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index 17785f4..e62347c 100644 (file)
 \chapter{Simulation}
+\label{chapter:simulation}
+
+  Im Folgenden soll die Implementation der Monte-Carlo-Simulation nach dem vorangegangen Modell diskutiert werden.
+  Die Simulation tr"agt den Namen \linebreak[4] {\em NLSOP}, was f"ur die Schlagw"orter {\bf N}ano, {\bf L}amellar und {\bf S}elbst{\bf O}ragnisations-{\bf P}rozess steht.
+  Ziel der Simulation ist die Verifizierung des Modells anhand der experimentellen Ergebnisse, die in Abbildung \ref{img:xtem_img} vorliegen.
+  Die genauen Daten sind:
+  \begin{itemize}
+    \item Energie: $E=180 keV$
+    \item Dosis: $D = 4,3 \times 10^{17} cm^{-2}$
+    \item Temperatur: $T = 150 ^{\circ} \mathrm{C}$
+    \item Implantationswinkel: $\alpha = 7 ^{\circ}$
+    \item Ion/Target Kombination: $C^+ \rightarrow Si (100)$
+  \end{itemize}
+  Anzumerken ist, dass es zwei Versionen der Simulation gibt, die unterschiedliche Tiefenbereiche abdecken.
+  Diese unterscheiden sich in einigen Punkten, was den Simualtionsalgorithmus betrifft.
+  Darauf wird in einem gesonderten Abschnitt genauer eingegangen.
+  Der Simulationsalgorithmus wird erkl"art und die dazu ben"otigten Annahmen und Informationen aus {\em TRIM}-Ergebnissen werden besprochen.
+  Das Kapitel schlie"st mit dem Test der verwendeten Zufallszahlen und dem Ablaufschema der Simulation.
 
   \section{Annahmen der Simulation}
 
+    \subsection{Unterteilung des Targets}
+    \label{subsection:unterteilung}
+
+    Wie in Abbildung \ref{img:sim_gitter} zu sehen ist, wird das Target in W"urfel mit der Seitenl"ange $a = 3 nm$ zerlegt.
+    \begin{figure}[h]
+    \includegraphics[width=12cm]{gitter_oZ.eps}
+    \caption{Unterteilung des Targets in W"urfel mit $3 nm$ Kantenl"ange. Jedes Volumen ist entwerder amorph (rot) oder kristallin (blau) und protokolliert die lokale Kohlenstoffkonzentration}
+    \label{img:sim_gitter}
+    \end{figure}
+    Die Anzahl der W"urfel in $x$, $y$ und $z$ Richtung sind frei einstellbar.
+    Ein solches Volumen kann durch den Ortsvektor $\vec{r}(k,l,m)$, wobei $k$, $l$ und $m$ ganze Zahlen sind, addressiert werden.
+    Jeder W"urfel hat entweder den Zustand amorph (rot), oder ist kristallin (blau).
+    Die lokale Anzahl der implantierten Kohlenstoffatome wird ebenfalls protokolliert.
+
+    Die Ausdehnung des Targets in $x,y$-Richtung ist im Gegensatz zur Tiefe sehr gro"s und kann als unendlich ausgedehnt angenommen werden.
+    Um die Anzahl der W"urfel in diese Richtungen in der Simulation, aus Gr"unden der Rechenzeit, m"oglichst klein halten zu k"onnen, werden periodische Randbedingungen in der $x,y$-Ebene verwendet.
+
     \subsection{Amorphisierung und Rekristallisation}
+    \label{subsection:a_and_r}
+
+    Nach dem in Kapitel \ref{chapter:modell} vorgestellten Modell gibt es drei zur Amorphisierung beitragende Mechanismen.
+    Eine lokale Wahrscheinlichkeit f"ur die Amorphisierung $p_{c \rightarrow a}$ eines beliebigen kristallinen Volumens $\vec{r}$ setzt sich aus den drei Einzelwahrscheinlichkeiten f"ur die
+    \begin{itemize}
+      \item \textcolor[rgb]{0,1,1}{ballistische}
+      \item \textcolor{red}{kohlenstoffinduzierte}
+      \item \textcolor[rgb]{0.5,0.25,0.12}{spannungsinduzierte}
+    \end{itemize}
+    Amorphisierung zusammen.
+    Sie wird wie folgt berechnet:
+    \begin{equation}
+    p_{c \rightarrow a}(\vec r) = \textcolor[rgb]{0,1,1}{p_{b}} + \textcolor{red}{p_{c} \, c_{Kohlenstoff}(\vec r)} + \textcolor[rgb]{0.5,0.25,0.12}{\sum_{amorphe \, Nachbarn} \frac{p_{s} \, c_{Kohlenstoff}(\vec{r'})}{(\vec r - \vec{r'})^2}}
+    \label{eq:p_ca_local}
+    \end{equation}
+
+    Die ballistische Amorphisierung besteht nur aus der Konstanten $p_b$.
+    Sie ist unabh"angig vom Ort und somit ein konstanter Beitrag f"ur jedes Volumen.
+    Sie hat keine Einheit.
+    Wieso dieser Beitrag in dieser Art sinnvoll ist, wird in Abschnitt \ref{subsection:parse_trim_coll} gekl"art.
 
+    Die Wahrscheinlichkeit f"ur die kohlenstoffinduzierte Amorphisierung wird proportional zur lokalen Kohlenstoffkonzentration $c_{Kohlenstoff}$ angenommen.
+    $p_c$ ist die dazugeh"orige Proportionalit"atskonstante und hat demnach die Einheit $[p_c] = m^3$.
