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[lectures/latex.git] / posic / talks / seminar_2008.tex

diff --git a/posic/talks/seminar_2008.tex b/posic/talks/seminar_2008.tex
index 2d2218e..d370071 100644 (file)
--- a/posic/talks/seminar_2008.tex
+++ b/posic/talks/seminar_2008.tex
@@ -271,14 +271,54 @@
 
  Die Alternative: Ionenstrahlsynthese
 
+ {\small
+
  \begin{itemize}
-  \item Implantation:
-        180 keV C$^+\rightarrow$ Si, $D=8.5 \times 10^{17}$ cm$^{-2}$,
-        $T_{\text{i}}=450 \, ^{\circ} \text{C}$
-  \item Temperschritt:
-        $T=1250 \, ^{\circ} \text{C}$, $t=??\text{ h}$
+  \item Implantation 1:
+        180 keV C$^+\rightarrow$ FZ-Si(100),
+        $D=7.9 \times 10^{17}$ cm$^{-2}$,
+        $T_{\text{i}}=500 \, ^{\circ} \text{C}$
+        \begin{center}
+        $\Downarrow$\\
+        epitaktisch orientierte 3C-SiC Ausscheidungen
+        in kastenf"ormigen Bereich,
+        eingeschlossen in a-Si:C 
+        \end{center}
+  \item Implantation 2:
+        180 keV C$^+\rightarrow$ FZ-Si(100),
+        $D=0.6 \times 10^{17}$ cm$^{-2}$,
+        $T_{\text{i}}=250 \, ^{\circ} \text{C}$
+        \begin{center}
+        $\Downarrow$\\
+        Zerst"orung einzelner SiC Ausscheidungen
+        in gr"o"ser werdenden amorphen Grenzschichten 
+        \end{center}
+  \item Tempen:
+        $T=1250 \, ^{\circ} \text{C}$, $t=10\text{ h}$
+        \begin{center}
+        $\Downarrow$\\
+        Homogene, st"ochiometrische 3C-SiC Schicht mit
+        scharfen Grenzfl"achen
+        \end{center}
  \end{itemize}
 
+
+ \begin{minipage}{5.9cm}
+ \includegraphics[width=6cm]{ibs_3c-sic.eps}
+ \end{minipage}
+ \hspace*{0.3cm}
+ \begin{minipage}{6.5cm}
+ \vspace*{0.5cm}
+ {\scriptsize
+ Querschnitts-TEM-Aufnahme einer einkristallinen vergrabenen
+ 3C-SiC-Schicht.\\
+ (a) Hellfeldaufnahme\\
+ (b) 3C-SiC(111) Dunkelfeldaufnahme\\
+ }
+ \end{minipage}
+
+}
+
 \end{slide}
 
 \begin{slide}