just some new values
[lectures/latex.git] / posic / talks / upb-ua-xc.tex
1 \pdfoutput=0
2 \documentclass[landscape,semhelv]{seminar}
3
4 \usepackage{verbatim}
5 \usepackage[greek,german]{babel}
6 \usepackage[latin1]{inputenc}
7 \usepackage[T1]{fontenc}
8 \usepackage{amsmath}
9 \usepackage{latexsym}
10 \usepackage{ae}
11
12 \usepackage{calc}               % Simple computations with LaTeX variables
13 \usepackage{caption}            % Improved captions
14 \usepackage{fancybox}           % To have several backgrounds
15
16 \usepackage{fancyhdr}           % Headers and footers definitions
17 \usepackage{fancyvrb}           % Fancy verbatim environments
18 \usepackage{pstricks}           % PSTricks with the standard color package
19
20 \usepackage{pstricks}
21 \usepackage{pst-node}
22
23 \usepackage{slashbox}
24
25 %\usepackage{epic}
26 %\usepackage{eepic}
27
28 \usepackage{graphicx}
29 \graphicspath{{../img/}}
30
31 \usepackage[setpagesize=false]{hyperref}
32
33 \usepackage{semcolor}
34 \usepackage{semlayer}           % Seminar overlays
35 \usepackage{slidesec}           % Seminar sections and list of slides
36
37 \input{seminar.bug}             % Official bugs corrections
38 \input{seminar.bg2}             % Unofficial bugs corrections
39
40 \articlemag{1}
41
42 \special{landscape}
43
44 % font
45 %\usepackage{cmbright}
46 %\renewcommand{\familydefault}{\sfdefault}
47 %\usepackage{mathptmx}
48
49 \usepackage{upgreek}
50
51 \usepackage{miller}
52
53 \begin{document}
54
55 \extraslideheight{10in}
56 \slideframe{none}
57
58 \pagestyle{empty}
59
60 % specify width and height
61 \slidewidth 27.7cm 
62 \slideheight 19.1cm 
63
64 % shift it into visual area properly
65 \def\slideleftmargin{3.3cm}
66 \def\slidetopmargin{0.6cm}
67
68 \newcommand{\ham}{\mathcal{H}}
69 \newcommand{\pot}{\mathcal{V}}
70 \newcommand{\foo}{\mathcal{U}}
71 \newcommand{\vir}{\mathcal{W}}
72
73 % itemize level ii
74 \renewcommand\labelitemii{{\color{gray}$\bullet$}}
75
76 % colors
77 \newrgbcolor{si-yellow}{.6 .6 0}
78 \newrgbcolor{hb}{0.75 0.77 0.89}
79 \newrgbcolor{lbb}{0.75 0.8 0.88}
80 \newrgbcolor{lachs}{1.0 .93 .81}
81
82 % topic
83
84 \begin{slide}
85 \begin{center}
86
87  \vspace{16pt}
88
89  {\LARGE\bf
90   Atomistic simulation study\\[0.2cm]
91   of the SiC precipitation in Si
92  }
93
94  \vspace{48pt}
95
96  \textsc{F. Zirkelbach}
97
98  \vspace{48pt}
99
100  For the exchange among Paderborn and Augsburg
101
102  \vspace{08pt}
103
104  July 2009
105
106 \end{center}
107 \end{slide}
108
109 % start of contents
110
111 \begin{slide}
112
113  {\large\bf
114   VASP parameters
115  }
116
117  \small
118  \begin{minipage}{6.5cm}
119  \begin{itemize}
120   \item Start from scratch
121   \item $V_{xc}$: US LDA (out of ./pot directory)
122   \item $k$-points: Monkhorst $4\times 4\times 4$
123   \item Ionic relaxation
124         \begin{itemize}
125          \item Conjugate gradient method
126          \item Scaling constant of 0.1 for forces
127          \item Default break condition ($0.1 \cdot 10^{-2}$ eV)
128          \item Maximum of 100 steps
129         \end{itemize}
130         {\color{blue} NVT}:
131         \begin{itemize}
132          \item No change in volume
133         \end{itemize}
134         {\color{red} NPT}:
135         \begin{itemize}
136          \item Change of cell volume and shape\\
137                allowed
138         \end{itemize}
139  \end{itemize}
140  \end{minipage}
141  \hspace*{0.5cm}
142  \begin{minipage}{6.0cm}
143 {\scriptsize\color{blue}
144  Example INCAR file (NVT):
145 }
146 \begin{verbatim}
147 System = C 100 interstitial in Si
148
149 ISTART = 0
150
151 NSW = 100
152 IBRION = 2
153 ISIF = 2
154 POTIM = 0.1
155 \end{verbatim}
156 {\scriptsize\color{red}
157  Example INCAR file (NPT):
158 }
159 \begin{verbatim}
160 System = C hexagonal interstitial in Si
161
162 ISTART = 0
163
164 NSW = 100
165 IBRION = 2
166 ISIF = 3
167 POTIM = 0.1
168 \end{verbatim}
169  \end{minipage}
170
171 \end{slide}
172
173 \begin{slide}
174
175  {\large\bf
176   Silicon bulk properties
177  }
178
179  \small
180
181  Simulations (NPT, $\textrm{EDIFFG}=0.1\cdot 10^{-3}$ eV):
182  \begin{enumerate}
183   \item Supercell: $x_1=(0,0.5,0.5),\, x_2=(0.5,0,0.5),\, x_3=(0.5,0.5,0)$;
184         2 atoms (1 {\bf p}rimitive {\bf c}ell)
185   \item Supercell: $x_1=(0.5,-0.5,0),\, x_2=(0.5,0.5,0),\, x_3=(0,0,1)$;
186         4 atoms (2 pc)
187   \item Supercell: $x_1=(1,0,0),\, x_2=(0,1,0),\, x_3=(0,0,1)$;
188         8 atoms (4 pc)
189   \item Supercell: $x_1=(2,0,0),\, x_2=(0,2,0),\, x_3=(0,0,2)$;
190         64 atoms (32 pc)
191  \end{enumerate}
192  \begin{minipage}{6cm}
193  Cohesive energy / Lattice constant:
194  \begin{enumerate}
195   \item $E_{\textrm{cut-off}}=150\, \textrm{eV}$: 5.955 eV / 5.378 \AA\\
196         $E_{\textrm{cut-off}}=300\, \textrm{eV}$: 5.975 eV / 5.387 \AA
197   \item $E_{\textrm{cut-off}}=150\, \textrm{eV}$: 5.989 eV / 5.356 \AA
198   \item $E_{\textrm{cut-off}}=150\, \textrm{eV}$: 5.955 eV / 5.380 \AA\\
199         $E_{\textrm{cut-off}}=200\, \textrm{eV}$: 5.972 eV / 5.388 \AA\\
200         $E_{\textrm{cut-off}}=250\, \textrm{eV}$: 5.975 eV / 5.389 \AA\\
201         $E_{\textrm{cut-off}}=300\, \textrm{eV}$: 5.975 eV / 5.389 \AA\\
202         $E_{\textrm{cut-off}}=300\, \textrm{eV}^{*}$: 5.975 eV / 5.390 \AA
203   \item $E_{\textrm{cut-off}}=300\, \textrm{eV}$: 5.977 eV / 5.389 \AA
204  \end{enumerate}
205  \end{minipage}
206  \begin{minipage}{7cm}
207  \includegraphics[width=7cm]{si_lc_and_ce.ps}
208  \end{minipage}\\[0.3cm]
209  {\scriptsize
210   $^*$special settings (p. 138, VASP manual):
211   spin polarization, no symmetry, ...
212  }
213  
214 \end{slide}
215
216 \begin{slide}
217
218  {\large\bf
219   Silicon bulk properties
220  }
221
222  \begin{itemize}
223   \item Calculation of cohesive energies for different lattice constants
224   \item No ionic update
225   \item Tetrahedron method with Blöchl corrections for
226         the partial occupancies $f(\{\epsilon_{n{\bf k}}\})$
227   \item Supercell 3 (8 atoms, 4 primitive cells)
228  \end{itemize}
229  \vspace*{0.6cm}
230  \begin{minipage}{6.5cm}
231  \begin{center}
232  $E_{\textrm{cut-off}}=150$ eV\\
233  \includegraphics[width=6.5cm]{si_lc_fit.ps}
234  \end{center}
235  \end{minipage}
236  \begin{minipage}{6.5cm}
237  \begin{center}
238  $E_{\textrm{cut-off}}=250$ eV\\
239  \includegraphics[width=6.5cm]{si_lc_fit_250.ps}
240  \end{center}
241  \end{minipage}
242
243 \end{slide}
244
245 \begin{slide}
246
247  {\large\bf
248   3C-SiC bulk properties\\[0.2cm]
249  }
250
251  \begin{minipage}{6.5cm}
252  \includegraphics[width=6.5cm]{sic_lc_and_ce2.ps}
253  \end{minipage}
254  \begin{minipage}{6.5cm}
255  \includegraphics[width=6.5cm]{sic_lc_and_ce.ps}
256  \end{minipage}\\[0.3cm]
257  \begin{itemize}
258   \item Supercell 3 (4 primitive cells, 4+4 atoms)
259   \item Error in equilibrium lattice constant: {\color{green} $0.9\,\%$}
260   \item Error in cohesive energy: {\color{red} $31.6\,\%$}
261  \end{itemize}
262  
263 \end{slide}
264
265 \begin{slide}
266
267  {\large\bf
268   3C-SiC bulk properties\\[0.2cm]
269  }
270
271  \small
272
273  \begin{itemize}
274   \item Calculation of cohesive energies for different lattice constants
275   \item No ionic update
276   \item Tetrahedron method with Blöchl corrections for
277         the partial occupancies $f(\{\epsilon_{n{\bf k}}\})$
278  \end{itemize}
279  \vspace*{0.6cm}
280  \begin{minipage}{6.5cm}
281  \begin{center}
282  Supercell 3, $4\times 4\times 4$ k-points\\
283  \includegraphics[width=6.5cm]{sic_lc_fit.ps}
284  \end{center}
285  \end{minipage}
286  \begin{minipage}{6.5cm}
287  \begin{center}
288  {\color{red}
289   Non-continuous energies\\
290   for $E_{\textrm{cut-off}}<1050\,\textrm{eV}$!\\
291  }
292  \vspace*{0.5cm}
293  {\footnotesize
294  Does this matter in structural optimizaton simulations?
295  \begin{itemize}
296   \item Derivative might be continuous
297   \item Similar lattice constants where derivative equals zero
298  \end{itemize}
299  }
300  \end{center}
301  \end{minipage}
302
303 \end{slide}
304
305 \begin{slide}
306
307  {\large\bf
308   3C-SiC bulk properties\\[0.2cm]
309  }
310
311  \footnotesize
312
313 \begin{picture}(0,0)(-188,80)
314  %Supercell 1, $3\times 3\times 3$ k-points\\
315  \includegraphics[width=6.5cm]{sic_lc_fit_k3.ps}
316 \end{picture}
317
318  \begin{minipage}{6.5cm}
319  \begin{itemize}
320   \item Supercell 1 simulations
321   \item Variation of k-points
322   \item Continuous energies for
323         $E_{\textrm{cut-off}} > 550\,\textrm{eV}$
324   \item Critical $E_{\textrm{cut-off}}$ for
325         different k-points\\
326         depending on supercell?
