+\end{slide}
+
+\begin{slide}
+\uni-header
+\section*{Modell}
+\begin{figure}[t]
+ \begin{center}
+ \includegraphics[width=6cm]{model1_.eps}
+ \caption{Modell zur Entstehung und Selbstordnung lamellarer Strukturen}
+ \end{center}
+\end{figure}
+\begin{itemize}
+ \item kohlenstoffinduzierte Nukleation sph"arischer $SiC_x$-Ausscheidungen
+ \item spannungsinduzierte Amorphisierung zwischen zwei amorphen Ausscheidungen
+ \item Bildung kohelnstoffreicher amorpher lamellarer Ausscheidungen
+\end{itemize}
+\end{slide}
+
+\begin{slide}
+\uni-header
+\section*{Annahmen}
+\begin{figure}
+ \begin{center}
+ \includegraphics[width=5cm]{implsim_.eps}
+ \caption{Tiefenabh"angiges Implantationsprofil und Energieversluste (\emph{TRIM})}
+ \end{center}
+\end{figure}
+\end{slide}
+
+\begin{slide}
+\uni-header
+\section*{Annahmen}
+\begin{itemize}
+ \item Strahlensch"adigung $\simeq$ nukleare Bremskraft (linear gen"ahert)
+ \item Amorphisierungswahrscheinlichkeit $\simeq$ Druckspannungen
+ \item lineare N"aherung des Implantationsprofils
+\end{itemize}
+\end{slide}
+
+\begin{slide}
+\uni-header
+\section*{Simulation}
+\begin{itemize}
+ \item Unterteilung des Silizium-Targets in Zellen ($x=50$, $y=50$, $z=100$)
+ \item Zelle enth"alt folgende Eigenschaften/Informationen:
+ \begin{itemize}
+ \item Kantenl"ange $3nm$ (Simulationsfenster ist $300nm$ tief bei $100$ Zellen)
+ \item Zustand: amorph/kristallin
+ \item Kohlenstoffkonzentration
+ \end{itemize}
+ \end{itemize}
+\end{slide}
+
+\begin{slide}
+\uni-header
+\section*{Simulation}
+Dreiteilung des Simulationsalgorithmus:
+\begin{enumerate}
+ \item Amorphisierung/Rekristallisation
+ \item Einbau des implantierten Kohlenstoffions ins Silizium-Target
+ \item Diffusionsprozess
+\end{enumerate}
+\end{slide}
+
+\begin{slide}
+\uni-header
+\section*{Simulation(1/3) - Amorphisierung/Rekristallisation}
+\begin{itemize}
+ \item zuf"allige Wahl der Koordinaten f"ur Sto"sprozess
+ \item Berechnung der Amorphisierungs- bzw. Rekristallisationswahrscheinlichkeit:
+ \[
+ \begin{array}{ll}
+ p_{c \rightarrow a} & \displaystyle =a_{cp} \times c^{\textrm{lokal}}_{\textrm{Kohlenstoff}} + b_{ap} + \sum_{amorphe Nachbarn} \frac{a_{ap} \times c_{\textrm{Kohelstoff}}}{\textrm{Abstand}^2}\\
+ p_{a \rightarrow c} & =1-p_{c \rightarrow a}
+ \end{array}
+ \]
+ $a_{cp}$ beschreibt kohlenstoffinduzierte Amorphisierung\\
+ $b_{ap}$ beschreibt ballistische Amorphisierung\\
+ $a_{ap}$ beschreibt spannungsinduzierte Amorphisierung
+ \item Ausw"urfeln der entscheidenden Zufallszahl
+\end{itemize}
+\end{slide}
+
+\begin{slide}
+\uni-header
+\section*{Simulation(2/3) - \\ Einbau des implantierten Kohlenstoffions}
+\begin{itemize}
+ \item $\textrm{gesamter Kohlenstoff} < \textrm{steps} \times c_{ratio}$
+ \item zuf"allige Wahl der Koordinaten f"ur Kohlenstofferh"ohung
+\end{itemize}
+\end{slide}
+
+\begin{slide}
+\uni-header
+\section*{Simulation(3/3) - Diffusion}
+Diffusion findet alle $d_v$ Schritte statt.
+\begin{itemize}
+ \item rein kristalline Diffusion:
+ \[
+ \Delta c = \frac{\textrm{Differenz}}{2} \times dr_{ac}
+ \]
+ \item Diffusion von kristalline in amorphe Gebiete:
+ \[
+ \Delta c = c_C(Nachbar) \times dr_{cc}
+ \]
+\end{itemize}
+\end{slide}
+
+\begin{slide}
+\uni-header
+\section*{Ergebnisse}
+
+\end{slide}