--- /dev/null
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+
+% topic
+
+\begin{slide}
+\begin{center}
+
+ \vspace{16pt}
+
+ {\LARGE\bf
+ Molekulardynamische Untersuchung\\
+ zum SiC-Ausscheidungsvorgang
+ }
+
+ \vspace{48pt}
+
+ \textsc{F. Zirkelbach}
+
+ \vspace{48pt}
+
+ "Uberblick
+
+ \vspace{08pt}
+
+ Juni 2009
+
+\end{center}
+\end{slide}
+
+% start of contents
+
+\begin{slide}
+
+ {\large\bf
+ Vergrabene epitaktisch orientierte 3C-SiC Ausscheidungen durch
+ Ionenstrahlsynthese
+ }
+
+ {\small
+
+ \begin{itemize}
+ \item Implantation 1:
+ 180 keV C$^+\rightarrow$ FZ-Si(100),
+ $D=7.9 \times 10^{17}$ cm$^{-2}$,
+ $T_{\text{i}}=500 \, ^{\circ} \text{C}$\\
+ epitaktisch orientierte 3C-SiC Ausscheidungen
+ in kastenf"ormigen Bereich,\\
+ eingeschlossen in a-Si:C
+ \item Implantation 2:
+ 180 keV C$^+\rightarrow$ FZ-Si(100),
+ $D=0.6 \times 10^{17}$ cm$^{-2}$,
+ $T_{\text{i}}=250 \, ^{\circ} \text{C}$\\
+ Zerst"orung einzelner SiC Ausscheidungen
+ in gr"o"ser werdenden amorphen Grenzschichten
+ \item Tempern:
+ $T=1250 \, ^{\circ} \text{C}$, $t=10\text{ h}$\\
+ Homogene st"ochiometrische 3C-SiC Schicht mit
+ scharfen Grenzfl"achen
+ \end{itemize}
+
+ \begin{minipage}{6.3cm}
+ \includegraphics[width=6.3cm]{ibs_3c-sic.eps}
+ \end{minipage}
+ \hspace*{0.2cm}
+ \begin{minipage}{6.5cm}
+ \vspace*{2.3cm}
+ {\scriptsize
+ Querschnitts-TEM-Aufnahme einer einkristallinen vergrabenen
+ 3C-SiC-Schicht.\\
+ (a) Hellfeldaufnahme\\
+ (b) 3C-SiC(111) Dunkelfeldaufnahme\\
+ }
+ \end{minipage}
+
+ \vspace{0.2cm}
+
+ Entscheidende Parameter: Dosis und Implantationstemperatur
+
+}
+
+\end{slide}
+
+\begin{slide}
+
+ {\large\bf
+ SiC-Ausscheidungsvorgang
+ }
+
+ \vspace{8pt}
+
+ {\bf Kristallstruktur und Einheitszelle:}
+ \begin{itemize}
+ \item kristallines Silizium (c-Si): Diamantstruktur\\
+ ${\color{si-yellow}\bullet}$ und ${\color{gray}\bullet}$
+ $\leftarrow$ Si-Atome
+ \item kubisches SiC (3C-SiC): Zinkblende-Struktur\\
+ ${\color{si-yellow}\bullet} \leftarrow$ Si-Atome\\
+ ${\color{gray}\bullet} \leftarrow$ C-Atome
+ \end{itemize}
+ \vspace{8pt}
+ \begin{minipage}{8cm}
+ {\bf Gitterkonstanten:}
+ \[
+ 4a_{\text{c-Si}}\approx5a_{\text{3C-SiC}}
+ \]
+ {\bf Siliziumdichten:}
+ \[
+ \frac{n_{\text{3C-SiC}}}{n_{\text{c-Si}}}=97,66\,\%
+ \]
+ \end{minipage}
+ \begin{minipage}{5cm}
+ \includegraphics[width=5cm]{sic_unit_cell.eps}
+ \end{minipage}
+
+\end{slide}
+
+\begin{slide}
+
+ {\large\bf
+ SiC-Ausscheidungsvorgang
+ }
+
+ Hochaufl"osungs-TEM:\\[-0.5cm]
+
+ \begin{minipage}{3.3cm}
+ \includegraphics[width=3.3cm]{tem_c-si-db.eps}
+ \end{minipage}
