posic/talks/seminar_2008.tex

   1 \pdfoutput=0
   2 \documentclass[landscape,semhelv]{seminar}
   3
   4 \usepackage{verbatim}
   5 \usepackage[greek,german]{babel}
   6 \usepackage[latin1]{inputenc}
   7 \usepackage[T1]{fontenc}
   8 \usepackage{amsmath}
   9 \usepackage{latexsym}
  10 \usepackage{ae}
  11
  12 \usepackage{calc}               % Simple computations with LaTeX variables
  13 \usepackage{caption}            % Improved captions
  14 \usepackage{fancybox}           % To have several backgrounds
  15
  16 \usepackage{fancyhdr}           % Headers and footers definitions
  17 \usepackage{fancyvrb}           % Fancy verbatim environments
  18 \usepackage{pstricks}           % PSTricks with the standard color package
  19
  20 \usepackage{pstricks}
  21 \usepackage{pst-node}
  22
  23 %\usepackage{epic}
  24 %\usepackage{eepic}
  25
  26 \usepackage{graphicx}
  27 \graphicspath{{../img/}}
  28
  29 \usepackage[setpagesize=false]{hyperref}
  30
  31 \usepackage{semcolor}
  32 \usepackage{semlayer}           % Seminar overlays
  33 \usepackage{slidesec}           % Seminar sections and list of slides
  34
  35 \input{seminar.bug}             % Official bugs corrections
  36 \input{seminar.bg2}             % Unofficial bugs corrections
  37
  38 \articlemag{1}
  39
  40 \special{landscape}
  41
  42 % font
  43 %\usepackage{cmbright}
  44 %\renewcommand{\familydefault}{\sfdefault}
  45 %\usepackage{mathptmx}
  46
  47 \usepackage{upgreek}
  48
  49 \begin{document}
  50
  51 \extraslideheight{10in}
  52 \slideframe{none}
  53
  54 \pagestyle{empty}
  55
  56 % specify width and height
  57 \slidewidth 27.7cm
  58 \slideheight 19.1cm
  59
  60 % shift it into visual area properly
  61 \def\slideleftmargin{3.3cm}
  62 \def\slidetopmargin{0.6cm}
  63
  64 \newcommand{\ham}{\mathcal{H}}
  65 \newcommand{\pot}{\mathcal{V}}
  66 \newcommand{\foo}{\mathcal{U}}
  67 \newcommand{\vir}{\mathcal{W}}
  68
  69 % itemize level ii
  70 \renewcommand\labelitemii{{\color{gray}$\bullet$}}
  71
  72 % colors
  73 \newrgbcolor{si-yellow}{.6 .6 0}
  74 \newrgbcolor{hb}{0.75 0.77 0.89}
  75 \newrgbcolor{lbb}{0.75 0.8 0.88}
  76 \newrgbcolor{lachs}{1.0 .93 .81}
  77
  78 % topic
  79
  80 \begin{slide}
  81 \begin{center}
  82
  83  \vspace{16pt}
  84
  85  {\LARGE\bf
  86   Molekulardynamische Untersuchung\\
  87   zum SiC-Ausscheidungsvorgang
  88  }
  89
  90  \vspace{48pt}
  91
  92  \textsc{F. Zirkelbach}
  93
  94  \vspace{48pt}
  95
  96  Lehrstuhlseminar
  97
  98  \vspace{08pt}
  99
 100  20. November 2008
 101
 102 \end{center}
 103 \end{slide}
 104
 105 % contents
 106
 107 \begin{slide}
 108
 109 {\large\bf
 110  Gliederung
 111 }
 112
 113  \begin{itemize}
 114   \item Motivation
 115   \item SiC-Ausscheidungsvorgang
 116   \item Simulation
 117         \begin{itemize}
 118          \item Details der MD-Simulation
 119          \item Zwischengitter-Konfigurationen
 120          \item Simulationen zum Ausscheidungsvorgang
 121          \item SiC-Ausscheidungen in Si
 122         \end{itemize}
