bibdb/bibdb.bib

   1 %
   2 % bibliography database
   3 %
   4
   5 @Article{albe_sic_pot,
   6   author =       "Paul Erhart and Karsten Albe",
   7   title =        "Analytical potential for atomistic simulations of
   8                  silicon, carbon, and silicon carbide",
   9   publisher =    "APS",
  10   year =         "2005",
  11   journal =      "Phys. Rev. B",
  12   volume =       "71",
  13   number =       "3",
  14   eid =          "035211",
  15   numpages =     "14",
  16   pages =        "035211",
  17   notes =        "alble reparametrization, analytical bond oder
  18                  potential (ABOP)",
  19   keywords =     "silicon; elemental semiconductors; carbon; silicon
  20                  compounds; wide band gap semiconductors; elasticity;
  21                  enthalpy; point defects; crystallographic shear; atomic
  22                  forces",
  23   URL =          "http://link.aps.org/abstract/PRB/v71/e035211",
  24   doi =          "10.1103/PhysRevB.71.035211",
  25 }
  26
  27 @Article{albe2002,
  28   title =        "Modeling the metal-semiconductor interaction:
  29                  Analytical bond-order potential for platinum-carbon",
  30   author =       "Karsten Albe and Kai Nordlund and Robert S. Averback",
  31   journal =      "Phys. Rev. B",
  32   volume =       "65",
  33   number =       "19",
  34   pages =        "195124",
  35   numpages =     "11",
  36   year =         "2002",
  37   month =        may,
  38   doi =          "10.1103/PhysRevB.65.195124",
  39   publisher =    "American Physical Society",
  40   notes =        "derivation of albe bond order formalism",
  41 }
  42
  43 @Article{bean71,
  44   title =        "The solubility of carbon in pulled silicon crystals",
  45   journal =      "Journal of Physics and Chemistry of Solids",
  46   volume =       "32",
  47   number =       "6",
  48   pages =        "1211--1219",
  49   year =         "1971",
  50   note =         "",
  51   ISSN =         "0022-3697",
  52   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-3697(71)80179-8",
  53   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXR-4PR80SS-D/2/ce21d10d2bb885b5641905883a618ff5",
  54   author =       "A. R. Bean and R. C. Newman",
  55   notes =        "experimental solubility data of carbon in silicon",
  56 }
  57
  58 @Article{capano97,
  59   author =       "M. A. Capano and R. J. Trew",
  60   title =        "Silicon Carbide Electronic Materials and Devices",
  61   journal =      "MRS Bull.",
  62   volume =       "22",
  63   pages =        "19",
  64   year =         "1997",
  65 }
  66
  67 @Article{fischer90,
  68   author =       "G. R. Fisher and P. Barnes",
  69   title =        "Towards a unified view of polytypism in silicon
  70                  carbide",
  71   journal =      "Philosophical Magazine Part B",
  72   volume =       "61",
  73   pages =        "217--236",
  74   year =         "1990",
  75   notes =        "sic polytypes",
  76 }
  77
  78 @Article{koegler03,
  79   author =       "R. K{\"{o}}gler and F. Eichhorn and J. R. Kaschny and
  80                  A. M{\"{u}}cklich and H. Reuther and W. Skorupa and C.
  81                  Serre and A. Perez-Rodriguez",
  82   title =        "Synthesis of nano-sized Si{C} precipitates in Si by
  83                  simultaneous dual-beam implantation of {C}+ and Si+
  84                  ions",
  85   journal =      "Applied Physics A: Materials Science \& Processing",
  86   volume =       "76",
  87   pages =        "827--835",
  88   month =        mar,
  89   year =         "2003",
  90   notes =        "dual implantation, sic prec enhanced by vacancies,
  91                  precipitation by interstitial and substitutional
  92                  carbon, both mechanisms explained + refs",
  93 }
  94
  95 @Book{laplace,
  96   author =       "P. S. de Laplace",
  97   title =        "Th\'eorie analytique des probabilit\'es",
  98   series =       "Oeuvres Compl\`etes de Laplace",
  99   volume =       "VII",
 100   publisher =    "Gauthier-Villars",
 101   year =         "1820",
 102 }
 103
 104 @Article{mattoni2007,
 105   author =       "A. {Mattoni} and M. {Ippolito} and L. {Colombo}",
 106   title =        "{Atomistic modeling of brittleness in covalent
 107                  materials}",
 108   journal =      "Phys. Rev. B",
 109   year =         "2007",
 110   month =        dec,
 111   volume =       "76",
 112   number =       "22",
 113   pages =        "224103",
 114   doi =          "10.1103/PhysRevB.76.224103",
 115   notes =        "adopted tersoff potential for Si, C, Ge ad SiC;
 116                  longe(r)-range-interactions, brittle propagation of
 117                  fracture, more available potentials, universal energy
 118                  relation (uer), minimum range model (mrm)",
 119 }
 120
 121 @Article{balamane92,
 122   title =        "Comparative study of silicon empirical interatomic
 123                  potentials",
 124   author =       "H. Balamane and T. Halicioglu and W. A. Tiller",
 125   journal =      "Phys. Rev. B",
 126   volume =       "46",
 127   number =       "4",
 128   pages =        "2250--2279",
 129   numpages =     "29",
 130   year =         "1992",
 131   month =        jul,
 132   doi =          "10.1103/PhysRevB.46.2250",
 133   publisher =    "American Physical Society",
 134   notes =        "comparison of classical potentials for si",
 135 }
 136
 137 @Article{koster2002,
 138   title =        "Stress relaxation in $a-Si$ induced by ion
 139                  bombardment",
 140   author =       "H. M. Urbassek M. Koster",
 141   journal =      "Phys. Rev. B",
 142   volume =       "62",
 143   number =       "16",
 144   pages =        "11219--11224",
 145   numpages =     "5",
 146   year =         "2000",
 147   month =        oct,
 148   doi =          "10.1103/PhysRevB.62.11219",
 149   publisher =    "American Physical Society",
 150   notes =        "virial derivation for 3-body tersoff potential",
 151 }
 152
 153 @Article{breadmore99,
 154   title =        "Direct simulation of ion-beam-induced stressing and
 155                  amorphization of silicon",
 156   author =       "N. Gr\o{}nbech-Jensen K. M. Beardmore",
 157   journal =      "Phys. Rev. B",
 158   volume =       "60",
 159   number =       "18",
 160   pages =        "12610--12616",
 161   numpages =     "6",
 162   year =         "1999",
 163   month =        nov,
 164   doi =          "10.1103/PhysRevB.60.12610",
 165   publisher =    "American Physical Society",
 166   notes =        "virial derivation for 3-body tersoff potential",
 167 }
 168
 169 @Article{moissan04,
 170   author =       "Henri Moissan",
 171   title =        "Nouvelles recherches sur la météorité de Cañon
 172                  Diablo",
 173   journal =      "Comptes rendus de l'Académie des Sciences",
 174   volume =       "139",
 175   pages =        "773--786",
 176   year =         "1904",
 177 }
 178
 179 @Book{park98,
 180   author =       "Y. S. Park",
 181   title =        "Si{C} Materials and Devices",
 182   publisher =    "Academic Press",
 183   address =      "San Diego",
 184   year =         "1998",
 185 }
 186
 187 @Article{tsvetkov98,
 188   author =       "Valeri F. Tsvetkov and R. C. Glass and D. Henshall and
 189                  Calvin H. Carter Jr. and D. Asbury",
 190   title =        "Si{C} Seeded Boule Growth",
 191   journal =      "Materials Science Forum",
 192   volume =       "264-268",
 193   pages =        "3--8",
 194   year =         "1998",
 195   notes =        "modified lely process, micropipes",
 196 }
 197
 198 @Article{verlet67,
 199   title =        "Computer {"}Experiments{"} on Classical Fluids. {I}.
 200                  Thermodynamical Properties of Lennard-Jones Molecules",
 201   author =       "Loup Verlet",
 202   journal =      "Phys. Rev.",
 203   volume =       "159",
 204   number =       "1",
 205   pages =        "98",
 206   year =         "1967",
 207   month =        jul,
 208   doi =          "10.1103/PhysRev.159.98",
 209   publisher =    "American Physical Society",
 210   notes =        "velocity verlet integration algorithm equation of
 211                  motion",
 212 }
 213
 214 @Article{berendsen84,
 215   author =       "H. J. C. Berendsen and J. P. M. Postma and W. F. van
 216                  Gunsteren and A. DiNola and J. R. Haak",
 217   collaboration = "",
 218   title =        "Molecular dynamics with coupling to an external bath",
 219   publisher =    "AIP",
 220   year =         "1984",
 221   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
 222   volume =       "81",
 223   number =       "8",
 224   pages =        "3684--3690",
 225   keywords =     "MOLECULAR DYNAMICS CALCULATION; TRANSPORT THEORY;
 226                  COMPUTERIZED SIMULATION; LIQUIDS; STRUCTURE FACTORS",
 227   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/81/3684/1",
 228   doi =          "10.1063/1.448118",
 229   notes =        "berendsen thermostat barostat",
 230 }
 231
 232 @Article{huang95,
 233   author =       "Hanchen Huang and N M Ghoniem and J K Wong and M
 234                  Baskes",
 235   title =        "Molecular dynamics determination of defect energetics
 236                  in beta -Si{C} using three representative empirical
 237                  potentials",
 238   journal =      "Modelling and Simulation in Materials Science and
 239                  Engineering",
 240   volume =       "3",
 241   number =       "5",
 242   pages =        "615--627",
 243   URL =          "http://stacks.iop.org/0965-0393/3/615",
 244   notes =        "comparison of tersoff, pearson and eam for defect
 245                  energetics in sic; (m)eam parameters for sic",
 246   year =         "1995",
 247 }
 248
 249 @Article{brenner89,
 250   title =        "Relationship between the embedded-atom method and
 251                  Tersoff potentials",
 252   author =       "Donald W. Brenner",
 253   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 254   volume =       "63",
 255   number =       "9",
 256   pages =        "1022",
 257   numpages =     "1",
 258   year =         "1989",
 259   month =        aug,
 260   doi =          "10.1103/PhysRevLett.63.1022",
 261   publisher =    "American Physical Society",
 262   notes =        "relation of tersoff and eam potential",
 263 }
 264
 265 @Article{batra87,
 266   title =        "Molecular-dynamics study of self-interstitials in
 267                  silicon",
 268   author =       "Inder P. Batra and Farid F. Abraham and S. Ciraci",
 269   journal =      "Phys. Rev. B",
 270   volume =       "35",
 271   number =       "18",
 272   pages =        "9552--9558",
 273   numpages =     "6",
 274   year =         "1987",
 275   month =        jun,
 276   doi =          "10.1103/PhysRevB.35.9552",
 277   publisher =    "American Physical Society",
 278   notes =        "selft-interstitials in silicon, stillinger-weber,
 279                  calculation of defect formation energy, defect
 280                  interstitial types",
 281 }
 282
 283 @Article{schober89,
 284   title =        "Extended interstitials in silicon and germanium",
 285   author =       "H. R. Schober",
 286   journal =      "Phys. Rev. B",
 287   volume =       "39",
 288   number =       "17",
 289   pages =        "13013--13015",
 290   numpages =     "2",
 291   year =         "1989",
 292   month =        jun,
 293   doi =          "10.1103/PhysRevB.39.13013",
 294   publisher =    "American Physical Society",
 295   notes =        "stillinger-weber silicon 110 stable and metastable
 296                  dumbbell configuration",
 297 }
 298
 299 @Article{gao02a,
 300   title =        "Cascade overlap and amorphization in $3{C}-Si{C}:$
 301                  Defect accumulation, topological features, and
 302                  disordering",
 303   author =       "F. Gao and W. J. Weber",
 304   journal =      "Phys. Rev. B",
 305   volume =       "66",
 306   number =       "2",
 307   pages =        "024106",
 308   numpages =     "10",
 309   year =         "2002",
 310   month =        jul,
 311   doi =          "10.1103/PhysRevB.66.024106",
 312   publisher =    "American Physical Society",
 313   notes =        "sic intro, si cascade in 3c-sic, amorphization,
 314                  tersoff modified, pair correlation of amorphous sic, md
 315                  result analyze",
 316 }
 317
 318 @Article{devanathan98,
 319   title =        "Computer simulation of a 10 ke{V} Si displacement
 320                  cascade in Si{C}",
 321   journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
 322                  Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
 323   volume =       "141",
 324   number =       "1-4",
 325   pages =        "118--122",
 326   year =         "1998",
 327   ISSN =         "0168-583X",
 328   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00084-6",
 329   author =       "R. Devanathan and W. J. Weber and T. Diaz de la
 330                  Rubia",
 331   notes =        "modified tersoff short range potential, ab initio
 332                  3c-sic",
 333 }
 334
 335 @Article{devanathan98_2,
 336   title =        "Displacement threshold energies in [beta]-Si{C}",
 337   journal =      "Journal of Nuclear Materials",
 338   volume =       "253",
 339   number =       "1-3",
 340   pages =        "47--52",
 341   year =         "1998",
 342   ISSN =         "0022-3115",
 343   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-3115(97)00304-8",
 344   author =       "R. Devanathan and T. Diaz de la Rubia and W. J.
