start with increased temp pc
authorhackbard <hackbard@sage.physik.uni-augsburg.de>
Mon, 19 Apr 2010 16:03:23 +0000 (18:03 +0200)
committerhackbard <hackbard@sage.physik.uni-augsburg.de>
Mon, 19 Apr 2010 16:03:23 +0000 (18:03 +0200)
posic/thesis/md.tex

index a51304e..8860ce2 100644 (file)
@@ -280,7 +280,32 @@ By this, bulk 3C-SiC will still result in $Q=1$ and precipitates will also reach
 However, since the quality value does not account for bond lengthes, bond angles, crystallinity or the stacking sequence high values of $Q$ not necessarily correspond to structures close to 3C-SiC.
 Structures that look promising due to high quality values need to be further investigated by other means.
 
 However, since the quality value does not account for bond lengthes, bond angles, crystallinity or the stacking sequence high values of $Q$ not necessarily correspond to structures close to 3C-SiC.
 Structures that look promising due to high quality values need to be further investigated by other means.
 
-Figure ... shows the radial distribution of Si-C bonds and the corresponding quality paragraphs.
+\begin{figure}[!ht]
+\begin{center}
+\includegraphics[width=12cm]{tot_pc_thesis.ps}\\
+\includegraphics[width=12cm]{tot_ba.ps}
+\end{center}
+\caption[Si-C radial distribution and quality evolution for the low concentration simulations at different elevated temperatures.]{Si-C radial distribution and quality evolution for the low concentration simulations at different elevated temperatures. All structures are cooled down to $20\,^{\circ}\mathrm{C}$. Arrows in the quality plot mark the end of carbon insertion and the start of the cooling down step.}
+\label{fig:md:tot_si-c_q}
+\end{figure}
+Figure \ref{fig:md:tot_si-c_q} shows the radial distribution of Si-C bonds for different temperatures and the corresponding quality evolution as defined earlier.
+
+Cut-off vanisches, thats a nice win ...
+
+Further explanation of PC ...
+
+100 to sub configurations ...
+
+This is reflected in the qualities obtained for different temperatures.
+
+\begin{figure}[!ht]
+\begin{center}
+\includegraphics[width=12cm]{tot_pc2_thesis.ps}\\
+\includegraphics[width=12cm]{tot_pc3_thesis.ps}
+\end{center}
+\caption[C-C and Si-Si radial distribution for the low concentration simulations at different elevated temperatures.]{C-C and Si-Si radial distribution for the low concentration simulations at different elevated temperatures. All structures are cooled down to $20\,^{\circ}\mathrm{C}$.}
+\label{fig:md:tot_c-c_si-si}
+\end{figure}
 
 \subsection{Constructed 3C-SiC precipitate in crystalline silicon}
 
 
 \subsection{Constructed 3C-SiC precipitate in crystalline silicon}