 123   \item Zusammenfassung und Ausblick
 124  \end{itemize}
 125
 126 \end{slide}
 127
 128 % start of contents
 129
 130 \begin{slide}
 131
 132  {\large\bf
 133   Motivation
 134  }
 135
 136  {\small
 137
 138  Eigenschaften von SiC:
 139
 140  \begin{itemize}
 141   \item gro"se Bandl"ucke (3C: 2.39 eV, 4H: 3.28 eV, 6H: 3.03 eV)
 142   \item hohe mechanische Stabilit"at
 143   \item gute Ladungstr"agermobilit"at
 144   \item sp"ate S"attigung der Elektronen-Driftgeschwindigkeit
 145   \item hohe Durchbruchfeldst"arke
 146   \item chemisch inerte Substanz
 147   \item hohe thermische Leitf"ahigkeit und Stabilit"at
 148   \item geringer Neutroneneinfangquerschnitt
 149   \item strahlungsresistent
 150  \end{itemize}
 151
 152  Anwendungen:
 153
 154  \begin{itemize}
 155   \item Hochfrequenz-, Hochtemperatur- und Hochleistungsbauelemente
 156   \item Optoelektronik (blaue LEDs), Sensoren
 157   \item Kandidat f"ur Tr"ager und W"ande in Fusionsreaktoren
 158   \item Luft- und Raumfahrtindustrie, Milit"ar
 159   \item kohlenfaserverst"arkte SiC-Verbundkeramik
 160  \end{itemize}
 161
 162  }
 163
 164  \begin{picture}(0,0)(-280,-150)
 165   %\includegraphics[width=4cm]{sic_inverter_ise.eps}
 166  \end{picture}
 167
 168  \begin{picture}(0,0)(-280,-20)
 169   %\includegraphics[width=4cm]{cc_sic_brake_dlr.eps}
 170  \end{picture}
 171
 172 \end{slide}
 173
 174 \begin{slide}
 175
 176  {\large\bf
 177   Motivation
 178  }
 179
 180  \vspace{4pt}
 181
 182  SiC - \emph{Born from the stars, perfected on earth.}
 183
 184  \vspace{4pt}
 185
 186  Herstellung d"unner SiC-Filme:
 187  \begin{itemize}
 188   \item modifizierter Lely-Prozess
 189         \begin{itemize}
 190          \item Impfkristall mit $T=2200 \, ^{\circ} \text{C}$
 191          \item umgeben von polykristallinen SiC mit
 192                $T=2400 \, ^{\circ} \text{C}$
 193         \end{itemize}
 194   \item CVD Homoepitaxie
 195         \begin{itemize}
 196          \item 'step controlled epitaxy' auf 6H-SiC-Substrat
 197          \item C$_3$H$_8$/SiH$_4$/H$_2$ bei $1500 \, ^{\circ} \text{C}$
 198          \item Winkel $\rightarrow$ 3C/6H/4H-SiC
 199          \item hohe Qualit"at aber limitiert durch\\
 200                Substratgr"o"se
 201         \end{itemize}
 202   \item CVD/MBE Heteroepitaxie von 3C-SiC auf Si
 203         \begin{itemize}
 204          \item 2 Schritte: Karbonisierung und Wachstum
 205          \item $T=650-1050 \, ^{\circ} \text{C}$
 206          \item Qualit"at/Gr"o"se noch nicht ausreichend
 207         \end{itemize}
 208  \end{itemize}
 209
 210  \begin{picture}(0,0)(-245,-50)
 211   \includegraphics[width=5cm]{6h-sic_3c-sic.eps}
 212  \end{picture}
 213  \begin{picture}(0,0)(-240,-35)
 214   \begin{minipage}{5cm}
 215   {\scriptsize
 216    NASA: 6H-SiC LED und 3C-SiC LED\\[-6pt]
 217    nebeneinander auf 6H-SiC-Substrat
 218   }
 219   \end{minipage}
 220  \end{picture}
 221
 222 \end{slide}
 223
 224 \begin{slide}
 225
 226  {\large\bf
 227   Motivation
 228  }
 229
 230  \vspace{8pt}
 231
 232  3C-SiC (\foreignlanguage{greek}{b}-SiC) /