 345                  Weber",
 346   notes =        "modified tersoff, ab initio, combined ab initio
 347                  tersoff",
 348 }
 349
 350 @Article{kitabatake00,
 351   title =        "Si{C}/Si heteroepitaxial growth",
 352   author =       "M. Kitabatake",
 353   journal =      "Thin Solid Films",
 354   volume =       "369",
 355   pages =        "257--264",
 356   numpages =     "8",
 357   year =         "2000",
 358   notes =        "md simulation, sic si heteroepitaxy, mbe",
 359 }
 360
 361 @Article{tang97,
 362   title =        "Intrinsic point defects in crystalline silicon:
 363                  Tight-binding molecular dynamics studies of
 364                  self-diffusion, interstitial-vacancy recombination, and
 365                  formation volumes",
 366   author =       "M. Tang and L. Colombo and J. Zhu and T. Diaz de la
 367                  Rubia",
 368   journal =      "Phys. Rev. B",
 369   volume =       "55",
 370   number =       "21",
 371   pages =        "14279--14289",
 372   numpages =     "10",
 373   year =         "1997",
 374   month =        jun,
 375   doi =          "10.1103/PhysRevB.55.14279",
 376   publisher =    "American Physical Society",
 377   notes =        "si self interstitial, diffusion, tbmd",
 378 }
 379
 380 @Article{johnson98,
 381   author =       "M. D. Johnson and M.-J. Caturla and T. D\'{\i}az de la
 382                  Rubia",
 383   collaboration = "",
 384   title =        "A kinetic Monte--Carlo study of the effective
 385                  diffusivity of the silicon self-interstitial in the
 386                  presence of carbon and boron",
 387   publisher =    "AIP",
 388   year =         "1998",
 389   journal =      "Journal of Applied Physics",
 390   volume =       "84",
 391   number =       "4",
 392   pages =        "1963--1967",
 393   keywords =     "MONTE CARLO METHOD; DIFFUSION; SILICON; INTERSTITIALS;
 394                  CARBON ADDITIONS; BORON ADDITIONS; elemental
 395                  semiconductors; self-diffusion",
 396   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/84/1963/1",
 397   doi =          "10.1063/1.368328",
 398   notes =        "kinetic monte carlo of si self interstitial
 399                  diffsuion",
 400 }
 401
 402 @Article{bar-yam84,
 403   title =        "Barrier to Migration of the Silicon
 404                  Self-Interstitial",
 405   author =       "Y. Bar-Yam and J. D. Joannopoulos",
 406   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 407   volume =       "52",
 408   number =       "13",
 409   pages =        "1129--1132",
 410   numpages =     "3",
 411   year =         "1984",
 412   month =        mar,
 413   doi =          "10.1103/PhysRevLett.52.1129",
 414   publisher =    "American Physical Society",
 415   notes =        "si self-interstitial migration barrier",
 416 }
 417
 418 @Article{bar-yam84_2,
 419   title =        "Electronic structure and total-energy migration
 420                  barriers of silicon self-interstitials",
 421   author =       "Y. Bar-Yam and J. D. Joannopoulos",
 422   journal =      "Phys. Rev. B",
 423   volume =       "30",
 424   number =       "4",
 425   pages =        "1844--1852",
 426   numpages =     "8",
 427   year =         "1984",
 428   month =        aug,
 429   doi =          "10.1103/PhysRevB.30.1844",
 430   publisher =    "American Physical Society",
 431 }
 432
 433 @Article{bloechl93,
 434   title =        "First-principles calculations of self-diffusion
 435                  constants in silicon",
 436   author =       "Peter E. Bl{\"o}chl and Enrico Smargiassi and R. Car
 437                  and D. B. Laks and W. Andreoni and S. T. Pantelides",
 438   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 439   volume =       "70",
 440   number =       "16",
 441   pages =        "2435--2438",
 442   numpages =     "3",
 443   year =         "1993",
 444   month =        apr,
 445   doi =          "10.1103/PhysRevLett.70.2435",
 446   publisher =    "American Physical Society",
 447   notes =        "si self int diffusion by ab initio md, formation
 448                  entropy calculations",
 449 }
 450
 451 @Article{colombo02,
 452   title =        "Tight-binding theory of native point defects in
 453                  silicon",
 454   author =       "L. Colombo",
 455   journal =      "Annu. Rev. Mater. Res.",
 456   volume =       "32",
 457   pages =        "271--295",
 458   numpages =     "25",
 459   year =         "2002",
 460   doi =          "10.1146/annurev.matsci.32.111601.103036",
 461   publisher =    "Annual Reviews",
 462   notes =        "si self interstitial, tbmd, virial stress",
 463 }
 464
 465 @Article{al-mushadani03,
 466   title =        "Free-energy calculations of intrinsic point defects in
 467                  silicon",
 468   author =       "O. K. Al-Mushadani and R. J. Needs",
 469   journal =      "Phys. Rev. B",
 470   volume =       "68",
 471   number =       "23",
 472   pages =        "235205",
 473   numpages =     "8",
 474   year =         "2003",
 475   month =        dec,
 476   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.235205",
 477   publisher =    "American Physical Society",
 478   notes =        "formation energies of intrinisc point defects in
 479                  silicon, si self interstitials, free energy",
 480 }
 481
 482 @Article{goedecker02,
 483   title =        "A Fourfold Coordinated Point Defect in Silicon",
 484   author =       "Stefan Goedecker and Thierry Deutsch and Luc Billard",
 485   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 486   volume =       "88",
 487   number =       "23",
 488   pages =        "235501",
 489   numpages =     "4",
 490   year =         "2002",
 491   month =        may,
 492   doi =          "10.1103/PhysRevLett.88.235501",
 493   publisher =    "American Physical Society",
 494   notes =        "first time ffcd, fourfold coordinated point defect in
 495                  silicon",
 496 }
 497
 498 @Article{hobler05,
 499   title =        "Ab initio calculations of the interaction between
 500                  native point defects in silicon",
 501   journal =      "Materials Science and Engineering: B",
 502   volume =       "124-125",
 503   number =       "",
 504   pages =        "368--371",
 505   year =         "2005",
 506   note =         "EMRS 2005, Symposium D - Materials Science and Device
 507                  Issues for Future Technologies",
 508   ISSN =         "0921-5107",
 509   doi =          "DOI: 10.1016/j.mseb.2005.08.072",
 510   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXF-4H6PKRB-3/2/e217bd3d7ee1fffee899eeb4a2f133a4",
 511   author =       "G. Hobler and G. Kresse",
 512   notes =        "vasp intrinsic si defect interaction study, capture
 513                  radius",
 514 }
 515
 516 @Article{ma10,
 517   title =        "Ab initio study of self-diffusion in silicon over a
 518                  wide temperature range: Point defect states and
 519                  migration mechanisms",
 520   author =       "Shangyi Ma and Shaoqing Wang",
 521   journal =      "Phys. Rev. B",
 522   volume =       "81",
 523   number =       "19",
 524   pages =        "193203",
 525   numpages =     "4",
 526   year =         "2010",
 527   month =        may,
 528   doi =          "10.1103/PhysRevB.81.193203",
 529   publisher =    "American Physical Society",
 530   notes =        "si self interstitial diffusion + refs",
 531 }
 532
 533 @Article{posselt06,
 534   title =        "Atomistic simulations on the thermal stability of the
 535                  antisite pair in 3{C}- and 4{H}-Si{C}",
 536   author =       "M. Posselt and F. Gao and W. J. Weber",
 537   journal =      "Phys. Rev. B",
 538   volume =       "73",
 539   number =       "12",
 540   pages =        "125206",
 541   numpages =     "8",
 542   year =         "2006",
 543   month =        mar,
 544   doi =          "10.1103/PhysRevB.73.125206",
 545   publisher =    "American Physical Society",
 546 }
 547
 548 @Article{posselt08,
 549   title =        "Correlation between self-diffusion in Si and the
 550                  migration mechanisms of vacancies and
 551                  self-interstitials: An atomistic study",
 552   author =       "M. Posselt and F. Gao and H. Bracht",
 553   journal =      "Phys. Rev. B",
 554   volume =       "78",
 555   number =       "3",
 556   pages =        "035208",
 557   numpages =     "9",
 558   year =         "2008",
 559   month =        jul,
 560   doi =          "10.1103/PhysRevB.78.035208",
 561   publisher =    "American Physical Society",
 562   notes =        "si self-interstitial and vacancy diffusion, stillinger
 563                  weber and tersoff",
 564 }
 565
 566 @Article{gao2001,
 567   title =        "Ab initio and empirical-potential studies of defect
 568                  properties in $3{C}-Si{C}$",
 569   author =       "F. Gao and E. J. Bylaska and W. J. Weber and L. R.
 570                  Corrales",
 571   journal =      "Phys. Rev. B",
 572   volume =       "64",
 573   number =       "24",
 574   pages =        "245208",
 575   numpages =     "7",
 576   year =         "2001",
 577   month =        dec,
 578   doi =          "10.1103/PhysRevB.64.245208",
 579   publisher =    "American Physical Society",
 580   notes =        "defects in 3c-sic",
 581 }
 582
 583 @Article{gao02,
 584   title =        "Empirical potential approach for defect properties in
 585                  3{C}-Si{C}",
 586   journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
 587                  Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
 588   volume =       "191",
 589   number =       "1-4",
 590   pages =        "504--508",
 591   year =         "2002",
 592   note =         "",
 593   ISSN =         "0168-583X",
 594   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(02)00600-6",
 595   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-453NR6B-G/2/e65b0730e94e13d66f72a2147b449ea7",
 596   author =       "Fei Gao and William J. Weber",
 597   keywords =     "Empirical potential",
 598   keywords =     "Defect properties",
 599   keywords =     "Silicon carbide",
 600   keywords =     "Computer simulation",
 601   notes =        "sic potential, brenner type, like erhart/albe",
 602 }
 603
 604 @Article{gao04,
 605   title =        "Atomistic study of intrinsic defect migration in
 606                  3{C}-Si{C}",
 607   author =       "Fei Gao and William J. Weber and M. Posselt and V.
 608                  Belko",
 609   journal =      "Phys. Rev. B",
 610   volume =       "69",
 611   number =       "24",
 612   pages =        "245205",
 613   numpages =     "5",
 614   year =         "2004",
 615   month =        jun,
 616   doi =          "10.1103/PhysRevB.69.245205",
 617   publisher =    "American Physical Society",
 618   notes =        "defect migration in sic",
 619 }
 620
 621 @Article{gao07,
 622   author =       "F. Gao and J. Du and E. J. Bylaska and M. Posselt and
 623                  W. J. Weber",
 624   collaboration = "",
 625   title =        "Ab Initio atomic simulations of antisite pair recovery
 626                  in cubic silicon carbide",
 627   publisher =    "AIP",
 628   year =         "2007",
 629   journal =      "Applied Physics Letters",
 630   volume =       "90",
 631   number =       "22",
 632   eid =          "221915",
 633   numpages =     "3",
 634   pages =        "221915",
 635   keywords =     "ab initio calculations; silicon compounds; antisite
 636                  defects; wide band gap semiconductors; molecular
 637                  dynamics method; density functional theory;
 638                  electron-hole recombination; photoluminescence;
 639                  impurities; diffusion",
 640   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/90/221915/1",
 641   doi =          "10.1063/1.2743751",
 642 }
 643
 644 @Article{mattoni2002,
 645   title =        "Self-interstitial trapping by carbon complexes in
 646                  crystalline silicon",
 647   author =       "A. Mattoni and F. Bernardini and L. Colombo",
 648   journal =      "Phys. Rev. B",
 649   volume =       "66",
 650   number =       "19",
 651   pages =        "195214",
 652   numpages =     "6",
 653   year =         "2002",
 654   month =        nov,
 655   doi =          "10.1103/PhysRevB.66.195214",
 656   publisher =    "American Physical Society",
 657   notes =        "c in c-si, diffusion, interstitial configuration +
 658                  links, interaction of carbon and silicon interstitials,
 659                  tersoff suitability",
 660 }
 661
 662 @Article{leung99,
 663   title =        "Calculations of Silicon Self-Interstitial Defects",
 664   author =       "W.-K. Leung and R. J. Needs and G. Rajagopal and S.
 665                  Itoh and S. Ihara",
 666   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 667   volume =       "83",
 668   number =       "12",
 669   pages =        "2351--2354",
 670   numpages =     "3",
 671   year =         "1999",
 672   month =        sep,
 673   doi =          "10.1103/PhysRevLett.83.2351",
 674   publisher =    "American Physical Society",
 675   notes =        "nice images of the defects, si defect overview +
 676                  refs",
 677 }
 678
 679 @Article{capaz94,
 680   title =        "Identification of the migration path of interstitial
 681                  carbon in silicon",
 682   author =       "R. B. Capaz and A. {Dal Pino} and J. D. Joannopoulos",
 683   journal =      "Phys. Rev. B",
 684   volume =       "50",
 685   number =       "11",
 686   pages =        "7439--7442",
 687   numpages =     "3",
 688   year =         "1994",
 689   month =        sep,
 690   doi =          "10.1103/PhysRevB.50.7439",
 691   publisher =    "American Physical Society",
 692   notes =        "carbon interstitial migration path shown, 001 c-si
 693                  dumbbell",
 694 }
 695
 696 @Article{capaz98,
 697   title =        "Theory of carbon-carbon pairs in silicon",
 698   author =       "R. B. Capaz and A. {Dal Pino} and J. D. Joannopoulos",
 699   journal =      "Phys. Rev. B",
 700   volume =       "58",
 701   number =       "15",
 702   pages =        "9845--9850",
 703   numpages =     "5",
 704   year =         "1998",
 705   month =        oct,
 706   doi =          "10.1103/PhysRevB.58.9845",
 707   publisher =    "American Physical Society",
 708   notes =        "carbon pairs in si",
 709 }
 710
 711 @Article{dal_pino93,
 712   title =        "Ab initio investigation of carbon-related defects in
 713                  silicon",
 714   author =       "A. {Dal Pino} and Andrew M. Rappe and J. D.
