initial checkin of emrs 2008 poster
[lectures/latex.git] / posic / poster / emrs2008.tex
1 \documentclass[portrait,a0b,final]{a0poster}
2 \usepackage{epsf,psfig,pstricks,multicol,pst-grad,color}
3 \usepackage{graphicx,amsmath,amssymb}
4 \graphicspath{{../img/}}
5 \usepackage[english,german]{babel}
6
7 \input{a0poster-kh}
8
9 \selectlanguage{english}
10
11 \renewcommand\labelitemii{{\color{black}$\bullet$}}
12
13 \begin{document}
14
15 % Fliessenden Hintergrund von RGB-Farbe 1. .98 .98 nach 1. .85 .85
16 % und wieder nach  1. .98 .98 (1. .85 .85 wird nach 0.1=10% des Hinter-
17 % grunds angenommen)
18 % Achtung Werte unter .8 verbrauchen zu viel Tinte!!!
19
20 %\background{.95 .95 1.}{.78 .78 1.}{0.05}
21 %\background{.50 .50 .50}{.85 .85 .85}{0.5}
22 \background{.40 .48 .71}{.99 .99 .99}{0.5}
23
24 \newrgbcolor{si-yellow}{.6 .6 0}
25
26 % Groesse der einzelnen Spalten als Anteil der Gesamt-Textbreite
27 \renewcommand{\columnfrac}{.31}
28
29 % header
30 \begin{header}
31      \centerline{{\Huge \bfseries Molecular dynamics simulation
32                                   of defect formation and precipitation}}
33      \vspace*{0.5cm}
34      \centerline{{\Huge \bfseries in heavily carbon doped silicon}}
35      \vspace*{1cm}
36      \centerline{\huge\textsc {\underline{F.~Zirkelbach}$^1$,
37                                J.~K.~N.~Lindner$^1$,
38                                K.~Nordlund$^2$, B.~Stritzker$^1$}}
39      \vspace*{1cm}
40      \begin{center}
41        \begin{minipage}{.065\textwidth}
42          \includegraphics[height=5.5cm]{uni-logo.eps}
43        \end{minipage}
44        \begin{minipage}{.57\textwidth}
45          \centerline{\Large $^1$ Experimentalphysik IV, Institut f\"ur Physik,
46                             Universit\"at Augsburg,}
47          \centerline{\Large Universit\"atsstr. 1,  D-86135 Augsburg, Germany}
48        \end{minipage}
49        \begin{minipage} {.065\textwidth}
50           \includegraphics[height=5cm]{Lehrstuhl-Logo.eps}
51        \end{minipage}
52      \end{center}
53      \begin{center}
54        \begin{minipage}{.20\textwidth}
55          \includegraphics[height=5.5cm]{logo_eng.eps}
56        \end{minipage}
57        \begin{minipage}{.50\textwidth}
58          \centerline{\Large $^2$ Accelerator Laboratory,
59                             Department of Physical Sciences,
60                             University of Helsinki,}
61          \centerline{\Large Pietari Kalmink. 2, 00014 Helsinki, Finland}
62        \end{minipage}
63      \end{center}
64 \end{header}
65
66 \begin{poster}
67
68 \begin{pcolumn}
69   \begin{pbox}
70     \section*{Motivation}
71     {\bf Reasons for understanding the 3C-SiC precipitation process}
72     \begin{itemize}
73       \item Significant technological progress
74             in 3C-SiC wide band gap semiconductor thin film formation [1].
75       \item New perspectives for processes relying upon prevention of
76             precipitation, e.g. fabrication of strained pseudomorphic
77             $\text{Si}_{1-y}\text{C}_y$ heterostructures [2].
78     \end{itemize}
79     {\tiny
80      [1] J. H. Edgar, J. Mater. Res. 7 (1992) 235.}\\
81     {\tiny
82      [2] J. W. Strane, S. R. Lee, H. J. Stein, S. T. Picraux,
83          J. K. Watanabe, J. W. Mayer, J. Appl. Phys. 79 (1996) 637.}
84   \end{pbox}
85   \begin{pbox}
86     \section*{Crystalline silicon and cubic silicon carbide}
87     {\bf Lattice types and unit cells:}
88     \begin{itemize}
89       \item Crystalline silicon (c-Si) has diamond structure\\
90             $\Rightarrow {\color{si-yellow}\bullet}$ and
91             ${\color{gray}\bullet}$ are Si atoms
92       \item Cubic silicon carbide (3C-SiC) has zincblende structure\\
93             $\Rightarrow {\color{si-yellow}\bullet}$ are Si atoms,
94             ${\color{gray}\bullet}$ are C atoms
95     \end{itemize}
96     \begin{minipage}{15cm}
97     {\bf Lattice constants:}
98     \[
99     4a_{\text{c-Si}}\approx5a_{\text{3C-SiC}}
100     \]
101     {\bf Silicon density:}
102     \[
103     \frac{n_{\text{3C-SiC}}}{n_{\text{c-Si}}}=97,66\,\%
104     \]
105     \end{minipage}
106     \begin{minipage}{10cm}
107       \includegraphics[width=10cm]{sic_unit_cell.eps}
108     \end{minipage}
109   \end{pbox}
110   \begin{pbox}
111     \section*{Supposed Si to 3C-SiC conversion}
112     {\bf Schematic of the conversion mechanism}\\\\
113     \begin{minipage}{7.8cm}
114     \includegraphics[width=7.7cm]{sic_prec_seq_01.eps}
115     \end{minipage}
116     \hspace{0.6cm}
117     \begin{minipage}{7.8cm}
118     \includegraphics[width=7.7cm]{sic_prec_seq_02.eps}
119     \end{minipage}
120     \hspace{0.6cm}
121     \begin{minipage}{7.8cm}
122     \includegraphics[width=7.7cm]{sic_prec_seq_03.eps}
123     \end{minipage}
124     \vspace{1cm}
125     \begin{enumerate}
126       \item Formation of C-Si dumbbells on regular c-Si lattice sites
127       \item Agglomeration into large clusters (embryos)
128       \item Precipitation of 3C-SiC + Creation of interstitials
129     \end{enumerate}
130     \vspace{1cm}
131     {\bf Experimental observations} [3]
132     \begin{itemize}
133       \item Minimal diameter of precipitation: 2 - 4 nm
134       \item Equal orientation of c-Si and 3C-SiC (hkl)-planes
135     \end{itemize}
136     {\tiny
137      [3] J. K. N. Lindner, Appl. Phys. A 77 (2003) 27.
138     }
139   \end{pbox}
140
141 \end{pcolumn}
142 \begin{pcolumn}
143
144   \begin{pbox}
145     \section*{Simulation algorithm}
146     Hier die Simulation rein!
147   \end{pbox}
148   \begin{pbox}
149     \section*{Results}
150     Hier die Resultate!
151   \end{pbox}
152 \end{pcolumn}
153 \begin{pcolumn}
154
155   \begin{pbox}
156         \section*{Structural/compositional information}
157         blabla
158   \end{pbox}
159   \begin{pbox}
160         \section*{Recipe for thick films of ordered lamellae}
161         blabla
162   \end{pbox}
163   \begin{pbox}
164     \section*{Conclusions}
165     Hier die Zusammenfassung
166   \end{pbox}
167
168 \end{pcolumn}
169 \end{poster}
170 \end{document}
171