fixed eel, c-distr + model figure caption

[lectures/latex.git] / nlsop / diplom / modell.tex

diff --git a/nlsop/diplom/modell.tex b/nlsop/diplom/modell.tex
index e78f8d7..a9a0549 100644 (file)
--- a/nlsop/diplom/modell.tex
+++ b/nlsop/diplom/modell.tex
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   Im Folgenden soll auf das Modell zur Bildung dieser geordneten amorphen Ausscheidungen eingegangen werden.
   Es wurde erstmals in \cite{basic_phys_proc} vorgestellt.
   Die Idee des Modells ist schematisch in Abbildung \ref{img:modell} gezeigt.
-  \printimg{h}{width=15cm}{modell_ng.eps}{Schematische Abbildung des Modells zur Erkl"arung der Selbstorganisation amorpher $SiC_x$-Ausscheidungen und ihre Entwicklung zu geordneten Lamellen aufgrund vorhandener Druckspannungen mit zunehmender Dosis in $C^+$"=implantierten Silizium.}{img:modell}
+  \printimg{h}{width=15cm}{modell_ng.eps}{Schematische Abbildung des Modells zur Erkl"arung der Selbstorganisation amorpher $SiC_x$-Ausscheidungen und ihre Entwicklung zu geordneten Lamellen aufgrund vorhandener Druckspannungen mit zunehmender Dosis in $C^+$"=implantierten Silizium. Schwarze Pfeile entsprechen den Druckspannungen, weisse Pfeile deuten Kohlenstoffdiffusion an.}{img:modell}
   % alternativ model1_s_german.eps
 
   Aufgrund der niedrigen nuklearen Bremskraft der leichten Kohlenstoff Ionen im Silizium ist unter den weiter oben genannten Bedingungen keine Amorphisierung von reinem Silizium zu erwarten \cite{lindner_appl_phys}.