posic/talks/seminar_2008.tex

   1 \pdfoutput=0
   2 \documentclass[landscape,semhelv]{seminar}
   3
   4 \usepackage{verbatim}
   5 \usepackage[greek,german]{babel}
   6 \usepackage[latin1]{inputenc}
   7 \usepackage[T1]{fontenc}
   8 \usepackage{amsmath}
   9 \usepackage{latexsym}
  10 \usepackage{ae}
  11
  12 \usepackage{calc}               % Simple computations with LaTeX variables
  13 \usepackage{caption}            % Improved captions
  14 \usepackage{fancybox}           % To have several backgrounds
  15
  16 \usepackage{fancyhdr}           % Headers and footers definitions
  17 \usepackage{fancyvrb}           % Fancy verbatim environments
  18 \usepackage{pstricks}           % PSTricks with the standard color package
  19
  20 \usepackage{pstricks}
  21 \usepackage{pst-node}
  22
  23 %\usepackage{epic}
  24 %\usepackage{eepic}
  25
  26 \usepackage{graphicx}
  27 \graphicspath{{../img/}}
  28
  29 \usepackage[setpagesize=false]{hyperref}
  30
  31 \usepackage{semcolor}
  32 \usepackage{semlayer}           % Seminar overlays
  33 \usepackage{slidesec}           % Seminar sections and list of slides
  34
  35 \input{seminar.bug}             % Official bugs corrections
  36 \input{seminar.bg2}             % Unofficial bugs corrections
  37
  38 \articlemag{1}
  39
  40 \special{landscape}
  41
  42 % font
  43 %\usepackage{cmbright}
  44 %\renewcommand{\familydefault}{\sfdefault}
  45 %\usepackage{mathptmx}
  46
  47 \usepackage{upgreek}
  48
  49 \begin{document}
  50
  51 \extraslideheight{10in}
  52 \slideframe{none}
  53
  54 \pagestyle{empty}
  55
  56 % specify width and height
  57 \slidewidth 27.7cm
  58 \slideheight 19.1cm
  59
  60 % shift it into visual area properly
  61 \def\slideleftmargin{3.3cm}
  62 \def\slidetopmargin{0.6cm}
  63
  64 \newcommand{\ham}{\mathcal{H}}
  65 \newcommand{\pot}{\mathcal{V}}
  66 \newcommand{\foo}{\mathcal{U}}
  67 \newcommand{\vir}{\mathcal{W}}
  68
  69 % itemize level ii
  70 \renewcommand\labelitemii{{\color{gray}$\bullet$}}
  71
  72 % colors
  73 \newrgbcolor{si-yellow}{.6 .6 0}
  74 \newrgbcolor{hb}{0.75 0.77 0.89}
  75 \newrgbcolor{lbb}{0.75 0.8 0.88}
  76 \newrgbcolor{lachs}{1.0 .93 .81}
  77
  78 % topic
  79
  80 \begin{slide}
  81 \begin{center}
  82
  83  \vspace{16pt}
  84
  85  {\LARGE\bf
  86   Molekulardynamische Untersuchung\\
  87   zum SiC-Ausscheidungsvorgang
  88  }
  89
  90  \vspace{48pt}
  91
  92  \textsc{F. Zirkelbach}
  93
  94  \vspace{48pt}
  95
  96  Lehrstuhlseminar
  97
  98  \vspace{08pt}
  99
 100  20. November 2008
 101
 102 \end{center}
 103 \end{slide}
 104
 105 % contents
 106
 107 \begin{slide}
 108
 109 {\large\bf
 110  Gliederung
 111 }
 112
 113  \begin{itemize}
 114   \item Motivation
 115   \item SiC-Ausscheidungsvorgang
 116   \item Simulation
 117         \begin{itemize}
 118          \item Details der MD-Simulation
 119          \item Zwischengitter-Konfigurationen