+
+    Der Beitrag der Druckspannungen setzt sich aus den einzelnen Beitr"agen amorpher Gebiete in der selben Ebene zusammen, da nur diese Spannungen aus"uben.
+    Dabei ist der Wahrscheinlichkeitsbeitrag eines amorphen Volumens $\vec{r'}$ auf das Volumen $\vec{r}$ wieder proportional zur lokalen Kohlenstoffkonzentration in $\vec{r'}$.
+    Dies ist offensichtlich, denn je mehr Kohlenstoff in dem Volumen, das auf Grund der Dichtereduktion in dem amorphen Gebiet vorhanden ist, desto gr"o"ser die ausgehende Spannung auf die Umgebung.
+    Gleichzeitig ist der Beitrag indirekt proportional zum Abstandsquadrat $(\vec r - \vec{r'})^2$, da der Druck (Druck = Kraft pro Fl"ache) quadratisch mit der Entfernung abf"allt.
+    $p_s$ ist eine Proportionalit"atskonstante und hat somit die Einheit $[p_s] = m^5$.
+
+    Die Rekristallisationswahrscheinlichkeit amorpher Gebiete $p_{a \rightarrow c}$ sollte sich genau entgegensetzt zu $p_{c \rightarrow a}$ verhalten und wird deshalb als
+    \begin{equation}
+    p_{a \rightarrow c}(\vec r) = 1 - p_{c \rightarrow a}(\vec r)
+    \label{eq:p_ac_local}
+    \end{equation}
+    angenommen.
+    Jedoch muss die direkte Nachbarschaft des Volumens ber"ucksichtigt werden.
+    F"ur die Rekristallisation ist die Strukturinformation der kristallinen Nachbarschaft notwendig.
+    Mit einer zunehmenden Anzahl von amorphen Nachbarn sollte die Rekristallisationswahrscheinlichkeit also sukzessive abnehmen und ganz verschwinden, wenn kein einziger kristalliner Nachabr vorhanden ist.
+    Mit der im Abschnitt \ref{subsection:unterteilung} beschriebenen Unterteilung hat ein Volumen genau sechs Angriffsfl"achen die als Rekristallisationsfront dienen k"onnen.
+    Damit kann man \eqref{eq:p_ac_local} neu schreiben und man erh"alt:
+    \begin{equation}
+    p_{a \rightarrow c}(\vec r) = (1 - p_{c \rightarrow a}(\vec r)) \Big(1 - \frac{\sum_{direkte \, Nachbarn} \delta (\vec{r'})}{6} \Big) \, \textrm{,}
+    \label{eq:p_ac_genau}
+    \end{equation}
+    mit
+    \begin{equation}
+    \delta (\vec r) = \left\{ 
+    \begin{array}{ll}
+      1 & \textrm{wenn Gebiet bei $\vec r$ amorph} \\
+      0 & \textrm{sonst} \\
+    \end{array}
+    \right.
+    \label{eq:dedltafunc}
+    \end{equation}
+
+    Die Proportionalit"atskonstanten $p_b$, $p_c$ und $p_s$ sind frei w"ahlbare Simulationsparameter.
+    Es gilt somit einen Satz von Parametern zu finden, der die gr"o"stm"oglichste "Ubereinstimmung von Simulationsergebniss und dem experimentell gefundenen Ergebniss aus Abbildung \ref{img:xtem_img} zeigt.
+    Durch Variation der gefundenen Parameter k"onnen dann die unterschiedlichen Einfl"usse der verschiedenen Amorphisierungsmechanismen untersucht und der Selbstorganisationsprozess verstanden werden.
+    
     \subsection{Diffusion}
 
+    Weiterhin sieht das Modell die M"oglichkeit der Diffusion von Kohlenstoff aus kristallinen in umliegende amorphe Volumina vor.
+    Die Diffusion wird durch zwei weitere Parameter beschrieben.
+    In Zeitintervallen $T_{Diff}$ wird ein Anteil $d_r$ des Kohlenstoffs eines kristallinen Volumens in das benachbarte amorphe Volumen transferiert.
+    Da von einem konstanten Strahlstrom ausgegangen wird, kann die Zeit $T_{Diff}$ auf eine Anzahl von implantierten Ionen $d_v$ abgebildet werden.
+    Die Diffusion des Kohlenstoffs von amorphe in kristalline Gebiete wird also durch die zwei Parameter $d_r$ und $d_v$ gesteuert.
+    Die Parameter sind ebenfalls frei w"ahlbar.
+    Diffusion innerhalb kristalliner Gebiete sowie Diffusion innerhalb amorpher Gebiete wird ausgeschlossen.
+
+    Prinzipiell sollte man den Kohlenstoff"ubertrag abh"angig von dem bereits vorhandenen Kohlenstoff in dem amorphen Volumen bestimmen.
+    Da die implantierte Dosis maximal die St"ochiometriedosis und der Parameter $d_r$ gro"s genug gew"ahlt ist, kommt es nicht zur "Ubers"attigung.
+    Da die S"attigungsgrenze in der kristallinen Struktur sehr viel niedriger ist, wird der Kohlenstoff immer bestrebt sein von dem kristallinen Bereich in die amorphen Gebiete zu diffundieren.
+
     \subsection{Sputtern}
 
+    Es wird von einer, "uber der Oberfl"ache gleichm"assig verteilten und w"ahrend des Implantationsvorgangs konstanten Sputterrate ausgegangen.
