\input{seminar.bug} % Official bugs corrections
\input{seminar.bg2} % Unofficial bugs corrections
-\def\uni-header{%
-\ptsize{8}%
- \begin{figure}[t]%
- \begin{center}
- \includegraphics[height=1cm]{ifp.eps}%
- \hspace{1in}%
- \includegraphics[height=1cm]{Lehrstuhl-Logo.eps}%
- %\hspace{3in}%
- %\includegraphics[height=1cm]{uni-logo.eps}%
- \end{center}
- \end{figure}}
-
\begin{document}
\extraslideheight{10in}
+\slideframe{none}
+
+% topic
\begin{slide}
\begin{figure}[t]
\end{center}
\end{slide}
+% start of content
+\ptsize{8}
+
\begin{slide}
-\uni-header
+\section*{Cross-Section TEM-Aufnahme selbstorganisierter amorpher Lamellen}
\begin{figure}
\begin{center}
\includegraphics[width=08cm,clip,draft=no]{k393abild1.eps}
- \caption{Hellfeld-TEM-Abbildung einer bei $150 \, ^{\circ} \mathrm{C}$ mit $4,3 \times 10^{17} cm^{-2}$ implantierten Probe}
+ Hellfeld-TEM-Abbildung, $180 keV \quad C^+ \rightarrow Si(100)$, $150 \, ^{\circ} \mathrm{C}$, $4.3 \times 10^{17} cm^{-2}$
\end{center}
\end{figure}
\end{slide}
\begin{slide}
-\uni-header
-\section*{Modell}
-\begin{itemize}
- \item geringe L"oslichkeit von Kohlenstoff in Silizium \\ $\rightarrow$ kohlenstoffinduzierte Nukleation sph"arischer $SiC_x$-Ausscheidungen
- \item hohe Grenzfl"achenenergie zwischen $c-Si$ und $3C-SiC$ \\ $\rightarrow$ Ausscheidungen sind amorph
- \item $20-30\%$ geringere Dichte von amorphen $SiC$ \\ $\rightarrow$ Druckspannungen auf Umgebung
- \item d"unnes Target \\ $\rightarrow$ Relaxation der Druckspannung in $z$-Richtung
- \item Kohlenstoff"ubers"attigung \\ $\rightarrow$ Diffusion von Kohlenstoff aus kristallinen in amorphe Gebiete
-\end{itemize}
-\end{slide}
-
-\begin{slide}
-\uni-header
\section*{Modell}
\begin{figure}[t]
\begin{center}
- \includegraphics[width=6cm]{model1_.eps}
- \caption{Modell zur Entstehung und Selbstordnung lamellarer Strukturen}
+ \includegraphics[width=6cm]{model1_german.eps}
\end{center}
\end{figure}
\begin{itemize}
- \item kohlenstoffinduzierte Nukleation sph"arischer $SiC_x$-Ausscheidungen
- \item spannungsinduzierte Amorphisierung zwischen zwei amorphen Ausscheidungen
- \item Bildung kohelnstoffreicher amorpher lamellarer Ausscheidungen
+ \item L"oslichkeit von Kohlenstoff in $c$-Silizium "uberschritten \\ $\rightarrow$ Nukleation sph"arischer $SiC_x$-Ausscheidungen
+ \item hohe Grenzfl"achenenergie zwischen $c-Si$ und $3C-SiC$ \\ $\rightarrow$ Ausscheidungen sind amorph
+ \item $20-30\%$ geringere Dichte von amorphen zu kristallinen $SiC$ \\ $\rightarrow$ Druckspannungen auf Umgebung
+ \item nahe der Oberfl"ache \\ $\rightarrow$ Relaxation der Druckspannung in $z$-Richtung
+ \item Abbau der Kohlenstoff"ubers"attigung \\ $\rightarrow$ Diffusion von Kohlenstoff aus kristallinen in amorphe Gebiete
+ \item Druckspannungen \\ $\rightarrow$ bevorzugte Amorphisierung zwischen zwei amorphen Ausscheidungen
\end{itemize}
\end{slide}
\begin{slide}
-\uni-header
-\section*{Annahmen}
+\section*{Annahmen/N"aherungen}
\begin{figure}
\begin{center}
- \includegraphics[width=5cm]{implsim_.eps}
- \caption{Tiefenabh"angiges Implantationsprofil und Energieversluste (\emph{TRIM})}
+ \includegraphics[width=5cm]{implsim_new.eps}
+ \emph{TRIM}-Implantationsprofil und Energieversluste
\end{center}
\end{figure}
\end{slide}
\begin{slide}
-\uni-header
-\section*{Annahmen}
-\begin{itemize}
- \item Strahlensch"adigung $\simeq$ nukleare Bremskraft (linear gen"ahert)
