04192521224a543fbf628c5741fdbf4d2ac86d69
[lectures/latex.git] / posic / talks / upb-ua-xc.tex
1 \pdfoutput=0
2 \documentclass[landscape,semhelv]{seminar}
3
4 \usepackage{verbatim}
5 \usepackage[greek,german]{babel}
6 \usepackage[latin1]{inputenc}
7 \usepackage[T1]{fontenc}
8 \usepackage{amsmath}
9 \usepackage{latexsym}
10 \usepackage{ae}
11
12 \usepackage{calc}               % Simple computations with LaTeX variables
13 \usepackage{caption}            % Improved captions
14 \usepackage{fancybox}           % To have several backgrounds
15
16 \usepackage{fancyhdr}           % Headers and footers definitions
17 \usepackage{fancyvrb}           % Fancy verbatim environments
18 \usepackage{pstricks}           % PSTricks with the standard color package
19
20 \usepackage{pstricks}
21 \usepackage{pst-node}
22
23 %\usepackage{epic}
24 %\usepackage{eepic}
25
26 \usepackage{graphicx}
27 \graphicspath{{../img/}}
28
29 \usepackage[setpagesize=false]{hyperref}
30
31 \usepackage{semcolor}
32 \usepackage{semlayer}           % Seminar overlays
33 \usepackage{slidesec}           % Seminar sections and list of slides
34
35 \input{seminar.bug}             % Official bugs corrections
36 \input{seminar.bg2}             % Unofficial bugs corrections
37
38 \articlemag{1}
39
40 \special{landscape}
41
42 % font
43 %\usepackage{cmbright}
44 %\renewcommand{\familydefault}{\sfdefault}
45 %\usepackage{mathptmx}
46
47 \usepackage{upgreek}
48
49 \begin{document}
50
51 \extraslideheight{10in}
52 \slideframe{none}
53
54 \pagestyle{empty}
55
56 % specify width and height
57 \slidewidth 27.7cm 
58 \slideheight 19.1cm 
59
60 % shift it into visual area properly
61 \def\slideleftmargin{3.3cm}
62 \def\slidetopmargin{0.6cm}
63
64 \newcommand{\ham}{\mathcal{H}}
65 \newcommand{\pot}{\mathcal{V}}
66 \newcommand{\foo}{\mathcal{U}}
67 \newcommand{\vir}{\mathcal{W}}
68
69 % itemize level ii
70 \renewcommand\labelitemii{{\color{gray}$\bullet$}}
71
72 % colors
73 \newrgbcolor{si-yellow}{.6 .6 0}
74 \newrgbcolor{hb}{0.75 0.77 0.89}
75 \newrgbcolor{lbb}{0.75 0.8 0.88}
76 \newrgbcolor{lachs}{1.0 .93 .81}
77
78 % topic
79
80 \begin{slide}
81 \begin{center}
82
83  \vspace{16pt}
84
85  {\LARGE\bf
86   Atomistic simulation study\\[0.2cm]
87   of the SiC precipitation in Si
88  }
89
90  \vspace{48pt}
91
92  \textsc{F. Zirkelbach}
93
94  \vspace{48pt}
95
96  For the exchange among Paderborn and Augsburg
97
98  \vspace{08pt}
99
100  July 2009
101
102 \end{center}
103 \end{slide}
104
105 % start of contents
106
107 \begin{slide}
108
109  {\large\bf
110   VASP parameters
111  }
112
113  \small
114  \begin{minipage}{6.5cm}
115  \begin{itemize}
116   \item Start from scratch
117   \item $V_{xc}$: US LDA (out of ./pot directory)
118   \item $k$-points: Monkhorst $4\times 4\times 4$
119   \item Ionic relaxation