 120          \item Simulationen zum Ausscheidungsvorgang
 121          \item SiC-Ausscheidungen in Si
 122         \end{itemize}
 123   \item Zusammenfassung und Ausblick
 124  \end{itemize}
 125
 126 \end{slide}
 127
 128 % start of contents
 129
 130 \begin{slide}
 131
 132  {\large\bf
 133   Motivation
 134  }
 135
 136  {\small
 137
 138  Eigenschaften von SiC:
 139
 140  \begin{itemize}
 141   \item gro"se Bandl"ucke (3C: 2.39 eV, 4H: 3.28 eV, 6H: 3.03 eV)
 142   \item hohe mechanische Stabilit"at
 143   \item gute Ladungstr"agermobilit"at
 144   \item sp"ate S"attigung der Elektronen-Driftgeschwindigkeit
 145   \item hohe Durchbruchfeldst"arke
 146   \item chemisch inerte Substanz
 147   \item hohe thermische Leitf"ahigkeit und Stabilit"at
 148   \item geringer Neutroneneinfangquerschnitt
 149   \item strahlungsresistent
 150  \end{itemize}
 151
 152  Anwendungen:
 153
 154  \begin{itemize}
 155   \item Hochfrequenz-, Hochtemperatur- und Hochleistungsbauelemente
 156   \item Optoelektronik (blaue LEDs), Sensoren
 157   \item Kandidat f"ur Tr"ager und W"ande in Fusionsreaktoren
 158   \item Luft- und Raumfahrtindustrie, Milit"ar
 159   \item kohlenfaserverst"arkte SiC-Verbundkeramik
 160  \end{itemize}
 161
 162  }
 163
 164  \begin{picture}(0,0)(-280,-150)
 165   %\includegraphics[width=4cm]{sic_inverter_ise.eps}
 166  \end{picture}
 167
 168  \begin{picture}(0,0)(-280,-20)
 169   %\includegraphics[width=4cm]{cc_sic_brake_dlr.eps}
 170  \end{picture}
 171
 172 \end{slide}
 173
 174 \begin{slide}
 175
 176  {\large\bf
 177   Motivation
 178  }
 179
 180  \vspace{4pt}
 181
 182  SiC - \emph{Born from the stars, perfected on earth.}
 183
 184  \vspace{4pt}
 185
 186  Herstellung d"unner SiC-Filme:
 187  \begin{itemize}
 188   \item modifizierter Lely-Prozess
 189         \begin{itemize}
 190          \item Impfkristall mit $T=2200 \, ^{\circ} \text{C}$
 191          \item umgeben von polykristallinen SiC mit
 192                $T=2400 \, ^{\circ} \text{C}$
 193         \end{itemize}
 194   \item CVD Homoepitaxie
 195         \begin{itemize}
 196          \item 'step controlled epitaxy' auf 6H-SiC-Substrat
 197          \item C$_3$H$_8$/SiH$_4$/H$_2$ bei $1500 \, ^{\circ} \text{C}$
 198          \item Winkel $\rightarrow$ 3C/6H/4H-SiC
 199          \item hohe Qualit"at aber limitiert durch\\
 200                Substratgr"o"se
 201         \end{itemize}
 202   \item CVD/MBE Heteroepitaxie von 3C-SiC auf Si
 203         \begin{itemize}
 204          \item 2 Schritte: Karbonisierung und Wachstum
 205          \item $T=650-1050 \, ^{\circ} \text{C}$
 206          \item Qualit"at/Gr"o"se noch nicht ausreichend
 207         \end{itemize}
 208  \end{itemize}
 209
 210  \begin{picture}(0,0)(-245,-50)
 211   \includegraphics[width=5cm]{6h-sic_3c-sic.eps}
 212  \end{picture}
 213  \begin{picture}(0,0)(-240,-35)
 214   \begin{minipage}{5cm}
 215   {\scriptsize
 216    NASA: 6H-SiC LED und 3C-SiC LED\\[-6pt]
