bullshit changes

diff --git a/nlsop/nlsop_dpg_2004.tex b/nlsop/nlsop_dpg_2004.tex
index c3ab622..922341d 100644 (file)
--- a/nlsop/nlsop_dpg_2004.tex
+++ b/nlsop/nlsop_dpg_2004.tex
@@ -25,21 +25,12 @@
 \input{seminar.bug}             % Official bugs corrections
 \input{seminar.bg2}             % Unofficial bugs corrections
 
-\def\uni-header{%
-\ptsize{8}%
- \begin{figure}[t]%
-  \begin{center}
-   \includegraphics[height=1cm]{ifp.eps}%
-   \hspace{1in}%
-   \includegraphics[height=1cm]{Lehrstuhl-Logo.eps}%
-   %\hspace{3in}%
-   %\includegraphics[height=1cm]{uni-logo.eps}%
-  \end{center}
- \end{figure}}
-
 \begin{document}
 
 \extraslideheight{10in}
+\slideframe{none}
+
+% topic
 
 \begin{slide}
 \begin{figure}[t]
@@ -58,67 +49,47 @@
 \end{center}
 \end{slide}
 
+% start of content
+\ptsize{8}
+
 \begin{slide}
-\uni-header
+\section*{Cross-Section TEM-Aufnahme selbstorganisierter amorpher Lamellen}
 \begin{figure}
  \begin{center}
   \includegraphics[width=08cm,clip,draft=no]{k393abild1.eps}
-  \caption{Hellfeld-TEM-Abbildung einer bei $150 \, ^{\circ} \mathrm{C}$ mit $4,3 \times 10^{17} cm^{-2}$ implantierten Probe}
+  Hellfeld-TEM-Abbildung, $180 keV \quad C^+ \rightarrow Si(100)$, $150 \, ^{\circ} \mathrm{C}$, $4.3 \times 10^{17} cm^{-2}$
  \end{center}
 \end{figure}
 \end{slide}
 
 \begin{slide}
-\uni-header
-\section*{Modell}
-\begin{itemize}
- \item geringe L"oslichkeit von Kohlenstoff in Silizium \\ $\rightarrow$ kohlenstoffinduzierte Nukleation sph"arischer $SiC_x$-Ausscheidungen
- \item hohe Grenzfl"achenenergie zwischen $c-Si$ und $3C-SiC$ \\ $\rightarrow$ Ausscheidungen sind amorph
- \item $20-30\%$ geringere Dichte von amorphen zu kristallinen $SiC$ \\ $\rightarrow$ Druckspannungen auf Umgebung
- \item d"unnes Target \\ $\rightarrow$ Relaxation der Druckspannung in $z$-Richtung
- \item Kohlenstoff"ubers"attigung \\ $\rightarrow$ Diffusion von Kohlenstoff aus kristallinen in amorphe Gebiete
-\end{itemize}
-\end{slide}
-
-\begin{slide}
-\uni-header
 \section*{Modell}
 \begin{figure}[t]
  \begin{center}
-  \includegraphics[width=6cm]{model1_.eps}
-  \caption{Modell zur Entstehung und Selbstordnung lamellarer Strukturen}
+  \includegraphics[width=6cm]{model1_german.eps}
  \end{center}
 \end{figure}
 \begin{itemize}
- \item kohlenstoffinduzierte Nukleation sph"arischer $SiC_x$-Ausscheidungen
- \item spannungsinduzierte Amorphisierung zwischen zwei amorphen Ausscheidungen
- \item Bildung kohlenstoffreicher amorpher lamellarer Ausscheidungen
+ \item L"oslichkeit von Kohlenstoff in $c$-Silizium "uberschritten \\ $\rightarrow$ Nukleation sph"arischer $SiC_x$-Ausscheidungen
+ \item hohe Grenzfl"achenenergie zwischen $c-Si$ und $3C-SiC$ \\ $\rightarrow$ Ausscheidungen sind amorph
+ \item $20-30\%$ geringere Dichte von amorphen zu kristallinen $SiC$ \\ $\rightarrow$ Druckspannungen auf Umgebung
+ \item nahe der Oberfl"ache \\ $\rightarrow$ Relaxation der Druckspannung in $z$-Richtung
+ \item Abbau der Kohlenstoff"ubers"attigung \\ $\rightarrow$ Diffusion von Kohlenstoff aus kristallinen in amorphe Gebiete
+ \item Druckspannungen \\ $\rightarrow$ bevorzugte Amorphisierung zwischen zwei amorphen Ausscheidungen
 \end{itemize}
 \end{slide}
 