 233  6H-SiC (\foreignlanguage{greek}{a}-SiC)
 234  \begin{itemize}
 235   \item h"ohere Ladungstr"agerbeweglichkeit in \foreignlanguage{greek}{b}-SiC
 236   \item h"ohere Durchbruchfeldst"arke in \foreignlanguage{greek}{b}-SiC
 237   \item Micropipes (makroskopischer Bereich an Fehlstellen bis hin zur
 238         Oberfl"ache) entlang c-Richtung
 239         bei \foreignlanguage{greek}{a}-SiC
 240   \item gro"sfl"achige epitaktische \foreignlanguage{greek}{a}-SiC-Herstellung
 241         sehr viel weiter fortgeschritten verglichen mit der von 3C-SiC
 242  \end{itemize}
 243
 244  \vspace{16pt}
 245
 246  {\color{blue}
 247  \begin{center}
 248   Genaues Verst"andnis des 3C-SiC-Ausscheidungsvorganges\\
 249   $\Downarrow$\\
 250   Grundlage f"ur technologischen Fortschritt in 3C-SiC-D"unnschichtherstellung
 251  \end{center}
 252  }
 253
 254  \vspace{16pt}
 255
 256  Grundlage zur Vermeidung von SiC-Ausscheidungen in
 257  $\text{Si}_{\text{1-y}}\text{C}_{\text{y}}$ Legierungen
 258
 259  \begin{itemize}
 260   \item Ma"sschneidern der elektronischen Eigenschaften von Si
 261   \item gestreckte Heterostrukturen
 262  \end{itemize}
 263
 264 \end{slide}
 265
 266 \begin{slide}
 267
 268  {\large\bf
 269   Motivation
 270  }
 271
 272  Die Alternative: Ionenstrahlsynthese
 273
 274  \small
 275
 276  \begin{minipage}{6cm}
 277  \begin{itemize}
 278   \item Implantation 1:\\
 279         180 keV C$^+\rightarrow$ FZ-Si(100)\\
 280         $D=7.9 \times 10^{17}$ cm$^{-2}$,
 281         $T_{\text{i}}=500 \, ^{\circ} \text{C}$\\
 282         $\rightarrow$
 283   \item Implantation 2:\\
 284         180 keV C$^+\rightarrow$ FZ-Si(100)\\
 285         $D=0.6 \times 10^{17}$ cm$^{-2}$,
 286         $T_{\text{i}}=250 \, ^{\circ} \text{C}$\\
 287         $\rightarrow$
 288   \item Tempern:
 289         $T=1250 \, ^{\circ} \text{C}$, $t=10\text{ h}$
 290  \end{itemize}
 291  \end{minipage}
 292  \hspace*{0.3cm}
 293  \begin{minipage}{6cm}
 294  \includegraphics[width=7cm]{ibs_3c-sic.eps}
 295  {\scriptsize
 296  Querschnitts-TEM-Aufnahme einer einkristallinen vergrabenen
 297  3C-SiC-Schicht.\\
 298  (a) Hellfeldaufnahme\\
 299  (b) 3C-SiC(111) Dunkelfeldaufnahme\\
 300  }
 301  \end{minipage}
 302
 303 \end{slide}
 304
 305 \begin{slide}
 306
 307  {\large\bf
 308   SiC-Ausscheidungsvorgang
 309  }
 310
 311  \vspace{8pt}
 312
 313  {\bf Kristallstruktur und Einheitszelle:}
 314  \begin{itemize}
 315    \item kristallines Silizium (c-Si): Diamantstruktur\\
 316          ${\color{si-yellow}\bullet}$ und ${\color{gray}\bullet}$
 317          $\leftarrow$ Si-Atome
 318    \item kubisches SiC (3C-SiC): Zinkblende-Struktur\\
 319          ${\color{si-yellow}\bullet} \leftarrow$ Si-Atome\\
 320          ${\color{gray}\bullet} \leftarrow$ C-Atome
 321  \end{itemize}
 322  \vspace{8pt}
 323  \begin{minipage}{8cm}
 324  {\bf Gitterkonstanten:}
 325  \[
 326  4a_{\text{c-Si}}\approx5a_{\text{3C-SiC}}
 327  \]
 328  {\bf Siliziumdichten:}
 329  \[
 330  \frac{n_{\text{3C-SiC}}}{n_{\text{c-Si}}}=97,66\,\%
 331  \]
