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@@ -322,7 +322,7 @@ Im Anschluss werden die Simulationen "uber den gesamten Implantationsbereich dis
 
     \begin{figure}[h]
     \includegraphics[width=12cm]{ac_cconc_ver2.eps}
 
     \begin{figure}[h]
     \includegraphics[width=12cm]{ac_cconc_ver2.eps}

-    \caption{Cross-Section und Tiefenprofil des Kohlenstoffs der Simulation aus Abschnitt \ref{subsection:reproduced_dose}. Helle Gebiete sind amorph, dunklae Gebiete kristallin. Kohlenstoff in kristallinen Gebieten (gr"un), in amorphen Gebieten (rot) und gesamter Kohlenstoff (schwarz) sind abgebildet.}
+    \caption{Cross-Section und Tiefenprofil des Kohlenstoffs der Simulation aus Abschnitt \ref{subsection:reproduced_dose}. Helle Gebiete sind amorph, dunkle Gebiete kristallin. Kohlenstoff in kristallinen Gebieten (gr"un), in amorphen Gebieten (rot) und gesamter Kohlenstoff (schwarz) sind abgebildet.}

     \label{img:c_distrib_v2}
     \end{figure}
     In Abbildung \ref{img:c_distrib_v2} ist die Cross-Section aus Abschnitt \ref{subsection:reproduced_dose} mit zugeh"origem Implantationsprofil gezeigt.
     \label{img:c_distrib_v2}
     \end{figure}
     In Abbildung \ref{img:c_distrib_v2} ist die Cross-Section aus Abschnitt \ref{subsection:reproduced_dose} mit zugeh"origem Implantationsprofil gezeigt.


@@ -331,9 +331,9 @@ Im Anschluss werden die Simulationen "uber den gesamten Implantationsbereich dis
     Der Kohlenstoffgehalt in den kristallinen Volumen sinkt.
     Gleichzeitigt steigt der Kohlenstoffgehalt in den amorphen Gebieten.
     Ab einer Tiefe von $350 nm$ haben sich lamellare, amorphe Ausscheidungen gebildet.
     Der Kohlenstoffgehalt in den kristallinen Volumen sinkt.
     Gleichzeitigt steigt der Kohlenstoffgehalt in den amorphen Gebieten.
     Ab einer Tiefe von $350 nm$ haben sich lamellare, amorphe Ausscheidungen gebildet.

-    Im Kohlenstoffprofil sind Schwankungen in der Gesamtkonzentration und der Konzentration in amorphen Gebieten zu sehen (schwarzer Pfeil).
-    Die Ursache liegt wieder an der komplement"aren Anordnung der amorphen und kristallinen Gebiete in aufeinanderfolgenden Ebenen.
-    Es wechseln sich abwechselnd Ebenen mit hohem und niedrigen amorphen Anteil ab.
+    Im Kohlenstoffprofil sind Schwankungen in der Gesamtkonzentration und der Konzentration in amorphen Gebieten zu sehen (siehe Pfeil).
+    Die Ursache liegt vermutlich wieder an der komplement"aren Anordnung der amorphen und kristallinen Gebiete in aufeinanderfolgenden Ebenen.
+    Es wechseln sich abwechselnd Ebenen mit hohen und niedrigen amorphen Anteil ab.

     Wie in Abschnitt \ref{subsection:c_distrib} ist diese Anordnung eine Folge der Diffusion.
     Die amorphen Gebiete entziehen benachbarten Ebenen den Kohlenstoff.
     Die lokale Amorphisierungswahrscheinlichkeit wird erh"oht w"ahrend sie in der Nachbarebene kleiner wird.
     Wie in Abschnitt \ref{subsection:c_distrib} ist diese Anordnung eine Folge der Diffusion.
     Die amorphen Gebiete entziehen benachbarten Ebenen den Kohlenstoff.
     Die lokale Amorphisierungswahrscheinlichkeit wird erh"oht w"ahrend sie in der Nachbarebene kleiner wird.


@@ -349,10 +349,12 @@ Im Anschluss werden die Simulationen "uber den gesamten Implantationsbereich dis
     \begin{center}
     \includegraphics[width=7cm]{z_zplus1_ver2.eps}
     \end{center}
     \begin{center}
     \includegraphics[width=7cm]{z_zplus1_ver2.eps}
     \end{center}

-    \caption{Amorph/Kristalline Struktur in zwei aufeinander folgenden Ebenen $z$ und $z+1$.}
+    \caption{Amorph/Kristalline Struktur in zwei aufeinander folgenden Ebenen $z$ und $z+1$ im Tiefenbereich der lamellaren Strukturen.}

     \label{img:z_zplus1_ver2}
     \end{figure}
     \label{img:z_zplus1_ver2}
     \end{figure}

-    Abbildung \ref{img:z_zplus1_ver2} ist die \ldots
+    Abbildung \ref{img:z_zplus1_ver2} zeigt die amorph/kristalline Struktur in zwei aufeinander folgenden Ebenen $z$ und $z+1$ im Tiefenbereich der lamellaren Strukturen.
+    Sie best"atigt die Vermutung der komplement"aren Anordnung amorpher und kristalliner Gebiete in aufeinanderfolgenden Ebene in diesem Tiefenbereich.
+    Dies hebt erneut die Wichtigkeit der Diffusion f"ur den Selbstorganisationsprozess der lamellaren Strukturen hervor.

 
     \subsection{Position und Ausdehnung der amorphen Phase}
 
 
     \subsection{Position und Ausdehnung der amorphen Phase}
 


@@ -373,5 +375,10 @@ Im Anschluss werden die Simulationen "uber den gesamten Implantationsbereich dis
 
     \subsection{Herstellung grosser Bereiche lamellarer Strukturen durch zweiten Implantationsschritt}
 
 
     \subsection{Herstellung grosser Bereiche lamellarer Strukturen durch zweiten Implantationsschritt}
 

-    EDIT: vorgabe , dann mit hoeherer energie, konstantes nel
+    Im Folgenden soll ein Mechanismus zur Erzeugung grosser lamellarer Bereiche durch einen zweiten Implantationsschritt vorhergesagt werden.
+    Als Grundlage dient ein Silizium Target, dass wie bisher mit $180 keV$ $C^{+}$ beschossen wird.
+    Ein entsprechendes Implantationsprofil stellt sich ein.
+    Allerdings soll das Target durchgehend kristallin sein.
+    Dies l"asst sich experimentell durch Erh"ohung der Targettemeperatur erreichen.
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