 715                  Joannopoulos",
 716   journal =      "Phys. Rev. B",
 717   volume =       "47",
 718   number =       "19",
 719   pages =        "12554--12557",
 720   numpages =     "3",
 721   year =         "1993",
 722   month =        may,
 723   doi =          "10.1103/PhysRevB.47.12554",
 724   publisher =    "American Physical Society",
 725   notes =        "c interstitials in crystalline silicon",
 726 }
 727
 728 @Article{car84,
 729   title =        "Microscopic Theory of Atomic Diffusion Mechanisms in
 730                  Silicon",
 731   author =       "Roberto Car and Paul J. Kelly and Atsushi Oshiyama and
 732                  Sokrates T. Pantelides",
 733   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 734   volume =       "52",
 735   number =       "20",
 736   pages =        "1814--1817",
 737   numpages =     "3",
 738   year =         "1984",
 739   month =        may,
 740   doi =          "10.1103/PhysRevLett.52.1814",
 741   publisher =    "American Physical Society",
 742   notes =        "microscopic theory diffusion silicon dft migration
 743                  path formation",
 744 }
 745
 746 @Article{car85,
 747   title =        "Unified Approach for Molecular Dynamics and
 748                  Density-Functional Theory",
 749   author =       "R. Car and M. Parrinello",
 750   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 751   volume =       "55",
 752   number =       "22",
 753   pages =        "2471--2474",
 754   numpages =     "3",
 755   year =         "1985",
 756   month =        nov,
 757   doi =          "10.1103/PhysRevLett.55.2471",
 758   publisher =    "American Physical Society",
 759   notes =        "car parrinello method, dft and md",
 760 }
 761
 762 @Article{kelires97,
 763   title =        "Short-range order, bulk moduli, and physical trends in
 764                  c-$Si1-x$$Cx$ alloys",
 765   author =       "P. C. Kelires",
 766   journal =      "Phys. Rev. B",
 767   volume =       "55",
 768   number =       "14",
 769   pages =        "8784--8787",
 770   numpages =     "3",
 771   year =         "1997",
 772   month =        apr,
 773   doi =          "10.1103/PhysRevB.55.8784",
 774   publisher =    "American Physical Society",
 775   notes =        "c strained si, montecarlo md, bulk moduli, next
 776                  neighbour dist",
 777 }
 778
 779 @Article{kelires95,
 780   title =        "Monte Carlo Studies of Ternary Semiconductor Alloys:
 781                  Application to the $Si1-x-yGexCy$ System",
 782   author =       "P. C. Kelires",
 783   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 784   volume =       "75",
 785   number =       "6",
 786   pages =        "1114--1117",
 787   numpages =     "3",
 788   year =         "1995",
 789   month =        aug,
 790   doi =          "10.1103/PhysRevLett.75.1114",
 791   publisher =    "American Physical Society",
 792   notes =        "mc md, strain compensation in si ge by c insertion",
 793 }
 794
 795 @Article{bean70,
 796   title =        "Low temperature electron irradiation of silicon
 797                  containing carbon",
 798   journal =      "Solid State Communications",
 799   volume =       "8",
 800   number =       "3",
 801   pages =        "175--177",
 802   year =         "1970",
 803   note =         "",
 804   ISSN =         "0038-1098",
 805   doi =          "DOI: 10.1016/0038-1098(70)90074-8",
 806   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVW-46MF8S4-156/2/5f4d9c189a3d97227fde9214195aa081",
 807   author =       "A. R. Bean and R. C. Newman",
 808 }
 809
 810 @Article{watkins76,
 811   title =        "{EPR} Observation of the Isolated Interstitial Carbon
 812                  Atom in Silicon",
 813   author =       "G. D. Watkins and K. L. Brower",
 814   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 815   volume =       "36",
 816   number =       "22",
 817   pages =        "1329--1332",
 818   numpages =     "3",
 819   year =         "1976",
 820   month =        may,
 821   doi =          "10.1103/PhysRevLett.36.1329",
 822   publisher =    "American Physical Society",
 823   notes =        "epr observations of 100 interstitial carbon atom in
 824                  silicon",
 825 }
 826
 827 @Article{song90,
 828   title =        "{EPR} identification of the single-acceptor state of
 829                  interstitial carbon in silicon",
 830   author =       "L. W. Song and G. D. Watkins",
 831   journal =      "Phys. Rev. B",
 832   volume =       "42",
 833   number =       "9",
 834   pages =        "5759--5764",
 835   numpages =     "5",
 836   year =         "1990",
 837   month =        sep,
 838   doi =          "10.1103/PhysRevB.42.5759",
 839   publisher =    "American Physical Society",
 840   notes =        "carbon diffusion in silicon",
 841 }
 842
 843 @Article{tipping87,
 844   author =       "A K Tipping and R C Newman",
 845   title =        "The diffusion coefficient of interstitial carbon in
 846                  silicon",
 847   journal =      "Semiconductor Science and Technology",
 848   volume =       "2",
 849   number =       "5",
 850   pages =        "315--317",
 851   URL =          "http://stacks.iop.org/0268-1242/2/315",
 852   year =         "1987",
 853   notes =        "diffusion coefficient of carbon interstitials in
 854                  silicon",
 855 }
 856
 857 @Article{strane96,
 858   title =        "Carbon incorporation into Si at high concentrations by
 859                  ion implantation and solid phase epitaxy",
 860   author =       "J. W. Strane and S. R. Lee and H. J. Stein and S. T.
 861                  Picraux and J. K. Watanabe and J. W. Mayer",
 862   journal =      "J. Appl. Phys.",
 863   volume =       "79",
 864   pages =        "637",
 865   year =         "1996",
 866   month =        jan,
 867   doi =          "10.1063/1.360806",
 868   notes =        "strained silicon, carbon supersaturation",
 869 }
 870
 871 @Article{laveant2002,
 872   title =        "Epitaxy of carbon-rich silicon with {MBE}",
 873   journal =      "Materials Science and Engineering B",
 874   volume =       "89",
 875   number =       "1-3",
 876   pages =        "241--245",
 877   year =         "2002",
 878   ISSN =         "0921-5107",
 879   doi =          "DOI: 10.1016/S0921-5107(01)00794-2",
 880   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXF-44YVPGS-1V/2/024ece074ad18ebbec62a39a2510a268",
 881   author =       "P. Lav\'eant and G. Gerth and P. Werner and U.
 882                  G{\"{o}}sele",
 883   notes =        "low c in si, tensile stress to compensate compressive
 884                  stress, avoid sic precipitation",
 885 }
 886
 887 @Article{werner97,
 888   author =       "P. Werner and S. Eichler and G. Mariani and R.
 889                  K{\"{o}}gler and W. Skorupa",
 890   title =        "Investigation of {C}[sub x]Si defects in {C} implanted
 891                  silicon by transmission electron microscopy",
 892   publisher =    "AIP",
 893   year =         "1997",
 894   journal =      "Applied Physics Letters",
 895   volume =       "70",
 896   number =       "2",
 897   pages =        "252--254",
 898   keywords =     "silicon; ion implantation; carbon; crystal defects;
 899                  transmission electron microscopy; annealing; positron
 900                  annihilation; secondary ion mass spectroscopy; buried
 901                  layers; precipitation",
 902   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/70/252/1",
 903   doi =          "10.1063/1.118381",
 904   notes =        "si-c complexes, agglomerate, sic in si matrix, sic
 905                  precipitate",
 906 }
 907
 908 @InProceedings{werner96,
 909   author =       "P. Werner and R. K{\"{o}}gler and W. Skorupa and D.
 910                  Eichler",
 911   booktitle =    "Ion Implantation Technology. Proceedings of the 11th
 912                  International Conference on",
 913   title =        "{TEM} investigation of {C}-Si defects in carbon
 914                  implanted silicon",
 915   year =         "1996",
 916   month =        jun,
 917   volume =       "",
 918   number =       "",
 919   pages =        "675--678",
 920   keywords =     "beta;-SiC precipitates;30 s;700 to 1300 C;C
 921                  atom/radiation induced defect interaction;C depth
 922                  distribution;C precipitation;C-Si defects;C-Si
 923                  dimers;CZ Si;HREM;Si:C;TEM;buried layer morphology;high
 924                  energy ion implantation;ion implantation;metastable
 925                  agglomerates;microdefects;positron annihilation
 926                  spectroscopy;rapid thermal annealing;secondary ion mass
 927                  spectrometry;vacancy clusters;buried
 928                  layers;carbon;elemental semiconductors;impurity-defect
 929                  interactions;ion implantation;positron
 930                  annihilation;precipitation;rapid thermal
 931                  annealing;secondary ion mass
 932                  spectra;silicon;transmission electron
 933                  microscopy;vacancies (crystal);",
 934   doi =          "10.1109/IIT.1996.586497",
 935   ISSN =         "",
 936   notes =        "c-si agglomerates dumbbells",
 937 }
 938
 939 @Article{strane94,
 940   author =       "J. W. Strane and H. J. Stein and S. R. Lee and S. T.
 941                  Picraux and J. K. Watanabe and J. W. Mayer",
 942   collaboration = "",
 943   title =        "Precipitation and relaxation in strained Si[sub 1 -
 944                  y]{C}[sub y]/Si heterostructures",
 945   publisher =    "AIP",
 946   year =         "1994",
 947   journal =      "Journal of Applied Physics",
 948   volume =       "76",
 949   number =       "6",
 950   pages =        "3656--3668",
 951   keywords =     "SILICON CARBIDES; SILICON; PRECIPITATION; STRAINS",
 952   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/76/3656/1",
 953   doi =          "10.1063/1.357429",
 954   notes =        "strained si-c to 3c-sic, carbon nucleation + refs,
 955                  precipitation by substitutional carbon, coherent prec,
 956                  coherent to incoherent transition strain vs interface
 957                  energy",
 958 }
 959
 960 @Article{fischer95,
 961   author =       "G. G. Fischer and P. Zaumseil and E. Bugiel and H. J.
 962                  Osten",
 963   collaboration = "",
 964   title =        "Investigation of the high temperature behavior of
 965                  strained Si[sub 1 - y]{C}[sub y] /Si heterostructures",
 966   publisher =    "AIP",
 967   year =         "1995",
 968   journal =      "Journal of Applied Physics",
 969   volume =       "77",
 970   number =       "5",
 971   pages =        "1934--1937",
 972   keywords =     "SILICON CARBIDES; SILICON; HETEROSTRUCTURES; STRAINS;
 973                  XRD; MOLECULAR BEAM EPITAXY; STABILITY; TENSILE
 974                  PROPERTIES; EPITAXIAL LAYERS; ANNEALING; PRECIPITATION;
 975                  TEMPERATURE RANGE 04001000 K",
 976   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/77/1934/1",
 977   doi =          "10.1063/1.358826",
 978 }
 979
 980 @Article{edgar92,
 981   title =        "Prospects for device implementation of wide band gap
 982                  semiconductors",
 983   author =       "J. H. Edgar",
 984   journal =      "J. Mater. Res.",
 985   volume =       "7",
 986   pages =        "235",
 987   year =         "1992",
 988   month =        jan,
 989   doi =          "10.1557/JMR.1992.0235",
 990   notes =        "properties wide band gap semiconductor, sic
 991                  polytypes",
 992 }
 993
 994 @Article{zirkelbach2007,
 995   title =        "Monte Carlo simulation study of a selforganisation
 996                  process leading to ordered precipitate structures",
 997   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
 998                  and B. Stritzker",
 999   journal =      "Nucl. Instr. and Meth. B",
1000   volume =       "257",
1001   number =       "1--2",
1002   pages =        "75--79",
1003   numpages =     "5",
1004   year =         "2007",
1005   month =        apr,
1006   doi =          "doi:10.1016/j.nimb.2006.12.118",
1007   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
1008                  NETHERLANDS",
1009 }
1010
1011 @Article{zirkelbach2006,
1012   title =        "Monte-Carlo simulation study of the self-organization
1013                  of nanometric amorphous precipitates in regular arrays
1014                  during ion irradiation",
1015   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
1016                  and B. Stritzker",
1017   journal =      "Nucl. Instr. and Meth. B",
1018   volume =       "242",
1019   number =       "1--2",
1020   pages =        "679--682",
1021   numpages =     "4",
1022   year =         "2006",
1023   month =        jan,
1024   doi =          "doi:10.1016/j.nimb.2005.08.162",
1025   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
1026                  NETHERLANDS",
1027 }
1028
1029 @Article{zirkelbach2005,
1030   title =        "Modelling of a selforganization process leading to
1031                  periodic arrays of nanometric amorphous precipitates by
1032                  ion irradiation",
1033   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
1034                  and B. Stritzker",
1035   journal =      "Comp. Mater. Sci.",
1036   volume =       "33",
1037   number =       "1--3",
1038   pages =        "310--316",
1039   numpages =     "7",
1040   year =         "2005",
1041   month =        apr,
1042   doi =          "doi:10.1016/j.commatsci.2004.12.016",
1043   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
1044                  NETHERLANDS",
1045 }
1046
1047 @Article{zirkelbach09,
1048   title =        "Molecular dynamics simulation of defect formation and
1049                  precipitation in heavily carbon doped silicon",
1050   journal =      "Materials Science and Engineering: B",
1051   volume =       "159-160",
1052   number =       "",
1053   pages =        "149--152",
1054   year =         "2009",
1055   note =         "EMRS 2008 Spring Conference Symposium K: Advanced
1056                  Silicon Materials Research for Electronic and
1057                  Photovoltaic Applications",
1058   ISSN =         "0921-5107",
1059   doi =          "DOI: 10.1016/j.mseb.2008.10.010",
1060   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXF-4TX1547-2/2/cb9f4921f324735087020ccce7843e39",
1061   author =       "F. Zirkelbach and J. K. N. Lindner and K. Nordlund and
1062                  B. Stritzker",
1063   keywords =     "Silicon",
1064   keywords =     "Carbon",
1065   keywords =     "Silicon carbide",
1066   keywords =     "Nucleation",
1067   keywords =     "Defect formation",
1068   keywords =     "Molecular dynamics simulations",
1069 }
1070
1071 @Article{zirkelbach10a,
1072   title =        "Defects in Carbon implanted Silicon calculated by
1073                  classical potentials and first principles methods",
1074   journal =      "to be published",
1075   volume =       "",
1076   number =       "",
1077   pages =        "",
1078   year =         "2010",
1079   author =       "F. Zirkelbach and B. Stritzker and K. Nordlund and J.
1080                  K. N. Lindner and W. G. Schmidtd and E. Rauls",
1081 }
1082
1083 @Article{zirkelbach10b,
1084   title =        "Extensive first principles study of carbon defects in
1085                  silicon",
1086   journal =      "to be published",
1087   volume =       "",
1088   number =       "",
1089   pages =        "",
1090   year =         "2010",
1091   author =       "F. Zirkelbach and B. Stritzker and K. Nordlund and J.
1092                  K. N. Lindner and W. G. Schmidtd and E. Rauls",
1093 }
1094
1095 @Article{zirkelbach10c,
1096   title =        "...",
1097   journal =      "to be published",
1098   volume =       "",
1099   number =       "",
1100   pages =        "",
1101   year =         "2010",
1102   author =       "F. Zirkelbach and B. Stritzker and K. Nordlund and J.