+    Auf Grund der Unterteilung des Targets in W"urfel mit Seitenl"ange $3 nm$ muss diese Sputterrate in der Dosis, welche $3 nm$ sputtert, angegeben werden.
+    Jedesmal, nachdem das Programm diese Dosis durchlaufen hat, wird die Sputter-Routine aufgerufen, welche die oberste Targetebene abtr"agt.
+
   \section{Auswertung von {\em TRIM} Ergebnissen}
 
+  Da bereits Programme wie {\em TRIM} die Wechelswirkung der Ionen mit dem Target simulieren und somit ein geeignetes Bremskraft- und Implantationsprofil, sowie eine genaue Buchf"uhrung "uber die Sto"skaskaden bereitstellen, wird auf diese Schritte in der Simulation aus Zeitgr"unden verzichtet.
+  Stattdessen werden die von {\em TRIM} erzeugten Statistiken verwendet.
+  Durch die Abbildung von Zufallszahlen auf die so erhaltenen Verteilungen, k"onnen die eigentlichen physikalischen Abl"aufe sehr schnell und einfach behandelt werden.
+  Im Folgenden wird auf die Ermittlung einiger, f"ur {\em NLSOP}  wichtige Statistiken eingegangen.
+
     \subsection{Implantationsprofil und nukleare Bremskraft}
 
+    \begin{figure}[h]
+    \includegraphics[width=12cm]{2pTRIM180C.eps}
+    \caption{Von {\em TRIM} ermittelte Reichweitenverteilung und tiefenabh"angige Bremskr"afte f"ur $180 keV$ $C^+ \rightarrow Si$}
+    \label{img:bk_impl_p}
+    \end{figure}
+    Abbildung \ref{img:bk_impl_p} zeigt die von {\em TRIM} ermittelte nukleare und elektronische Bremskraft sowie das Kohlenstoffkonzentrationsprofil f"ur die in dieser Arbeit verwendeten Parameter.
+    Die gestrichelte Linie markiert das Implantationsmaximum.
+    Sputtereffekte und Abweichungen auf Grund der kontinuierlich ver"anderten Targetzusammensetzung w"ahrend der Hochdosisimplantation, werden hier allerdings nicht ber"ucksichtigt.
+    
+    Die Profile werden von {\em TRIM} selbst in seperate Dateien geschrieben.
+    Tauscht man die Kommata (Trennung von Ganzzahl und Kommastelle) durch Punkte aus, so kann {\em NLSOP} diese Dateien auslesen und die Profile extrahieren.
+    
     \subsection{Durchschnittliche Anzahl der St"o"se der Ionen und Energieabgabe}
+    \label{subsection:parse_trim_coll}
 
-  \section{Simulierte Tiefenbereiche}
+    Weiterhin legt {\em TRIM} eine Datei Namens {\em COLLISION.TXT} an, in der s"amtliche, durch jedes Ion verursachte Sto"skaskaden protokolliert sind.
+    Zu jedem Sto"s sind Koordinaten und Energie"ubertrag angegeben.
+    Mit einem zur {\em NLSOP} Suite geh"orendem Programm kann diese Datei ausgewertet werden.
+    Die daraus gewonnen Erkenntnisse sollen im Folgenden diskutiert werden.
+
+    \begin{figure}[h]
+    \includegraphics[width=12cm]{trim_coll.eps}
+    \caption{Auf das Maximum 1 skalierte tiefenabh"angige Energieabgabe (blau) und Anzahl der Kollisionen (rot)}
+    \label{img:trim_coll}
+    \end{figure}
+    Abbildung \ref{img:trim_coll} zeigt die Energieabgabe und Anzahl der St"o"se von Ionen und Recoils in Abh"angigkeit der Tiefe.
+    Beide Graphen wurden auf das selbe Maximum skaliert.
+    Man erkennt, dass diese nahezu identisch sind.
+    Die durchschnittliche Energieabgabe durch einen Sto"s ist also ungef"ahr konstant und unabh"angig von der Tiefe.
+    Dies ist der Grund f"ur die Wahl eines konstanten Beitrags der ballistischen Amorphisierung in Abschnitt \ref{subsection:a_and_r}.
+    Jeder Sto"s "ubertr"agt durchschnittlich einen konstanten Energiebetrag im Falle einer Kollision, und tr"agt somit einen konstanten Anteil zur Amorphisierungswahrscheinlichkeit bei.
+    
+    Desweiteren ist nun die Wahrscheinlichkeit f"ur eine Kollision in einer bestimmten Tiefe bekannt.
+    Sie entspricht der nuklearen Bremskraft.
+
+    \begin{figure}[h]
+    \includegraphics[width=12cm]{trim_nel.eps}
+    \caption{Durch {\em TRIM} berechneter nuklearer Energieverlust f"ur $180 keV$ $C^+ \rightarrow Si$.}
+    \label{img:trim_nel}
+    \end{figure}
+    Zum Vergleich zeigt Abbildung \ref{img:trim_nel} die von {\em TRIM} selbst berechnete nukleare Bremskraft.
+    Wie zu erwarten entspricht sie ungef"ahr dem Verlauf der in Abbildung \ref{img:trim_coll} gezeigten Energieabgabe.
+    Dieses Profil wird f"ur {\em NLSOP} benutzt.
+
+    \begin{figure}[h]
+    \includegraphics[width=12cm]{trim_impl.eps}
+    \caption{Durch {\em TRIM} berechnetes Implantationsprofil f"ur $180 keV$ $C^+ \rightarrow Si$.}
+    \label{img:trim_impl}
+    \end{figure}
+    In Abbildung \ref{img:trim_impl} ist das f"ur diese Simulation verwendete, von {\em TRIM} berechnete Implantationsprofil abgebildet.
