Neben der Kohlenstoffimplantation in Silizium wurden solche Ausscheidungen auch bei der Hochdosis"=Sauerstoffimplantation in Silizium und der Bestrahlung von Saphir mit $Ar^+$-Ionen sowie von $SiC$ mit $Si^+$-Ionen\cite{van_ommen,specht,ishimaru} gefunden.
Allen Systemen gemeinsam ist eine drastische Dichtereduktion des Targetmaterials beim Phasen"ubergang - im Falle der Bildung von amorphen $SiC$ von $20$ bis $30 \, at.\%$ -, worauf im n"achsten Kapitel genauer eingegangen wird.
Neben der Kohlenstoffimplantation in Silizium wurden solche Ausscheidungen auch bei der Hochdosis"=Sauerstoffimplantation in Silizium und der Bestrahlung von Saphir mit $Ar^+$-Ionen sowie von $SiC$ mit $Si^+$-Ionen\cite{van_ommen,specht,ishimaru} gefunden.
Allen Systemen gemeinsam ist eine drastische Dichtereduktion des Targetmaterials beim Phasen"ubergang - im Falle der Bildung von amorphen $SiC$ von $20$ bis $30 \, at.\%$ -, worauf im n"achsten Kapitel genauer eingegangen wird.