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@@ -131,31 +131,43 @@ Im Anschluss werden die Simulationen "uber den gesamten Implantationsbereich dis
     Beim roten Verlauf war die Diffusion in $z$-Richtung eingeschaltet.
     Man erkennt deutlich lamellare Ausscheidungen.
     Dies "aussert sich auch am Linescan.
-    Ein deutliches Maximum ist zum Beispiel f"ur die Ortsfrequenz $f_y=0,11 nm^{-1}$ zu erkennen.
-    Diese Frequenz entspricht einer Peridizit"at der Lamellen von $f_y^{-1} = 9,1 nm$.
+    Ein deutliches Maximum ist zum Beispiel f"ur die Ortsfrequenz $f_z \approx 0,11 nm^{-1}$ zu erkennen.
+    Diese Frequenz entspricht einer Peridizit"at der Lamellen von $f_z^{-1} \approx 9,1 nm$.
     Dies entspricht einer Anzahl von ungef"ahr $17$ Lamellen in einem Tiefenbereich von $150 nm$.
     Eine "ahnlich grosse Zahl erh"alt man tats"achlich ducrch Abz"ahlen der Lamellen am linken Rand der Cross-Section.
     Die Fouriertransformierte stellt also ein geeignetes Mittel zur objektiven Messung der \dq Lamellarigkeit\dq{} dar.
 
+    EDIT: "Anderung von $d_v$.
+
     \subsection{Einfluss der Druckspannungen}
 
     Im Folgenden soll der Einfluss der Druckspannungen auf den Selbstorganisationsprozess diskutiert werden.
     \begin{figure}[h]
     \includegraphics[width=12cm]{high_to_low_a.eps}
-    \caption{Simulationsergebnisse f"ur verschiedene $p_s$. Simulationsparameter: $p_b=0$, $p_c=0,0001$, $d_r=0,5$, $d_v=10$, $s=3 \times 10^{7}$}
+    \caption{Simulationsergebnisse f"ur verschiedene $p_s$. Simulationsparameter: $p_b=0$, $p_c=0,0001$, $d_r=0,5$, $d_v=10$, $s=2 \times 10^{7}$}
     \label{img:p_s_influence}
     \end{figure}
     In Abbildung \ref{img:p_s_influence} sind Simulationergebnisse mit variierten Druckspannungsparametern zu sehen.
     Mit Verkleinerung des Wertes $p_s$ wird auch der Tiefenbereich in dem sich lamellare Ausscheidungen gebildet haben kleiner.
     Gleichzeitig wird auch der Durchmesser der amorphen Lamellen kleiner.
-    Diese Beobachtungen best"atigen die Annahme, dass Druckspannungen ein Mechanismus, der zur Amorphisierung beitr"agt darstellen, und nicht allein die kohlenstoff-induzierte Amorphisierung f"ur Amorphisierung verantwortlich sind.
+    Diese Beobachtungen best"atigen die Annahme, dass Druckspannungen ein Mechanismus, der zur Amorphisierung beitr"agt darstellen, und nicht allein die kohlenstoff-induzierte Amorphisierung f"ur Amorphisierung verantwortlich ist.
     Da kleinere $p_s$ eine kleinere Amorphisierungswahrscheinlichkeit der kristallinen Nachbarschaft zur Folge haben, werden weniger amorphe Gebiete enstehen.
     Die Druckspannungen fallen quadratisch mit der Entfernung ab.
     Ein zuf"alliges amorphes Gebiet, das nicht direkt an eienr Ausscheidung anliegt wird daher viel wahrscheinlicher rekristallisieren.
     Selbst ein neu entstandenes amorphes Gebiet direkt neben einer Ausscheidung kann nichtmehr durch die Druckspannungen allein stabilisiert werden.
     Es wird nur amorph bleiben, wenn vor dem n"achsten Sto"s genug Kohlenstoff durch den Diffusionsprozess gewonnen wird und eine Stabilisierung auf Grund der kohlenstoff-induzierten Amorphisierungswahrscheinlichkeit ausreicht.
 
-    EDIT: Linescan f"r $p_s=0,002$ und $p_s=0,004$. Ver"anderte Periodizit"at der Lamellen. Sch"arferes Maxima bei Ortsfrequenz Null.
+    \begin{figure}[h]
+    \includegraphics[width=12cm]{ls_cmp_002-004.eps}
+    \caption{Linescan der fouriertransformierten Simulationsergebnisse mit $p_s=0,002$ und $p_s=0,004$. Simulationsparameter: $p_b=0$, $p_c=0,0001$, $d_r=0,5$, $d_v=10$, $s=2 \times 10^{7}$}
+    \label{img:p_s_per}
+    \end{figure}
+    In Abbildung \ref{img:p_s_per} sind die Linescans der fouriertransformierten Cross-Sections mit $p_s=0,002$ und $p_s=0,004$ zu sehen.
+    Zun"achst f"allt das sch"arfere Maxima bei der Ortsfrequenz Null f"ur h"ohere Werte von $p_s$ auf.
+    Ausserdem erkennt man eine Verschiebung der Maxima zu gr"osseren Frequenzen mit steigendem $p_s$.
+    Dieses Ergebnis erkennt man auch sehr gut an den Cross-Sections der Simulationen.
+    Die Abst"ande der Lamellen nehmen sukzessive ab.
+    Nimmt zum Beispiel die Intensit"at der Frequenz $f_z \approx 0,13 nm^{-1}$, was einer Periodenl"ange von $7,7 nm$ entspricht ab, so steigt die Intensit"at f"ur die Frequenz $f_z \approx 0,16 nm^{-1}$, was einer Periode von $6,3 nm$ entspricht.
 
     \subsection{Verteilung des Kohlenstoffs im Target}
 
@@ -163,7 +175,7 @@ Im Anschluss werden die Simulationen "uber den gesamten Implantationsbereich dis
     \begin{center}
     \includegraphics[width=7cm]{really_all_z-z_plus1.eps}
     \end{center}
-    \caption{Amorph/Kristalline Struktur, Kohlenstoffverteilung und Druckspannungen in zwei aufeinander folgenden Ebenen $z$ und $z=1$.}
+    \caption{Amorph/Kristalline Struktur, Kohlenstoffverteilung und Druckspannungen in zwei aufeinander folgenden Ebenen $z$ und $z+1$.}
     \label{img:s_c_s_distrib}
     \end{figure}
     In Abbildung \ref{img:s_c_s_distrib} ist ein Querschnitt der Ebene $z$ und $z+1$ des Targets abgebildet.
@@ -191,7 +203,7 @@ Im Anschluss werden die Simulationen "uber den gesamten Implantationsbereich dis
     Der lineare Anstieg der Kohlenstoffkonzentration ist eine Folge des linear gen"aherten Implantationsprofils. Mit Beginn der amorphen Lamellen sinkt der Kohlenstoffgehalt in den kristallinen Gebieten und steigt im Amoprhen.
     Die Schwankungen der Kohlenstoffkonzentration in den amorphen Gebieten h"angt mit der komplement"aren Anordnung der amorphen Gebiete in aufeinanderfolgenden Ebenen zusammen.
     Diese Schwankungen sind auch in der Kohlenstoffkonzentration in amorphen und kristallinen Gebieten zu erkennen.
-    Man erkennt dass abwechselnd Ebene mit grossem und kleinen amorphen Anteil vorliegen.
+    Man erkennt dass abwechselnd Ebenen mit grossen und kleinen amorphen Anteil vorliegen.
 
   \section{Simulation "uber den gesamten Implantationsbereich}