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index 3b7e4a4..8826e7f 100644 (file)
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@@ -23,7 +23,7 @@ Diese Beobachtung kann durch die Bradley-Harper-Theorie beschrieben werden \cite
 Desweiteren k"onnen Selbstorganisationsph"anomene bei der Bestrahlung von bin"aren Legierungen beobachtet werden.
 Die thermisch aktivierte, kurzreichweitige Diffusion und der, durch die Bestrahlung aktivierte Austausch von Atomen f"uhrt ab einem bestimmten Wert f"ur die Autauschreichweite zur Bildung verworrener separierter stabiler Phasen \cite{enrique1,enrique2}.
 
-Bei Untersuchungen \cite{herstellung_sic_schicht} von Hochdosis-Kohlenstoff-Ionenimplantationen in Silizium, als Methode zur Herstellung vergrabener epitaktischer $SiC$-Schichten \nolinebreak[4] \cite{sic_buch}, fand man bei Temperaturen kleiner $400 \, ^{\circ} \mathrm{C}$ die Ausbildung einer amorphen Schicht, begleitet von lamellaren und sph"arischen Einschl"ussen an der vorderen Grenzfl"ache.
+Bei Untersuchungen \cite{herstellung_sic_schicht} von Hochdosis-Kohlenstoff-Ionenimplantationen in Silizium, als Methode zur Herstellung vergrabener epitaktischer $SiC$-Schichten \cite{sic_buch}, fand man bei Temperaturen kleiner $400 \, ^{\circ} \mathrm{C}$ die Ausbildung einer amorphen Schicht, begleitet von lamellaren und sph"arischen Einschl"ussen an der vorderen Grenzfl"ache.
 Diese wenige $nm$ gro"se Einschl"usse sind regelm"a"sig angeordnet.
 Die Annahme, dass es sich bei diesen amorphen Einschl"ussen um kohlenstoffreiches amorphes Silizium handelt, wird durch analytische Transmissionselektronenmikroskopie gest"utzt \cite{da_martin_s,vorstellung_modell}.
 Die Einschl"usse werden daher als amorphe $SiC_x$-Ausscheidungen bezeichnet.
@@ -32,7 +32,7 @@ Es handelt sich um einen Selbstorganisationsprozess.
 Ein Modell zur Beschreibung des Selbstorganisationsvorganges ist in \cite{chef_habil,vorstellung_modell} vorgestellt.
 In \cite{da_martin_s,maik_da} wurden erstmals ausf"uhrliche experimentelle Untersuchungen zum Bildungs- und Ausheilverhalten dieser nanometrischen amorphen Einschl"usse durchgef"uhrt.
 
-Neben der Kohlenstoffimplantation in Silizium findet man "ahnliche Selbstorganisationsvorg"ange auch in anderen Materialsystemen, wie zum Beispiel Hochdosis-Sauerstoffimplantation in Silizium \cite{van_ommen}, $Ar^+$ in Saphir \cite{specht} und $Si^+$ in $SiC$ \cite{ishimaru}.
+Neben der Kohlenstoffimplantation in Silizium findet man "ahnliche Selbstorganisationsvorg"ange auch in anderen Materialsystemen, wie zum Beispiel Hoch-dosis-Sauerstoffimplantation in Silizium \cite{van_ommen}, $Ar^+$ in Saphir \cite{specht} und $Si^+$ in $SiC$ \cite{ishimaru}.
 Allen gemeinsam ist eine drastische Dichtereduktion bei der Amorphisierung.
 Ist dies der Fall, so ist die Selbstorganisation, unabh"angig vom Materialsystem, ein allgemein beobachtbares Ph"anomen.