327  \end{itemize}
328  \end{minipage}\\[1.0cm]
329  \begin{minipage}{6.5cm}
330  \begin{center}
331  \includegraphics[width=6.5cm]{sic_lc_fit_k5.ps}
332  \end{center}
333  \end{minipage}
334  \begin{minipage}{6.5cm}
335  \begin{center}
336  \includegraphics[width=6.5cm]{sic_lc_fit_k7.ps}
337  \end{center}
338  \end{minipage}
339
340 \end{slide}
341
342 \begin{slide}
343
344  {\large\bf
345   Cohesive energies
346  }
347
348  {\bf\color{red} From now on ...}
349
350  {\small Energies used: free energy without entropy ($\sigma \rightarrow 0$)}
351
352  \small
353
354  \begin{itemize}
355   \item $E_{\textrm{free,sp}}$:
356         energy of spin polarized free atom
357         \begin{itemize}
358          \item $k$-points: Monkhorst $1\times 1\times 1$
359          \item Symmetry switched off
360          \item Spin polarized calculation
361          \item Interpolation formula according to Vosko Wilk and Nusair
362                for the correlation part of the exchange correlation functional
363          \item Gaussian smearing for the partial occupancies
364                $f(\{\epsilon_{n{\bf k}}\})$
365                ($\sigma=0.05$)
366          \item Magnetic mixing: AMIX = 0.2, BMIX = 0.0001
367          \item Supercell: one atom in cubic
368                $10\times 10\times 10$ \AA$^3$ box
369         \end{itemize}
370         {\color{blue}
371         $E_{\textrm{free,sp}}(\textrm{Si},{\color{green}250}\, \textrm{eV})=
372          -0.70036911\,\textrm{eV}$
373         }\\
374         {\color{blue}
375         $E_{\textrm{free,sp}}(\textrm{Si},{\color{red}650}\, \textrm{eV})=
376          -0.70021403\,\textrm{eV}$
377         },
378         {\color{gray}
379         $E_{\textrm{free,sp}}(\textrm{C},{\color{red}650}\, \textrm{eV})=
380          -1.3535731\,\textrm{eV}$
381         }
382   \item $E$:
383         energy (non-polarized) of system of interest composed of\\
384         n atoms of type N, m atoms of type M, \ldots
385  \end{itemize}
386  \vspace*{0.2cm}
387  {\color{red}
388  \[
389  \Rightarrow
390  E_{\textrm{coh}}=\frac{
391  -\Big(E(N_nM_m\ldots)-nE_{\textrm{free,sp}}(N)-mE_{\textrm{free,sp}}(M)
392  -\ldots\Big)}
393  {n+m+\ldots}
394  \]
395  }
396
397 \end{slide}
398
399 \begin{slide}
400
401  {\large\bf
402   Calculation of the defect formation energy\\
403  }
404
405  \small
406  
407  {\color{blue}Method 1} (single species)
408  \begin{itemize}
409   \item $E_{\textrm{coh}}^{\textrm{initial conf}}$:
410         cohesive energy per atom of the initial system
411   \item $E_{\textrm{coh}}^{\textrm{interstitial conf}}$:
412         cohesive energy per atom of the interstitial system
413   \item N: amount of atoms in the interstitial system
414  \end{itemize}
415  \vspace*{0.2cm}
416  {\color{blue}
417  \[
418  \Rightarrow
419  E_{\textrm{f}}=\Big(E_{\textrm{coh}}^{\textrm{interstitial conf}}
420                -E_{\textrm{coh}}^{\textrm{initial conf}}\Big) N
421  \]
422  }\\[0.4cm]
423  {\color{magenta}Method 2} (two and more species)
424  \begin{itemize}
425   \item $E$: energy of the interstitial system
426         (with respect to the ground state of the free atoms!)
427   \item $N_{\text{Si}}$, $N_{\text{C}}$:
428         amount of Si and C atoms
429   \item $\mu_{\text{Si}}$, $\mu_{\text{C}}$:
430         chemical potential (cohesive energy) of Si and C
431  \end{itemize}
432  \vspace*{0.2cm}
433  {\color{magenta}
434  \[
435  \Rightarrow
436  E_{\textrm{f}}=E-N_{\text{Si}}\mu_{\text{Si}}-N_{\text{C}}\mu_{\text{C}}
437  \]
438  }
439
440 \end{slide}
441
442 \begin{slide}
443
444  {\large\bf
445   Used types of supercells\\
446  }
447
448  \footnotesize
449
450  \begin{minipage}{4.3cm}
451   \includegraphics[width=4cm]{sc_type0.eps}\\[0.3cm]
452   \underline{Type 0}\\[0.2cm]
453   Basis: fcc\\
454   $x_1=(0.5,0.5,0)$\\
455   $x_2=(0,0.5,0.5)$\\
456   $x_3=(0.5,0,0.5)$\\
457   1 primitive cell / 2 atoms
458  \end{minipage}
459  \begin{minipage}{4.3cm}
460   \includegraphics[width=4cm]{sc_type1.eps}\\[0.3cm]
461   \underline{Type 1}\\[0.2cm]
462   Basis:\\
463   $x_1=(0.5,-0.5,0)$\\
464   $x_2=(0.5,0.5,0)$\\
465   $x_3=(0,0,1)$\\
466   2 primitive cells / 4 atoms
467  \end{minipage}
468  \begin{minipage}{4.3cm}
469   \includegraphics[width=4cm]{sc_type2.eps}\\[0.3cm]
470   \underline{Type 2}\\[0.2cm]
471   Basis: sc\\
472   $x_1=(1,0,0)$\\
473   $x_2=(0,1,0)$\\
474   $x_3=(0,0,1)$\\
475   4 primitive cells / 8 atoms
476  \end{minipage}\\[0.4cm]
477
478  {\bf\color{blue}
479  In the following these types of supercells are used and
480  are possibly scaled by integers in the different directions!
481  }
482
483 \end{slide}
484
485 \begin{slide}
486
487  {\large\bf
488   Silicon point defects\\
489  }
490
491  \small
492
493  Influence of supercell size\\
494  \begin{minipage}{8cm}
495  \includegraphics[width=7.0cm]{si_self_int.ps}
496  \end{minipage}
497  \begin{minipage}{5cm}
498  $E_{\textrm{f}}^{\hkl<1 1 0>,\,32\textrm{pc}}=3.38\textrm{ eV}$\\
499  $E_{\textrm{f}}^{\textrm{tet},\,32\textrm{pc}}=3.41\textrm{ eV}$\\
500  $E_{\textrm{f}}^{\textrm{hex},\,32\textrm{pc}}=3.42\textrm{ eV}$\\
501  $E_{\textrm{f}}^{\textrm{vac},\,32\textrm{pc}}=3.51\textrm{ eV}$\\\\
502  $E_{\textrm{f}}^{\textrm{hex},\,54\textrm{pc}}=3.42\textrm{ eV}$\\
503  $E_{\textrm{f}}^{\textrm{tet},\,54\textrm{pc}}=3.45\textrm{ eV}$\\
504  $E_{\textrm{f}}^{\textrm{vac},\,54\textrm{pc}}=3.47\textrm{ eV}$\\
505  $E_{\textrm{f}}^{\hkl<1 1 0>,\,54\textrm{pc}}=3.48\textrm{ eV}$
506  \end{minipage}
507
508  Comparison with literature (PRL 88 235501 (2002)):\\[0.2cm]
509  \begin{minipage}{8cm}
510  \begin{itemize}
511   \item GGA and LDA
512   \item $E_{\text{cut-off}}=35 / 25\text{ Ry}=476 / 340\text{ eV}$
513   \item 216 atom supercell
514   \item Gamma point only calculations
515  \end{itemize}
516  \end{minipage}
517  \begin{minipage}{5cm}
518  $E_{\textrm{f}}^{\hkl<1 1 0>}=3.31 / 2.88\textrm{ eV}$\\
519  $E_{\textrm{f}}^{\textrm{hex}}=3.31 / 2.87\textrm{ eV}$\\
520  $E_{\textrm{f}}^{\textrm{vac}}=3.17 / 3.56\textrm{ eV}$
521  \end{minipage}
522  
523
524 \end{slide}
525
526 \begin{slide}
527
528  {\large\bf
529   Questions so far ...\\
530  }
531
532  What configuration to chose for C in Si simulations?
533  \begin{itemize}
534   \item Switch to another method for the XC approximation (GGA, PAW)?
535   \item Reasonable cut-off energy
536   \item Switch off symmetry? (especially for defect simulations)
537   \item $k$-points
538         (Monkhorst? $\Gamma$-point only if cell is large enough?)
539   \item Switch to tetrahedron method or Gaussian smearing ($\sigma$?)
540   \item Size and type of supercell
541         \begin{itemize}
542          \item connected to choice of $k$-point mesh?
543          \item hence also connected to choice of smearing method?
544          \item constraints can only be applied to the lattice vectors!
545         \end{itemize}
546   \item Use of real space projection operators?
