nvestigation of the mig path
[lectures/latex.git] / posic / talks / upb-ua-xc.tex
1 \pdfoutput=0
2 \documentclass[landscape,semhelv]{seminar}
3
4 \usepackage{verbatim}
5 \usepackage[greek,german]{babel}
6 \usepackage[latin1]{inputenc}
7 \usepackage[T1]{fontenc}
8 \usepackage{amsmath}
9 \usepackage{latexsym}
10 \usepackage{ae}
11
12 \usepackage{calc}               % Simple computations with LaTeX variables
13 \usepackage{caption}            % Improved captions
14 \usepackage{fancybox}           % To have several backgrounds
15
16 \usepackage{fancyhdr}           % Headers and footers definitions
17 \usepackage{fancyvrb}           % Fancy verbatim environments
18 \usepackage{pstricks}           % PSTricks with the standard color package
19
20 \usepackage{pstricks}
21 \usepackage{pst-node}
22
23 %\usepackage{epic}
24 %\usepackage{eepic}
25
26 \usepackage{graphicx}
27 \graphicspath{{../img/}}
28
29 \usepackage[setpagesize=false]{hyperref}
30
31 \usepackage{semcolor}
32 \usepackage{semlayer}           % Seminar overlays
33 \usepackage{slidesec}           % Seminar sections and list of slides
34
35 \input{seminar.bug}             % Official bugs corrections
36 \input{seminar.bg2}             % Unofficial bugs corrections
37
38 \articlemag{1}
39
40 \special{landscape}
41
42 % font
43 %\usepackage{cmbright}
44 %\renewcommand{\familydefault}{\sfdefault}
45 %\usepackage{mathptmx}
46
47 \usepackage{upgreek}
48
49 \usepackage{miller}
50
51 \begin{document}
52
53 \extraslideheight{10in}
54 \slideframe{none}
55
56 \pagestyle{empty}
57
58 % specify width and height
59 \slidewidth 27.7cm 
60 \slideheight 19.1cm 
61
62 % shift it into visual area properly
63 \def\slideleftmargin{3.3cm}
64 \def\slidetopmargin{0.6cm}
65
66 \newcommand{\ham}{\mathcal{H}}
67 \newcommand{\pot}{\mathcal{V}}
68 \newcommand{\foo}{\mathcal{U}}
69 \newcommand{\vir}{\mathcal{W}}
70
71 % itemize level ii
72 \renewcommand\labelitemii{{\color{gray}$\bullet$}}
73
74 % colors
75 \newrgbcolor{si-yellow}{.6 .6 0}
76 \newrgbcolor{hb}{0.75 0.77 0.89}
77 \newrgbcolor{lbb}{0.75 0.8 0.88}
78 \newrgbcolor{lachs}{1.0 .93 .81}
79
80 % topic
81
82 \begin{slide}
83 \begin{center}
84
85  \vspace{16pt}
86
87  {\LARGE\bf
88   Atomistic simulation study\\[0.2cm]
89   of the SiC precipitation in Si
90  }
91
92  \vspace{48pt}
93
94  \textsc{F. Zirkelbach}
95
96  \vspace{48pt}
97
98  For the exchange among Paderborn and Augsburg
99
100  \vspace{08pt}
101
102  July 2009
103
104 \end{center}
105 \end{slide}
106
107 % start of contents
108
109 \begin{slide}
110
111  {\large\bf
112   VASP parameters
113  }
114
115  \small
116  \begin{minipage}{6.5cm}
117  \begin{itemize}
118   \item Start from scratch
119   \item $V_{xc}$: US LDA (out of ./pot directory)
120   \item $k$-points: Monkhorst $4\times 4\times 4$
121   \item Ionic relaxation
122         \begin{itemize}
123          \item Conjugate gradient method
124          \item Scaling constant of 0.1 for forces
125          \item Default break condition ($0.1 \cdot 10^{-2}$ eV)
126          \item Maximum of 100 steps
127         \end{itemize}
128         {\color{blue} NVT}:
129         \begin{itemize}
130          \item No change in volume
131         \end{itemize}
132         {\color{red} NPT}:
133         \begin{itemize}
134          \item Change of cell volume and shape\\
135                allowed
136         \end{itemize}
137  \end{itemize}
138  \end{minipage}
139  \hspace*{0.5cm}
140  \begin{minipage}{6.0cm}
141 {\scriptsize\color{blue}
142  Example INCAR file (NVT):
143 }
144 \begin{verbatim}
145 System = C 100 interstitial in Si
146
147 ISTART = 0
148
149 NSW = 100
150 IBRION = 2
151 ISIF = 2
152 POTIM = 0.1
153 \end{verbatim}
154 {\scriptsize\color{red}
155  Example INCAR file (NPT):
156 }
157 \begin{verbatim}
158 System = C hexagonal interstitial in Si
159
160 ISTART = 0
161
162 NSW = 100
163 IBRION = 2
164 ISIF = 3
165 POTIM = 0.1
166 \end{verbatim}
167  \end{minipage}
168
169 \end{slide}
170
171 \begin{slide}
172
173  {\large\bf
174   Silicon bulk properties
175  }
176
177  \small
178
179  Simulations (NPT, $\textrm{EDIFFG}=0.1\cdot 10^{-3}$ eV):
180  \begin{enumerate}
181   \item Supercell: $x_1=(0,0.5,0.5),\, x_2=(0.5,0,0.5),\, x_3=(0.5,0.5,0)$;
182         2 atoms (1 {\bf p}rimitive {\bf c}ell)
183   \item Supercell: $x_1=(0.5,-0.5,0),\, x_2=(0.5,0.5,0),\, x_3=(0,0,1)$;
184         4 atoms (2 pc)
185   \item Supercell: $x_1=(1,0,0),\, x_2=(0,1,0),\, x_3=(0,0,1)$;
186         8 atoms (4 pc)
187   \item Supercell: $x_1=(2,0,0),\, x_2=(0,2,0),\, x_3=(0,0,2)$;
188         64 atoms (32 pc)
189  \end{enumerate}
190  \begin{minipage}{6cm}
191  Cohesive energy / Lattice constant:
192  \begin{enumerate}
193   \item $E_{\textrm{cut-off}}=150\, \textrm{eV}$: 5.955 eV / 5.378 \AA\\
194         $E_{\textrm{cut-off}}=300\, \textrm{eV}$: 5.975 eV / 5.387 \AA
195   \item $E_{\textrm{cut-off}}=150\, \textrm{eV}$: 5.989 eV / 5.356 \AA
196   \item $E_{\textrm{cut-off}}=150\, \textrm{eV}$: 5.955 eV / 5.380 \AA\\
197         $E_{\textrm{cut-off}}=200\, \textrm{eV}$: 5.972 eV / 5.388 \AA\\
198         $E_{\textrm{cut-off}}=250\, \textrm{eV}$: 5.975 eV / 5.389 \AA\\
199         $E_{\textrm{cut-off}}=300\, \textrm{eV}$: 5.975 eV / 5.389 \AA\\
200         $E_{\textrm{cut-off}}=300\, \textrm{eV}^{*}$: 5.975 eV / 5.390 \AA
201   \item $E_{\textrm{cut-off}}=300\, \textrm{eV}$: 5.977 eV / 5.389 \AA
202  \end{enumerate}
203  \end{minipage}
204  \begin{minipage}{7cm}
205  \includegraphics[width=7cm]{si_lc_and_ce.ps}
206  \end{minipage}\\[0.3cm]
207  {\scriptsize
208   $^*$special settings (p. 138, VASP manual):
209   spin polarization, no symmetry, ...