+    Es wurde aus der selben Rechnung wie das nukleare Bremskraftprofil gewonnen.
+    Das Implantationsmaximum liegt bei ungef"ahr $530 nm$.
+
+    Ein implantiertes Ion und dadurch entstandene Recoils verursachen jedoch mehr als nur eine Kollision mit den Targetatomen bis es zur Ruhe kommt.
+    Nach dem Auswertungsprogramm hat ein Ion durchschnittlich eine Anzahl von $1088$ Kollisionen bei den gegebenen Bedingungen zur Folge.
+    Die Zahl der getroffenen W"urfel, also Volumina in denen ein Ion mindestens eine Kollision verursacht, ist sehr viel geringer.
+    Das Auswertungsprogramm z"ahlt durchschnittlich $75$ getroffene Volumina pro implantierten Ion.
+    Genauer gesagt z"ahlt das Programm die Anzahl der Ebenen mit $3 nm$ H"ohe in denen Kollisionen verursacht werden.
+    Teilchenbahnen parallel zur Targetoberfl"ache verf"alschen diese Zahl.
+    Ausserdem werden mehrmalige Durchl"aufe der Ebenen nicht mitgez"ahlt.
+    Man sollte weiterhin beachten, dass Volumina in denen selbst nur eine Kollision stattfindet mitgez"ahlt werden, was allerdings nur sehr unwahrscheinlich zur Amorphisierung f"uhren wird.
+    Daher wird eine Trefferzahl von $h=100$ f"ur die Simulation angenommen.
 
   \section{Simulationsalgorithmus}
 
+  Die Simulation kann in drei Abschnitte gegliedert werden.
+  Die beschriebenen Prozeduren werden sequentiell abgearbeitet und beliebig oft durchlaufen.
+
+  Wenn pro Durchlauf die Anzahl der simulierten Sto"skaskaden gleich der Anzahl der getroffenen Volumina ist, entspricht ein Durchlauf genau einem implantierten Ion.
+  Im Folgenden sei die Anzahl der W"urfel in $x$, $y$ und $z$ Richtung $X$, $Y$ und $Z$.
+  Eine Anzahl von $N$ Durchl"aufen ist damit "aquivalent zur Dosis $D$, die wie folgt gegeben ist:
+  \begin{equation}
+  D = \frac{N}{XY(3 nm)^2} \, \textrm{.}
+  \label{eq:dose_steps}
+  \end{equation}
+
+  Es wird mit einem komplett kristallinen und kohlenstofffreien Target gestartet.
+
     \subsection{Amorphisierung und Rekristallisation}
+    \label{subsection:a_r_step}
+
+    Im ersten Schritt sollen die Kollisionen und die daraus resultierende Amorphisierung beziehungsweise Rekristallisation simuliert werden.
+    Zun"achst muss das gesto"sene Volumen ausgew"ahlt werden.
+    Die St"o"se sind bez"uglich der $x$ und $y$ Richtung statistisch isotrop verteilt.
+    Es werden zwei gleichverteilte Zufallszahlen $r_1 \in [0,X[$ und $r_2 \in [0,Y[$ nach \eqref{eq:gleichverteilte_r} ausgew"urfelt.
+    Diese werden auf die ganzen Zahlen $k$ und $l$ abgebildet und bestimmen die Lage des getroffenen Volumens in der $x,y$-Ebene.
+    Eine weitere, mit Hilfe der Verwerfungsmethode aus Abschnitt \ref{subsubsection:verwerf_meth} erzeugte Zufallszahl $r_3 \in [0,Z[$ entsprechend der nuklearen Bremskraft, abgebildet auf die ganze Zahl $m$, legt die Tiefe des getroffenen Volumens fest.
+    Somit hat man den Ortsvektor $\vec{r}(k,l,m)$ f"ur den Amorphisierungs- oder Rekristallisationsvorgang festgelegt.
+    Nun kann die Amorphisierungs- beziehungsweise Rekristallisationswahrscheinlichkeit nach \eqref{eq:p_ca_local} beziehungsweise \eqref{eq:p_ac_genau} berechnet werden.
+    Eine weitere Zufallszahl $r_4 \in [0,1[$ entscheidet dann "uber einen eventuellen Statuswechsel des Volumens.
+    Es gibt folgende M"oglichkeiten:
+    \begin{enumerate}
+    \item Volumen $\vec{r}(k,l,m)$ ist kristallin.\\
+          Wenn $r_4$ kleiner gleich $p_{c \rightarrow a}$ ist, wechselt der Status zu amorph.
+         Ansonsten bleibt der Status unver"andert.
+    \item Volumen $\vec{r}(k,l,m)$ ist amorph.\\
+          Wenn $r_4$ kleiner gleich $p_{a \rightarrow c}$ ist, wechselt der Status zu kristallin.
+         Ansonsten bleibt der Status unver"andert.
+    \end{enumerate}
+
+    Der Amorphisierungs- und Rekristallisationsschritt wird f"ur die Anzahl der getroffenen Volumina pro implantierten Ion $h$ wiederholt.
 
     \subsection{Einbau des implantierten Kohlenstoffs ins Target}
 
+    Nachdem das Ion die Sto"sprozesse beendet hat, kommt es im Target zur Ruhe.
+    Die Wahl des Volumens ist analog zur Wahl der Ermittlung des zu sto"senden Volumens.
+    Lediglich die Implantationstiefe wird durch eine Zufallszahl bestimmt, deren Wahrscheinlichkeitsverteilung dem Konzentrationsprofil entspricht.
