bibdb/bibdb.bib

   1 %
   2 % bibliography database
   3 %
   4
   5 @Article{albe_sic_pot,
   6   author =       "Paul Erhart and Karsten Albe",
   7   title =        "Analytical potential for atomistic simulations of
   8                  silicon, carbon, and silicon carbide",
   9   publisher =    "APS",
  10   year =         "2005",
  11   journal =      "Phys. Rev. B",
  12   volume =       "71",
  13   number =       "3",
  14   eid =          "035211",
  15   numpages =     "14",
  16   pages =        "035211",
  17   notes =        "alble reparametrization, analytical bond oder
  18                  potential (ABOP)",
  19   keywords =     "silicon; elemental semiconductors; carbon; silicon
  20                  compounds; wide band gap semiconductors; elasticity;
  21                  enthalpy; point defects; crystallographic shear; atomic
  22                  forces",
  23   URL =          "http://link.aps.org/abstract/PRB/v71/e035211",
  24   doi =          "10.1103/PhysRevB.71.035211",
  25 }
  26
  27 @Article{erhart04,
  28   title =        "The role of thermostats in modeling vapor phase
  29                  condensation of silicon nanoparticles",
  30   journal =      "Applied Surface Science",
  31   volume =       "226",
  32   number =       "1-3",
  33   pages =        "12--18",
  34   year =         "2004",
  35   note =         "EMRS 2003 Symposium F, Nanostructures from Clusters",
  36   ISSN =         "0169-4332",
  37   doi =          "DOI: 10.1016/j.apsusc.2003.11.003",
  38   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6THY-4B957HV-8/2/b35dbe80a70d173f6f7a00dacbcbd738",
  39   author =       "Paul Erhart and Karsten Albe",
  40 }
  41
  42 @Article{albe2002,
  43   title =        "Modeling the metal-semiconductor interaction:
  44                  Analytical bond-order potential for platinum-carbon",
  45   author =       "Karsten Albe and Kai Nordlund and Robert S. Averback",
  46   journal =      "Phys. Rev. B",
  47   volume =       "65",
  48   number =       "19",
  49   pages =        "195124",
  50   numpages =     "11",
  51   year =         "2002",
  52   month =        may,
  53   doi =          "10.1103/PhysRevB.65.195124",
  54   publisher =    "American Physical Society",
  55   notes =        "derivation of albe bond order formalism",
  56 }
  57
  58 @Article{newman65,
  59   title =        "Vibrational absorption of carbon in silicon",
  60   journal =      "Journal of Physics and Chemistry of Solids",
  61   volume =       "26",
  62   number =       "2",
  63   pages =        "373--379",
  64   year =         "1965",
  65   note =         "",
  66   ISSN =         "0022-3697",
  67   doi =          "DOI: 10.1016/0022-3697(65)90166-6",
  68   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXR-46RVGM8-1C/2/d50c4df37065a75517d63a04af18d667",
  69   author =       "R. C. Newman and J. B. Willis",
  70   notes =        "c impurity dissolved as substitutional c in si",
  71 }
  72
  73 @Article{baker68,
  74   author =       "J. A. Baker and T. N. Tucker and N. E. Moyer and R. C.
  75                  Buschert",
  76   collaboration = "",
  77   title =        "Effect of Carbon on the Lattice Parameter of Silicon",
  78   publisher =    "AIP",
  79   year =         "1968",
  80   journal =      "Journal of Applied Physics",
  81   volume =       "39",
  82   number =       "9",
  83   pages =        "4365--4368",
  84   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/39/4365/1",
  85   doi =          "10.1063/1.1656977",
  86   notes =        "lattice contraction due to subst c",
  87 }
  88
  89 @Article{bean71,
  90   title =        "The solubility of carbon in pulled silicon crystals",
  91   journal =      "Journal of Physics and Chemistry of Solids",
  92   volume =       "32",
  93   number =       "6",
  94   pages =        "1211--1219",
  95   year =         "1971",
  96   note =         "",
  97   ISSN =         "0022-3697",
  98   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-3697(71)80179-8",
  99   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXR-4PR80SS-D/2/ce21d10d2bb885b5641905883a618ff5",
 100   author =       "A. R. Bean and R. C. Newman",
 101   notes =        "experimental solubility data of carbon in silicon",
 102 }
 103
 104 @Article{capano97,
 105   author =       "M. A. Capano and R. J. Trew",
 106   title =        "Silicon Carbide Electronic Materials and Devices",
 107   journal =      "MRS Bull.",
 108   volume =       "22",
 109   pages =        "19",
 110   year =         "1997",
 111 }
 112
 113 @Article{fischer90,
 114   author =       "G. R. Fisher and P. Barnes",
 115   title =        "Towards a unified view of polytypism in silicon
 116                  carbide",
 117   journal =      "Philos. Mag. B",
 118   volume =       "61",
 119   pages =        "217--236",
 120   year =         "1990",
 121   notes =        "sic polytypes",
 122 }
 123
 124 @Article{koegler03,
 125   author =       "R. K{\"{o}}gler and F. Eichhorn and J. R. Kaschny and
 126                  A. M{\"{u}}cklich and H. Reuther and W. Skorupa and C.
 127                  Serre and A. Perez-Rodriguez",
 128   title =        "Synthesis of nano-sized Si{C} precipitates in Si by
 129                  simultaneous dual-beam implantation of {C}+ and Si+
 130                  ions",
 131   journal =      "Appl. Phys. A: Mater. Sci. Process.",
 132   volume =       "76",
 133   pages =        "827--835",
 134   month =        mar,
 135   year =         "2003",
 136   URL =          "http://www.springerlink.com/content/jr8xj33mqc5vpwwj/",
 137   notes =        "dual implantation, sic prec enhanced by vacancies,
 138                  precipitation by interstitial and substitutional
 139                  carbon, both mechanisms explained + refs",
 140 }
 141
 142 @Article{skorupa96,
 143   title =        "Carbon-mediated effects in silicon and in
 144                  silicon-related materials",
 145   journal =      "Materials Chemistry and Physics",
 146   volume =       "44",
 147   number =       "2",
 148   pages =        "101--143",
 149   year =         "1996",
 150   note =         "",
 151   ISSN =         "0254-0584",
 152   doi =          "DOI: 10.1016/0254-0584(95)01673-I",
 153   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TX4-3VR9V74-2/2/4ab972315eb79eaa76b55ffab5aed982",
 154   author =       "W. Skorupa and R. A. Yankov",
 155   notes =        "review of silicon carbon compound",
 156 }
 157
 158 @Book{laplace,
 159   author =       "P. S. de Laplace",
 160   title =        "Th\'eorie analytique des probabilit\'es",
 161   series =       "Oeuvres Compl\`etes de Laplace",
 162   volume =       "VII",
 163   publisher =    "Gauthier-Villars",
 164   year =         "1820",
 165 }
 166
 167 @Article{mattoni2007,
 168   author =       "A. {Mattoni} and M. {Ippolito} and L. {Colombo}",
 169   title =        "{Atomistic modeling of brittleness in covalent
 170                  materials}",
 171   journal =      "Phys. Rev. B",
 172   year =         "2007",
 173   month =        dec,
 174   volume =       "76",
 175   number =       "22",
 176   pages =        "224103",
 177   doi =          "10.1103/PhysRevB.76.224103",
 178   notes =        "adopted tersoff potential for Si, C, Ge ad SiC;
 179                  longe(r)-range-interactions, brittle propagation of
 180                  fracture, more available potentials, universal energy
 181                  relation (uer), minimum range model (mrm)",
 182 }
 183
 184 @Article{balamane92,
 185   title =        "Comparative study of silicon empirical interatomic
 186                  potentials",
 187   author =       "H. Balamane and T. Halicioglu and W. A. Tiller",
 188   journal =      "Phys. Rev. B",
 189   volume =       "46",
 190   number =       "4",
 191   pages =        "2250--2279",
 192   numpages =     "29",
 193   year =         "1992",
 194   month =        jul,
 195   doi =          "10.1103/PhysRevB.46.2250",
 196   publisher =    "American Physical Society",
 197   notes =        "comparison of classical potentials for si",
 198 }
 199
 200 @Article{koster2002,
 201   title =        "Stress relaxation in $a-Si$ induced by ion
 202                  bombardment",
 203   author =       "H. M. Urbassek M. Koster",
 204   journal =      "Phys. Rev. B",
 205   volume =       "62",
 206   number =       "16",
 207   pages =        "11219--11224",
 208   numpages =     "5",
 209   year =         "2000",
 210   month =        oct,
 211   doi =          "10.1103/PhysRevB.62.11219",
 212   publisher =    "American Physical Society",
 213   notes =        "virial derivation for 3-body tersoff potential",
 214 }
 215
 216 @Article{breadmore99,
 217   title =        "Direct simulation of ion-beam-induced stressing and
 218                  amorphization of silicon",
 219   author =       "N. Gr\o{}nbech-Jensen K. M. Beardmore",
 220   journal =      "Phys. Rev. B",
 221   volume =       "60",
 222   number =       "18",
 223   pages =        "12610--12616",
 224   numpages =     "6",
 225   year =         "1999",
 226   month =        nov,
 227   doi =          "10.1103/PhysRevB.60.12610",
 228   publisher =    "American Physical Society",
 229   notes =        "virial derivation for 3-body tersoff potential",
 230 }
 231
 232 @Article{nielsen83,
 233   title =        "First-Principles Calculation of Stress",
 234   author =       "O. H. Nielsen and Richard M. Martin",
 235   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 236   volume =       "50",
 237   number =       "9",
 238   pages =        "697--700",
 239   numpages =     "3",
 240   year =         "1983",
 241   month =        feb,
 242   doi =          "10.1103/PhysRevLett.50.697",
 243   publisher =    "American Physical Society",
 244   notes =        "generalization of virial theorem",
 245 }
 246
 247 @Article{nielsen85,
 248   title =        "Quantum-mechanical theory of stress and force",
 249   author =       "O. H. Nielsen and Richard M. Martin",
 250   journal =      "Phys. Rev. B",
 251   volume =       "32",
 252   number =       "6",
 253   pages =        "3780--3791",
 254   numpages =     "11",
 255   year =         "1985",
 256   month =        sep,
 257   doi =          "10.1103/PhysRevB.32.3780",
 258   publisher =    "American Physical Society",
 259   notes =        "dft virial stress and forces",
 260 }
 261
 262 @Article{moissan04,
 263   author =       "Henri Moissan",
 264   title =        "Nouvelles recherches sur la météorité de Cañon
 265                  Diablo",
 266   journal =      "Comptes rendus de l'Académie des Sciences",
 267   volume =       "139",
 268   pages =        "773--786",
 269   year =         "1904",
 270 }
 271
 272 @Book{park98,
 273   author =       "Y. S. Park",
 274   title =        "Si{C} Materials and Devices",
 275   publisher =    "Academic Press",
 276   address =      "San Diego",
 277   year =         "1998",
 278 }
 279
 280 @Article{tsvetkov98,
 281   author =       "Valeri F. Tsvetkov and R. C. Glass and D. Henshall and
 282                  Calvin H. Carter Jr. and D. Asbury",
 283   title =        "Si{C} Seeded Boule Growth",
 284   journal =      "Materials Science Forum",
 285   volume =       "264-268",
 286   pages =        "3--8",
 287   year =         "1998",
 288   notes =        "modified lely process, micropipes",
 289 }
 290
 291 @Article{verlet67,
 292   title =        "Computer {"}Experiments{"} on Classical Fluids. {I}.
 293                  Thermodynamical Properties of Lennard-Jones Molecules",
 294   author =       "Loup Verlet",
 295   journal =      "Phys. Rev.",
 296   volume =       "159",
 297   number =       "1",
 298   pages =        "98",
 299   year =         "1967",
 300   month =        jul,
 301   doi =          "10.1103/PhysRev.159.98",
 302   publisher =    "American Physical Society",
 303   notes =        "velocity verlet integration algorithm equation of
 304                  motion",
 305 }
 306
 307 @Article{berendsen84,
 308   author =       "H. J. C. Berendsen and J. P. M. Postma and W. F. van
 309                  Gunsteren and A. DiNola and J. R. Haak",
 310   collaboration = "",
 311   title =        "Molecular dynamics with coupling to an external bath",
 312   publisher =    "AIP",
 313   year =         "1984",
 314   journal =      "J. Chem. Phys.",
 315   volume =       "81",
 316   number =       "8",
 317   pages =        "3684--3690",
 318   keywords =     "MOLECULAR DYNAMICS CALCULATION; TRANSPORT THEORY;
 319                  COMPUTERIZED SIMULATION; LIQUIDS; STRUCTURE FACTORS",
 320   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/81/3684/1",
 321   doi =          "10.1063/1.448118",
 322   notes =        "berendsen thermostat barostat",
 323 }
 324
 325 @Article{huang95,
 326   author =       "Hanchen Huang and N M Ghoniem and J K Wong and M
 327                  Baskes",
 328   title =        "Molecular dynamics determination of defect energetics
 329                  in beta -Si{C} using three representative empirical
 330                  potentials",
 331   journal =      "Modell. Simul. Mater. Sci. Eng.",
 332   volume =       "3",
 333   number =       "5",
 334   pages =        "615--627",
 335   URL =          "http://stacks.iop.org/0965-0393/3/615",
 336   notes =        "comparison of tersoff, pearson and eam for defect
 337                  energetics in sic; (m)eam parameters for sic",
 338   year =         "1995",
 339 }
 340
 341 @Article{brenner89,
 342   title =        "Relationship between the embedded-atom method and
 343                  Tersoff potentials",
 344   author =       "Donald W. Brenner",
 345   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 346   volume =       "63",
 347   number =       "9",
 348   pages =        "1022",
 349   numpages =     "1",
 350   year =         "1989",
 351   month =        aug,
 352   doi =          "10.1103/PhysRevLett.63.1022",
 353   publisher =    "American Physical Society",
 354   notes =        "relation of tersoff and eam potential",
 355 }
 356
 357 @Article{batra87,
 358   title =        "Molecular-dynamics study of self-interstitials in
 359                  silicon",
 360   author =       "Inder P. Batra and Farid F. Abraham and S. Ciraci",
 361   journal =      "Phys. Rev. B",
 362   volume =       "35",
 363   number =       "18",
 364   pages =        "9552--9558",
 365   numpages =     "6",
 366   year =         "1987",
 367   month =        jun,
 368   doi =          "10.1103/PhysRevB.35.9552",
 369   publisher =    "American Physical Society",
 370   notes =        "selft-interstitials in silicon, stillinger-weber,
 371                  calculation of defect formation energy, defect
 372                  interstitial types",
 373 }
 374
 375 @Article{schober89,
 376   title =        "Extended interstitials in silicon and germanium",
 377   author =       "H. R. Schober",
 378   journal =      "Phys. Rev. B",
 379   volume =       "39",
 380   number =       "17",
 381   pages =        "13013--13015",
 382   numpages =     "2",
 383   year =         "1989",
 384   month =        jun,
 385   doi =          "10.1103/PhysRevB.39.13013",
 386   publisher =    "American Physical Society",
 387   notes =        "stillinger-weber silicon 110 stable and metastable
 388                  dumbbell configuration",
 389 }
 390
 391 @Article{gao02a,
 392   title =        "Cascade overlap and amorphization in $3{C}-Si{C}:$
 393                  Defect accumulation, topological features, and
 394                  disordering",
 395   author =       "F. Gao and W. J. Weber",
 396   journal =      "Phys. Rev. B",
 397   volume =       "66",
 398   number =       "2",
 399   pages =        "024106",
 400   numpages =     "10",
 401   year =         "2002",
 402   month =        jul,
 403   doi =          "10.1103/PhysRevB.66.024106",
 404   publisher =    "American Physical Society",
 405   notes =        "sic intro, si cascade in 3c-sic, amorphization,
 406                  tersoff modified, pair correlation of amorphous sic, md
 407                  result analyze",
 408 }
 409
 410 @Article{devanathan98,
 411   title =        "Computer simulation of a 10 ke{V} Si displacement
 412                  cascade in Si{C}",
 413   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
 414   volume =       "141",
 415   number =       "1-4",
 416   pages =        "118--122",
 417   year =         "1998",
 418   ISSN =         "0168-583X",
 419   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00084-6",
 420   author =       "R. Devanathan and W. J. Weber and T. Diaz de la
 421                  Rubia",
 422   notes =        "modified tersoff short range potential, ab initio
 423                  3c-sic",
 424 }
 425
 426 @Article{devanathan98_2,
 427   title =        "Displacement threshold energies in [beta]-Si{C}",
 428   journal =      "J. Nucl. Mater.",
 429   volume =       "253",
 430   number =       "1-3",
 431   pages =        "47--52",
 432   year =         "1998",
 433   ISSN =         "0022-3115",
 434   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-3115(97)00304-8",
 435   author =       "R. Devanathan and T. Diaz de la Rubia and W. J.
 436                  Weber",
 437   notes =        "modified tersoff, ab initio, combined ab initio
 438                  tersoff",
 439 }
 440
 441 @Article{kitabatake00,
 442   title =        "Si{C}/Si heteroepitaxial growth",
 443   author =       "M. Kitabatake",
 444   journal =      "Thin Solid Films",
 445   volume =       "369",
 446   pages =        "257--264",
 447   numpages =     "8",
 448   year =         "2000",
 449   notes =        "md simulation, sic si heteroepitaxy, mbe",
 450 }
 451
 452 @Article{tang97,
 453   title =        "Intrinsic point defects in crystalline silicon:
 454                  Tight-binding molecular dynamics studies of
 455                  self-diffusion, interstitial-vacancy recombination, and
 456                  formation volumes",
 457   author =       "M. Tang and L. Colombo and J. Zhu and T. Diaz de la
 458                  Rubia",
 459   journal =      "Phys. Rev. B",
 460   volume =       "55",
 461   number =       "21",
 462   pages =        "14279--14289",
 463   numpages =     "10",
 464   year =         "1997",
 465   month =        jun,
 466   doi =          "10.1103/PhysRevB.55.14279",
 467   publisher =    "American Physical Society",
 468   notes =        "si self interstitial, diffusion, tbmd",
 469 }
 470
 471 @Article{johnson98,
 472   author =       "M. D. Johnson and M.-J. Caturla and T. D\'{\i}az de la
 473                  Rubia",
 474   collaboration = "",
 475   title =        "A kinetic Monte--Carlo study of the effective
 476                  diffusivity of the silicon self-interstitial in the
 477                  presence of carbon and boron",
 478   publisher =    "AIP",
 479   year =         "1998",
 480   journal =      "J. Appl. Phys.",
 481   volume =       "84",
 482   number =       "4",
 483   pages =        "1963--1967",
 484   keywords =     "MONTE CARLO METHOD; DIFFUSION; SILICON; INTERSTITIALS;
 485                  CARBON ADDITIONS; BORON ADDITIONS; elemental
 486                  semiconductors; self-diffusion",
 487   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/84/1963/1",
 488   doi =          "10.1063/1.368328",
 489   notes =        "kinetic monte carlo of si self interstitial
 490                  diffsuion",
 491 }
 492
 493 @Article{bar-yam84,
 494   title =        "Barrier to Migration of the Silicon
 495                  Self-Interstitial",
 496   author =       "Y. Bar-Yam and J. D. Joannopoulos",
 497   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 498   volume =       "52",
 499   number =       "13",
 500   pages =        "1129--1132",
 501   numpages =     "3",
 502   year =         "1984",
 503   month =        mar,
 504   doi =          "10.1103/PhysRevLett.52.1129",
 505   publisher =    "American Physical Society",
 506   notes =        "si self-interstitial migration barrier",
 507 }
 508
 509 @Article{bar-yam84_2,
 510   title =        "Electronic structure and total-energy migration
 511                  barriers of silicon self-interstitials",
 512   author =       "Y. Bar-Yam and J. D. Joannopoulos",
 513   journal =      "Phys. Rev. B",
 514   volume =       "30",
 515   number =       "4",
 516   pages =        "1844--1852",
 517   numpages =     "8",
 518   year =         "1984",
 519   month =        aug,
 520   doi =          "10.1103/PhysRevB.30.1844",
 521   publisher =    "American Physical Society",
 522 }
 523
 524 @Article{bloechl93,
 525   title =        "First-principles calculations of self-diffusion
 526                  constants in silicon",
 527   author =       "Peter E. Bl{\"o}chl and Enrico Smargiassi and R. Car
 528                  and D. B. Laks and W. Andreoni and S. T. Pantelides",
 529   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 530   volume =       "70",
 531   number =       "16",
 532   pages =        "2435--2438",
 533   numpages =     "3",
 534   year =         "1993",
 535   month =        apr,
 536   doi =          "10.1103/PhysRevLett.70.2435",
 537   publisher =    "American Physical Society",
 538   notes =        "si self int diffusion by ab initio md, formation
 539                  entropy calculations",
 540 }
 541
 542 @Article{munro99,
 543   title =        "Defect migration in crystalline silicon",
 544   author =       "Lindsey J. Munro and David J. Wales",
 545   journal =      "Phys. Rev. B",
 546   volume =       "59",
 547   number =       "6",
 548   pages =        "3969--3980",
 549   numpages =     "11",
 550   year =         "1999",
 551   month =        feb,
 552   doi =          "10.1103/PhysRevB.59.3969",
 553   publisher =    "American Physical Society",
 554   notes =        "eigenvector following method, vacancy and interstiial
 555                  defect migration mechanisms",
 556 }
 557
 558 @Article{colombo02,
 559   title =        "Tight-binding theory of native point defects in
 560                  silicon",
 561   author =       "L. Colombo",
 562   journal =      "Annu. Rev. Mater. Res.",
 563   volume =       "32",
 564   pages =        "271--295",
 565   numpages =     "25",
 566   year =         "2002",
 567   doi =          "10.1146/annurev.matsci.32.111601.103036",
 568   publisher =    "Annual Reviews",
 569   notes =        "si self interstitial, tbmd, virial stress",
 570 }
 571
 572 @Article{al-mushadani03,
 573   title =        "Free-energy calculations of intrinsic point defects in
 574                  silicon",
 575   author =       "O. K. Al-Mushadani and R. J. Needs",
 576   journal =      "Phys. Rev. B",
 577   volume =       "68",
 578   number =       "23",
 579   pages =        "235205",
 580   numpages =     "8",
 581   year =         "2003",
 582   month =        dec,
 583   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.235205",
 584   publisher =    "American Physical Society",
 585   notes =        "formation energies of intrinisc point defects in
 586                  silicon, si self interstitials, free energy",
 587 }
 588
 589 @Article{goedecker02,
 590   title =        "A Fourfold Coordinated Point Defect in Silicon",
 591   author =       "Stefan Goedecker and Thierry Deutsch and Luc Billard",
 592   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 593   volume =       "88",
 594   number =       "23",
 595   pages =        "235501",
 596   numpages =     "4",
 597   year =         "2002",
 598   month =        may,
 599   doi =          "10.1103/PhysRevLett.88.235501",
 600   publisher =    "American Physical Society",
 601   notes =        "first time ffcd, fourfold coordinated point defect in
 602                  silicon",
 603 }
 604
 605 @Article{sahli05,
 606   title =        "Ab initio molecular dynamics simulation of
 607                  self-interstitial diffusion in silicon",
 608   author =       "Beat Sahli and Wolfgang Fichtner",
 609   journal =      "Phys. Rev. B",
 610   volume =       "72",
 611   number =       "24",
 612   pages =        "245210",
 613   numpages =     "6",
 614   year =         "2005",
 615   month =        dec,
 616   doi =          "10.1103/PhysRevB.72.245210",
 617   publisher =    "American Physical Society",
 618   notes =        "si self int, diffusion, barrier height, voronoi
 619                  mapping applied",
 620 }
 621
 622 @Article{hobler05,
 623   title =        "Ab initio calculations of the interaction between
 624                  native point defects in silicon",
 625   journal =      "Mater. Sci. Eng., B",
 626   volume =       "124-125",
 627   number =       "",
 628   pages =        "368--371",
 629   year =         "2005",
 630   note =         "EMRS 2005, Symposium D - Materials Science and Device
 631                  Issues for Future Technologies",
 632   ISSN =         "0921-5107",
 633   doi =          "DOI: 10.1016/j.mseb.2005.08.072",
 634   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXF-4H6PKRB-3/2/e217bd3d7ee1fffee899eeb4a2f133a4",
 635   author =       "G. Hobler and G. Kresse",
 636   notes =        "vasp intrinsic si defect interaction study, capture
 637                  radius",
 638 }
 639
 640 @Article{ma10,
 641   title =        "Ab initio study of self-diffusion in silicon over a
 642                  wide temperature range: Point defect states and
 643                  migration mechanisms",
 644   author =       "Shangyi Ma and Shaoqing Wang",
 645   journal =      "Phys. Rev. B",
 646   volume =       "81",
 647   number =       "19",
 648   pages =        "193203",
 649   numpages =     "4",
 650   year =         "2010",
 651   month =        may,
 652   doi =          "10.1103/PhysRevB.81.193203",
 653   publisher =    "American Physical Society",
 654   notes =        "si self interstitial diffusion + refs",
 655 }
 656
 657 @Article{posselt06,
 658   title =        "Atomistic simulations on the thermal stability of the
 659                  antisite pair in 3{C}- and 4{H}-Si{C}",
 660   author =       "M. Posselt and F. Gao and W. J. Weber",
 661   journal =      "Phys. Rev. B",
 662   volume =       "73",
 663   number =       "12",
 664   pages =        "125206",
 665   numpages =     "8",
 666   year =         "2006",
 667   month =        mar,
 668   doi =          "10.1103/PhysRevB.73.125206",
 669   publisher =    "American Physical Society",
 670 }
 671
 672 @Article{posselt08,
 673   title =        "Correlation between self-diffusion in Si and the
 674                  migration mechanisms of vacancies and
 675                  self-interstitials: An atomistic study",
 676   author =       "M. Posselt and F. Gao and H. Bracht",
 677   journal =      "Phys. Rev. B",
 678   volume =       "78",
 679   number =       "3",
 680   pages =        "035208",
 681   numpages =     "9",
 682   year =         "2008",
 683   month =        jul,
 684   doi =          "10.1103/PhysRevB.78.035208",
 685   publisher =    "American Physical Society",
 686   notes =        "si self-interstitial and vacancy diffusion, stillinger
 687                  weber and tersoff",
 688 }
 689
 690 @Article{gao2001,
 691   title =        "Ab initio and empirical-potential studies of defect
 692                  properties in $3{C}-Si{C}$",
 693   author =       "F. Gao and E. J. Bylaska and W. J. Weber and L. R.
