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index aa9014fd0cd577dd7c315b2bd9a4d702a7e11dc5..382644247e1a05c1204747b5efca8d5653589fd6 100644 (file)
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 \chapter*{Danksagung}
 \addcontentsline{toc}{chapter}{Danksagung}
+
+Hiermit m"oche ich mich bei allen bedanken, die in irgend einer Form zum Gelingen dieser Diplomarbeit beigetragen haben.
+Insbesondere gilt meinem Dank
+
+\begin{itemize}
+  \item \emph{Herrn Prof. Dr. Bernd Stritzker} f"ur die M"oglichkeit diese Arbeit an seinem Lehrstuhl durchf"uhren zu k"onnen,
+  \item \emph{Herrn Priv.-Doz. Dr. habil. Volker Eyert} f"ur die Bereitschaft sich dieser Arbeit als Zweitkorrektor anzunehmen,
+  \item \emph{Herrn Priv.-Doz. Dr. habil. J"org K. N. Lindner} f"ur die Vergabe des interessanten Themas, die engagierte Betreuung und Unterst"utzung, sowie die Durchsicht dieses Skripts,
+  \item \emph{Herrn Dipl.-Phys. Maik H"aberlen} f"u die Betreuung und vorallem den Ansto"s zu diesem Thema, und
+  \item \emph{Herrn Dipl.-Phys. Ralf Utermann f"ur einen tempor"aren Zugang zum Rechencluster des Physik Instituts.}
+
+Allen weiteren Mitarbeitern des Lehrstuhls, insbesondere dem Diplomandenzimmer danke ich recht herzlich f"ur die freundschaftliche Arbeitsatmosph"are.
+
+Ein ganz besonderer Dank gilt meinen Eltern Wilfriede und Karl ohne deren Unterst"utzung das Studium nicht m"oglich gewesen w"are.
+  
+\end{itemize}

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index a831d018c6d91a61d22e90c6da1411fbcc6a9470..989c9767f4c05cde3c157de68a2b3159a19db95a 100644 (file)
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@@ -373,12 +373,19 @@ Im Anschluss werden die Simulationen "uber den gesamten Implantationsbereich dis
 
     EDIT: einfluss diffusion -> lamellarisierung
 
-    \subsection{Herstellung grosser Bereiche lamellarer Strukturen durch zweiten Implantationsschritt}
+    \subsection{Herstellung grosser Bereiche lamellarer Strukturen durch einen zweiten Implantationsschritt}
 
     Im Folgenden soll ein Mechanismus zur Erzeugung grosser lamellarer Bereiche durch einen zweiten Implantationsschritt vorhergesagt werden.
+
     Als Grundlage dient ein Silizium Target, dass wie bisher mit $180 keV$ $C^{+}$ beschossen wird.
     Ein entsprechendes Implantationsprofil stellt sich ein.
     Allerdings soll das Target durchgehend kristallin sein.
     Dies l"asst sich experimentell durch Erh"ohung der Targettemeperatur erreichen.
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+       
+    Das kristalline Target wird dann mit $10 MeV$ $C^{+}$ bei der gewohnten Implantationstemperatur von $150 \, ^{\circ} \mathrm{C}$ implantiert.
+    Abbildung \ref{img:nel_impl_1mev} zeigt das durch {/em TRIM} ermittelte nukleare Bremskraft- und Implantationsprofil.
+    Auf Grund der hohen Energie wird kaum noch Kohlenstoff in den bisher relevanten Tiefenbereich zur Ruhe kommen.
+    Des weiteren ist in diesen Bereich die nukleare Bremskraft, und damit die Wahrscheinlichkeit eines Sto"ses,  ann"ahernd konstant.
+    Man erwartet schnelle Amoprhisierung auf Grund des bereits existierenden Kohlenstoffs durch die erste Implantation.
+    
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