 332  \end{minipage}
 333  \begin{minipage}{5cm}
 334    \includegraphics[width=5cm]{sic_unit_cell.eps}
 335  \end{minipage}
 336
 337 \end{slide}
 338
 339 \begin{slide}
 340
 341  {\large\bf
 342   SiC-Ausscheidungsvorgang
 343  }
 344
 345  \vspace{64pt}
 346
 347  Hier die aus experimentellen Untersuchungen heraus vermuteten
 348  Ausscheidungsvorgaenge rein.
 349
 350 \end{slide}
 351
 352 \begin{slide}
 353
 354  {\large\bf
 355   SiC-Ausscheidungsvorgang
 356  }
 357
 358  \small
 359
 360  \vspace{6pt}
 361
 362  Vermuteter 3C-SiC-Ausscheidungsvorgang in c-Si:
 363
 364  \vspace{8pt}
 365
 366  \begin{minipage}{3.8cm}
 367  \includegraphics[width=3.7cm]{sic_prec_seq_01.eps}
 368  \end{minipage}
 369  \hspace{0.6cm}
 370  \begin{minipage}{3.8cm}
 371  \includegraphics[width=3.7cm]{sic_prec_seq_02.eps}
 372  \end{minipage}
 373  \hspace{0.6cm}
 374  \begin{minipage}{3.8cm}
 375  \includegraphics[width=3.7cm]{sic_prec_seq_03.eps}
 376  \end{minipage}
 377
 378  \vspace{8pt}
 379
 380  \begin{minipage}{3.8cm}
 381  Bildung von C-Si Dumbbells auf regul"aren c-Si Gitterpl"atzen
 382  \end{minipage}
 383  \hspace{0.6cm}
 384  \begin{minipage}{3.8cm}
 385  Anh"aufung hin zu gro"sen Clustern (Embryos)\\
 386  \end{minipage}
 387  \hspace{0.6cm}
 388  \begin{minipage}{3.8cm}
 389  Ausscheidung von 3C-SiC + Erzeugung von Si-Zwischengitteratomen
 390  \end{minipage}
 391
 392  \vspace{12pt}
 393
 394  Aus experimentellen Untersuchungen:
 395  \begin{itemize}
 396   \item kritischer Durchmesser einer Ausscheidung: 4 - 5 nm
 397   \item gleiche Orientierung der c-Si and 3C-SiC (hkl)-Ebenen
 398  \end{itemize}
 399
 400 \end{slide}
 401
 402 \begin{slide}
 403
 404  {\large\bf
 405   Details der MD-Simulation
 406  }
 407
 408  \vspace{12pt}
 409  \small
 410
 411  {\bf MD-Grundlagen:}
 412  \begin{itemize}
 413   \item Mikroskopische Beschreibung eines N-Teilchensystems
 414   \item Analytisches Wechselwirkungspotential
 415   \item Numerische Integration der Newtonschen Bewegungsgleichung\\
 416         als Propagationsvorschrift im 6N-dimensionalen Phasenraum
 417   \item Observablen sind die Zeit- und/oder Ensemblemittelwerte
 418  \end{itemize}
 419  {\bf Details der Simulation:}
 420  \begin{itemize}
 421   \item Integration: Velocity Verlet, Zeitschritt: $1\text{ fs}$
 422   \item Ensemble: NpT, isothermal-isobares Ensemble
 423         \begin{itemize}
 424          \item Berendsen Thermostat:
 425                $\tau_{\text{T}}=100\text{ fs}$
 426          \item Berendsen Barostat:\\
 427                $\tau_{\text{P}}=100\text{ fs}$,
 428                $\beta^{-1}=100\text{ GPa}$
 429         \end{itemize}
 430   \item Potential: Tersoff-"ahnliches 'bond order' Potential
 431   \vspace*{12pt}
 432         \[
 433         E = \frac{1}{2} \sum_{i \neq j} \pot_{ij}, \quad
 434         \pot_{ij} = f_C(r_{ij}) \left[ f_R(r_{ij}) + b_{ij} f_A(r_{ij}) \right]
 435         \]
 436  \end{itemize}
 437
 438  \begin{picture}(0,0)(-230,-30)
 439   \includegraphics[width=5cm]{tersoff_angle.eps}
 440  \end{picture}
 441
 442 \end{slide}
 443
 444 \begin{slide}
 445
 446  {\large\bf
 447   Zwischengitter-Konfigurationen
 448  }
 449
 450  \vspace{8pt}
 451
 452  Simulationssequenz:\\
 453
 454  \vspace{8pt}
 455
 456  \begin{pspicture}(0,0)(7,8)