1103                  K. N. Lindner and W. G. Schmidtd and E. Rauls",
1104 }
1105
1106 @Article{lindner99,
1107   title =        "Controlling the density distribution of Si{C}
1108                  nanocrystals for the ion beam synthesis of buried Si{C}
1109                  layers in silicon",
1110   journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
1111                  Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
1112   volume =       "147",
1113   number =       "1-4",
1114   pages =        "249--255",
1115   year =         "1999",
1116   note =         "",
1117   ISSN =         "0168-583X",
1118   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00598-9",
1119   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3YMWWDY-1H/2/ad53e614f783b2a7474aecb936dd0169",
1120   author =       "J. K. N. Lindner and B. Stritzker",
1121   notes =        "two-step implantation process",
1122 }
1123
1124 @Article{lindner99_2,
1125   title =        "Mechanisms in the ion beam synthesis of Si{C} layers
1126                  in silicon",
1127   journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
1128                  Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
1129   volume =       "148",
1130   number =       "1-4",
1131   pages =        "528--533",
1132   year =         "1999",
1133   ISSN =         "0168-583X",
1134   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00787-3",
1135   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3XGFSSH-3H/2/17d138baa6db68cb279e6de9161e5f85",
1136   author =       "J. K. N. Lindner and B. Stritzker",
1137   notes =        "3c-sic precipitation model, c-si dimers (dumbbells)",
1138 }
1139
1140 @Article{lindner01,
1141   title =        "Ion beam synthesis of buried Si{C} layers in silicon:
1142                  Basic physical processes",
1143   journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
1144                  Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
1145   volume =       "178",
1146   number =       "1-4",
1147   pages =        "44--54",
1148   year =         "2001",
1149   note =         "",
1150   ISSN =         "0168-583X",
1151   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(01)00504-3",
1152   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-435KG96-8/2/f222574d8945c3fd7aaf9ae1efdd37b3",
1153   author =       "J{\"{o}}rg K. N. Lindner",
1154 }
1155
1156 @Article{lindner02,
1157   title =        "High-dose carbon implantations into silicon:
1158                  fundamental studies for new technological tricks",
1159   author =       "J. K. N. Lindner",
1160   journal =      "Appl. Phys. A",
1161   volume =       "77",
1162   pages =        "27--38",
1163   year =         "2003",
1164   doi =          "10.1007/s00339-002-2062-8",
1165   notes =        "ibs, burried sic layers",
1166 }
1167
1168 @Article{lindner06,
1169   title =        "On the balance between ion beam induced nanoparticle
1170                  formation and displacive precipitate resolution in the
1171                  {C}-Si system",
1172   journal =      "Materials Science and Engineering: C",
1173   volume =       "26",
1174   number =       "5-7",
1175   pages =        "857--861",
1176   year =         "2006",
1177   note =         "Current Trends in Nanoscience - from Materials to
1178                  Applications",
1179   ISSN =         "0928-4931",
1180   doi =          "DOI: 10.1016/j.msec.2005.09.099",
1181   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXG-4HSXVVM-1/2/5b0e351198cc2e8f5f4446a80a73d04a",
1182   author =       "J. K. N. Lindner and M. Häberlen and G. Thorwarth and
1183                  B. Stritzker",
1184   notes =        "c int diffusion barrier",
1185 }
1186
1187 @Article{ito04,
1188   title =        "Ion beam synthesis of 3{C}-Si{C} layers in Si and its
1189                  application in buffer layer for Ga{N} epitaxial
1190                  growth",
1191   journal =      "Applied Surface Science",
1192   volume =       "238",
1193   number =       "1-4",
1194   pages =        "159--164",
1195   year =         "2004",
1196   note =         "APHYS'03 Special Issue",
1197   ISSN =         "0169-4332",
1198   doi =          "DOI: 10.1016/j.apsusc.2004.05.199",
1199   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6THY-4CTTNGX-B/2/d24ee637db87f3f1a6ef7fe6820f267c",
1200   author =       "Y. Ito and T. Yamauchi and A. Yamamoto and M. Sasase
1201                  and S. Nishio and K. Yasuda and Y. Ishigami",
1202   notes =        "gan on 3c-sic",
1203 }
1204
1205 @Article{alder57,
1206   author =       "B. J. Alder and T. E. Wainwright",
1207   title =        "Phase Transition for a Hard Sphere System",
1208   publisher =    "AIP",
1209   year =         "1957",
1210   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
1211   volume =       "27",
1212   number =       "5",
1213   pages =        "1208--1209",
1214   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/27/1208/1",
1215   doi =          "10.1063/1.1743957",
1216 }
1217
1218 @Article{alder59,
1219   author =       "B. J. Alder and T. E. Wainwright",
1220   title =        "Studies in Molecular Dynamics. {I}. General Method",
1221   publisher =    "AIP",
1222   year =         "1959",
1223   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
1224   volume =       "31",
1225   number =       "2",
1226   pages =        "459--466",
1227   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/31/459/1",
1228   doi =          "10.1063/1.1730376",
1229 }
1230
1231 @Article{tersoff_si1,
1232   title =        "New empirical model for the structural properties of
1233                  silicon",
1234   author =       "J. Tersoff",
1235   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1236   volume =       "56",
1237   number =       "6",
1238   pages =        "632--635",
1239   numpages =     "3",
1240   year =         "1986",
1241   month =        feb,
1242   doi =          "10.1103/PhysRevLett.56.632",
1243   publisher =    "American Physical Society",
1244 }
1245
1246 @Article{tersoff_si2,
1247   title =        "New empirical approach for the structure and energy of
1248                  covalent systems",
1249   author =       "J. Tersoff",
1250   journal =      "Phys. Rev. B",
1251   volume =       "37",
1252   number =       "12",
1253   pages =        "6991--7000",
1254   numpages =     "9",
1255   year =         "1988",
1256   month =        apr,
1257   doi =          "10.1103/PhysRevB.37.6991",
1258   publisher =    "American Physical Society",
1259 }
1260
1261 @Article{tersoff_si3,
1262   title =        "Empirical interatomic potential for silicon with
1263                  improved elastic properties",
1264   author =       "J. Tersoff",
1265   journal =      "Phys. Rev. B",
1266   volume =       "38",
1267   number =       "14",
1268   pages =        "9902--9905",
1269   numpages =     "3",
1270   year =         "1988",
1271   month =        nov,
1272   doi =          "10.1103/PhysRevB.38.9902",
1273   publisher =    "American Physical Society",
1274 }
1275
1276 @Article{tersoff_c,
1277   title =        "Empirical Interatomic Potential for Carbon, with
1278                  Applications to Amorphous Carbon",
1279   author =       "J. Tersoff",
1280   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1281   volume =       "61",
1282   number =       "25",
1283   pages =        "2879--2882",
1284   numpages =     "3",
1285   year =         "1988",
1286   month =        dec,
1287   doi =          "10.1103/PhysRevLett.61.2879",
1288   publisher =    "American Physical Society",
1289 }
1290
1291 @Article{tersoff_m,
1292   title =        "Modeling solid-state chemistry: Interatomic potentials
1293                  for multicomponent systems",
1294   author =       "J. Tersoff",
1295   journal =      "Phys. Rev. B",
1296   volume =       "39",
1297   number =       "8",
1298   pages =        "5566--5568",
1299   numpages =     "2",
1300   year =         "1989",
1301   month =        mar,
1302   doi =          "10.1103/PhysRevB.39.5566",
1303   publisher =    "American Physical Society",
1304 }
1305
1306 @Article{tersoff90,
1307   title =        "Carbon defects and defect reactions in silicon",
1308   author =       "J. Tersoff",
1309   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1310   volume =       "64",
1311   number =       "15",
1312   pages =        "1757--1760",
1313   numpages =     "3",
1314   year =         "1990",
1315   month =        apr,
1316   doi =          "10.1103/PhysRevLett.64.1757",
1317   publisher =    "American Physical Society",
1318 }
1319
1320 @Article{fahey89,
1321   title =        "Point defects and dopant diffusion in silicon",
1322   author =       "P. M. Fahey and P. B. Griffin and J. D. Plummer",
1323   journal =      "Rev. Mod. Phys.",
1324   volume =       "61",
1325   number =       "2",
1326   pages =        "289--384",
1327   numpages =     "95",
1328   year =         "1989",
1329   month =        apr,
1330   doi =          "10.1103/RevModPhys.61.289",
1331   publisher =    "American Physical Society",
1332 }
1333
1334 @Article{wesch96,
1335   title =        "Silicon carbide: synthesis and processing",
1336   journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
1337                  Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
1338   volume =       "116",
1339   number =       "1-4",
1340   pages =        "305--321",
1341   year =         "1996",
1342   note =         "Radiation Effects in Insulators",
1343   ISSN =         "0168-583X",
1344   doi =          "DOI: 10.1016/0168-583X(96)00065-1",
1345   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3VXHNFT-C7/2/4216cb1ec9e422c22de5fed7360fb06e",
1346   author =       "W. Wesch",
1347 }
1348
1349 @Article{morkoc94,
1350   author =       "H. Morko\c{c} and S. Strite and G. B. Gao and M. E.
1351                  Lin and B. Sverdlov and M. Burns",
1352   collaboration = "",
1353   title =        "Large-band-gap Si{C}, {III}-{V} nitride, and {II}-{VI}
1354                  ZnSe-based semiconductor device technologies",
1355   publisher =    "AIP",
1356   year =         "1994",
1357   journal =      "Journal of Applied Physics",
1358   volume =       "76",
1359   number =       "3",
1360   pages =        "1363--1398",
1361   keywords =     "SEMICONDUCTOR DEVICES; SILICON CARBIDES; GALLIUM
1362                  NITRIDES; ZINC SELENIDES; SUBSTRATES; MOS JUNCTIONS;
1363                  LASER MATERIALS; MATERIALS; REVIEWS; ENERGY GAP; THIN
1364                  FILMS; INDUSTRY",
1365   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/76/1363/1",
1366   doi =          "10.1063/1.358463",
1367   notes =        "sic intro, properties",
1368 }
1369
1370 @Article{neudeck95,
1371   author =       "P. G. Neudeck",
1372   title =        "{PROGRESS} {IN} {SILICON}-{CARBIDE} {SEMICONDUCTOR}
1373                  {ELECTRONICS} {TECHNOLOGY}",
1374   journal =      "Journal of Electronic Materials",
1375   year =         "1995",
1376   volume =       "24",
1377   number =       "4",
1378   pages =        "283--288",
1379   month =        apr,
1380 }
1381
1382 @Article{foo,
1383   author =       "Noch Unbekannt",
1384   title =        "How to find references",
1385   journal =      "Journal of Applied References",
1386   year =         "2009",
1387   volume =       "77",
1388   pages =        "1--23",
1389 }
1390
1391 @Article{tang95,
1392   title =        "Atomistic simulation of thermomechanical properties of
1393                  \beta{}-Si{C}",
1394   author =       "Meijie Tang and Sidney Yip",
1395   journal =      "Phys. Rev. B",
1396   volume =       "52",
1397   number =       "21",
1398   pages =        "15150--15159",
1399   numpages =     "9",
1400   year =         "1995",
1401   doi =          "10.1103/PhysRevB.52.15150",
1402   notes =        "modified tersoff, scale cutoff with volume, promising
1403                  tersoff reparametrization",
1404   publisher =    "American Physical Society",
1405 }
1406
1407 @Article{sarro00,
1408   title =        "Silicon carbide as a new {MEMS} technology",
1409   journal =      "Sensors and Actuators A: Physical",
1410   volume =       "82",
1411   number =       "1-3",
1412   pages =        "210--218",
1413   year =         "2000",
1414   ISSN =         "0924-4247",
1415   doi =          "DOI: 10.1016/S0924-4247(99)00335-0",
1416   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6THG-406VM55-13/2/75385a587669b215d9ef88029a93fd59",
1417   author =       "Pasqualina M. Sarro",
1418   keywords =     "MEMS",
1419   keywords =     "Silicon carbide",
1420   keywords =     "Micromachining",
1421   keywords =     "Mechanical stress",
1422 }
1423
1424 @Article{casady96,
1425   title =        "Status of silicon carbide (Si{C}) as a wide-bandgap
1426                  semiconductor for high-temperature applications: {A}
1427                  review",
1428   journal =      "Solid-State Electronics",
1429   volume =       "39",
1430   number =       "10",
1431   pages =        "1409--1422",
1432   year =         "1996",
1433   ISSN =         "0038-1101",
1434   doi =          "DOI: 10.1016/0038-1101(96)00045-7",
1435   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TY5-3VSR9J0-1/2/a871c11636e937dc45bfdf48e29f725b",
1436   author =       "J. B. Casady and R. W. Johnson",
1437   notes =        "sic intro",
1438 }
1439
1440 @Article{giancarli98,
1441   title =        "Design requirements for Si{C}/Si{C} composites
1442                  structural material in fusion power reactor blankets",
1443   journal =      "Fusion Engineering and Design",
1444   volume =       "41",
1445   number =       "1-4",
1446   pages =        "165--171",
1447   year =         "1998",
1448   ISSN =         "0920-3796",
1449   doi =          "DOI: 10.1016/S0920-3796(97)00200-7",
1450   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6V3C-3V8RYK8-T/2/16949194114900fd1330f79892d7a7be",
1451   author =       "L. Giancarli and J. P. Bonal and A. Caso and G. Le
1452                  Marois and N. B. Morley and J. F. Salavy",
1453 }
1454
1455 @Article{pensl93,
1456   title =        "Electrical and optical characterization of Si{C}",
1457   journal =      "Physica B: Condensed Matter",
1458   volume =       "185",
1459   number =       "1-4",
1460   pages =        "264--283",
1461   year =         "1993",
1462   ISSN =         "0921-4526",
1463   doi =          "DOI: 10.1016/0921-4526(93)90249-6",
1464   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVH-46G8HRX-99/2/eab9398bf2bbf10df3ae42c2ab28a776",
1465   author =       "G. Pensl and W. J. Choyke",
1466 }
1467
1468 @Article{tairov78,
1469   title =        "Investigation of growth processes of ingots of silicon
1470                  carbide single crystals",
1471   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1472   volume =       "43",
1473   number =       "2",
1474   pages =        "209--212",
1475   year =         "1978",
1476   notes =        "modified lely process",
1477   ISSN =         "0022-0248",
1478   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(78)90169-0",
1479   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46BY2NR-7S/2/fa6fee78ebd8322491f6366e72d5b6dc",
1480   author =       "Yu. M. Tairov and V. F. Tsvetkov",
1481 }
1482
1483 @Article{nishino83,
1484   author =       "Shigehiro Nishino and J. Anthony Powell and Herbert A.