+ \begin{minipage}{9cm}
+ Bereich oberhalb des Implantationsmaximums\\
+ Wolkenstruktur "uberlagert auf ungest"orten Si-Muster\\
+ $\rightarrow$ C-Si Dumbbells
+ \end{minipage}
+ \begin{minipage}{3.3cm}
+ \includegraphics[width=3.3cm]{tem_3c-sic.eps}
+ \end{minipage}
+ \begin{minipage}{9cm}
+ Bereich um das Implantationsmaximum\\
+ Moir\'e-Kontrast-Muster\\
+ $\rightarrow$ inkoh"arente 3C-SiC-Ausscheidungen in c-Si-Matrix
+ \end{minipage}
+
+\end{slide}
+
+\begin{slide}
+
+ {\large\bf
+ SiC-Ausscheidungsvorgang
+ }
+
+ \small
+
+ \vspace{6pt}
+
+ Vermuteter 3C-SiC-Ausscheidungsvorgang in c-Si:
+
+ \vspace{8pt}
+
+ \begin{minipage}{3.8cm}
+ \includegraphics[width=3.7cm]{sic_prec_seq_01.eps}
+ \end{minipage}
+ \hspace{0.6cm}
+ \begin{minipage}{3.8cm}
+ \includegraphics[width=3.7cm]{sic_prec_seq_02.eps}
+ \end{minipage}
+ \hspace{0.6cm}
+ \begin{minipage}{3.8cm}
+ \includegraphics[width=3.7cm]{sic_prec_seq_03.eps}
+ \end{minipage}
+
+ \vspace{8pt}
+
+ \begin{minipage}{3.8cm}
+ Bildung von C-Si Dumbbells auf regul"aren c-Si Gitterpl"atzen
+ \end{minipage}
+ \hspace{0.6cm}
+ \begin{minipage}{3.8cm}
+ Anh"aufung hin zu gro"sen Clustern (Embryos)\\
+ \end{minipage}
+ \hspace{0.6cm}
+ \begin{minipage}{3.8cm}
+ Ausscheidung von 3C-SiC + Erzeugung von Si-Zwischengitteratomen
+ \end{minipage}
+
+ \vspace{12pt}
+
+ Aus experimentellen Untersuchungen:
+ \begin{itemize}
+ \item kritischer Durchmesser einer Ausscheidung: 4 - 5 nm
+ \item gleiche Orientierung der c-Si and 3C-SiC (hkl)-Ebenen
+ \end{itemize}
+
+\end{slide}
+
+\begin{slide}
+
+ {\large\bf
+ Details der MD-Simulation
+ }
+
+ \vspace{12pt}
+ \small
+
+ {\bf MD-Grundlagen:}
+ \begin{itemize}
+ \item Mikroskopische Beschreibung eines N-Teilchensystems
+ \item Analytisches Wechselwirkungspotential
+ \item Numerische Integration der Newtonschen Bewegungsgleichung\\
+ als Propagationsvorschrift im 6N-dimensionalen Phasenraum
+ \item Observablen sind die Zeit- und/oder Ensemblemittelwerte
+ \end{itemize}
+ {\bf Details der Simulation:}
+ \begin{itemize}
+ \item Integration: Velocity Verlet, Zeitschritt: $1\text{ fs}$
+ \item Ensemble: NpT, isothermal-isobares Ensemble
+ \begin{itemize}
+ \item Berendsen Thermostat:
+ $\tau_{\text{T}}=100\text{ fs}$
+ \item Berendsen Barostat:\\
+ $\tau_{\text{P}}=100\text{ fs}$,
+ $\beta^{-1}=100\text{ GPa}$
+ \end{itemize}
+ \item Potential: Tersoff-"ahnliches 'bond order' Potential
+ \vspace*{12pt}
+ \[
+ E = \frac{1}{2} \sum_{i \neq j} \pot_{ij}, \quad
+ \pot_{ij} = f_C(r_{ij}) \left[ f_R(r_{ij}) + b_{ij} f_A(r_{ij}) \right]
+ \]
+ \end{itemize}
+
+ \begin{picture}(0,0)(-230,-30)