 457   \rput(3.5,7){\rnode{init}{\psframebox[fillstyle=solid,fillcolor=hb]{
 458    \parbox{7cm}{
 459    \begin{itemize}
 460     \item initiale Konfiguration:\\
 461           $9\times9\times9$ Einheitszellen c-Si
 462     \item periodische Randbedingungen
 463     \item $T=0\text{ K}$, $p=0\text{ bar}$
 464    \end{itemize}
 465   }}}}
 466 \rput(3.5,3.5){\rnode{insert}{\psframebox{
 467  \parbox{7cm}{
 468   Einf"ugen der C/Si Atome:
 469   \begin{itemize}
 470    \item $(0,0,0)$ $\rightarrow$ {\color{red}tetraedrisch}
 471          (${\color{red}\triangleleft}$)
 472    \item $(-1/8,-1/8,1/8)$ $\rightarrow$ {\color{green}hexagonal}
 473          (${\color{green}\triangleright}$)
 474    \item $(-1/8,-1/8,-1/4)$, $(-1/4,-1/4,-1/4)$\\
 475          $\rightarrow$ {\color{magenta}110 Dumbbell}
 476          (${\color{magenta}\Box}$,$\circ$)
 477    \item zuf"allige Position (Minimalabstand)
 478   \end{itemize}
 479   }}}}
 480   \rput(3.5,1){\rnode{cool}{\psframebox[fillstyle=solid,fillcolor=lbb]{
 481    \parbox{3.5cm}{
 482    Relaxation ($>2$ ps)
 483   }}}}
 484   \ncline[]{->}{init}{insert}
 485   \ncline[]{->}{insert}{cool}
 486  \end{pspicture}
 487
 488  \begin{picture}(0,0)(-210,-45)
 489   \includegraphics[width=6cm]{unit_cell_s.eps}
 490  \end{picture}
 491
 492 \end{slide}
 493
 494 \begin{slide}
 495
 496  {\large\bf
 497   Zwischengitter-Konfigurationen
 498  }
 499
 500  \small
 501
 502  \begin{minipage}[t]{4.3cm}
 503  \underline{Tetraedrisch}\\
 504  $E_f=3.41$ eV\\
 505  \includegraphics[width=3.8cm]{si_self_int_tetra_0.eps}
 506  \end{minipage}
 507  \begin{minipage}[t]{4.3cm}
 508  \underline{110 Dumbbell}\\
 509  $E_f=4.39$ eV\\
 510  \includegraphics[width=3.8cm]{si_self_int_dumbbell_0.eps}
 511  \end{minipage}
 512  \begin{minipage}[t]{4.3cm}
 513  \underline{Hexagonal} \hspace{4pt}
 514  \href{../video/si_self_int_hexa.avi}{$\rhd$}\\
 515  $E_f^{\star}\approx4.48$ eV (nicht stabil!)\\
 516  \includegraphics[width=3.8cm]{si_self_int_hexa_0.eps}
 517  \end{minipage}
 518
 519  \underline{zuf"allige Positionen}
 520
 521  \begin{minipage}{4.3cm}
 522  $E_f=3.97$ eV\\
 523  \includegraphics[width=3.8cm]{si_self_int_rand_397_0.eps}
 524  \end{minipage}
 525  \begin{minipage}{4.3cm}
 526  $E_f=3.75$ eV\\
 527  \includegraphics[width=3.8cm]{si_self_int_rand_375_0.eps}
 528  \end{minipage}
 529  \begin{minipage}{4.3cm}
 530  $E_f=3.56$ eV\\
 531  \includegraphics[width=3.8cm]{si_self_int_rand_356_0.eps}
 532  \end{minipage}
 533
 534 \end{slide}
 535
 536 \begin{slide}
 537
 538  {\large\bf
 539   Zwischengitter-Konfigurationen
 540  }
 541
 542  \small
 543
 544  \begin{minipage}[t]{4.3cm}
 545  \underline{Tetraedrisch}\\
 546  $E_f=2.67$ eV\\
 547  \includegraphics[width=3.8cm]{c_in_si_int_tetra_0.eps}
 548  \end{minipage}
 549  \begin{minipage}[t]{4.3cm}
 550  \underline{110 Dumbbell}\\
 551  $E_f=1.76$ eV\\
 552  \includegraphics[width=3.8cm]{c_in_si_int_dumbbell_0.eps}
 553  \end{minipage}
 554  \begin{minipage}[t]{4.3cm}
 555  \underline{Hexagonal} \hspace{4pt}
 556  \href{../video/c_in_si_int_hexa.avi}{$\rhd$}\\
 557  $E_f^{\star}\approx5.6$ eV (nicht stabil!)\\
 558  \includegraphics[width=3.8cm]{c_in_si_int_hexa_0.eps}
 559  \end{minipage}
 560
 561  \underline{zuf"allige Positionen}
 562
 563  \footnotesize
 564