120         \begin{itemize}
121          \item Conjugate gradient method
122          \item Scaling constant of 0.1 for forces
123          \item Default break condition ($0.1 \cdot 10^{-2}$ eV)
124          \item Maximum of 100 steps
125         \end{itemize}
126         {\color{blue} NVT}:
127         \begin{itemize}
128          \item No change in volume
129         \end{itemize}
130         {\color{red} NPT}:
131         \begin{itemize}
132          \item Change of cell volume and shape\\
133                allowed
134         \end{itemize}
135  \end{itemize}
136  \end{minipage}
137  \hspace*{0.5cm}
138  \begin{minipage}{6.0cm}
139 {\scriptsize\color{blue}
140  Example INCAR file (NVT):
141 }
142 \begin{verbatim}
143 System = C 100 interstitial in Si
144
145 ISTART = 0
146
147 NSW = 100
148 IBRION = 2
149 ISIF = 2
150 POTIM = 0.1
151 \end{verbatim}
152 {\scriptsize\color{red}
153  Example INCAR file (NPT):
154 }
155 \begin{verbatim}
156 System = C hexagonal interstitial in Si
157
158 ISTART = 0
159
160 NSW = 100
161 IBRION = 2
162 ISIF = 3
163 POTIM = 0.1
164 \end{verbatim}
165  \end{minipage}
166
167 \end{slide}
168
169 \begin{slide}
170
171  {\large\bf
172   Silicon bulk properties
173  }
174
175  \small
176
177  Simulations (NPT, $\textrm{EDIFFG}=0.1\cdot 10^{-3}$ eV):
178  \begin{enumerate}
179   \item Supercell: $x_1=(0,0.5,0.5),\, x_2=(0.5,0,0.5),\, x_3=(0.5,0.5,0)$;
180         2 atoms (1 {\bf p}rimitive {\bf c}ell)
181   \item Supercell: $x_1=(0.5,-0.5,0),\, x_2=(0.5,0.5,0),\, x_3=(0,0,1)$;
182         4 atoms (2 pc)
183   \item Supercell: $x_1=(1,0,0),\, x_2=(0,1,0),\, x_3=(0,0,1)$;
184         8 atoms (4 pc)
185   \item Supercell: $x_1=(2,0,0),\, x_2=(0,2,0),\, x_3=(0,0,2)$;
186         64 atoms (32 pc)
187  \end{enumerate}
188  \begin{minipage}{6cm}
189  Cohesive energy / Lattice constant:
190  \begin{enumerate}
191   \item $E_{\textrm{cut-off}}=150\, \textrm{eV}$: 5.955 eV / 5.378 \AA\\
192         $E_{\textrm{cut-off}}=300\, \textrm{eV}$: 5.975 eV / 5.387 \AA
193   \item $E_{\textrm{cut-off}}=150\, \textrm{eV}$: 5.989 eV / 5.356 \AA
194   \item $E_{\textrm{cut-off}}=150\, \textrm{eV}$: 5.955 eV / 5.380 \AA\\
195         $E_{\textrm{cut-off}}=200\, \textrm{eV}$: 5.972 eV / 5.388 \AA\\
196         $E_{\textrm{cut-off}}=250\, \textrm{eV}$: 5.975 eV / 5.389 \AA\\
197         $E_{\textrm{cut-off}}=300\, \textrm{eV}$: 5.975 eV / 5.389 \AA\\
198         $E_{\textrm{cut-off}}=300\, \textrm{eV}^{*}$: 5.975 eV / 5.390 \AA
199   \item $E_{\textrm{cut-off}}=300\, \textrm{eV}$: 5.977 eV / 5.389 \AA
200  \end{enumerate}
201  \end{minipage}
202  \begin{minipage}{7cm}
203  \includegraphics[width=7cm]{si_lc_and_ce.ps}
204  \end{minipage}\\[0.3cm]
205  {\scriptsize
206   $^*$special settings (p. 138, VASP manual):
207   spin polarization, no symmetry, ...
