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[lectures/latex.git] / nlsop / diplom / exp_befunde.tex

diff --git a/nlsop/diplom/exp_befunde.tex b/nlsop/diplom/exp_befunde.tex
index cb5562d..909df41 100644 (file)
--- a/nlsop/diplom/exp_befunde.tex
+++ b/nlsop/diplom/exp_befunde.tex
@@ -13,7 +13,7 @@ Es wurden Implantationen von Ionen der Energie $180 \, keV$ in einem Winkel von
   \section{Lage und Ausdehnung amorpher Phasen}
 
   \printimg{h}{width=15cm}{k393abild1_.eps}{Hellfeld-TEM-Abbildung einer bei $150 \, ^{\circ} \mathrm{C}$ mit $180 \, keV$ $C^+$ implantierten $Si$-Probe mit einer Dosis von $4,3 \times 10^{17} cm^{-2}$. (L: amorphe Lamellen,  S: sph"arische amorphe Ausscheidungen) \cite{maik_da}}{img:xtem_img}
-  Abbildung \ref{img:xtem_img} zeigt eine Cross-Section TEM-Aufnahme einer mit $4,3 \times 10^{17} cm^{-2}$ $180 \, keV \, C^{+}$-inplantierten Probe.
+  Abbildung \ref{img:xtem_img} zeigt eine Cross-Section TEM-Aufnahme (Querschnittsaufnahme) einer mit $4,3 \times 10^{17} cm^{-2}$ $180 \, keV \, C^{+}$-inplantierten Probe.
   Die hellen Gebiete sind amorph, dunkle Gebiete kristallin.
   In einer Tiefe von ungef"ahr $300 \, nm$ beginnt die durchgehend amorphe Schicht.
   An der vorderen Grenzfl"ache sind die lamellaren und sph"arischen $SiC_x$-Ausscheidungen zu erkennen.