 217    nebeneinander auf 6H-SiC-Substrat
 218   }
 219   \end{minipage}
 220  \end{picture}
 221
 222 \end{slide}
 223
 224 \begin{slide}
 225
 226  {\large\bf
 227   Motivation
 228  }
 229
 230  \vspace{8pt}
 231
 232  3C-SiC (\foreignlanguage{greek}{b}-SiC) /
 233  6H-SiC (\foreignlanguage{greek}{a}-SiC)
 234  \begin{itemize}
 235   \item h"ohere Ladungstr"agerbeweglichkeit in \foreignlanguage{greek}{b}-SiC
 236   \item h"ohere Durchbruchfeldst"arke in \foreignlanguage{greek}{b}-SiC
 237   \item Micropipes (makroskopischer Bereich an Fehlstellen bis hin zur
 238         Oberfl"ache) entlang c-Richtung
 239         bei \foreignlanguage{greek}{a}-SiC
 240   \item gro"sfl"achige epitaktische \foreignlanguage{greek}{a}-SiC-Herstellung
 241         sehr viel weiter fortgeschritten verglichen mit der von 3C-SiC
 242  \end{itemize}
 243
 244  \vspace{16pt}
 245
 246  {\color{blue}
 247  \begin{center}
 248   Genaues Verst"andnis des 3C-SiC-Ausscheidungsvorganges\\
 249   $\Downarrow$\\
 250   Grundlage f"ur technologischen Fortschritt in 3C-SiC-D"unnschichtherstellung
 251  \end{center}
 252  }
 253
 254  \vspace{16pt}
 255
 256  Grundlage zur Vermeidung von SiC-Ausscheidungen in
 257  $\text{Si}_{\text{1-y}}\text{C}_{\text{y}}$ Legierungen
 258
 259  \begin{itemize}
 260   \item Ma"sschneidern der elektronischen Eigenschaften von Si
 261   \item gestreckte Heterostrukturen
 262  \end{itemize}
 263
 264 \end{slide}
 265
 266 \begin{slide}
 267
 268  {\large\bf
 269   Motivation
 270  }
 271
 272  Die Alternative: Ionenstrahlsynthese
 273
 274  \begin{itemize}
 275   \item Implantation 1:
 276         180 keV C$^+\rightarrow$ FZ-Si(100), $D=7.9 \times 10^{17}$ cm$^{-2}$,
 277         $T_{\text{i}}=500 \, ^{\circ} \text{C}$\\
 278         $\rightarrow$
 279   \item Implantation 2:
 280         180 keV C$^+\rightarrow$ FZ-Si(100), $D=0.6 \times 10^{17}$ cm$^{-2}$,
 281         $T_{\text{i}}=250 \, ^{\circ} \text{C}$\\
 282         $\rightarrow$
 283   \item Tempern:
 284         $T=1250 \, ^{\circ} \text{C}$, $t=10\text{ h}$
 285  \end{itemize}
 286
 287 \end{slide}
 288
 289 \begin{slide}
 290
 291  {\large\bf
 292   SiC-Ausscheidungsvorgang
 293  }
 294
 295  \vspace{8pt}
 296
 297  {\bf Kristallstruktur und Einheitszelle:}
 298  \begin{itemize}
 299    \item kristallines Silizium (c-Si): Diamantstruktur\\
 300          ${\color{si-yellow}\bullet}$ und ${\color{gray}\bullet}$
 301          $\leftarrow$ Si-Atome
 302    \item kubisches SiC (3C-SiC): Zinkblende-Struktur\\
 303          ${\color{si-yellow}\bullet} \leftarrow$ Si-Atome\\
 304          ${\color{gray}\bullet} \leftarrow$ C-Atome
 305  \end{itemize}
 306  \vspace{8pt}
 307  \begin{minipage}{8cm}
 308  {\bf Gitterkonstanten:}
 309  \[
 310  4a_{\text{c-Si}}\approx5a_{\text{3C-SiC}}
 311  \]
 312  {\bf Siliziumdichten:}
 313  \[
 314  \frac{n_{\text{3C-SiC}}}{n_{\text{c-Si}}}=97,66\,\%
 315  \]