+ \includegraphics[width=5cm]{tersoff_angle.eps}
+ \end{picture}
+
+\end{slide}
+
+\begin{slide}
+
+ {\large\bf
+ Zwischengitter-Konfigurationen
+ }
+
+ \vspace{8pt}
+
+ Simulationssequenz:\\
+
+ \vspace{8pt}
+
+ \begin{pspicture}(0,0)(7,8)
+ \rput(3.5,7){\rnode{init}{\psframebox[fillstyle=solid,fillcolor=hb]{
+ \parbox{7cm}{
+ \begin{itemize}
+ \item initiale Konfiguration:\\
+ $9\times9\times9$ Einheitszellen c-Si
+ \item periodische Randbedingungen
+ \item $T=0\text{ K}$, $p=0\text{ bar}$
+ \end{itemize}
+ }}}}
+\rput(3.5,3.5){\rnode{insert}{\psframebox{
+ \parbox{7cm}{
+ Einf"ugen der C/Si Atome:
+ \begin{itemize}
+ \item $(0,0,0)$ $\rightarrow$ {\color{red}tetraedrisch}
+ (${\color{red}\triangleleft}$)
+ \item $(-1/8,-1/8,1/8)$ $\rightarrow$ {\color{green}hexagonal}
+ (${\color{green}\triangleright}$)
+ \item $(-1/8,-1/8,-1/4)$, $(-1/4,-1/4,-1/4)$\\
+ $\rightarrow$ {\color{magenta}110 Dumbbell}
+ (${\color{magenta}\Box}$,$\circ$)
+ \item zuf"allige Position (Minimalabstand)
+ \end{itemize}
+ }}}}
+ \rput(3.5,1){\rnode{cool}{\psframebox[fillstyle=solid,fillcolor=lbb]{
+ \parbox{3.5cm}{
+ Relaxation ($>2$ ps)
+ }}}}
+ \ncline[]{->}{init}{insert}
+ \ncline[]{->}{insert}{cool}
+ \end{pspicture}
+
+ \begin{picture}(0,0)(-210,-45)
+ \includegraphics[width=6cm]{unit_cell_s.eps}
+ \end{picture}
+
+\end{slide}
+
+\begin{slide}
+
+ {\large\bf
+ Zwischengitter-Konfigurationen
+ }
+
+ \small
+
+ \begin{minipage}[t]{4.3cm}
+ \underline{Tetraedrisch}\\
+ $E_f=3.41$ eV\\
+ \includegraphics[width=3.8cm]{si_self_int_tetra_0.eps}
+ \end{minipage}
+ \begin{minipage}[t]{4.3cm}
+ \underline{110 Dumbbell}\\
+ $E_f=4.39$ eV\\
+ \includegraphics[width=3.8cm]{si_self_int_dumbbell_0.eps}
+ \end{minipage}
+ \begin{minipage}[t]{4.3cm}
+ \underline{Hexagonal} \hspace{4pt}
+ \href{../video/si_self_int_hexa.avi}{$\rhd$}\\
+ $E_f^{\star}\approx4.48$ eV (nicht stabil!)\\
+ \includegraphics[width=3.8cm]{si_self_int_hexa_0.eps}
+ \end{minipage}
+
+ \underline{zuf"allige Positionen}
+
+ \begin{minipage}{4.3cm}
+ $E_f=3.97$ eV\\
+ \includegraphics[width=3.8cm]{si_self_int_rand_397_0.eps}
+ \end{minipage}
+ \begin{minipage}{4.3cm}
+ $E_f=3.75$ eV\\
+ \includegraphics[width=3.8cm]{si_self_int_rand_375_0.eps}
+ \end{minipage}
+ \begin{minipage}{4.3cm}
+ $E_f=3.56$ eV\\
+ \includegraphics[width=3.8cm]{si_self_int_rand_356_0.eps}
+ \end{minipage}
+
+\end{slide}
+
+\begin{slide}
+
+ {\large\bf
+ Zwischengitter-Konfigurationen
+ }
+
+ \small
+
+ \begin{minipage}[t]{4.3cm}
+ \underline{Tetraedrisch}\\
+ $E_f=2.67$ eV\\
+ \includegraphics[width=3.8cm]{c_in_si_int_tetra_0.eps}