547   \item \ldots
548  \end{itemize}
549
550 \end{slide}
551
552 \begin{slide}
553
554  {\large\bf
555   Review (so far) ...\\
556  }
557
558  Smearing method for the partial occupancies $f(\{\epsilon_{n{\bf k}}\})$
559  and $k$-point mesh
560
561  \begin{minipage}{4.4cm}
562   \includegraphics[width=4.4cm]{sic_smear_k.ps}
563  \end{minipage}
564  \begin{minipage}{4.4cm}
565   \includegraphics[width=4.4cm]{c_smear_k.ps}
566  \end{minipage}
567  \begin{minipage}{4.3cm}
568   \includegraphics[width=4.4cm]{si_smear_k.ps}
569  \end{minipage}\\[0.3cm]
570  \begin{itemize}
571   \item Convergence reached at $6\times 6\times 6$ k-point mesh
572   \item No difference between Gauss ($\sigma=0.05$)
573         and tetrahedron smearing method!
574  \end{itemize}
575  \begin{center}
576  $\Downarrow$\\
577  {\color{blue}\bf
578    Gauss ($\sigma=0.05$) smearing
579    and $6\times 6\times 6$ Monkhorst $k$-point mesh used
580  }
581  \end{center}
582
583 \end{slide}
584
585 \begin{slide}
586
587  {\large\bf
588   Review (so far) ...\\
589  }
590
591  \underline{Symmetry (in defect simulations)}
592
593  \begin{center}
594  {\color{red}No}
595  difference in $1\times 1\times 1$ Type 2 defect calculations\\
596  $\Downarrow$\\
597  Symmetry precission (SYMPREC) small enough\\
598  $\Downarrow$\\
599  {\bf\color{blue}Symmetry switched on}\\
600  \end{center}
601
602  \underline{Real space projection}
603
604  \begin{center}
605  Error in lattice constant of plain Si ($1\times 1\times 1$ Type 2):
606  $0.025\,\%$\\
607  Error in position of the \hkl<1 1 0> interstitital in Si
608  ($1\times 1\times 1$ Type 2):
609  $0.026\,\%$\\
610  $\Downarrow$\\
611  {\bf\color{blue}
612   Real space projection used for 'large supercell' simulations}
613  \end{center}
614
615 \end{slide}
616
617 \begin{slide}
618
619  {\large\bf
620   Review (so far) ...
621  }
622
623  Energy cut-off\\
624
625  \begin{center}
626
627  {\small
628  3C-SiC equilibrium lattice constant and free energy\\ 
629  \includegraphics[width=7cm]{plain_sic_lc.ps}\\
630  $\rightarrow$ Convergence reached at 650 eV\\[0.2cm]
631  }
632
633  $\Downarrow$\\
634
635  {\bf\color{blue}
636   650 eV used as energy cut-off
637  }
638
639  \end{center}
640
641 \end{slide}
642
643 \begin{slide}
644
645  {\large\bf
646   Not answered (so far) ...\\
647  }
648
649 \vspace{1.5cm}
650
651  \LARGE
652  \bf
653  \color{blue}
654
655  \begin{center}
656  Continue\\
657  with\\
658  US LDA?
659  \end{center}
660
661 \vspace{1.5cm}
662
663 \end{slide}
664
665 \begin{slide}
666
667  {\large\bf
668   Final parameter choice
669  }
670
671  \footnotesize
672
673  \underline{Param 1}\\
674  My first choice. Used for more accurate calculations.
675  \begin{itemize}
676   \item $6\times 6 \times 6$ Monkhorst k-point mesh
677   \item $E_{\text{cut-off}}=650\text{ eV}$
678   \item Gaussian smearing ($\sigma=0.05$)
679   \item Use symmetry
680  \end{itemize}
681  \vspace*{0.2cm}
682  \underline{Param 2}\\
683  After talking to the pros!
684  \begin{itemize}
685   \item $\Gamma$-point only
686   \item $E_{\text{cut-off}}=xyz\text{ eV}$
687   \item Gaussian smearing ($\sigma=0.05$)
688   \item Use symmetry
689   \item Real space projection (Auto, Medium) for 'large' simulations
690  \end{itemize}
691  \vspace*{0.2cm}
692  {\color{blue}
693   In both parameter sets the ultra soft pseudo potential method
694   as well as the projector augmented wave method is used with both,
695   the LDA and GGA exchange correlation potential!
696  }
697 \end{slide}
698
699 \begin{slide}
700
701  \footnotesize
702
703  {\large\bf
704   Properties of Si, C and SiC using the new parameters\\
705  }
706
707  $2\times 2\times 2$ Type 2 supercell, Param 1, LDA, US PP\\[0.2cm]
708  \begin{tabular}{|l|l|l|l|}
709  \hline
710   & c-Si & c-C (diamond) & 3C-SiC \\
711  \hline
712  Lattice constant [\AA] & 5.389 & 3.527 & 4.319 \\
713  Expt. [\AA] & 5.429 & 3.567 & 4.359 \\
714  Error [\%] & {\color{green}0.7} & {\color{green}1.1} & {\color{green}0.9} \\
715  \hline
716  Cohesive energy [eV] & -5.277 & -8.812 & -7.318 \\
717  Expt. [eV] & -4.63 & -7.374 & -6.340 \\
718  Error [\%] & {\color{red}14.0} & {\color{red}19.5} & {\color{red}15.4} \\
719  \hline
720  \end{tabular}\\
721
722  \begin{minipage}{10cm}
723  $2\times 2\times 2$ Type 2 supercell, 3C-SiC, Param 1\\[0.2cm]
724  \begin{tabular}{|l|l|l|l|}
725  \hline
726   & {\color{magenta}US PP, GGA} & PAW, LDA & PAW, GGA \\
727  \hline
728  Lattice constant [\AA] & 4.370 & 4.330 & 4.379 \\
729  Error [\%] & {\color{green}0.3} & {\color{green}0.7} & {\color{green}0.5} \\
730  \hline
731  Cohesive energy [eV] & -6.426 & -7.371 & -6.491 \\
732  Error [\%] & {\color{green}1.4} & {\color{red}16.3} & {\color{green}2.4} \\
733  \hline
734  \end{tabular}
735  \end{minipage}
736  \begin{minipage}{3cm}
737  US PP, GGA\\[0.2cm]
738  \begin{tabular}{|l|l|}
739  \hline
740  c-Si & c-C \\
741  \hline
742  5.455 & 3.567 \\
743  {\color{green}0.5} & {\color{green}0.01} \\
744  \hline
745  -4.591 & -7.703 \\
746  {\color{green}0.8} & {\color{orange}4.5} \\
747  \hline
748  \end{tabular}
749  \end{minipage}
750
751 \end{slide}
752
753 \begin{slide}
754
755  {\large\bf\boldmath
756   Energy cut-off for $\Gamma$-point only caclulations
757  }
758
759  $2\times 2\times 2$ Type 2 supercell, Param 2, US PP, LDA, 3C-SiC\\[0.2cm]
760  \includegraphics[width=5.5cm]{sic_32pc_gamma_cutoff.ps}
761  \includegraphics[width=5.5cm]{sic_32pc_gamma_cutoff_lc.ps}\\
762  $\Rightarrow$ Use 300 eV as energy cut-off?\\[0.2cm]
763  $2\times 2\times 2$ Type 2 supercell, Param 2, 300 eV, US PP, GGA\\[0.2cm]
764  \small
765  \begin{minipage}{10cm}
766  \begin{tabular}{|l|l|l|l|}
767  \hline
768   & c-Si & c-C (diamond) & 3C-SiC \\
769  \hline
770  Lattice constant [\AA] & 5.470 & 3.569 & 4.364 \\
771  Error [\%] & {\color{green}0.8} & {\color{green}0.1} & {\color{green}0.1} \\
772  \hline
773  Cohesive energy [eV] & -4.488 & -7.612 & -6.359 \\
774  Error [\%] & {\color{orange}3.1} & {\color{orange}3.2} & {\color{green}0.3} \\
775  \hline
776  \end{tabular}
777  \end{minipage}
778  \begin{minipage}{2cm}
779  {\LARGE
780   ${\color{green}\surd}$
781  }
782  \end{minipage}
783
784 \end{slide}
785
786 \begin{slide}
787
788  {\large\bf\boldmath
789   C \hkl<1 0 0> interstitial migration along \hkl<1 1 0>
790   in c-Si (Albe)
791  }
792
793  \small
794
795  \begin{minipage}[t]{4.2cm}
796  \underline{Starting configuration}\\
797  \includegraphics[width=4cm]{c_100_mig/start.eps}
798  \end{minipage}
799  \begin{minipage}[t]{4.0cm}
800  \vspace*{0.8cm}
801  $\Delta x=\frac{1}{4}a_{\text{Si}}=1.357\text{ \AA}$\\
802  $\Delta y=\frac{1}{4}a_{\text{Si}}=1.357\text{ \AA}$\\
803  $\Delta z=0.325\text{ \AA}$\\
804  \end{minipage}
805  \begin{minipage}[t]{4.2cm}
806  \underline{{\bf Expected} final configuration}\\
807  \includegraphics[width=4cm]{c_100_mig/final.eps}\\
808  \end{minipage}
809  \begin{minipage}{6cm}
810  \begin{itemize}
811   \item Fix border atoms of the simulation cell
812   \item Constraints and displacement of the C atom:
813         \begin{itemize}
814          \item along {\color{green}\hkl<1 1 0> direction}\\
815                displaced by {\color{green} $\frac{1}{10}(\Delta x,\Delta y)$}
816          \item C atom {\color{red}entirely fixed in position}\\
817                displaced by
818                {\color{red}$\frac{1}{10}(\Delta x,\Delta y,\Delta z)$}
819         \end{itemize}
820   \item Berendsen thermostat applied
821  \end{itemize}
822  {\bf\color{blue}Expected configuration not obtained!}
823  \end{minipage}
824  \begin{minipage}{0.5cm}
825  \hfill
826  \end{minipage}
827  \begin{minipage}{6cm}
828  \includegraphics[width=6.0cm]{c_100_110mig_01_albe.ps}
829  \end{minipage}
830
831 \end{slide}
832
833 \begin{slide}
834
835  {\large\bf\boldmath
836   C \hkl<1 0 0> interstitial migration along \hkl<1 1 0>
837   in c-Si (Albe)
838  }
839
840  \footnotesize
841
842  \begin{minipage}{3.2cm}
843  \includegraphics[width=3cm]{c_100_mig/fixmig_50.eps}
844  \begin{center}
845  50 \% 
846  \end{center}
847  \end{minipage}
848  \begin{minipage}{3.2cm}
849  \includegraphics[width=3cm]{c_100_mig/fixmig_80.eps}
850  \begin{center}
851  80 \% 
852  \end{center}
853  \end{minipage}
854  \begin{minipage}{3.2cm}
855  \includegraphics[width=3cm]{c_100_mig/fixmig_90.eps}
856  \begin{center}
857  90 \% 
858  \end{center}
859  \end{minipage}
860  \begin{minipage}{3.2cm}
861  \includegraphics[width=3cm]{c_100_mig/fixmig_99.eps}
862  \begin{center}
863  100 \% 
864  \end{center}
865  \end{minipage}
866
867  Open questions ...
868  \begin{enumerate}
869   \item Why is the expected configuration not obtained?