- \item Amorphisierungswahrscheinlichkeit $\simeq$ Druckspannungen
- \item lineare N"aherung des Implantationsprofils
-\end{itemize}
-\end{slide}
-
-\begin{slide}
-\uni-header
\section*{Simulation}
\begin{itemize}
\item Unterteilung des Silizium-Targets in Zellen ($x=50$, $y=50$, $z=100$)
\end{slide}
\begin{slide}
-\uni-header
\section*{Simulation}
Dreiteilung des Simulationsalgorithmus:
\begin{enumerate}
\end{slide}
\begin{slide}
-\uni-header
\section*{Simulation(1/3) - Amorphisierung/Rekristallisation}
\begin{itemize}
\item zuf"allige Wahl der Koordinaten f"ur Sto"sprozess
\item Berechnung der Amorphisierungs- bzw. Rekristallisationswahrscheinlichkeit
\[
\begin{array}{ll}
- p_{c \rightarrow a} & \displaystyle =a_{cp} \times c^{\textrm{lokal}}_{\textrm{Kohlenstoff}} + b_{ap} + \sum_{amorphe Nachbarn} \frac{a_{ap} \times c_{\textrm{Kohelstoff}}}{\textrm{Abstand}^2}\\
+ p_{c \rightarrow a} & \displaystyle =a_{cp} \times c^{\textrm{lokal}}_{\textrm{Kohlenstoff}} + b_{ap} + \sum_{amorphe Nachbarn} \frac{a_{ap} \times c_{\textrm{Kohlenstoff}}}{\textrm{Abstand}^2}\\
p_{a \rightarrow c} & =1-p_{c \rightarrow a}
\end{array}
\]
\end{slide}
\begin{slide}
-\uni-header
\section*{Simulation(2/3) - \\ Einbau des implantierten Kohlenstoffions}
\begin{itemize}
\item $\textrm{gesamter Kohlenstoff} < \textrm{steps} \times c_{ratio}$
\end{slide}
\begin{slide}
-\uni-header
\section*{Simulation(3/3) - Diffusion}
Diffusion findet alle $d_v$ Schritte statt.
\begin{itemize}
\item rein kristalline Diffusion:
\[
- \Delta c = \frac{\textrm{Differenz}}{2} \times dr_{ac}
+ \Delta c = \frac{\textrm{Differenz}}{2} \times dr_{cc}
\]
\item Diffusion von kristalline in amorphe Gebiete:
\[
- \Delta c = c_C(Nachbar) \times dr_{cc}
+ \Delta c = c_C(Nachbar) \times dr_{ac}
\]
\end{itemize}
\end{slide}
\begin{slide}
-\uni-header
\section*{Ergebnisse}
variierte Parameter:
\begin{itemize}
\end{slide}
\begin{slide}
-\uni-header
\section*{Ergebnisse}
Notwendig f"ur Bildung der lamellaren Ausscheidungen:
\begin{itemize}
\end{slide}
\begin{slide}
-\uni-header
\section*{Ergebnisse}
Bildung komplement"ar angeordneter, amorpher kohlenstoffreicher Ausscheidungen in aufeinander folgenden Ebenen
\begin{figure}[h]
\end{slide}
\begin{slide}
-\uni-header
\section*{Ergebnisse}
-Die amorph/kristalline Diffusionsrate beeinflusst die Tiefe in der erstmals lamellare Ordnung auftrit
+Die amorph/kristalline Diffusionsrate beeinflusst die Tiefe in der erstmals lamellare Ordnung auftritt
\begin{figure}[h]
\begin{center}
\includegraphics[height=2cm]{sim2_a004_b0_Z_c-diff_x-z_21.eps}
\includegraphics[height=2cm]{sim2_a004_b0_Z_0.2-ac-diff_y-z_28.eps}
- \caption{Messunng mit verschiedenen amorph-kristallinen Diffusionsraten}
+ \caption{Messung mit verschiedenen amorph-kristallinen Diffusionsraten}
\end{center}
\end{figure}
\end{slide}
\begin{slide}
-\uni-header
\section*{Ergebnisse}
Beste "Ubereinstimmung mit TEM-Aufnahme:
\begin{figure}[t]
\begin{center}
\includegraphics[height=3.5cm]{sim2_64-64_a003_b0_no-c-diff_x-z_23-cmp-tem.eps}
\includegraphics[height=3.5cm]{tem-if.eps}
- \caption{Vergleich von Simulationsergebniss und TEM-Aufnahme}
+ \caption{Vergleich von Simulationsergebnis und TEM-Aufnahme}
\end{center}
\end{figure}
\end{slide}
\begin{slide}
-\uni-header
\section*{Ausblick}
\begin{itemize}
\item mehrere Sto"sprozesse pro Durchlauf $\rightarrow$ Durchlauf entspricht einem implantierten Ion
projects / lectures / latex.git / blobdiff