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[lectures/latex.git] / nlsop / diplom / modell.tex

diff --git a/nlsop/diplom/modell.tex b/nlsop/diplom/modell.tex
index ed758c8..e92eddd 100644 (file)
--- a/nlsop/diplom/modell.tex
+++ b/nlsop/diplom/modell.tex
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   Im Folgenden soll auf das Modell zur Bildung dieser geordneten amorphen Ausscheidungen eingegangen werden.
   Es wurde erstmals in \cite{basic_phys_proc} vorgestellt.
   Die Idee des Modells ist schematisch in Abbildung \ref{img:modell} gezeigt.
-  \begin{figure}[h]
-  %\includegraphics[width=12cm]{model1_s_german.eps}
-  \includegraphics[width=12cm]{modell_ng.eps}
-  \caption{Schematische Abbildung des Modells zur Erkl"arung der Selbstorganisation amorpher $SiC_x$-Ausscheidungen und ihre Entwicklung zu gerodneten Lamellen auf Grund vorhandener Druckspannungen mit zunehmender Dosis in $C^+$-implantierten Silizium}
-  \label{img:modell}
-  \end{figure}
+  \printimg{h}{width=15cm}{modell_ng.eps}{Schematische Abbildung des Modells zur Erkl"arung der Selbstorganisation amorpher $SiC_x$-Ausscheidungen und ihre Entwicklung zu gerodneten Lamellen auf Grund vorhandener Druckspannungen mit zunehmender Dosis in $C^+$"=implantierten Silizium.}{img:modell}
+  % alternativ model1_s_german.eps
 
   Auf Grund der niedrigen nuklearen Bremskraft der leichten Kohlenstoff Ionen im Silizium ist unter den weiter oben genannten Bedingungen keine Amorphisierung von reinem Silizium zu erwarten \cite{lindner_appl_phys}.
   Tats"achlich wurde in \cite{linnross} gezeigt, dass reines amorphes Silizium bei Temperaturen "uber $130 \, ^{\circ} \mathrm{C}$ unter den gegebenen Bedingungen ionenstrahlinduziert epitaktisch rekristallisiert, w"ahrend rein thermische Rekristallisation von amorphen Silizium ($a-Si$) erst oberhalb $550 \, ^{\circ} \mathrm{C}$ erfolgt \cite{csepregi}.