210  }
211  
212 \end{slide}
213
214 \begin{slide}
215
216  {\large\bf
217   Silicon bulk properties
218  }
219
220  \begin{itemize}
221   \item Calculation of cohesive energies for different lattice constants
222   \item No ionic update
223   \item Tetrahedron method with Blöchl corrections for
224         the partial occupancies $f(\{\epsilon_{n{\bf k}}\})$
225   \item Supercell 3 (8 atoms, 4 primitive cells)
226  \end{itemize}
227  \vspace*{0.6cm}
228  \begin{minipage}{6.5cm}
229  \begin{center}
230  $E_{\textrm{cut-off}}=150$ eV\\
231  \includegraphics[width=6.5cm]{si_lc_fit.ps}
232  \end{center}
233  \end{minipage}
234  \begin{minipage}{6.5cm}
235  \begin{center}
236  $E_{\textrm{cut-off}}=250$ eV\\
237  \includegraphics[width=6.5cm]{si_lc_fit_250.ps}
238  \end{center}
239  \end{minipage}
240
241 \end{slide}
242
243 \begin{slide}
244
245  {\large\bf
246   3C-SiC bulk properties\\[0.2cm]
247  }
248
249  \begin{minipage}{6.5cm}
250  \includegraphics[width=6.5cm]{sic_lc_and_ce2.ps}
251  \end{minipage}
252  \begin{minipage}{6.5cm}
253  \includegraphics[width=6.5cm]{sic_lc_and_ce.ps}
254  \end{minipage}\\[0.3cm]
255  \begin{itemize}
256   \item Supercell 3 (4 primitive cells, 4+4 atoms)
257   \item Error in equilibrium lattice constant: {\color{green} $0.9\,\%$}
258   \item Error in cohesive energy: {\color{red} $31.6\,\%$}
259  \end{itemize}
260  
261 \end{slide}
262
263 \begin{slide}
264
265  {\large\bf
266   3C-SiC bulk properties\\[0.2cm]
267  }
268
269  \small
270
271  \begin{itemize}
272   \item Calculation of cohesive energies for different lattice constants
273   \item No ionic update
274   \item Tetrahedron method with Blöchl corrections for
275         the partial occupancies $f(\{\epsilon_{n{\bf k}}\})$
276  \end{itemize}
277  \vspace*{0.6cm}
278  \begin{minipage}{6.5cm}
279  \begin{center}
280  Supercell 3, $4\times 4\times 4$ k-points\\
281  \includegraphics[width=6.5cm]{sic_lc_fit.ps}
282  \end{center}
283  \end{minipage}
284  \begin{minipage}{6.5cm}
285  \begin{center}
286  {\color{red}
287   Non-continuous energies\\
288   for $E_{\textrm{cut-off}}<1050\,\textrm{eV}$!\\
289  }
290  \vspace*{0.5cm}
291  {\footnotesize
292  Does this matter in structural optimizaton simulations?
293  \begin{itemize}
294   \item Derivative might be continuous
295   \item Similar lattice constants where derivative equals zero
296  \end{itemize}
297  }
298  \end{center}
299  \end{minipage}
300
301 \end{slide}
302
303 \begin{slide}
304
305  {\large\bf
306   3C-SiC bulk properties\\[0.2cm]
307  }
308
309  \footnotesize
310
311 \begin{picture}(0,0)(-188,80)
312  %Supercell 1, $3\times 3\times 3$ k-points\\
313  \includegraphics[width=6.5cm]{sic_lc_fit_k3.ps}
314 \end{picture}
315
316  \begin{minipage}{6.5cm}
317  \begin{itemize}
318   \item Supercell 1 simulations
319   \item Variation of k-points
320   \item Continuous energies for
321         $E_{\textrm{cut-off}} > 550\,\textrm{eV}$
322   \item Critical $E_{\textrm{cut-off}}$ for
323         different k-points\\
324         depending on supercell?
325  \end{itemize}
326  \end{minipage}\\[1.0cm]
327  \begin{minipage}{6.5cm}
328  \begin{center}
329  \includegraphics[width=6.5cm]{sic_lc_fit_k5.ps}
330  \end{center}
331  \end{minipage}
332  \begin{minipage}{6.5cm}
333  \begin{center}
334  \includegraphics[width=6.5cm]{sic_lc_fit_k7.ps}
335  \end{center}
336  \end{minipage}
337
338 \end{slide}
339
340 \begin{slide}
341
342  {\large\bf
343   Cohesive energies
344  }
345
346  {\bf\color{red} From now on ...}
347
348  {\small Energies used: free energy without entropy ($\sigma \rightarrow 0$)}
349
350  \small
351
352  \begin{itemize}
353   \item $E_{\textrm{free,sp}}$:
354         energy of spin polarized free atom
355         \begin{itemize}
356          \item $k$-points: Monkhorst $1\times 1\times 1$
357          \item Symmetry switched off
358          \item Spin polarized calculation
359          \item Interpolation formula according to Vosko Wilk and Nusair
360                for the correlation part of the exchange correlation functional
361          \item Gaussian smearing for the partial occupancies
362                $f(\{\epsilon_{n{\bf k}}\})$
363                ($\sigma=0.05$)
364          \item Magnetic mixing: AMIX = 0.2, BMIX = 0.0001
365          \item Supercell: one atom in cubic
366                $10\times 10\times 10$ \AA$^3$ box
367         \end{itemize}
368         {\color{blue}
369         $E_{\textrm{free,sp}}(\textrm{Si},{\color{green}250}\, \textrm{eV})=
370          -0.70036911\,\textrm{eV}$
371         }\\
372         {\color{blue}
373         $E_{\textrm{free,sp}}(\textrm{Si},{\color{red}650}\, \textrm{eV})=
374          -0.70021403\,\textrm{eV}$
375         },
376         {\color{gray}
377         $E_{\textrm{free,sp}}(\textrm{C},{\color{red}650}\, \textrm{eV})=
378          -1.3535731\,\textrm{eV}$
379         }
380   \item $E$:
381         energy (non-polarized) of system of interest composed of\\
382         n atoms of type N, m atoms of type M, \ldots
383  \end{itemize}
384  \vspace*{0.2cm}
385  {\color{red}
386  \[
387  \Rightarrow
388  E_{\textrm{coh}}=\frac{
389  -\Big(E(N_nM_m\ldots)-nE_{\textrm{free,sp}}(N)-mE_{\textrm{free,sp}}(M)
390  -\ldots\Big)}
391  {n+m+\ldots}
392  \]
393  }
394
395 \end{slide}
396
397 \begin{slide}
398
399  {\large\bf
400   Calculation of the defect formation energy\\
401  }
402
403  \small
404  
405  {\color{blue}Method 1} (single species)
406  \begin{itemize}
407   \item $E_{\textrm{coh}}^{\textrm{initial conf}}$:
408         cohesive energy per atom of the initial system
409   \item $E_{\textrm{coh}}^{\textrm{interstitial conf}}$:
410         cohesive energy per atom of the interstitial system
411   \item N: amount of atoms in the interstitial system
412  \end{itemize}
413  \vspace*{0.2cm}
414  {\color{blue}
415  \[
416  \Rightarrow
417  E_{\textrm{f}}=\Big(E_{\textrm{coh}}^{\textrm{interstitial conf}}
418                -E_{\textrm{coh}}^{\textrm{initial conf}}\Big) N
419  \]
420  }\\[0.4cm]
421  {\color{magenta}Method 2} (two and more species)
422  \begin{itemize}
423   \item $E$: energy of the interstitial system
424         (with respect to the ground state of the free atoms!)