+    Zur Erzeugung der Zufallszahl wird wieder die in \ref{subsubsection:verwerf_meth} beschriebene Verwerfungsmethode benutzt.
+
+    In dem ausgew"ahlten W"urfel $\vec{r}(k,l,m)$ wird der Z"ahler f"ur den Kohlenstoff um eins erh"oht.
+
     \subsection{Diffusion und Sputtern}
 
+    Im Folgenden wird auf die Realisierung der Diffusion eingegangen.
+    Die Simulation geht der Reihe nach alle Volumina durch.
+    Im Falle eines amorphen Volumens werden aus direkt anliegenden kristallinen Volumen der Anteil $d_r$ des Kohlenstoffs abgezogen und zu dem amorphen Volumen addiert.
+    Da nur ganze Atome "ubertragen werden k"onnen, wird der Betrag auf die n"achst kleinere ganze Zahl abgerundet.
+    Dieser Diffusionsvorgang wird alle $d_v$ Schritte ausgef"uhrt.
+
+    Die Sputter-Routine wird nach der Dosis, die einem Abtrag von $3 nm$ entspricht ausgef"uhrt.
+    Der Zusammenhang zwischen Sputterrate $S$ und Anzahl der Simulationsdurchl"aufe $n$ ist demnach wie folgt gegeben:
+    \begin{equation}
+    S = \frac{(3 nm)^3 XY }{n} \quad \textrm{.}
+    \end{equation}
+    Nach $n$ Simulationsdurchl"aufen wird eine kohlenstofffreie, kristalline Ebene von unten her eingeschoben.
+    Der Inhalt der Ebene $i$ wird auf die Ebene $i-1$ (f"ur $i = Z, Z-1, \ldots, 2$) "uberschrieben.
+    Die Information der obersten Ebene $i=1$ geht dabei verloren.
+    Diese entspricht der abgetragenen Ebene.
+    Die Ebene $i=Z$ erh"alt kristallinen Status und die Kohlenstoffkonzentration Null.
+
+    Dies macht allerdings nur Sinn, wenn das Implantationsprofil und die nukleare Bremskraft f"ur die Ebenen tiefer $Z$ auf Null abgefallen ist, um kristalline, kohlenstofffreie Ebenen zu garantieren.
+
+    Die Sputterrate kann durch {\em TRIM} bestimmt werden.
+    Bei den gegebenen Bedingungen werden ungef"ahr $50 nm$ des Targets bei einer Dosis von $4,3 \times 10^{-17} cm^{-2}$ abgetragen.
+
+  \section{Simulierte Tiefenbereiche}
+  \label{section:sim_tiefenbereich}
+
+  Wie bereits erw"ahnt gibt es zwei verschiedene Versionen des Programms. Sie simulieren zwei unterschiedlich gro"se Tiefenbereiche, welche im Folgenden Simulationsfenster genannt werden.
+
+  Da in erster Linie der Selbstorganisationsprozess der lamellaren Ausscheidungen an der vorderen Grenzfl"ache der amorphen $SiC_x$-Schicht simuliert werden soll, ist der Tiefenbereich der ersten Version gerade bis zum Beginn der durchgehenden Schicht.
+  Dies entspricht einer Tiefe von ungef"ahr $300 nm$, und somit einer Anzahl von $Z=100$ W"urfeln in $z$-Richtung.
+
+  Wie in \ref{img:bk_impl_p} gut zu erkennen ist, kann in diesem Tiefenbereich sowohl die Reichweitenverteilung, als auch die nukleare Bremskraft durch eine von der Tiefe linear abh"angige Funktion gen"ahert werden.
+  Daher ergeben sich "Anderungen zu den im vorigen Abschnitt erkl"arten Methoden zur Wahl des Volumens, in dem ein Sto"sprozess beziehungsweise eine Kohlenstofferh"ohung stattfindet.
+
+  Die Zufallszahl $z$, die auf die Tiefen-Koordinate $m$ abgebildet wird, muss der Verteilung $p(z)dz = (sz + s_0)dz$ gen"ugen.
+  Dabei sind $s$ und $s_0$ Simulationsparameter, die die linear gen"aherte nukleare Bremskraft beschreiben.
+  Die Transformation wird wie in Abschnitt \ref{subsubsection:lin_g_p} beschrieben durchgef"uhrt.
+  Dasselbe betrifft die Wahl der Tiefen-Koordinate f"ur den Einbau des Kohlenstoffatoms.
+  Anstatt der Wahrscheinlichkeitsverteilung der nuklearen Bremskraft entsprechend, wird eine Verteilung entsprechend dem  linear gen"aherte Implantationsprofil verwendet.
+  Ausserdem wird nicht nach jedem Durchlauf ein Ion im Simulationsbereich zur Ruhe kommen.
+  Da das Maximum der Reichweitenverteilung sehr viel tiefer liegt, werden die meisten Ionen ausserhalb des Simulationsfensters stehen bleiben.
+  Daher wird immer nur dann ein Ion eingebaut, wenn der im Simulationsbereich vorhandene Kohlenstoff $n_c$ kleiner als die Anzahl der Durchl"aufe $n$ multipliziert mit dem Verh"altnis der Fl"ache der Implantationskurve $I(x)$ bis $300 nm$ zur Fl"ache der gesamten Implantationskurve ist.
