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 \chapter{Einleitung}
 
-Bei der Ionenimplantation werden Atome oder Molek"ule ionisiert, in einem elektrostatischen Feld beschleunigt und in einen Festk"orper geschossen.
+Bei der Ionenimplantation werden Atome oder Molek"ule ionisiert, in einem elektrischen Feld beschleunigt und in einen Festk"orper geschossen.
 Dabei sind beliebige Ion-Target-Kombinationen m"oglich.
-Die Beschleunigungsenergie kann zwischen einigen Kiloelektronenvolt und einigen Millionen Elektronenvolt liegen.
+Die Beschleunigungsenergie kann zwischen einigen hundert Elektronenvolt und einigen Gigaelektronenvolt liegen.
 Neben der Energie bestimmt die Masse der Ionen und die Masse der Atome des Festk"orpers die Eindringtiefe der Ionen.
 
 Die Ionenimplantation erm"oglicht so die Modifikation oberfl"achennaher Schichten des Festk"orpers.
 In der Halbleiterindustrie ist sie schon lang ein bew"ahrtes Mittel zur Dotierung von Halbleiterkristallen.
 Die Ionenimplantation ist prinzipiell unabh"angig von chemischen L"oslichkeitsgrenzen und der Implantationstemperatur.
-Ihre technologischen Vorz"uge sind:
-\begin{itemize}
-  \item Schnelligkeit
-  \item Homogenit"at
-  \item Reproduzierbarkeit
-  \item exakte Kontrollierbarkeit der implantierten Menge \\
-  (durch einfache Stromintegration)
-\end{itemize}
+Zu ihren wichtigsten Vorz"ugen z"ahlen die exakte Kontrollierbarkeit der implantierten Menge durch einfach Stromintegration, Reproduzierbarkeit, Homogenit"at und Schnelligkeit.
 
-Die Bestrahlung von Materialien mit energetischen Teilchen hat eine sehr hohe Energie-Dissipation im Material zur Folge, welche die zu Grunde liegende Nano- und Mikrostruktur weit aus dem Gleichgewichtszustand bringen kann.
+Die Bestrahlung von Materialien mit energetischen Teilchen hat eine sehr hohe Energie-Dissipation im Material zur Folge, welche die zu Grunde liegende kristalline Struktur eines Festk"orpers weit aus dem Gleichgewichtszustand bringen kann.
+hier rein was man erwartet ...
 Eine der un"ublichsten Antworten eines Systems auf "au"sere Stimulation ist die Selbstorganisation der Nano- und Mikrostruktur zu periodisch angeordneten zwei- oder drei-dimensionalen Gebilden.
 
 Bei Untersuchungen von Hochdosis-Kohlenstoff-Ionenimplantationen in Silizium, als Methode zur Herstellung vergrabener epitaktischer $SiC$-Schichten \cite{herstellung_sic_schicht},\\