1485                  Will",
1486   collaboration = "",
1487   title =        "Production of large-area single-crystal wafers of
1488                  cubic Si{C} for semiconductor devices",
1489   publisher =    "AIP",
1490   year =         "1983",
1491   journal =      "Applied Physics Letters",
1492   volume =       "42",
1493   number =       "5",
1494   pages =        "460--462",
1495   keywords =     "silicon carbides; layers; chemical vapor deposition;
1496                  monocrystals",
1497   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/42/460/1",
1498   doi =          "10.1063/1.93970",
1499   notes =        "cvd of 3c-sic on si, sic buffer layer",
1500 }
1501
1502 @Article{nishino87,
1503   author =       "Shigehiro Nishino and Hajime Suhara and Hideyuki Ono
1504                  and Hiroyuki Matsunami",
1505   collaboration = "",
1506   title =        "Epitaxial growth and electric characteristics of cubic
1507                  Si{C} on silicon",
1508   publisher =    "AIP",
1509   year =         "1987",
1510   journal =      "Journal of Applied Physics",
1511   volume =       "61",
1512   number =       "10",
1513   pages =        "4889--4893",
1514   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/61/4889/1",
1515   doi =          "10.1063/1.338355",
1516   notes =        "cvd of 3c-sic on si, sic buffer layer, first time
1517                  carbonization",
1518 }
1519
1520 @Article{powell87,
1521   author =       "J. Anthony Powell and Lawrence G. Matus and Maria A.
1522                  Kuczmarski",
1523   title =        "Growth and Characterization of Cubic Si{C}
1524                  Single-Crystal Films on Si",
1525   publisher =    "ECS",
1526   year =         "1987",
1527   journal =      "Journal of The Electrochemical Society",
1528   volume =       "134",
1529   number =       "6",
1530   pages =        "1558--1565",
1531   keywords =     "semiconductor materials; silicon compounds; carbon
1532                  compounds; crystal morphology; electron mobility",
1533   URL =          "http://link.aip.org/link/?JES/134/1558/1",
1534   doi =          "10.1149/1.2100708",
1535   notes =        "blue light emitting diodes (led)",
1536 }
1537
1538 @Article{kimoto93,
1539   author =       "Tsunenobu Kimoto and Hironori Nishino and Woo Sik Yoo
1540                  and Hiroyuki Matsunami",
1541   title =        "Growth mechanism of 6{H}-Si{C} in step-controlled
1542                  epitaxy",
1543   publisher =    "AIP",
1544   year =         "1993",
1545   journal =      "Journal of Applied Physics",
1546   volume =       "73",
1547   number =       "2",
1548   pages =        "726--732",
1549   keywords =     "SILICON CARBIDES; EPITAXY; GROWTH RATE; TEMPERATURE
1550                  RANGE 10004000 K; TWINNING; ACTIVATION ENERGY; CHEMICAL
1551                  VAPOR DEPOSITION",
1552   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/73/726/1",
1553   doi =          "10.1063/1.353329",
1554   notes =        "cvd of 6h-sic on 6h-sic, twinned 3c-sic",
1555 }
1556
1557 @Article{powell90,
1558   author =       "J. A. Powell and D. J. Larkin and L. G. Matus and W.
1559                  J. Choyke and J. L. Bradshaw and L. Henderson and M.
1560                  Yoganathan and J. Yang and P. Pirouz",
1561   collaboration = "",
1562   title =        "Growth of improved quality 3{C}-Si{C} films on
1563                  6{H}-Si{C} substrates",
1564   publisher =    "AIP",
1565   year =         "1990",
1566   journal =      "Applied Physics Letters",
1567   volume =       "56",
1568   number =       "14",
1569   pages =        "1353--1355",
1570   keywords =     "SILICON CARBIDES; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; SORPTIVE
1571                  PROPERTIES; PHOTOLUMINESCENCE; TRANSMISSION ELECTRON
1572                  MICROSCOPY; DEFECT STRUCTURE; STACKING FAULTS; VAPOR
1573                  PHASE EPITAXY",
1574   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/56/1353/1",
1575   doi =          "10.1063/1.102512",
1576   notes =        "cvd of 3c-sic on 6h-sic",
1577 }
1578
1579 @Article{yuan95,
1580   author =       "C. Yuan and A. J. Steckl and J. Chaudhuri and R.
1581                  Thokala and M. J. Loboda",
1582   collaboration = "",
1583   title =        "Reduced temperature growth of crystalline 3{C}-Si{C}
1584                  films on 6{H}-Si{C} by chemical vapor deposition from
1585                  silacyclobutane",
1586   publisher =    "AIP",
1587   year =         "1995",
1588   journal =      "Journal of Applied Physics",
1589   volume =       "78",
1590   number =       "2",
1591   pages =        "1271--1273",
1592   keywords =     "SILICON CARBIDES; THIN FILMS; CVD; EPITAXY; ABSORPTION
1593                  EDGE; CRYSTAL STRUCTURE; STRAINS; DISLOCATIONS; XRD;
1594                  SPECTROPHOTOMETRY",
1595   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/78/1271/1",
1596   doi =          "10.1063/1.360368",
1597   notes =        "3c-sic on 6h-sic, cvd, reduced temperature",
1598 }
1599
1600 @Article{fissel95,
1601   title =        "Epitaxial growth of Si{C} thin films on Si-stabilized
1602                  [alpha]-Si{C}(0001) at low temperatures by solid-source
1603                  molecular beam epitaxy",
1604   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1605   volume =       "154",
1606   number =       "1-2",
1607   pages =        "72--80",
1608   year =         "1995",
1609   ISSN =         "0022-0248",
1610   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(95)00170-0",
1611   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-3Y5MMXM-1N/2/65549019b878bf02d5ec645b7eea9e98",
1612   author =       "A. Fissel and U. Kaiser and E. Ducke and B.
1613                  Schr{\"{o}}ter and W. Richter",
1614   notes =        "solid source mbe of 3c-sic on si and 6h-sic",
1615 }
1616
1617 @Article{fissel95_apl,
1618   author =       "A. Fissel and B. Schr{\"{o}}ter and W. Richter",
1619   collaboration = "",
1620   title =        "Low-temperature growth of Si{C} thin films on Si and
1621                  6{H}--Si{C} by solid-source molecular beam epitaxy",
1622   publisher =    "AIP",
1623   year =         "1995",
1624   journal =      "Applied Physics Letters",
1625   volume =       "66",
1626   number =       "23",
1627   pages =        "3182--3184",
1628   keywords =     "SILICON CARBIDES; MOLECULAR BEAM EPITAXY; MORPHOLOGY;
1629                  RHEED; NUCLEATION",
1630   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/66/3182/1",
1631   doi =          "10.1063/1.113716",
1632   notes =        "mbe 3c-sic on si and 6h-sic",
1633 }
1634
1635 @Article{borders71,
1636   author =       "J. A. Borders and S. T. Picraux and W. Beezhold",
1637   collaboration = "",
1638   title =        "{FORMATION} {OF} Si{C} {IN} {SILICON} {BY} {ION}
1639                  {IMPLANTATION}",
1640   publisher =    "AIP",
1641   year =         "1971",
1642   journal =      "Applied Physics Letters",
1643   volume =       "18",
1644   number =       "11",
1645   pages =        "509--511",
1646   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/18/509/1",
1647   doi =          "10.1063/1.1653516",
1648   notes =        "first time sic by ibs, follow cites for precipitation
1649                  ideas",
1650 }
1651
1652 @Article{reeson87,
1653   author =       "K. J. Reeson and P. L. F. Hemment and J. Stoemenos and
1654                  J. Davis and G. E. Celler",
1655   collaboration = "",
1656   title =        "Formation of buried layers of beta-Si{C} using ion
1657                  beam synthesis and incoherent lamp annealing",
1658   publisher =    "AIP",
1659   year =         "1987",
1660   journal =      "Applied Physics Letters",
1661   volume =       "51",
1662   number =       "26",
1663   pages =        "2242--2244",
1664   keywords =     "SILICON CARBIDES; FILM GROWTH; SOLIDPHASE EPITAXY; ION
1665                  IMPLANTATION; CARBON IONS; DOPING PROFILES; SYNTHESIS",
1666   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/51/2242/1",
1667   doi =          "10.1063/1.98953",
1668   notes =        "nice tem images, sic by ibs",
1669 }
1670
1671 @Article{scace59,
1672   author =       "R. I. Scace and G. A. Slack",
1673   collaboration = "",
1674   title =        "Solubility of Carbon in Silicon and Germanium",
1675   publisher =    "AIP",
1676   year =         "1959",
1677   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
1678   volume =       "30",
1679   number =       "6",
1680   pages =        "1551--1555",
1681   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/30/1551/1",
1682   doi =          "10.1063/1.1730236",
1683   notes =        "solubility of c in c-si, si-c phase diagram",
1684 }
1685
1686 @Article{cowern96,
1687   author =       "N. E. B. Cowern and A. Cacciato and J. S. Custer and
1688                  F. W. Saris and W. Vandervorst",
1689   collaboration = "",
1690   title =        "Role of {C} and {B} clusters in transient diffusion of
1691                  {B} in silicon",
1692   publisher =    "AIP",
1693   year =         "1996",
1694   journal =      "Applied Physics Letters",
1695   volume =       "68",
1696   number =       "8",
1697   pages =        "1150--1152",
1698   keywords =     "ATOMIC CLUSTERS; BORON ADDITIONS; CRYSTAL DOPING;
1699                  DIFFUSION; DOPED MATERIALS; IMPURITIES; INTERSTITIALS;
1700                  SILICON",
1701   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/68/1150/1",
1702   doi =          "10.1063/1.115706",
1703   notes =        "suppression of transient enhanced diffusion (ted)",
1704 }
1705
1706 @Article{stolk95,
1707   title =        "Implantation and transient boron diffusion: the role
1708                  of the silicon self-interstitial",
1709   journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
1710                  Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
1711   volume =       "96",
1712   number =       "1-2",
1713   pages =        "187--195",
1714   year =         "1995",
1715   note =         "Selected Papers of the Tenth International Conference
1716                  on Ion Implantation Technology (IIT '94)",
1717   ISSN =         "0168-583X",
1718   doi =          "DOI: 10.1016/0168-583X(94)00481-1",
1719   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-40WKY1P-29/2/602c6e5b809221323d2d2968edd0a71c",
1720   author =       "P. A. Stolk and H. -J. Gossmann and D. J. Eaglesham
1721                  and J. M. Poate",
1722 }
1723
1724 @Article{stolk97,
1725   author =       "P. A. Stolk and H.-J. Gossmann and D. J. Eaglesham and
1726                  D. C. Jacobson and C. S. Rafferty and G. H. Gilmer and
1727                  M. Jara\'{\i}z and J. M. Poate and H. S. Luftman and T.
1728                  E. Haynes",
1729   collaboration = "",
1730   title =        "Physical mechanisms of transient enhanced dopant
1731                  diffusion in ion-implanted silicon",
1732   publisher =    "AIP",
1733   year =         "1997",
1734   journal =      "Journal of Applied Physics",
1735   volume =       "81",
1736   number =       "9",
1737   pages =        "6031--6050",
1738   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/81/6031/1",
1739   doi =          "10.1063/1.364452",
1740   notes =        "ted, transient enhanced diffusion, c silicon trap",
1741 }
1742
1743 @Article{powell94,
1744   author =       "A. R. Powell and F. K. LeGoues and S. S. Iyer",
1745   collaboration = "",
1746   title =        "Formation of beta-Si{C} nanocrystals by the relaxation
1747                  of Si[sub 1 - y]{C}[sub y] random alloy layers",
1748   publisher =    "AIP",
1749   year =         "1994",
1750   journal =      "Applied Physics Letters",
1751   volume =       "64",
1752   number =       "3",
1753   pages =        "324--326",
1754   keywords =     "SILICON CARBIDES; NANOSTRUCTURES; DISPERSIONS;
1755                  EPITAXIAL LAYERS; STRESS RELAXATION; ANNEALING;
1756                  TEMPERATURE EFFECTS; PRECIPITATION; DISLOCATIONS;
1757                  SYNTHESIS",
1758   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/64/324/1",
1759   doi =          "10.1063/1.111195",
1760   notes =        "beta sic nano crystals in si, mbe, annealing",
1761 }
1762
1763 @Article{soref91,
1764   author =       "Richard A. Soref",
1765   collaboration = "",
1766   title =        "Optical band gap of the ternary semiconductor Si[sub 1
1767                  - x - y]Ge[sub x]{C}[sub y]",
1768   publisher =    "AIP",
1769   year =         "1991",
1770   journal =      "Journal of Applied Physics",
1771   volume =       "70",
1772   number =       "4",
1773   pages =        "2470--2472",
1774   keywords =     "SILICON CARBIDES; GERMANIUM CARBIDES; ENERGY GAP;
1775                  OPTICAL PROPERTIES; DIAMONDS; SEMICONDUCTOR ALLOYS;
1776                  TERNARY ALLOYS",
1777   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/70/2470/1",
1778   doi =          "10.1063/1.349403",
1779   notes =        "band gap of strained si by c",
1780 }
1781
1782 @Article{kasper91,
1783   author =       "E Kasper",
1784   title =        "Superlattices of group {IV} elements, a new
1785                  possibility to produce direct band gap material",
1786   journal =      "Physica Scripta",
1787   volume =       "T35",
1788   pages =        "232--236",
1789   URL =          "http://stacks.iop.org/1402-4896/T35/232",
1790   year =         "1991",
1791   notes =        "superlattices, convert indirect band gap into a
1792                  quasi-direct one",
1793 }
1794
1795 @Article{osten99,
1796   author =       "H. J. Osten and J. Griesche and S. Scalese",
1797   collaboration = "",
1798   title =        "Substitutional carbon incorporation in epitaxial
1799                  Si[sub 1 - y]{C}[sub y] alloys on Si(001) grown by
1800                  molecular beam epitaxy",
1801   publisher =    "AIP",
1802   year =         "1999",
1803   journal =      "Applied Physics Letters",
1804   volume =       "74",
1805   number =       "6",
1806   pages =        "836--838",
1807   keywords =     "molecular beam epitaxial growth; semiconductor growth;
1808                  wide band gap semiconductors; interstitials; silicon
1809                  compounds",
1810   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/74/836/1",
1811   doi =          "10.1063/1.123384",
1812   notes =        "substitutional c in si",
1813 }
1814
1815 @Article{hohenberg64,
1816   title =        "Inhomogeneous Electron Gas",
1817   author =       "P. Hohenberg and W. Kohn",
1818   journal =      "Phys. Rev.",
1819   volume =       "136",
1820   number =       "3B",
1821   pages =        "B864--B871",
1822   numpages =     "7",
1823   year =         "1964",
1824   month =        nov,
1825   doi =          "10.1103/PhysRev.136.B864",
1826   publisher =    "American Physical Society",
1827   notes =        "density functional theory, dft",
1828 }
1829
1830 @Article{kohn65,
1831   title =        "Self-Consistent Equations Including Exchange and
1832                  Correlation Effects",
1833   author =       "W. Kohn and L. J. Sham",
1834   journal =      "Phys. Rev.",
1835   volume =       "140",
1836   number =       "4A",
1837   pages =        "A1133--A1138",
1838   numpages =     "5",
1839   year =         "1965",
1840   month =        nov,
1841   doi =          "10.1103/PhysRev.140.A1133",
1842   publisher =    "American Physical Society",
1843   notes =        "dft, exchange and correlation",
1844 }
1845
1846 @Article{ruecker94,
1847   title =        "Strain-stabilized highly concentrated pseudomorphic
1848                  $Si1-x$$Cx$ layers in Si",
1849   author =       "H. R{\"u}cker and M. Methfessel and E. Bugiel and H.