+ \end{minipage}
+ \begin{minipage}[t]{4.3cm}
+ \underline{110 Dumbbell}\\
+ $E_f=1.76$ eV\\
+ \includegraphics[width=3.8cm]{c_in_si_int_dumbbell_0.eps}
+ \end{minipage}
+ \begin{minipage}[t]{4.3cm}
+ \underline{Hexagonal} \hspace{4pt}
+ \href{../video/c_in_si_int_hexa.avi}{$\rhd$}\\
+ $E_f^{\star}\approx5.6$ eV (nicht stabil!)\\
+ \includegraphics[width=3.8cm]{c_in_si_int_hexa_0.eps}
+ \end{minipage}
+
+ \underline{zuf"allige Positionen}
+
+ \footnotesize
+
+\begin{minipage}[t]{3.3cm}
+ $E_f=0.47$ eV\\
+ \includegraphics[width=3.3cm]{c_in_si_int_001db_0.eps}
+ \begin{picture}(0,0)(-15,-3)
+ 100 Dumbbell
+ \end{picture}
+\end{minipage}
+\begin{minipage}[t]{3.3cm}
+ $E_f=1.62$ eV\\
+ \includegraphics[width=3.2cm]{c_in_si_int_rand_162_0.eps}
+\end{minipage}
+\begin{minipage}[t]{3.3cm}
+ $E_f=2.39$ eV\\
+ \includegraphics[width=3.1cm]{c_in_si_int_rand_239_0.eps}
+\end{minipage}
+\begin{minipage}[t]{3.0cm}
+ $E_f=3.41$ eV\\
+ \includegraphics[width=3.3cm]{c_in_si_int_rand_341_0.eps}
+\end{minipage}
+
+\end{slide}
+
+\begin{slide}
+
+ {\large\bf
+ Zwischengitter-Konfigurationen
+ }
+
+ Das 100 Dumbbell
+
+ \vspace{8pt}
+
+ \small
+
+ \begin{minipage}{5.5cm}
+ \begin{itemize}
+ \item $E_f=0.47$ eV
+ \item sehr h"aufig beobachtet
+ \item energetisch g"unstigste\\ Konfiguration
+ \item experimentelle und theoretische Hinweise
+ f"ur die Existenz dieser Konfiguration
+ \end{itemize}
+ \includegraphics[width=5.6cm]{c_in_si_100.ps}
+ \end{minipage}
+ \begin{minipage}{7cm}
+ \includegraphics[width=8cm]{100-c-si-db_s.eps}
+ \end{minipage}
+
+\end{slide}
+
+\begin{slide}
+
+ {\large\bf
+ Simulationen zum Ausscheidungsvorgang
+ }
+
+ \small
+
+ \vspace{8pt}
+
+ Simulationssequenz:\\
+
+ \vspace{8pt}
+
+ \begin{pspicture}(0,0)(12,8)
+ % nodes
+ \rput(3.5,7.0){\rnode{init}{\psframebox[fillstyle=solid,fillcolor=hb]{
+ \parbox{7cm}{
+ \begin{itemize}
+ \item initiale Konfiguration:\\
+ $31\times31\times31$ c-Si Einheitszellen
+ \item periodsche Randbedingungen
+ \item $T=450\, ^{\circ}\text{C}$, $p=0\text{ bar}$
+ \item "Aquilibrierung von $E_{\text{kin}}$ and $E_{\text{pot}}$
+ \end{itemize}
+ }}}}
+ \rput(3.5,3.2){\rnode{insert}{\psframebox[fillstyle=solid,fillcolor=lachs]{
+ \parbox{7cm}{
+ Einf"ugen von 6000 C-Atomen\\
+ bei konstanter Temperatur
+ \begin{itemize}
+ \item gesamte Simulationsvolumen {\pnode{in1}}
+ \item Volumen einer minimalen SiC-Ausscheidung {\pnode{in2}}
+ \item Bereich der ben"otigten Si-Atome {\pnode{in3}}
+ \end{itemize}
+ }}}}
+ \rput(3.5,1){\rnode{cool}{\psframebox[fillstyle=solid,fillcolor=lbb]{
+ \parbox{5.0cm}{