 694                  Corrales",
 695   journal =      "Phys. Rev. B",
 696   volume =       "64",
 697   number =       "24",
 698   pages =        "245208",
 699   numpages =     "7",
 700   year =         "2001",
 701   month =        dec,
 702   doi =          "10.1103/PhysRevB.64.245208",
 703   publisher =    "American Physical Society",
 704   notes =        "defects in 3c-sic",
 705 }
 706
 707 @Article{gao02,
 708   title =        "Empirical potential approach for defect properties in
 709                  3{C}-Si{C}",
 710   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
 711   volume =       "191",
 712   number =       "1-4",
 713   pages =        "487--496",
 714   year =         "2002",
 715   note =         "",
 716   ISSN =         "0168-583X",
 717   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(02)00600-6",
 718   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-453NR6B-G/2/e65b0730e94e13d66f72a2147b449ea7",
 719   author =       "Fei Gao and William J. Weber",
 720   keywords =     "Empirical potential",
 721   keywords =     "Defect properties",
 722   keywords =     "Silicon carbide",
 723   keywords =     "Computer simulation",
 724   notes =        "sic potential, brenner type, like erhart/albe",
 725 }
 726
 727 @Article{gao04,
 728   title =        "Atomistic study of intrinsic defect migration in
 729                  3{C}-Si{C}",
 730   author =       "Fei Gao and William J. Weber and M. Posselt and V.
 731                  Belko",
 732   journal =      "Phys. Rev. B",
 733   volume =       "69",
 734   number =       "24",
 735   pages =        "245205",
 736   numpages =     "5",
 737   year =         "2004",
 738   month =        jun,
 739   doi =          "10.1103/PhysRevB.69.245205",
 740   publisher =    "American Physical Society",
 741   notes =        "defect migration in sic",
 742 }
 743
 744 @Article{gao07,
 745   author =       "F. Gao and J. Du and E. J. Bylaska and M. Posselt and
 746                  W. J. Weber",
 747   collaboration = "",
 748   title =        "Ab Initio atomic simulations of antisite pair recovery
 749                  in cubic silicon carbide",
 750   publisher =    "AIP",
 751   year =         "2007",
 752   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
 753   volume =       "90",
 754   number =       "22",
 755   eid =          "221915",
 756   numpages =     "3",
 757   pages =        "221915",
 758   keywords =     "ab initio calculations; silicon compounds; antisite
 759                  defects; wide band gap semiconductors; molecular
 760                  dynamics method; density functional theory;
 761                  electron-hole recombination; photoluminescence;
 762                  impurities; diffusion",
 763   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/90/221915/1",
 764   doi =          "10.1063/1.2743751",
 765 }
 766
 767 @Article{mattoni2002,
 768   title =        "Self-interstitial trapping by carbon complexes in
 769                  crystalline silicon",
 770   author =       "A. Mattoni and F. Bernardini and L. Colombo",
 771   journal =      "Phys. Rev. B",
 772   volume =       "66",
 773   number =       "19",
 774   pages =        "195214",
 775   numpages =     "6",
 776   year =         "2002",
 777   month =        nov,
 778   doi =          "10.1103/PhysRevB.66.195214",
 779   publisher =    "American Physical Society",
 780   notes =        "c in c-si, diffusion, interstitial configuration +
 781                  links, interaction of carbon and silicon interstitials,
 782                  tersoff suitability",
 783 }
 784
 785 @Article{leung99,
 786   title =        "Calculations of Silicon Self-Interstitial Defects",
 787   author =       "W.-K. Leung and R. J. Needs and G. Rajagopal and S.
 788                  Itoh and S. Ihara",
 789   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 790   volume =       "83",
 791   number =       "12",
 792   pages =        "2351--2354",
 793   numpages =     "3",
 794   year =         "1999",
 795   month =        sep,
 796   doi =          "10.1103/PhysRevLett.83.2351",
 797   publisher =    "American Physical Society",
 798   notes =        "nice images of the defects, si defect overview +
 799                  refs",
 800 }
 801
 802 @Article{capaz94,
 803   title =        "Identification of the migration path of interstitial
 804                  carbon in silicon",
 805   author =       "R. B. Capaz and A. {Dal Pino} and J. D. Joannopoulos",
 806   journal =      "Phys. Rev. B",
 807   volume =       "50",
 808   number =       "11",
 809   pages =        "7439--7442",
 810   numpages =     "3",
 811   year =         "1994",
 812   month =        sep,
 813   doi =          "10.1103/PhysRevB.50.7439",
 814   publisher =    "American Physical Society",
 815   notes =        "carbon interstitial migration path shown, 001 c-si
 816                  dumbbell",
 817 }
 818
 819 @Article{capaz98,
 820   title =        "Theory of carbon-carbon pairs in silicon",
 821   author =       "R. B. Capaz and A. {Dal Pino} and J. D. Joannopoulos",
 822   journal =      "Phys. Rev. B",
 823   volume =       "58",
 824   number =       "15",
 825   pages =        "9845--9850",
 826   numpages =     "5",
 827   year =         "1998",
 828   month =        oct,
 829   doi =          "10.1103/PhysRevB.58.9845",
 830   publisher =    "American Physical Society",
 831   notes =        "c_i c_s pair configuration, theoretical results",
 832 }
 833
 834 @Article{song90_2,
 835   title =        "Bistable interstitial-carbon--substitutional-carbon
 836                  pair in silicon",
 837   author =       "L. W. Song and X. D. Zhan and B. W. Benson and G. D.
 838                  Watkins",
 839   journal =      "Phys. Rev. B",
 840   volume =       "42",
 841   number =       "9",
 842   pages =        "5765--5783",
 843   numpages =     "18",
 844   year =         "1990",
 845   month =        sep,
 846   doi =          "10.1103/PhysRevB.42.5765",
 847   publisher =    "American Physical Society",
 848   notes =        "c_i c_s pair configuration, experimental results",
 849 }
 850
 851 @Article{liu02,
 852   author =       "Chun-Li Liu and Wolfgang Windl and Len Borucki and
 853                  Shifeng Lu and Xiang-Yang Liu",
 854   collaboration = "",
 855   title =        "Ab initio modeling and experimental study of {C}--{B}
 856                  interactions in Si",
 857   publisher =    "AIP",
 858   year =         "2002",
 859   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
 860   volume =       "80",
 861   number =       "1",
 862   pages =        "52--54",
 863   keywords =     "silicon; boron; carbon; elemental semiconductors;
 864                  impurity-defect interactions; ab initio calculations;
 865                  secondary ion mass spectra; diffusion; interstitials",
 866   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/80/52/1",
 867   doi =          "10.1063/1.1430505",
 868   notes =        "c-c 100 split, lower as a and b states of capaz",
 869 }
 870
 871 @Article{dal_pino93,
 872   title =        "Ab initio investigation of carbon-related defects in
 873                  silicon",
 874   author =       "A. {Dal Pino} and Andrew M. Rappe and J. D.
 875                  Joannopoulos",
 876   journal =      "Phys. Rev. B",
 877   volume =       "47",
 878   number =       "19",
 879   pages =        "12554--12557",
 880   numpages =     "3",
 881   year =         "1993",
 882   month =        may,
 883   doi =          "10.1103/PhysRevB.47.12554",
 884   publisher =    "American Physical Society",
 885   notes =        "c interstitials in crystalline silicon",
 886 }
 887
 888 @Article{car84,
 889   title =        "Microscopic Theory of Atomic Diffusion Mechanisms in
 890                  Silicon",
 891   author =       "Roberto Car and Paul J. Kelly and Atsushi Oshiyama and
 892                  Sokrates T. Pantelides",
 893   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 894   volume =       "52",
 895   number =       "20",
 896   pages =        "1814--1817",
 897   numpages =     "3",
 898   year =         "1984",
 899   month =        may,
 900   doi =          "10.1103/PhysRevLett.52.1814",
 901   publisher =    "American Physical Society",
 902   notes =        "microscopic theory diffusion silicon dft migration
 903                  path formation",
 904 }
 905
 906 @Article{car85,
 907   title =        "Unified Approach for Molecular Dynamics and
 908                  Density-Functional Theory",
 909   author =       "R. Car and M. Parrinello",
 910   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 911   volume =       "55",
 912   number =       "22",
 913   pages =        "2471--2474",
 914   numpages =     "3",
 915   year =         "1985",
 916   month =        nov,
 917   doi =          "10.1103/PhysRevLett.55.2471",
 918   publisher =    "American Physical Society",
 919   notes =        "car parrinello method, dft and md",
 920 }
 921
 922 @Article{kelires97,
 923   title =        "Short-range order, bulk moduli, and physical trends in
 924                  c-$Si1-x$$Cx$ alloys",
 925   author =       "P. C. Kelires",
 926   journal =      "Phys. Rev. B",
 927   volume =       "55",
 928   number =       "14",
 929   pages =        "8784--8787",
 930   numpages =     "3",
 931   year =         "1997",
 932   month =        apr,
 933   doi =          "10.1103/PhysRevB.55.8784",
 934   publisher =    "American Physical Society",
 935   notes =        "c strained si, montecarlo md, bulk moduli, next
 936                  neighbour dist",
 937 }
 938
 939 @Article{kelires95,
 940   title =        "Monte Carlo Studies of Ternary Semiconductor Alloys:
 941                  Application to the $Si1-x-yGexCy$ System",
 942   author =       "P. C. Kelires",
 943   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 944   volume =       "75",
 945   number =       "6",
 946   pages =        "1114--1117",
 947   numpages =     "3",
 948   year =         "1995",
 949   month =        aug,
 950   doi =          "10.1103/PhysRevLett.75.1114",
 951   publisher =    "American Physical Society",
 952   notes =        "mc md, strain compensation in si ge by c insertion",
 953 }
 954
 955 @Article{bean70,
 956   title =        "Low temperature electron irradiation of silicon
 957                  containing carbon",
 958   journal =      "Solid State Communications",
 959   volume =       "8",
 960   number =       "3",
 961   pages =        "175--177",
 962   year =         "1970",
 963   note =         "",
 964   ISSN =         "0038-1098",
 965   doi =          "DOI: 10.1016/0038-1098(70)90074-8",
 966   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVW-46MF8S4-156/2/5f4d9c189a3d97227fde9214195aa081",
 967   author =       "A. R. Bean and R. C. Newman",
 968 }
 969
 970 @Article{durand99,
 971   author =       "F. Durand and J. Duby",
 972   affiliation =  "EPM-Madylam, CNRS and INP Grenoble, France",
 973   title =        "Carbon solubility in solid and liquid silicon—{A}
 974                  review with reference to eutectic equilibrium",
 975   journal =      "Journal of Phase Equilibria",
 976   publisher =    "Springer New York",
 977   ISSN =         "1054-9714",
 978   keyword =      "Chemistry and Materials Science",
 979   pages =        "61--63",
 980   volume =       "20",
 981   issue =        "1",
 982   URL =          "http://dx.doi.org/10.1361/105497199770335956",
 983   note =         "10.1361/105497199770335956",
 984   year =         "1999",
 985   notes =        "better c solubility limit in silicon",
 986 }
 987
 988 @Article{watkins76,
 989   title =        "{EPR} Observation of the Isolated Interstitial Carbon
 990                  Atom in Silicon",
 991   author =       "G. D. Watkins and K. L. Brower",
 992   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 993   volume =       "36",
 994   number =       "22",
 995   pages =        "1329--1332",
 996   numpages =     "3",
 997   year =         "1976",
 998   month =        may,
 999   doi =          "10.1103/PhysRevLett.36.1329",
1000   publisher =    "American Physical Society",
1001   notes =        "epr observations of 100 interstitial carbon atom in
1002                  silicon",
1003 }
1004
1005 @Article{song90,
1006   title =        "{EPR} identification of the single-acceptor state of
1007                  interstitial carbon in silicon",
1008   author =       "L. W. Song and G. D. Watkins",
1009   journal =      "Phys. Rev. B",
1010   volume =       "42",
1011   number =       "9",
1012   pages =        "5759--5764",
1013   numpages =     "5",
1014   year =         "1990",
1015   month =        sep,
1016   doi =          "10.1103/PhysRevB.42.5759",
1017   publisher =    "American Physical Society",
1018   notes =        "carbon diffusion in silicon",
1019 }
1020
1021 @Article{tipping87,
1022   author =       "A K Tipping and R C Newman",
1023   title =        "The diffusion coefficient of interstitial carbon in
1024                  silicon",
1025   journal =      "Semicond. Sci. Technol.",
1026   volume =       "2",
1027   number =       "5",
1028   pages =        "315--317",
1029   URL =          "http://stacks.iop.org/0268-1242/2/315",
1030   year =         "1987",
1031   notes =        "diffusion coefficient of carbon interstitials in
1032                  silicon",
1033 }
1034
1035 @Article{isomae93,
1036   author =       "Seiichi Isomae and Tsutomu Ishiba and Toshio Ando and
1037                  Masao Tamura",
1038   collaboration = "",
1039   title =        "Annealing behavior of Me{V} implanted carbon in
1040                  silicon",
1041   publisher =    "AIP",
1042   year =         "1993",
1043   journal =      "Journal of Applied Physics",
1044   volume =       "74",
1045   number =       "6",
1046   pages =        "3815--3820",
1047   keywords =     "SILICON; ION IMPLANTATION; WAFERS; CARBON IONS; MEV
1048                  RANGE 0110; TEM; SIMS; INFRARED SPECTRA; STRAINS; DEPTH
1049                  PROFILES",
1050   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/74/3815/1",
1051   doi =          "10.1063/1.354474",
1052   notes =        "c at interstitial location for rt implantation in si",
1053 }
1054
1055 @Article{strane96,
1056   title =        "Carbon incorporation into Si at high concentrations by
1057                  ion implantation and solid phase epitaxy",
1058   author =       "J. W. Strane and S. R. Lee and H. J. Stein and S. T.
1059                  Picraux and J. K. Watanabe and J. W. Mayer",
1060   journal =      "J. Appl. Phys.",
1061   volume =       "79",
1062   pages =        "637",
1063   year =         "1996",
1064   month =        jan,
1065   doi =          "10.1063/1.360806",
1066   notes =        "strained silicon, carbon supersaturation",
1067 }
1068
1069 @Article{laveant2002,
1070   title =        "Epitaxy of carbon-rich silicon with {MBE}",
1071   journal =      "Mater. Sci. Eng., B",
1072   volume =       "89",
1073   number =       "1-3",
1074   pages =        "241--245",
1075   year =         "2002",
1076   ISSN =         "0921-5107",
1077   doi =          "DOI: 10.1016/S0921-5107(01)00794-2",
1078   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXF-44YVPGS-1V/2/024ece074ad18ebbec62a39a2510a268",
1079   author =       "P. Lav\'eant and G. Gerth and P. Werner and U.
1080                  G{\"{o}}sele",
1081   notes =        "low c in si, tensile stress to compensate compressive
1082                  stress, avoid sic precipitation",
1083 }
1084
1085 @Article{foell77,
1086   title =        "The formation of swirl defects in silicon by
1087                  agglomeration of self-interstitials",
1088   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1089   volume =       "40",
1090   number =       "1",
1091   pages =        "90--108",
1092   year =         "1977",
1093   note =         "",
1094   ISSN =         "0022-0248",
1095   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(77)90034-3",
1096   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46BWB4Y-44/2/bddfd69e99369473feebcdc41692dddb",
1097   author =       "H. Föll and U. Gösele and B. O. Kolbesen",
1098   notes =        "b-swirl: si + c interstitial agglomerates, c-si
1099                  agglomerate",
1100 }
1101
1102 @Article{foell81,
1103   title =        "Microdefects in silicon and their relation to point
1104                  defects",
1105   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1106   volume =       "52",
1107   number =       "Part 2",
1108   pages =        "907--916",
1109   year =         "1981",
1110   note =         "",
1111   ISSN =         "0022-0248",
1112   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(81)90397-3",
1113   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46MD42X-90/2/a482c31bf9e2faeed71b7109be601078",
1114   author =       "H. Föll and U. Gösele and B. O. Kolbesen",
1115   notes =        "swirl review",
1116 }
1117
1118 @Article{werner97,
1119   author =       "P. Werner and S. Eichler and G. Mariani and R.
1120                  K{\"{o}}gler and W. Skorupa",
1121   title =        "Investigation of {C}[sub x]Si defects in {C} implanted
1122                  silicon by transmission electron microscopy",
1123   publisher =    "AIP",
1124   year =         "1997",
1125   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1126   volume =       "70",
1127   number =       "2",
1128   pages =        "252--254",
1129   keywords =     "silicon; ion implantation; carbon; crystal defects;
1130                  transmission electron microscopy; annealing; positron
1131                  annihilation; secondary ion mass spectroscopy; buried
1132                  layers; precipitation",
1133   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/70/252/1",
1134   doi =          "10.1063/1.118381",
1135   notes =        "si-c complexes, agglomerate, sic in si matrix, sic
1136                  precipitate",
1137 }
1138
1139 @InProceedings{werner96,
1140   author =       "P. Werner and R. K{\"{o}}gler and W. Skorupa and D.
1141                  Eichler",
1142   booktitle =    "Ion Implantation Technology. Proceedings of the 11th
1143                  International Conference on",
1144   title =        "{TEM} investigation of {C}-Si defects in carbon
1145                  implanted silicon",
1146   year =         "1996",
1147   month =        jun,
1148   volume =       "",
1149   number =       "",
1150   pages =        "675--678",
1151   doi =          "10.1109/IIT.1996.586497",
1152   ISSN =         "",
1153   notes =        "c-si agglomerates dumbbells",
1154 }
1155
1156 @Article{werner98,
1157   author =       "P. Werner and U. G{\"{o}}sele and H.-J. Gossmann and
1158                  D. C. Jacobson",
1159   collaboration = "",
1160   title =        "Carbon diffusion in silicon",
1161   publisher =    "AIP",
1162   year =         "1998",
1163   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1164   volume =       "73",
1165   number =       "17",
1166   pages =        "2465--2467",
1167   keywords =     "silicon; carbon; elemental semiconductors; diffusion;
1168                  secondary ion mass spectra; semiconductor epitaxial
1169                  layers; annealing; impurity-defect interactions;
1170                  impurity distribution",
1171   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/73/2465/1",
1172   doi =          "10.1063/1.122483",
1173   notes =        "c diffusion in si, kick out mechnism",
1174 }
1175
1176 @Article{kalejs84,
1177   author =       "J. P. Kalejs and L. A. Ladd and U. G{\"{o}}sele",
1178   collaboration = "",
1179   title =        "Self-interstitial enhanced carbon diffusion in
1180                  silicon",
1181   publisher =    "AIP",
1182   year =         "1984",
1183   journal =      "Applied Physics Letters",
1184   volume =       "45",
1185   number =       "3",
1186   pages =        "268--269",
1187   keywords =     "PHOSPHORUS; INTERSTITIALS; SILICON; PHOSPHORUS;
1188                  CARBON; DIFFUSION; ANNEALING; ATOM TRANSPORT; VERY HIGH
1189                  TEMPERATURE; IMPURITIES",
1190   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/45/268/1",
1191   doi =          "10.1063/1.95167",
1192   notes =        "c diffusion due to si self-interstitials",
1193 }
1194
1195 @Article{fukami90,
1196   author =       "Akira Fukami and Ken-ichi Shoji and Takahiro Nagano
1197                  and Cary Y. Yang",
1198   collaboration = "",
1199   title =        "Characterization of SiGe/Si heterostructures formed by
1200                  Ge[sup + ] and {C}[sup + ] implantation",
1201   publisher =    "AIP",
1202   year =         "1990",
1203   journal =      "Applied Physics Letters",
1204   volume =       "57",
1205   number =       "22",
1206   pages =        "2345--2347",
1207   keywords =     "HETEROJUNCTIONS; ION IMPLANTATION; HETEROSTRUCTURES;
1208                  FABRICATION; PN JUNCTIONS; LEAKAGE CURRENT; GERMANIUM
1209                  SILICIDES; SILICON; ELECTRICAL PROPERTIES; SOLIDPHASE
1210                  EPITAXY; CARBON IONS; GERMANIUM IONS",
1211   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/57/2345/1",
1212   doi =          "10.1063/1.103888",
1213 }
1214
1215 @Article{strane93,
1216   author =       "J. W. Strane and H. J. Stein and S. R. Lee and B. L.
1217                  Doyle and S. T. Picraux and J. W. Mayer",
1218   collaboration = "",
1219   title =        "Metastable SiGe{C} formation by solid phase epitaxy",
1220   publisher =    "AIP",
1221   year =         "1993",
1222   journal =      "Applied Physics Letters",
1223   volume =       "63",
1224   number =       "20",
1225   pages =        "2786--2788",
1226   keywords =     "SILICON CARBIDES; GERMANIUM CARBIDES; TERNARY ALLOY
1227                  SYSTEMS; EPITAXY; ION IMPLANTATION; METASTABLE STATES;
1228                  ANNEALING; TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; RUTHERFORD
1229                  SCATTERING; XRAY DIFFRACTION; STRAINS; SOLIDPHASE
1230                  EPITAXY; AMORPHIZATION",
1231   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/63/2786/1",
1232   doi =          "10.1063/1.110334",
1233 }
1234
1235 @Article{goorsky92,
1236   author =       "M. S. Goorsky and S. S. Iyer and K. Eberl and F.
1237                  Legoues and J. Angilello and F. Cardone",
1238   collaboration = "",
1239   title =        "Thermal stability of Si[sub 1 - x]{C}[sub x]/Si
1240                  strained layer superlattices",
1241   publisher =    "AIP",
1242   year =         "1992",
1243   journal =      "Applied Physics Letters",
1244   volume =       "60",
1245   number =       "22",
1246   pages =        "2758--2760",
1247   keywords =     "SILICON ALLOYS; CARBON ALLOYS; BINARY ALLOYS;
1248                  MOLECULAR BEAM EPITAXY; SUPERLATTICES; ANNEALING;
1249                  CHEMICAL COMPOSITION; INTERNAL STRAINS; STRESS
1250                  RELAXATION; THERMAL INSTABILITIES; INTERFACE STRUCTURE;
1251                  DIFFUSION; PRECIPITATION; TEMPERATURE EFFECTS",
1252   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/60/2758/1",
1253   doi =          "10.1063/1.106868",
1254 }
1255
1256 @Article{strane94,
1257   author =       "J. W. Strane and H. J. Stein and S. R. Lee and S. T.