425   \item $N_{\text{Si}}$, $N_{\text{C}}$:
426         amount of Si and C atoms
427   \item $\mu_{\text{Si}}$, $\mu_{\text{C}}$:
428         chemical potential (cohesive energy) of Si and C
429  \end{itemize}
430  \vspace*{0.2cm}
431  {\color{magenta}
432  \[
433  \Rightarrow
434  E_{\textrm{f}}=E-N_{\text{Si}}\mu_{\text{Si}}-N_{\text{C}}\mu_{\text{C}}
435  \]
436  }
437
438 \end{slide}
439
440 \begin{slide}
441
442  {\large\bf
443   Used types of supercells\\
444  }
445
446  \footnotesize
447
448  \begin{minipage}{4.3cm}
449   \includegraphics[width=4cm]{sc_type0.eps}\\[0.3cm]
450   \underline{Type 0}\\[0.2cm]
451   Basis: fcc\\
452   $x_1=(0.5,0.5,0)$\\
453   $x_2=(0,0.5,0.5)$\\
454   $x_3=(0.5,0,0.5)$\\
455   1 primitive cell / 2 atoms
456  \end{minipage}
457  \begin{minipage}{4.3cm}
458   \includegraphics[width=4cm]{sc_type1.eps}\\[0.3cm]
459   \underline{Type 1}\\[0.2cm]
460   Basis:\\
461   $x_1=(0.5,-0.5,0)$\\
462   $x_2=(0.5,0.5,0)$\\
463   $x_3=(0,0,1)$\\
464   2 primitive cells / 4 atoms
465  \end{minipage}
466  \begin{minipage}{4.3cm}
467   \includegraphics[width=4cm]{sc_type2.eps}\\[0.3cm]
468   \underline{Type 2}\\[0.2cm]
469   Basis: sc\\
470   $x_1=(1,0,0)$\\
471   $x_2=(0,1,0)$\\
472   $x_3=(0,0,1)$\\
473   4 primitive cells / 8 atoms
474  \end{minipage}\\[0.4cm]
475
476  {\bf\color{blue}
477  In the following these types of supercells are used and
478  are possibly scaled by integers in the different directions!
479  }
480
481 \end{slide}
482
483 \begin{slide}
484
485  {\large\bf
486   Silicon point defects\\
487  }
488
489  \small
490
491  Influence of supercell size\\
492  \begin{minipage}{8cm}
493  \includegraphics[width=7.0cm]{si_self_int.ps}
494  \end{minipage}
495  \begin{minipage}{5cm}
496  $E_{\textrm{f}}^{\hkl<1 1 0>,\,32\textrm{pc}}=3.38\textrm{ eV}$\\
497  $E_{\textrm{f}}^{\textrm{tet},\,32\textrm{pc}}=3.41\textrm{ eV}$\\
498  $E_{\textrm{f}}^{\textrm{hex},\,32\textrm{pc}}=3.42\textrm{ eV}$\\
499  $E_{\textrm{f}}^{\textrm{vac},\,32\textrm{pc}}=3.51\textrm{ eV}$\\\\
500  $E_{\textrm{f}}^{\textrm{hex},\,54\textrm{pc}}=3.42\textrm{ eV}$\\
501  $E_{\textrm{f}}^{\textrm{tet},\,54\textrm{pc}}=3.45\textrm{ eV}$\\
502  $E_{\textrm{f}}^{\textrm{vac},\,54\textrm{pc}}=3.47\textrm{ eV}$\\
503  $E_{\textrm{f}}^{\hkl<1 1 0>,\,54\textrm{pc}}=3.48\textrm{ eV}$
504  \end{minipage}
505
506  Comparison with literature (PRL 88 235501 (2002)):\\[0.2cm]
507  \begin{minipage}{8cm}
508  \begin{itemize}
509   \item GGA and LDA
510   \item $E_{\text{cut-off}}=35 / 25\text{ Ry}=476 / 340\text{ eV}$
511   \item 216 atom supercell
512   \item Gamma point only calculations
513  \end{itemize}
514  \end{minipage}
515  \begin{minipage}{5cm}
516  $E_{\textrm{f}}^{\hkl<1 1 0>}=3.31 / 2.88\textrm{ eV}$\\
517  $E_{\textrm{f}}^{\textrm{hex}}=3.31 / 2.87\textrm{ eV}$\\
518  $E_{\textrm{f}}^{\textrm{vac}}=3.17 / 3.56\textrm{ eV}$
519  \end{minipage}
520  
521
522 \end{slide}
523
524 \begin{slide}
525
526  {\large\bf
527   Questions so far ...\\
528  }
529
530  What configuration to chose for C in Si simulations?
531  \begin{itemize}
532   \item Switch to another method for the XC approximation (GGA, PAW)?
533   \item Reasonable cut-off energy
534   \item Switch off symmetry? (especially for defect simulations)
535   \item $k$-points
536         (Monkhorst? $\Gamma$-point only if cell is large enough?)
537   \item Switch to tetrahedron method or Gaussian smearing ($\sigma$?)
538   \item Size and type of supercell
539         \begin{itemize}
540          \item connected to choice of $k$-point mesh?
541          \item hence also connected to choice of smearing method?
542          \item constraints can only be applied to the lattice vectors!
543         \end{itemize}
544   \item Use of real space projection operators?
545   \item \ldots
546  \end{itemize}
547
548 \end{slide}
549
550 \begin{slide}
551
552  {\large\bf
553   Review (so far) ...\\
554  }
555
556  Smearing method for the partial occupancies $f(\{\epsilon_{n{\bf k}}\})$
557  and $k$-point mesh
558
559  \begin{minipage}{4.4cm}
560   \includegraphics[width=4.4cm]{sic_smear_k.ps}
561  \end{minipage}
562  \begin{minipage}{4.4cm}
563   \includegraphics[width=4.4cm]{c_smear_k.ps}
564  \end{minipage}
565  \begin{minipage}{4.3cm}
566   \includegraphics[width=4.4cm]{si_smear_k.ps}
567  \end{minipage}\\[0.3cm]
568  \begin{itemize}
569   \item Convergence reached at $6\times 6\times 6$ k-point mesh
570   \item No difference between Gauss ($\sigma=0.05$)
571         and tetrahedron smearing method!