+  \begin{equation}
+  n_c < n \frac{\int_0^{300 nm} I(x) dx}{\int_0^{\infty} I(x) dx}
+  \end{equation}
+
+  Da sowohl die Reichweitenverteilung, als auch die nukleare Bremskraft in Ebenen gr"osser $Z$ ungleich Null ist, kann Sputtern nicht beachtet werden.
+  Der Diffusionsprozess ist uneingeschr"ankt "moglich.
+
+  Hier sei angemerkt, dass die Simulation prinzipiell auch Diffusion von Kohlenstoff innerhalb kristalliner Volumina behandeln kann.
+  Die erste Idee war, dass Kohlenstoff in kristalline Gebiete diffundieren kann, die bereits einen grossen Anteil ihres Kohlenstoffs an einen amorphen Nachbarn abgegeben haben.
+  Da jedoch das Konzentrationsprofil durch Diffusionsprozesse nicht ver"andert werden darf, wurde die rein kristalline Diffusion in $z$-Richtung ausgeschlossen.
+  Da weiterhin die Implantationsprofile von experimentellen Messungen und {\em TRIM}-Simulationen recht gut "ubereinstimmen, kann Diffusion in $z$-Richtung tats"achlich ausgeschlossen werden.
+  Eine Vorzugsrichtung der Diffusion ist unphysikalisch, weshalb die Diffusion innerhalb kristalliner Gebiete in weiteren Simulationen ausgeschlossen wurde.
+  Als Relikt bleibt die Option die Diffusion in $z$-Richtung auszuschalten.
+
+  In der zweiten Version wird die gesamte Implantationstiefe simuliert.
+  Das Simulationsfenster geht von $0-700 nm$.
+  Dies entspricht einer Anzahl $Z=233$ von W"urfeln in $z$-Richtung.
+
+  Die Tiefen-Koordinaten f"ur den Sto"sprozess und die Kohlenstoffinkorporation werden wie in Abschnitt \ref{subsection:a_r_step} beschrieben nach der Verwerfungsmethode entsprechend dem nuklearen Bremskraftprofil und der Reichweitenverteilung gewonnen.
+
+   Da sowohl der nukleare Energieverlust und die Kohlenstoffkonzentration in Ebenen gr"osser $Z$ auf Null abgesunken ist, kann die Sputterroutine ausgef"uhrt werden.
+   Der Diffusionsprozess ist ebenfalls uneingeschr"ankt m"oglich.
+
+  \section{Test der Zufallszahlen}
+
+  F"ur vern"unftige Ergebnisse muss die Qualit"at der Zufallszahlen gesichert sein.
+  Es gibt viele statistische Tests eine Zahlenfolge auf ihre Verteilung beziehungsweise Zuf"alligkeit zu "uberpr"ufen.
+
+  Im Folgenden soll nur kontrolliert werden, dass f"ur gleichverteilte Zufallszahlen keine lokalen Anh"aufungen von Zahlen existieren.
+  Desweiteren werden die Methoden zur Erzeugung spezieller Wahrscheinlichkeitsverteilungen durch Vergleich der H"aufigkeit auftretender Zufallszahlen mit dem gew"unschten Verlauf "uberpr"uft.
+
+  Dazu werden f"ur die unterschiedlichen Verteilungen jeweils 10 Millionen Zufallszahlen zwischen $0$ und $232$ erzeugt und auf die n"achst kleinere ganze Zahl abgerundet.
+  Ein einfaches Script-Programm z"ahlt die H"aufigkeit der einzelnen Zufallszahlen in der Zufallszahlensequenz.
+
+  \begin{figure}[h]
+  \includegraphics[width=12cm]{random.eps}
+  \caption{H"aufigkeit ganzzahliger Zufallszahlen unterschiedlicher Wahrscheinlichkeitsverteilungen. F"ur jede Verteilung wurden 10 Millionen Zufallszahlen ausgew"urfelt.}
+  \label{img:random_distrib}
+  \end{figure}
+  Abbildung \ref{img:random_distrib} zeigt die H"aufigkeit von Zufallszahlen zwischen $0$ und $232$, abgerundet auf die n"achst kleinere ganze Zahl, f"ur unterschiedliche Wahrscheinlichkeitsverteilungen.
+  
+  Die blauen Punkte zeigen die Gleichverteilung nach \eqref{eq:gleichverteilte_r}.
+  Man erkennt keine lokalen Anh"aufungen.
+
+  Die roten Punkte zeigen die H"aufigkeit der Zufallszahlen bei Verwendung einer linear steigenden Wahrscheinlichkeitsverteilung wie in Abschnitt \ref{subsubsection:lin_g_p} beschrieben.
+  Dabei wurde $a=1$, $b=0$ und $Z=233$ gew"ahlt.
+  Wie erwartet zeigen die Punkte einen linearen Verlauf.
+
+  Die H"aufigkeiten, der mit der Verwerfungsmethode erzeugten Zufallszahlen entsprechend der nuklearen Bremskraft (gr"un) und dem Implantationsprofil (schwarz), stimmen sehr gut mit den Profilen in Abbildung \ref{img:bk_impl_p} "uberein.
+
   \section{Ablaufschema}
 
+  Das Ablaufschema ist aus Platzgr"unden in zwei Teile gegliedert.
+  Abbildung \ref{img:flowchart1} zeigt das Ablaufschema des Amorphisierungs- und Rekristallisationsvorgangs.
+  In Abbildung \ref{img:flowchart2} wird der Kohlenstoffeinbau sowie Diffusion und Sputtern behandelt.