1258                  Picraux and J. K. Watanabe and J. W. Mayer",
1259   collaboration = "",
1260   title =        "Precipitation and relaxation in strained Si[sub 1 -
1261                  y]{C}[sub y]/Si heterostructures",
1262   publisher =    "AIP",
1263   year =         "1994",
1264   journal =      "J. Appl. Phys.",
1265   volume =       "76",
1266   number =       "6",
1267   pages =        "3656--3668",
1268   keywords =     "SILICON CARBIDES; SILICON; PRECIPITATION; STRAINS",
1269   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/76/3656/1",
1270   doi =          "10.1063/1.357429",
1271   notes =        "strained si-c to 3c-sic, carbon nucleation + refs,
1272                  precipitation by substitutional carbon, coherent prec,
1273                  coherent to incoherent transition strain vs interface
1274                  energy",
1275 }
1276
1277 @Article{fischer95,
1278   author =       "G. G. Fischer and P. Zaumseil and E. Bugiel and H. J.
1279                  Osten",
1280   collaboration = "",
1281   title =        "Investigation of the high temperature behavior of
1282                  strained Si[sub 1 - y]{C}[sub y] /Si heterostructures",
1283   publisher =    "AIP",
1284   year =         "1995",
1285   journal =      "J. Appl. Phys.",
1286   volume =       "77",
1287   number =       "5",
1288   pages =        "1934--1937",
1289   keywords =     "SILICON CARBIDES; SILICON; HETEROSTRUCTURES; STRAINS;
1290                  XRD; MOLECULAR BEAM EPITAXY; STABILITY; TENSILE
1291                  PROPERTIES; EPITAXIAL LAYERS; ANNEALING; PRECIPITATION;
1292                  TEMPERATURE RANGE 04001000 K",
1293   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/77/1934/1",
1294   doi =          "10.1063/1.358826",
1295 }
1296
1297 @Article{edgar92,
1298   title =        "Prospects for device implementation of wide band gap
1299                  semiconductors",
1300   author =       "J. H. Edgar",
1301   journal =      "J. Mater. Res.",
1302   volume =       "7",
1303   pages =        "235",
1304   year =         "1992",
1305   month =        jan,
1306   doi =          "10.1557/JMR.1992.0235",
1307   notes =        "properties wide band gap semiconductor, sic
1308                  polytypes",
1309 }
1310
1311 @Article{zirkelbach2007,
1312   title =        "Monte Carlo simulation study of a selforganisation
1313                  process leading to ordered precipitate structures",
1314   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
1315                  and B. Stritzker",
1316   journal =      "Nucl. Instr. and Meth. B",
1317   volume =       "257",
1318   number =       "1--2",
1319   pages =        "75--79",
1320   numpages =     "5",
1321   year =         "2007",
1322   month =        apr,
1323   doi =          "doi:10.1016/j.nimb.2006.12.118",
1324   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
1325                  NETHERLANDS",
1326 }
1327
1328 @Article{zirkelbach2006,
1329   title =        "Monte-Carlo simulation study of the self-organization
1330                  of nanometric amorphous precipitates in regular arrays
1331                  during ion irradiation",
1332   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
1333                  and B. Stritzker",
1334   journal =      "Nucl. Instr. and Meth. B",
1335   volume =       "242",
1336   number =       "1--2",
1337   pages =        "679--682",
1338   numpages =     "4",
1339   year =         "2006",
1340   month =        jan,
1341   doi =          "doi:10.1016/j.nimb.2005.08.162",
1342   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
1343                  NETHERLANDS",
1344 }
1345
1346 @Article{zirkelbach2005,
1347   title =        "Modelling of a selforganization process leading to
1348                  periodic arrays of nanometric amorphous precipitates by
1349                  ion irradiation",
1350   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
1351                  and B. Stritzker",
1352   journal =      "Comp. Mater. Sci.",
1353   volume =       "33",
1354   number =       "1--3",
1355   pages =        "310--316",
1356   numpages =     "7",
1357   year =         "2005",
1358   month =        apr,
1359   doi =          "doi:10.1016/j.commatsci.2004.12.016",
1360   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
1361                  NETHERLANDS",
1362 }
1363
1364 @Article{zirkelbach09,
1365   title =        "Molecular dynamics simulation of defect formation and
1366                  precipitation in heavily carbon doped silicon",
1367   journal =      "Mater. Sci. Eng., B",
1368   volume =       "159-160",
1369   number =       "",
1370   pages =        "149--152",
1371   year =         "2009",
1372   note =         "EMRS 2008 Spring Conference Symposium K: Advanced
1373                  Silicon Materials Research for Electronic and
1374                  Photovoltaic Applications",
1375   ISSN =         "0921-5107",
1376   doi =          "DOI: 10.1016/j.mseb.2008.10.010",
1377   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXF-4TX1547-2/2/cb9f4921f324735087020ccce7843e39",
1378   author =       "F. Zirkelbach and J. K. N. Lindner and K. Nordlund and
1379                  B. Stritzker",
1380   keywords =     "Silicon",
1381   keywords =     "Carbon",
1382   keywords =     "Silicon carbide",
1383   keywords =     "Nucleation",
1384   keywords =     "Defect formation",
1385   keywords =     "Molecular dynamics simulations",
1386 }
1387
1388 @Article{zirkelbach10,
1389   title =        "Defects in carbon implanted silicon calculated by
1390                  classical potentials and first-principles methods",
1391   author =       "F. Zirkelbach and B. Stritzker and K. Nordlund and J.
1392                  K. N. Lindner and W. G. Schmidt and E. Rauls",
1393   journal =      "Phys. Rev. B",
1394   volume =       "82",
1395   number =       "9",
1396   pages =        "094110",
1397   numpages =     "6",
1398   year =         "2010",
1399   month =        sep,
1400   doi =          "10.1103/PhysRevB.82.094110",
1401   publisher =    "American Physical Society",
1402 }
1403
1404 @Article{zirkelbach11a,
1405   title =        "First principles study of defects in carbon implanted
1406                  silicon",
1407   journal =      "to be published",
1408   volume =       "",
1409   number =       "",
1410   pages =        "",
1411   year =         "2011",
1412   author =       "F. Zirkelbach and B. Stritzker and J. K. N. Lindner
1413                  and W. G. Schmidt and E. Rauls",
1414 }
1415
1416 @Article{zirkelbach11b,
1417   title =        "...",
1418   journal =      "to be published",
1419   volume =       "",
1420   number =       "",
1421   pages =        "",
1422   year =         "2011",
1423   author =       "F. Zirkelbach and B. Stritzker and K. Nordlund and J.
1424                  K. N. Lindner and W. G. Schmidt and E. Rauls",
1425 }
1426
1427 @Article{lindner95,
1428   author =       "J. K. N. Lindner and A. Frohnwieser and B.
1429                  Rauschenbach and B. Stritzker",
1430   title =        "ke{V}- and Me{V}- Ion Beam Synthesis of Buried Si{C}
1431                  Layers in Silicon",
1432   journal =      "MRS Online Proceedings Library",
1433   volume =       "354",
1434   number =       "",
1435   pages =        "171",
1436   year =         "1994",
1437   doi =          "10.1557/PROC-354-171",
1438   URL =          "http://dx.doi.org/10.1557/PROC-354-171",
1439   eprint =       "http://journals.cambridge.org/article_S1946427400420853",
1440   notes =        "first time ibs at moderate temperatures",
1441 }
1442
1443 @Article{lindner96,
1444   title =        "Formation of buried epitaxial silicon carbide layers
1445                  in silicon by ion beam synthesis",
1446   journal =      "Materials Chemistry and Physics",
1447   volume =       "46",
1448   number =       "2-3",
1449   pages =        "147--155",
1450   year =         "1996",
1451   note =         "",
1452   ISSN =         "0254-0584",
1453   doi =          "DOI: 10.1016/S0254-0584(97)80008-9",
1454   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TX4-3VSGY9S-8/2/f001f23c0b3bc0fc3fc683616588fbc7",
1455   author =       "J. K. N. Lindner and K. Volz and U. Preckwinkel and B.
1456                  Götz and A. Frohnwieser and B. Rauschenbach and B.
1457                  Stritzker",
1458   notes =        "dose window",
1459 }
1460
1461 @Article{calcagno96,
1462   title =        "Carbon clustering in Si[sub 1-x]{C}[sub x] formed by
1463                  ion implantation",
1464   journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
1465                  Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
1466   volume =       "120",
1467   number =       "1-4",
1468   pages =        "121--124",
1469   year =         "1996",
1470   note =         "Proceedings of the E-MRS '96 Spring Meeting Symp. I on
1471                  New Trends in Ion Beam Processing of Materials",
1472   ISSN =         "0168-583X",
1473   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(96)00492-2",
1474   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3VSHB0W-1S/2/164b9f4f972a02f44b341b0de28bba1d",
1475   author =       "L. Calcagno and G. Compagnini and G. Foti and M. G.
1476                  Grimaldi and P. Musumeci",
1477   notes =        "dose window, graphitic bonds",
1478 }
1479
1480 @Article{lindner98,
1481   title =        "Mechanisms of Si{C} Formation in the Ion Beam
1482                  Synthesis of 3{C}-Si{C} Layers in Silicon",
1483   journal =      "Materials Science Forum",
1484   volume =       "264-268",
1485   pages =        "215--218",
1486   year =         "1998",
1487   note =         "",
1488   doi =          "10.4028/www.scientific.net/MSF.264-268.215",
1489   URL =          "http://www.scientific.net/MSF.264-268.215",
1490   author =       "J. K. N. Lindner and W. Reiber and B. Stritzker",
1491   notes =        "intermediate temperature for sharp interface + good
1492                  crystallinity",
1493 }
1494
1495 @Article{lindner99,
1496   title =        "Controlling the density distribution of Si{C}
1497                  nanocrystals for the ion beam synthesis of buried Si{C}
1498                  layers in silicon",
1499   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
1500   volume =       "147",
1501   number =       "1-4",
1502   pages =        "249--255",
1503   year =         "1999",
1504   note =         "",
1505   ISSN =         "0168-583X",
1506   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00598-9",
1507   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3YMWWDY-1H/2/ad53e614f783b2a7474aecb936dd0169",
1508   author =       "J. K. N. Lindner and B. Stritzker",
1509   notes =        "two-step implantation process",
1510 }
1511
1512 @Article{lindner99_2,
1513   title =        "Mechanisms in the ion beam synthesis of Si{C} layers
1514                  in silicon",
1515   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
1516   volume =       "148",
1517   number =       "1-4",
1518   pages =        "528--533",
1519   year =         "1999",
1520   ISSN =         "0168-583X",
1521   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00787-3",
1522   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3XGFSSH-3H/2/17d138baa6db68cb279e6de9161e5f85",
1523   author =       "J. K. N. Lindner and B. Stritzker",
1524   notes =        "3c-sic precipitation model, c-si dimers (dumbbells)",
1525 }
1526
1527 @Article{lindner01,
1528   title =        "Ion beam synthesis of buried Si{C} layers in silicon:
1529                  Basic physical processes",
1530   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
1531   volume =       "178",
1532   number =       "1-4",
1533   pages =        "44--54",
1534   year =         "2001",
1535   note =         "",
1536   ISSN =         "0168-583X",
1537   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(01)00504-3",
1538   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-435KG96-8/2/f222574d8945c3fd7aaf9ae1efdd37b3",
1539   author =       "J{\"{o}}rg K. N. Lindner",
1540 }
1541
1542 @Article{lindner02,
1543   title =        "High-dose carbon implantations into silicon:
1544                  fundamental studies for new technological tricks",
1545   author =       "J. K. N. Lindner",
1546   journal =      "Appl. Phys. A",
1547   volume =       "77",
1548   pages =        "27--38",
1549   year =         "2003",
1550   doi =          "10.1007/s00339-002-2062-8",
1551   notes =        "ibs, burried sic layers",
1552 }
1553
1554 @Article{lindner06,
1555   title =        "On the balance between ion beam induced nanoparticle
1556                  formation and displacive precipitate resolution in the
1557                  {C}-Si system",
1558   journal =      "Mater. Sci. Eng., C",
1559   volume =       "26",
1560   number =       "5-7",
1561   pages =        "857--861",
1562   year =         "2006",
1563   note =         "Current Trends in Nanoscience - from Materials to
1564                  Applications",
1565   ISSN =         "0928-4931",
1566   doi =          "DOI: 10.1016/j.msec.2005.09.099",
1567   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXG-4HSXVVM-1/2/5b0e351198cc2e8f5f4446a80a73d04a",
1568   author =       "J. K. N. Lindner and M. H{\"a}berlen and G. Thorwarth
1569                  and B. Stritzker",
1570   notes =        "c int diffusion barrier",
1571 }
1572
1573 @Article{ito04,
1574   title =        "Ion beam synthesis of 3{C}-Si{C} layers in Si and its
1575                  application in buffer layer for Ga{N} epitaxial
1576                  growth",
1577   journal =      "Applied Surface Science",
1578   volume =       "238",
1579   number =       "1-4",
1580   pages =        "159--164",
1581   year =         "2004",
1582   note =         "APHYS'03 Special Issue",
1583   ISSN =         "0169-4332",
1584   doi =          "DOI: 10.1016/j.apsusc.2004.05.199",
1585   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6THY-4CTTNGX-B/2/d24ee637db87f3f1a6ef7fe6820f267c",
1586   author =       "Y. Ito and T. Yamauchi and A. Yamamoto and M. Sasase
1587                  and S. Nishio and K. Yasuda and Y. Ishigami",
1588   notes =        "gan on 3c-sic, focus on ibs of 3c-sic",
1589 }
1590
1591 @Article{yamamoto04,
1592   title =        "Organometallic vapor phase epitaxial growth of Ga{N}
1593                  on a 3c-Si{C}/Si(1 1 1) template formed by {C}+-ion
1594                  implantation into Si(1 1 1) substrate",
1595   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1596   volume =       "261",
1597   number =       "2-3",
1598   pages =        "266--270",
1599   year =         "2004",
1600   note =         "Proceedings of the 11th Biennial (US) Workshop on
1601                  Organometallic Vapor Phase Epitaxy (OMVPE)",
1602   ISSN =         "0022-0248",
1603   doi =          "DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2003.11.041",
1604   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-4B5BFSX-2/2/55e79e024f2a23b487d19c6fd8dbf166",
1605   author =       "A. Yamamoto and T. Yamauchi and T. Tanikawa and M.
1606                  Sasase and B. K. Ghosh and A. Hashimoto and Y. Ito",
1607   notes =        "gan on 3c-sic",
1608 }
1609
1610 @Article{liu_l02,
1611   title =        "Substrates for gallium nitride epitaxy",
1612   journal =      "Materials Science and Engineering: R: Reports",
1613   volume =       "37",
1614   number =       "3",
1615   pages =        "61--127",
1616   year =         "2002",
1617   note =         "",
1618   ISSN =         "0927-796X",
1619   doi =          "DOI: 10.1016/S0927-796X(02)00008-6",
1620   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXH-45DFBSV-2/2/38c47e77fa91f23f8649a044e7135401",
1621   author =       "L. Liu and J. H. Edgar",
1622   notes =        "gan substrates",
1623 }
1624
1625 @Article{takeuchi91,
1626   title =        "Growth of single crystalline Ga{N} film on Si
1627                  substrate using 3{C}-Si{C} as an intermediate layer",
1628   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1629   volume =       "115",
1630   number =       "1-4",
1631   pages =        "634--638",
1632   year =         "1991",
1633   note =         "",
1634   ISSN =         "0022-0248",
1635   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(91)90817-O",
1636   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46FJ525-TY/2/7bb50016a50b1dd1dbc36b43c46b3140",
1637   author =       "Tetsuya Takeuchi and Hiroshi Amano and Kazumasa
1638                  Hiramatsu and Nobuhiko Sawaki and Isamu Akasaki",
1639   notes =        "gan on 3c-sic (first time?)",
1640 }
1641
1642 @Article{alder57,
1643   author =       "B. J. Alder and T. E. Wainwright",
1644   title =        "Phase Transition for a Hard Sphere System",
1645   publisher =    "AIP",
1646   year =         "1957",
1647   journal =      "J. Chem. Phys.",
1648   volume =       "27",
1649   number =       "5",
1650   pages =        "1208--1209",
1651   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/27/1208/1",
1652   doi =          "10.1063/1.1743957",
1653 }
1654
1655 @Article{alder59,
1656   author =       "B. J. Alder and T. E. Wainwright",
1657   title =        "Studies in Molecular Dynamics. {I}. General Method",
1658   publisher =    "AIP",
1659   year =         "1959",
1660   journal =      "J. Chem. Phys.",
1661   volume =       "31",
1662   number =       "2",
1663   pages =        "459--466",
1664   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/31/459/1",
1665   doi =          "10.1063/1.1730376",
1666 }
1667
1668 @Article{horsfield96,
1669   title =        "Bond-order potentials: Theory and implementation",
1670   author =       "A. P. Horsfield and A. M. Bratkovsky and M. Fearn and
1671                  D. G. Pettifor and M. Aoki",
1672   journal =      "Phys. Rev. B",
1673   volume =       "53",
1674   number =       "19",
1675   pages =        "12694--12712",
1676   numpages =     "18",
1677   year =         "1996",
1678   month =        may,
1679   doi =          "10.1103/PhysRevB.53.12694",
1680   publisher =    "American Physical Society",
1681 }
1682
1683 @Article{abell85,
1684   title =        "Empirical chemical pseudopotential theory of molecular
1685                  and metallic bonding",
1686   author =       "G. C. Abell",
1687   journal =      "Phys. Rev. B",
1688   volume =       "31",
1689   number =       "10",
1690   pages =        "6184--6196",
1691   numpages =     "12",
1692   year =         "1985",
1693   month =        may,
1694   doi =          "10.1103/PhysRevB.31.6184",
1695   publisher =    "American Physical Society",
1696 }
1697
1698 @Article{tersoff_si1,
1699   title =        "New empirical model for the structural properties of
1700                  silicon",
1701   author =       "J. Tersoff",
1702   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1703   volume =       "56",
1704   number =       "6",
1705   pages =        "632--635",
1706   numpages =     "3",
1707   year =         "1986",
1708   month =        feb,
1709   doi =          "10.1103/PhysRevLett.56.632",
1710   publisher =    "American Physical Society",
1711 }
1712
1713 @Article{dodson87,
1714   title =        "Development of a many-body Tersoff-type potential for
1715                  silicon",
1716   author =       "Brian W. Dodson",
1717   journal =      "Phys. Rev. B",
1718   volume =       "35",
1719   number =       "6",
1720   pages =        "2795--2798",
1721   numpages =     "3",
1722   year =         "1987",
1723   month =        feb,
1724   doi =          "10.1103/PhysRevB.35.2795",
1725   publisher =    "American Physical Society",
1726 }
1727
1728 @Article{tersoff_si2,
1729   title =        "New empirical approach for the structure and energy of
1730                  covalent systems",
1731   author =       "J. Tersoff",
1732   journal =      "Phys. Rev. B",
1733   volume =       "37",
1734   number =       "12",
1735   pages =        "6991--7000",
1736   numpages =     "9",
1737   year =         "1988",
1738   month =        apr,
1739   doi =          "10.1103/PhysRevB.37.6991",
1740   publisher =    "American Physical Society",
1741 }
1742
1743 @Article{tersoff_si3,
1744   title =        "Empirical interatomic potential for silicon with
1745                  improved elastic properties",
1746   author =       "J. Tersoff",
1747   journal =      "Phys. Rev. B",
1748   volume =       "38",
1749   number =       "14",
1750   pages =        "9902--9905",
1751   numpages =     "3",
1752   year =         "1988",
1753   month =        nov,
1754   doi =          "10.1103/PhysRevB.38.9902",
1755   publisher =    "American Physical Society",
1756 }
1757
1758 @Article{tersoff_c,
1759   title =        "Empirical Interatomic Potential for Carbon, with
1760                  Applications to Amorphous Carbon",
1761   author =       "J. Tersoff",
1762   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1763   volume =       "61",
1764   number =       "25",
1765   pages =        "2879--2882",
1766   numpages =     "3",
1767   year =         "1988",
1768   month =        dec,
1769   doi =          "10.1103/PhysRevLett.61.2879",
1770   publisher =    "American Physical Society",
1771 }
1772
1773 @Article{tersoff_m,
1774   title =        "Modeling solid-state chemistry: Interatomic potentials
1775                  for multicomponent systems",
1776   author =       "J. Tersoff",
1777   journal =      "Phys. Rev. B",
1778   volume =       "39",
1779   number =       "8",
1780   pages =        "5566--5568",
1781   numpages =     "2",
1782   year =         "1989",
1783   month =        mar,
1784   doi =          "10.1103/PhysRevB.39.5566",
1785   publisher =    "American Physical Society",
1786 }
1787
1788 @Article{tersoff90,
1789   title =        "Carbon defects and defect reactions in silicon",
1790   author =       "J. Tersoff",
1791   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1792   volume =       "64",
1793   number =       "15",
1794   pages =        "1757--1760",
1795   numpages =     "3",
1796   year =         "1990",
1797   month =        apr,
1798   doi =          "10.1103/PhysRevLett.64.1757",
1799   publisher =    "American Physical Society",
1800 }
1801
1802 @Article{fahey89,
1803   title =        "Point defects and dopant diffusion in silicon",
1804   author =       "P. M. Fahey and P. B. Griffin and J. D. Plummer",
1805   journal =      "Rev. Mod. Phys.",
1806   volume =       "61",
1807   number =       "2",
1808   pages =        "289--384",
1809   numpages =     "95",
1810   year =         "1989",
1811   month =        apr,
1812   doi =          "10.1103/RevModPhys.61.289",
1813   publisher =    "American Physical Society",
1814 }
1815
1816 @Article{wesch96,
1817   title =        "Silicon carbide: synthesis and processing",
1818   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
1819   volume =       "116",
1820   number =       "1-4",
1821   pages =        "305--321",
1822   year =         "1996",
1823   note =         "Radiation Effects in Insulators",
1824   ISSN =         "0168-583X",
1825   doi =          "DOI: 10.1016/0168-583X(96)00065-1",
1826   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3VXHNFT-C7/2/4216cb1ec9e422c22de5fed7360fb06e",
1827   author =       "W. Wesch",
1828 }
1829
1830 @Article{davis91,
1831   author =       "R. F. Davis and G. Kelner and M. Shur and J. W.
1832                  Palmour and J. A. Edmond",
1833   journal =      "Proceedings of the IEEE",
1834   title =        "Thin film deposition and microelectronic and
1835                  optoelectronic device fabrication and characterization
1836                  in monocrystalline alpha and beta silicon carbide",
1837   year =         "1991",
1838   month =        may,
1839   volume =       "79",
1840   number =       "5",
1841   pages =        "677--701",
1842   keywords =     "HBT;LED;MESFET;MOSFET;Schottky contacts;Schottky
1843                  diode;SiC;dry etching;electrical
1844                  contacts;etching;impurity incorporation;optoelectronic
1845                  device fabrication;solid-state devices;surface
1846                  chemistry;Schottky effect;Schottky gate field effect
1847                  transistors;Schottky-barrier
1848                  diodes;etching;heterojunction bipolar
1849                  transistors;insulated gate field effect
1850                  transistors;light emitting diodes;semiconductor
1851                  materials;semiconductor thin films;silicon compounds;",
1852   doi =          "10.1109/5.90132",
1853   ISSN =         "0018-9219",
1854   notes =        "sic growth methods",
1855 }
1856
1857 @Article{morkoc94,
1858   author =       "H. Morko\c{c} and S. Strite and G. B. Gao and M. E.