572  \end{itemize}
573  \begin{center}
574  $\Downarrow$\\
575  {\color{blue}\bf
576    Gauss ($\sigma=0.05$) smearing
577    and $6\times 6\times 6$ Monkhorst $k$-point mesh used
578  }
579  \end{center}
580
581 \end{slide}
582
583 \begin{slide}
584
585  {\large\bf
586   Review (so far) ...\\
587  }
588
589  \underline{Symmetry (in defect simulations)}
590
591  \begin{center}
592  {\color{red}No}
593  difference in $1\times 1\times 1$ Type 2 defect calculations\\
594  $\Downarrow$\\
595  Symmetry precission (SYMPREC) small enough\\
596  $\Downarrow$\\
597  {\bf\color{blue}Symmetry switched on}\\
598  \end{center}
599
600  \underline{Real space projection}
601
602  \begin{center}
603  Error in lattice constant of plain Si ($1\times 1\times 1$ Type 2):
604  $0.025\,\%$\\
605  Error in position of the \hkl<1 1 0> interstitital in Si
606  ($1\times 1\times 1$ Type 2):
607  $0.026\,\%$\\
608  $\Downarrow$\\
609  {\bf\color{blue}
610   Real space projection used for 'large supercell' simulations}
611  \end{center}
612
613 \end{slide}
614
615 \begin{slide}
616
617  {\large\bf
618   Review (so far) ...
619  }
620
621  Energy cut-off\\
622
623  \begin{center}
624
625  {\small
626  3C-SiC equilibrium lattice constant and free energy\\ 
627  \includegraphics[width=7cm]{plain_sic_lc.ps}\\
628  $\rightarrow$ Convergence reached at 650 eV\\[0.2cm]
629  }
630
631  $\Downarrow$\\
632
633  {\bf\color{blue}
634   650 eV used as energy cut-off
635  }
636
637  \end{center}
638
639 \end{slide}
640
641 \begin{slide}
642
643  {\large\bf
644   Not answered (so far) ...\\
645  }
646
647 \vspace{1.5cm}
648
649  \LARGE
650  \bf
651  \color{blue}
652
653  \begin{center}
654  Continue\\
655  with\\
656  US LDA?
657  \end{center}
658
659 \vspace{1.5cm}
660
661 \end{slide}
662
663 \begin{slide}
664
665  {\large\bf
666   Final parameter choice
667  }
668
669  \footnotesize
670
671  \underline{Param 1}\\
672  My first choice. Used for more accurate calculations.
673  \begin{itemize}
674   \item $6\times 6 \times 6$ Monkhorst k-point mesh
675   \item $E_{\text{cut-off}}=650\text{ eV}$
676   \item Gaussian smearing ($\sigma=0.05$)
677   \item Use symmetry
678  \end{itemize}
679  \vspace*{0.2cm}
680  \underline{Param 2}\\
681  After talking to the pros!
682  \begin{itemize}
683   \item $\Gamma$-point only
684   \item $E_{\text{cut-off}}=xyz\text{ eV}$
685   \item Gaussian smearing ($\sigma=0.05$)
686   \item Use symmetry
687   \item Real space projection (Auto, Medium) for 'large' simulations
688  \end{itemize}
689  \vspace*{0.2cm}
690  {\color{blue}
691   In both parameter sets the ultra soft pseudo potential method
692   as well as the projector augmented wave method is used with both,
693   the LDA and GGA exchange correlation potential!
694  }
695 \end{slide}
696
697 \begin{slide}
698
699  \footnotesize
700
701  {\large\bf
702   Properties of Si, C and SiC using the new parameters\\
703  }
704
705  $2\times 2\times 2$ Type 2 supercell, Param 1, LDA, US PP\\[0.2cm]
706  \begin{tabular}{|l|l|l|l|}
707  \hline
708   & c-Si & c-C (diamond) & 3C-SiC \\
709  \hline
710  Lattice constant [\AA] & 5.389 & 3.527 & 4.319 \\
711  Expt. [\AA] & 5.429 & 3.567 & 4.359 \\
712  Error [\%] & {\color{green}0.7} & {\color{green}1.1} & {\color{green}0.9} \\
713  \hline
714  Cohesive energy [eV] & -5.277 & -8.812 & -7.318 \\
715  Expt. [eV] & -4.63 & -7.374 & -6.340 \\
716  Error [\%] & {\color{red}14.0} & {\color{red}19.5} & {\color{red}15.4} \\
717  \hline
718  \end{tabular}\\
719
720  \begin{minipage}{10cm}
721  $2\times 2\times 2$ Type 2 supercell, 3C-SiC, Param 1\\[0.2cm]
722  \begin{tabular}{|l|l|l|l|}
723  \hline
724   & {\color{magenta}US PP, GGA} & PAW, LDA & PAW, GGA \\
725  \hline
726  Lattice constant [\AA] & 4.370 & 4.330 & 4.379 \\
727  Error [\%] & {\color{green}0.3} & {\color{green}0.7} & {\color{green}0.5} \\
728  \hline
729  Cohesive energy [eV] & -6.426 & -7.371 & -6.491 \\
730  Error [\%] & {\color{green}1.4} & {\color{red}16.3} & {\color{green}2.4} \\
731  \hline
732  \end{tabular}
733  \end{minipage}
734  \begin{minipage}{3cm}
735  US PP, GGA\\[0.2cm]
736  \begin{tabular}{|l|l|}
737  \hline
738  c-Si & c-C \\
739  \hline
740  5.455 & 3.567 \\
741  {\color{green}0.5} & {\color{green}0.01} \\
742  \hline
743  -4.591 & -7.703 \\
744  {\color{green}0.8} & {\color{orange}4.5} \\
745  \hline
746  \end{tabular}
747  \end{minipage}
748
749 \end{slide}
750
751 \begin{slide}
752
753  {\large\bf\boldmath
754   Energy cut-off for $\Gamma$-point only caclulations
755  }
756
757  $2\times 2\times 2$ Type 2 supercell, Param 2, US PP, LDA, 3C-SiC\\[0.2cm]
758  \includegraphics[width=5.5cm]{sic_32pc_gamma_cutoff.ps}
759  \includegraphics[width=5.5cm]{sic_32pc_gamma_cutoff_lc.ps}\\
760  $\Rightarrow$ Use 300 eV as energy cut-off?\\[0.2cm]
761  $2\times 2\times 2$ Type 2 supercell, Param 2, 300 eV, US PP, GGA\\[0.2cm]
762  \small
763  \begin{minipage}{10cm}
764  \begin{tabular}{|l|l|l|l|}
765  \hline
766   & c-Si & c-C (diamond) & 3C-SiC \\
767  \hline
768  Lattice constant [\AA] & 5.470 & 3.569 & 4.364 \\
769  Error [\%] & {\color{green}0.8} & {\color{green}0.1} & {\color{green}0.1} \\
770  \hline
771  Cohesive energy [eV] & -4.488 & -7.612 & -6.359 \\
772  Error [\%] & {\color{orange}3.1} & {\color{orange}3.2} & {\color{green}0.3} \\
773  \hline
774  \end{tabular}
775  \end{minipage}
776  \begin{minipage}{2cm}
777  {\LARGE
778   ${\color{green}\surd}$
779  }
780  \end{minipage}
781
782 \end{slide}
783
784 \begin{slide}
785
786  {\large\bf\boldmath
787   C \hkl<1 0 0> interstitial migration along \hkl<1 1 0>
788   in c-Si (Albe)
789  }
790
791  \small
792
793  \begin{minipage}[t]{4.2cm}
794  \underline{Starting configuration}\\