870   \item How to find a migration path preceding to the expected configuration?
871  \end{enumerate}
872
873  Answers ...
874  \begin{enumerate}
875   \item Simple: it is not the right migration path!
876         \begin{itemize}
877          \item (Surrounding) atoms settle into a local minimum configuration
878          \item A possibly existing more favorable configuration is not achieved
879         \end{itemize}
880   \item \begin{itemize}
881          \item Search global minimum in each step (by simulated annealing)\\
882                {\color{red}But:}
883                Loss of the correct energy needed for migration
884          \item Smaller displacements\\
885                A more favorable configuration might be achieved
886                possibly preceding to the expected configuration
887         \end{itemize}
888  \end{enumerate}
889  
890
891 \end{slide}
892
893 \begin{slide}
894
895  {\large\bf\boldmath
896   C \hkl<1 0 0> interstitial migration along \hkl<1 1 0>
897   in c-Si (Albe)\\
898  }
899
900  Displacement step size decreased to
901  $\frac{1}{100} (\Delta x,\Delta y)$\\[0.2cm]
902
903  \begin{minipage}{7.5cm}
904  Result: (Video \href{../video/c_in_si_smig_albe.avi}{$\rhd_{\text{local}}$ } $|$
905  \href{http://www.physik.uni-augsburg.de/~zirkelfr/download/posic/c_in_si_smig_albe.avi}{$\rhd_{\text{remote url}}$})
906  \begin{itemize}
907   \item Expected final configuration not obtained
908   \item Bonds to neighboured silicon atoms persist
909   \item C and neighboured Si atoms move along the direction of displacement
910   \item Even the bond to the lower left silicon atom persists
911  \end{itemize}
912  {\color{red}
913   Obviously: overestimated bond strength
914  }
915  \end{minipage}
916  \begin{minipage}{5cm}
917   \includegraphics[width=6cm]{c_100_110smig_01_albe.ps}
918  \end{minipage}\\[0.4cm]
919  New approach to find the migration path:\\
920  {\color{blue}
921  Place interstitial carbon atom at the respective coordinates
922  into a perfect c-Si matrix!
923  }
924
925 \end{slide}
926
927 \begin{slide}
928
929  {\large\bf\boldmath
930   C \hkl<1 0 0> interstitial migration along \hkl<1 1 0>
931   in c-Si (Albe)
932  }
933
934  {\color{blue}New approach:}\\
935  Place interstitial carbon atom at the respective coordinates
936  into a perfect c-Si matrix!\\
937  {\color{blue}Problem:}\\
938  Too high forces due to the small distance of the C atom to the Si
939  atom sharing the lattice site.\\
940  {\color{blue}Solution:}
941  \begin{itemize}
942   \item {\color{red}Slightly displace the Si atom}
943   (Video \href{../video/c_in_si_pmig_albe.avi}{$\rhd_{\text{local}}$ } $|$
944   \href{http://www.physik.uni-augsburg.de/~zirkelfr/download/posic/c_in_si_pmig_albe.avi}{$\rhd_{\text{remote url}}$})
945   \item {\color{green}Immediately quench the system}
946   (Video \href{../video/c_in_si_pqmig_albe.avi}{$\rhd_{\text{local}}$ } $|$
947   \href{http://www.physik.uni-augsburg.de/~zirkelfr/download/posic/c_in_si_pqmig_albe.avi}{$\rhd_{\text{remote url}}$})
948  \end{itemize}
949
950  \begin{minipage}{6.5cm}
951  \includegraphics[width=6cm]{c_100_110pqmig_01_albe.ps}
952  \end{minipage}
953  \begin{minipage}{6cm}
954  \begin{itemize}
955   \item Jump in energy corresponds to the abrupt
956         structural change (as seen in the videos)
957   \item Due to the abrupt changes in structure and energy
958         this is {\color{red}not} the correct migration path and energy!?!
959  \end{itemize}
960  \end{minipage}
961
962 \end{slide}
963
964 \begin{slide}
965
966  {\large\bf\boldmath
967   C \hkl<1 0 0> interstitial migration along \hkl<1 1 0> in c-Si (VASP)
968  }
969
970  \small
971
972  {\color{blue}Method:}
973  \begin{itemize}
974   \item Place interstitial carbon atom at the respective coordinates
975         into perfect c-Si
976   \item \hkl<1 1 0> direction fixed for the C atom
977   \item $4\times 4\times 3$ Type 1, $198+1$ atoms
978   \item Atoms with $x=0$ or $y=0$ or $z=0$ fixed
979  \end{itemize}
980  {\color{blue}Results:}
981  (Video \href{../video/c_in_si_pmig_vasp.avi}{$\rhd_{\text{local}}$ } $|$
982  \href{http://www.physik.uni-augsburg.de/~zirkelfr/download/posic/c_in_si_pmig_vasp.avi}{$\rhd_{\text{remote url}}$})\\
983  \begin{minipage}{7cm}
984  \includegraphics[width=7cm]{c_100_110pmig_01_vasp.ps} 
985  \end{minipage}
986  \begin{minipage}{5.5cm}
987  \begin{itemize}
988   \item Characteristics nearly equal to classical calulations
989   \item Approximately half of the classical energy
990         needed for migration
991  \end{itemize}
992  \end{minipage}
993
994 \end{slide}
995
996 \begin{slide}
997
998  {\large\bf\boldmath
999   C \hkl<1 0 0> interstitial migration along \hkl<1 1 0> in c-Si (VASP)
1000  }
1001
1002  \small
1003
1004  {\color{blue}Method:}
1005  \begin{itemize}
1006   \item Continue with atomic positions of the last run
1007   \item Displace the C atom in \hkl<1 1 0> direction
1008   \item \hkl<1 1 0> direction fixed for the C atom
1009   \item $4\times 4\times 3$ Type 1, $198+1$ atoms
1010   \item Atoms with $x=0$ or $y=0$ or $z=0$ fixed
1011  \end{itemize}
1012  {\color{blue}Results:}
1013  (Video \href{../video/c_in_si_smig_vasp.avi}{$\rhd_{\text{local}}$ } $|$
1014  \href{http://www.physik.uni-augsburg.de/~zirkelfr/download/posic/c_in_si_smig_vasp.avi}{$\rhd_{\text{remote url}}$})\\
1015  \includegraphics[width=7cm]{c_100_110mig_01_vasp.ps} 
1016
1017 \end{slide}
1018
1019 \begin{slide}
1020
1021  {\large\bf\boldmath
1022   Again: C \hkl<1 0 0> interstitial migration
1023  }
1024
1025  \small
1026
1027  {\color{blue}The applied methods:}
1028  \begin{enumerate}
1029   \item Method
1030         \begin{itemize}
1031           \item Start in relaxed \hkl<1 0 0> interstitial configuration
1032           \item Displace C atom along \hkl<1 1 0> direction
1033           \item Relaxation (Berendsen thermostat)
1034           \item Continue with configuration of the last run
1035         \end{itemize} 
1036   \item Method
1037         \begin{itemize}
1038           \item Place interstitial carbon at the respective coordinates
1039                 into the perfect Si matrix
1040           \item Quench the system
1041         \end{itemize} 
1042  \end{enumerate}
1043  {\color{blue}In both methods:}
1044  \begin{itemize} 
1045   \item Fixed border atoms
1046   \item Applied \hkl<1 1 0> constraint for the C atom
1047  \end{itemize}
1048  {\color{red}Pitfalls} and {\color{green}refinements}:
1049  \begin{itemize}
1050   \item {\color{red}Fixed border atoms} $\rightarrow$
1051         Relaxation of stress not possible\\
1052         $\Rightarrow$
1053         {\color{green}Fix only one Si atom} (the one furthermost to the defect)
1054   \item {\color{red}\hkl<1 1 0> constraint not sufficient}\\
1055         $\Rightarrow$ {\color{green}Apply 11x constraint}
1056         (connecting line of initial and final C positions)
1057  \end{itemize}
1058
1059 \end{slide}
1060
1061 \begin{slide}
1062
1063  {\large\bf\boldmath
1064   Again: C \hkl<1 0 0> interstitial migration (Albe)