+ Nach 100 ps abk"uhlen auf $20\, ^{\circ}\textrm{C}$
+ }}}}
+ \ncline[]{->}{init}{insert}
+ \ncline[]{->}{insert}{cool}
+ \psframe[fillstyle=solid,fillcolor=white](7.5,1.8)(13.5,7.8)
+ \rput(7.8,7.6){\footnotesize $V_1$}
+ \psframe[fillstyle=solid,fillcolor=lightgray](9,3.3)(12,6.3)
+ \rput(9.2,6.15){\tiny $V_2$}
+ \psframe[fillstyle=solid,fillcolor=gray](9.25,3.55)(11.75,6.05)
+ \rput(9.55,5.85){\footnotesize $V_3$}
+ \rput(7.9,4.2){\pnode{ins1}}
+ \rput(9.22,3.5){\pnode{ins2}}
+ \rput(11.0,3.8){\pnode{ins3}}
+ \ncline[]{->}{in1}{ins1}
+ \ncline[]{->}{in2}{ins2}
+ \ncline[]{->}{in3}{ins3}
+ \end{pspicture}
+
+\end{slide}
+
+\begin{slide}
+
+ {\large\bf
+ Simulationen zum Ausscheidungsvorgang
+ }
+
+ \includegraphics[width=6.3cm]{pc_si-c_c-c.eps}
+ \includegraphics[width=6.3cm]{pc_si-si.eps}
+
+ \vspace{-0.1cm}
+
+ \footnotesize
+ \underline{C-C, 0.15 nm}:\\
+ NN-Abstand in Graphit/Diamant\\
+ $\Rightarrow$ starke C-C Bindungen bei hohen Konz.\\
+ \underline{Si-C, 0.19 nm}:\\
+ NN-Abstand in 3C-SiC\\
+ \underline{C-C, 0.31 nm}:\\
+ C-C Abstand in 3C-SiC\\
+ verkettete, verschieden orientierte 100 C-Si DBs\\
+ \underline{Si-Si, $\sim$ 0.31 nm}:\\
+ g(r) erh"oht, Si-Si in 3C-SiC\\
+ Intervall entspricht C-C Peakbreite\\
+ Abfall bei regul"aren Abst"anden
+
+ \begin{picture}(0,0)(-175,-40)
+ \includegraphics[width=4.0cm]{conc_100_c-si-db_02.eps}
+ \end{picture}
+ \begin{picture}(0,0)(-278,-10)
+ \includegraphics[width=4.0cm]{conc_100_c-si-db_01.eps}
+ \end{picture}
+
+ \end{slide}
+
+ \begin{slide}
+
+ {\large\bf
+ Simulationen zum Ausscheidungsvorgang
+ }
+
+ \includegraphics[width=6.3cm]{pc_si-c_c-c.eps}
+ \includegraphics[width=6.3cm]{c_in_si_100.ps}
+
+ \footnotesize
+
+ \underline{Niedrige C-Konzentration ($V_1$)}:
+ 100 Dumbbell-Konfiguration\\
+ dehnt Si-Si NN-Abstand auf 0.3 nm\\
+ Beitrag zum Si-C Peak bei 0.19 nm\\
+ erkl"art weitere Si-C Peaks (gestrichelte Linien)\\
+ $\Rightarrow$ C-Atome als erstes im erwarteten 3C-SiC-Abstand\\
+ \underline{Hohe C-Konzentration ($V_2$ und $V_3$)}:\\
+ Gro"se Anzahl an Defekten/Sch"adigung erzeugt\\
+ Fast nur kurzreichweitige Ordnung erkennbar\\
+ $\Rightarrow$ Bildung einer amorphen SiC-"ahnlichen Phase\\
+ $\Rightarrow$ T$\uparrow$ oder t$\uparrow$ f"ur Bildung von 3C-SiC
+
+ \begin{picture}(0,0)(-230,-15)
+ \includegraphics[width=5cm]{a-sic_pc.eps}
+ \end{picture}
+ \begin{picture}(0,0)(-240,-5)
+ \begin{minipage}{5cm}
+ {\scriptsize
+ PRB 66, 024106 (2002)\\[-4pt]
+ F. Gao und W. J. Weber
+ }
+ \end{minipage}
+ \end{picture}
+
+\end{slide}
+
+ \begin{slide}
+
+ {\large\bf
+ Simulationen zum Ausscheidungsvorgang
+ }
+