795  \includegraphics[width=4cm]{c_100_mig/start.eps}
796  \end{minipage}
797  \begin{minipage}[t]{4.0cm}
798  \vspace*{0.8cm}
799  $\Delta x=\frac{1}{4}a_{\text{Si}}=1.357\text{ \AA}$\\
800  $\Delta y=\frac{1}{4}a_{\text{Si}}=1.357\text{ \AA}$\\
801  $\Delta z=0.325\text{ \AA}$\\
802  \end{minipage}
803  \begin{minipage}[t]{4.2cm}
804  \underline{{\bf Expected} final configuration}\\
805  \includegraphics[width=4cm]{c_100_mig/final.eps}\\
806  \end{minipage}
807  \begin{minipage}{6cm}
808  \begin{itemize}
809   \item Fix border atoms of the simulation cell
810   \item Constraints and displacement of the C atom:
811         \begin{itemize}
812          \item along {\color{green}\hkl<1 1 0> direction}\\
813                displaced by {\color{green} $\frac{1}{10}(\Delta x,\Delta y)$}
814          \item C atom {\color{red}entirely fixed in position}\\
815                displaced by
816                {\color{red}$\frac{1}{10}(\Delta x,\Delta y,\Delta z)$}
817         \end{itemize}
818   \item Berendsen thermostat applied
819  \end{itemize}
820  {\bf\color{blue}Expected configuration not obtained!}
821  \end{minipage}
822  \begin{minipage}{0.5cm}
823  \hfill
824  \end{minipage}
825  \begin{minipage}{6cm}
826  \includegraphics[width=6.0cm]{c_100_110mig_01_albe.ps}
827  \end{minipage}
828
829 \end{slide}
830
831 \begin{slide}
832
833  {\large\bf\boldmath
834   C \hkl<1 0 0> interstitial migration along \hkl<1 1 0>
835   in c-Si (Albe)
836  }
837
838  \footnotesize
839
840  \begin{minipage}{3.2cm}
841  \includegraphics[width=3cm]{c_100_mig/fixmig_50.eps}
842  \begin{center}
843  50 \% 
844  \end{center}
845  \end{minipage}
846  \begin{minipage}{3.2cm}
847  \includegraphics[width=3cm]{c_100_mig/fixmig_80.eps}
848  \begin{center}
849  80 \% 
850  \end{center}
851  \end{minipage}
852  \begin{minipage}{3.2cm}
853  \includegraphics[width=3cm]{c_100_mig/fixmig_90.eps}
854  \begin{center}
855  90 \% 
856  \end{center}
857  \end{minipage}
858  \begin{minipage}{3.2cm}
859  \includegraphics[width=3cm]{c_100_mig/fixmig_99.eps}
860  \begin{center}
861  100 \% 
862  \end{center}
863  \end{minipage}
864
865  Open questions ...
866  \begin{enumerate}
867   \item Why is the expected configuration not obtained?
868   \item How to find a migration path preceding to the expected configuration?
869  \end{enumerate}
870
871  Answers ...
872  \begin{enumerate}
873   \item Simple: it is not the right migration path!
874         \begin{itemize}
875          \item (Surrounding) atoms settle into a local minimum configuration
876          \item A possibly existing more favorable configuration is not achieved
877         \end{itemize}
878   \item \begin{itemize}
879          \item Search global minimum in each step (by simulated annealing)\\
880                {\color{red}But:}
881                Loss of the correct energy needed for migration
882          \item Smaller displacements\\
883                A more favorable configuration might be achieved
884                possibly preceding to the expected configuration
885         \end{itemize}
886  \end{enumerate}
887  
888
889 \end{slide}
890
891 \begin{slide}
892
893  {\large\bf\boldmath
894   C \hkl<1 0 0> interstitial migration along \hkl<1 1 0>
895   in c-Si (Albe)\\
896  }
897
898  Displacement step size decreased to
899  $\frac{1}{100} (\Delta x,\Delta y)$\\[0.2cm]
900
901  \begin{minipage}{7.5cm}
902  Result: (Video \href{../video/c_in_si_smig_albe.avi}{$\rhd_{\text{local}}$ } $|$
903  \href{http://www.physik.uni-augsburg.de/~zirkelfr/download/posic/c_in_si_smig_albe.avi}{$\rhd_{\text{remote url}}$})
904  \begin{itemize}
905   \item Expected final configuration not obtained
906   \item Bonds to neighboured silicon atoms persist
907   \item C and neighboured Si atoms move along the direction of displacement
908   \item Even the bond to the lower left silicon atom persists
909  \end{itemize}
910  {\color{red}
911   Obviously: overestimated bond strength
912  }
913  \end{minipage}
914  \begin{minipage}{5cm}
915   \includegraphics[width=6cm]{c_100_110smig_01_albe.ps}
916  \end{minipage}\\[0.4cm]
917  New approach to find the migration path:\\
918  {\color{blue}
919  Place interstitial carbon atom at the respective coordinates
920  into a perfect c-Si matrix!
921  }
922
923 \end{slide}
924
925 \begin{slide}
926
927  {\large\bf\boldmath
928   C \hkl<1 0 0> interstitial migration along \hkl<1 1 0>
929   in c-Si (Albe)
930  }
931
932  {\color{blue}New approach:}\\
933  Place interstitial carbon atom at the respective coordinates
934  into a perfect c-Si matrix!\\
935  {\color{blue}Problem:}\\
936  Too high forces due to the small distance of the C atom to the Si
937  atom sharing the lattice site.\\
938  {\color{blue}Solution:}
939  \begin{itemize}
940   \item {\color{red}Slightly displace the Si atom}
941   (Video \href{../video/c_in_si_pmig_albe.avi}{$\rhd_{\text{local}}$ } $|$
942   \href{http://www.physik.uni-augsburg.de/~zirkelfr/download/posic/c_in_si_pmig_albe.avi}{$\rhd_{\text{remote url}}$})
943   \item {\color{green}Immediately quench the system}
944   (Video \href{../video/c_in_si_pqmig_albe.avi}{$\rhd_{\text{local}}$ } $|$
945   \href{http://www.physik.uni-augsburg.de/~zirkelfr/download/posic/c_in_si_pqmig_albe.avi}{$\rhd_{\text{remote url}}$})
946  \end{itemize}
947
948  \begin{minipage}{6.5cm}
949  \includegraphics[width=6cm]{c_100_110pqmig_01_albe.ps}
950  \end{minipage}
951  \begin{minipage}{6cm}
952  \begin{itemize}
953   \item Jump in energy corresponds to the abrupt
954         structural change (as seen in the videos)
955   \item Due to the abrupt changes in structure and energy
956         this is {\color{red}not} the correct migration path and energy!?!
