mark R. Pederson and D. J. Singh
2624                  and Carlos Fiolhais",
2625   journal =      "Phys. Rev. B",
2626   volume =       "46",
2627   number =       "11",
2628   pages =        "6671--6687",
2629   numpages =     "16",
2630   year =         "1992",
2631   month =        sep,
2632   doi =          "10.1103/PhysRevB.46.6671",
2633   publisher =    "American Physical Society",
2634   notes =        "gga pw91 (as in vasp)",
2635 }
2636
2637 @Article{baldereschi73,
2638   title =        "Mean-Value Point in the Brillouin Zone",
2639   author =       "A. Baldereschi",
2640   journal =      "Phys. Rev. B",
2641   volume =       "7",
2642   number =       "12",
2643   pages =        "5212--5215",
2644   numpages =     "3",
2645   year =         "1973",
2646   month =        jun,
2647   doi =          "10.1103/PhysRevB.7.5212",
2648   publisher =    "American Physical Society",
2649   notes =        "mean value k point",
2650 }
2651
2652 @Article{zhu98,
2653   title =        "Ab initio pseudopotential calculations of dopant
2654                  diffusion in Si",
2655   journal =      "Computational Materials Science",
2656   volume =       "12",
2657   number =       "4",
2658   pages =        "309--318",
2659   year =         "1998",
2660   note =         "",
2661   ISSN =         "0927-0256",
2662   doi =          "DOI: 10.1016/S0927-0256(98)00023-8",
2663   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TWM-3VB7F2K-7/2/aa864582273be8e054300efb7bd16a1b",
2664   author =       "Jing Zhu",
2665   keywords =     "TED (transient enhanced diffusion)",
2666   keywords =     "Boron dopant",
2667   keywords =     "Carbon dopant",
2668   keywords =     "Defect",
2669   keywords =     "ab initio pseudopotential method",
2670   keywords =     "Impurity cluster",
2671   notes =        "binding of c to si interstitial, c in si defects",
2672 }
2673
2674 @Article{nejim95,
2675   author =       "A. Nejim and P. L. F. Hemment and J. Stoemenos",
2676   collaboration = "",
2677   title =        "Si{C} buried layer formation by ion beam synthesis at
2678                  950 [degree]{C}",
2679   publisher =    "AIP",
2680   year =         "1995",
2681   journal =      "Applied Physics Letters",
2682   volume =       "66",
2683   number =       "20",
2684   pages =        "2646--2648",
2685   keywords =     "SILICON; ION IMPLANTATION; CARBON IONS; SILICON
2686                  CARBIDES; BURIED LAYERS; SYNTHESIS; KEV RANGE 100 --
2687                  1000; CRYSTAL DEFECTS; MORPHOLOGY; RBS; TRANSMISSION
2688                  ELECTRON MICROSCOPY",
2689   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/66/2646/1",
2690   doi =          "10.1063/1.113112",
2691   notes =        "precipitation mechanism by substitutional carbon, si
2692                  self interstitials react with further implanted c",
2693 }
2694
2695 @Article{guedj98,
2696   author =       "C. Guedj and M. W. Dashiell and L. Kulik and J.
2697                  Kolodzey and A. Hairie",
2698   collaboration = "",
2699   title =        "Precipitation of beta-Si{C} in Si[sub 1 - y]{C}[sub y]
2700                  alloys",
2701   publisher =    "AIP",
2702   year =         "1998",
2703   journal =      "Journal of Applied Physics",
2704   volume =       "84",
2705   number =       "8",
2706   pages =        "4631--4633",
2707   keywords =     "silicon compounds; precipitation; localised modes;
2708                  semiconductor epitaxial layers; infrared spectra;
2709                  Fourier transform spectra; thermal stability;
2710                  annealing",
2711   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/84/4631/1",
2712   doi =          "10.1063/1.368703",
2713   notes =        "coherent 3C-SiC, topotactic, critical coherence size",
2714 }
2715
2716 @Article{jones04,
2717   author =       "R Jones and B J Coomer and P R Briddon",
2718   title =        "Quantum mechanical modelling of defects in
2719                  semiconductors",
2720   journal =      "Journal of Physics: Condensed Matter",
2721   volume =       "16",
2722   number =       "27",
2723   pages =        "S2643",
2724   URL =          "http://stacks.iop.org/0953-8984/16/i=27/a=004",
2725   year =         "2004",
2726   notes =        "ab inito init, vibrational modes, c defect in si",
2727 }
2728
2729 @Article{park02,
2730   author =       "S. Y. Park and J. D'Arcy-Gall and D. Gall and J. A. N.