+ \footnotesize
+
+ Zusammenfassung und Problemstellung:
+ \begin{itemize}
+ \item keine 3C-SiC-Ausscheidungen
+ \item C-Konzentration niedrig:
+ \begin{itemize}
+ \item 100 Dumbbell gepr"agte Struktur\\
+ (entspricht Vermutungen aus IBS Untersuchungen)
+ \item keine Anh"aufung zu Embryos
+ \end{itemize}
+ \item C-Konzentration hoch:
+ \begin{itemize}
+ \item Ausbildung von C-C Bindungen
+ (IBS: C-"Uberdosis behindert C-Umverteilung)
+ \item amorphes SiC
+ (C-induzierte Amorphisierung ab einem T-abh"angigen
+ Wert der Dosis)
+ \end{itemize}
+ \end{itemize}
+ \vspace{0.2cm}
+ {\color{blue} Ziel:}
+ \underline{
+ Bedingungen finden unter denen 3C-SiC-Ausscheidung stattfindet}\\[0.3cm]
+ Ans"atze:\\[0.2cm]
+ \begin{minipage}{7.5cm}
+ \begin{itemize}
+ \item H"ohere Temperaturen
+ \begin{itemize}
+ \item Temperaturen im Implantationsbereich h"oher
+ \item H"ohere T statt l"angerer Simulationszeit\\
+ Arrhenius-Gesetz $\rightarrow$ "Ubergangszeiten
+ \end{itemize}
+ \item Variation des Einf"ugevorgangs des Kohlenstoffs
+ \begin{itemize}
+ \item minimaler Abstand
+ \item Zeitpunkt, Geschwindigkeit (Dosisrate)
+ \end{itemize}
+ \end{itemize}
+ \end{minipage}
+ \begin{minipage}{5.1cm}
+ \begin{itemize}
+ \item Modifikation der\\
+ Kraft/Potentialberechnung
+ \begin{itemize}
+ \item C-C cut-off erh"ohen
+ \item Beitrag aus Ableitung von $f_{\text{C}}$ zur Kraft
+ weglassen
+ \\\\
+ \end{itemize}
+ \end{itemize}
+ \end{minipage}
+
+\end{slide}
+
+\begin{slide}
+
+ {\large\bf
+ Simulationen zum Ausscheidungsvorgang
+ }
+
+ H"ohere Temperaturen - $V_1$-Simulationen\\
+ \includegraphics[width=6.3cm]{tot_ba.ps}
+ \includegraphics[width=6.3cm]{tot_pc.ps}
+ \small
+ \begin{minipage}{6.5cm}
+ \[
+ \text{\scriptsize Quality}
+ = \frac{\textrm{\scriptsize Anzahl C mit 4 Bindungen zu Si}}
+ {\textrm{\scriptsize Gesamtanzahl C}}
+ \]
+ \\
+ \underline{Si-C PCF}:\\
+ cut-off Artefakt nimmt ab mit T $\uparrow$\\
+ $2050 \, ^{\circ}\text{C}$ Si-C Peaks
+ $\rightarrow \text{C}_{\text{S}}$-Si Bindungen\\[0.2cm]
+ {\color{red} Problem: L"oslichkeit durch hohe T erh"oht}
+ \end{minipage}
+
+ \begin{picture}(0,0)(-175,-2)
+ \includegraphics[width=4.0cm]{cs-si_01.eps}
+ \end{picture}
+ \begin{picture}(0,0)(-278,16)
+ \includegraphics[width=4.0cm]{cs-si_02.eps}
+ \end{picture}
+
+\end{slide}
+
+\begin{slide}
+
+ {\large\bf
+ Simulationen zum Ausscheidungsvorgang
+ }
+
+ H"ohere Temperaturen - $V_2$-Simulationen\\
+ \includegraphics[width=6.2cm]{12_pc.ps}
+ \includegraphics[width=6.2cm]{12_ba.ps}
+ \includegraphics[width=6.2cm]{12_pc_c-c.ps}
+ \includegraphics[width=6.2cm]{12_ba_noa.ps}