1859                  Lin and B. Sverdlov and M. Burns",
1860   collaboration = "",
1861   title =        "Large-band-gap Si{C}, {III}-{V} nitride, and {II}-{VI}
1862                  ZnSe-based semiconductor device technologies",
1863   publisher =    "AIP",
1864   year =         "1994",
1865   journal =      "J. Appl. Phys.",
1866   volume =       "76",
1867   number =       "3",
1868   pages =        "1363--1398",
1869   keywords =     "SEMICONDUCTOR DEVICES; SILICON CARBIDES; GALLIUM
1870                  NITRIDES; ZINC SELENIDES; SUBSTRATES; MOS JUNCTIONS;
1871                  LASER MATERIALS; MATERIALS; REVIEWS; ENERGY GAP; THIN
1872                  FILMS; INDUSTRY",
1873   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/76/1363/1",
1874   doi =          "10.1063/1.358463",
1875   notes =        "sic intro, properties",
1876 }
1877
1878 @Article{foo,
1879   author =       "Noch Unbekannt",
1880   title =        "How to find references",
1881   journal =      "Journal of Applied References",
1882   year =         "2009",
1883   volume =       "77",
1884   pages =        "1--23",
1885 }
1886
1887 @Article{tang95,
1888   title =        "Atomistic simulation of thermomechanical properties of
1889                  \beta{}-Si{C}",
1890   author =       "Meijie Tang and Sidney Yip",
1891   journal =      "Phys. Rev. B",
1892   volume =       "52",
1893   number =       "21",
1894   pages =        "15150--15159",
1895   numpages =     "9",
1896   year =         "1995",
1897   doi =          "10.1103/PhysRevB.52.15150",
1898   notes =        "modified tersoff, scale cutoff with volume, promising
1899                  tersoff reparametrization",
1900   publisher =    "American Physical Society",
1901 }
1902
1903 @Article{sarro00,
1904   title =        "Silicon carbide as a new {MEMS} technology",
1905   journal =      "Sensors and Actuators A: Physical",
1906   volume =       "82",
1907   number =       "1-3",
1908   pages =        "210--218",
1909   year =         "2000",
1910   ISSN =         "0924-4247",
1911   doi =          "DOI: 10.1016/S0924-4247(99)00335-0",
1912   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6THG-406VM55-13/2/75385a587669b215d9ef88029a93fd59",
1913   author =       "Pasqualina M. Sarro",
1914   keywords =     "MEMS",
1915   keywords =     "Silicon carbide",
1916   keywords =     "Micromachining",
1917   keywords =     "Mechanical stress",
1918 }
1919
1920 @Article{casady96,
1921   title =        "Status of silicon carbide (Si{C}) as a wide-bandgap
1922                  semiconductor for high-temperature applications: {A}
1923                  review",
1924   journal =      "Solid-State Electronics",
1925   volume =       "39",
1926   number =       "10",
1927   pages =        "1409--1422",
1928   year =         "1996",
1929   ISSN =         "0038-1101",
1930   doi =          "DOI: 10.1016/0038-1101(96)00045-7",
1931   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TY5-3VSR9J0-1/2/a871c11636e937dc45bfdf48e29f725b",
1932   author =       "J. B. Casady and R. W. Johnson",
1933   notes =        "sic intro",
1934 }
1935
1936 @Article{giancarli98,
1937   title =        "Design requirements for Si{C}/Si{C} composites
1938                  structural material in fusion power reactor blankets",
1939   journal =      "Fusion Engineering and Design",
1940   volume =       "41",
1941   number =       "1-4",
1942   pages =        "165--171",
1943   year =         "1998",
1944   ISSN =         "0920-3796",
1945   doi =          "DOI: 10.1016/S0920-3796(97)00200-7",
1946   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6V3C-3V8RYK8-T/2/16949194114900fd1330f79892d7a7be",
1947   author =       "L. Giancarli and J. P. Bonal and A. Caso and G. Le
1948                  Marois and N. B. Morley and J. F. Salavy",
1949 }
1950
1951 @Article{pensl93,
1952   title =        "Electrical and optical characterization of Si{C}",
1953   journal =      "Physica B: Condensed Matter",
1954   volume =       "185",
1955   number =       "1-4",
1956   pages =        "264--283",
1957   year =         "1993",
1958   ISSN =         "0921-4526",
1959   doi =          "DOI: 10.1016/0921-4526(93)90249-6",
1960   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVH-46G8HRX-99/2/eab9398bf2bbf10df3ae42c2ab28a776",
1961   author =       "G. Pensl and W. J. Choyke",
1962 }
1963
1964 @Article{tairov78,
1965   title =        "Investigation of growth processes of ingots of silicon
1966                  carbide single crystals",
1967   journal =      "J. Cryst. Growth",
1968   volume =       "43",
1969   number =       "2",
1970   pages =        "209--212",
1971   year =         "1978",
1972   notes =        "modified lely process",
1973   ISSN =         "0022-0248",
1974   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(78)90169-0",
1975   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46BY2NR-7S/2/fa6fee78ebd8322491f6366e72d5b6dc",
1976   author =       "Yu. M. Tairov and V. F. Tsvetkov",
1977 }
1978
1979 @Article{tairov81,
1980   title =        "General principles of growing large-size single
1981                  crystals of various silicon carbide polytypes",
1982   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1983   volume =       "52",
1984   number =       "Part 1",
1985   pages =        "146--150",
1986   year =         "1981",
1987   note =         "",
1988   ISSN =         "0022-0248",
1989   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(81)90184-6",
1990   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46FVMF6-2Y/2/b7c4025f0ef07ceec37fbd596819d529",
1991   author =       "Yu.M. Tairov and V. F. Tsvetkov",
1992 }
1993
1994 @Article{barrett91,
1995   title =        "Si{C} boule growth by sublimation vapor transport",
1996   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1997   volume =       "109",
1998   number =       "1-4",
1999   pages =        "17--23",
2000   year =         "1991",
2001   note =         "",
2002   ISSN =         "0022-0248",
2003   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(91)90152-U",
2004   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46FJ4VX-KF/2/fb802a6d67a8074a672007e972b264e1",
2005   author =       "D. L. Barrett and R. G. Seidensticker and W. Gaida and
2006                  R. H. Hopkins and W. J. Choyke",
2007 }
2008
2009 @Article{barrett93,
2010   title =        "Growth of large Si{C} single crystals",
2011   journal =      "Journal of Crystal Growth",
2012   volume =       "128",
2013   number =       "1-4",
2014   pages =        "358--362",
2015   year =         "1993",
2016   note =         "",
2017   ISSN =         "0022-0248",
2018   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(93)90348-Z",
2019   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46YKSGB-4D/2/bc26617f48735a9ffbf5c61a5e164d9c",
2020   author =       "D. L. Barrett and J. P. McHugh and H. M. Hobgood and
2021                  R. H. Hopkins and P. G. McMullin and R. C. Clarke and
2022                  W. J. Choyke",
2023 }
2024
2025 @Article{stein93,
2026   title =        "Control of polytype formation by surface energy
2027                  effects during the growth of Si{C} monocrystals by the
2028                  sublimation method",
2029   journal =      "Journal of Crystal Growth",
2030   volume =       "131",
2031   number =       "1-2",
2032   pages =        "71--74",
2033   year =         "1993",
2034   note =         "",
2035   ISSN =         "0022-0248",
2036   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(93)90397-F",
2037   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46FX1XJ-1X/2/493b180c29103dba5dba351e0fae5b9d",
2038   author =       "R. A. Stein and P. Lanig",
2039   notes =        "6h and 4h, sublimation technique",
2040 }
2041
2042 @Article{nishino83,
2043   author =       "Shigehiro Nishino and J. Anthony Powell and Herbert A.
2044                  Will",
2045   collaboration = "",
2046   title =        "Production of large-area single-crystal wafers of
2047                  cubic Si{C} for semiconductor devices",
2048   publisher =    "AIP",
2049   year =         "1983",
2050   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2051   volume =       "42",
2052   number =       "5",
2053   pages =        "460--462",
2054   keywords =     "silicon carbides; layers; chemical vapor deposition;
2055                  monocrystals",
2056   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/42/460/1",
2057   doi =          "10.1063/1.93970",
2058   notes =        "cvd of 3c-sic on si, sic buffer layer",
2059 }
2060
2061 @Article{nishino87,
2062   author =       "Shigehiro Nishino and Hajime Suhara and Hideyuki Ono
2063                  and Hiroyuki Matsunami",
2064   collaboration = "",
2065   title =        "Epitaxial growth and electric characteristics of cubic
2066                  Si{C} on silicon",
2067   publisher =    "AIP",
2068   year =         "1987",
2069   journal =      "J. Appl. Phys.",
2070   volume =       "61",
2071   number =       "10",
2072   pages =        "4889--4893",
2073   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/61/4889/1",
2074   doi =          "10.1063/1.338355",
2075   notes =        "cvd of 3c-sic on si, sic buffer layer, first time
2076                  carbonization",
2077 }
2078
2079 @Article{powell87,
2080   author =       "J. Anthony Powell and Lawrence G. Matus and Maria A.
2081                  Kuczmarski",
2082   title =        "Growth and Characterization of Cubic Si{C}
2083                  Single-Crystal Films on Si",
2084   publisher =    "ECS",
2085   year =         "1987",
2086   journal =      "Journal of The Electrochemical Society",
2087   volume =       "134",
2088   number =       "6",
2089   pages =        "1558--1565",
2090   keywords =     "semiconductor materials; silicon compounds; carbon
2091                  compounds; crystal morphology; electron mobility",
2092   URL =          "http://link.aip.org/link/?JES/134/1558/1",
2093   doi =          "10.1149/1.2100708",
2094   notes =        "blue light emitting diodes (led)",
2095 }
2096
2097 @Article{powell87_2,
2098   author =       "J. A. Powell and L. G. Matus and M. A. Kuczmarski and
2099                  C. M. Chorey and T. T. Cheng and P. Pirouz",
2100   collaboration = "",
2101   title =        "Improved beta-Si{C} heteroepitaxial films using
2102                  off-axis Si substrates",
2103   publisher =    "AIP",
2104   year =         "1987",
2105   journal =      "Applied Physics Letters",
2106   volume =       "51",
2107   number =       "11",
2108   pages =        "823--825",
2109   keywords =     "VAPOR PHASE EPITAXY; SILICON CARBIDES; VAPOR DEPOSITED
2110                  COATINGS; SILICON; EPITAXIAL LAYERS; INTERFACE
2111                  STRUCTURE; SURFACE STRUCTURE; FILM GROWTH; STACKING
2112                  FAULTS; CRYSTAL DEFECTS; ANTIPHASE BOUNDARIES;
2113                  OXIDATION; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; ROUGHNESS",
2114   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/51/823/1",
2115   doi =          "10.1063/1.98824",
2116   notes =        "improved sic on off-axis si substrates, reduced apbs",
2117 }
2118
2119 @Article{ueda90,
2120   title =        "Crystal growth of Si{C} by step-controlled epitaxy",
2121   journal =      "Journal of Crystal Growth",
2122   volume =       "104",
2123   number =       "3",
2124   pages =        "695--700",
2125   year =         "1990",
2126   note =         "",
2127   ISSN =         "0022-0248",
2128   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(90)90013-B",
2129   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46CC6CX-KN/2/d5184c7bd29063985f7d1dd4112b12c9",
2130   author =       "Tetsuzo Ueda and Hironori Nishino and Hiroyuki
2131                  Matsunami",
2132   notes =        "step-controlled epitaxy model",
2133 }
2134
2135 @Article{kimoto93,
2136   author =       "Tsunenobu Kimoto and Hironori Nishino and Woo Sik Yoo
2137                  and Hiroyuki Matsunami",
2138   title =        "Growth mechanism of 6{H}-Si{C} in step-controlled
2139                  epitaxy",
2140   publisher =    "AIP",
2141   year =         "1993",
2142   journal =      "J. Appl. Phys.",
2143   volume =       "73",
2144   number =       "2",
2145   pages =        "726--732",
2146   keywords =     "SILICON CARBIDES; EPITAXY; GROWTH RATE; TEMPERATURE
2147                  RANGE 10004000 K; TWINNING; ACTIVATION ENERGY; CHEMICAL
2148                  VAPOR DEPOSITION",
2149   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/73/726/1",
2150   doi =          "10.1063/1.353329",
2151   notes =        "cvd of 6h-sic on 6h-sic, twinned 3c-sic",
2152 }
2153
2154 @Article{powell90_2,
2155   author =       "J. A. Powell and D. J. Larkin and L. G. Matus and W.
2156                  J. Choyke and J. L. Bradshaw and L. Henderson and M.
2157                  Yoganathan and J. Yang and P. Pirouz",
2158   collaboration = "",
2159   title =        "Growth of high quality 6{H}-Si{C} epitaxial films on
2160                  vicinal (0001) 6{H}-Si{C} wafers",
2161   publisher =    "AIP",
2162   year =         "1990",
2163   journal =      "Applied Physics Letters",
2164   volume =       "56",
2165   number =       "15",
2166   pages =        "1442--1444",
2167   keywords =     "SILICON CARBIDES; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; SORPTIVE
2168                  PROPERTIES; WAFERS; CARRIER DENSITY; CARRIER MOBILITY;
2169                  TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; CRYSTAL DEFECTS;
2170                  DISLOCATIONS; PHOTOLUMINESCENCE; VAPOR PHASE EPITAXY",
2171   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/56/1442/1",
2172   doi =          "10.1063/1.102492",
2173   notes =        "cvd of 6h-sic on 6h-sic",
2174 }
2175
2176 @Article{kong88_2,
2177   author =       "H. S. Kong and J. T. Glass and R. F. Davis",
2178   collaboration = "",
2179   title =        "Chemical vapor deposition and characterization of
2180                  6{H}-Si{C} thin films on off-axis 6{H}-Si{C}
2181                  substrates",
2182   publisher =    "AIP",
2183   year =         "1988",
2184   journal =      "Journal of Applied Physics",
2185   volume =       "64",
2186   number =       "5",
2187   pages =        "2672--2679",
2188   keywords =     "THIN FILMS; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; VAPOR DEPOSITED
2189                  COATINGS; SILICON CARBIDES; TRANSMISSION ELECTRON
2190                  MICROSCOPY; MONOCRYSTALS; MORPHOLOGY; CRYSTAL
2191                  STRUCTURE; CRYSTAL DEFECTS; CARRIER DENSITY; VAPOR
2192                  PHASE EPITAXY; CRYSTAL ORIENTATION",
2193   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/64/2672/1",
2194   doi =          "10.1063/1.341608",
2195 }
2196
2197 @Article{powell90,
2198   author =       "J. A. Powell and D. J. Larkin and L. G. Matus and W.
2199                  J. Choyke and J. L. Bradshaw and L. Henderson and M.
2200                  Yoganathan and J. Yang and P. Pirouz",
2201   collaboration = "",
2202   title =        "Growth of improved quality 3{C}-Si{C} films on
2203                  6{H}-Si{C} substrates",
2204   publisher =    "AIP",
2205   year =         "1990",
2206   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2207   volume =       "56",
2208   number =       "14",
2209   pages =        "1353--1355",
2210   keywords =     "SILICON CARBIDES; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; SORPTIVE
2211                  PROPERTIES; PHOTOLUMINESCENCE; TRANSMISSION ELECTRON
2212                  MICROSCOPY; DEFECT STRUCTURE; STACKING FAULTS; VAPOR
2213                  PHASE EPITAXY",
2214   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/56/1353/1",
2215   doi =          "10.1063/1.102512",
2216   notes =        "cvd of 3c-sic on 6h-sic",
2217 }
2218
2219 @Article{kong88,
2220   author =       "H. S. Kong and B. L. Jiang and J. T. Glass and G. A.
2221                  Rozgonyi and K. L. More",
2222   collaboration = "",
2223   title =        "An examination of double positioning boundaries and
2224                  interface misfit in beta-Si{C} films on alpha-Si{C}
2225                  substrates",
2226   publisher =    "AIP",
2227   year =         "1988",
2228   journal =      "Journal of Applied Physics",
2229   volume =       "63",
2230   number =       "8",
2231   pages =        "2645--2650",
2232   keywords =     "SILICON CARBIDES; INTERFACES; SILICON; STACKING
2233                  FAULTS; TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; EPITAXY; THIN
2234                  FILMS; OPTICAL MICROSCOPY; TOPOGRAPHY; NUCLEATION;
2235                  MORPHOLOGY; ROTATION; SURFACE STRUCTURE; INTERFACE
2236                  STRUCTURE; XRAY TOPOGRAPHY; EPITAXIAL LAYERS",
2237   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/63/2645/1",
2238   doi =          "10.1063/1.341004",
2239 }
2240
2241 @Article{powell91,
2242   author =       "J. A. Powell and J. B. Petit and J. H. Edgar and I. G.
2243                  Jenkins and L. G. Matus and J. W. Yang and P. Pirouz
2244                  and W. J. Choyke and L. Clemen and M. Yoganathan",
2245   collaboration = "",
2246   title =        "Controlled growth of 3{C}-Si{C} and 6{H}-Si{C} films
2247                  on low-tilt-angle vicinal (0001) 6{H}-Si{C} wafers",
2248   publisher =    "AIP",
2249   year =         "1991",
2250   journal =      "Applied Physics Letters",
2251   volume =       "59",
2252   number =       "3",
2253   pages =        "333--335",
2254   keywords =     "SILICON CARBIDES; SURFACE TREATMENTS; SORPTIVE
2255                  PROPERTIES; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; MATHEMATICAL
2256                  MODELS; CRYSTAL STRUCTURE; VERY HIGH TEMPERATURE",
2257   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/59/333/1",
2258   doi =          "10.1063/1.105587",
2259 }
2260
2261 @Article{yuan95,
2262   author =       "C. Yuan and A. J. Steckl and J. Chaudhuri and R.
2263                  Thokala and M. J. Loboda",
2264   collaboration = "",
2265   title =        "Reduced temperature growth of crystalline 3{C}-Si{C}
2266                  films on 6{H}-Si{C} by chemical vapor deposition from
2267                  silacyclobutane",
2268   publisher =    "AIP",
2269   year =         "1995",
2270   journal =      "J. Appl. Phys.",
2271   volume =       "78",
2272   number =       "2",
2273   pages =        "1271--1273",
2274   keywords =     "SILICON CARBIDES; THIN FILMS; CVD; EPITAXY; ABSORPTION
2275                  EDGE; CRYSTAL STRUCTURE; STRAINS; DISLOCATIONS; XRD;
2276                  SPECTROPHOTOMETRY",
2277   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/78/1271/1",
2278   doi =          "10.1063/1.360368",
2279   notes =        "3c-sic on 6h-sic, cvd, reduced temperature",
2280 }
2281
2282 @Article{kaneda87,
2283   title =        "{MBE} growth of 3{C}·Si{C}/6·Si{C} and the electric
2284                  properties of its p-n junction",
2285   journal =      "Journal of Crystal Growth",
2286   volume =       "81",
2287   number =       "1-4",
2288   pages =        "536--542",
2289   year =         "1987",
2290   note =         "",
2291   ISSN =         "0022-0248",
2292   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(87)90449-0",
2293   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46X9W77-3F/2/864b2d86faa794252e1d1f16c99a9cf1",
2294   author =       "Shigeo Kaneda and Yoshiki Sakamoto and Tadashi Mihara
2295                  and Takao Tanaka",
2296   notes =        "first time ssmbe of 3c-sic on 6h-sic",
2297 }
2298
2299 @Article{fissel95,
2300   title =        "Epitaxial growth of Si{C} thin films on Si-stabilized
2301                  [alpha]-Si{C}(0001) at low temperatures by solid-source
2302                  molecular beam epitaxy",
2303   journal =      "J. Cryst. Growth",
2304   volume =       "154",
2305   number =       "1-2",
2306   pages =        "72--80",
2307   year =         "1995",
2308   ISSN =         "0022-0248",
2309   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(95)00170-0",
2310   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-3Y5MMXM-1N/2/65549019b878bf02d5ec645b7eea9e98",
2311   author =       "A. Fissel and U. Kaiser and E. Ducke and B.
2312                  Schr{\"{o}}ter and W. Richter",
2313   notes =        "solid source mbe of 3c-sic on si and 6h-sic",
2314 }
2315
2316 @Article{fissel95_apl,
2317   author =       "A. Fissel and B. Schr{\"{o}}ter and W. Richter",
2318   collaboration = "",
2319   title =        "Low-temperature growth of Si{C} thin films on Si and
2320                  6{H}--Si{C} by solid-source molecular beam epitaxy",
2321   publisher =    "AIP",
2322   year =         "1995",
2323   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2324   volume =       "66",
2325   number =       "23",
2326   pages =        "3182--3184",
2327   keywords =     "SILICON CARBIDES; MOLECULAR BEAM EPITAXY; MORPHOLOGY;
2328                  RHEED; NUCLEATION",
2329   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/66/3182/1",
2330   doi =          "10.1063/1.113716",
2331   notes =        "mbe 3c-sic on si and 6h-sic",
2332 }
2333
2334 @Article{fissel96,
2335   author =       "Andreas Fissel and Ute Kaiser and Kay Pfennighaus and
2336                  Bernd Schr{\"{o}}ter and Wolfgang Richter",
2337   collaboration = "",
2338   title =        "Growth of 6{H}--Si{C} on 6{H}--Si{C}(0001) by
2339                  migration enhanced epitaxy controlled to an atomic
2340                  level using surface superstructures",
2341   publisher =    "AIP",
2342   year =         "1996",
2343   journal =      "Applied Physics Letters",
2344   volume =       "68",
2345   number =       "9",
2346   pages =        "1204--1206",
2347   keywords =     "MICROSTRUCTURE; MOLECULAR BEAM EPITAXY; MORPHOLOGY;
2348                  NUCLEATION; SILICON CARBIDES; SURFACE RECONSTRUCTION;
2349                  SURFACE STRUCTURE",
2350   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/68/1204/1",
2351   doi =          "10.1063/1.115969",
2352   notes =        "ss mbe sic, superstructure, reconstruction",
2353 }
2354
2355 @Article{righi03,
2356   title =        "Ab initio Simulations of Homoepitaxial Si{C} Growth",
2357   author =       "M. C. Righi and C. A. Pignedoli and R. Di Felice and
2358                  C. M. Bertoni and A. Catellani",
2359   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2360   volume =       "91",
2361   number =       "13",
2362   pages =        "136101",
2363   numpages =     "4",
2364   year =         "2003",
2365   month =        sep,
2366   doi =          "10.1103/PhysRevLett.91.136101",
2367   publisher =    "American Physical Society",
2368   notes =        "dft calculations mbe sic growth",
2369 }
2370
2371 @Article{borders71,
2372   author =       "J. A. Borders and S. T. Picraux and W. Beezhold",
2373   collaboration = "",
2374   title =        "{FORMATION} {OF} Si{C} {IN} {SILICON} {BY} {ION}
2375                  {IMPLANTATION}",
2376   publisher =    "AIP",
2377   year =         "1971",
2378   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2379   volume =       "18",
2380   number =       "11",
2381   pages =        "509--511",
2382   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/18/509/1",
2383   doi =          "10.1063/1.1653516",
2384   notes =        "first time sic by ibs, follow cites for precipitation
2385                  ideas",
2386 }
2387
2388 @Article{edelman76,
2389   author =       "F. L. Edelman and O. N. Kuznetsov and L. V. Lezheiko
2390                  and E. V. Lubopytova",
2391   title =        "Formation of Si{C} and Si[sub 3]{N}[sub 4] in silicon
2392                  by ion implantation",
2393   publisher =    "Taylor \& Francis",
2394   year =         "1976",
2395   journal =      "Radiation Effects",
2396   volume =       "29",
2397   number =       "1",
2398   pages =        "13--15",
2399   URL =          "http://www.informaworld.com/10.1080/00337577608233477",
2400   notes =        "3c-sic for different temperatures, amorphous, poly,
2401                  single crystalline",
2402 }
2403
2404 @Article{akimchenko80,
2405   author =       "I. P. Akimchenko and K. V. Kisseleva and V. V.