 316  \end{minipage}
 317  \begin{minipage}{5cm}
 318    \includegraphics[width=5cm]{sic_unit_cell.eps}
 319  \end{minipage}
 320
 321 \end{slide}
 322
 323 \begin{slide}
 324
 325  {\large\bf
 326   SiC-Ausscheidungsvorgang
 327  }
 328
 329  \vspace{64pt}
 330
 331  Hier die aus experimentellen Untersuchungen heraus vermuteten
 332  Ausscheidungsvorgaenge rein.
 333
 334 \end{slide}
 335
 336 \begin{slide}
 337
 338  {\large\bf
 339   SiC-Ausscheidungsvorgang
 340  }
 341
 342  \small
 343
 344  \vspace{6pt}
 345
 346  Vermuteter 3C-SiC-Ausscheidungsvorgang in c-Si:
 347
 348  \vspace{8pt}
 349
 350  \begin{minipage}{3.8cm}
 351  \includegraphics[width=3.7cm]{sic_prec_seq_01.eps}
 352  \end{minipage}
 353  \hspace{0.6cm}
 354  \begin{minipage}{3.8cm}
 355  \includegraphics[width=3.7cm]{sic_prec_seq_02.eps}
 356  \end{minipage}
 357  \hspace{0.6cm}
 358  \begin{minipage}{3.8cm}
 359  \includegraphics[width=3.7cm]{sic_prec_seq_03.eps}
 360  \end{minipage}
 361
 362  \vspace{8pt}
 363
 364  \begin{minipage}{3.8cm}
 365  Bildung von C-Si Dumbbells auf regul"aren c-Si Gitterpl"atzen
 366  \end{minipage}
 367  \hspace{0.6cm}
 368  \begin{minipage}{3.8cm}
 369  Anh"aufung hin zu gro"sen Clustern (Embryos)\\
 370  \end{minipage}
 371  \hspace{0.6cm}
 372  \begin{minipage}{3.8cm}
 373  Ausscheidung von 3C-SiC + Erzeugung von Si-Zwischengitteratomen
 374  \end{minipage}
 375
 376  \vspace{12pt}
 377
 378  Aus experimentellen Untersuchungen:
 379  \begin{itemize}
 380   \item kritischer Durchmesser einer Ausscheidung: 4 - 5 nm
 381   \item gleiche Orientierung der c-Si and 3C-SiC (hkl)-Ebenen
 382  \end{itemize}
 383
 384 \end{slide}
 385
 386 \begin{slide}
 387
 388  {\large\bf
 389   Details der MD-Simulation
 390  }
 391
 392  \vspace{12pt}
 393  \small
 394
 395  {\bf MD-Grundlagen:}
 396  \begin{itemize}
 397   \item Mikroskopische Beschreibung eines N-Teilchensystems
 398   \item Analytisches Wechselwirkungspotential
 399   \item Numerische Integration der Newtonschen Bewegungsgleichung\\
 400         als Propagationsvorschrift im 6N-dimensionalen Phasenraum
 401   \item Observablen sind die Zeit- und/oder Ensemblemittelwerte
 402  \end{itemize}
 403  {\bf Details der Simulation:}
 404  \begin{itemize}
 405   \item Integration: Velocity Verlet, Zeitschritt: $1\text{ fs}$
 406   \item Ensemble: NpT, isothermal-isobares Ensemble
 407         \begin{itemize}
 408          \item Berendsen Thermostat:
 409                $\tau_{\text{T}}=100\text{ fs}$
 410          \item Berendsen Barostat:\\
 411                $\tau_{\text{P}}=100\text{ fs}$,
 412                $\beta^{-1}=100\text{ GPa}$
 413         \end{itemize}
 414   \item Potential: Tersoff-"ahnliches 'bond order' Potential
 415   \vspace*{12pt}
 416         \[
 417         E = \frac{1}{2} \sum_{i \neq j} \pot_{ij}, \quad
 418         \pot_{ij} = f_C(r_{ij}) \left[ f_R(r_{ij}) + b_{ij} f_A(r_{ij}) \right]
 419         \]
 420  \end{itemize}
 421
 422  \begin{picture}(0,0)(-230,-30)
 423   \includegraphics[width=5cm]{tersoff_angle.eps}
 424  \end{picture}
 425
 426 \end{slide}
 427
 428 \begin{slide}
 429
 430  {\large\bf
 431   Zwischengitter-Konfigurationen
 432  }
 433
 434  \vspace{8pt}
 435
 436  Simulationssequenz:\\
 437
 438  \vspace{8pt}
 439
 440  \begin{pspicture}(0,0)(7,8)