+
+\end{slide}
+
+\begin{slide}
+
+ {\large\bf
+ Simulationen zum Ausscheidungsvorgang
+ }
+
+ H"ohere Temperaturen - Neuer Temperaturfahrplan\\[0.3cm]
+ \begin{itemize}
+ \item Einf"ugen der C-Atome bei $1650 \, ^{\circ} \text{C}$
+ \item Aufw"armen auf $2650 \, ^{\circ} \text{C}$
+ \item Temperatur f"ur 100 ps halten
+ \item Abk"uhlen auf $20 \, ^{\circ} \text{C}$
+ \end{itemize}
+ \vspace{0.2cm}
+ \includegraphics[width=6.3cm]{12_anneal_amod.ps}
+ \includegraphics[width=6.3cm]{12_amod_anneal.ps}
+
+\end{slide}
+
+\begin{slide}
+
+ {\large\bf
+ Simulationen zum Ausscheidungsvorgang
+ }
+
+ Variation des Einf"ugevorgangs des Kohlenstoffs
+
+ \scriptsize
+
+ \begin{minipage}{6.3cm}
+ \begin{center}
+ Kritischer Abstand 0.15 nm $\rightarrow$ 0.05 nm\\
+ \end{center}
+ \includegraphics[width=5.9cm]{1250_12_cr.ps}
+ \includegraphics[width=5.9cm]{1250_12_cr_ba.ps}
+ \end{minipage}
+ \begin{minipage}{6.3cm}
+ \begin{center}
+ Dosisrate: C auf einmal hinzugef"ugt\\
+ \end{center}
+ \includegraphics[width=5.9cm]{1250_12_notrelax_pc.ps}
+ \includegraphics[width=5.9cm]{1250_12_notrelax_ba.ps}
+ \end{minipage}
+
+\end{slide}
+
+\begin{slide}
+
+ {\large\bf
+ Simulationen zum Ausscheidungsvorgang
+ }
+
+ Modifikation der Kraft/Potentialberechnung
+
+ \underline{Erh"ohter C-C cut-off}
+ \begin{center}
+ \includegraphics[width=6.5cm]{12_pc_c-c_amod.ps}
+ \end{center}
+
+ \underline{Beitrag zur Kraft aus Ableitung von $f_{\text{C}}$ weglassen}
+ \begin{itemize}
+ \item System nicht mehr konservativ
+ \item Energie steigt trotz 'starker' T-Kontrolle
+ \end{itemize}
+ $\Rightarrow$ nicht geeignet f"ur Simulationen mit endlicher/hoher Temperatur
+
+\end{slide}
+
+\begin{slide}
+
+ {\large\bf
+ SiC-Ausscheidungen in Si
+ }
+
+ \begin{itemize}
+ \item $10\times10\times10$ Einheitszellen 3C-SiC
+ \item Zwei $8\times8\times8$ Einheitszellen Si unter- und oberhalb
+ \item "Aquilibrierung f"ur 2 ps
+ \item Einschalten der $T$- und $p$-Kontrolle
+ ($T=0\text{ K}$, $p=0\text{ bar}$)
+ \end{itemize}
+
+ \vspace*{0.1cm}
+
+ Relaxation: \href{../video/sd_sic_in_si_01.avi}{$\rhd$}\\
+ Spannungen: \href{../video/sd_sic_in_si_01_strain.avi}{$\rhd$}
+
+ \vspace*{0.2cm}
+
+ \begin{minipage}{5cm}
+ Initial Konfiguration\\
+ \includegraphics[width=6cm]{sd_sic_in_si_strain_01.eps}
+ \end{minipage}
+ \begin{minipage}{1cm}
+ $\rightarrow$\\
+ \end{minipage}
+ \begin{minipage}{6cm}
+ Relaxierte Konfiguration\\
+ \includegraphics[width=6.4cm]{sd_sic_in_si_strain_02.eps}
+ \end{minipage}
+
+
+\end{slide}
+
+\end{document}
+
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