2406                  Krasnopevtsev and A. G. Touryanski and V. S. Vavilov",
2407   title =        "Structure and optical properties of silicon implanted
2408                  by high doses of 70 and 310 ke{V} carbon ions",
2409   publisher =    "Taylor \& Francis",
2410   year =         "1980",
2411   journal =      "Radiation Effects",
2412   volume =       "48",
2413   number =       "1",
2414   pages =        "7",
2415   URL =          "http://www.informaworld.com/10.1080/00337578008209220",
2416   notes =        "3c-sic nucleation by thermal spikes",
2417 }
2418
2419 @Article{kimura81,
2420   title =        "Structure and annealing properties of silicon carbide
2421                  thin layers formed by implantation of carbon ions in
2422                  silicon",
2423   journal =      "Thin Solid Films",
2424   volume =       "81",
2425   number =       "4",
2426   pages =        "319--327",
2427   year =         "1981",
2428   note =         "",
2429   ISSN =         "0040-6090",
2430   doi =          "DOI: 10.1016/0040-6090(81)90516-2",
2431   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TW0-46T3DRB-NS/2/831f8ddd769a5d64cd493b89a9b0cf80",
2432   author =       "Tadamasa Kimura and Shigeru Kagiyama and Shigemi
2433                  Yugo",
2434 }
2435
2436 @Article{kimura82,
2437   title =        "Characteristics of the synthesis of [beta]-Si{C} by
2438                  the implantation of carbon ions into silicon",
2439   journal =      "Thin Solid Films",
2440   volume =       "94",
2441   number =       "3",
2442   pages =        "191--198",
2443   year =         "1982",
2444   note =         "",
2445   ISSN =         "0040-6090",
2446   doi =          "DOI: 10.1016/0040-6090(82)90295-4",
2447   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TW0-46PB24G-11C/2/6bc025812640087a987ae09c38faaecd",
2448   author =       "Tadamasa Kimura and Shigeru Kagiyama and Shigemi
2449                  Yugo",
2450 }
2451
2452 @Article{reeson86,
2453   author =       "K. J. Reeson and P. L. F. Hemment and R. F. Peart and
2454                  C. D. Meekison and C. Marsh and G. R. Booker and R. J.
2455                  Chater and J. A. Iulner and J. Davis",
2456   title =        "Formation mechanisms and structures of insulating
2457                  compounds formed in silicon by ion beam synthesis",
2458   publisher =    "Taylor \& Francis",
2459   year =         "1986",
2460   journal =      "Radiation Effects",
2461   volume =       "99",
2462   number =       "1",
2463   pages =        "71--81",
2464   URL =          "http://www.informaworld.com/10.1080/00337578608209614",
2465   notes =        "ibs, comparison with sio and sin, higher temp or time,
2466                  no c redistribution",
2467 }
2468
2469 @Article{reeson87,
2470   author =       "K. J. Reeson and P. L. F. Hemment and J. Stoemenos and
2471                  J. Davis and G. E. Celler",
2472   collaboration = "",
2473   title =        "Formation of buried layers of beta-Si{C} using ion
2474                  beam synthesis and incoherent lamp annealing",
2475   publisher =    "AIP",
2476   year =         "1987",
2477   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2478   volume =       "51",
2479   number =       "26",
2480   pages =        "2242--2244",
2481   keywords =     "SILICON CARBIDES; FILM GROWTH; SOLIDPHASE EPITAXY; ION
2482                  IMPLANTATION; CARBON IONS; DOPING PROFILES; SYNTHESIS",
2483   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/51/2242/1",
2484   doi =          "10.1063/1.98953",
2485   notes =        "nice tem images, sic by ibs",
2486 }
2487
2488 @Article{martin90,
2489   author =       "P. Martin and B. Daudin and M. Dupuy and A. Ermolieff
2490                  and M. Olivier and A. M. Papon and G. Rolland",
2491   collaboration = "",
2492   title =        "High-temperature ion beam synthesis of cubic Si{C}",
2493   publisher =    "AIP",
2494   year =         "1990",
2495   journal =      "Journal of Applied Physics",
2496   volume =       "67",
2497   number =       "6",
2498   pages =        "2908--2912",
2499   keywords =     "SILICON CARBIDES; SYNTHESIS; CUBIC LATTICES; ION
2500                  IMPLANTATION; SILICON; SUBSTRATES; CARBON IONS;
2501                  TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; XRAY DIFFRACTION;
2502                  INFRARED SPECTRA; ABSORPTION SPECTROSCOPY; AUGER
2503                  ELECTRON SPECTROSCOPY; RBS; CHANNELING; NUCLEAR
2504                  REACTIONS; MONOCRYSTALS",
2505   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/67/2908/1",
2506   doi =          "10.1063/1.346092",
2507   notes =        "triple energy implantation to overcome high annealing
2508                  temepratures",
2509 }
2510
2511 @Article{scace59,
2512   author =       "R. I. Scace and G. A. Slack",
2513   collaboration = "",
2514   title =        "Solubility of Carbon in Silicon and Germanium",
2515   publisher =    "AIP",
2516   year =         "1959",
2517   journal =      "J. Chem. Phys.",
2518   volume =       "30",
2519   number =       "6",
2520   pages =        "1551--1555",
2521   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/30/1551/1",
2522   doi =          "10.1063/1.1730236",
2523   notes =        "solubility of c in c-si, si-c phase diagram",
2524 }
2525
2526 @Article{hofker74,
2527   author =       "W. Hofker and H. Werner and D. Oosthoek and N.
2528                  Koeman",
2529   affiliation =  "N. V. Philips' Gloeilampenfabrieken Philips Research
2530                  Laboratories Eindhoven Netherlands Eindhoven
2531                  Netherlands",
2532   title =        "Boron implantations in silicon: {A} comparison of
2533                  charge carrier and boron concentration profiles",
2534   journal =      "Applied Physics A: Materials Science \& Processing",
2535   publisher =    "Springer Berlin / Heidelberg",
2536   ISSN =         "0947-8396",
2537   keyword =      "Physics and Astronomy",
2538   pages =        "125--133",
2539   volume =       "4",
2540   issue =        "2",
2541   URL =          "http://dx.doi.org/10.1007/BF00884267",
2542   note =         "10.1007/BF00884267",
2543   year =         "1974",
2544   notes =        "first time ted (only for boron?)",
2545 }
2546
2547 @Article{michel87,
2548   author =       "A. E. Michel and W. Rausch and P. A. Ronsheim and R.
2549                  H. Kastl",
2550   collaboration = "",
2551   title =        "Rapid annealing and the anomalous diffusion of ion
2552                  implanted boron into silicon",
2553   publisher =    "AIP",
2554   year =         "1987",
2555   journal =      "Applied Physics Letters",
2556   volume =       "50",
2557   number =       "7",
2558   pages =        "416--418",
2559   keywords =     "SILICON; ION IMPLANTATION; ANNEALING; DIFFUSION;
2560                  BORON; ATOM TRANSPORT; CHARGEDPARTICLE TRANSPORT; VERY
2561                  HIGH TEMPERATURE; PN JUNCTIONS; SURFACE CONDUCTIVITY",
2562   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/50/416/1",
2563   doi =          "10.1063/1.98160",
2564   notes =        "ted of boron in si",
2565 }
2566
2567 @Article{cowern90,
2568   author =       "N. E. B. Cowern and K. T. F. Janssen and H. F. F.
2569                  Jos",
2570   collaboration = "",
2571   title =        "Transient diffusion of ion-implanted {B} in Si: Dose,
2572                  time, and matrix dependence of atomic and electrical
2573                  profiles",
2574   publisher =    "AIP",
2575   year =         "1990",
2576   journal =      "Journal of Applied Physics",
2577   volume =       "68",
2578   number =       "12",
2579   pages =        "6191--6198",
2580   keywords =     "BORON IONS; ION IMPLANTATION; SILICON; DIFFUSION; TIME
2581                  DEPENDENCE; ANNEALING; VERY HIGH TEMPERATURE; SIMS;
2582                  CRYSTALS; AMORPHIZATION",
2583   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/68/6191/1",
2584   doi =          "10.1063/1.346910",
2585   notes =        "ted of boron in si",
2586 }
2587
2588 @Article{cowern96,
2589   author =       "N. E. B. Cowern and A. Cacciato and J. S. Custer and
2590                  F. W. Saris and W. Vandervorst",
2591   collaboration = "",
2592   title =        "Role of {C} and {B} clusters in transient diffusion of
2593                  {B} in silicon",
2594   publisher =    "AIP",
2595   year =         "1996",
2596   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2597   volume =       "68",
2598   number =       "8",
2599   pages =        "1150--1152",
2600   keywords =     "ATOMIC CLUSTERS; BORON ADDITIONS; CRYSTAL DOPING;
2601                  DIFFUSION; DOPED MATERIALS; IMPURITIES; INTERSTITIALS;
2602                  SILICON",
2603   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/68/1150/1",
2604   doi =          "10.1063/1.115706",
2605   notes =        "suppression of transient enhanced diffusion (ted)",
2606 }
2607
2608 @Article{stolk95,
2609   title =        "Implantation and transient boron diffusion: the role
2610                  of the silicon self-interstitial",
2611   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
2612   volume =       "96",
2613   number =       "1-2",
2614   pages =        "187--195",
2615   year =         "1995",
2616   note =         "Selected Papers of the Tenth International Conference
2617                  on Ion Implantation Technology (IIT '94)",
2618   ISSN =         "0168-583X",
2619   doi =          "DOI: 10.1016/0168-583X(94)00481-1",
2620   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-40WKY1P-29/2/602c6e5b809221323d2d2968edd0a71c",
2621   author =       "P. A. Stolk and H. -J. Gossmann and D. J. Eaglesham
2622                  and J. M. Poate",
2623 }
2624
2625 @Article{stolk97,
2626   author =       "P. A. Stolk and H.-J. Gossmann and D. J. Eaglesham and
2627                  D. C. Jacobson and C. S. Rafferty and G. H. Gilmer and
2628                  M. Jara\'{\i}z and J. M. Poate and H. S. Luftman and T.
2629                  E. Haynes",
2630   collaboration = "",
2631   title =        "Physical mechanisms of transient enhanced dopant
2632                  diffusion in ion-implanted silicon",
2633   publisher =    "AIP",
2634   year =         "1997",
2635   journal =      "J. Appl. Phys.",
2636   volume =       "81",
2637   number =       "9",
2638   pages =        "6031--6050",
2639   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/81/6031/1",
2640   doi =          "10.1063/1.364452",
2641   notes =        "ted, transient enhanced diffusion, c silicon trap",
2642 }
2643
2644 @Article{powell94,
2645   author =       "A. R. Powell and F. K. LeGoues and S. S. Iyer",
2646   collaboration = "",
2647   title =        "Formation of beta-Si{C} nanocrystals by the relaxation
2648                  of Si[sub 1 - y]{C}[sub y] random alloy layers",
2649   publisher =    "AIP",
2650   year =         "1994",
2651   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2652   volume =       "64",
2653   number =       "3",
2654   pages =        "324--326",
2655   keywords =     "SILICON CARBIDES; NANOSTRUCTURES; DISPERSIONS;
2656                  EPITAXIAL LAYERS; STRESS RELAXATION; ANNEALING;
2657                  TEMPERATURE EFFECTS; PRECIPITATION; DISLOCATIONS;
2658                  SYNTHESIS",
2659   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/64/324/1",
2660   doi =          "10.1063/1.111195",
2661   notes =        "beta sic nano crystals in si, mbe, annealing",
2662 }
2663
2664 @Article{soref91,
2665   author =       "Richard A. Soref",
2666   collaboration = "",
2667   title =        "Optical band gap of the ternary semiconductor Si[sub 1
2668                  - x - y]Ge[sub x]{C}[sub y]",
2669   publisher =    "AIP",
2670   year =         "1991",
2671   journal =      "J. Appl. Phys.",
2672   volume =       "70",
2673   number =       "4",
2674   pages =        "2470--2472",
2675   keywords =     "SILICON CARBIDES; GERMANIUM CARBIDES; ENERGY GAP;
2676                  OPTICAL PROPERTIES; DIAMONDS; SEMICONDUCTOR ALLOYS;
2677                  TERNARY ALLOYS",
2678   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/70/2470/1",
2679   doi =          "10.1063/1.349403",
2680   notes =        "band gap of strained si by c",
2681 }
2682
2683 @Article{kasper91,
2684   author =       "E Kasper",
2685   title =        "Superlattices of group {IV} elements, a new
2686                  possibility to produce direct band gap material",
2687   journal =      "Physica Scripta",
2688   volume =       "T35",
2689   pages =        "232--236",
2690   URL =          "http://stacks.iop.org/1402-4896/T35/232",
2691   year =         "1991",
2692   notes =        "superlattices, convert indirect band gap into a
2693                  quasi-direct one",
2694 }
2695
2696 @Article{eberl92,
2697   author =       "K. Eberl and S. S. Iyer and S. Zollner and J. C. Tsang
2698                  and F. K. LeGoues",
2699   collaboration = "",
2700   title =        "Growth and strain compensation effects in the ternary
2701                  Si[sub 1 - x - y]Ge[sub x]{C}[sub y] alloy system",
2702   publisher =    "AIP",
2703   year =         "1992",
2704   journal =      "Applied Physics Letters",
2705   volume =       "60",
2706   number =       "24",
2707   pages =        "3033--3035",
2708   keywords =     "SILICON ALLOYS; GERMANIUM ALLOYS; CARBON ALLOYS;
2709                  TERNARY ALLOYS; SEMICONDUCTOR ALLOYS; MOLECULAR BEAM
2710                  EPITAXY; INTERNAL STRAINS; TEMPERATURE EFFECTS; CRYSTAL
2711                  STRUCTURE; LATTICE PARAMETERS; XRAY DIFFRACTION; PHASE
2712                  STUDIES",
2713   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/60/3033/1",
2714   doi =          "10.1063/1.106774",
2715 }
2716
2717 @Article{powell93,
2718   author =       "A. R. Powell and K. Eberl and F. E. LeGoues and B. A.
2719                  Ek and S. S. Iyer",
2720   collaboration = "",
2721   title =        "Stability of strained Si[sub 1 - y]{C}[sub y] random
2722                  alloy layers",
2723   publisher =    "AVS",
2724   year =         "1993",
2725   journal =      "J. Vac. Sci. Technol. B",
2726   volume =       "11",
2727   number =       "3",
2728   pages =        "1064--1068",
2729   location =     "Ottawa (Canada)",
2730   keywords =     "SILICON ALLOYS; CARBON ALLOYS; STRAINS; THICKNESS;
2731                  METASTABLE PHASES; TWINNING; DISLOCATIONS; MOLECULAR
2732                  BEAM EPITAXY; EPITAXIAL LAYERS; CRITICAL PHENOMENA;
2733                  TEMPERATURE RANGE 400--1000 K; BINARY ALLOYS",
2734   URL =          "http://link.aip.org/link/?JVB/11/1064/1",
2735   doi =          "10.1116/1.587008",
2736   notes =        "substitutional c in si by mbe",
2737 }
2738
2739 @Article{powell93_2,
2740   title =        "Si[sub 1-x-y]Ge[sub x]{C}[sub y] growth and properties
2741                  of the ternary system",
2742   journal =      "Journal of Crystal Growth",
2743   volume =       "127",
2744   number =       "1-4",
2745   pages =        "425--429",
2746   year =         "1993",
2747   note =         "",
2748   ISSN =         "0022-0248",
2749   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(93)90653-E",
2750   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46J3RF2-8H/2/27fc231f28e4dc0a3b4770e5cf03257e",
2751   author =       "A. R. Powell and K. Eberl and B. A. Ek and S. S.
2752                  Iyer",
2753 }
2754
2755 @Article{osten94,
2756   author =       "H. J. Osten",
2757   title =        "Modification of Growth Modes in Lattice-Mismatched
2758                  Epitaxial Systems: Si/Ge",
2759   journal =      "physica status solidi (a)",
2760   volume =       "145",
2761   number =       "2",
2762   publisher =    "WILEY-VCH Verlag",
2763   ISSN =         "1521-396X",
2764   URL =          "http://dx.doi.org/10.1002/pssa.2211450203",
2765   doi =          "10.1002/pssa.2211450203",
2766   pages =        "235--245",
2767   year =         "1994",
2768 }
2769
2770 @Article{dietrich94,
2771   title =        "Lattice distortion in a strain-compensated
2772                  $Si_{1-x-y}$$Ge_{x}$${C}_{y}$ layer on silicon",
2773   author =       "B. Dietrich and H. J. Osten and H. R{\"u}cker and M.
2774                  Methfessel and P. Zaumseil",
2775   journal =      "Phys. Rev. B",
2776   volume =       "49",
2777   number =       "24",
2778   pages =        "17185--17190",
2779   numpages =     "5",
2780   year =         "1994",
2781   month =        jun,
2782   doi =          "10.1103/PhysRevB.49.17185",
2783   publisher =    "American Physical Society",
2784 }
2785
2786 @Article{osten94_2,
2787   author =       "H. J. Osten and E. Bugiel and P. Zaumseil",
2788   collaboration = "",
2789   title =        "Growth of an inverse tetragonal distorted SiGe layer
2790                  on Si(001) by adding small amounts of carbon",
2791   publisher =    "AIP",
2792   year =         "1994",
2793   journal =      "Applied Physics Letters",
2794   volume =       "64",
2795   number =       "25",
2796   pages =        "3440--3442",
2797   keywords =     "SILICON ALLOYS; GERMANIUM ALLOYS; FILM GROWTH; CARBON
2798                  ALLOYS; TERNARY ALLOYS; MOLECULAR BEAM EPITAXY; TEM;
2799                  XRD; LATTICE PARAMETERS; EPITAXIAL LAYERS; TETRAGONAL
2800                  LATTICES",
2801   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/64/3440/1",
2802   doi =          "10.1063/1.111235",
2803   notes =        "inversely strained / distorted heterostructure",
2804 }
2805
2806 @Article{iyer92,
2807   author =       "S. S. Iyer and K. Eberl and M. S. Goorsky and F. K.
2808                  LeGoues and J. C. Tsang and F. Cardone",
2809   collaboration = "",
2810   title =        "Synthesis of Si[sub 1 - y]{C}[sub y] alloys by
2811                  molecular beam epitaxy",
2812   publisher =    "AIP",
2813   year =         "1992",
2814   journal =      "Applied Physics Letters",
2815   volume =       "60",
2816   number =       "3",
2817   pages =        "356--358",
2818   keywords =     "SILICON ALLOYS; CARBON ALLOYS; BINARY ALLOYS;
2819                  SEMICONDUCTOR ALLOYS; SUPERLATTICES; MOLECULAR BEAM
2820                  EPITAXY; CHEMICAL COMPOSITION; TEMPERATURE EFFECTS;
2821                  FILM GROWTH; MICROSTRUCTURE",
2822   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/60/356/1",
2823   doi =          "10.1063/1.106655",
2824 }
2825
2826 @Article{osten99,
2827   author =       "H. J. Osten and J. Griesche and S. Scalese",
2828   collaboration = "",
2829   title =        "Substitutional carbon incorporation in epitaxial
2830                  Si[sub 1 - y]{C}[sub y] alloys on Si(001) grown by
2831                  molecular beam epitaxy",
2832   publisher =    "AIP",
2833   year =         "1999",
2834   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2835   volume =       "74",
2836   number =       "6",
2837   pages =        "836--838",
2838   keywords =     "molecular beam epitaxial growth; semiconductor growth;
2839                  wide band gap semiconductors; interstitials; silicon
2840                  compounds",
2841   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/74/836/1",
2842   doi =          "10.1063/1.123384",
2843   notes =        "substitutional c in si by mbe",
2844 }
2845
2846 @Article{born27,
2847   author =       "M. Born and R. Oppenheimer",
2848   title =        "Zur Quantentheorie der Molekeln",
2849   journal =      "Annalen der Physik",
2850   volume =       "389",
2851   number =       "20",
2852   publisher =    "WILEY-VCH Verlag",
2853   ISSN =         "1521-3889",
2854   URL =          "http://dx.doi.org/10.1002/andp.19273892002",
2855   doi =          "10.1002/andp.19273892002",
2856   pages =        "457--484",
2857   year =         "1927",
2858 }
2859
2860 @Article{hohenberg64,
2861   title =        "Inhomogeneous Electron Gas",
2862   author =       "P. Hohenberg and W. Kohn",
2863   journal =      "Phys. Rev.",
2864   volume =       "136",
2865   number =       "3B",
2866   pages =        "B864--B871",
2867   numpages =     "7",
2868   year =         "1964",
2869   month =        nov,
2870   doi =          "10.1103/PhysRev.136.B864",
2871   publisher =    "American Physical Society",
2872   notes =        "density functional theory, dft",
2873 }
2874
2875 @Article{kohn65,
2876   title =        "Self-Consistent Equations Including Exchange and
2877                  Correlation Effects",
2878   author =       "W. Kohn and L. J. Sham",
2879   journal =      "Phys. Rev.",
2880   volume =       "140",
2881   number =       "4A",
2882   pages =        "A1133--A1138",
2883   numpages =     "5",
2884   year =         "1965",
2885   month =        nov,
2886   doi =          "10.1103/PhysRev.140.A1133",
2887   publisher =    "American Physical Society",
2888   notes =        "dft, exchange and correlation",
2889 }
2890
2891 @Article{ruecker94,
2892   title =        "Strain-stabilized highly concentrated pseudomorphic
2893                  $Si1-x$$Cx$ layers in Si",
2894   author =       "H. R{\"u}cker and M. Methfessel and E. Bugiel and H.
2895                  J. Osten",
2896   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2897   volume =       "72",
2898   number =       "22",
2899   pages =        "3578--3581",
2900   numpages =     "3",
2901   year =         "1994",
2902   month =        may,
2903   doi =          "10.1103/PhysRevLett.72.3578",
2904   publisher =    "American Physical Society",
2905   notes =        "high c concentration in si, heterostructure, strained
2906                  si, dft",
2907 }
2908
2909 @Article{yagi02,
2910   title =        "Phosphorous Doping of Strain-Induced
2911                  Si$_{1-y}${C}$_{y}$ Epitaxial Films Grown\\
2912                  by Low-Temperature Chemical Vapor Deposition",
2913   author =       "Shuhei Yagi and Katsuya Abe and Takashi Okabayashi and
2914                  Yuichi Yoneyama and Akira Yamada and Makoto Konagai",
2915   journal =      "Japanese Journal of Applied Physics",
2916   volume =       "41",
2917   number =       "Part 1, No. 4B",
2918   pages =        "2472--2475",
2919   numpages =     "3",
2920   year =         "2002",
2921   URL =          "http://jjap.jsap.jp/link?JJAP/41/2472/",
2922   doi =          "10.1143/JJAP.41.2472",
2923   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
2924   notes =        "experimental charge carrier mobility in strained si",
2925 }
2926
2927 @Article{chang05,
2928   title =        "Electron Transport Model for Strained Silicon-Carbon
2929                  Alloy",
2930   author =       "Shu-Tong Chang and Chung-Yi Lin",
2931   journal =      "Japanese J. Appl. Phys.",
2932   volume =       "44",
2933   number =       "4B",
2934   pages =        "2257--2262",
2935   numpages =     "5",
2936   year =         "2005",
2937   URL =          "http://jjap.ipap.jp/link?JJAP/44/2257/",
2938   doi =          "10.1143/JJAP.44.2257",
2939   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
2940   notes =        "enhance of electron mobility in strained si",
2941 }
2942
2943 @Article{kissinger94,
2944   author =       "W. Kissinger and M. Weidner and H. J. Osten and M.
2945                  Eichler",
2946   collaboration = "",
2947   title =        "Optical transitions in strained Si[sub 1 - y]{C}[sub
2948                  y] layers on Si(001)",
2949   publisher =    "AIP",
2950   year =         "1994",
2951   journal =      "Applied Physics Letters",
2952   volume =       "65",
2953   number =       "26",
2954   pages =        "3356--3358",
2955   keywords =     "SILICON CARBIDES; INTERNAL STRAINS; EPITAXIAL LAYERS;
2956                  CHEMICAL COMPOSITION; ELLIPSOMETRY; REFLECTION
2957                  SPECTROSCOPY; ELECTROOPTICAL EFFECTS; BAND STRUCTURE;
2958                  ENERGY LEVELS; ENERGYLEVEL TRANSITIONS",
2959   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/65/3356/1",
2960   doi =          "10.1063/1.112390",
2961   notes =        "strained si influence on optical properties",
2962 }
2963
2964 @Article{osten96,
2965   author =       "H. J. Osten and Myeongcheol Kim and K. Pressel and P.