 441   \rput(3.5,7){\rnode{init}{\psframebox[fillstyle=solid,fillcolor=hb]{
 442    \parbox{7cm}{
 443    \begin{itemize}
 444     \item initiale Konfiguration:\\
 445           $9\times9\times9$ Einheitszellen c-Si
 446     \item periodische Randbedingungen
 447     \item $T=0\text{ K}$, $p=0\text{ bar}$
 448    \end{itemize}
 449   }}}}
 450 \rput(3.5,3.5){\rnode{insert}{\psframebox{
 451  \parbox{7cm}{
 452   Einf"ugen der C/Si Atome:
 453   \begin{itemize}
 454    \item $(0,0,0)$ $\rightarrow$ {\color{red}tetraedrisch}
 455          (${\color{red}\triangleleft}$)
 456    \item $(-1/8,-1/8,1/8)$ $\rightarrow$ {\color{green}hexagonal}
 457          (${\color{green}\triangleright}$)
 458    \item $(-1/8,-1/8,-1/4)$, $(-1/4,-1/4,-1/4)$\\
 459          $\rightarrow$ {\color{magenta}110 Dumbbell}
 460          (${\color{magenta}\Box}$,$\circ$)
 461    \item zuf"allige Position (Minimalabstand)
 462   \end{itemize}
 463   }}}}
 464   \rput(3.5,1){\rnode{cool}{\psframebox[fillstyle=solid,fillcolor=lbb]{
 465    \parbox{3.5cm}{
 466    Relaxation ($>2$ ps)
 467   }}}}
 468   \ncline[]{->}{init}{insert}
 469   \ncline[]{->}{insert}{cool}
 470  \end{pspicture}
 471
 472  \begin{picture}(0,0)(-210,-45)
 473   \includegraphics[width=6cm]{unit_cell_s.eps}
 474  \end{picture}
 475
 476 \end{slide}
 477
 478 \begin{slide}
 479
 480  {\large\bf
 481   Zwischengitter-Konfigurationen
 482  }
 483
 484  \small
 485
 486  \begin{minipage}[t]{4.3cm}
 487  \underline{Tetraedrisch}\\
 488  $E_f=3.41$ eV\\
 489  \includegraphics[width=3.8cm]{si_self_int_tetra_0.eps}
 490  \end{minipage}
 491  \begin{minipage}[t]{4.3cm}
 492  \underline{110 Dumbbell}\\
 493  $E_f=4.39$ eV\\
 494  \includegraphics[width=3.8cm]{si_self_int_dumbbell_0.eps}
 495  \end{minipage}
 496  \begin{minipage}[t]{4.3cm}
 497  \underline{Hexagonal} \hspace{4pt}
 498  \href{../video/si_self_int_hexa.avi}{$\rhd$}\\
 499  $E_f^{\star}\approx4.48$ eV (nicht stabil!)\\
 500  \includegraphics[width=3.8cm]{si_self_int_hexa_0.eps}
 501  \end{minipage}
 502
 503  \underline{zuf"allige Positionen}
 504
 505  \begin{minipage}{4.3cm}
 506  $E_f=3.97$ eV\\
 507  \includegraphics[width=3.8cm]{si_self_int_rand_397_0.eps}
 508  \end{minipage}
 509  \begin{minipage}{4.3cm}
 510  $E_f=3.75$ eV\\
 511  \includegraphics[width=3.8cm]{si_self_int_rand_375_0.eps}
 512  \end{minipage}
 513  \begin{minipage}{4.3cm}
 514  $E_f=3.56$ eV\\
 515  \includegraphics[width=3.8cm]{si_self_int_rand_356_0.eps}
 516  \end{minipage}
 517
 518 \end{slide}
 519
 520 \begin{slide}
 521
 522  {\large\bf
 523   Zwischengitter-Konfigurationen
 524  }
 525
 526  \small
 527
 528  \begin{minipage}[t]{4.3cm}
 529  \underline{Tetraedrisch}\\
 530  $E_f=2.67$ eV\\
 531  \includegraphics[width=3.8cm]{c_in_si_int_tetra_0.eps}
 532  \end{minipage}
 533  \begin{minipage}[t]{4.3cm}
 534  \underline{110 Dumbbell}\\
 535  $E_f=1.76$ eV\\
 536  \includegraphics[width=3.8cm]{c_in_si_int_dumbbell_0.eps}
 537  \end{minipage}
 538  \begin{minipage}[t]{4.3cm}
 539  \underline{Hexagonal} \hspace{4pt}
 540  \href{../video/c_in_si_int_hexa.avi}{$\rhd$}\\
 541  $E_f^{\star}\approx5.6$ eV (nicht stabil!)\\
 542  \includegraphics[width=3.8cm]{c_in_si_int_hexa_0.eps}
 543  \end{minipage}
 544
 545  \underline{zuf"allige Positionen}
 546
 547  \footnotesize
 548