957  \end{itemize}
958  \end{minipage}
959
960 \end{slide}
961
962 \begin{slide}
963
964  {\large\bf\boldmath
965   C \hkl<1 0 0> interstitial migration along \hkl<1 1 0> in c-Si (VASP)
966  }
967
968  \small
969
970  {\color{blue}Method:}
971  \begin{itemize}
972   \item Place interstitial carbon atom at the respective coordinates
973         into perfect c-Si
974   \item \hkl<1 1 0> direction fixed for the C atom
975   \item $4\times 4\times 3$ Type 1, $198+1$ atoms
976   \item Atoms with $x=0$ or $y=0$ or $z=0$ fixed
977  \end{itemize}
978  {\color{blue}Results:}
979  (Video \href{../video/c_in_si_pmig_vasp.avi}{$\rhd_{\text{local}}$ } $|$
980  \href{http://www.physik.uni-augsburg.de/~zirkelfr/download/posic/c_in_si_pmig_vasp.avi}{$\rhd_{\text{remote url}}$})\\
981  \begin{minipage}{7cm}
982  \includegraphics[width=7cm]{c_100_110pmig_01_vasp.ps} 
983  \end{minipage}
984  \begin{minipage}{5.5cm}
985  \begin{itemize}
986   \item Characteristics nearly equal to classical calulations
987   \item Approximately half of the classical energy
988         needed for migration
989  \end{itemize}
990  \end{minipage}
991
992 \end{slide}
993
994 \begin{slide}
995
996  {\large\bf\boldmath
997   C \hkl<1 0 0> interstitial migration along \hkl<1 1 0> in c-Si (VASP)
998  }
999
1000  \small
1001
1002  {\color{blue}Method:}
1003  \begin{itemize}
1004   \item Continue with atomic positions of the last run
1005   \item Displace the C atom in \hkl<1 1 0> direction
1006   \item \hkl<1 1 0> direction fixed for the C atom
1007   \item $4\times 4\times 3$ Type 1, $198+1$ atoms
1008   \item Atoms with $x=0$ or $y=0$ or $z=0$ fixed
1009  \end{itemize}
1010  {\color{blue}Results:}
1011  (Video \href{../video/c_in_si_smig_vasp.avi}{$\rhd_{\text{local}}$ } $|$
1012  \href{http://www.physik.uni-augsburg.de/~zirkelfr/download/posic/c_in_si_smig_vasp.avi}{$\rhd_{\text{remote url}}$})\\
1013  \includegraphics[width=7cm]{c_100_110mig_01_vasp.ps} 
1014
1015 \end{slide}
1016
1017 \begin{slide}
1018
1019  {\large\bf\boldmath
1020   Again: C \hkl<1 0 0> interstitial migration
1021  }
1022
1023  \small
1024
1025  {\color{blue}The applied methods:}
1026  \begin{enumerate}
1027   \item Method
1028         \begin{itemize}
1029           \item Start in relaxed \hkl<1 0 0> interstitial configuration
1030           \item Displace C atom along \hkl<1 1 0> direction
1031           \item Relaxation (Berendsen thermostat)
1032           \item Continue with configuration of the last run
1033         \end{itemize} 
1034   \item Method
1035         \begin{itemize}
1036           \item Place interstitial carbon at the respective coordinates
1037                 into the perfect Si matrix
1038           \item Quench the system
1039         \end{itemize} 
1040  \end{enumerate}
1041  {\color{blue}In both methods:}
1042  \begin{itemize} 
1043   \item Fixed border atoms
1044   \item Applied \hkl<1 1 0> constraint for the C atom
1045  \end{itemize}
1046  {\color{red}Pitfalls} and {\color{green}refinements}:
1047  \begin{itemize}
1048   \item {\color{red}Fixed border atoms} $\rightarrow$
1049         Relaxation of stress not possible\\
1050         $\Rightarrow$
1051         {\color{green}Fix only one Si atom} (the one furthermost to the defect)
1052   \item {\color{red}\hkl<1 1 0> constraint not sufficient}\\
1053         $\Rightarrow$ {\color{green}Apply 11x constraint}
1054         (connecting line of initial and final C positions)
1055  \end{itemize}
1056
1057 \end{slide}
1058
1059 \begin{slide}
1060
1061  {\large\bf\boldmath
1062   Again: C \hkl<1 0 0> interstitial migration (Albe)
1063  }
1064
1065  Constraint applied by modifying the Velocity Verlet algorithm
1066
1067  {\color{blue}Results:}
1068  (Video \href{../video/c_in_si_fmig_albe.avi}{$\rhd_{\text{local}}$ } $|$
1069  \href{http://www.physik.uni-augsburg.de/~zirkelfr/download/posic/c_in_si_fmig_albe.avi}{$\rhd_{\text{remote url}}$})\\
1070  \begin{minipage}{6.3cm}
1071  \includegraphics[width=6cm]{c_100_110fmig_01_albe.ps}
1072  \end{minipage}
1073  \begin{minipage}{6cm}
1074  \begin{center}
1075   Again there are jumps in energy corresponding to abrupt
1076   structural changes as seen in the video
1077  \end{center}
1078  \end{minipage}
1079  \begin{itemize}
1080   \item Expected final configuration not obtained
1081   \item Bonds to neighboured silicon atoms persist
1082   \item C and neighboured Si atoms move along the direction of displacement
1083   \item Even the bond to the lower left silicon atom persists
1084  \end{itemize}
1085
1086 \end{slide}
1087
1088 \begin{slide}
1089
1090  {\large\bf\boldmath
1091   Again: C \hkl<1 0 0> interstitial migration (VASP)
1092  }
1093
1094  Transformation for the Type 2 supercell
1095
1096  \small
1097
1098  \begin{minipage}[t]{4.2cm}
1099  \underline{Starting configuration}\\
1100  \includegraphics[width=3cm]{c_100_mig_vasp/start.eps}
1101  \end{minipage}
1102  \begin{minipage}[t]{4.0cm}
1103  \vspace*{1.0cm}
1104  $\Delta x=1.367\text{ \AA}$\\
1105  $\Delta y=1.367\text{ \AA}$\\
1106  $\Delta z=0.787\text{ \AA}$\\
1107  \end{minipage}
1108  \begin{minipage}[t]{4.2cm}
1109  \underline{{\bf Expected} final configuration}\\
1110  \includegraphics[width=3cm]{c_100_mig_vasp/final.eps}\\
1111  \end{minipage}
1112  \begin{minipage}{6.2cm}
1113  Rotation angles:
1114  \[
1115  \alpha=45^{\circ}
1116  \textrm{ , }
1117  \beta=\arctan\frac{\Delta z}{\sqrt{2}\Delta x}=22.165^{\circ}
1118  \]
1119  \end{minipage}
1120  \begin{minipage}{6.2cm}
1121  Length of migration path:
1122  \[
1123  l=\sqrt{\Delta x^2+\Delta y^2+\Delta z^2}=2.087\text{ \AA}
1124  \]
1125  \end{minipage}\\[0.3cm]
1126  Transformation of basis:
1127  \[
1128  T=ABA^{-1}A=AB \textrm{, mit }
1129  A=\left(\begin{array}{ccc}
1130  \cos\alpha & -\sin\alpha & 0\\
1131  \sin\alpha & \cos\alpha & 0\\
1132  0 & 0 & 1
1133  \end{array}\right)
1134  \textrm{, }
1135  B=\left(\begin{array}{ccc}
1136  1 & 0 & 0\\
1137  0 & \cos\beta & \sin\beta \\
1138  0 & -\sin\beta & \cos\beta
1139  \end{array}\right)
1140  \]