1065  }
1066
1067  Constraint applied by modifying the Velocity Verlet algorithm
1068
1069  {\color{blue}Results:}
1070  (Video \href{../video/c_in_si_fmig_albe.avi}{$\rhd_{\text{local}}$ } $|$
1071  \href{http://www.physik.uni-augsburg.de/~zirkelfr/download/posic/c_in_si_fmig_albe.avi}{$\rhd_{\text{remote url}}$})\\
1072  \begin{minipage}{6.3cm}
1073  \includegraphics[width=6cm]{c_100_110fmig_01_albe.ps}
1074  \end{minipage}
1075  \begin{minipage}{6cm}
1076  \begin{center}
1077   Again there are jumps in energy corresponding to abrupt
1078   structural changes as seen in the video
1079  \end{center}
1080  \end{minipage}
1081  \begin{itemize}
1082   \item Expected final configuration not obtained
1083   \item Bonds to neighboured silicon atoms persist
1084   \item C and neighboured Si atoms move along the direction of displacement
1085   \item Even the bond to the lower left silicon atom persists
1086  \end{itemize}
1087
1088 \end{slide}
1089
1090 \begin{slide}
1091
1092  {\large\bf\boldmath
1093   Again: C \hkl<1 0 0> interstitial migration (VASP)
1094  }
1095
1096  Transformation for the Type 2 supercell
1097
1098  \small
1099
1100  \begin{minipage}[t]{4.2cm}
1101  \underline{Starting configuration}\\
1102  \includegraphics[width=3cm]{c_100_mig_vasp/start.eps}
1103  \end{minipage}
1104  \begin{minipage}[t]{4.0cm}
1105  \vspace*{1.0cm}
1106  $\Delta x=1.367\text{ \AA}$\\
1107  $\Delta y=1.367\text{ \AA}$\\
1108  $\Delta z=0.787\text{ \AA}$\\
1109  \end{minipage}
1110  \begin{minipage}[t]{4.2cm}
1111  \underline{{\bf Expected} final configuration}\\
1112  \includegraphics[width=3cm]{c_100_mig_vasp/final.eps}\\
1113  \end{minipage}
1114  \begin{minipage}{6.2cm}
1115  Rotation angles:
1116  \[
1117  \alpha=45^{\circ}
1118  \textrm{ , }
1119  \beta=\arctan\frac{\Delta z}{\sqrt{2}\Delta x}=22.165^{\circ}
1120  \]
1121  \end{minipage}
1122  \begin{minipage}{6.2cm}
1123  Length of migration path:
1124  \[
1125  l=\sqrt{\Delta x^2+\Delta y^2+\Delta z^2}=2.087\text{ \AA}
1126  \]
1127  \end{minipage}\\[0.3cm]
1128  Transformation of basis:
1129  \[
1130  T=ABA^{-1}A=AB \textrm{, mit }
1131  A=\left(\begin{array}{ccc}
1132  \cos\alpha & -\sin\alpha & 0\\
1133  \sin\alpha & \cos\alpha & 0\\
1134  0 & 0 & 1
1135  \end{array}\right)
1136  \textrm{, }
1137  B=\left(\begin{array}{ccc}
1138  1 & 0 & 0\\
1139  0 & \cos\beta & \sin\beta \\
1140  0 & -\sin\beta & \cos\beta
1141  \end{array}\right)
1142  \]
1143  Atom coordinates transformed by: $T^{-1}=B^{-1}A^{-1}$
1144
1145 \end{slide}
1146
1147 \begin{slide}
1148
1149  {\large\bf\boldmath
1150   Again: C \hkl<1 0 0> interstitial migration\\
1151  }
1152
1153  {\color{blue}Reminder:}\\
1154  Transformation needed since in VASP constraints can only be applied to
1155  the basis vectors!\\
1156  {\color{red}Problem:} (stupid me!)\\
1157  Transformation of supercell 'destroys' the correct periodicity!\\
1158  {\color{green}Solution:}\\
1159  Find a supercell with one basis vector forming the correct constraint\\
1160  {\color{red}Problem:}\\
1161  Hard to find a supercell for the $22.165^{\circ}$ rotation\\
1162
1163  Another method to {\color{blue}\underline{estimate}} the migration energy:
1164  \begin{itemize}
1165   \item Assume an intermediate saddle point configuration during migration
1166   \item Determine the energy of the saddle point configuration
1167   \item Substract the saddle point configuration energy by
1168         the energy of the initial (final) defect configuration
1169  \end{itemize}
1170  
1171
1172 \end{slide}
1173
1174 \begin{slide}
1175
1176  {\large\bf\boldmath
1177   The C \hkl<1 0 0> defect configuration
1178  }
1179
1180  Needed so often for input configurations ...\\[0.8cm]
1181  \begin{minipage}{7.0cm}
1182  \includegraphics[width=6.5cm]{100-c-si-db_light.eps}\\
1183  Qualitative {\color{red}and} quantitative {\color{red}difference}!
1184  \end{minipage}
1185  \begin{minipage}{5.5cm}
1186  \scriptsize
1187  \begin{center}
1188  \begin{tabular}{|l|l|l|}
1189  \hline
1190   & a & b \\
1191  \hline
1192  \underline{VASP} & & \\
1193  fractional & 0.1969 & 0.1211 \\
1194  in \AA & 1.08 & 0.66 \\
1195  \hline
1196  \underline{Albe} & & \\
1197  fractional & 0.1547 & 0.1676 \\
1198  in \AA & 0.84 & 0.91 \\
1199  \hline
1200  \end{tabular}\\[0.2cm]
1201  {\scriptsize\underline{PC (Vasp)}}
1202  \includegraphics[width=6.1cm]{c_100_pc_vasp.ps}
1203  \end{center}
1204  \end{minipage}
1205
1206 \end{slide}
1207
1208 \begin{slide}
1209
1210  {\large\bf\boldmath
1211   Again: C \hkl<1 0 0> interstitial migration (VASP)
1212  }
1213
1214  $\hkl<0 0 -1> \rightarrow \hkl<0 0 1>$ migration
1215  ($3\times 3\times 3$ Type 2):
1216
1217  \small
1218
1219  \begin{minipage}[t]{4.1cm}
1220  \underline{Starting configuration}\\
1221  \includegraphics[height=3.2cm]{c_100_mig_vasp/start.eps}
1222  \begin{center}
1223  $E_{\text{f}}=3.15 \text{ eV}$
1224  \end{center}
1225  \end{minipage}
1226  \begin{minipage}[t]{4.1cm}
1227  \underline{Intermediate configuration}\\
1228  \includegraphics[height=3.2cm]{c_100_mig_vasp/00-1_001_im.eps}
1229  \begin{center}
1230  $E_{\text{f}}=4.41 \text{ eV}$
1231  \end{center}
1232  \end{minipage}
1233  \begin{minipage}[t]{4.1cm}
1234  \underline{Final configuration}\\
1235  \includegraphics[height=3.2cm]{c_100_mig_vasp/final.eps}
1236  \begin{center}
1237  $E_{\text{f}}=3.17 \text{ eV}$
1238  \end{center}
1239  \end{minipage}\\[0.4cm]
1240  \[
1241  \Rightarrow \Delta E_{\text{f}} = E_{\text{mig}} = 1.26 \text{ eV}
1242  \]
1243
1244  Unexpected \& ({\color{red}more} or {\color{orange}less}) fatal:
1245  \begin{itemize}
1246   \renewcommand\labelitemi{{\color{orange}$\bullet$}}
1247   \item Difference in formation energy (0.02 eV)
1248         of the initial and final configuration
1249   \renewcommand\labelitemi{{\color{red}$\bullet$}}
1250   \item Huge discrepancy (0.3 - 0.4 eV) to the migration barrier
1251         of Type 1 (198+1 atoms) calculations
1252   \renewcommand\labelitemi{{\color{black}$\bullet$}}
1253  \end{itemize}
1254  
1255 \end{slide}
1256
1257 \begin{slide}
1258
1259  {\large\bf\boldmath
1260   Again: C \hkl<1 0 0> interstitial migration (VASP)
1261  }
1262
1263  $\hkl<0 0 -1> \rightarrow \hkl<0 -1 0>$ migration
1264  ($3\times 3\times 3$ Type 2):
1265
1266  \small
1267
1268  \begin{minipage}[t]{4.1cm}
1269  \underline{Starting configuration}\\
1270  \includegraphics[height=3.2cm]{c_100_mig_vasp/start.eps}
1271  \begin{center}
1272  $E_{\text{f}}=3.154 \text{ eV}$
1273  \end{center}
1274  \end{minipage}
1275  \begin{minipage}[t]{4.1cm}
1276  \underline{Intermediate configuration}\\
1277  in progress ...
1278  \begin{center}
1279  $E_{\text{f}}=?.?? \text{ eV}$
1280  \end{center}
1281  \end{minipage}
1282  \begin{minipage}[t]{4.1cm}
1283  \underline{Final configuration}\\
1284  \includegraphics[height=3.2cm]{c_100_mig_vasp/0-10.eps}
1285  \begin{center}
1286  $E_{\text{f}}=3.157 \text{ eV}$
1287  \end{center}
1288  \end{minipage}\\[0.4cm]
1289  \[
1290  \Rightarrow \Delta E_{\text{f}} = E_{\text{mig}} = ?.?? \text{ eV}
1291  \]