208  }
209  
210 \end{slide}
211
212 \begin{slide}
213
214  {\large\bf
215   Silicon bulk properties
216  }
217
218  \begin{itemize}
219   \item Calculation of cohesive energies for different lattice constants
220   \item No ionic update
221   \item Tetrahedron method with Blöchl corrections for
222         the partial occupancies $f(\{\epsilon_{n{\bf k}}\})$
223   \item Supercell 3 (8 atoms, 4 primitive cells)
224  \end{itemize}
225  \vspace*{0.6cm}
226  \begin{minipage}{6.5cm}
227  \begin{center}
228  $E_{\textrm{cut-off}}=150$ eV\\
229  \includegraphics[width=6.5cm]{si_lc_fit.ps}
230  \end{center}
231  \end{minipage}
232  \begin{minipage}{6.5cm}
233  \begin{center}
234  $E_{\textrm{cut-off}}=250$ eV\\
235  \includegraphics[width=6.5cm]{si_lc_fit_250.ps}
236  \end{center}
237  \end{minipage}
238
239 \end{slide}
240
241 \begin{slide}
242
243  {\large\bf
244   3C-SiC bulk properties\\[0.2cm]
245  }
246
247  \begin{minipage}{6.5cm}
248  \includegraphics[width=6.5cm]{sic_lc_and_ce2.ps}
249  \end{minipage}
250  \begin{minipage}{6.5cm}
251  \includegraphics[width=6.5cm]{sic_lc_and_ce.ps}
252  \end{minipage}\\[0.3cm]
253  \begin{itemize}
254   \item Supercell 3 (4 primitive cells, 4+4 atoms)
255   \item Error in equilibrium lattice constant: {\color{green} $0.9\,\%$}
256   \item Error in cohesive energy: {\color{red} $31.6\,\%$}
257  \end{itemize}
258  
259 \end{slide}
260
261 \begin{slide}
262
263  {\large\bf
264   3C-SiC bulk properties\\[0.2cm]
265  }
266
267  \small
268
269  \begin{itemize}
270   \item Calculation of cohesive energies for different lattice constants
271   \item No ionic update
272   \item Tetrahedron method with Blöchl corrections for
273         the partial occupancies $f(\{\epsilon_{n{\bf k}}\})$
274  \end{itemize}
275  \vspace*{0.6cm}
276  \begin{minipage}{6.5cm}
277  \begin{center}
278  Supercell 3, $4\times 4\times 4$ k-points\\
279  \includegraphics[width=6.5cm]{sic_lc_fit.ps}
280  \end{center}
281  \end{minipage}
282  \begin{minipage}{6.5cm}
283  \begin{center}
284  {\color{red}
285   Non-continuous energies\\
286   for $E_{\textrm{cut-off}}<1050\,\textrm{eV}$!\\
287  }
288  \vspace*{0.5cm}
289  {\footnotesize
290  Does this matter in structural optimizaton simulations?
291  \begin{itemize}
292   \item Derivative might be continuous
293   \item Similar lattice constants where derivative equals zero
294  \end{itemize}
295  }
296  \end{center}
297  \end{minipage}
298
299 \end{slide}
300
301 \begin{slide}
302
303  {\large\bf
304   3C-SiC bulk properties\\[0.2cm]
305  }
306
307  \footnotesize
308
309 \begin{picture}(0,0)(-188,80)
310  %Supercell 1, $3\times 3\times 3$ k-points\\
311  \includegraphics[width=6.5cm]{sic_lc_fit_k3.ps}
312 \end{picture}
313
314  \begin{minipage}{6.5cm}
315  \begin{itemize}
316   \item Supercell 1 simulations
317   \item Variation of k-points
318   \item Continuous energies for
319         $E_{\textrm{cut-off}} > 550\,\textrm{eV}$
320   \item Critical $E_{\textrm{cut-off}}$ for
321         different k-points\\
322         depending on supercell?
323  \end{itemize}
324  \end{minipage}\\[1.0cm]
325  \begin{minipage}{6.5cm}
326  \begin{center}
327  \includegraphics[width=6.5cm]{sic_lc_fit_k5.ps}
328  \end{center}
329  \end{minipage}
330  \begin{minipage}{6.5cm}
331  \begin{center}
332  \includegraphics[width=6.5cm]{sic_lc_fit_k7.ps}
333  \end{center}
334  \end{minipage}
335
336 \end{slide}
337
338 \begin{slide}
339
340  {\large\bf
341   Cohesive energies
342  }
343
344  {\bf\color{red} From now on ...}
345
346  {\small Energies used: free energy without entropy ($\sigma \rightarrow 0$)}
347
348  \small
349
350  \begin{itemize}
351   \item $E_{\textrm{free,sp}}$:
352         energy of spin polarized free atom
353         \begin{itemize}
354          \item $k$-points: Monkhorst $1\times 1\times 1$
