joerg_pre1
[lectures/latex.git] / nlsop / nlsop_dpg_2004.tex
1 \documentclass{seminar}
2
3 \usepackage{verbatim}
4 \usepackage[german]{babel}
5 \usepackage[latin1]{inputenc}
6 \usepackage[T1]{fontenc}
7 \usepackage{amsmath}
8 \usepackage{ae}
9
10 \usepackage{calc}               % Simple computations with LaTeX variables
11 \usepackage[hang]{caption2}     % Improved captions
12 \usepackage{fancybox}           % To have several backgrounds
13
14 \usepackage{fancyhdr}           % Headers and footers definitions
15 \usepackage{fancyvrb}           % Fancy verbatim environments
16 \usepackage{pstcol}             % PSTricks with the standard color package
17
18 \usepackage{graphicx}
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20
21 \usepackage{semcolor}
22 \usepackage{semlayer}           % Seminar overlays
23 \usepackage{slidesec}           % Seminar sections and list of slides
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25 \input{seminar.bug}             % Official bugs corrections
26 \input{seminar.bg2}             % Unofficial bugs corrections
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28 \articlemag{1}
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30 \begin{document}
31
32 \extraslideheight{10in}
33 \slideframe{none}
34
35 % topic
36
37 \begin{slide}
38 \begin{figure}[t]
39  \begin{center}
40   \includegraphics[height=1cm]{ifp.eps}
41   \\
42   \includegraphics[height=2cm]{Lehrstuhl-Logo.eps}
43  \end{center}
44 \end{figure}
45 \begin{center}
46  \large\bf
47  Monte-Carlo-Simulation der Selbstorganisation amorpher nanometrischer $SiC_x$-Ausscheidungen in Silizium w"ahrend  $C^+$-Ionen-Implantation
48 \end{center}
49 \begin{center}
50  F. Zirkelbach, M. H"aberlen, J. K. N. Lindner und B. Stritzker
51 \end{center}
52 \end{slide}
53
54 % start of content
55 \ptsize{8}
56
57 \begin{slide}
58 \section*{Cross-Section TEM-Aufnahme selbstorganisierter amorpher Lamellen}
59 \begin{figure}
60  \begin{center}
61   \includegraphics[width=08cm,clip,draft=no]{k393abild1.eps}
62   Hellfeld-TEM-Abbildung, $180 keV \textrm{ } C^+ \rightarrow Si(100)$, $150 \, ^{\circ} \mathrm{C}$, $4.3 \times 10^{17} cm^{-2}$
63  \end{center}
64 \end{figure}
65 \end{slide}
66
67 \begin{slide}
68 \section*{Modell}
69 \begin{figure}[t]
70  \begin{center}
71   \includegraphics[width=7cm]{model1_.eps}
72  \end{center}
73 \end{figure}
74 \begin{itemize}
75  \item L"oslichkeit von Kohlenstoff in $c$-Silizium "uberschritten \\ $\rightarrow$ Nukleation sph"arischer $SiC_x$-Ausscheidungen
76  \item hohe Grenzfl"achenenergie zwischen $c-Si$ und $3C-SiC$ \\ $\rightarrow$ Ausscheidungen sind amorph
77  \item $20-30\%$ geringere Dichte von amorphen zu kristallinen $SiC$ \\ $\rightarrow$ Druckspannungen auf Umgebung
78  \item nahe der Oberfl"ache \\ $\rightarrow$ Relaxation der Druckspannung in $z$-Richtung
79  \item Abbau der Kohlenstoff"ubers"attigung in kristallinen Gebieten \\ $\rightarrow$ Diffusion von Kohlenstoff in amorphe Gebiete
80  \item Druckspannungen \\ $\rightarrow$ bevorzugte Amorphisierung zwischen zwei amorphen Ausscheidungen
81 \end{itemize}
82 \end{slide}
83
84 \begin{slide}
85 \section*{Annahmen/N"aherungen}
86 \begin{figure}
87  \begin{center}
88   \includegraphics[width=3cm]{implsim_new.eps}
89   \\
90   \emph{TRIM}-Implantationsprofil und Energieversluste
91  \end{center}
92 \end{figure}
93 \begin{itemize}
94  \item Amorphisierungswahrscheinlichkeit $\propto$ nuklearer Bremskraft
95  \item nukleare Bremskraft und Konzentrationsprofil linear gen"ahert
96  \item Amorphisierungswahrscheinlichkeit $\propto$
97   \[
98   \left\{
99    \begin{array}{ll}
100     \textrm{mittlerer nuklearer Bremskraft} & \textrm{ballistische Amorphisierung, } b_{ap} \\
101     \textrm{lokale Kohlenstoffkonzentration} & \textrm{kohlenstoffinduzierte Amorphisierung, } a_{cp} \\
102     \textrm{Druckspannungen} & \textrm{spannungsinduzierte Amorphisierung, } a_{ap}
103    \end{array} \right .