1292
1293  \vspace*{0.5cm}
1294  {\large\bf
1295  Intermediate configuration {\color{red}not found} by now!
1296  }
1297  
1298 \end{slide}
1299
1300 \begin{slide}
1301
1302  {\large\bf\boldmath
1303   C in Si interstitial configurations (VASP)
1304  }
1305
1306  Check of Kohn-Sham eigenvalues\\
1307
1308  \small
1309
1310  \begin{minipage}{6cm}
1311  \hkl<1 0 0> interstitial\\
1312  \end{minipage}
1313  \begin{minipage}{6cm}
1314  Saddle point configuration\\
1315  \end{minipage}
1316  \underline{$4\times 4\times 3$ Type 1 - fixed border atoms}\\
1317  \begin{minipage}{6cm}
1318 385:      4.8567  -   2.00000\\
1319 386:      4.9510  -   2.00000\\
1320 387:      5.3437  -   0.00000\\
1321 388:      5.4930  -   0.00000
1322  \end{minipage}
1323  \begin{minipage}{6cm}
1324 385:      4.8694  -   2.00000\\
1325 386: {\color{red}4.9917}  -   1.92603\\
1326 387: {\color{red}5.1181}  -   0.07397\\
1327 388:      5.4541  -   0.00000
1328  \end{minipage}\\[0.2cm]
1329  \underline{$4\times 4\times 3$ Type 1 - no constraints}\\
1330  \begin{minipage}{6cm}
1331 385:      4.8586   -  2.00000\\
1332 386:      4.9458   -  2.00000\\
1333 387:      5.3358   -  0.00000\\
1334 388:      5.4915   -  0.00000
1335  \end{minipage}
1336  \begin{minipage}{6cm}
1337 385:      4.8693   -  2.00000\\
1338 386: {\color{red}4.9879}   -  1.92065\\
1339 387: {\color{red}5.1120}   -  0.07935\\
1340 388:      5.4544   -  0.00000
1341  \end{minipage}\\[0.2cm]
1342  \underline{$3\times 3\times 3$ Type 2 - no constraints}\\
1343  \begin{minipage}{6cm}
1344 433:       4.8054  -   2.00000\\
1345 434:       4.9027  -   2.00000\\
1346 435:       5.2543  -   0.00000\\
1347 436:       5.5718  -   0.00000
1348  \end{minipage}
1349  \begin{minipage}{6cm}
1350 433:       4.8160  -   2.00000\\
1351 434: {\color{green}5.0109}  -   1.00264\\
1352 435: {\color{green}5.0111}  -   0.99736\\
1353 436:       5.5364  -   0.00000
1354  \end{minipage}
1355
1356 \end{slide}
1357
1358 \begin{slide}
1359
1360  {\large\bf\boldmath
1361   Once again: C \hkl<1 0 0> interstitial migration (VASP)
1362  }
1363
1364  Method:
1365  \begin{itemize}
1366   \item Start in fully relaxed (assumed) saddle point configuration
1367   \item Move towards \hkl<1 0 0> configuration using updated values
1368         for $\Delta x$, $\Delta y$ and $\Delta z$ (CRT)
1369   \item \hkl<1 1 0> constraints applied, 1 Si atom fixed
1370   \item $4\times 4\times 3$ Type 1 supercell
1371  \end{itemize}
1372
1373  Results:
1374
1375  \begin{minipage}{6.2cm}
1376  \includegraphics[width=6.0cm]{c_100_110sp-i_vasp.ps}
1377  \end{minipage}
1378  \begin{minipage}{6.2cm}
1379  \includegraphics[width=6.0cm]{c_100_110sp-i_rc_vasp.ps}
1380  \end{minipage}
1381
1382  Reaction coordinate:
1383  $r_{i+1}=r_i+\sum_{\text{atoms j}} \left| r_{j,i+1}-r_{j,i} \right|$
1384
1385 \end{slide}
1386
1387 \begin{slide}
1388
1389  {\large\bf\boldmath
1390   Investigation of the migration path along \hkl<1 1 0> (VASP)
1391  }
1392
1393  \small
1394
1395  \underline{Minimum:}\\
1396  \begin{minipage}{4cm}
1397    \includegraphics[width=3.5cm]{c_100_mig_vasp/110_c-si_split.eps}
1398  \end{minipage}
1399  \begin{minipage}{8cm}
1400    \begin{itemize}
1401     \item Starting conf: 35 \% displacement results (1443)
1402     \item \hkl<1 1 0> constraint disabled
1403    \end{itemize}
1404    \begin{center}
1405    $\Downarrow$
1406    \end{center}
1407    \begin{itemize}
1408     \item C-Si \hkl<1 1 0> split interstitial
1409     \item Stable configuration
1410     \item $E_{\text{f}}=4.13\text{ eV}$
1411    \end{itemize}
1412  \end{minipage}\\[0.1cm]
1413
1414  \underline{Maximum:}\\
1415  \begin{minipage}{6cm}
1416    \begin{center}
1417    \includegraphics[width=2.3cm]{c_100_mig_vasp/100-110_01.eps}
1418    \includegraphics[width=2.3cm]{c_100_mig_vasp/100-110_02.eps}\\
1419    20 \% $\rightarrow$ 25 \%\\
1420    Breaking of Si-C bond
1421    \end{center}
1422  \end{minipage}
1423  \begin{minipage}{6cm}
1424   \includegraphics[width=6.2cm]{c_100_110sp-i_upd_vasp.ps}
1425  \end{minipage}
1426
1427 \end{slide}
1428
1429 \begin{slide}
1430
1431  {\large\bf\boldmath
1432   Displacing the \hkl<1 1 0> Si-C split along \hkl<1 -1 0> (VASP)
1433  }
1434
1435  \small
1436
1437  $4\times 4\times 3$ Type 1 supercell
1438
1439  \underline{Structures:}
1440
1441  \begin{minipage}[t]{4.1cm}
1442   \includegraphics[height=3.0cm]{c_100_mig_vasp/start.eps}\\
1443   \hkl<0 0 -1> dumbbell\\
1444   $E_{\text{f}}={\color{orange}3.2254}\text{ eV}$
1445  \end{minipage}
1446  \begin{minipage}[t]{4.1cm}
1447   \includegraphics[height=3.0cm]{c_100_mig_vasp/110_c-si_split.eps}\\
1448   Assumed \hkl<1 1 0> C-Si split\\
1449   $E_{\text{f}}=4.1314\text{ eV}$
1450  \end{minipage}
1451  \begin{minipage}[t]{4.1cm}
1452   \includegraphics[height=3.0cm]{c_100_mig_vasp/110_dis_0-10.eps}\\
1453   First guess: \hkl<0 -1 0> dumbbell\\
1454   {\color{red}but:} $E_{\text{f}}={\color{orange}2.8924}\text{ eV}$\\
1455   Third bond missing!
1456  \end{minipage}\\
1457
1458  \underline{Occupancies:}
1459
1460  \scriptsize
1461
1462  \begin{minipage}{4.1cm}
1463 385:       4.8586  -  2.00000\\
1464 386:       4.9458  -  2.00000\\
1465 387:       5.3358  -  0.00000\\
1466 388:       5.4915  -  0.00000
1467 \hfill
1468  \end{minipage}
1469  \begin{minipage}{4.1cm}
1470 385:       4.7790  -  2.00000\\
1471 386:       4.8797  -  1.99964\\
1472 387:       5.1321  -  0.00036\\
1473 388:       5.4711  -  0.00000
1474 \hfill
1475  \end{minipage}
1476  \begin{minipage}{4.1cm}
1477 385:       4.7670  -  2.00000\\
1478 386:       4.9190  -  2.00000\\
1479 387:       5.2886  -  0.00000\\
1480 388:       5.4849  -  0.00000
1481 \hfill
1482  \end{minipage}\\
1483
1484 \small
1485
1486  \begin{center}
1487  {\color{red}? ! ? ! ? ! ? ! ?}
1488  \end{center}
1489
1490 \end{slide}
1491
1492 \begin{slide}
1493
1494  {\large\bf\boldmath
1495   C \hkl<1 0 0> interstitial migration (VASP)
1496  }
1497
1498  \small
1499
1500  \begin{minipage}{6.2cm}
1501  \begin{itemize}
1502   \item $3\times 3\times 3$ Type 2 supercell
1503   \item \hkl<1 1 0> constraints applied
1504         (\href{http://www.physik.uni-augsburg.de/~zirkelfr/download/posic/sd_rot.patch}{Patch})
1505   \item Move from \hkl<1 0 0> towards\\
1506         bond centered configuration
1507  \end{itemize}
1508  \underline{Sd Rot usage (POSCAR):}
1509 \begin{verbatim}
1510 cubic diamond                           
1511 5.480
1512  3.0 0.0 0.0
1513  0.0 3.0 0.0
1514  0.0 0.0 3.0
1515 216 1
1516 Transformed selective dynamics
1517 45.0 0.0
1518 Direct
1519  ...
1520 \end{verbatim}
1521 Only works in direct mode!\\
1522 $z,x'$-axis rotation: $45.0^{\circ}$, $0.0^{\circ}$
1523  \end{minipage}
1524  \begin{minipage}{6.2cm}
1525  \includegraphics[width=5cm]{c_100_110sp-i_2333_vasp.ps}
1526  \includegraphics[width=5cm]{c_100_110sp-i_2333_rc_vasp.ps}\\
1527  {\color{red}One fixed Si atom not enough!}\\
1528  Video: \href{../video/c_in_si_233_110mig_vasp.avi}{$\rhd_{\text{local}}$ } $|$
1529  \href{http://www.physik.uni-augsburg.de/~zirkelfr/download/posic/c_in_si_233_110mig_vasp.avi}{$\rhd_{\text{remote url}}$}\\
1530  \end{minipage}
1531
1532  {\color{blue}
1533   Next: Migration calculation in 2333 using CRT
1534   (\hkl<0 0 -1> $\rightarrow$ \hkl<0 0 1> and \hkl<0 -1 0>)
1535  }
1536
1537 \end{slide}
1538
1539 \begin{slide}
1540
1541  {\large\bf\boldmath
1542   Defect configurations in $4\times 4\times 3$ Type 1 supercells revisited
1543  }
1544
1545  \footnotesize
1546
1547  \begin{tabular}{l|p{2.5cm}|p{2.5cm}|p{4cm}|}
1548   & \hkl<0 0 -1> interstitial
1549   & local minimum\newline
1550     \hkl<1 1 0> C-Si split
1551   & intermediate configuration\newline
1552     (bond centered conf)\\
1553  \hline
1554  default & $E_{\text{f}}=3.3254\text{ eV}$\newline
1555            {\tiny
1556            386: 4.9458 - 2.00000\newline
1557            387: 5.3358 - 0.00000}
1558          & $E_{\text{f}}=4.1314\text{ eV}$\newline
1559            {\tiny
1560            386: 4.8797 - 1.99964\newline
1561            387: 5.1321 - 0.00036}
1562          & $E_{\text{f}}=4.2434\text{ eV}$\newline
1563            {\tiny
1564            386: 4.9879 - 1.92065\newline
1565            387: 5.1120 - 0.07935} \\
1566  \hline
1567  No symmetry & $E_{\text{f}}=3.3154\text{ eV}$\newline
1568                {\tiny
1569                386: 4.9456 - 2.00000\newline
1570                387: 5.3366 - 0.00000}
1571              & $E_{\text{f}}=4.1314\text{ eV}$\newline
1572                {\tiny
1573                386: 4.8798 - 1.99961\newline
1574                387: 5.1307 - 0.00039}
1575              & $E_{\text{f}}=4.2454\text{ eV}$\newline