1141  Atom coordinates transformed by: $T^{-1}=B^{-1}A^{-1}$
1142
1143 \end{slide}
1144
1145 \begin{slide}
1146
1147  {\large\bf\boldmath
1148   Again: C \hkl<1 0 0> interstitial migration\\
1149  }
1150
1151  {\color{blue}Reminder:}\\
1152  Transformation needed since in VASP constraints can only be applied to
1153  the basis vectors!\\
1154  {\color{red}Problem:} (stupid me!)\\
1155  Transformation of supercell 'destroys' the correct periodicity!\\
1156  {\color{green}Solution:}\\
1157  Find a supercell with one basis vector forming the correct constraint\\
1158  {\color{red}Problem:}\\
1159  Hard to find a supercell for the $22.165^{\circ}$ rotation\\
1160
1161  Another method to {\color{blue}\underline{estimate}} the migration energy:
1162  \begin{itemize}
1163   \item Assume an intermediate saddle point configuration during migration
1164   \item Determine the energy of the saddle point configuration
1165   \item Substract the saddle point configuration energy by
1166         the energy of the initial (final) defect configuration
1167  \end{itemize}
1168  
1169
1170 \end{slide}
1171
1172 \begin{slide}
1173
1174  {\large\bf\boldmath
1175   The C \hkl<1 0 0> defect configuration
1176  }
1177
1178  Needed so often for input configurations ...\\[0.8cm]
1179  \begin{minipage}{7.0cm}
1180  \includegraphics[width=6.5cm]{100-c-si-db_light.eps}\\
1181  Qualitative {\color{red}and} quantitative {\color{red}difference}!
1182  \end{minipage}
1183  \begin{minipage}{5.5cm}
1184  \scriptsize
1185  \begin{center}
1186  \begin{tabular}{|l|l|l|}
1187  \hline
1188   & a & b \\
1189  \hline
1190  \underline{VASP} & & \\
1191  fractional & 0.1969 & 0.1211 \\
1192  in \AA & 1.08 & 0.66 \\
1193  \hline
1194  \underline{Albe} & & \\
1195  fractional & 0.1547 & 0.1676 \\
1196  in \AA & 0.84 & 0.91 \\
1197  \hline
1198  \end{tabular}\\[0.2cm]
1199  {\scriptsize\underline{PC (Vasp)}}
1200  \includegraphics[width=6.1cm]{c_100_pc_vasp.ps}
1201  \end{center}
1202  \end{minipage}
1203
1204
1205 \end{slide}
1206
1207 \begin{slide}
1208
1209  {\large\bf\boldmath
1210   Again: C \hkl<1 0 0> interstitial migration (VASP)
1211  }
1212
1213  $\hkl<0 0 -1> \rightarrow \hkl<0 0 1>$ migration
1214  ($3\times 3\times 3$ Type 2):
1215
1216  \small
1217
1218  \begin{minipage}[t]{4.1cm}
1219  \underline{Starting configuration}\\
1220  \includegraphics[height=3.2cm]{c_100_mig_vasp/start.eps}
1221  \begin{center}
1222  $E_{\text{f}}=3.15 \text{ eV}$
1223  \end{center}
1224  \end{minipage}
1225  \begin{minipage}[t]{4.1cm}
1226  \underline{Intermediate configuration}\\
1227  \includegraphics[height=3.2cm]{c_100_mig_vasp/00-1_001_im.eps}
1228  \begin{center}
1229  $E_{\text{f}}=4.41 \text{ eV}$
1230  \end{center}
1231  \end{minipage}
1232  \begin{minipage}[t]{4.1cm}
1233  \underline{Final configuration}\\
1234  \includegraphics[height=3.2cm]{c_100_mig_vasp/final.eps}
1235  \begin{center}
1236  $E_{\text{f}}=3.17 \text{ eV}$
1237  \end{center}
1238  \end{minipage}\\[0.4cm]
1239  \[
1240  \Rightarrow \Delta E_{\text{f}} = E_{\text{mig}} = 1.26 \text{ eV}
1241  \]
1242
1243  Unexpected \& ({\color{red}more} or {\color{orange}less}) fatal:
1244  \begin{itemize}
1245   \renewcommand\labelitemi{{\color{orange}$\bullet$}}
1246   \item Difference in formation energy (0.02 eV)
1247         of the initial and final configuration
1248   \renewcommand\labelitemi{{\color{red}$\bullet$}}
1249   \item Huge discrepancy (0.3 - 0.4 eV) to the migration barrier
1250         of Type 1 (198+1 atoms) calculations
1251   \renewcommand\labelitemi{{\color{black}$\bullet$}}
1252  \end{itemize}
1253  
1254 \end{slide}
1255
1256 \begin{slide}
1257
1258  {\large\bf\boldmath
1259   Again: C \hkl<1 0 0> interstitial migration (VASP)
1260  }
1261
1262  $\hkl<0 0 -1> \rightarrow \hkl<0 -1 0>$ migration
1263  ($3\times 3\times 3$ Type 2):
1264
1265  \small
1266
1267  \begin{minipage}[t]{4.1cm}
1268  \underline{Starting configuration}\\
1269  \includegraphics[height=3.2cm]{c_100_mig_vasp/start.eps}
1270  \begin{center}
1271  $E_{\text{f}}=3.154 \text{ eV}$
1272  \end{center}
1273  \end{minipage}
1274  \begin{minipage}[t]{4.1cm}
1275  \underline{Intermediate configuration}\\
1276  in progress ...
1277  \begin{center}
1278  $E_{\text{f}}=?.?? \text{ eV}$
1279  \end{center}
1280  \end{minipage}
1281  \begin{minipage}[t]{4.1cm}
1282  \underline{Final configuration}\\
1283  \includegraphics[height=3.2cm]{c_100_mig_vasp/0-10.eps}
1284  \begin{center}
1285  $E_{\text{f}}=3.157 \text{ eV}$
1286  \end{center}
1287  \end{minipage}\\[0.4cm]
1288  \[
1289  \Rightarrow \Delta E_{\text{f}} = E_{\text{mig}} = ?.?? \text{ eV}
1290  \]