1850                  J. Osten",
1851   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1852   volume =       "72",
1853   number =       "22",
1854   pages =        "3578--3581",
1855   numpages =     "3",
1856   year =         "1994",
1857   month =        may,
1858   doi =          "10.1103/PhysRevLett.72.3578",
1859   publisher =    "American Physical Society",
1860   notes =        "high c concentration in si, heterostructure, starined
1861                  si, dft",
1862 }
1863
1864 @Article{chang05,
1865   title =        "Electron Transport Model for Strained Silicon-Carbon
1866                  Alloy",
1867   author =       "Shu-Tong Chang and Chung-Yi Lin",
1868   journal =      "Japanese Journal of Applied Physics",
1869   volume =       "44",
1870   number =       "4B",
1871   pages =        "2257--2262",
1872   numpages =     "5",
1873   year =         "2005",
1874   URL =          "http://jjap.ipap.jp/link?JJAP/44/2257/",
1875   doi =          "10.1143/JJAP.44.2257",
1876   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
1877   notes =        "enhance of electron mobility in starined si",
1878 }
1879
1880 @Article{osten97,
1881   author =       "H. J. Osten and P. Gaworzewski",
1882   collaboration = "",
1883   title =        "Charge transport in strained Si[sub 1 - y]{C}[sub y]
1884                  and Si[sub 1 - x - y]Ge[sub x]{C}[sub y] alloys on
1885                  Si(001)",
1886   publisher =    "AIP",
1887   year =         "1997",
1888   journal =      "Journal of Applied Physics",
1889   volume =       "82",
1890   number =       "10",
1891   pages =        "4977--4981",
1892   keywords =     "silicon compounds; Ge-Si alloys; wide band gap
1893                  semiconductors; semiconductor epitaxial layers; carrier
1894                  density; Hall mobility; interstitials; defect states",
1895   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/82/4977/1",
1896   doi =          "10.1063/1.366364",
1897   notes =        "charge transport in strained si",
1898 }
1899
1900 @Article{kapur04,
1901   title =        "Carbon-mediated aggregation of self-interstitials in
1902                  silicon: {A} large-scale molecular dynamics study",
1903   author =       "Sumeet S. Kapur and Manish Prasad and Talid Sinno",
1904   journal =      "Phys. Rev. B",
1905   volume =       "69",
1906   number =       "15",
1907   pages =        "155214",
1908   numpages =     "8",
1909   year =         "2004",
1910   month =        apr,
1911   doi =          "10.1103/PhysRevB.69.155214",
1912   publisher =    "American Physical Society",
1913   notes =        "simulation using promising tersoff reparametrization",
1914 }
1915
1916 @Article{barkema96,
1917   title =        "Event-Based Relaxation of Continuous Disordered
1918                  Systems",
1919   author =       "G. T. Barkema and Normand Mousseau",
1920   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1921   volume =       "77",
1922   number =       "21",
1923   pages =        "4358--4361",
1924   numpages =     "3",
1925   year =         "1996",
1926   month =        nov,
1927   doi =          "10.1103/PhysRevLett.77.4358",
1928   publisher =    "American Physical Society",
1929   notes =        "activation relaxation technique, art, speed up slow
1930                  dynamic mds",
1931 }
1932
1933 @Article{cances09,
1934   author =       "E. Canc\`{e}s and F. Legoll and M.-C. Marinica and K.
1935                  Minoukadeh and F. Willaime",
1936   collaboration = "",
1937   title =        "Some improvements of the activation-relaxation
1938                  technique method for finding transition pathways on
1939                  potential energy surfaces",
1940   publisher =    "AIP",
1941   year =         "2009",
1942   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
1943   volume =       "130",
1944   number =       "11",
1945   eid =          "114711",
1946   numpages =     "6",
1947   pages =        "114711",
1948   keywords =     "eigenvalues and eigenfunctions; iron; potential energy
1949                  surfaces; vacancies (crystal)",
1950   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/130/114711/1",
1951   doi =          "10.1063/1.3088532",
1952   notes =        "improvements to art, refs for methods to find
1953                  transition pathways",
1954 }
1955
1956 @Article{parrinello81,
1957   author =       "M. Parrinello and A. Rahman",
1958   collaboration = "",
1959   title =        "Polymorphic transitions in single crystals: {A} new
1960                  molecular dynamics method",
1961   publisher =    "AIP",
1962   year =         "1981",
1963   journal =      "Journal of Applied Physics",
1964   volume =       "52",
1965   number =       "12",
1966   pages =        "7182--7190",
1967   keywords =     "MONOCRYSTALS; PHASE TRANSFORMATIONS; STRUCTURAL
1968                  MODELS; DYNAMICS; THEORETICAL DATA; STRESSES;
1969                  CONFIGURATION; LAGRANGE EQUATIONS; SIZE; NICKEL;
1970                  COMPRESSION; TENSILE PROPERTIES; COMPARATIVE
1971                  EVALUATIONS; STRAINS; CUBIC LATTICES; HCP LATTICES;
1972                  IMPACT SHOCK",
1973   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/52/7182/1",
1974   doi =          "10.1063/1.328693",
1975 }
1976
1977 @Article{stillinger85,
1978   title =        "Computer simulation of local order in condensed phases
1979                  of silicon",
1980   author =       "Frank H. Stillinger and Thomas A. Weber",
1981   journal =      "Phys. Rev. B",
1982   volume =       "31",
1983   number =       "8",
1984   pages =        "5262--5271",
1985   numpages =     "9",
1986   year =         "1985",
1987   month =        apr,
1988   doi =          "10.1103/PhysRevB.31.5262",
1989   publisher =    "American Physical Society",
1990 }
1991
1992 @Article{brenner90,
1993   title =        "Empirical potential for hydrocarbons for use in
1994                  simulating the chemical vapor deposition of diamond
1995                  films",
1996   author =       "Donald W. Brenner",
1997   journal =      "Phys. Rev. B",
1998   volume =       "42",
1999   number =       "15",
2000   pages =        "9458--9471",
2001   numpages =     "13",
2002   year =         "1990",
2003   month =        nov,
2004   doi =          "10.1103/PhysRevB.42.9458",
2005   publisher =    "American Physical Society",
2006   notes =        "brenner hydro carbons",
2007 }
2008
2009 @Article{bazant96,
2010   title =        "Modeling of Covalent Bonding in Solids by Inversion of
2011                  Cohesive Energy Curves",
2012   author =       "Martin Z. Bazant and Efthimios Kaxiras",
2013   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2014   volume =       "77",
2015   number =       "21",
2016   pages =        "4370--4373",
2017   numpages =     "3",
2018   year =         "1996",
2019   month =        nov,
2020   doi =          "10.1103/PhysRevLett.77.4370",
2021   publisher =    "American Physical Society",
2022   notes =        "first si edip",
2023 }
2024
2025 @Article{bazant97,
2026   title =        "Environment-dependent interatomic potential for bulk
2027                  silicon",
2028   author =       "Martin Z. Bazant and Efthimios Kaxiras and J. F.
2029                  Justo",
2030   journal =      "Phys. Rev. B",
2031   volume =       "56",
2032   number =       "14",
2033   pages =        "8542--8552",
2034   numpages =     "10",
2035   year =         "1997",
2036   month =        oct,
2037   doi =          "10.1103/PhysRevB.56.8542",
2038   publisher =    "American Physical Society",
2039   notes =        "second si edip",
2040 }
2041
2042 @Article{justo98,
2043   title =        "Interatomic potential for silicon defects and
2044                  disordered phases",
2045   author =       "Jo\tilde{a}o F. Justo and Martin Z. Bazant and
2046                  Efthimios Kaxiras and V. V. Bulatov and Sidney Yip",
2047   journal =      "Phys. Rev. B",
2048   volume =       "58",
2049   number =       "5",
2050   pages =        "2539--2550",
2051   numpages =     "11",
2052   year =         "1998",
2053   month =        aug,
2054   doi =          "10.1103/PhysRevB.58.2539",
2055   publisher =    "American Physical Society",
2056   notes =        "latest si edip, good dislocation explanation",
2057 }
2058
2059 @Article{parcas_md,
2060   title =        "{PARCAS} molecular dynamics code",
2061   author =       "K. Nordlund",
2062   year =         "2008",
2063 }
2064
2065 @Article{voter97,
2066   title =        "Hyperdynamics: Accelerated Molecular Dynamics of
2067                  Infrequent Events",
2068   author =       "Arthur F. Voter",
2069   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2070   volume =       "78",
2071   number =       "20",
2072   pages =        "3908--3911",
2073   numpages =     "3",
2074   year =         "1997",
2075   month =        may,
2076   doi =          "10.1103/PhysRevLett.78.3908",
2077   publisher =    "American Physical Society",
2078   notes =        "hyperdynamics, accelerated md",
2079 }
2080
2081 @Article{voter97_2,
2082   author =       "Arthur F. Voter",
2083   collaboration = "",
2084   title =        "A method for accelerating the molecular dynamics
2085                  simulation of infrequent events",
2086   publisher =    "AIP",
2087   year =         "1997",
2088   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
2089   volume =       "106",
2090   number =       "11",
2091   pages =        "4665--4677",
2092   keywords =     "COMPUTERIZED SIMULATION; NICKEL; DIFFUSION; ATOM
2093                  TRANSPORT; MOLECULAR ORBITAL METHOD; POTENTIAL ENERGY;
2094                  SURFACE POTENTIAL; MOLECULAR DYNAMICS METHOD; potential
2095                  energy functions; surface diffusion; reaction kinetics
2096                  theory; potential energy surfaces",
2097   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/106/4665/1",
2098   doi =          "10.1063/1.473503",
2099   notes =        "improved hyperdynamics md",
2100 }
2101
2102 @Article{sorensen2000,
2103   author =       "Mads R. S\o rensen and Arthur F. Voter",
2104   collaboration = "",
2105   title =        "Temperature-accelerated dynamics for simulation of
2106                  infrequent events",
2107   publisher =    "AIP",
2108   year =         "2000",
2109   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
2110   volume =       "112",
2111   number =       "21",
2112   pages =        "9599--9606",
2113   keywords =     "SOLID STATE PHYSICS; SIMULATION; DIFFUSION; SURFACES;
2114                  MOLECULAR DYNAMICS METHOD; surface diffusion",
2115   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/112/9599/1",
2116   doi =          "10.1063/1.481576",
2117   notes =        "temperature accelerated dynamics, tad",
2118 }
2119
2120 @Article{voter98,
2121   title =        "Parallel replica method for dynamics of infrequent
2122                  events",
2123   author =       "Arthur F. Voter",
2124   journal =      "Phys. Rev. B",
2125   volume =       "57",
2126   number =       "22",
2127   pages =        "R13985--R13988",
2128   numpages =     "3",
2129   year =         "1998",
2130   month =        jun,
2131   doi =          "10.1103/PhysRevB.57.R13985",
2132   publisher =    "American Physical Society",
2133   notes =        "parallel replica method, accelerated md",
2134 }
2135
2136 @Article{wu99,
2137   author =       "Xiongwu Wu and Shaomeng Wang",
2138   collaboration = "",
2139   title =        "Enhancing systematic motion in molecular dynamics
2140                  simulation",
2141   publisher =    "AIP",
2142   year =         "1999",
2143   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
2144   volume =       "110",
2145   number =       "19",
2146   pages =        "9401--9410",
2147   keywords =     "molecular dynamics method; argon; Lennard-Jones
2148                  potential; crystallisation; liquid theory",
2149   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/110/9401/1",
2150   doi =          "10.1063/1.478948",
2151   notes =        "self guided md, sgmd, accelerated md, enhancing
2152                  systematic motion",
2153 }
2154
2155 @Article{choudhary05,
2156   author =       "Devashish Choudhary and Paulette Clancy",
2157   collaboration = "",
2158   title =        "Application of accelerated molecular dynamics schemes
2159                  to the production of amorphous silicon",
2160   publisher =    "AIP",
2161   year =         "2005",
2162   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
2163   volume =       "122",
2164   number =       "15",
2165   eid =          "154509",
2166   numpages =     "8",
2167   pages =        "154509",
2168   keywords =     "molecular dynamics method; silicon; glass structure;
2169                  amorphous semiconductors",
2170   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/122/154509/1",
2171   doi =          "10.1063/1.1878733",
2172   notes =        "explanation of sgmd and hyper md, applied to amorphous
2173                  silicon",
2174 }
2175
2176 @Article{taylor93,
2177   author =       "W. J. Taylor and T. Y. Tan and U. G{\"{o}}sele",
2178   collaboration = "",
2179   title =        "Carbon precipitation in silicon: Why is it so
2180                  difficult?",
2181   publisher =    "AIP",
2182   year =         "1993",
2183   journal =      "Applied Physics Letters",
2184   volume =       "62",
2185   number =       "25",
2186   pages =        "3336--3338",
2187   keywords =     "SILICON; CARBON ADDITIONS; OXYGEN ADDITIONS; DOPED
2188                  MATERIALS; PRECIPITATION; THERMODYNAMICS; SURFACE
2189                  ENERGY",
2190   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/62/3336/1",
2191   doi =          "10.1063/1.109063",
2192   notes =        "interfacial energy of cubic sic and si",
2193 }
2194
2195 @Article{chaussende08,
2196   title =        "Prospects for 3{C}-Si{C} bulk crystal growth",
2197   journal =      "Journal of Crystal Growth",
2198   volume =       "310",
2199   number =       "5",
2200   pages =        "976--981",
2201   year =         "2008",
2202   note =         "Proceedings of the E-MRS Conference, Symposium G -
2203                  Substrates of Wide Bandgap Materials",
2204   ISSN =         "0022-0248",
2205   doi =          "DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2007.11.140",
2206   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-4R7J67S-F/2/e92fc194b652409f5b119393d608b082",
2207   author =       "D. Chaussende and F. Mercier and A. Boulle and F.