1576                {\tiny
1577                386: 4.9841 - 1.92147\newline
1578                387: 5.1085 - 0.07853} \\
1579  \hline
1580  $+$ spin polarized & $E_{\text{f}}=3.3154\text{ eV}$\newline
1581                       {\tiny
1582                       {\color{blue}
1583                       386: 4.9449 - 1.00000\newline
1584                       387: 5.3365 - 0.00000\newline%
1585                       }%
1586                       {\color{green}%
1587                       386: 4.9449 - 1.00000\newline
1588                       387: 5.3365 - 0.00000}}
1589                     & $E_{\text{f}}={\color{red}4.1314}\text{ eV}$\newline
1590                       {\tiny
1591                       {\color{blue}
1592                       386: 4.8799 - 0.99980\newline
1593                       387: 5.1307 - 0.00020\newline%
1594                       }%
1595                       {\color{green}%
1596                       386: 4.8799 - 0.99980\newline
1597                       387: 5.1306 - 0.00020}}
1598                     & $E_{\text{f}}=4.0254\text{ eV}$\newline
1599                       {\tiny
1600                       {\color{blue}
1601                       387: 4.8581 - 1.00000\newline
1602                       388: 5.4662 - 0.00000\newline%
1603                       }%
1604                       {\color{green}%
1605                       385: 4.8620 - 1.00000\newline
1606                       386: 5.2951 - 0.00000}} \\
1607  \hline
1608  $+$ spin difference 2 & $E_{\text{f}}=3.6394\text{ eV}$\newline
1609                          {\tiny
1610                          {\color{blue}
1611                          387: 5.2704 - 0.99891\newline
1612                          388: 5.4886 - 0.00095\newline
1613                          389: 5.5094 - 0.00011\newline
1614                          390: 5.5206 - 0.00003\newline%
1615                          }%
1616                          {\color{green}%
1617                          385: 4.8565 - 0.98603\newline
1618                          386: 5.0119 - 0.01397}}
1619                        & Relaxation into\newline
1620                          bond centered\newline
1621                          configuration\newline
1622                          $\rightarrow$
1623                        & $E_{\text{f}}=4.0254\text{ eV}$\newline
1624                          {\tiny
1625                          {\color{blue}
1626                          387: 4.8578 - 1.00000\newline
1627                          388: 5.4661 - 0.00000\newline%
1628                          }%
1629                          {\color{green}%
1630                          385: 4.8618 - 1.00000\newline
1631                          386: 5.2950 - 0.00000}} \\
1632  \hline
1633  \end{tabular}
1634
1635 \end{slide}
1636
1637 \begin{slide}
1638
1639  {\large\bf\boldmath
1640   Defect configurations in $3\times 3\times 3$ Type 2 supercells revisited\\
1641  }
1642
1643  \footnotesize
1644
1645  \begin{tabular}{l|p{2.5cm}|p{2.5cm}|p{4cm}|}
1646   & \hkl<0 0 -1> interstitial
1647   & local minimum\newline
1648     \hkl<1 1 0> C-Si split
1649   & intermediate configuration\newline
1650     (bond centered conf)\\
1651  \hline
1652  default & $E_{\text{f}}=3.15407\text{ eV}$\newline
1653            {\tiny
1654            434: 4.9027 - 2.00000\newline
1655            435: 5.2543 - 0.00000}
1656          & $E_{\text{f}}=??\text{ eV}$\newline
1657            {\tiny
1658            ??\newline
1659            ??}
1660          & $E_{\text{f}}=4.40907\text{ eV}$\newline
1661            {\tiny
1662            434: 5.0109 - 1.00264\newline
1663            435: 5.0111 - 0.99736}\\
1664  \hline
1665  No symmetry & $E_{\text{f}}=3.16107\text{ eV}$\newline
1666                {\tiny
1667                434: 4.9032 - 2.00000\newline
1668                435: 5.2547 - 0.00000}
1669              & $E_{\text{f}}=??\text{ eV}$\newline
1670                {\tiny
1671                ??\newline
1672                ??}
1673              & $E_{\text{f}}=4.41507\text{ eV}$\newline
1674                {\tiny
1675                434: 5.0113 - 1.00140\newline
1676                435: 5.0114 - 0.99860} \\
1677  \hline
1678  $+$ spin polarized & $E_{\text{f}}=3.16107\text{ eV}$\newline
1679                       {\tiny
1680                       {\color{blue}
1681                       434: 4.9033 - 1.00000\newline
1682                       435: 5.2544 - 0.00000\newline%
1683                       }%
1684                       {\color{green}%
1685                       434: 4.9035 - 1.00000\newline
1686                       435: 5.2550 - 0.00000}}
1687                     & $E_{\text{f}}=??\text{ eV}$\newline
1688                       {\tiny
1689                       {\color{blue}
1690                       ??\newline
1691                       ??\newline%
1692                       }%
1693                       {\color{green}%
1694                       ??\newline
1695                       ??}}
1696                     & $E_{\text{f}}=4.10307\text{ eV}$\newline
1697                       {\tiny
1698                       {\color{blue}
1699                       435: 4.8118 - 1.00000\newline
1700                       436: 5.5360 - 0.00000\newline%
1701                       }%
1702                       {\color{green}%
1703                       433: 4.8151 - 1.00000\newline
1704                       434: 5.3475 - 0.00000}} \\
1705  \hline
1706  \end{tabular}
1707
1708  \normalsize
1709
1710  \vspace*{0.3cm}
1711
1712  {\color{blue}Tracer:}\\
1713  Smearing of electrons over two or more (degenerated) energy levels\\
1714  $\Rightarrow$ use spin polarized calculations!
1715
1716 \end{slide}
1717
1718 \begin{slide}
1719
1720  {\large\bf\boldmath
1721   Bond centered configuration revisited ($3\times 3\times 3$ Type 2)
1722  }
1723
1724  Spin polarized calculations
1725
1726  {\small
1727  \begin{minipage}[t]{5.8cm}
1728  \underline{Kohn-Sham eigenvalues}\\
1729   \begin{minipage}{2.8cm}
1730   Spin up:\\
1731   430: 4.2639 - 1\newline
1732   431: 4.7332 - 1\newline
1733   432: 4.7354 - 1\newline
1734   433: 4.7700 - 1\newline
1735   434: 4.8116 - 1\newline
1736   435: 4.8118 - 1\newline
1737   436: 5.5360 - 0\newline
1738   437: 5.5623 - 0
1739   \end{minipage}
1740   \begin{minipage}{2.8cm}
1741   Spin down:\\
1742   430: 4.2682 - 1\newline
1743   431: 4.7738 - 1\newline
1744   432: 4.8150 - 1\newline
1745   433: 4.8151 - 1\newline
1746   434: 5.3475 - 0\newline
1747   435: 5.3476 - 0\newline
1748   436: 5.5455 - 0\newline
1749   437: 5.5652 - 0
1750   \end{minipage}\\[0.3cm]
1751  \begin{itemize}
1752   \item linear Si-C-Si bond
1753   \item Each Si has another 3 Si neighbours
1754  \end{itemize}
1755  \begin{center}
1756  {\color{blue}Spin polarized calculations necessary!}\\[0.3cm]
1757  \end{center}
1758  {\scriptsize Charge density isosurface of
1759               {\color{gray}spin up}, {\color{green}spin down} and
1760               the {\color{blue}resulting spin up} electrons.\\
1761               Two {\color{yellow} Si} atoms and one {\color{red}C}
1762               atom are shown.
1763  }
1764  \end{minipage}
1765  \begin{minipage}[t]{6.5cm}
1766  \underline{MO diagram}\\
1767   \begin{minipage}[t]{1.2cm}
1768   {\color{red}Si}\\
1769   {\tiny sp$^3$}\\[0.8cm]
1770   \underline{${\color{red}\uparrow}$}
1771   \underline{${\color{red}\uparrow}$}
1772   \underline{${\color{red}\uparrow}$}
1773   \underline{${\color{red}\uparrow}$}\\
1774   sp$^3$
1775   \end{minipage}
1776   \begin{minipage}[t]{1.4cm}
1777   \begin{center}
1778   {\color{red}M}{\color{blue}O}\\[1.0cm]
1779   \underline{${\color{blue}\uparrow}{\color{white}\downarrow}$}\\
1780   $\sigma_{\text{ab}}$\\[0.5cm]
1781   \underline{${\color{red}\uparrow}{\color{blue}\downarrow}$}\\
1782   $\sigma_{\text{b}}$
1783   \end{center}
1784   \end{minipage}
1785   \begin{minipage}[t]{1.0cm}
1786   \begin{center}
1787   {\color{blue}C}\\
1788   {\tiny sp}\\[0.2cm]
1789   \underline{${\color{white}\uparrow\uparrow}$}
1790   \underline{${\color{white}\uparrow\uparrow}$}\\
1791   2p\\[0.4cm]
1792   \underline{${\color{blue}\uparrow}{\color{blue}\downarrow}$}
1793   \underline{${\color{blue}\uparrow}{\color{blue}\downarrow}$}\\
1794   sp
1795   \end{center}
1796   \end{minipage}
1797   \begin{minipage}[t]{1.4cm}
1798   \begin{center}
1799   {\color{blue}M}{\color{green}O}\\[1.0cm]
1800   \underline{${\color{blue}\uparrow}{\color{white}\downarrow}$}\\
1801   $\sigma_{\text{ab}}$\\[0.5cm]
1802   \underline{${\color{green}\uparrow}{\color{blue}\downarrow}$}\\
1803   $\sigma_{\text{b}}$
1804   \end{center}
1805   \end{minipage}
1806   \begin{minipage}[t]{1.2cm}