2966                  Zaumseil",
2967   collaboration = "",
2968   title =        "Substitutional versus interstitial carbon
2969                  incorporation during pseudomorphic growth of Si[sub 1 -
2970                  y]{C}[sub y] on Si(001)",
2971   publisher =    "AIP",
2972   year =         "1996",
2973   journal =      "Journal of Applied Physics",
2974   volume =       "80",
2975   number =       "12",
2976   pages =        "6711--6715",
2977   keywords =     "SILICON CARBIDES; CRYSTAL DEFECTS; FILM GROWTH;
2978                  MOLECULAR BEAM EPITAXY; INTERSTITIALS; SUBSTITUTION;
2979                  XRD; STRAINS",
2980   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/80/6711/1",
2981   doi =          "10.1063/1.363797",
2982   notes =        "mbe substitutional vs interstitial c incorporation",
2983 }
2984
2985 @Article{osten97,
2986   author =       "H. J. Osten and P. Gaworzewski",
2987   collaboration = "",
2988   title =        "Charge transport in strained Si[sub 1 - y]{C}[sub y]
2989                  and Si[sub 1 - x - y]Ge[sub x]{C}[sub y] alloys on
2990                  Si(001)",
2991   publisher =    "AIP",
2992   year =         "1997",
2993   journal =      "J. Appl. Phys.",
2994   volume =       "82",
2995   number =       "10",
2996   pages =        "4977--4981",
2997   keywords =     "silicon compounds; Ge-Si alloys; wide band gap
2998                  semiconductors; semiconductor epitaxial layers; carrier
2999                  density; Hall mobility; interstitials; defect states",
3000   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/82/4977/1",
3001   doi =          "10.1063/1.366364",
3002   notes =        "charge transport in strained si",
3003 }
3004
3005 @Article{kapur04,
3006   title =        "Carbon-mediated aggregation of self-interstitials in
3007                  silicon: {A} large-scale molecular dynamics study",
3008   author =       "Sumeet S. Kapur and Manish Prasad and Talid Sinno",
3009   journal =      "Phys. Rev. B",
3010   volume =       "69",
3011   number =       "15",
3012   pages =        "155214",
3013   numpages =     "8",
3014   year =         "2004",
3015   month =        apr,
3016   doi =          "10.1103/PhysRevB.69.155214",
3017   publisher =    "American Physical Society",
3018   notes =        "simulation using promising tersoff reparametrization",
3019 }
3020
3021 @Article{barkema96,
3022   title =        "Event-Based Relaxation of Continuous Disordered
3023                  Systems",
3024   author =       "G. T. Barkema and Normand Mousseau",
3025   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
3026   volume =       "77",
3027   number =       "21",
3028   pages =        "4358--4361",
3029   numpages =     "3",
3030   year =         "1996",
3031   month =        nov,
3032   doi =          "10.1103/PhysRevLett.77.4358",
3033   publisher =    "American Physical Society",
3034   notes =        "activation relaxation technique, art, speed up slow
3035                  dynamic mds",
3036 }
3037
3038 @Article{cances09,
3039   author =       "E. Canc\`{e}s and F. Legoll and M.-C. Marinica and K.
3040                  Minoukadeh and F. Willaime",
3041   collaboration = "",
3042   title =        "Some improvements of the activation-relaxation
3043                  technique method for finding transition pathways on
3044                  potential energy surfaces",
3045   publisher =    "AIP",
3046   year =         "2009",
3047   journal =      "J. Chem. Phys.",
3048   volume =       "130",
3049   number =       "11",
3050   eid =          "114711",
3051   numpages =     "6",
3052   pages =        "114711",
3053   keywords =     "eigenvalues and eigenfunctions; iron; potential energy
3054                  surfaces; vacancies (crystal)",
3055   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/130/114711/1",
3056   doi =          "10.1063/1.3088532",
3057   notes =        "improvements to art, refs for methods to find
3058                  transition pathways",
3059 }
3060
3061 @Article{parrinello81,
3062   author =       "M. Parrinello and A. Rahman",
3063   collaboration = "",
3064   title =        "Polymorphic transitions in single crystals: {A} new
3065                  molecular dynamics method",
3066   publisher =    "AIP",
3067   year =         "1981",
3068   journal =      "J. Appl. Phys.",
3069   volume =       "52",
3070   number =       "12",
3071   pages =        "7182--7190",
3072   keywords =     "MONOCRYSTALS; PHASE TRANSFORMATIONS; STRUCTURAL
3073                  MODELS; DYNAMICS; THEORETICAL DATA; STRESSES;
3074                  CONFIGURATION; LAGRANGE EQUATIONS; SIZE; NICKEL;
3075                  COMPRESSION; TENSILE PROPERTIES; COMPARATIVE
3076                  EVALUATIONS; STRAINS; CUBIC LATTICES; HCP LATTICES;
3077                  IMPACT SHOCK",
3078   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/52/7182/1",
3079   doi =          "10.1063/1.328693",
3080 }
3081
3082 @Article{stillinger85,
3083   title =        "Computer simulation of local order in condensed phases
3084                  of silicon",
3085   author =       "Frank H. Stillinger and Thomas A. Weber",
3086   journal =      "Phys. Rev. B",
3087   volume =       "31",
3088   number =       "8",
3089   pages =        "5262--5271",
3090   numpages =     "9",
3091   year =         "1985",
3092   month =        apr,
3093   doi =          "10.1103/PhysRevB.31.5262",
3094   publisher =    "American Physical Society",
3095 }
3096
3097 @Article{brenner90,
3098   title =        "Empirical potential for hydrocarbons for use in
3099                  simulating the chemical vapor deposition of diamond
3100                  films",
3101   author =       "Donald W. Brenner",
3102   journal =      "Phys. Rev. B",
3103   volume =       "42",
3104   number =       "15",
3105   pages =        "9458--9471",
3106   numpages =     "13",
3107   year =         "1990",
3108   month =        nov,
3109   doi =          "10.1103/PhysRevB.42.9458",
3110   publisher =    "American Physical Society",
3111   notes =        "brenner hydro carbons",
3112 }
3113
3114 @Article{bazant96,
3115   title =        "Modeling of Covalent Bonding in Solids by Inversion of
3116                  Cohesive Energy Curves",
3117   author =       "Martin Z. Bazant and Efthimios Kaxiras",
3118   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
3119   volume =       "77",
3120   number =       "21",
3121   pages =        "4370--4373",
3122   numpages =     "3",
3123   year =         "1996",
3124   month =        nov,
3125   doi =          "10.1103/PhysRevLett.77.4370",
3126   publisher =    "American Physical Society",
3127   notes =        "first si edip",
3128 }
3129
3130 @Article{bazant97,
3131   title =        "Environment-dependent interatomic potential for bulk
3132                  silicon",
3133   author =       "Martin Z. Bazant and Efthimios Kaxiras and J. F.
3134                  Justo",
3135   journal =      "Phys. Rev. B",
3136   volume =       "56",
3137   number =       "14",
3138   pages =        "8542--8552",
3139   numpages =     "10",
3140   year =         "1997",
3141   month =        oct,
3142   doi =          "10.1103/PhysRevB.56.8542",
3143   publisher =    "American Physical Society",
3144   notes =        "second si edip",
3145 }
3146
3147 @Article{justo98,
3148   title =        "Interatomic potential for silicon defects and
3149                  disordered phases",
3150   author =       "Jo\tilde{a}o F. Justo and Martin Z. Bazant and
3151                  Efthimios Kaxiras and V. V. Bulatov and Sidney Yip",
3152   journal =      "Phys. Rev. B",
3153   volume =       "58",
3154   number =       "5",
3155   pages =        "2539--2550",
3156   numpages =     "11",
3157   year =         "1998",
3158   month =        aug,
3159   doi =          "10.1103/PhysRevB.58.2539",
3160   publisher =    "American Physical Society",
3161   notes =        "latest si edip, good dislocation explanation",
3162 }
3163
3164 @Article{parcas_md,
3165   title =        "{PARCAS} molecular dynamics code",
3166   author =       "K. Nordlund",
3167   year =         "2008",
3168 }
3169
3170 @Article{voter97,
3171   title =        "Hyperdynamics: Accelerated Molecular Dynamics of
3172                  Infrequent Events",
3173   author =       "Arthur F. Voter",
3174   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
3175   volume =       "78",
3176   number =       "20",
3177   pages =        "3908--3911",
3178   numpages =     "3",
3179   year =         "1997",
3180   month =        may,
3181   doi =          "10.1103/PhysRevLett.78.3908",
3182   publisher =    "American Physical Society",
3183   notes =        "hyperdynamics, accelerated md",
3184 }
3185
3186 @Article{voter97_2,
3187   author =       "Arthur F. Voter",
3188   collaboration = "",
3189   title =        "A method for accelerating the molecular dynamics
3190                  simulation of infrequent events",
3191   publisher =    "AIP",
3192   year =         "1997",
3193   journal =      "J. Chem. Phys.",
3194   volume =       "106",
3195   number =       "11",
3196   pages =        "4665--4677",
3197   keywords =     "COMPUTERIZED SIMULATION; NICKEL; DIFFUSION; ATOM
3198                  TRANSPORT; MOLECULAR ORBITAL METHOD; POTENTIAL ENERGY;
3199                  SURFACE POTENTIAL; MOLECULAR DYNAMICS METHOD; potential
3200                  energy functions; surface diffusion; reaction kinetics
3201                  theory; potential energy surfaces",
3202   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/106/4665/1",
3203   doi =          "10.1063/1.473503",
3204   notes =        "improved hyperdynamics md",
3205 }
3206
3207 @Article{sorensen2000,
3208   author =       "Mads R. S{\o }rensen and Arthur F. Voter",
3209   collaboration = "",
3210   title =        "Temperature-accelerated dynamics for simulation of
3211                  infrequent events",
3212   publisher =    "AIP",
3213   year =         "2000",
3214   journal =      "J. Chem. Phys.",
3215   volume =       "112",
3216   number =       "21",
3217   pages =        "9599--9606",
3218   keywords =     "SOLID STATE PHYSICS; SIMULATION; DIFFUSION; SURFACES;
3219                  MOLECULAR DYNAMICS METHOD; surface diffusion",
3220   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/112/9599/1",
3221   doi =          "10.1063/1.481576",
3222   notes =        "temperature accelerated dynamics, tad",
3223 }
3224
3225 @Article{voter98,
3226   title =        "Parallel replica method for dynamics of infrequent
3227                  events",
3228   author =       "Arthur F. Voter",
3229   journal =      "Phys. Rev. B",
3230   volume =       "57",
3231   number =       "22",
3232   pages =        "R13985--R13988",
3233   numpages =     "3",
3234   year =         "1998",
3235   month =        jun,
3236   doi =          "10.1103/PhysRevB.57.R13985",
3237   publisher =    "American Physical Society",
3238   notes =        "parallel replica method, accelerated md",
3239 }
3240
3241 @Article{wu99,
3242   author =       "Xiongwu Wu and Shaomeng Wang",
3243   collaboration = "",
3244   title =        "Enhancing systematic motion in molecular dynamics
3245                  simulation",
3246   publisher =    "AIP",
3247   year =         "1999",
3248   journal =      "J. Chem. Phys.",
3249   volume =       "110",
3250   number =       "19",
3251   pages =        "9401--9410",
3252   keywords =     "molecular dynamics method; argon; Lennard-Jones
3253                  potential; crystallisation; liquid theory",
3254   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/110/9401/1",
3255   doi =          "10.1063/1.478948",
3256   notes =        "self guided md, sgmd, accelerated md, enhancing
3257                  systematic motion",
3258 }
3259
3260 @Article{choudhary05,
3261   author =       "Devashish Choudhary and Paulette Clancy",
3262   collaboration = "",
3263   title =        "Application of accelerated molecular dynamics schemes
3264                  to the production of amorphous silicon",
3265   publisher =    "AIP",
3266   year =         "2005",
3267   journal =      "J. Chem. Phys.",
3268   volume =       "122",
3269   number =       "15",
3270   eid =          "154509",
3271   numpages =     "8",
3272   pages =        "154509",
3273   keywords =     "molecular dynamics method; silicon; glass structure;
3274                  amorphous semiconductors",
3275   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/122/154509/1",
3276   doi =          "10.1063/1.1878733",
3277   notes =        "explanation of sgmd and hyper md, applied to amorphous
3278                  silicon",
3279 }
3280
3281 @Article{taylor93,
3282   author =       "W. J. Taylor and T. Y. Tan and U. G{\"{o}}sele",
3283   collaboration = "",
3284   title =        "Carbon precipitation in silicon: Why is it so
3285                  difficult?",
3286   publisher =    "AIP",
3287   year =         "1993",
3288   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
3289   volume =       "62",
3290   number =       "25",
3291   pages =        "3336--3338",
3292   keywords =     "SILICON; CARBON ADDITIONS; OXYGEN ADDITIONS; DOPED
3293                  MATERIALS; PRECIPITATION; THERMODYNAMICS; SURFACE
3294                  ENERGY",
3295   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/62/3336/1",
3296   doi =          "10.1063/1.109063",
3297   notes =        "interfacial energy of cubic sic and si, si self
3298                  interstitials necessary for precipitation, volume
3299                  decrease, high interface energy",
3300 }
3301
3302 @Article{chaussende08,
3303   title =        "Prospects for 3{C}-Si{C} bulk crystal growth",
3304   journal =      "J. Cryst. Growth",
3305   volume =       "310",
3306   number =       "5",
3307   pages =        "976--981",
3308   year =         "2008",
3309   note =         "Proceedings of the E-MRS Conference, Symposium G -
3310                  Substrates of Wide Bandgap Materials",
3311   ISSN =         "0022-0248",
3312   doi =          "DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2007.11.140",
3313   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-4R7J67S-F/2/e92fc194b652409f5b119393d608b082",
3314   author =       "D. Chaussende and F. Mercier and A. Boulle and F.
3315                  Conchon and M. Soueidan and G. Ferro and A. Mantzari
3316                  and A. Andreadou and E. K. Polychroniadis and C.
3317                  Balloud and S. Juillaguet and J. Camassel and M. Pons",
3318   notes =        "3c-sic crystal growth, sic fabrication + links,
3319                  metastable",
3320 }
3321
3322 @Article{chaussende07,
3323   author =       "D. Chaussende and P. J. Wellmann and M. Pons",
3324   title =        "Status of Si{C} bulk growth processes",
3325   journal =      "Journal of Physics D: Applied Physics",
3326   volume =       "40",
3327   number =       "20",
3328   pages =        "6150",
3329   URL =          "http://stacks.iop.org/0022-3727/40/i=20/a=S02",
3330   year =         "2007",
3331   notes =        "review of sic single crystal growth methods, process
3332                  modelling",
3333 }
3334
3335 @Article{feynman39,
3336   title =        "Forces in Molecules",
3337   author =       "R. P. Feynman",
3338   journal =      "Phys. Rev.",
3339   volume =       "56",
3340   number =       "4",
3341   pages =        "340--343",
3342   numpages =     "3",
3343   year =         "1939",
3344   month =        aug,
3345   doi =          "10.1103/PhysRev.56.340",
3346   publisher =    "American Physical Society",
3347   notes =        "hellmann feynman forces",
3348 }
3349
3350 @Article{buczko00,
3351   title =        "Bonding Arrangements at the $Si-Si{O}_{2}$ and
3352                  $Si{C}-Si{O}_{2}$ Interfaces and a Possible Origin of
3353                  their Contrasting Properties",
3354   author =       "Ryszard Buczko and Stephen J. Pennycook and Sokrates
3355                  T. Pantelides",
3356   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
3357   volume =       "84",
3358   number =       "5",
3359   pages =        "943--946",
3360   numpages =     "3",
3361   year =         "2000",
3362   month =        jan,
3363   doi =          "10.1103/PhysRevLett.84.943",
3364   publisher =    "American Physical Society",
3365   notes =        "si sio2 and sic sio2 interface",
3366 }
3367
3368 @Article{djurabekova08,
3369   title =        "Atomistic simulation of the interface structure of Si
3370                  nanocrystals embedded in amorphous silica",
3371   author =       "Flyura Djurabekova and Kai Nordlund",
3372   journal =      "Phys. Rev. B",
3373   volume =       "77",
3374   number =       "11",
3375   pages =        "115325",
3376   numpages =     "7",
3377   year =         "2008",
3378   month =        mar,
3379   doi =          "10.1103/PhysRevB.77.115325",
3380   publisher =    "American Physical Society",
3381   notes =        "nc-si in sio2, interface energy, nc construction,
3382                  angular distribution, coordination",
3383 }
3384
3385 @Article{wen09,
3386   author =       "C. Wen and Y. M. Wang and W. Wan and F. H. Li and J.
3387                  W. Liang and J. Zou",
3388   collaboration = "",
3389   title =        "Nature of interfacial defects and their roles in
3390                  strain relaxation at highly lattice mismatched
3391                  3{C}-Si{C}/Si (001) interface",
3392   publisher =    "AIP",
3393   year =         "2009",
3394   journal =      "J. Appl. Phys.",
3395   volume =       "106",
3396   number =       "7",
3397   eid =          "073522",
3398   numpages =     "8",
3399   pages =        "073522",
3400   keywords =     "anelastic relaxation; crystal structure; dislocations;
3401                  elemental semiconductors; semiconductor growth;
3402                  semiconductor thin films; silicon; silicon compounds;
3403                  stacking faults; wide band gap semiconductors",
3404   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/106/073522/1",
3405   doi =          "10.1063/1.3234380",
3406   notes =        "sic/si interface, follow refs, tem image
3407                  deconvolution, dislocation defects",
3408 }
3409
3410 @Article{kitabatake93,
3411   author =       "Makoto Kitabatake and Masahiro Deguchi and Takashi
3412                  Hirao",
3413   collaboration = "",
3414   title =        "Simulations and experiments of Si{C} heteroepitaxial
3415                  growth on Si(001) surface",
3416   publisher =    "AIP",
3417   year =         "1993",
3418   journal =      "J. Appl. Phys.",
3419   volume =       "74",
3420   number =       "7",
3421   pages =        "4438--4445",
3422   keywords =     "SILICON CARBIDES; FILM GROWTH; SIMULATION; MOLECULAR
3423                  BEAM EPITAXY; MOLECULAR DYNAMICS CALCULATIONS; SILICON;
3424                  MICROSTRUCTURE; ULTRAVIOLET RADIATION; IRRADIATION",
3425   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/74/4438/1",
3426   doi =          "10.1063/1.354385",
3427   notes =        "mbe and md of sic growth on si, 4 to 5 shrinkage
3428                  model, interface",
3429 }
3430
3431 @Article{kitabatake97,
3432   author =       "Makoto Kitabatake",
3433   title =        "Simulations and Experiments of 3{C}-Si{C}/Si
3434                  Heteroepitaxial Growth",
3435   publisher =    "WILEY-VCH Verlag",
3436   year =         "1997",
3437   journal =      "physica status solidi (b)",
3438   volume =       "202",
3439   pages =        "405--420",
3440   URL =          "http://dx.doi.org/10.1002/1521-3951(199707)202:1<405::AID-PSSB405>3.0.CO;2-5",
3441   doi =          "10.1002/1521-3951(199707)202:1<405::AID-PSSB405>3.0.CO;2-5",
3442   notes =        "3c-sic heteroepitaxial growth on si off-axis model",
3443 }
3444
3445 @Article{chirita97,
3446   title =        "Strain relaxation and thermal stability of the
3447                  3{C}-Si{C}(001)/Si(001) interface: {A} molecular
3448                  dynamics study",
3449   journal =      "Thin Solid Films",
3450   volume =       "294",
3451   number =       "1-2",
3452   pages =        "47--49",
3453   year =         "1997",
3454   note =         "",
3455   ISSN =         "0040-6090",
3456   doi =          "DOI: 10.1016/S0040-6090(96)09257-7",
3457   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TW0-41WBB52-C/2/6ef684a04d02dd3b108f972377cde8f4",
3458   author =       "V. Chirita and L. Hultman and L. R. Wallenberg",
3459   keywords =     "Strain relaxation",
3460   keywords =     "Interfaces",
3461   keywords =     "Thermal stability",
3462   keywords =     "Molecular dynamics",
3463   notes =        "tersoff sic/si interface study",
3464 }
3465
3466 @Article{cicero02,
3467   title =        "Ab initio Study of Misfit Dislocations at the
3468                  $Si{C}/Si(001)$ Interface",
3469   author =       "Giancarlo Cicero and Laurent Pizzagalli and Alessandra
3470                  Catellani",
3471   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
3472   volume =       "89",
3473   number =       "15",
3474   pages =        "156101",
3475   numpages =     "4",
3476   year =         "2002",
3477   month =        sep,
3478   doi =          "10.1103/PhysRevLett.89.156101",
3479   publisher =    "American Physical Society",
3480   notes =        "sic/si interface study",
3481 }
3482
3483 @Article{pizzagalli03,
3484   title =        "Theoretical investigations of a highly mismatched
3485                  interface: Si{C}/Si(001)",
3486   author =       "Laurent Pizzagalli and Giancarlo Cicero and Alessandra
3487                  Catellani",
3488   journal =      "Phys. Rev. B",
3489   volume =       "68",
3490   number =       "19",
3491   pages =        "195302",
3492   numpages =     "10",
3493   year =         "2003",
3494   month =        nov,
3495   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.195302",
3496   publisher =    "American Physical Society",
3497   notes =        "tersoff md and ab initio sic/si interface study",
3498 }
3499
3500 @Article{tang07,
3501   title =        "Atomic configurations of dislocation core and twin
3502                  boundaries in $ 3{C}-Si{C} $ studied by high-resolution
3503                  electron microscopy",
3504   author =       "C. Y. Tang and F. H. Li and R. Wang and J. Zou and X.
3505                  H. Zheng and J. W. Liang",
3506   journal =      "Phys. Rev. B",
3507   volume =       "75",
3508   number =       "18",
3509   pages =        "184103",
3510   numpages =     "7",
3511   year =         "2007",
3512   month =        may,
3513   doi =          "10.1103/PhysRevB.75.184103",
3514   publisher =    "American Physical Society",
3515   notes =        "hrem image deconvolution on 3c-sic on si, distinguish
3516                  si and c",
3517 }
3518
3519 @Article{hornstra58,
3520   title =        "Dislocations in the diamond lattice",
3521   journal =      "Journal of Physics and Chemistry of Solids",
3522   volume =       "5",
3523   number =       "1-2",
3524   pages =        "129--141",
3525   year =         "1958",
3526   note =         "",
3527   ISSN =         "0022-3697",
3528   doi =          "DOI: 10.1016/0022-3697(58)90138-0",
3529   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXR-46MMPHJ-10D/2/7176c01c29cd4e73faa26ab2aacdcea5",
3530   author =       "J. Hornstra",
3531   notes =        "dislocations in diamond lattice",
3532 }
3533
3534 @Article{deguchi92,
3535   title =        "Synthesis of $\beta$-Si{C} Layer in Silicon by Carbon
3536                  Ion `Hot' Implantation",
3537   author =       "Masahiro Deguchi and Makoto Kitabatake and Takashi
3538                  Hirao and Naoki Arai and Tomio Izumi",
3539   journal =      "Japanese J. Appl. Phys.",
3540   volume =       "31",
3541   number =       "Part 1, No. 2A",
3542   pages =        "343--347",
3543   numpages =     "4",
3544   year =         "1992",
3545   URL =          "http://jjap.ipap.jp/link?JJAP/31/343/",
3546   doi =          "10.1143/JJAP.31.343",
3547   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
3548   notes =        "c-c bonds in c implanted si, hot implantation
3549                  efficiency, c-c hard to break by thermal annealing",
3550 }
3551
3552 @Article{eichhorn99,
3553   author =       "F. Eichhorn and N. Schell and W. Matz and R.
3554                  K{\"{o}}gler",
3555   collaboration = "",
3556   title =        "Strain and Si{C} particle formation in silicon
3557                  implanted with carbon ions of medium fluence studied by
3558                  synchrotron x-ray diffraction",
3559   publisher =    "AIP",
3560   year =         "1999",
3561   journal =      "J. Appl. Phys.",
3562   volume =       "86",
3563   number =       "8",
3564   pages =        "4184--4187",
3565   keywords =     "silicon; carbon; elemental semiconductors; chemical
3566                  interdiffusion; ion implantation; X-ray diffraction;
3567                  precipitation; semiconductor doping",
3568   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/86/4184/1",
3569   doi =          "10.1063/1.371344",
3570   notes =        "sic conversion by ibs, detected substitutional carbon,
3571                  expansion of si lattice",
3572 }
3573
3574 @Article{eichhorn02,
3575   author =       "F. Eichhorn and N. Schell and A. M{\"{u}}cklich and H.