355          \item Symmetry switched off
356          \item Spin polarized calculation
357          \item Interpolation formula according to Vosko Wilk and Nusair
358                for the correlation part of the exchange correlation functional
359          \item Gaussian smearing for the partial occupancies
360                $f(\{\epsilon_{n{\bf k}}\})$
361                ($\sigma=0.05$)
362          \item Magnetic mixing: AMIX = 0.2, BMIX = 0.0001
363          \item Supercell: one atom in cubic
364                $10\times 10\times 10$ \AA$^3$ box
365         \end{itemize}
366         {\color{blue}
367         $E_{\textrm{free,sp}}(\textrm{Si},{\color{green}250}\, \textrm{eV})=
368          -0.70036911\,\textrm{eV}$
369         }\\
370         {\color{blue}
371         $E_{\textrm{free,sp}}(\textrm{Si},{\color{red}650}\, \textrm{eV})=
372          -0.70021403\,\textrm{eV}$
373         },
374         {\color{gray}
375         $E_{\textrm{free,sp}}(\textrm{C},{\color{red}650}\, \textrm{eV})=
376          -1.3535731\,\textrm{eV}$
377         }
378   \item $E$:
379         energy (non-polarized) of system of interest composed of\\
380         n atoms of type N, m atoms of type M, \ldots
381  \end{itemize}
382  \vspace*{0.2cm}
383  {\color{red}
384  \[
385  \Rightarrow
386  E_{\textrm{coh}}=\frac{
387  -\Big(E(N_nM_m\ldots)-nE_{\textrm{free,sp}}(N)-mE_{\textrm{free,sp}}(M)
388  -\ldots\Big)}
389  {n+m+\ldots}
390  \]
391  }
392
393 \end{slide}
394
395 \begin{slide}
396
397  {\large\bf
398   Calculation of the defect formation energy\\
399  }
400
401  \small
402  
403  {\color{blue}Method 1} (single species)
404  \begin{itemize}
405   \item $E_{\textrm{coh}}^{\textrm{initial conf}}$:
406         cohesive energy per atom of the initial system
407   \item $E_{\textrm{coh}}^{\textrm{interstitial conf}}$:
408         cohesive energy per atom of the interstitial system
409   \item N: amount of atoms in the interstitial system
410  \end{itemize}
411  \vspace*{0.2cm}
412  {\color{blue}
413  \[
414  \Rightarrow
415  E_{\textrm{f}}=\Big(E_{\textrm{coh}}^{\textrm{interstitial conf}}
416                -E_{\textrm{coh}}^{\textrm{initial conf}}\Big) N
417  \]
418  }\\[0.4cm]
419  {\color{magenta}Method 2} (two and more species)
420  \begin{itemize}
421   \item $E$: energy of the interstitial system
422         (with respect to the ground state of the free atoms!)
423   \item $N_{\text{Si}}$, $N_{\text{C}}$:
424         amount of Si and C atoms
425   \item $\mu_{\text{Si}}$, $\mu_{\text{C}}$:
426         chemical potential (cohesive energy) of Si and C
427  \end{itemize}
428  \vspace*{0.2cm}
429  {\color{magenta}
430  \[
431  \Rightarrow
432  E_{\textrm{f}}=E-N_{\text{Si}}\mu_{\text{Si}}-N_{\text{C}}\mu_{\text{C}}
433  \]
434  }
435
436 \end{slide}
437
438 \begin{slide}
439
440  {\large\bf
441   Used types of supercells\\
442  }
443
444  \footnotesize
445
446  \begin{minipage}{4.3cm}
447   \includegraphics[width=4cm]{sc_type0.eps}\\[0.3cm]
448   \underline{Type 0}\\[0.2cm]
449   Basis: fcc\\
450   $x_1=(0.5,0.5,0)$\\
451   $x_2=(0,0.5,0.5)$\\
452   $x_3=(0.5,0,0.5)$\\
453   1 primitive cell / 2 atoms
454  \end{minipage}
455  \begin{minipage}{4.3cm}
456   \includegraphics[width=4cm]{sc_type1.eps}\\[0.3cm]
457   \underline{Type 1}\\[0.2cm]
458   Basis:\\
459   $x_1=(0.5,-0.5,0)$\\
460   $x_2=(0.5,0.5,0)$\\
461   $x_3=(0,0,1)$\\
462   2 primitive cells / 4 atoms
463  \end{minipage}
464  \begin{minipage}{4.3cm}
465   \includegraphics[width=4cm]{sc_type2.eps}\\[0.3cm]
466   \underline{Type 2}\\[0.2cm]
467   Basis: sc\\
468   $x_1=(1,0,0)$\\
469   $x_2=(0,1,0)$\\
470   $x_3=(0,0,1)$\\
471   4 primitive cells / 8 atoms
472  \end{minipage}\\[0.4cm]
473
474  {\bf\color{blue}
475  In the following these types of supercells are used and
476  are possibly scaled by integers in the different directions!