 \begin{slide}
-\uni-header
-\section*{Annahmen}
+\section*{Annahmen/N"aherungen}
 \begin{figure}
  \begin{center}
-  \includegraphics[width=5cm]{implsim_.eps}
-  \caption{Tiefenabh"angiges Implantationsprofil und Energieversluste (\emph{TRIM})}
+  \includegraphics[width=5cm]{implsim_new.eps}
+   \emph{TRIM}-Implantationsprofil und Energieversluste
  \end{center}
 \end{figure}
 \end{slide}
 
 \begin{slide}
-\uni-header
-\section*{Annahmen}
-\begin{itemize}
- \item Strahlensch"adigung $\simeq$ nukleare Bremskraft (linear gen"ahert)
- \item Amorphisierungswahrscheinlichkeit $\simeq$ Druckspannungen
- \item lineare N"aherung des Implantationsprofils
-\end{itemize}
-\end{slide}
-
-\begin{slide}
-\uni-header
 \section*{Simulation}
 \begin{itemize}
  \item Unterteilung des Silizium-Targets in Zellen ($x=50$, $y=50$, $z=100$)
@@ -132,7 +103,6 @@
 \end{slide}
 
 \begin{slide}
-\uni-header
 \section*{Simulation}
 Dreiteilung des Simulationsalgorithmus:
 \begin{enumerate}
@@ -143,7 +113,6 @@ Dreiteilung des Simulationsalgorithmus:
 \end{slide}
 
 \begin{slide}
-\uni-header
 \section*{Simulation(1/3) - Amorphisierung/Rekristallisation}
 \begin{itemize}
  \item zuf"allige Wahl der Koordinaten f"ur Sto"sprozess
@@ -162,7 +131,6 @@ Dreiteilung des Simulationsalgorithmus:
 \end{slide}
 
 \begin{slide}
-\uni-header
 \section*{Simulation(2/3) - \\ Einbau des implantierten Kohlenstoffions}
 \begin{itemize}
  \item $\textrm{gesamter Kohlenstoff} < \textrm{steps} \times c_{ratio}$
@@ -171,7 +139,6 @@ Dreiteilung des Simulationsalgorithmus:
 \end{slide}
 
 \begin{slide}
-\uni-header
 \section*{Simulation(3/3) - Diffusion}
 Diffusion findet alle $d_v$ Schritte statt.
 \begin{itemize}
@@ -187,7 +154,6 @@ Diffusion findet alle $d_v$ Schritte statt.
 \end{slide}
 
 \begin{slide}
-\uni-header
 \section*{Ergebnisse}
 variierte Parameter:
 \begin{itemize}
@@ -200,7 +166,6 @@ variierte Parameter:
 \end{slide}
 
 \begin{slide}
-\uni-header
 \section*{Ergebnisse}
 Notwendig f"ur Bildung der lamellaren Ausscheidungen:
 \begin{itemize}
@@ -217,7 +182,6 @@ Notwendig f"ur Bildung der lamellaren Ausscheidungen:
 \end{slide}
 
 \begin{slide}
-\uni-header
 \section*{Ergebnisse}
 Bildung komplement"ar angeordneter, amorpher kohlenstoffreicher Ausscheidungen in aufeinander folgenden Ebenen
 \begin{figure}[h]
@@ -230,7 +194,6 @@ Bildung komplement"ar angeordneter, amorpher kohlenstoffreicher Ausscheidungen i
 \end{slide}
  
 \begin{slide}
-\uni-header
 \section*{Ergebnisse}
 Die amorph/kristalline Diffusionsrate beeinflusst die Tiefe in der erstmals lamellare Ordnung auftritt
 \begin{figure}[h]
@@ -243,7 +206,6 @@ Die amorph/kristalline Diffusionsrate beeinflusst die Tiefe in der erstmals lame
 \end{slide}
 
 \begin{slide}
-\uni-header
 \section*{Ergebnisse}
 Beste "Ubereinstimmung mit TEM-Aufnahme:
 \begin{figure}[t]
@@ -256,7 +218,6 @@ Beste "Ubereinstimmung mit TEM-Aufnahme:
 \end{slide}
 
 \begin{slide}
-\uni-header
 \section*{Ausblick}
 \begin{itemize}
  \item mehrere Sto"sprozesse pro Durchlauf $\rightarrow$ Durchlauf entspricht einem implantierten Ion