\chapter{Einleitung}
-Bei der Ionenimplantation werden Atome oder Molek"ule ionisiert, in einem elektrostatischen Feld beschleunigt und in einen Festk"orper geschossen.
+Bei der Ionenimplantation werden Atome oder Molek"ule ionisiert, in einem elektrischen Feld beschleunigt und in einen Festk"orper geschossen.
Dabei sind beliebige Ion-Target-Kombinationen m"oglich.
-Die Beschleunigungsenergie kann zwischen einigen Kiloelektronenvolt und einigen Millionen Elektronenvolt liegen.
+Die Beschleunigungsenergie kann zwischen einigen hundert Elektronenvolt und einigen Gigaelektronenvolt liegen.
Neben der Energie bestimmt die Masse der Ionen und die Masse der Atome des Festk"orpers die Eindringtiefe der Ionen.
Die Ionenimplantation erm"oglicht so die Modifikation oberfl"achennaher Schichten des Festk"orpers.
In der Halbleiterindustrie ist sie schon lang ein bew"ahrtes Mittel zur Dotierung von Halbleiterkristallen.
Die Ionenimplantation ist prinzipiell unabh"angig von chemischen L"oslichkeitsgrenzen und der Implantationstemperatur.
-Ihre technologischen Vorz"uge sind:
-\begin{itemize}
- \item Schnelligkeit
- \item Homogenit"at
- \item Reproduzierbarkeit
- \item exakte Kontrollierbarkeit der implantierten Menge \\
- (durch einfache Stromintegration)
-\end{itemize}
+Zu ihren wichtigsten Vorz"ugen z"ahlen die exakte Kontrollierbarkeit der implantierten Menge durch einfach Stromintegration, Reproduzierbarkeit, Homogenit"at und Schnelligkeit.
-Die Bestrahlung von Materialien mit energetischen Teilchen hat eine sehr hohe Energie-Dissipation im Material zur Folge, welche die zu Grunde liegende Nano- und Mikrostruktur weit aus dem Gleichgewichtszustand bringen kann.
-Eine der un"ublichsten Antworten des Systems auf die "au"sere Stimulation ist die Selbstorganisation der Nano- und Mikrostruktur zu periodisch angeordneten zwei- oder drei-dimensionalen Gebilden.
+Die Bestrahlung von Materialien mit energetischen Teilchen hat eine sehr hohe Energie-Dissipation im Material zur Folge, welche die zu Grunde liegende kristalline Struktur eines Festk"orpers weit aus dem Gleichgewichtszustand bringen kann.
+hier rein was man erwartet ...
+Eine der un"ublichsten Antworten eines Systems auf "au"sere Stimulation ist die Selbstorganisation der Nano- und Mikrostruktur zu periodisch angeordneten zwei- oder drei-dimensionalen Gebilden.
Bei Untersuchungen von Hochdosis-Kohlenstoff-Ionenimplantationen in Silizium, als Methode zur Herstellung vergrabener epitaktischer $SiC$-Schichten \cite{herstellung_sic_schicht},\\
fand man bei Temperaturen kleiner $400 \, ^{\circ} \mathrm{C}$ die Ausbildung einer amorphen Schicht, begleitet von lamellaren und sph"arischen $SiC_x$-Ausscheidungen an der vorderen Grenzfl"ache.
Weiterhin bieten sie den Vorteil, dass die physikalischen Vorg"ange weitgehend ohne einschr"ankende Annahmen behandelt werden k"onnen.
Die Arbeit ist wie folgt aufgebaut.
-In Kapitel \ref{chapter:grundlagen} werden die n"otigen Grundlagen der Ionen-Festk"orper Wechselwirkung wiederholt und eine kurze Einf"uhrung in das Konzept der Monte-Carlo-Simulation gegeben.
+In Kapitel \ref{chapter:grundlagen} werden die n"otigen Grundlagen der Ion-Festk"orper Wechselwirkung wiederholt und eine kurze Einf"uhrung in das Konzept der Monte-Carlo-Simulation gegeben.
Danach wird in Kapitel \ref{chapter:modell} das Modell konkret formuliert.
-In Kapitel \ref{chapter:simulation} wird die Implementierung des vorher vorgestellten Modells behandelt.
-Nach der Diskussion der Ergebnisse in Kapitel \ref{chapter:simulation} schliesst die Arbeit mit einer Zusammenfassung und einem Ausblick in Kapitel \ref{chapter:z_und_a}.
+In Kapitel \ref{chapter:simulation} wird die Implementierung des vorgestellten Modells behandelt.
+Nach der Diskussion der Ergebnisse in Kapitel \ref{chapter:ergebnisse} schlie"st die Arbeit mit einer Zusammenfassung und einem Ausblick in Kapitel \ref{chapter:z_und_a}.
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