2208                  Conchon and M. Soueidan and G. Ferro and A. Mantzari
2209                  and A. Andreadou and E. K. Polychroniadis and C.
2210                  Balloud and S. Juillaguet and J. Camassel and M. Pons",
2211   notes =        "3c-sic crystal growth, sic fabrication + links,
2212                  metastable",
2213 }
2214
2215 @Article{feynman39,
2216   title =        "Forces in Molecules",
2217   author =       "R. P. Feynman",
2218   journal =      "Phys. Rev.",
2219   volume =       "56",
2220   number =       "4",
2221   pages =        "340--343",
2222   numpages =     "3",
2223   year =         "1939",
2224   month =        aug,
2225   doi =          "10.1103/PhysRev.56.340",
2226   publisher =    "American Physical Society",
2227   notes =        "hellmann feynman forces",
2228 }
2229
2230 @Article{buczko00,
2231   title =        "Bonding Arrangements at the $Si-Si{O}_{2}$ and
2232                  $Si{C}-Si{O}_{2}$ Interfaces and a Possible Origin of
2233                  their Contrasting Properties",
2234   author =       "Ryszard Buczko and Stephen J. Pennycook and Sokrates
2235                  T. Pantelides",
2236   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2237   volume =       "84",
2238   number =       "5",
2239   pages =        "943--946",
2240   numpages =     "3",
2241   year =         "2000",
2242   month =        jan,
2243   doi =          "10.1103/PhysRevLett.84.943",
2244   publisher =    "American Physical Society",
2245   notes =        "si sio2 and sic sio2 interface",
2246 }
2247
2248 @Article{djurabekova08,
2249   title =        "Atomistic simulation of the interface structure of Si
2250                  nanocrystals embedded in amorphous silica",
2251   author =       "Flyura Djurabekova and Kai Nordlund",
2252   journal =      "Phys. Rev. B",
2253   volume =       "77",
2254   number =       "11",
2255   pages =        "115325",
2256   numpages =     "7",
2257   year =         "2008",
2258   month =        mar,
2259   doi =          "10.1103/PhysRevB.77.115325",
2260   publisher =    "American Physical Society",
2261   notes =        "nc-si in sio2, interface energy, nc construction,
2262                  angular distribution, coordination",
2263 }
2264
2265 @Article{wen09,
2266   author =       "C. Wen and Y. M. Wang and W. Wan and F. H. Li and J.
2267                  W. Liang and J. Zou",
2268   collaboration = "",
2269   title =        "Nature of interfacial defects and their roles in
2270                  strain relaxation at highly lattice mismatched
2271                  3{C}-Si{C}/Si (001) interface",
2272   publisher =    "AIP",
2273   year =         "2009",
2274   journal =      "Journal of Applied Physics",
2275   volume =       "106",
2276   number =       "7",
2277   eid =          "073522",
2278   numpages =     "8",
2279   pages =        "073522",
2280   keywords =     "anelastic relaxation; crystal structure; dislocations;
2281                  elemental semiconductors; semiconductor growth;
2282                  semiconductor thin films; silicon; silicon compounds;
2283                  stacking faults; wide band gap semiconductors",
2284   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/106/073522/1",
2285   doi =          "10.1063/1.3234380",
2286   notes =        "sic/si interface, follow refs, tem image
2287                  deconvolution, dislocation defects",
2288 }
2289
2290 @Article{kitabatake93,
2291   author =       "Makoto Kitabatake and Masahiro Deguchi and Takashi
2292                  Hirao",
2293   collaboration = "",
2294   title =        "Simulations and experiments of Si{C} heteroepitaxial
2295                  growth on Si(001) surface",
2296   publisher =    "AIP",
2297   year =         "1993",
2298   journal =      "Journal of Applied Physics",
2299   volume =       "74",
2300   number =       "7",
2301   pages =        "4438--4445",
2302   keywords =     "SILICON CARBIDES; FILM GROWTH; SIMULATION; MOLECULAR
2303                  BEAM EPITAXY; MOLECULAR DYNAMICS CALCULATIONS; SILICON;
2304                  MICROSTRUCTURE; ULTRAVIOLET RADIATION; IRRADIATION",
2305   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/74/4438/1",
2306   doi =          "10.1063/1.354385",
2307   notes =        "mbe and md of sic growth on si, 4 to 5 shrinkage
2308                  model, interface",
2309 }
2310
2311 @Article{chirita97,
2312   title =        "Strain relaxation and thermal stability of the
2313                  3{C}-Si{C}(001)/Si(001) interface: {A} molecular
2314                  dynamics study",
2315   journal =      "Thin Solid Films",
2316   volume =       "294",
2317   number =       "1-2",
2318   pages =        "47--49",
2319   year =         "1997",
2320   note =         "",
2321   ISSN =         "0040-6090",
2322   doi =          "DOI: 10.1016/S0040-6090(96)09257-7",
2323   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TW0-41WBB52-C/2/6ef684a04d02dd3b108f972377cde8f4",
2324   author =       "V. Chirita and L. Hultman and L. R. Wallenberg",
2325   keywords =     "Strain relaxation",
2326   keywords =     "Interfaces",
2327   keywords =     "Thermal stability",
2328   keywords =     "Molecular dynamics",
2329   notes =        "tersoff sic/si interface study",
2330 }
2331
2332 @Article{cicero02,
2333   title =        "Ab initio Study of Misfit Dislocations at the
2334                  $Si{C}/Si(001)$ Interface",
2335   author =       "Giancarlo Cicero and Laurent Pizzagalli and Alessandra
2336                  Catellani",
2337   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2338   volume =       "89",
2339   number =       "15",
2340   pages =        "156101",
2341   numpages =     "4",
2342   year =         "2002",
2343   month =        sep,
2344   doi =          "10.1103/PhysRevLett.89.156101",
2345   publisher =    "American Physical Society",
2346   notes =        "sic/si interface study",
2347 }
2348
2349 @Article{pizzagalli03,
2350   title =        "Theoretical investigations of a highly mismatched
2351                  interface: Si{C}/Si(001)",
2352   author =       "Laurent Pizzagalli and Giancarlo Cicero and Alessandra
2353                  Catellani",
2354   journal =      "Phys. Rev. B",
2355   volume =       "68",
2356   number =       "19",
2357   pages =        "195302",
2358   numpages =     "10",
2359   year =         "2003",
2360   month =        nov,
2361   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.195302",
2362   publisher =    "American Physical Society",
2363   notes =        "tersoff md and ab initio sic/si interface study",
2364 }
2365
2366 @Article{tang07,
2367   title =        "Atomic configurations of dislocation core and twin
2368                  boundaries in $ 3{C}-Si{C} $ studied by high-resolution
2369                  electron microscopy",
2370   author =       "C. Y. Tang and F. H. Li and R. Wang and J. Zou and X.
2371                  H. Zheng and J. W. Liang",
2372   journal =      "Phys. Rev. B",
2373   volume =       "75",
2374   number =       "18",
2375   pages =        "184103",
2376   numpages =     "7",
2377   year =         "2007",
2378   month =        may,
2379   doi =          "10.1103/PhysRevB.75.184103",
2380   publisher =    "American Physical Society",
2381   notes =        "hrem image deconvolution on 3c-sic on si, distinguish
2382                  si and c",
2383 }
2384
2385 @Article{hornstra58,
2386   title =        "Dislocations in the diamond lattice",
2387   journal =      "Journal of Physics and Chemistry of Solids",
2388   volume =       "5",
2389   number =       "1-2",
2390   pages =        "129--141",
2391   year =         "1958",
2392   note =         "",
2393   ISSN =         "0022-3697",
2394   doi =          "DOI: 10.1016/0022-3697(58)90138-0",
2395   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXR-46MMPHJ-10D/2/7176c01c29cd4e73faa26ab2aacdcea5",
2396   author =       "J. Hornstra",
2397   notes =        "dislocations in diamond lattice",
2398 }
2399
2400 @Article{eichhorn99,
2401   author =       "F. Eichhorn and N. Schell and W. Matz and R.
2402                  K{\"{o}}gler",
2403   collaboration = "",
2404   title =        "Strain and Si{C} particle formation in silicon
2405                  implanted with carbon ions of medium fluence studied by
2406                  synchrotron x-ray diffraction",
2407   publisher =    "AIP",
2408   year =         "1999",
2409   journal =      "Journal of Applied Physics",
2410   volume =       "86",
2411   number =       "8",
2412   pages =        "4184--4187",
2413   keywords =     "silicon; carbon; elemental semiconductors; chemical
2414                  interdiffusion; ion implantation; X-ray diffraction;
2415                  precipitation; semiconductor doping",
2416   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/86/4184/1",
2417   doi =          "10.1063/1.371344",
2418   notes =        "sic conversion by ibs, detected substitutional carbon,
2419                  expansion of si lattice",
2420 }
2421
2422 @Article{eichhorn02,
2423   author =       "F. Eichhorn and N. Schell and A. M{\"{u}}cklich and H.
2424                  Metzger and W. Matz and R. K{\"{o}}gler",
2425   collaboration = "",
2426   title =        "Structural relation between Si and Si{C} formed by
2427                  carbon ion implantation",
2428   publisher =    "AIP",
2429   year =         "2002",
2430   journal =      "Journal of Applied Physics",
2431   volume =       "91",
2432   number =       "3",
2433   pages =        "1287--1292",
2434   keywords =     "silicon compounds; wide band gap semiconductors; ion
2435                  implantation; annealing; X-ray scattering; transmission
2436                  electron microscopy",
2437   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/91/1287/1",
2438   doi =          "10.1063/1.1428105",
2439   notes =        "3c-sic alignement to si host in ibs depending on
2440                  temperature, might explain c int to c sub trafo",
2441 }
2442
2443 @Article{lucas10,
2444   author =       "G Lucas and M Bertolus and L Pizzagalli",
2445   title =        "An environment-dependent interatomic potential for
2446                  silicon carbide: calculation of bulk properties,
2447                  high-pressure phases, point and extended defects, and
2448                  amorphous structures",
2449   journal =      "Journal of Physics: Condensed Matter",
2450   volume =       "22",
2451   number =       "3",
2452   pages =        "035802",
2453   URL =          "http://stacks.iop.org/0953-8984/22/i=3/a=035802",
2454   year =         "2010",
2455   notes =        "edip sic",
2456 }
2457
2458 @Article{godet03,
2459   author =       "J Godet and L Pizzagalli and S Brochard and P
2460                  Beauchamp",
2461   title =        "Comparison between classical potentials and ab initio
2462                  methods for silicon under large shear",
2463   journal =      "Journal of Physics: Condensed Matter",
2464   volume =       "15",
2465   number =       "41",
2466   pages =        "6943",
2467   URL =          "http://stacks.iop.org/0953-8984/15/i=41/a=004",
2468   year =         "2003",
2469   notes =        "comparison of empirical potentials, stillinger weber,
2470                  edip, tersoff, ab initio",
2471 }
2472
2473 @Article{moriguchi98,
2474   title =        "Verification of Tersoff's Potential for Static
2475                  Structural Analysis of Solids of Group-{IV} Elements",
2476   author =       "Koji Moriguchi and Akira Shintani",
2477   journal =      "Japanese Journal of Applied Physics",
2478   volume =       "37",
2479   number =       "Part 1, No. 2",
2480   pages =        "414--422",
2481   numpages =     "8",
2482   year =         "1998",
2483   URL =          "http://jjap.ipap.jp/link?JJAP/37/414/",
2484   doi =          "10.1143/JJAP.37.414",
2485   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
2486   notes =        "tersoff stringent test",
2487 }
2488
2489 @Article{mazzarolo01,
2490   title =        "Low-energy recoils in crystalline silicon: Quantum
2491                  simulations",
2492   author =       "Massimiliano Mazzarolo and Luciano Colombo and Giorgio
2493                  Lulli and Eros Albertazzi",
2494   journal =      "Phys. Rev. B",
2495   volume =       "63",
2496   number =       "19",
2497   pages =        "195207",
2498   numpages =     "4",
2499   year =         "2001",
2500   month =        apr,
2501   doi =          "10.1103/PhysRevB.63.195207",
2502   publisher =    "American Physical Society",
2503 }
2504
2505 @Article{holmstroem08,
2506   title =        "Threshold defect production in silicon determined by
2507                  density functional theory molecular dynamics
2508                  simulations",
2509   author =       "E. Holmstr{\"o}m and A. Kuronen and K. Nordlund",
2510   journal =      "Phys. Rev. B",
2511   volume =       "78",
2512   number =       "4",
2513   pages =        "045202",
2514   numpages =     "6",
2515   year =         "2008",
2516   month =        jul,
2517   doi =          "10.1103/PhysRevB.78.045202",
2518   publisher =    "American Physical Society",
2519   notes =        "threshold displacement comparison empirical and ab
2520                  initio",
2521 }
2522
2523 @Article{nordlund97,
2524   title =        "Repulsive interatomic potentials calculated using
2525                  Hartree-Fock and density-functional theory methods",
2526   journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
2527                  Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
2528   volume =       "132",
2529   number =       "1",
2530   pages =        "45--54",
2531   year =         "1997",
2532   note =         "",
2533   ISSN =         "0168-583X",
2534   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(97)00447-3",
2535   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-4CP0TGF-91/2/1a9100c0aae82d2d258fc83dfdba23c1",
2536   author =       "K. Nordlund and N. Runeberg and D. Sundholm",
2537   notes =        "repulsive ab initio potential",
2538 }
2539
2540 @Article{kresse96,
2541   title =        "Efficiency of ab-initio total energy calculations for
2542                  metals and semiconductors using a plane-wave basis
2543                  set",
2544   journal =      "Computational Materials Science",
2545   volume =       "6",
2546   number =       "1",
2547   pages =        "15--50",
2548   year =         "1996",
2549   note =         "",
2550   ISSN =         "0927-0256",
2551   doi =          "DOI: 10.1016/0927-0256(96)00008-0",
2552   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TWM-3VRVTBF-3/2/88689b1eacfe2b5fe57f09d37eff3b74",
2553   author =       "G. Kresse and J. Furthm{\"{u}}ller",
2554   notes =        "vasp ref",
2555 }
2556
2557 @Article{bloechl94,
2558   title =        "Projector augmented-wave method",
2559   author =       "P. E. Bl{\"o}chl",
