posic/talks/posic_seminar.tex

   1 \documentclass{beamer}
   2
   3 \mode<presentation>
   4 {
   5 %\usetheme{Berkeley}
   6 \usetheme{Warsaw}
   7 %\usetheme{Singapore}
   8 \setbeamercovered{transparent}
   9 }
  10 \usepackage{verbatim}
  11 \usepackage[german]{babel}
  12 \usepackage[latin1]{inputenc}
  13 \usepackage[T1]{fontenc}
  14 \usepackage{amsmath}
  15 \usepackage{ae}
  16 \usepackage{aecompl}
  17 \usepackage{colortbl}
  18 \usepackage{pgf,pgfarrows,pgfnodes,pgfautomata,pgfheaps,pgfshade}
  19 %\usepackage{pstricks}
  20 \usepackage{graphicx}
  21 \graphicspath{{../img}}
  22 \usepackage{hyperref}
  23
  24 \begin{document}
  25
  26 \title{the molecular dynamic simulation {\em posic}}
  27 \subtitle{atomistic simulation of the precipitation process of silicon carbide in carbon doped silicon}
  28 \author[F. Zirkelbach]{Frank Zirkelbach \\ \texttt{frank.zirkelbach@physik.uni-augsburg.de}}
  29 \institute{
  30 experimental physics IV\\
  31 university of augsburg
  32 }
  33 \date{june 2006}
  34
  35 \AtBeginSection[]
  36 {
  37   \begin{frame}<beamer>
  38     \frametitle{agenda}
  39     \tableofcontents[currentsection]
  40   \end{frame}
  41 }
  42
  43 \begin{frame}
  44   \titlepage
  45 \end{frame}
  46
  47 \begin{frame}
  48   \frametitle{agenda}
  49   \tableofcontents%[pausesections]
  50 \end{frame}
  51
  52 \section{introduction}
  53
  54   \subsection{as things are now}
  55
  56 \begin{frame}
  57   \frametitle{introduction}
  58   \framesubtitle{as things are now}
  59   \begin{block}{precipitation process of $SiC$ in silicon}
  60     \begin{itemize}
  61       \item first steps:\\
  62             (investigated by high resolution electron microscopy)
  63             \begin{itemize}
  64               \item formation of $C-Si$-dumbbells on regular $c-Si$ lattice
  65                     sites
  66               \item agglomeration into large clusters (embryos)
  67             \end{itemize}
  68       \item second step:\\
  69             (not accessible by experiment)
  70             \begin{itemize}
  71               \item cluster size reaches a radius of $2-4 \, nm$
  72               \item high interfacial energy due to the $SiC/Si$ lattice
  73                     mismatch (~$20 \, \%$) is overcome
  74               \item precipitation process of $SiC$
  75             \end{itemize}
  76     \end{itemize}
  77   \end{block}
  78 \end{frame}
  79
  80   \subsection{motivation}
  81
  82 \begin{frame}
  83   \frametitle{introduction}
  84   \framesubtitle{motivation}
  85   \begin{block}{why studying the $SiC$ nucleation process}
  86   \begin{itemize}
  87     \item basic research
  88     \item understanding the 2 steps of the precipitation process\\
  89           $\Rightarrow$ facilitation of the $SiC$ heteroepitaxy on $c-Si$\\
  90           $\Rightarrow$ suppress nucleation of $SiC$ in certain applications
  91     \item $SiC$: most rapidly developed wide band gap semiconductor suitable
  92           in high temperature, high frequency and high power applications
  93   \end{itemize}
  94   \end{block}
  95 \end{frame}
  96
  97 \begin{frame}
  98   \frametitle{introduction}
  99   \framesubtitle{motivation}
 100   \begin{block}{why doing an atomistic simulation}
 101   \begin{itemize}
 102     \item precipitation process is not understood for the most part
 103     \item monitor the atomic structures in early stages of the embryo formation
 104     \item atomic rearrangement in the most critical second step\\
 105           (which is experimentally not accessible)
 106     \item information about the atomic structure and interface of the
 107           $SiC$ precipitates and the crystalline silicon\\
 108           (including stress fields)
 109   \end{itemize}
 110   \end{block}
 111 \end{frame}
 112
 113 \section{experimental observations}
 114
 115 \section{simulation}
 116
 117   \subsection{introduction to atomistic simulations}
 118
 119 \begin{frame}
 120   \frametitle{simulation}
 121   \framesubtitle{introduction to atomistic simulations}
 122
 123 \end{frame}
 124
 125   \subsection{computational methods}
 126
 127   \subsection{the {\em posic} simulation}
 128
 129 \section{results}
 130
 131 \section{summary \& outlook}
 132
 133 \end{document}
 134