+
+  \begin{figure}[h]
+  \begin{pspicture}(0,0)(12,18)
+
+    \rput(6,18){\rnode{start}{\psframebox{{\em NLSOP} Start}}}
+
+    \rput(6,16){\rnode{random1}{\psframebox{\parbox{7.5cm}{
+      Ausw"urfeln der Zufallszahlen:\\
+      $R_1$, $R_2$, $R_3$ entsprechend nuklearer Bremskraft\\
+      $R_4 \in [0,1[$
+    }}}}
+    \ncline[]{->}{start}{random1}
+
+    \rput(6,14){\rnode{koord_wahl}{\psframebox{\parbox{7.5cm}{
+      Bestimmung von $\vec{r}(k,l,m)$ durch Abbildung von $R_1$, $R_2$ und $R_3$ auf $k$, $l$ und $m$
+    }}}}
+    \ncline[]{->}{random1}{koord_wahl}
+
+    \rput(6,11){\rnode{berechnung_pca}{\psframebox{\parbox{12cm}{
+      Berechnung von $p_{c \rightarrow a}(\vec{r})$ und $p_{a \rightarrow c}(\vec{r})$:
+      \[
+      \begin{array}{lll}
+      p_{c \rightarrow a}(\vec r) & = & p_{b} + p_{c} \, c_{Kohlenstoff}(\vec r) + \sum_{amorphe \, Nachbarn} \frac{p_{s} \, c_{Kohlenstoff}(\vec{r'})}{(\vec r - \vec{r'})^2} \\
+      p_{a \rightarrow c}(\vec r) & = & (1 - p_{c \rightarrow a}(\vec r)) \Big(1 - \frac{\sum_{direkte \, Nachbarn} \delta (\vec{r'})}{6} \Big)
+      \end{array}
+      \]
+      \[
+      \delta (\vec r) = \left\{
+        \begin{array}{ll}
+       1 & \textrm{wenn Gebiet bei $\vec r$ amorph} \\
+       0 & \textrm{sonst} \\
+       \end{array}
+      \right.
+      \]
+    }}}}
+    \ncline[]{->}{koord_wahl}{berechnung_pca}
+
+    \rput(6,8){\rnode{status}{\psframebox{Volumen $\vec{r}(k,l,m)$ amorph?}}}
+    \ncline[]{->}{berechnung_pca}{status}
+
+    \rput(3,6){\rnode{cryst}{\psframebox[linestyle=solid,linecolor=blue]{$R_4 \le p_{c \rightarrow a}$?}}}
+    \rput(9,6){\rnode{amorph}{\psframebox[linestyle=solid,linecolor=red]{$R_4 \le p_{a \rightarrow c}$?}}}
+    \ncline[]{->}{status}{cryst}
+    \lput*{0}{nein}
+
+    \ncline[]{->}{status}{amorph}
+    \lput*{0}{ja}
+
+    \rput(3,4){\rnode{do_amorph}{\psframebox[linestyle=solid,linecolor=red]{Setze Volumen amorph}}}
+    \ncline[]{->}{cryst}{do_amorph}
+    \lput*{0}{ja}
+
+    \rput(9,4){\rnode{do_cryst}{\psframebox[linestyle=solid,linecolor=blue]{Setze Volumen kristallin}}}
+    \ncline[]{->}{amorph}{do_cryst}
+    \lput*{0}{ja}
+
+    \rput(6,3){\rnode{check_h}{\psframebox{Anzahl der Durchl"aufe gleich Anzahl der Treffer pro Ion?}}}
+
+    \rput(6,6){\pnode{h_2}}
+    \ncline[]{amorph}{h_2}
+    \ncline[]{->}{h_2}{check_h}
+    \lput*{0}{nein}
+
+    \rput(6,6){\pnode{h_3}}
+    \ncline[]{cryst}{h_3}
+    \ncline[]{->}{h_3}{check_h}
+    \lput*{0}{nein}
+
+    \rput(13,3){\pnode{h_4}}
+    \rput(13,16){\pnode{h_5}}
+    \ncline[]{check_h}{h_4}
+    \ncline[]{h_4}{h_5}
+    \lput*{0}{nein}
+    \ncline[]{->}{h_5}{random1}
+
+    \ncline[]{->}{do_cryst}{check_h}
+    \ncline[]{->}{do_amorph}{check_h}
+
+    \rput(6,1){\rnode{weiter_1}{\psframebox{$\bigotimes$}}}
+    \ncline[]{->}{check_h}{weiter_1}
+    \lput*{0}{ja}
+
+  \end{pspicture}
+  \caption{{\em NLSOP} Ablaufschema Teil 1: Amorphisierung und Rekristallisation.}
+  \label{img:flowchart1}
+  \end{figure}
+
+  \begin{figure}[h]
+  \begin{pspicture}(0,0)(12,18)
+
+    \rput(6,18){\rnode{weiter_2}{\psframebox{$\bigotimes$}}}
+
+    \rput(6,16){\rnode{random2}{\psframebox[fillstyle=solid,fillcolor=green]{\parbox{7.5cm}{
+      Ausw"urfeln der Zufallszahlen:\\
+      $R_5$, $R_6$, $R_7$ entsprechend Reichweitenverteilung
+    }}}}
+    \ncline[]{->}{weiter_2}{random2}
+
+    \rput(2,14){\rnode{koord_wahl_i}{\psframebox[fillstyle=solid,fillcolor=green]{\parbox{7cm}{
+      Bestimmung von $\vec{r}(k,l,m)$ durch Abbildung von $R_5$, $R_6$ und $R_7$ auf $k$, $l$ und $m$