3576                  Metzger and W. Matz and R. K{\"{o}}gler",
3577   collaboration = "",
3578   title =        "Structural relation between Si and Si{C} formed by
3579                  carbon ion implantation",
3580   publisher =    "AIP",
3581   year =         "2002",
3582   journal =      "J. Appl. Phys.",
3583   volume =       "91",
3584   number =       "3",
3585   pages =        "1287--1292",
3586   keywords =     "silicon compounds; wide band gap semiconductors; ion
3587                  implantation; annealing; X-ray scattering; transmission
3588                  electron microscopy",
3589   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/91/1287/1",
3590   doi =          "10.1063/1.1428105",
3591   notes =        "3c-sic alignement to si host in ibs depending on
3592                  temperature, might explain c into c sub trafo",
3593 }
3594
3595 @Article{lucas10,
3596   author =       "G Lucas and M Bertolus and L Pizzagalli",
3597   title =        "An environment-dependent interatomic potential for
3598                  silicon carbide: calculation of bulk properties,
3599                  high-pressure phases, point and extended defects, and
3600                  amorphous structures",
3601   journal =      "J. Phys.: Condens. Matter",
3602   volume =       "22",
3603   number =       "3",
3604   pages =        "035802",
3605   URL =          "http://stacks.iop.org/0953-8984/22/i=3/a=035802",
3606   year =         "2010",
3607   notes =        "edip sic",
3608 }
3609
3610 @Article{godet03,
3611   author =       "J Godet and L Pizzagalli and S Brochard and P
3612                  Beauchamp",
3613   title =        "Comparison between classical potentials and ab initio
3614                  methods for silicon under large shear",
3615   journal =      "J. Phys.: Condens. Matter",
3616   volume =       "15",
3617   number =       "41",
3618   pages =        "6943",
3619   URL =          "http://stacks.iop.org/0953-8984/15/i=41/a=004",
3620   year =         "2003",
3621   notes =        "comparison of empirical potentials, stillinger weber,
3622                  edip, tersoff, ab initio",
3623 }
3624
3625 @Article{moriguchi98,
3626   title =        "Verification of Tersoff's Potential for Static
3627                  Structural Analysis of Solids of Group-{IV} Elements",
3628   author =       "Koji Moriguchi and Akira Shintani",
3629   journal =      "Japanese J. Appl. Phys.",
3630   volume =       "37",
3631   number =       "Part 1, No. 2",
3632   pages =        "414--422",
3633   numpages =     "8",
3634   year =         "1998",
3635   URL =          "http://jjap.ipap.jp/link?JJAP/37/414/",
3636   doi =          "10.1143/JJAP.37.414",
3637   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
3638   notes =        "tersoff stringent test",
3639 }
3640
3641 @Article{mazzarolo01,
3642   title =        "Low-energy recoils in crystalline silicon: Quantum
3643                  simulations",
3644   author =       "Massimiliano Mazzarolo and Luciano Colombo and Giorgio
3645                  Lulli and Eros Albertazzi",
3646   journal =      "Phys. Rev. B",
3647   volume =       "63",
3648   number =       "19",
3649   pages =        "195207",
3650   numpages =     "4",
3651   year =         "2001",
3652   month =        apr,
3653   doi =          "10.1103/PhysRevB.63.195207",
3654   publisher =    "American Physical Society",
3655 }
3656
3657 @Article{holmstroem08,
3658   title =        "Threshold defect production in silicon determined by
3659                  density functional theory molecular dynamics
3660                  simulations",
3661   author =       "E. Holmstr{\"o}m and A. Kuronen and K. Nordlund",
3662   journal =      "Phys. Rev. B",
3663   volume =       "78",
3664   number =       "4",
3665   pages =        "045202",
3666   numpages =     "6",
3667   year =         "2008",
3668   month =        jul,
3669   doi =          "10.1103/PhysRevB.78.045202",
3670   publisher =    "American Physical Society",
3671   notes =        "threshold displacement comparison empirical and ab
3672                  initio",
3673 }
3674
3675 @Article{nordlund97,
3676   title =        "Repulsive interatomic potentials calculated using
3677                  Hartree-Fock and density-functional theory methods",
3678   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
3679   volume =       "132",
3680   number =       "1",
3681   pages =        "45--54",
3682   year =         "1997",
3683   note =         "",
3684   ISSN =         "0168-583X",
3685   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(97)00447-3",
3686   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-4CP0TGF-91/2/1a9100c0aae82d2d258fc83dfdba23c1",
3687   author =       "K. Nordlund and N. Runeberg and D. Sundholm",
3688   notes =        "repulsive ab initio potential",
3689 }
3690
3691 @Article{kresse96,
3692   title =        "Efficiency of ab-initio total energy calculations for
3693                  metals and semiconductors using a plane-wave basis
3694                  set",
3695   journal =      "Comput. Mater. Sci.",
3696   volume =       "6",
3697   number =       "1",
3698   pages =        "15--50",
3699   year =         "1996",
3700   note =         "",
3701   ISSN =         "0927-0256",
3702   doi =          "DOI: 10.1016/0927-0256(96)00008-0",
3703   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TWM-3VRVTBF-3/2/88689b1eacfe2b5fe57f09d37eff3b74",
3704   author =       "G. Kresse and J. Furthm{\"{u}}ller",
3705   notes =        "vasp ref",
3706 }
3707
3708 @Article{bloechl94,
3709   title =        "Projector augmented-wave method",
3710   author =       "P. E. Bl{\"o}chl",
3711   journal =      "Phys. Rev. B",
3712   volume =       "50",
3713   number =       "24",
3714   pages =        "17953--17979",
3715   numpages =     "26",
3716   year =         "1994",
3717   month =        dec,
3718   doi =          "10.1103/PhysRevB.50.17953",
3719   publisher =    "American Physical Society",
3720   notes =        "paw method",
3721 }
3722
3723 @Article{hamann79,
3724   title =        "Norm-Conserving Pseudopotentials",
3725   author =       "D. R. Hamann and M. Schl{\"u}ter and C. Chiang",
3726   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
3727   volume =       "43",
3728   number =       "20",
3729   pages =        "1494--1497",
3730   numpages =     "3",
3731   year =         "1979",
3732   month =        nov,
3733   doi =          "10.1103/PhysRevLett.43.1494",
3734   publisher =    "American Physical Society",
3735   notes =        "norm-conserving pseudopotentials",
3736 }
3737
3738 @Article{vanderbilt90,
3739   title =        "Soft self-consistent pseudopotentials in a generalized
3740                  eigenvalue formalism",
3741   author =       "David Vanderbilt",
3742   journal =      "Phys. Rev. B",
3743   volume =       "41",
3744   number =       "11",
3745   pages =        "7892--7895",
3746   numpages =     "3",
3747   year =         "1990",
3748   month =        apr,
3749   doi =          "10.1103/PhysRevB.41.7892",
3750   publisher =    "American Physical Society",
3751   notes =        "vasp pseudopotentials",
3752 }
3753
3754 @Article{perdew86,
3755   title =        "Accurate and simple density functional for the
3756                  electronic exchange energy: Generalized gradient
3757                  approximation",
3758   author =       "John P. Perdew and Yue Wang",
3759   journal =      "Phys. Rev. B",
3760   volume =       "33",
3761   number =       "12",
3762   pages =        "8800--8802",
3763   numpages =     "2",
3764   year =         "1986",
3765   month =        jun,
3766   doi =          "10.1103/PhysRevB.33.8800",
3767   publisher =    "American Physical Society",
3768   notes =        "rapid communication gga",
3769 }
3770
3771 @Article{perdew02,
3772   title =        "Generalized gradient approximations for exchange and
3773                  correlation: {A} look backward and forward",
3774   journal =      "Physica B: Condensed Matter",
3775   volume =       "172",
3776   number =       "1-2",
3777   pages =        "1--6",
3778   year =         "1991",
3779   note =         "",
3780   ISSN =         "0921-4526",
3781   doi =          "DOI: 10.1016/0921-4526(91)90409-8",
3782   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVH-46G8GR9-3D/2/18e610a616e4d80b934079c89063ece7",
3783   author =       "John P. Perdew",
3784   notes =        "gga overview",
3785 }
3786
3787 @Article{perdew92,
3788   title =        "Atoms, molecules, solids, and surfaces: Applications
3789                  of the generalized gradient approximation for exchange
3790                  and correlation",
3791   author =       "John P. Perdew and J. A. Chevary and S. H. Vosko and
3792                  Koblar A. Jackson and Mark R. Pederson and D. J. Singh
3793                  and Carlos Fiolhais",
3794   journal =      "Phys. Rev. B",
3795   volume =       "46",
3796   number =       "11",
3797   pages =        "6671--6687",
3798   numpages =     "16",
3799   year =         "1992",
3800   month =        sep,
3801   doi =          "10.1103/PhysRevB.46.6671",
3802   publisher =    "American Physical Society",
3803   notes =        "gga pw91 (as in vasp)",
3804 }
3805
3806 @Article{baldereschi73,
3807   title =        "Mean-Value Point in the Brillouin Zone",
3808   author =       "A. Baldereschi",
3809   journal =      "Phys. Rev. B",
3810   volume =       "7",
3811   number =       "12",
3812   pages =        "5212--5215",
3813   numpages =     "3",
3814   year =         "1973",
3815   month =        jun,
3816   doi =          "10.1103/PhysRevB.7.5212",
3817   publisher =    "American Physical Society",
3818   notes =        "mean value k point",
3819 }
3820
3821 @Article{zhu98,
3822   title =        "Ab initio pseudopotential calculations of dopant
3823                  diffusion in Si",
3824   journal =      "Comput. Mater. Sci.",
3825   volume =       "12",
3826   number =       "4",
3827   pages =        "309--318",
3828   year =         "1998",
3829   note =         "",
3830   ISSN =         "0927-0256",
3831   doi =          "DOI: 10.1016/S0927-0256(98)00023-8",
3832   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TWM-3VB7F2K-7/2/aa864582273be8e054300efb7bd16a1b",
3833   author =       "Jing Zhu",
3834   keywords =     "TED (transient enhanced diffusion)",
3835   keywords =     "Boron dopant",
3836   keywords =     "Carbon dopant",
3837   keywords =     "Defect",
3838   keywords =     "ab initio pseudopotential method",
3839   keywords =     "Impurity cluster",
3840   notes =        "binding of c to si interstitial, c in si defects",
3841 }
3842
3843 @Article{nejim95,
3844   author =       "A. Nejim and P. L. F. Hemment and J. Stoemenos",
3845   collaboration = "",
3846   title =        "Si{C} buried layer formation by ion beam synthesis at
3847                  950 [degree]{C}",
3848   publisher =    "AIP",
3849   year =         "1995",
3850   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
3851   volume =       "66",
3852   number =       "20",
3853   pages =        "2646--2648",
3854   keywords =     "SILICON; ION IMPLANTATION; CARBON IONS; SILICON
3855                  CARBIDES; BURIED LAYERS; SYNTHESIS; KEV RANGE 100 --
3856                  1000; CRYSTAL DEFECTS; MORPHOLOGY; RBS; TRANSMISSION
3857                  ELECTRON MICROSCOPY",
3858   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/66/2646/1",
3859   doi =          "10.1063/1.113112",
3860   notes =        "precipitation mechanism by substitutional carbon, si
3861                  self interstitials react with further implanted c",
3862 }
3863
3864 @Article{guedj98,
3865   author =       "C. Guedj and M. W. Dashiell and L. Kulik and J.
3866                  Kolodzey and A. Hairie",
3867   collaboration = "",
3868   title =        "Precipitation of beta-Si{C} in Si[sub 1 - y]{C}[sub y]
3869                  alloys",
3870   publisher =    "AIP",
3871   year =         "1998",
3872   journal =      "J. Appl. Phys.",
3873   volume =       "84",
3874   number =       "8",
3875   pages =        "4631--4633",
3876   keywords =     "silicon compounds; precipitation; localised modes;
3877                  semiconductor epitaxial layers; infrared spectra;
3878                  Fourier transform spectra; thermal stability;
3879                  annealing",
3880   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/84/4631/1",
3881   doi =          "10.1063/1.368703",
3882   notes =        "coherent 3C-SiC, topotactic, critical coherence size",
3883 }
3884
3885 @Article{jones04,
3886   author =       "R Jones and B J Coomer and P R Briddon",
3887   title =        "Quantum mechanical modelling of defects in
3888                  semiconductors",
3889   journal =      "J. Phys.: Condens. Matter",
3890   volume =       "16",
3891   number =       "27",
3892   pages =        "S2643",
3893   URL =          "http://stacks.iop.org/0953-8984/16/i=27/a=004",
3894   year =         "2004",
3895   notes =        "ab inito dft intro, vibrational modes, c defect in
3896                  si",
3897 }
3898
3899 @Article{park02,
3900   author =       "S. Y. Park and J. D'Arcy-Gall and D. Gall and J. A. N.
3901                  T Soares and Y.-W. Kim and H. Kim and P. Desjardins and
3902                  J. E. Greene and S. G. Bishop",
3903   collaboration = "",
3904   title =        "Carbon incorporation pathways and lattice sites in
3905                  Si[sub 1 - y]{C}[sub y] alloys grown on Si(001) by
3906                  molecular-beam epitaxy",
3907   publisher =    "AIP",
3908   year =         "2002",
3909   journal =      "J. Appl. Phys.",
3910   volume =       "91",
3911   number =       "9",
3912   pages =        "5716--5727",
3913   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/91/5716/1",
3914   doi =          "10.1063/1.1465122",
3915   notes =        "c substitutional incorporation pathway, dft and expt",
3916 }
3917
3918 @Article{leary97,
3919   title =        "Dynamic properties of interstitial carbon and
3920                  carbon-carbon pair defects in silicon",
3921   author =       "P. Leary and R. Jones and S. {\"O}berg and V. J. B.
3922                  Torres",
3923   journal =      "Phys. Rev. B",
3924   volume =       "55",
3925   number =       "4",
3926   pages =        "2188--2194",
3927   numpages =     "6",
3928   year =         "1997",
3929   month =        jan,
3930   doi =          "10.1103/PhysRevB.55.2188",
3931   publisher =    "American Physical Society",
3932   notes =        "ab initio c in si and di-carbon defect, no formation
3933                  energies, different migration barriers and paths",
3934 }
3935
3936 @Article{burnard93,
3937   title =        "Interstitial carbon and the carbon-carbon pair in
3938                  silicon: Semiempirical electronic-structure
3939                  calculations",
3940   author =       "Matthew J. Burnard and Gary G. DeLeo",
3941   journal =      "Phys. Rev. B",
3942   volume =       "47",
3943   number =       "16",
3944   pages =        "10217--10225",
3945   numpages =     "8",
3946   year =         "1993",
3947   month =        apr,
3948   doi =          "10.1103/PhysRevB.47.10217",
3949   publisher =    "American Physical Society",
3950   notes =        "semi empirical mndo, pm3 and mindo3 c in si and di
3951                  carbon defect, formation energies",
3952 }
3953
3954 @Article{besson91,
3955   title =        "Electronic structure of interstitial carbon in
3956                  silicon",
3957   author =       "Morgan Besson and Gary G. DeLeo",
3958   journal =      "Phys. Rev. B",
3959   volume =       "43",
3960   number =       "5",
3961   pages =        "4028--4033",
3962   numpages =     "5",
3963   year =         "1991",
3964   month =        feb,
3965   doi =          "10.1103/PhysRevB.43.4028",
3966   publisher =    "American Physical Society",
3967 }
3968
3969 @Article{kaxiras96,
3970   title =        "Review of atomistic simulations of surface diffusion
3971                  and growth on semiconductors",
3972   journal =      "Comput. Mater. Sci.",
3973   volume =       "6",
3974   number =       "2",
3975   pages =        "158--172",
3976   year =         "1996",
3977   note =         "Proceedings of the Workshop on Virtual Molecular Beam
3978                  Epitaxy",
3979   ISSN =         "0927-0256",
3980   doi =          "DOI: 10.1016/0927-0256(96)00030-4",
3981   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TWM-3VSFF1G-7/2/afc8408b00ded1ca2dc3ad1686c2dae6",
3982   author =       "Efthimios Kaxiras",
3983   notes =        "might contain c 100 db formation energy, overview md,
3984                  tight binding, first principles",
3985 }
3986
3987 @Article{kaukonen98,
3988   title =        "Effect of {N} and {B} doping on the growth of {CVD}
3989                  diamond
3990                  $(100):{H}(2\ifmmode\times\else\texttimes\fi{}1)$
3991                  surfaces",
3992   author =       "M. Kaukonen and P. K. Sitch and G. Jungnickel and R.
3993                  M. Nieminen and Sami P{\"o}ykk{\"o} and D. Porezag and
3994                  Th. Frauenheim",
3995   journal =      "Phys. Rev. B",
3996   volume =       "57",
3997   number =       "16",
3998   pages =        "9965--9970",
3999   numpages =     "5",
4000   year =         "1998",
4001   month =        apr,
4002   doi =          "10.1103/PhysRevB.57.9965",
4003   publisher =    "American Physical Society",
4004   notes =        "constrained conjugate gradient relaxation technique
4005                  (crt)",
4006 }
4007
4008 @Article{gali03,
4009   title =        "Correlation between the antisite pair and the ${DI}$
4010                  center in Si{C}",
4011   author =       "A. Gali and P. De\'ak and E. Rauls and N. T. Son and
4012                  I. G. Ivanov and F. H. C. Carlsson and E. Janz\'en and
4013                  W. J. Choyke",
4014   journal =      "Phys. Rev. B",
4015   volume =       "67",
4016   number =       "15",
4017   pages =        "155203",
4018   numpages =     "5",
4019   year =         "2003",
4020   month =        apr,
4021   doi =          "10.1103/PhysRevB.67.155203",
4022   publisher =    "American Physical Society",
4023 }
4024
4025 @Article{chen98,
4026   title =        "Production and recovery of defects in Si{C} after
4027                  irradiation and deformation",
4028   journal =      "J. Nucl. Mater.",
4029   volume =       "258-263",
4030   number =       "Part 2",
4031   pages =        "1803--1808",
4032   year =         "1998",
4033   note =         "",
4034   ISSN =         "0022-3115",
4035   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-3115(98)00139-1",
4036   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXN-43G486N-47/2/56905f48f025ab98e5de4d6cde09c62b",
4037   author =       "J. Chen and P. Jung and H. Klein",
4038 }
4039
4040 @Article{weber01,
4041   title =        "Accumulation, dynamic annealing and thermal recovery
4042                  of ion-beam-induced disorder in silicon carbide",
4043   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
4044   volume =       "175-177",
4045   number =       "",
4046   pages =        "26--30",
4047   year =         "2001",
4048   note =         "",
4049   ISSN =         "0168-583X",
4050   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(00)00542-5",
4051   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-435KH7Y-2R/2/8acc176700c95bb8614d96c40cfc5577",
4052   author =       "W. J. Weber and W. Jiang and S. Thevuthasan",
4053 }
4054
4055 @Article{bockstedte03,
4056   title =        "Ab initio study of the migration of intrinsic defects
4057                  in $3{C}-Si{C}$",
4058   author =       "Michel Bockstedte and Alexander Mattausch and Oleg
4059                  Pankratov",
4060   journal =      "Phys. Rev. B",
4061   volume =       "68",
4062   number =       "20",
4063   pages =        "205201",
4064   numpages =     "17",
4065   year =         "2003",
4066   month =        nov,
4067   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.205201",
4068   publisher =    "American Physical Society",
4069   notes =        "defect migration in sic",
4070 }
4071
4072 @Article{rauls03a,
4073   title =        "Theoretical study of vacancy diffusion and
4074                  vacancy-assisted clustering of antisites in Si{C}",
4075   author =       "E. Rauls and Th. Frauenheim and A. Gali and P.
4076                  De\'ak",
4077   journal =      "Phys. Rev. B",
4078   volume =       "68",
4079   number =       "15",
4080   pages =        "155208",
4081   numpages =     "9",
4082   year =         "2003",
4083   month =        oct,
4084   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.155208",
4085   publisher =    "American Physical Society",
4086 }
4087
4088 @Article{losev27,
4089   journal =      "Telegrafiya i Telefoniya bez Provodov",
4090   volume =       "44",
4091   pages =        "485--494",
4092   year =         "1927",
4093   author =       "O. V. Lossev",
4094 }
4095
4096 @Article{losev28,
4097   title =        "Luminous carborundum detector and detection effect and
4098                  oscillations with crystals",
4099   journal =      "Philosophical Magazine Series 7",
4100   volume =       "6",
4101   number =       "39",
4102   pages =        "1024--1044",
4103   year =         "1928",
4104   URL =          "http://www.informaworld.com/10.1080/14786441108564683",
4105   author =       "O. V. Lossev",
4106 }
4107
4108 @Article{losev29,
4109   journal =      "Physik. Zeitschr.",
4110   volume =       "30",
4111   pages =        "920--923",
4112   year =         "1929",
4113   author =       "O. V. Lossev",
4114 }
4115
4116 @Article{losev31,
4117   journal =      "Physik. Zeitschr.",
4118   volume =       "32",
4119   pages =        "692--696",
4120   year =         "1931",
4121   author =       "O. V. Lossev",
4122 }
4123
4124 @Article{losev33,
4125   journal =      "Physik. Zeitschr.",
4126   volume =       "34",
4127   pages =        "397--403",
4128   year =         "1933",
4129   author =       "O. V. Lossev",
4130 }
4131
4132 @Article{round07,
4133   title =        "A note on carborundum",
4134   journal =      "Electrical World",
4135   volume =       "49",
4136   pages =        "308",
4137   year =         "1907",
4138   author =       "H. J. Round",
4139 }
4140
4141 @Article{vashishath08,
4142   title =        "Recent trends in silicon carbide device research",
4143   journal =      "Mj. Int. J. Sci. Tech.",
4144   volume =       "2",
4145   number =       "03",
4146   pages =        "444--470",
4147   year =         "2008",
4148   author =       "Munish Vashishath and Ashoke K. Chatterjee",
4149   URL =          "http://www.doaj.org/doaj?func=abstract&id=286746",
4150   notes =        "sic polytype electronic properties",
4151 }
4152
4153 @Article{nelson69,
4154   author =       "W. E. Nelson and F. A. Halden and A. Rosengreen",
4155   collaboration = "",
4156   title =        "Growth and Properties of beta-Si{C} Single Crystals",
4157   publisher =    "AIP",
4158   year =         "1966",
4159   journal =      "Journal of Applied Physics",
4160   volume =       "37",
4161   number =       "1",
4162   pages =        "333--336",
4163   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/37/333/1",
4164   doi =          "10.1063/1.1707837",
4165   notes =        "sic melt growth",
4166 }
4167
4168 @Article{arkel25,
4169   author =       "A. E. van Arkel and J. H. de Boer",
4170   title =        "Darstellung von reinem Titanium-, Zirkonium-, Hafnium-
4171                  und Thoriummetall",
4172   publisher =    "WILEY-VCH Verlag GmbH",
4173   year =         "1925",
4174   journal =      "Z. Anorg. Chem.",
4175   volume =       "148",
4176   pages =        "345--350",
4177   URL =          "http://dx.doi.org/10.1002/zaac.19251480133",
4178   doi =          "10.1002/zaac.19251480133",
4179   notes =        "van arkel apparatus",
4180 }
4181
4182 @Article{moers31,
4183   author =       "K. Moers",
4184   year =         "1931",
4185   journal =      "Z. Anorg. Chem.",
4186   volume =       "198",
4187   pages =        "293",
4188   notes =        "sic by van arkel apparatus, pyrolitical vapor growth
4189                  process",
4190 }
4191
4192 @Article{kendall53,
4193   author =       "J. T. Kendall",
4194   title =        "Electronic Conduction in Silicon Carbide",
4195   publisher =    "AIP",
4196   year =         "1953",
4197   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
4198   volume =       "21",
4199   number =       "5",
4200   pages =        "821--827",
4201   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/21/821/1",
4202   notes =        "sic by van arkel apparatus, pyrolitical vapor growth
4203                  process",
4204 }
4205
4206 @Article{lely55,
4207   author =       "J. A. Lely",
4208   year =         "1955",
4209   journal =      "Ber. Deut. Keram. Ges.",
4210   volume =       "32",
4211   pages =        "229",
4212   notes =        "lely sublimation growth process",
4213 }
4214
4215 @Article{knippenberg63,
4216   author =       "W. F. Knippenberg",
4217   year =         "1963",
4218   journal =      "Philips Res. Repts.",
4219   volume =       "18",
4220   pages =        "161",
4221   notes =        "acheson process",
4222 }
4223
4224 @Article{hoffmann82,
4225   author =       "L. Hoffmann and G. Ziegler and D. Theis and C.