 565 \begin{minipage}[t]{3.3cm}
 566    $E_f=0.47$ eV\\
 567    \includegraphics[width=3.3cm]{c_in_si_int_001db_0.eps}
 568    \begin{picture}(0,0)(-15,-3)
 569     100 Dumbbell
 570    \end{picture}
 571 \end{minipage}
 572 \begin{minipage}[t]{3.3cm}
 573    $E_f=1.62$ eV\\
 574    \includegraphics[width=3.2cm]{c_in_si_int_rand_162_0.eps}
 575 \end{minipage}
 576 \begin{minipage}[t]{3.3cm}
 577    $E_f=2.39$ eV\\
 578    \includegraphics[width=3.1cm]{c_in_si_int_rand_239_0.eps}
 579 \end{minipage}
 580 \begin{minipage}[t]{3.0cm}
 581    $E_f=3.41$ eV\\
 582    \includegraphics[width=3.3cm]{c_in_si_int_rand_341_0.eps}
 583 \end{minipage}
 584
 585 \end{slide}
 586
 587 \begin{slide}
 588
 589  {\large\bf
 590   Zwischengitter-Konfigurationen
 591  }
 592
 593  Das 100 Dumbbell
 594
 595  \vspace{8pt}
 596
 597  \small
 598
 599  \begin{minipage}{4cm}
 600  \begin{itemize}
 601   \item $E_f=0.47$ eV
 602   \item Very often observed
 603   \item Most energetically\\
 604         favorable configuration
 605   \item Experimental\\
 606         evidence [6]
 607  \end{itemize}
 608  \vspace{24pt}
 609  {\tiny
 610   [6] G. D. Watkins and K. L. Brower,\\
 611       Phys. Rev. Lett. 36 (1976) 1329.
 612  }
 613  \end{minipage}
 614  \begin{minipage}{8cm}
 615  \includegraphics[width=9cm]{100-c-si-db_s.eps}
 616  \end{minipage}
 617
 618 \end{slide}
 619
 620 \begin{slide}
 621
 622  {\large\bf
 623   Simulationen zum Ausscheidungsvorgang
 624  }
 625
 626  \small
 627
 628  \vspace{8pt}
 629
 630  Simulationssequenz:\\
 631
 632  \vspace{8pt}
 633
 634  \begin{pspicture}(0,0)(12,8)
 635   % nodes
 636   \rput(3.5,7.0){\rnode{init}{\psframebox[fillstyle=solid,fillcolor=hb]{
 637    \parbox{7cm}{
 638    \begin{itemize}
 639     \item initiale Konfiguration:\\
 640           $31\times31\times31$ c-Si Einheitszellen
 641     \item periodsche Randbedingungen
 642     \item $T=450\, ^{\circ}\text{C}$, $p=0\text{ bar}$
 643     \item "Aquilibrierung von $E_{\text{kin}}$ and $E_{\text{pot}}$
 644    \end{itemize}
 645   }}}}
 646   \rput(3.5,3.2){\rnode{insert}{\psframebox[fillstyle=solid,fillcolor=lachs]{
 647    \parbox{7cm}{
 648    Einf"ugen von 6000 C-Atomen\\
 649    bei konstanter Temperatur
 650    \begin{itemize}
 651     \item gesamte Simulationsvolumen {\pnode{in1}}
 652     \item Volumen einer minimal SiC-Ausscheidung {\pnode{in2}}
 653     \item Bereich der ben"otigten Si-Atome {\pnode{in3}}
 654    \end{itemize}
 655   }}}}
 656   \rput(3.5,1){\rnode{cool}{\psframebox[fillstyle=solid,fillcolor=lbb]{
 657    \parbox{3.5cm}{
 658    Abk"uhlen auf $20\, ^{\circ}\textrm{C}$
 659   }}}}
 660   \ncline[]{->}{init}{insert}
 661   \ncline[]{->}{insert}{cool}
 662   \psframe[fillstyle=solid,fillcolor=white](7.5,1.8)(13.5,7.8)
 663   \psframe[fillstyle=solid,fillcolor=lightgray](9,3.3)(12,6.3)
 664   \psframe[fillstyle=solid,fillcolor=gray](9.25,3.55)(11.75,6.05)
 665   \rput(7.9,4.2){\pnode{ins1}}
 666   \rput(9.22,3.5){\pnode{ins2}}
 667   \rput(11.0,3.8){\pnode{ins3}}
 668   \ncline[]{->}{in1}{ins1}
 669   \ncline[]{->}{in2}{ins2}
 670   \ncline[]{->}{in3}{ins3}
 671  \end{pspicture}
 672
 673 \end{slide}
 674
 675 \end{document}
 676
 677 \begin{slide}
 678
 679  {\large\bf
 680   Simulationen zum Ausscheidungsvorgang
 681  }
 682