+    }}}}
+    \ncbar[angleA=180,angleB=180]{->}{random2}{koord_wahl_i}
+
+    \rput(10,14){\rnode{inc_c}{\psframebox[fillstyle=solid,fillcolor=green]{\parbox{7cm}{
+      Erh"ohung des Kohlenstoffs im Volumen $\vec{r}(k,l,m)$
+    }}}}
+    \ncline[]{->}{koord_wahl_i}{inc_c}
+
+    \rput(10,12){\rnode{is_d}{\psframebox[fillstyle=solid,fillcolor=yellow]{Durchlauf vielfaches von $d_v$?}}}
+    \ncline[]{->}{inc_c}{is_d}
+
+    \rput(2,12){\rnode{is_s}{\psframebox[fillstyle=solid,fillcolor=red]{Durchlauf vielfaches von $n$?}}}
+    \ncline[]{->}{is_d}{is_s}
+    \lput*{0}{nein}
+
+    \rput(10,10){\rnode{loop_d}{\psframebox[fillstyle=solid,fillcolor=yellow]{Gehe alle/verbleibende Volumina durch?}}}
+    \ncline[]{->}{is_d}{loop_d}
+    \lput*{0}{ja}
+
+    \rput(10,9){\rnode{d_is_amorph}{\psframebox[fillstyle=solid,fillcolor=yellow]{Volumen $\vec{r}(k,l,m)$ amorph?}}}
+    \ncline[]{->}{loop_d}{d_is_amorph}
+
+    \rput(10,7){\rnode{loop_dn}{\psframebox[fillstyle=solid,fillcolor=yellow]{\parbox{4cm}{
+      Gehe alle/verbleibende\\
+      direkte Nachbarn durch
+    }}}}
+    \ncline[]{->}{d_is_amorph}{loop_dn}
+    \lput*{0}{ja}
+
+    \rput(10,6){\rnode{is_cryst}{\psframebox[fillstyle=solid,fillcolor=yellow]{Nachbarvolumen kristallin?}}}
+    \ncline[]{->}{loop_dn}{is_cryst}
+
+    \rput(11,4){\rnode{transfer}{\psframebox[fillstyle=solid,fillcolor=yellow]{\parbox{3.5cm}{
+      "Ubertrage den Anteil $d_r$ des Kohlenstoffs
+    }}}}
+    \ncline[]{->}{is_cryst}{transfer}
+    \lput*{0}{ja}
+
+    \rput(10,3){\rnode{check_dn}{\psframebox[fillstyle=solid,fillcolor=yellow]{Alle Nachbarn durch?}}}
+    \ncline[]{->}{transfer}{check_dn}
+    \rput(8.5,5){\pnode{h1}}
+    \ncline[]{is_cryst}{h1}
+    \rput(8.5,3.2){\pnode{h2}}
+    \ncline[]{->}{h1}{h2}
+    \lput*{0}{nein}
+    \rput(13,3){\pnode{h3}}
+    \ncline[]{check_dn}{h3}
+    \rput(13,7){\pnode{h4}}
+    \ncline[]{h3}{h4}
+    \lput*{0}{nein}
+    \ncline[]{->}{h4}{loop_dn}
+
+    \rput(10,1){\rnode{check_d}{\psframebox[fillstyle=solid,fillcolor=yellow]{Alle Volumina durch?}}}
+    \ncline[]{->}{check_dn}{check_d}
+    \lput*{0}{ja}
+    \rput(13.5,1){\pnode{h5}}
+    \ncline[]{check_d}{h5}
+    \rput(13.5,10){\pnode{h6}}
+    \ncline[]{h5}{h6}
+    \lput*{0}{nein}
+    \ncline[]{->}{h6}{loop_d}
+    \rput(6,1){\pnode{h7}}
+    \ncline[]{check_d}{h7}
+    \lput*{0}{ja}
+    \rput(6,11){\pnode{h8}}
+    \ncline[]{h7}{h8}
+    \rput(4.4,11.9){\pnode{h9}}
+    \ncline[]{->}{h8}{h9}
+
+    \rput(2,9){\rnode{s_p}{\psframebox[fillstyle=solid,fillcolor=red]{\parbox{7cm}{
+      Sputterroutine:\\
+      \begin{itemize}
+        \item Kopiere Inhalt von Ebene $i$ nach\\
+              Ebene $i-1$ f"ur $i = Z,Z-1,\ldots ,2$
+        \item Setze Status jedes Volumens in Ebene $Z$ kristallin
+        \item Setze Kohlenstoff jedes Volumens in Ebene $Z$ auf Null
+      \end{itemize}
+    }}}}
+    \ncline[]{->}{is_d}{loop_d}
+    \lput*{0}{ja}
+    \ncline[]{->}{is_s}{s_p}
+
+    \rput(2,5){\rnode{check_n}{\psframebox{\parbox{4cm}{
+      Anzahl Durchl"aufe entsprechend Dosis?
+    }}}}
+    \ncline[]{->}{s_p}{check_n}
+
+    \rput(4,3){\rnode{start}{\psframebox{{\em NLSOP} Start}}}
+    \ncline[]{->}{check_n}{start}
+    \lput*{0}{nein}
+    \rput(0,3){\rnode{stop}{\psframebox{{\em NLSOP} Stop}}}
+    \ncline[]{->}{check_n}{stop}
+    \lput*{0}{ja}
+
+  \end{pspicture}
+  \caption{{\em NLSOP} Ablaufschema Teil 2: Kohlenstoffeinbau (gr"un), Diffusion (gelb) und Sputtervorgang (rot).}
+  \label{img:flowchart2}
+  \end{figure}
+