4226                  Weyrich",
4227   collaboration = "",
4228   title =        "Silicon carbide blue light emitting diodes with
4229                  improved external quantum efficiency",
4230   publisher =    "AIP",
4231   year =         "1982",
4232   journal =      "Journal of Applied Physics",
4233   volume =       "53",
4234   number =       "10",
4235   pages =        "6962--6967",
4236   keywords =     "light emitting diodes; silicon carbides; quantum
4237                  efficiency; visible radiation; experimental data;
4238                  epitaxy; fabrication; medium temperature; layers;
4239                  aluminium; nitrogen; substrates; pn junctions;
4240                  electroluminescence; spectra; current density;
4241                  optimization",
4242   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/53/6962/1",
4243   doi =          "10.1063/1.330041",
4244   notes =        "blue led, sublimation process",
4245 }
4246
4247 @Article{neudeck95,
4248   author =       "Philip Neudeck",
4249   affiliation =  "NASA Lewis Research Center M.S. 77-1, 21000 Brookpark
4250                  Road 44135 Cleveland OH",
4251   title =        "Progress in silicon carbide semiconductor electronics
4252                  technology",
4253   journal =      "Journal of Electronic Materials",
4254   publisher =    "Springer Boston",
4255   ISSN =         "0361-5235",
4256   keyword =      "Chemistry and Materials Science",
4257   pages =        "283--288",
4258   volume =       "24",
4259   issue =        "4",
4260   URL =          "http://dx.doi.org/10.1007/BF02659688",
4261   note =         "10.1007/BF02659688",
4262   year =         "1995",
4263   notes =        "sic data, advantages of 3c sic",
4264 }
4265
4266 @Article{bhatnagar93,
4267   author =       "M. Bhatnagar and B. J. Baliga",
4268   journal =      "Electron Devices, IEEE Transactions on",
4269   title =        "Comparison of 6{H}-Si{C}, 3{C}-Si{C}, and Si for power
4270                  devices",
4271   year =         "1993",
4272   month =        mar,
4273   volume =       "40",
4274   number =       "3",
4275   pages =        "645--655",
4276   keywords =     "3C-SiC;50 to 5000 V;6H-SiC;Schottky
4277                  rectifiers;Si;SiC;breakdown voltages;drift region
4278                  properties;output characteristics;power MOSFETs;power
4279                  semiconductor devices;switching characteristics;thermal
4280                  analysis;Schottky-barrier diodes;electric breakdown of
4281                  solids;insulated gate field effect transistors;power
4282                  transistors;semiconductor materials;silicon;silicon
4283                  compounds;solid-state rectifiers;thermal analysis;",
4284   doi =          "10.1109/16.199372",
4285   ISSN =         "0018-9383",
4286   notes =        "comparison 3c 6h sic and si devices",
4287 }
4288
4289 @Article{neudeck94,
4290   author =       "P. G. Neudeck and D. J. Larkin and J. E. Starr and J.
4291                  A. Powell and C. S. Salupo and L. G. Matus",
4292   journal =      "Electron Devices, IEEE Transactions on",
4293   title =        "Electrical properties of epitaxial 3{C}- and
4294                  6{H}-Si{C} p-n junction diodes produced side-by-side on
4295                  6{H}-Si{C} substrates",
4296   year =         "1994",
4297   month =        may,
4298   volume =       "41",
4299   number =       "5",
4300   pages =        "826--835",
4301   keywords =     "20 nA;200 micron;300 to 1100 V;3C-SiC layers;400
4302                  C;6H-SiC layers;6H-SiC substrates;CVD
4303                  process;SiC;chemical vapor deposition;doping;electrical
4304                  properties;epitaxial layers;light
4305                  emission;low-tilt-angle 6H-SiC substrates;p-n junction
4306                  diodes;polytype;rectification characteristics;reverse
4307                  leakage current;reverse voltages;temperature;leakage
4308                  currents;power electronics;semiconductor
4309                  diodes;semiconductor epitaxial layers;semiconductor
4310                  growth;semiconductor materials;silicon
4311                  compounds;solid-state rectifiers;substrates;vapour
4312                  phase epitaxial growth;",
4313   doi =          "10.1109/16.285038",
4314   ISSN =         "0018-9383",
4315   notes =        "comparison 6h 3c sic, cvd of 3c and 6h on single 6h
4316                  substrate",
4317 }
4318
4319 @Article{schulze98,
4320   author =       "N. Schulze and D. L. Barrett and G. Pensl",
4321   collaboration = "",
4322   title =        "Near-equilibrium growth of micropipe-free 6{H}-Si{C}
4323                  single crystals by physical vapor transport",
4324   publisher =    "AIP",
4325   year =         "1998",
4326   journal =      "Applied Physics Letters",
4327   volume =       "72",
4328   number =       "13",
4329   pages =        "1632--1634",
4330   keywords =     "silicon compounds; semiconductor materials;
4331                  semiconductor growth; crystal growth from vapour;
4332                  photoluminescence; Hall mobility",
4333   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/72/1632/1",
4334   doi =          "10.1063/1.121136",
4335   notes =        "micropipe free 6h-sic pvt growth",
4336 }
4337
4338 @Article{pirouz87,
4339   author =       "P. Pirouz and C. M. Chorey and J. A. Powell",
4340   collaboration = "",
4341   title =        "Antiphase boundaries in epitaxially grown beta-Si{C}",
4342   publisher =    "AIP",
4343   year =         "1987",
4344   journal =      "Applied Physics Letters",
4345   volume =       "50",
4346   number =       "4",
4347   pages =        "221--223",
4348   keywords =     "SILICON CARBIDES; DOMAIN STRUCTURE; SCANNING ELECTRON
4349                  MICROSCOPY; NUCLEATION; EPITAXIAL LAYERS; CHEMICAL
4350                  VAPOR DEPOSITION; ETCHING; ETCH PITS; TRANSMISSION
4351                  ELECTRON MICROSCOPY; ELECTRON MICROSCOPY; ANTIPHASE
4352                  BOUNDARIES",
4353   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/50/221/1",
4354   doi =          "10.1063/1.97667",
4355   notes =        "apb 3c-sic heteroepitaxy on si",
4356 }
4357
4358 @Article{shibahara86,
4359   title =        "Surface morphology of cubic Si{C}(100) grown on
4360                  Si(100) by chemical vapor deposition",
4361   journal =      "Journal of Crystal Growth",
4362   volume =       "78",
4363   number =       "3",
4364   pages =        "538--544",
4365   year =         "1986",
4366   note =         "",
4367   ISSN =         "0022-0248",
4368   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(86)90158-2",
4369   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46D26F7-1R/2/cfdbc7607352f3bc99d321303e3934e9",
4370   author =       "Kentaro Shibahara and Shigehiro Nishino and Hiroyuki
4371                  Matsunami",
4372   notes =        "defects in 3c-sis cvd on si, anti phase boundaries",
4373 }
4374
4375 @Article{desjardins96,
4376   author =       "P. Desjardins and J. E. Greene",
4377   collaboration = "",
4378   title =        "Step-flow epitaxial growth on two-domain surfaces",
4379   publisher =    "AIP",
4380   year =         "1996",
4381   journal =      "Journal of Applied Physics",
4382   volume =       "79",
4383   number =       "3",
4384   pages =        "1423--1434",
4385   keywords =     "ADATOMS; COMPUTERIZED SIMULATION; DIFFUSION; EPITAXY;
4386                  FILM GROWTH; SURFACE STRUCTURE",
4387   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/79/1423/1",
4388   doi =          "10.1063/1.360980",
4389   notes =        "apb model",
4390 }
4391
4392 @Article{henke95,
4393   author =       "S. Henke and B. Stritzker and B. Rauschenbach",
4394   collaboration = "",
4395   title =        "Synthesis of epitaxial beta-Si{C} by {C}[sub 60]
4396                  carbonization of silicon",
4397   publisher =    "AIP",
4398   year =         "1995",
4399   journal =      "Journal of Applied Physics",
4400   volume =       "78",
4401   number =       "3",
4402   pages =        "2070--2073",
4403   keywords =     "SILICON CARBIDES; THIN FILMS; EPITAXY; CARBONIZATION;
4404                  FULLERENES; ANNEALING; XRD; RBS; TWINNING; CRYSTAL
4405                  STRUCTURE",
4406   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/78/2070/1",
4407   doi =          "10.1063/1.360184",
4408   notes =        "ssmbe of sic on si, lower temperatures",
4409 }
4410
4411 @Article{fuyuki89,
4412   title =        "Atomic layer epitaxy of cubic Si{C} by gas source
4413                  {MBE} using surface superstructure",
4414   journal =      "Journal of Crystal Growth",
4415   volume =       "95",
4416   number =       "1-4",
4417   pages =        "461--463",
4418   year =         "1989",
4419   note =         "",
4420   ISSN =         "0022-0248",
4421   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(89)90442-9",
4422   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46DFS6F-GF/2/a8e0abaef892c6d96992ff4751fdeda2",
4423   author =       "Takashi Fuyuki and Michiaki Nakayama and Tatsuo
4424                  Yoshinobu and Hiromu Shiomi and Hiroyuki Matsunami",
4425   notes =        "gas source mbe of 3c-sic on 6h-sic",
4426 }
4427
4428 @Article{yoshinobu92,
4429   author =       "Tatsuo Yoshinobu and Hideaki Mitsui and Iwao Izumikawa
4430                  and Takashi Fuyuki and Hiroyuki Matsunami",
4431   collaboration = "",
4432   title =        "Lattice-matched epitaxial growth of single crystalline
4433                  3{C}-Si{C} on 6{H}-Si{C} substrates by gas source
4434                  molecular beam epitaxy",
4435   publisher =    "AIP",
4436   year =         "1992",
4437   journal =      "Applied Physics Letters",
4438   volume =       "60",
4439   number =       "7",
4440   pages =        "824--826",
4441   keywords =     "SILICON CARBIDES; HOMOJUNCTIONS; MOLECULAR BEAM
4442                  EPITAXY; TWINNING; RHEED; TEMPERATURE EFFECTS;
4443                  INTERFACE STRUCTURE",
4444   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/60/824/1",
4445   doi =          "10.1063/1.107430",
4446   notes =        "gas source mbe of 3c-sic on 6h-sic",
4447 }
4448
4449 @Article{yoshinobu90,
4450   title =        "Atomic level control in gas source {MBE} growth of
4451                  cubic Si{C}",
4452   journal =      "Journal of Crystal Growth",
4453   volume =       "99",
4454   number =       "1-4",
4455   pages =        "520--524",
4456   year =         "1990",
4457   note =         "",
4458   ISSN =         "0022-0248",
4459   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(90)90575-6",
4460   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46YKT9W-HY/2/04dd57af2f42ee620895844e480a2736",
4461   author =       "Tatsuo Yoshinobu and Michiaki Nakayama and Hiromu
4462                  Shiomi and Takashi Fuyuki and Hiroyuki Matsunami",
4463   notes =        "gas source mbe of 3c-sic on 3c-sic",
4464 }
4465
4466 @Article{fuyuki93,
4467   title =        "Atomic layer epitaxy controlled by surface
4468                  superstructures in Si{C}",
4469   journal =      "Thin Solid Films",
4470   volume =       "225",
4471   number =       "1-2",
4472   pages =        "225--229",
4473   year =         "1993",
4474   note =         "",
4475   ISSN =         "0040-6090",
4476   doi =          "DOI: 10.1016/0040-6090(93)90159-M",
4477   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TW0-46NY79X-40/2/c9675e1d8c4bcebc7ce7d06e44e14f1f",
4478   author =       "Takashi Fuyuki and Tatsuo Yoshinobu and Hiroyuki
4479                  Matsunami",
4480   notes =        "gas source mbe of 3c-sic on 3c-sic, atomic layer
4481                  epitaxy, ale",
4482 }
4483
4484 @Article{hara93,
4485   title =        "Microscopic mechanisms of accurate layer-by-layer
4486                  growth of [beta]-Si{C}",
4487   journal =      "Thin Solid Films",
4488   volume =       "225",
4489   number =       "1-2",
4490   pages =        "240--243",
4491   year =         "1993",
4492   note =         "",
4493   ISSN =         "0040-6090",
4494   doi =          "DOI: 10.1016/0040-6090(93)90162-I",
4495   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TW0-46NY79X-43/2/18694bfe0e75b1f29a3cf5f90d19987c",
4496   author =       "Shiro Hara and T. Meguro and Y. Aoyagi and M. Kawai
4497                  and S. Misawa and E. Sakuma and S. Yoshida",
4498   notes =        "gas source mbe of 3c-sic on 3c-sic, atomic layer
4499                  epitaxy, ale",
4500 }
4501
4502 @Article{tanaka94,
4503   author =       "Satoru Tanaka and R. Scott Kern and Robert F. Davis",
4504   collaboration = "",
4505   title =        "Effects of gas flow ratio on silicon carbide thin film
4506                  growth mode and polytype formation during gas-source
4507                  molecular beam epitaxy",
4508   publisher =    "AIP",
4509   year =         "1994",
4510   journal =      "Applied Physics Letters",
4511   volume =       "65",
4512   number =       "22",
4513   pages =        "2851--2853",
4514   keywords =     "SILICON CARBIDES; MOLECULAR BEAM EPITAXY; RHEED;
4515                  TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; MORPHOLOGY;
4516                  NUCLEATION; COALESCENCE; SURFACE RECONSTRUCTION; GAS
4517                  FLOW; FLOW RATE",
4518   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/65/2851/1",
4519   doi =          "10.1063/1.112513",
4520   notes =        "gas source mbe of 6h-sic on 6h-sic",
4521 }
4522
4523 @Article{fuyuki97,
4524   author =       "T. Fuyuki and T. Hatayama and H. Matsunami",
4525   title =        "Heterointerface Control and Epitaxial Growth of
4526                  3{C}-Si{C} on Si by Gas Source Molecular Beam Epitaxy",
4527   publisher =    "WILEY-VCH Verlag",
4528   year =         "1997",
4529   journal =      "physica status solidi (b)",
4530   volume =       "202",
4531   pages =        "359--378",
4532   notes =        "3c-sic heteroepitaxial growth on si by gsmbe, lower
4533                  temperatures 750",
4534 }
4535
4536 @Article{takaoka98,
4537   title =        "Initial stage of Si{C} growth on Si(1 0 0) surface",
4538   journal =      "Journal of Crystal Growth",
4539   volume =       "183",
4540   number =       "1-2",
4541   pages =        "175--182",
4542   year =         "1998",
4543   note =         "",
4544   ISSN =         "0022-0248",
4545   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-0248(97)00391-6",
4546   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-3W8STD4-V/2/8de695de037d5e20b8326c4107547918",
4547   author =       "T. Takaoka and H. Saito and Y. Igari and I. Kusunoki",
4548   keywords =     "Reflection high-energy electron diffraction (RHEED)",
4549   keywords =     "Scanning electron microscopy (SEM)",
4550   keywords =     "Silicon carbide",
4551   keywords =     "Silicon",
4552   keywords =     "Island growth",
4553   notes =        "lower temperature, 550-700",
4554 }
4555
4556 @Article{hatayama95,
4557   title =        "Low-temperature heteroepitaxial growth of cubic Si{C}
4558                  on Si using hydrocarbon radicals by gas source
4559                  molecular beam epitaxy",
4560   journal =      "Journal of Crystal Growth",
4561   volume =       "150",
4562   number =       "Part 2",
4563   pages =        "934--938",
4564   year =         "1995",
4565   note =         "",
4566   ISSN =         "0022-0248",
4567   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(95)80077-P",
4568   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-47RY2F6-1P/2/49acd5c4545dd9fd3486f70a6c25586e",
4569   author =       "Tomoaki Hatayama and Yoichiro Tarui and Takashi Fuyuki
4570                  and Hiroyuki Matsunami",
4571 }
4572
4573 @Article{heine91,
4574   author =       "Volker Heine and Ching Cheng and Richard J. Needs",
4575   title =        "The Preference of Silicon Carbide for Growth in the
4576                  Metastable Cubic Form",
4577   journal =      "Journal of the American Ceramic Society",
4578   volume =       "74",
4579   number =       "10",
4580   publisher =    "Blackwell Publishing Ltd",
4581   ISSN =         "1551-2916",
4582   URL =          "http://dx.doi.org/10.1111/j.1151-2916.1991.tb06811.x",
4583   doi =          "10.1111/j.1151-2916.1991.tb06811.x",
4584   pages =        "2630--2633",
4585   keywords =     "silicon carbide, crystal growth, crystal structure,
4586                  calculations, stability",
4587   year =         "1991",
4588   notes =        "3c-sic metastable, 3c-sic preferred growth, sic
4589                  polytype dft calculation refs",
4590 }
4591
4592 @Article{allendorf91,
4593   title =        "The adsorption of {H}-atoms on polycrystalline
4594                  [beta]-silicon carbide",
4595   journal =      "Surface Science",
4596   volume =       "258",
4597   number =       "1-3",
4598   pages =        "177--189",
4599   year =         "1991",
4600   note =         "",
4601   ISSN =         "0039-6028",
4602   doi =          "DOI: 10.1016/0039-6028(91)90912-C",
4603   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVX-46T3BSB-24V/2/534f1f4786088ceb88b6d31eccb096b3",
4604   author =       "Mark D. Allendorf and Duane A. Outka",
4605   notes =        "h adsorption on 3c-sic",
4606 }
4607
4608 @Article{eaglesham93,
4609   author =       "D. J. Eaglesham and F. C. Unterwald and H. Luftman and
4610                  D. P. Adams and S. M. Yalisove",
4611   collaboration = "",
4612   title =        "Effect of {H} on Si molecular-beam epitaxy",
4613   publisher =    "AIP",
4614   year =         "1993",
4615   journal =      "Journal of Applied Physics",
4616   volume =       "74",
4617   number =       "11",
4618   pages =        "6615--6618",
4619   keywords =     "SILICON; MOLECULAR BEAM EPITAXY; HYDROGEN; SURFACE
4620                  CONTAMINATION; SIMS; SEGREGATION; IMPURITIES;
4621                  DIFFUSION; ADSORPTION",
4622   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/74/6615/1",
4623   doi =          "10.1063/1.355101",
4624   notes =        "h incorporation on si surface, lower surface
4625                  mobility",
4626 }
4627
4628 @Article{newman85,
4629   author =       "Ronald C. Newman",
4630   title =        "Carbon in Crystalline Silicon",
4631   journal =      "MRS Online Proceedings Library",
4632   volume =       "59",
4633   number =       "",
4634   pages =        "403",
4635   year =         "1985",
4636   doi =          "10.1557/PROC-59-403",
4637   URL =          "http://dx.doi.org/10.1557/PROC-59-403",
4638   eprint =       "http://journals.cambridge.org/article_S194642740054367X",
4639 }
4640
4641 @Article{newman61,
4642   title =        "The diffusivity of carbon in silicon",
4643   journal =      "Journal of Physics and Chemistry of Solids",
4644   volume =       "19",
4645   number =       "3-4",
4646   pages =        "230--234",
4647   year =         "1961",
4648   note =         "",
4649   ISSN =         "0022-3697",
4650   doi =          "DOI: 10.1016/0022-3697(61)90032-4",
4651   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXR-46M72R1-4D/2/9235472e4c0a95bf7b995769474f5fbd",
4652   author =       "R. C. Newman and J. Wakefield",
4653   notes =        "diffusivity of substitutional c in si",
4654 }
4655
4656 @Article{goesele85,
4657   author =       "U. Gösele",
4658   title =        "The Role of Carbon and Point Defects in Silicon",
4659   journal =      "MRS Online Proceedings Library",
4660   volume =       "59",
4661   number =       "",
4662   pages =        "419",
4663   year =         "1985",
4664   doi =          "10.1557/PROC-59-419",
4665   URL =          "http://dx.doi.org/10.1557/PROC-59-419",
4666   eprint =       "http://journals.cambridge.org/article_S1946427400543681",
4667 }
4668
4669 @Article{mukashev82,
4670   title =        "Defects in Carbon-Implanted Silicon",
4671   author =       "Bulat N. Mukashev and Alexey V. Spitsyn and Noboru
4672                  Fukuoka and Haruo Saito",
4673   journal =      "Japanese Journal of Applied Physics",
4674   volume =       "21",
4675   number =       "Part 1, No. 2",
4676   pages =        "399--400",
4677   numpages =     "1",
4678   year =         "1982",
4679   URL =          "http://jjap.jsap.jp/link?JJAP/21/399/",
4680   doi =          "10.1143/JJAP.21.399",
4681   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
4682 }
4683
4684 @Article{puska98,
4685   title =        "Convergence of supercell calculations for point
4686                  defects in semiconductors: Vacancy in silicon",
4687   author =       "M. J. Puska and S. P{\"o}ykk{\"o} and M. Pesola and R.
4688                  M. Nieminen",
4689   journal =      "Phys. Rev. B",
4690   volume =       "58",
4691   number =       "3",
4692   pages =        "1318--1325",
4693   numpages =     "7",
4694   year =         "1998",
4695   month =        jul,
4696   doi =          "10.1103/PhysRevB.58.1318",
4697   publisher =    "American Physical Society",
4698   notes =        "convergence k point supercell size, vacancy in
4699                  silicon",
4700 }
4701
4702 @Article{serre95,
4703   author =       "C. Serre and A. P\'{e}rez-Rodr\'{\i}guez and A.
4704                  Romano-Rodr\'{\i}guez and J. R. Morante and R.
4705                  K{\"{o}}gler and W. Skorupa",
4706   collaboration = "",
4707   title =        "Spectroscopic characterization of phases formed by
4708                  high-dose carbon ion implantation in silicon",
4709   publisher =    "AIP",
4710   year =         "1995",
4711   journal =      "Journal of Applied Physics",
4712   volume =       "77",
4713   number =       "7",
4714   pages =        "2978--2984",
4715   keywords =     "SILICON; ION IMPLANTATION; PHASE STUDIES; CARBON IONS;
4716                  FOURIER TRANSFORM SPECTROSCOPY; RAMAN SPECTRA;
4717                  PHOTOELECTRON SPECTROSCOPY; TEM; TEMPERATURE
4718                  DEPENDENCE; PRECIPITATES; ANNEALING",
4719   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/77/2978/1",
4720   doi =          "10.1063/1.358714",
4721 }
4722
4723 @Article{romano-rodriguez96,
4724   title =        "Detailed analysis of [beta]-Si{C} formation by high
4725                  dose carbon ion implantation in silicon",
4726   journal =      "Materials Science and Engineering B",
4727   volume =       "36",
4728   number =       "1-3",
4729   pages =        "282--285",
4730   year =         "1996",
4731   note =         "European Materials Research Society 1995 Spring
4732                  Meeting, Symposium N: Carbon, Hydrogen, Nitrogen, and
4733                  Oxygen in Silicon and in Other Elemental
4734                  Semiconductors",
4735   ISSN =         "0921-5107",
4736   doi =          "DOI: 10.1016/0921-5107(95)01283-4",
4737   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXF-3VR7691-25/2/995fd57b9e5c1100558f80c472620408",
4738   author =       "A. Romano-Rodriguez and C. Serre and L. Calvo-Barrio
4739                  and A. Pérez-Rodríguez and J. R. Morante and R. Kögler
4740                  and W. Skorupa",
4741   keywords =     "Silicon",
4742   keywords =     "Ion implantation",
4743   notes =        "incoherent 3c-sic precipitate",
4744 }