 549 \begin{minipage}[t]{3.3cm}
 550    $E_f=0.47$ eV\\
 551    \includegraphics[width=3.3cm]{c_in_si_int_001db_0.eps}
 552    \begin{picture}(0,0)(-15,-3)
 553     100 Dumbbell
 554    \end{picture}
 555 \end{minipage}
 556 \begin{minipage}[t]{3.3cm}
 557    $E_f=1.62$ eV\\
 558    \includegraphics[width=3.2cm]{c_in_si_int_rand_162_0.eps}
 559 \end{minipage}
 560 \begin{minipage}[t]{3.3cm}
 561    $E_f=2.39$ eV\\
 562    \includegraphics[width=3.1cm]{c_in_si_int_rand_239_0.eps}
 563 \end{minipage}
 564 \begin{minipage}[t]{3.0cm}
 565    $E_f=3.41$ eV\\
 566    \includegraphics[width=3.3cm]{c_in_si_int_rand_341_0.eps}
 567 \end{minipage}
 568
 569 \end{slide}
 570
 571 \begin{slide}
 572
 573  {\large\bf
 574   Zwischengitter-Konfigurationen
 575  }
 576
 577  Das 100 Dumbbell
 578
 579  \vspace{8pt}
 580
 581  \small
 582
 583  \begin{minipage}{4cm}
 584  \begin{itemize}
 585   \item $E_f=0.47$ eV
 586   \item Very often observed
 587   \item Most energetically\\
 588         favorable configuration
 589   \item Experimental\\
 590         evidence [6]
 591  \end{itemize}
 592  \vspace{24pt}
 593  {\tiny
 594   [6] G. D. Watkins and K. L. Brower,\\
 595       Phys. Rev. Lett. 36 (1976) 1329.
 596  }
 597  \end{minipage}
 598  \begin{minipage}{8cm}
 599  \includegraphics[width=9cm]{100-c-si-db_s.eps}
 600  \end{minipage}
 601
 602 \end{slide}
 603
 604 \begin{slide}
 605
 606  {\large\bf
 607   Simulationen zum Ausscheidungsvorgang
 608  }
 609
 610  \small
 611
 612  \vspace{8pt}
 613
 614  Simulationssequenz:\\
 615
 616  \vspace{8pt}
 617
 618  \begin{pspicture}(0,0)(12,8)
 619   % nodes
 620   \rput(3.5,7.0){\rnode{init}{\psframebox[fillstyle=solid,fillcolor=hb]{
 621    \parbox{7cm}{
 622    \begin{itemize}
 623     \item initiale Konfiguration:\\
 624           $31\times31\times31$ c-Si Einheitszellen
 625     \item periodsche Randbedingungen
 626     \item $T=450\, ^{\circ}\text{C}$, $p=0\text{ bar}$
 627     \item "Aquilibrierung von $E_{\text{kin}}$ and $E_{\text{pot}}$
 628    \end{itemize}
 629   }}}}
 630   \rput(3.5,3.2){\rnode{insert}{\psframebox[fillstyle=solid,fillcolor=lachs]{
 631    \parbox{7cm}{
 632    Einf"ugen von 6000 C-Atomen\\
 633    bei konstanter Temperatur
 634    \begin{itemize}
 635     \item gesamte Simulationsvolumen {\pnode{in1}}
 636     \item Volumen einer minimal SiC-Ausscheidung {\pnode{in2}}
 637     \item Bereich der ben"otigten Si-Atome {\pnode{in3}}
 638    \end{itemize}
 639   }}}}
 640   \rput(3.5,1){\rnode{cool}{\psframebox[fillstyle=solid,fillcolor=lbb]{
 641    \parbox{3.5cm}{
 642    Abk"uhlen auf $20\, ^{\circ}\textrm{C}$
 643   }}}}
 644   \ncline[]{->}{init}{insert}
 645   \ncline[]{->}{insert}{cool}
 646   \psframe[fillstyle=solid,fillcolor=white](7.5,1.8)(13.5,7.8)
 647   \psframe[fillstyle=solid,fillcolor=lightgray](9,3.3)(12,6.3)
 648   \psframe[fillstyle=solid,fillcolor=gray](9.25,3.55)(11.75,6.05)
 649   \rput(7.9,4.2){\pnode{ins1}}
 650   \rput(9.22,3.5){\pnode{ins2}}
 651   \rput(11.0,3.8){\pnode{ins3}}
 652   \ncline[]{->}{in1}{ins1}
 653   \ncline[]{->}{in2}{ins2}
 654   \ncline[]{->}{in3}{ins3}
 655  \end{pspicture}
 656
 657 \end{slide}
 658
 659 \end{document}
 660
 661 \begin{slide}
 662
 663  {\large\bf
 664   Simulationen zum Ausscheidungsvorgang
 665  }
 666