2560   journal =      "Phys. Rev. B",
2561   volume =       "50",
2562   number =       "24",
2563   pages =        "17953--17979",
2564   numpages =     "26",
2565   year =         "1994",
2566   month =        dec,
2567   doi =          "10.1103/PhysRevB.50.17953",
2568   publisher =    "American Physical Society",
2569   notes =        "paw method",
2570 }
2571
2572 @Article{hamann79,
2573   title =        "Norm-Conserving Pseudopotentials",
2574   author =       "D. R. Hamann and M. Schl{\"u}ter and C. Chiang",
2575   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2576   volume =       "43",
2577   number =       "20",
2578   pages =        "1494--1497",
2579   numpages =     "3",
2580   year =         "1979",
2581   month =        nov,
2582   doi =          "10.1103/PhysRevLett.43.1494",
2583   publisher =    "American Physical Society",
2584   notes =        "norm-conserving pseudopotentials",
2585 }
2586
2587 @Article{vanderbilt90,
2588   title =        "Soft self-consistent pseudopotentials in a generalized
2589                  eigenvalue formalism",
2590   author =       "David Vanderbilt",
2591   journal =      "Phys. Rev. B",
2592   volume =       "41",
2593   number =       "11",
2594   pages =        "7892--7895",
2595   numpages =     "3",
2596   year =         "1990",
2597   month =        apr,
2598   doi =          "10.1103/PhysRevB.41.7892",
2599   publisher =    "American Physical Society",
2600   notes =        "vasp pseudopotentials",
2601 }
2602
2603 @Article{perdew86,
2604   title =        "Accurate and simple density functional for the
2605                  electronic exchange energy: Generalized gradient
2606                  approximation",
2607   author =       "John P. Perdew and Wang Yue",
2608   journal =      "Phys. Rev. B",
2609   volume =       "33",
2610   number =       "12",
2611   pages =        "8800--8802",
2612   numpages =     "2",
2613   year =         "1986",
2614   month =        jun,
2615   doi =          "10.1103/PhysRevB.33.8800",
2616   publisher =    "American Physical Society",
2617   notes =        "rapid communication gga",
2618 }
2619
2620 @Article{perdew02,
2621   title =        "Generalized gradient approximations for exchange and
2622                  correlation: {A} look backward and forward",
2623   journal =      "Physica B: Condensed Matter",
2624   volume =       "172",
2625   number =       "1-2",
2626   pages =        "1--6",
2627   year =         "1991",
2628   note =         "",
2629   ISSN =         "0921-4526",
2630   doi =          "DOI: 10.1016/0921-4526(91)90409-8",
2631   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVH-46G8GR9-3D/2/18e610a616e4d80b934079c89063ece7",
2632   author =       "John P. Perdew",
2633   notes =        "gga overview",
2634 }
2635
2636 @Article{perdew92,
2637   title =        "Atoms, molecules, solids, and surfaces: Applications
2638                  of the generalized gradient approximation for exchange
2639                  and correlation",
2640   author =       "John P. Perdew and J. A. Chevary and S. H. Vosko and
2641                  Koblar A. Jackson and Mark R. Pederson and D. J. Singh
2642                  and Carlos Fiolhais",
2643   journal =      "Phys. Rev. B",
2644   volume =       "46",
2645   number =       "11",
2646   pages =        "6671--6687",
2647   numpages =     "16",
2648   year =         "1992",
2649   month =        sep,
2650   doi =          "10.1103/PhysRevB.46.6671",
2651   publisher =    "American Physical Society",
2652   notes =        "gga pw91 (as in vasp)",
2653 }
2654
2655 @Article{baldereschi73,
2656   title =        "Mean-Value Point in the Brillouin Zone",
2657   author =       "A. Baldereschi",
2658   journal =      "Phys. Rev. B",
2659   volume =       "7",
2660   number =       "12",
2661   pages =        "5212--5215",
2662   numpages =     "3",
2663   year =         "1973",
2664   month =        jun,
2665   doi =          "10.1103/PhysRevB.7.5212",
2666   publisher =    "American Physical Society",
2667   notes =        "mean value k point",
2668 }
2669
2670 @Article{zhu98,
2671   title =        "Ab initio pseudopotential calculations of dopant
2672                  diffusion in Si",
2673   journal =      "Computational Materials Science",
2674   volume =       "12",
2675   number =       "4",
2676   pages =        "309--318",
2677   year =         "1998",
2678   note =         "",
2679   ISSN =         "0927-0256",
2680   doi =          "DOI: 10.1016/S0927-0256(98)00023-8",
2681   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TWM-3VB7F2K-7/2/aa864582273be8e054300efb7bd16a1b",
2682   author =       "Jing Zhu",
2683   keywords =     "TED (transient enhanced diffusion)",
2684   keywords =     "Boron dopant",
2685   keywords =     "Carbon dopant",
2686   keywords =     "Defect",
2687   keywords =     "ab initio pseudopotential method",
2688   keywords =     "Impurity cluster",
2689   notes =        "binding of c to si interstitial, c in si defects",
2690 }
2691
2692 @Article{nejim95,
2693   author =       "A. Nejim and P. L. F. Hemment and J. Stoemenos",
2694   collaboration = "",
2695   title =        "Si{C} buried layer formation by ion beam synthesis at
2696                  950 [degree]{C}",
2697   publisher =    "AIP",
2698   year =         "1995",
2699   journal =      "Applied Physics Letters",
2700   volume =       "66",
2701   number =       "20",
2702   pages =        "2646--2648",
2703   keywords =     "SILICON; ION IMPLANTATION; CARBON IONS; SILICON
2704                  CARBIDES; BURIED LAYERS; SYNTHESIS; KEV RANGE 100 --
2705                  1000; CRYSTAL DEFECTS; MORPHOLOGY; RBS; TRANSMISSION
2706                  ELECTRON MICROSCOPY",
2707   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/66/2646/1",
2708   doi =          "10.1063/1.113112",
2709   notes =        "precipitation mechanism by substitutional carbon, si
2710                  self interstitials react with further implanted c",
2711 }
2712
2713 @Article{guedj98,
2714   author =       "C. Guedj and M. W. Dashiell and L. Kulik and J.
2715                  Kolodzey and A. Hairie",
2716   collaboration = "",
2717   title =        "Precipitation of beta-Si{C} in Si[sub 1 - y]{C}[sub y]
2718                  alloys",
2719   publisher =    "AIP",
2720   year =         "1998",
2721   journal =      "Journal of Applied Physics",
2722   volume =       "84",
2723   number =       "8",
2724   pages =        "4631--4633",
2725   keywords =     "silicon compounds; precipitation; localised modes;
2726                  semiconductor epitaxial layers; infrared spectra;
2727                  Fourier transform spectra; thermal stability;
2728                  annealing",
2729   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/84/4631/1",
2730   doi =          "10.1063/1.368703",
2731   notes =        "coherent 3C-SiC, topotactic, critical coherence size",
2732 }
2733
2734 @Article{jones04,
2735   author =       "R Jones and B J Coomer and P R Briddon",
2736   title =        "Quantum mechanical modelling of defects in
2737                  semiconductors",
2738   journal =      "Journal of Physics: Condensed Matter",
2739   volume =       "16",
2740   number =       "27",
2741   pages =        "S2643",
2742   URL =          "http://stacks.iop.org/0953-8984/16/i=27/a=004",
2743   year =         "2004",
2744   notes =        "ab inito init, vibrational modes, c defect in si",
2745 }
2746
2747 @Article{park02,
2748   author =       "S. Y. Park and J. D'Arcy-Gall and D. Gall and J. A. N.
2749                  T Soares and Y.-W. Kim and H. Kim and P. Desjardins and
2750                  J. E. Greene and S. G. Bishop",
2751   collaboration = "",
2752   title =        "Carbon incorporation pathways and lattice sites in
2753                  Si[sub 1 - y]{C}[sub y] alloys grown on Si(001) by
2754                  molecular-beam epitaxy",
2755   publisher =    "AIP",
2756   year =         "2002",
2757   journal =      "Journal of Applied Physics",
2758   volume =       "91",
2759   number =       "9",
2760   pages =        "5716--5727",
2761   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/91/5716/1",
2762   doi =          "10.1063/1.1465122",
2763   notes =        "c substitutional incorporation pathway, dft and expt",
2764 }
2765
2766 @Article{leary97,
2767   title =        "Dynamic properties of interstitial carbon and
2768                  carbon-carbon pair defects in silicon",
2769   author =       "P. Leary and R. Jones and S. {\"O}berg and V. J. B.
2770                  Torres",
2771   journal =      "Phys. Rev. B",
2772   volume =       "55",
2773   number =       "4",
2774   pages =        "2188--2194",
2775   numpages =     "6",
2776   year =         "1997",
2777   month =        jan,
2778   doi =          "10.1103/PhysRevB.55.2188",
2779   publisher =    "American Physical Society",
2780   notes =        "ab initio c in si and di-carbon defect, no formation
2781                  energies, different migration barriers and paths",
2782 }
2783
2784 @Article{burnard93,
2785   title =        "Interstitial carbon and the carbon-carbon pair in
2786                  silicon: Semiempirical electronic-structure
2787                  calculations",
2788   author =       "Matthew J. Burnard and Gary G. DeLeo",
2789   journal =      "Phys. Rev. B",
2790   volume =       "47",
2791   number =       "16",
2792   pages =        "10217--10225",
2793   numpages =     "8",
2794   year =         "1993",
2795   month =        apr,
2796   doi =          "10.1103/PhysRevB.47.10217",
2797   publisher =    "American Physical Society",
2798   notes =        "semi empirical mndo, pm3 and mindo3 c in si and di
2799                  carbon defect, formation energies",
2800 }
2801
2802 @Article{kaxiras96,
2803   title =        "Review of atomistic simulations of surface diffusion
2804                  and growth on semiconductors",
2805   journal =      "Computational Materials Science",
2806   volume =       "6",
2807   number =       "2",
2808   pages =        "158--172",
2809   year =         "1996",
2810   note =         "Proceedings of the Workshop on Virtual Molecular Beam
2811                  Epitaxy",
2812   ISSN =         "0927-0256",
2813   doi =          "DOI: 10.1016/0927-0256(96)00030-4",
2814   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TWM-3VSFF1G-7/2/afc8408b00ded1ca2dc3ad1686c2dae6",
2815   author =       "Efthimios Kaxiras",
2816   notes =        "might contain c 100 db formation energy, overview md,
2817                  tight binding, first principles",
2818 }
2819
2820 @Article{kaukonen98,
2821   title =        "Effect of {N} and {B} doping on the growth of {CVD}
2822                  diamond
2823                  $(100):{H}(2\ifmmode\times\else\texttimes\fi{}1)$
2824                  surfaces",
2825   author =       "M. Kaukonen and P. K. Sitch and G. Jungnickel and R.
2826                  M. Nieminen and Sami P{\"o}ykk{\"o} and D. Porezag and
2827                  Th. Frauenheim",
2828   journal =      "Phys. Rev. B",
2829   volume =       "57",
2830   number =       "16",
2831   pages =        "9965--9970",
2832   numpages =     "5",
2833   year =         "1998",
2834   month =        apr,
2835   doi =          "10.1103/PhysRevB.57.9965",
2836   publisher =    "American Physical Society",
2837   notes =        "constrained conjugate gradient relaxation technique
2838                  (crt)",
2839 }
2840
2841 @Article{gali03,
2842   title =        "Correlation between the antisite pair and the ${DI}$
2843                  center in Si{C}",
2844   author =       "A. Gali and P. De\'ak and E. Rauls and N. T. Son and
2845                  I. G. Ivanov and F. H. C. Carlsson and E. Janz\'en and
2846                  W. J. Choyke",
2847   journal =      "Phys. Rev. B",
2848   volume =       "67",
2849   number =       "15",
2850   pages =        "155203",
2851   numpages =     "5",
2852   year =         "2003",
2853   month =        apr,
2854   doi =          "10.1103/PhysRevB.67.155203",
2855   publisher =    "American Physical Society",
2856 }
2857
2858 @Article{chen98,
2859   title =        "Production and recovery of defects in Si{C} after
2860                  irradiation and deformation",
2861   journal =      "Journal of Nuclear Materials",
2862   volume =       "258-263",
2863   number =       "Part 2",
2864   pages =        "1803--1808",
2865   year =         "1998",
2866   note =         "",
2867   ISSN =         "0022-3115",
2868   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-3115(98)00139-1",
2869   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXN-43G486N-47/2/56905f48f025ab98e5de4d6cde09c62b",
2870   author =       "J. Chen and P. Jung and H. Klein",
2871 }
2872
2873 @Article{weber01,
2874   title =        "Accumulation, dynamic annealing and thermal recovery
2875                  of ion-beam-induced disorder in silicon carbide",
2876   journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
2877                  Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
2878   volume =       "175-177",
2879   number =       "",
2880   pages =        "26--30",
2881   year =         "2001",
2882   note =         "",
2883   ISSN =         "0168-583X",
2884   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(00)00542-5",
2885   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-435KH7Y-2R/2/8acc176700c95bb8614d96c40cfc5577",
2886   author =       "W. J. Weber and W. Jiang and S. Thevuthasan",
2887   keywords =     "Amorphization",
2888   keywords =     "Irradiation effects",
2889   keywords =     "Thermal recovery",
2890   keywords =     "Silicon carbide",
2891 }
2892
2893 @Article{bockstedte03,
2894   title =        "Ab initio study of the migration of intrinsic defects
2895                  in $3{C}-Si{C}$",
2896   author =       "Michel Bockstedte and Alexander Mattausch and Oleg
2897                  Pankratov",
2898   journal =      "Phys. Rev. B",
2899   volume =       "68",
2900   number =       "20",
2901   pages =        "205201",
2902   numpages =     "17",
2903   year =         "2003",
2904   month =        nov,
2905   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.205201",
2906   publisher =    "American Physical Society",
2907   notes =        "defect migration in sic",
2908 }
2909
2910 @Article{rauls03a,
2911   title =        "Theoretical study of vacancy diffusion and
2912                  vacancy-assisted clustering of antisites in Si{C}",
2913   author =       "E. Rauls and Th. Frauenheim and A. Gali and P.
2914                  De\'ak",
2915   journal =      "Phys. Rev. B",
2916   volume =       "68",
2917   number =       "15",
2918   pages =        "155208",
2919   numpages =     "9",
2920   year =         "2003",
2921   month =        oct,
2922   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.155208",
2923   publisher =    "American Physical Society",
2924 }