1291
1292  \vspace*{0.5cm}
1293  {\large\bf
1294  Intermediate configuration {\color{red}not found} by now!
1295  }
1296  
1297 \end{slide}
1298
1299 \begin{slide}
1300
1301  {\large\bf\boldmath
1302   C in Si interstitial configurations (VASP)
1303  }
1304
1305  Check of Kohn-Sham eigenvalues\\
1306
1307  \small
1308
1309  \begin{minipage}{6cm}
1310  \hkl<1 0 0> interstitial\\
1311  \end{minipage}
1312  \begin{minipage}{6cm}
1313  Saddle point configuration\\
1314  \end{minipage}
1315  \underline{$4\times 4\times 3$ Type 1 - fixed border atoms}\\
1316  \begin{minipage}{6cm}
1317 385:      4.8567  -   2.00000\\
1318 386:      4.9510  -   2.00000\\
1319 387:      5.3437  -   0.00000\\
1320 388:      5.4930  -   0.00000
1321  \end{minipage}
1322  \begin{minipage}{6cm}
1323 385:      4.8694  -   2.00000\\
1324 386: {\color{red}4.9917}  -   1.92603\\
1325 387: {\color{red}5.1181}  -   0.07397\\
1326 388:      5.4541  -   0.00000
1327  \end{minipage}\\[0.2cm]
1328  \underline{$4\times 4\times 3$ Type 1 - no constraints}\\
1329  \begin{minipage}{6cm}
1330 385:      4.8586   -  2.00000\\
1331 386:      4.9458   -  2.00000\\
1332 387:      5.3358   -  0.00000\\
1333 388:      5.4915   -  0.00000
1334  \end{minipage}
1335  \begin{minipage}{6cm}
1336 385:      4.8693   -  2.00000\\
1337 386: {\color{red}4.9879}   -  1.92065\\
1338 387: {\color{red}5.1120}   -  0.07935\\
1339 388:      5.4544   -  0.00000
1340  \end{minipage}\\[0.2cm]
1341  \underline{$3\times 3\times 3$ Type 2 - no constraints}\\
1342  \begin{minipage}{6cm}
1343 433:       4.8054  -   2.00000\\
1344 434:       4.9027  -   2.00000\\
1345 435:       5.2543  -   0.00000\\
1346 436:       5.5718  -   0.00000
1347  \end{minipage}
1348  \begin{minipage}{6cm}
1349 433:       4.8160  -   2.00000\\
1350 434: {\color{green}5.0109}  -   1.00264\\
1351 435: {\color{green}5.0111}  -   0.99736\\
1352 436:       5.5364  -   0.00000
1353  \end{minipage}
1354
1355 \end{slide}
1356
1357 \begin{slide}
1358
1359  {\large\bf\boldmath
1360   Once again: C \hkl<1 0 0> interstitial migration (VASP)
1361  }
1362
1363  Method:
1364  \begin{itemize}
1365   \item Start in fully relaxed (assumed) saddle point configuration
1366   \item Move towards \hkl<1 0 0> configuration using updated values
1367         for $\Delta x$, $\Delta y$ and $\Delta z$
1368   \item \hkl<1 1 0> constraints applied, 1 Si atom fixed
1369   \item $4\times 4\times 3$ Type 1 supercell
1370  \end{itemize}
1371
1372  Results:
1373
1374  \begin{minipage}{6.2cm}
1375  \includegraphics[width=6.0cm]{c_100_110sp-i_vasp.ps}
1376  \end{minipage}
1377  \begin{minipage}{6.2cm}
1378  \includegraphics[width=6.0cm]{c_100_110sp-i_rc_vasp.ps}
1379  \end{minipage}
1380
1381  Reaction coordinate:
1382  $r_{i+1}=r_i+\sum_{\text{atoms j}} \left| r_{j,i+1}-r_{j,i} \right|$
1383
1384 \end{slide}
1385
1386 \begin{slide}
1387
1388  {\large\bf\boldmath
1389   Investigation of the migration path along \hkl<1 1 0> (VASP)
1390  }
1391
1392  \small
1393
1394  \underline{Minimum:}\\
1395  \begin{minipage}{4cm}
1396    \includegraphics[width=3.5cm]{c_100_mig_vasp/110_c-si_split.eps}
1397  \end{minipage}
1398  \begin{minipage}{8cm}
1399    \begin{itemize}
1400     \item Starting conf: 35 \% displacement results
1401     \item \hkl<1 1 0> constraint disabled
1402    \end{itemize}
1403    \begin{center}
1404    $\Downarrow$
1405    \end{center}
1406    \begin{itemize}
1407     \item C-Si \hkl<1 1 0> split interstitial
1408     \item Stable configuration
1409     \item $E_{\text{f}}=4.13\text{ eV}$
1410    \end{itemize}
1411  \end{minipage}\\[0.1cm]
1412
1413  \underline{Maximum:}\\
1414  \begin{minipage}{6cm}
1415    \begin{center}
1416    \includegraphics[width=2.3cm]{c_100_mig_vasp/100-110_01.eps}
1417    \includegraphics[width=2.3cm]{c_100_mig_vasp/100-110_02.eps}\\
1418    20 \% $\rightarrow$ 25 \%\\
1419    Breaking of Si-C bond
1420    \end{center}
1421  \end{minipage}
1422  \begin{minipage}{6cm}
1423   \includegraphics[width=6.2cm]{c_100_110sp-i_upd_vasp.ps}
1424  \end{minipage}
1425
1426 \end{slide}
1427
1428 \begin{slide}
1429
1430  {\large\bf
1431   Molecular dynamics simulations (VASP)
1432  }
1433
1434  2 C atoms in $2\times 2\times 2$ Type 2 supercell at $450\,^{\circ}\text{C}$
1435
1436  \small
1437
1438  \begin{minipage}{7.6cm}
1439  Radial distribution\\
1440  \includegraphics[width=7.6cm]{md_02c_2222si_pc.ps}
1441  \end{minipage}
1442  \begin{minipage}{5.0cm}
1443  \begin{center}
1444  PC average from\\
1445  $t_1=50$ ps to $t_2=50.93$ ps
1446  \end{center}
1447  \end{minipage}
1448  Diffusion:
1449  \begin{itemize}
1450   \item $<(x(t)-x(0))^2>$ hard to determine due to missing info of
1451         boundary crossings
1452   \item No jumps recognized in the
1453  Video \href{../video/md_02c_2222si_vasp.avi}{$\rhd_{\text{local}}$ } $|$
1454  \href{http://www.physik.uni-augsburg.de/~zirkelfr/download/posic/md_02c_2222si_vasp.avi}{$\rhd_{\text{remote url}}$}
1455  \end{itemize}
1456
1457 \end{slide}
1458
1459 \begin{slide}
1460
1461  {\large\bf
1462   Molecular dynamics simulations (VASP)
1463  }
1464
1465  10 C atoms in $3\times 3\times 3$ Type 2 supercell at $450\,^{\circ}\text{C}$
1466
1467  \small
1468
1469  \begin{minipage}{7.2cm}
1470  Radial distribution (PC averaged over 1 ps)\\
1471  \includegraphics[width=7.0cm]{md_10c_2333si_pc_vasp.ps}
1472  \end{minipage}
1473  \begin{minipage}{5.0cm}
1474  \includegraphics[width=6.0cm]{md_10c_2333si_pcc_vasp.ps}
1475  \end{minipage}
1476  Diffusion:
1477  (Video \href{../video/md_10c_2333si_vasp.avi}{$\rhd_{\text{local}}$ } $|$
1478  \href{http://www.physik.uni-augsburg.de/~zirkelfr/download/posic/md_10c_2333si_vasp.avi}{$\rhd_{\text{remote url}}$})
1479  \begin{itemize}
1480   \item $<(x(t)-x(0))^2>$ hard to determine due to missing info of
1481         boundary crossings
1482   \item Agglomeration of C? (Video)
1483  \end{itemize}
1484
1485 \end{slide}
1486
1487 \begin{slide}
1488
1489  {\large\bf
1490   Density Functional Theory
1491  }
1492
1493  Hohenberg-Kohn theorem
1494
1495  \small
1496  
1497
1498 \end{slide}
1499
1500 \end{document}
1501