 667  \includegraphics[width=6.3cm]{pc_si-c_c-c.eps}
 668  \includegraphics[width=6.3cm]{pc_si-si.eps}
 669
 670  \begin{minipage}[t]{6.3cm}
 671  \tiny
 672     \begin{itemize}
 673       \item C-C peak at 0.15 nm similar to next neighbour distance of graphite
 674             or diamond\\
 675             $\Rightarrow$ Formation of strong C-C bonds
 676                           (almost only for high C concentrations)
 677       \item Si-C peak at 0.19 nm similar to next neighbour distance in 3C-SiC
 678       \item C-C peak at 0.31 nm equals C-C distance in 3C-SiC\\
 679             (due to concatenated, differently oriented
 680              <100> dumbbell interstitials)
 681       \item Si-Si shows non-zero g(r) values around 0.31 nm like in 3C-SiC\\
 682             and a decrease at regular distances\\
 683             (no clear peak,
 684              interval of enhanced g(r) corresponds to C-C peak width)
 685     \end{itemize}
 686  \end{minipage}
 687  \begin{minipage}[t]{6.3cm}
 688  \tiny
 689    \begin{itemize}
 690       \item Low C concentration (i.e. $V_1$):
 691             The <100> dumbbell configuration
 692             \begin{itemize}
 693               \item is identified to stretch the Si-Si next neighbour distance
 694                     to 0.3 nm
 695               \item is identified to contribute to the Si-C peak at 0.19 nm
 696               \item explains further C-Si peaks (dashed vertical lines)
 697             \end{itemize}
 698             $\Rightarrow$ C atoms are first elements arranged at distances
 699                           expected for 3C-SiC\\
 700             $\Rightarrow$ C atoms pull the Si atoms into the right
 701                           configuration at a later stage
 702       \item High C concentration (i.e. $V_2$ and $V_3$):
 703             \begin{itemize}
 704               \item High amount of damage introduced into the system
 705               \item Short range order observed but almost no long range order
 706             \end{itemize}
 707             $\Rightarrow$ Start of amorphous SiC-like phase formation\\
 708             $\Rightarrow$ Higher temperatures required for proper SiC formation
 709     \end{itemize}
 710  \end{minipage}
 711
 712 \end{slide}
 713
 714 \begin{slide}
 715
 716  {\large\bf
 717   Very first results of the SiC precipitation runs
 718  }
 719
 720  \begin{minipage}[t]{6.9cm}
 721   \includegraphics[width=6.3cm]{../plot/sic_pc.ps}
 722   \includegraphics[width=6.3cm]{../plot/foo_end.ps}
 723   \hspace{12pt}
 724  \end{minipage}
 725  \begin{minipage}[c]{5.5cm}
 726   \includegraphics[width=6.0cm]{sic_si-c-n.eps}
 727  \end{minipage}
 728
 729 \end{slide}
 730
 731 \begin{slide}
 732
 733  {\large\bf
 734   Summary / Outlook
 735  }
 736
 737 \vspace{24pt}
 738
 739 \begin{itemize}
 740  \item Importance of understanding the SiC precipitation mechanism
 741  \item Interstitial configurations in silicon using the Albe potential
 742  \item Indication of SiC precipitation
 743 \end{itemize}
 744
 745 \vspace{24pt}
 746
 747 \begin{itemize}
 748  \item Displacement and stress calculations
 749  \item Refinement of simulation sequence to create 3C-SiC
 750  \item Analyzing self-designed Si/SiC interface
 751 \end{itemize}
 752
 753 \end{slide}
 754
 755 \end{document}
 756