2731                  T Soares and Y.-W. Kim and H. Kim and P. Desjardins and
2732                  J. E. Greene and S. G. Bishop",
2733   collaboration = "",
2734   title =        "Carbon incorporation pathways and lattice sites in
2735                  Si[sub 1 - y]{C}[sub y] alloys grown on Si(001) by
2736                  molecular-beam epitaxy",
2737   publisher =    "AIP",
2738   year =         "2002",
2739   journal =      "Journal of Applied Physics",
2740   volume =       "91",
2741   number =       "9",
2742   pages =        "5716--5727",
2743   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/91/5716/1",
2744   doi =          "10.1063/1.1465122",
2745   notes =        "c substitutional incorporation pathway, dft and expt",
2746 }
2747
2748 @Article{leary97,
2749   title =        "Dynamic properties of interstitial carbon and
2750                  carbon-carbon pair defects in silicon",
2751   author =       "P. Leary and R. Jones and S. {\"O}berg and V. J. B.
2752                  Torres",
2753   journal =      "Phys. Rev. B",
2754   volume =       "55",
2755   number =       "4",
2756   pages =        "2188--2194",
2757   numpages =     "6",
2758   year =         "1997",
2759   month =        jan,
2760   doi =          "10.1103/PhysRevB.55.2188",
2761   publisher =    "American Physical Society",
2762   notes =        "ab initio c in si and di-carbon defect, no formation
2763                  energies, different migration barriers and paths",
2764 }
2765
2766 @Article{burnard93,
2767   title =        "Interstitial carbon and the carbon-carbon pair in
2768                  silicon: Semiempirical electronic-structure
2769                  calculations",
2770   author =       "Matthew J. Burnard and Gary G. DeLeo",
2771   journal =      "Phys. Rev. B",
2772   volume =       "47",
2773   number =       "16",
2774   pages =        "10217--10225",
2775   numpages =     "8",
2776   year =         "1993",
2777   month =        apr,
2778   doi =          "10.1103/PhysRevB.47.10217",
2779   publisher =    "American Physical Society",
2780   notes =        "semi empirical mndo, pm3 and mindo3 c in si and di
2781                  carbon defect, formation energies",
2782 }
2783
2784 @Article{kaxiras96,
2785   title =        "Review of atomistic simulations of surface diffusion
2786                  and growth on semiconductors",
2787   journal =      "Computational Materials Science",
2788   volume =       "6",
2789   number =       "2",
2790   pages =        "158--172",
2791   year =         "1996",
2792   note =         "Proceedings of the Workshop on Virtual Molecular Beam
2793                  Epitaxy",
2794   ISSN =         "0927-0256",
2795   doi =          "DOI: 10.1016/0927-0256(96)00030-4",
2796   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TWM-3VSFF1G-7/2/afc8408b00ded1ca2dc3ad1686c2dae6",
2797   author =       "Efthimios Kaxiras",
2798   notes =        "might contain c 100 db formation energy, overview md,
2799                  tight binding, first principles",
2800 }
2801
2802 @Article{kaukonen98,
2803   title =        "Effect of {N} and {B} doping on the growth of {CVD}
2804                  diamond
2805                  $(100):{H}(2\ifmmode\times\else\texttimes\fi{}1)$
2806                  surfaces",
2807   author =       "M. Kaukonen and P. K. Sitch and G. Jungnickel and R.