1807   \begin{flushright}
1808   {\color{green}Si}\\
1809   {\tiny sp$^3$}\\[0.8cm]
1810   \underline{${\color{green}\uparrow}$}
1811   \underline{${\color{green}\uparrow}$}
1812   \underline{${\color{green}\uparrow}$}
1813   \underline{${\color{green}\uparrow}$}\\
1814   sp$^3$
1815   \end{flushright}
1816   \end{minipage}\\[0.4cm]
1817  \begin{flushright}
1818  \includegraphics[width=6cm]{c_100_mig_vasp/im_spin_diff.eps}
1819  \end{flushright}
1820  \end{minipage}
1821  }
1822
1823 \end{slide}
1824
1825 \begin{slide}
1826
1827  {\large\bf\boldmath
1828   \hkl<0 0 -1> configuration revisited ($3\times 3\times 3$ Type 2)
1829  }
1830
1831  Spin polarized calculations
1832
1833  {\small
1834  \begin{minipage}[t]{5.8cm}
1835  \underline{Kohn-Sham eigenvalues}\\
1836   \begin{minipage}{2.8cm}
1837   Spin up:\\
1838   430: 4.3317 - 1\newline
1839   431: 4.7418 - 1\newline
1840   432: 4.8014 - 1\newline
1841   433: 4.8060 - 1\newline
1842   434: 4.9033 - 1\newline
1843   435: 5.2544 - 0\newline
1844   436: 5.5723 - 0\newline
1845   437: 5.5848 - 0
1846   \end{minipage}
1847   \begin{minipage}{2.8cm}
1848   Spin down:\\
1849   430: 4.3317 - 1\newline
1850   431: 4.7420 - 1\newline
1851   432: 4.8013 - 1\newline
1852   433: 4.8059 - 1\newline
1853   434: 4.9035 - 1\newline
1854   435: 5.2550 - 0\newline
1855   436: 5.5724 - 0\newline
1856   437: 5.5846 - 0
1857   \end{minipage}
1858  \end{minipage}
1859  \begin{minipage}[t]{6.5cm}
1860  \underline{MO diagram}\\
1861   \begin{minipage}[t]{1.2cm}
1862   {\color{red}Si}\\
1863   {\tiny sp$^2$}\\[0.1cm]
1864   \underline{${\color{white}\uparrow}$}\\
1865   p\\[0.4cm]
1866   \underline{${\color{red}\uparrow\downarrow}$}
1867   \underline{${\color{red}\uparrow}{\color{white}\downarrow}$}
1868   \underline{${\color{red}\uparrow}{\color{white}\downarrow}$}\\
1869   sp$^2$
1870   \end{minipage}
1871   \begin{minipage}[t]{1.2cm}
1872   \begin{flushright}
1873   {\color{red}M}\\[1.0cm]
1874   \underline{${\color{white}\uparrow}{\color{white}\downarrow}$}\\
1875   $\sigma_{\text{ab}}$\\[0.5cm]
1876   \underline{${\color{red}\uparrow}{\color{blue}\downarrow}$}\\
1877   $\sigma_{\text{b}}$
1878   \end{flushright}
1879   \end{minipage}
1880   \begin{minipage}[t]{1.2cm}
1881   \begin{flushleft}
1882   {\color{blue}O}\\[0.4cm]
1883   \underline{${\color{white}\uparrow}{\color{white}\downarrow}$}\\
1884   $\pi_{\text{ab}}$\\[0.5cm]
1885   \underline{${\color{red}\uparrow}{\color{blue}\downarrow}$}\\
1886   $\pi_{\text{b}}$
1887   \end{flushleft}
1888   \end{minipage}
1889   \begin{minipage}[t]{2.0cm}
1890   \begin{center}
1891   {\color{blue}C}\\
1892   {\tiny sp$^2$}\\[0.5cm]
1893   \underline{${\color{white}\uparrow\uparrow}$}\\
1894   p\\[0.4cm]
1895   \underline{${\color{blue}\uparrow}{\color{blue}\downarrow}$}
1896   \underline{${\color{blue}\uparrow}{\color{white}\downarrow}$}
1897   \underline{${\color{blue}\uparrow}{\color{white}\downarrow}$}\\
1898   sp$^2$
1899   \end{center}
1900   \end{minipage}
1901  \end{minipage}
1902  }
1903
1904  \vspace*{0.4cm}
1905
1906  \begin{itemize}
1907   \item Si-C double bond
1908   \item Si and C atom have another 2 Si neighbours
1909  \end{itemize}
1910  
1911  \begin{center}
1912  {\color{blue}Spin polarized calculations {\color{red}not} necessary!}
1913  \end{center}
1914
1915 \end{slide}
1916
1917 \begin{slide}
1918
1919  {\large\bf\boldmath
1920   New default parameter set\\[1cm]
1921  }
1922
1923  Since some defect configurations need spin polarized calculations ...\\[1cm]
1924
1925  from now on the default parameter set\\
1926  {\bf\color{blue}
1927  $+$ no symmetry\\
1928  $+$ spin polarized\\
1929  }
1930  \ldots is used!\\[1cm]
1931
1932 \end{slide}
1933
1934 \begin{slide}
1935
1936  {\large\bf\boldmath
1937   \hkl<0 0 -1> to \hkl<0 0 1> migration
1938    in the $3\times 3\times 3$ Type 2 supercell
1939  }
1940
1941 \end{slide}
1942
1943 \begin{slide}
1944
1945  {\large\bf\boldmath
1946   \hkl<0 0 -1> to \hkl<0 -1 0> migration
1947   in the $3\times 3\times 3$ Type 2 supercell
1948  }
1949
1950 \end{slide}
1951
1952 \begin{slide}
1953
1954  {\large\bf\boldmath
1955   Combination of defects
1956  }
1957
1958  TODO: introduce some Si self-interstitials and C interstitials before\\
1959  BUT: Concentrate on 100 C interstitial combinations and 100 C + vacancy\\
1960  
1961  Agglomeration of 100 defects energetically favorable?
1962
1963 \end{slide}
1964
1965 \begin{slide}
1966
1967  {\large\bf\boldmath
1968   Combination of defects
1969  }
1970
1971  \begin{itemize}
1972   \item Supercell: $3\times 3\times 3$ Type 2
1973   \item Starting configuration: \hkl<0 0 -1> C-Si interstitial
1974   \item Energies: $E_{\text{f}}$ of the interstitial combinations in eV
1975  \end{itemize}
1976
1977  \underline{Along \hkl<1 1 0>:}
1978
1979  \begin{tabular}{|l|p{1.8cm}|p{1.8cm}|p{1.8cm}|p{1.8cm}|}
1980  \hline
1981   {\scriptsize
1982   \backslashbox{2nd interstitial}{Distance $[\frac{a}{4}]$}
1983   }
1984   & \hkl<1 1 -1> & \hkl<2 2 0> & \hkl<3 3 -1> & \hkl<4 4 0>\\
1985  \hline
1986  \hkl<0 0 -1> & 6.23514\newline {\color{blue}6.23514} 
1987               & 4.65214\newline {\color{blue}4.65014} 
1988               & 5.97314\newline {\color{blue}5.97314}
1989               & 6.45514\newline {\color{blue}6.45714} \\
1990  \hline
1991  \hkl<0 0 1> & 6.65114\newline {\color{blue}6.65114} 
1992              & 4.78514\newline {\color{blue}4.78314} 
1993              & 6.53614\newline {\color{blue}6.53614}
1994              & 6.18914\newline {\color{blue}6.18914} \\
1995  \hline
1996  \hkl<1 0 0>, \hkl<0 1 0> & 4.07014\newline alkmene
1997                           & 4.93814
1998                           & 5.72914
1999                           & 6.00214\\
2000  \hline
2001  \hkl<-1 0 0>, \hkl<0 -1 0> & TODO & TODO & TODO & TODO\\
2002  \hline
2003  \end{tabular}
2004
2005  Spin polarized and {\color{blue}non spin polarized} results
2006  
2007 \end{slide}
2008
2009 \begin{slide}
2010
2011  {\large\bf
2012   Molecular dynamics simulations (VASP)
2013  }
2014
2015  2 C atoms in $2\times 2\times 2$ Type 2 supercell at $450\,^{\circ}\text{C}$
2016
2017  \small
2018
2019  \begin{minipage}{7.6cm}
2020  Radial distribution\\
2021  \includegraphics[width=7.6cm]{md_02c_2222si_pc.ps}
2022  \end{minipage}
2023  \begin{minipage}{5.0cm}
2024  \begin{center}
2025  PC average from\\
2026  $t_1=50$ ps to $t_2=50.93$ ps
2027  \end{center}
2028  \end{minipage}
2029  Diffusion:
2030  \begin{itemize}
2031   \item $<(x(t)-x(0))^2>$ hard to determine due to missing info of
2032         boundary crossings
2033   \item No jumps recognized in the
2034  Video \href{../video/md_02c_2222si_vasp.avi}{$\rhd_{\text{local}}$ } $|$
2035  \href{http://www.physik.uni-augsburg.de/~zirkelfr/download/posic/md_02c_2222si_vasp.avi}{$\rhd_{\text{remote url}}$}
2036  \end{itemize}
2037
2038 \end{slide}
2039
2040 \begin{slide}
2041
2042  {\large\bf
2043   Molecular dynamics simulations (VASP)
2044  }
2045
2046  10 C atoms in $3\times 3\times 3$ Type 2 supercell at $450\,^{\circ}\text{C}$
2047
2048  \small
2049
2050  \begin{minipage}{7.2cm}
2051  Radial distribution (PC averaged over 1 ps)\\
2052  \includegraphics[width=7.0cm]{md_10c_2333si_pc_vasp.ps}
2053  \end{minipage}
2054  \begin{minipage}{5.0cm}
2055  \includegraphics[width=6.0cm]{md_10c_2333si_pcc_vasp.ps}
2056  \end{minipage}
2057  Diffusion:
2058  (Video \href{../video/md_10c_2333si_vasp.avi}{$\rhd_{\text{local}}$ } $|$
2059  \href{http://www.physik.uni-augsburg.de/~zirkelfr/download/posic/md_10c_2333si_vasp.avi}{$\rhd_{\text{remote url}}$})
2060  \begin{itemize}
2061   \item $<(x(t)-x(0))^2>$ hard to determine due to missing info of
2062         boundary crossings
2063   \item Agglomeration of C? (Video)
2064  \end{itemize}
2065
2066 \end{slide}
2067
2068 \begin{slide}
2069
2070  {\large\bf
2071   Molecular dynamics simulations (VASP)
2072  }
2073
2074  1 C atom in $3\times 3\times 3$ Type 2 supercell at $900\,^{\circ}\text{C}$
2075
2076  in progress ...
2077
2078 \end{slide}
2079
2080 \begin{slide}
2081
2082  {\large\bf
2083   Molecular dynamics simulations (VASP)
2084  }
2085
2086  10 C atoms in $3\times 3\times 3$ Type 2 supercell at $900\,^{\circ}\text{C}$
2087
2088  in progress ...
2089
2090 \end{slide}
2091
2092 \begin{slide}
2093
2094  {\large\bf
2095   Density Functional Theory
2096  }
2097
2098  Hohenberg-Kohn theorem
2099
2100  \small
2101
2102 \end{slide}
2103
2104 \begin{slide}
2105
2106  {\large\bf
2107   More theory ...
2108  }
2109
2110  Transition state theory\\
2111  ART,NEB ...
2112
2113  Group theory
2114
2115  \small
2116
2117 \end{slide}
2118
2119 \end{document}
2120 \end{document}
2121