104   \]
105 \end{itemize}
106 \[
107  \begin{array}{ll}
108   p_{c \rightarrow a} & \displaystyle =a_{cp} \times c^{\textrm{lokal}}_{\textrm{Kohlenstoff}} + b_{ap} + \sum_{amorphe Nachbarn} \frac{a_{ap} \times c_{\textrm{Kohlenstoff}}}{\textrm{Abstand}^2}\\
109   p_{a \rightarrow c} & =1-p_{c \rightarrow a}
110  \end{array}
111 \]
112 \end{slide}
113
114 \begin{slide}
115 \section*{Simulation}
116 \begin{figure}
117  \begin{center}
118   \includegraphics[width=7cm]{gitter.eps}
119  \end{center}
120 \end{figure}
121 Dreiteilung des Simulationsalgorithmus:
122 \begin{enumerate}
123  \item Amorphisierung/Rekristallisation 
124  \item Einbau des implantierten Kohlenstoffions ins Silizium-Target
125  \item Diffusionsprozess
126 \end{enumerate}
127 \end{slide}
128
129 \begin{slide}
130 \section*{1) Amorphisierung/Rekristallisation}
131 \begin{itemize}
132  \item gewichtete Wahl der Koordinaten f"ur Sto"sprozess entsprechend nuklearer Bremskraft
133  \item Berechnung der lokalen Amorphisierungs- bzw. Rekristallisationswahrscheinlichkeit $p_{ca}$ und $p_{ac}$
134  \item Ausw"urfeln der entscheidenden Zufallszahl
135 \end{itemize}
136 \section*{2) Einbau des implantierten Kohlenstoffions}
137 \begin{figure}
138  \begin{center}
139   \includegraphics[width=4cm]{sim_window.eps} 
140  \end{center}
141 \end{figure}
142 \begin{itemize}
143  \item $\textrm{gesamter Kohlenstoff} < \textrm{steps} \times c_{ratio}$
144  \item gewichtete Wahl der Koordinaten f"ur Kohlenstofferh"ohung
145 \end{itemize}
146 \end{slide}
147
148 \begin{slide}
149 \section*{3) Diffusion}
150 Diffusion findet alle $d_v$ Schritte statt.
151 \begin{itemize}
152  \item Diffusion im Kristallinen:
153   \[
154    \Delta c = \frac{\textrm{Differenz}}{2} \times dr_{cc}
155   \]
156  \item Diffusion von kristallinen in amorphe Gebiete:
157   \[
158    \Delta c =  c_C(Nachbar) \times dr_{ac}
159   \]
160 \end{itemize}
161 \section*{variierte Parameter}
162 \begin{itemize}
163  \item Schrittzahl
164  \item Amorphisierung beschreibende Parameter
165  \item Diffusionsgeschwindigkeit und Diffusionsrate
166  \item Diffusion in $z$-Richtung
167  \item rein kristalline Diffusion
168 \end{itemize}
169 \end{slide}
170
171 \begin{slide}
172 \section*{Ergebnisse}
173 \begin{itemize}
174  \item Lamellare Strukturen!
175  \item Notwendig f"ur Bildung der lamellaren Ausscheidungen:
176   \begin{itemize}
177    \item hohe Schrittzahl und niedrige Amorphisierungswahrscheinlichkeiten
178    \item Diffusion von Kohlenstoff von kristallinen in amorphe Gebiete, insbesondere in $z$-Richtung
179    \begin{figure}
180     \begin{center}
181      \includegraphics[height=5cm]{mit_ohne_diff.eps}
182     \end{center}
183    \end{figure}
184   \end{itemize}
185  \end{itemize}
186 \end{slide}
187
188 \begin{slide}
189 \section*{Ergebnisse}
190 Amorph/Kristalline Diffusionsrate beeinflusst die Tiefe, in der erstmals lamellare Ordnung auftritt
191 \begin{figure}
192  \begin{center}
193   \includegraphics[height=6cm]{high_low_ac-diff.eps}
194  \end{center}
195 \end{figure}
196 \end{slide}
197
198 \begin{slide}
199 \section*{Ergebnisse}
200 Bildung komplement"ar angeordneter, amorpher kohlenstoffreicher Ausscheidungen in aufeinander
201 folgenden Ebenen
202 \begin{figure}
203  \begin{center}
204   \includegraphics[height=6cm]{z_z_plus_1.eps}
205  \end{center}
206 \end{figure}
207 \end{slide}
208
209 \begin{slide}
210 \section*{Vergleich mit TEM-Aufnahme}
211 \begin{figure}
212  \begin{center}
213   \includegraphics[height=6cm]{if_cmp.eps}
214  \end{center}
215 \end{figure}
216 \end{slide}
217
218 \begin{slide}
219 \section*{Zusammenfassung}
220 \begin{itemize}
221  \item Einfaches Modell zur Erzeugung selbstorganisierter amorpher Ausscheidungen
222  \item lamellare Strukturen durch Simulation nachvollziehbar
223 \end{itemize}
224 \section*{Ausblick}
225 \begin{itemize}
226  \item Zusammenhang zwischen Simulations- und Implantationsparametern
227  \item objektivere Methode zur Messung der lamellaren Struktur (Fouriertransformierte des Realbildes)
228  \item Vergleiche mit TEM-Aufnahmen, insbesondere der Dosisentwicklung
229 \end{itemize}
230 \end{slide}
231
232 \end{document}