477  }
478
479 \end{slide}
480
481 \begin{slide}
482
483  {\large\bf
484   Silicon point defects\\
485  }
486
487  \small
488
489  Influence of supercell size\\
490  \begin{minipage}{8cm}
491  \includegraphics[width=7.0cm]{si_self_int.ps}
492  \end{minipage}
493  \begin{minipage}{5cm}
494  $E_{\textrm{f}}^{\textrm{110},\,32\textrm{pc}}=3.38\textrm{ eV}$\\
495  $E_{\textrm{f}}^{\textrm{tet},\,32\textrm{pc}}=3.41\textrm{ eV}$\\
496  $E_{\textrm{f}}^{\textrm{hex},\,32\textrm{pc}}=3.42\textrm{ eV}$\\
497  $E_{\textrm{f}}^{\textrm{vac},\,32\textrm{pc}}=3.51\textrm{ eV}$\\\\
498  $E_{\textrm{f}}^{\textrm{hex},\,54\textrm{pc}}=3.42\textrm{ eV}$\\
499  $E_{\textrm{f}}^{\textrm{tet},\,54\textrm{pc}}=3.45\textrm{ eV}$\\
500  $E_{\textrm{f}}^{\textrm{vac},\,54\textrm{pc}}=3.47\textrm{ eV}$\\
501  $E_{\textrm{f}}^{\textrm{110},\,54\textrm{pc}}=3.48\textrm{ eV}$
502  \end{minipage}
503
504  Comparison with literature (PRL 88 235501 (2002)):\\[0.2cm]
505  \begin{minipage}{8cm}
506  \begin{itemize}
507   \item GGA and LDA
508   \item $E_{\text{cut-off}}=35 / 25\text{ Ry}=476 / 340\text{ eV}$
509   \item 216 atom supercell
510   \item Gamma point only calculations
511  \end{itemize}
512  \end{minipage}
513  \begin{minipage}{5cm}
514  $E_{\textrm{f}}^{\textrm{110}}=3.31 / 2.88\textrm{ eV}$\\
515  $E_{\textrm{f}}^{\textrm{hex}}=3.31 / 2.87\textrm{ eV}$\\
516  $E_{\textrm{f}}^{\textrm{vac}}=3.17 / 3.56\textrm{ eV}$
517  \end{minipage}
518  
519
520 \end{slide}
521
522 \begin{slide}
523
524  {\large\bf
525   Questions so far ...\\
526  }
527
528  What configuration to chose for C in Si simulations?
529  \begin{itemize}
530   \item Switch to another method for the XC approximation (GGA, PAW)?
531   \item Reasonable cut-off energy
532   \item Switch off symmetry? (especially for defect simulations)
533   \item $k$-points
534         (Monkhorst? $\Gamma$-point only if cell is large enough?)
535   \item Switch to tetrahedron method or Gaussian smearing ($\sigma$?)
536   \item Size and type of supercell
537         \begin{itemize}
538          \item connected to choice of $k$-point mesh?
539          \item hence also connected to choice of smearing method?
540          \item constraints can only be applied to the lattice vectors!
541         \end{itemize}
542   \item Use of real space projection operators?
543   \item \ldots
544  \end{itemize}
545
546 \end{slide}
547
548 \begin{slide}
549
550  {\large\bf
551   Review (so far) ...\\
552  }
553
554  Smearing method for the partial occupancies $f(\{\epsilon_{n{\bf k}}\})$
555  and $k$-point mesh
556
557  \begin{minipage}{4.4cm}
558   \includegraphics[width=4.4cm]{sic_smear_k.ps}
559  \end{minipage}
560  \begin{minipage}{4.4cm}
561   \includegraphics[width=4.4cm]{c_smear_k.ps}
562  \end{minipage}
563  \begin{minipage}{4.3cm}
564   \includegraphics[width=4.4cm]{si_smear_k.ps}
565  \end{minipage}\\[0.3cm]
566  \begin{itemize}
567   \item Convergence reached at $6\times 6\times 6$ k-point mesh
568   \item No difference between Gauss ($\sigma=0.05$)
569         and tetrahedron smearing method!