2808                  M. Nieminen and Sami P{\"o}ykk{\"o} and D. Porezag and
2809                  Th. Frauenheim",
2810   journal =      "Phys. Rev. B",
2811   volume =       "57",
2812   number =       "16",
2813   pages =        "9965--9970",
2814   numpages =     "5",
2815   year =         "1998",
2816   month =        apr,
2817   doi =          "10.1103/PhysRevB.57.9965",
2818   publisher =    "American Physical Society",
2819   notes =        "constrained conjugate gradient relaxation technique
2820                  (crt)",
2821 }
2822
2823 @Article{gali03,
2824   title =        "Correlation between the antisite pair and the ${DI}$
2825                  center in Si{C}",
2826   author =       "A. Gali and P. De\'ak and E. Rauls and N. T. Son and
2827                  I. G. Ivanov and F. H. C. Carlsson and E. Janz\'en and
2828                  W. J. Choyke",
2829   journal =      "Phys. Rev. B",
2830   volume =       "67",
2831   number =       "15",
2832   pages =        "155203",
2833   numpages =     "5",
2834   year =         "2003",
2835   month =        apr,
2836   doi =          "10.1103/PhysRevB.67.155203",
2837   publisher =    "American Physical Society",
2838 }
2839
2840 @Article{chen98,
2841   title =        "Production and recovery of defects in Si{C} after
2842                  irradiation and deformation",
2843   journal =      "Journal of Nuclear Materials",
2844   volume =       "258-263",
2845   number =       "Part 2",
2846   pages =        "1803--1808",
2847   year =         "1998",
2848   note =         "",
2849   ISSN =         "0022-3115",
2850   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-3115(98)00139-1",
2851   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXN-43G486N-47/2/56905f48f025ab98e5de4d6cde09c62b",
2852   author =       "J. Chen and P. Jung and H. Klein",
2853 }
2854
2855 @Article{weber01,
2856   title =        "Accumulation, dynamic annealing and thermal recovery
2857                  of ion-beam-induced disorder in silicon carbide",
2858   journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
2859                  Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
2860   volume =       "175-177",
2861   number =       "",
2862   pages =        "26--30",
2863   year =         "2001",
2864   note =         "",
2865   ISSN =         "0168-583X",
2866   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(00)00542-5",
2867   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-435KH7Y-2R/2/8acc176700c95bb8614d96c40cfc5577",
2868   author =       "W. J. Weber and W. Jiang and S. Thevuthasan",
2869   keywords =     "Amorphization",
2870   keywords =     "Irradiation effects",
2871   keywords =     "Thermal recovery",
2872   keywords =     "Silicon carbide",
2873 }
2874
2875 @Article{bockstedte03,
2876   title =        "Ab initio study of the migration of intrinsic defects
2877                  in $3{C}-Si{C}$",
2878   author =       "Michel Bockstedte and Alexander Mattausch and Oleg
2879                  Pankratov",
2880   journal =      "Phys. Rev. B",
2881   volume =       "68",
2882   number =       "20",
2883   pages =        "205201",
2884   numpages =     "17",
2885   year =         "2003",
2886   month =        nov,
2887   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.205201",
2888   publisher =    "American Physical Society",
2889   notes =        "defect migration in sic",
2890 }
2891
2892 @Article{rauls03a,
2893   title =        "Theoretical study of vacancy diffusion and
2894                  vacancy-assisted clustering of antisites in Si{C}",
2895   author =       "E. Rauls and Th. Frauenheim and A. Gali and P.
2896                  De\'ak",
2897   journal =      "Phys. Rev. B",
2898   volume =       "68",
2899   number =       "15",
2900   pages =        "155208",
2901   numpages =     "9",
2902   year =         "2003",
2903   month =        oct,
2904   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.155208",
2905   publisher =    "American Physical Society",
2906 }