 683  \includegraphics[width=6.3cm]{pc_si-c_c-c.eps}
 684  \includegraphics[width=6.3cm]{pc_si-si.eps}
 685
 686  \begin{minipage}[t]{6.3cm}
 687  \tiny
 688     \begin{itemize}
 689       \item C-C peak at 0.15 nm similar to next neighbour distance of graphite
 690             or diamond\\
 691             $\Rightarrow$ Formation of strong C-C bonds
 692                           (almost only for high C concentrations)
 693       \item Si-C peak at 0.19 nm similar to next neighbour distance in 3C-SiC
 694       \item C-C peak at 0.31 nm equals C-C distance in 3C-SiC\\
 695             (due to concatenated, differently oriented
 696              <100> dumbbell interstitials)
 697       \item Si-Si shows non-zero g(r) values around 0.31 nm like in 3C-SiC\\
 698             and a decrease at regular distances\\
 699             (no clear peak,
 700              interval of enhanced g(r) corresponds to C-C peak width)
 701     \end{itemize}
 702  \end{minipage}
 703  \begin{minipage}[t]{6.3cm}
 704  \tiny
 705    \begin{itemize}
 706       \item Low C concentration (i.e. $V_1$):
 707             The <100> dumbbell configuration
 708             \begin{itemize}
 709               \item is identified to stretch the Si-Si next neighbour distance
 710                     to 0.3 nm
 711               \item is identified to contribute to the Si-C peak at 0.19 nm
 712               \item explains further C-Si peaks (dashed vertical lines)
 713             \end{itemize}
 714             $\Rightarrow$ C atoms are first elements arranged at distances
 715                           expected for 3C-SiC\\
 716             $\Rightarrow$ C atoms pull the Si atoms into the right
 717                           configuration at a later stage
 718       \item High C concentration (i.e. $V_2$ and $V_3$):
 719             \begin{itemize}
 720               \item High amount of damage introduced into the system
 721               \item Short range order observed but almost no long range order
 722             \end{itemize}
 723             $\Rightarrow$ Start of amorphous SiC-like phase formation\\
 724             $\Rightarrow$ Higher temperatures required for proper SiC formation
 725     \end{itemize}
 726  \end{minipage}
 727
 728 \end{slide}
 729
 730 \begin{slide}
 731
 732  {\large\bf
 733   Very first results of the SiC precipitation runs
 734  }
 735
 736  \begin{minipage}[t]{6.9cm}
 737   \includegraphics[width=6.3cm]{../plot/sic_pc.ps}
 738   \includegraphics[width=6.3cm]{../plot/foo_end.ps}
 739   \hspace{12pt}
 740  \end{minipage}
 741  \begin{minipage}[c]{5.5cm}
 742   \includegraphics[width=6.0cm]{sic_si-c-n.eps}
 743  \end{minipage}
 744
 745 \end{slide}
 746
 747 \begin{slide}
 748
 749  {\large\bf
 750   Summary / Outlook
 751  }
 752
 753 \vspace{24pt}
 754
 755 \begin{itemize}
 756  \item Importance of understanding the SiC precipitation mechanism
 757  \item Interstitial configurations in silicon using the Albe potential
 758  \item Indication of SiC precipitation
 759 \end{itemize}
 760
 761 \vspace{24pt}
 762
 763 \begin{itemize}
 764  \item Displacement and stress calculations
 765  \item Refinement of simulation sequence to create 3C-SiC
 766  \item Analyzing self-designed Si/SiC interface
 767 \end{itemize}
 768
 769 \end{slide}
 770
 771 \end{document}
 772