570  \end{itemize}
571  \begin{center}
572  $\Downarrow$\\
573  {\color{blue}\bf
574    Gauss ($\sigma=0.05$) smearing
575    and $6\times 6\times 6$ Monkhorst $k$-point mesh used
576  }
577  \end{center}
578
579 \end{slide}
580
581 \begin{slide}
582
583  {\large\bf
584   Review (so far) ...\\
585  }
586
587  \underline{Symmetry (in defect simulations)}
588
589  \begin{center}
590  {\color{red}No}
591  difference in $1\times 1\times 1$ Type 2 defect calculations\\
592  $\Downarrow$\\
593  Symmetry precission (SYMPREC) small enough\\
594  $\Downarrow$\\
595  {\bf\color{blue}Symmetry switched on}\\
596  \end{center}
597
598  \underline{Real space projection}
599
600  \begin{center}
601  Error in lattice constant of plain Si ($1\times 1\times 1$ Type 2):
602  $0.025\,\%$\\
603  Error in position of the 110 interstitital in Si ($1\times 1\times 1$ Type 2):
604  $0.026\,\%$\\
605  $\Downarrow$\\
606  {\bf\color{blue}
607   Real space projection used for 'large supercell' simulations}
608  \end{center}
609
610 \end{slide}
611
612 \begin{slide}
613
614  {\large\bf
615   Review (so far) ...
616  }
617
618  Energy cut-off\\
619
620  \begin{center}
621
622  {\small
623  3C-SiC equilibrium lattice constant and free energy\\ 
624  \includegraphics[width=7cm]{plain_sic_lc.ps}\\
625  $\rightarrow$ Convergence reached at 650 eV\\[0.2cm]
626  }
627
628  $\Downarrow$\\
629
630  {\bf\color{blue}
631   650 eV used as energy cut-off
632  }
633
634  \end{center}
635
636 \end{slide}
637
638 \begin{slide}
639
640  {\large\bf
641   Not answered (so far) ...\\
642  }
643
644 \vspace{1.5cm}
645
646  \LARGE
647  \bf
648  \color{blue}
649
650  \begin{center}
651  Continue\\
652  with\\
653  US LDA?
654  \end{center}
655
656 \vspace{1.5cm}
657
658 \end{slide}
659
660 \begin{slide}
661
662  {\large\bf
663   Final parameter choice
664  }
665
666  \footnotesize
667
668  \underline{Param 1}\\
669  My first choice. Used for more accurate calculations.
670  \begin{itemize}
671   \item $6\times 6 \times 6$ Monkhorst k-point mesh
672   \item $E_{\text{cut-off}}=650\text{ eV}$
673   \item Gaussian smearing ($\sigma=0.05$)
674   \item Use symmetry
675  \end{itemize}
676  \vspace*{0.2cm}
677  \underline{Param 2}\\
678  After talking to the pros! Used for 'large' simulations.
679  \begin{itemize}
680   \item $\Gamma$-point only
681   \item $E_{\text{cut-off}}=xyz\text{ eV}$
682   \item Gaussian smearing ($\sigma=0.05$)
683   \item Use symmetry
684   \item Real space projection (Auto, Medium)
685  \end{itemize}
686  \vspace*{0.2cm}
687  {\color{blue}
688   In both parameter sets the ultra soft pseudo potential method
689   as well as the projector augmented wave method is used!
690  }
691 \end{slide}
692
693 \begin{slide}
694
695  {\large\bf
696   Properties of Si, C and SiC using the new parameters\\
697  }
698
699  $2\times 2\times 2$ Type 2 supercell, Param 1\\[0.2cm]
700  \begin{tabular}{|l|l|l|l|}
701  \hline
702   & c-Si & c-C (diamond) & 3C-SiC \\
703  \hline
704  Lattice constant [\AA] & 5.389 & 3.527 &  \\
705  Expt. [\AA] & 5.429 & 3.567 & \\
706  Error [\%] & {\color{green}0.7} & 1.1 & \\
707  \hline
708  Cohesive energy [eV] & -4.674 & -8.812 &  \\
709  Expt. [eV] & -4.63 & -7.374 & \\
710  Error [\%] & {\color{green}1.0} & {\color{red}19.5} &  \\
711  \hline
712  \end{tabular}\\
713
714 \end{slide}
715
716 \begin{slide}
717
718  {\large\bf
719   C interstitial in c-Si
720  }
721
722  
723
724 \end{slide}
725
726 \end{document}
727