more ergebnisse + danksagung
authorhackbard <hackbard>
Mon, 18 Jul 2005 02:07:50 +0000 (02:07 +0000)
committerhackbard <hackbard>
Mon, 18 Jul 2005 02:07:50 +0000 (02:07 +0000)
nlsop/diplom/danksagung.tex
nlsop/diplom/ergebnisse.tex

index aa9014f..3826442 100644 (file)
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 \chapter*{Danksagung}
 \addcontentsline{toc}{chapter}{Danksagung}
 \chapter*{Danksagung}
 \addcontentsline{toc}{chapter}{Danksagung}
+
+Hiermit m"oche ich mich bei allen bedanken, die in irgend einer Form zum Gelingen dieser Diplomarbeit beigetragen haben.
+Insbesondere gilt meinem Dank
+
+\begin{itemize}
+  \item \emph{Herrn Prof. Dr. Bernd Stritzker} f"ur die M"oglichkeit diese Arbeit an seinem Lehrstuhl durchf"uhren zu k"onnen,
+  \item \emph{Herrn Priv.-Doz. Dr. habil. Volker Eyert} f"ur die Bereitschaft sich dieser Arbeit als Zweitkorrektor anzunehmen,
+  \item \emph{Herrn Priv.-Doz. Dr. habil. J"org K. N. Lindner} f"ur die Vergabe des interessanten Themas, die engagierte Betreuung und Unterst"utzung, sowie die Durchsicht dieses Skripts,
+  \item \emph{Herrn Dipl.-Phys. Maik H"aberlen} f"u die Betreuung und vorallem den Ansto"s zu diesem Thema, und
+  \item \emph{Herrn Dipl.-Phys. Ralf Utermann f"ur einen tempor"aren Zugang zum Rechencluster des Physik Instituts.}
+
+Allen weiteren Mitarbeitern des Lehrstuhls, insbesondere dem Diplomandenzimmer danke ich recht herzlich f"ur die freundschaftliche Arbeitsatmosph"are.
+
+Ein ganz besonderer Dank gilt meinen Eltern Wilfriede und Karl ohne deren Unterst"utzung das Studium nicht m"oglich gewesen w"are.
+  
+\end{itemize}
index a831d01..989c976 100644 (file)
@@ -373,12 +373,19 @@ Im Anschluss werden die Simulationen "uber den gesamten Implantationsbereich dis
 
     EDIT: einfluss diffusion -> lamellarisierung
 
 
     EDIT: einfluss diffusion -> lamellarisierung
 
-    \subsection{Herstellung grosser Bereiche lamellarer Strukturen durch zweiten Implantationsschritt}
+    \subsection{Herstellung grosser Bereiche lamellarer Strukturen durch einen zweiten Implantationsschritt}
 
     Im Folgenden soll ein Mechanismus zur Erzeugung grosser lamellarer Bereiche durch einen zweiten Implantationsschritt vorhergesagt werden.
 
     Im Folgenden soll ein Mechanismus zur Erzeugung grosser lamellarer Bereiche durch einen zweiten Implantationsschritt vorhergesagt werden.
+
     Als Grundlage dient ein Silizium Target, dass wie bisher mit $180 keV$ $C^{+}$ beschossen wird.
     Ein entsprechendes Implantationsprofil stellt sich ein.
     Allerdings soll das Target durchgehend kristallin sein.
     Dies l"asst sich experimentell durch Erh"ohung der Targettemeperatur erreichen.
     Als Grundlage dient ein Silizium Target, dass wie bisher mit $180 keV$ $C^{+}$ beschossen wird.
     Ein entsprechendes Implantationsprofil stellt sich ein.
     Allerdings soll das Target durchgehend kristallin sein.
     Dies l"asst sich experimentell durch Erh"ohung der Targettemeperatur erreichen.
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+    Das kristalline Target wird dann mit $10 MeV$ $C^{+}$ bei der gewohnten Implantationstemperatur von $150 \, ^{\circ} \mathrm{C}$ implantiert.
+    Abbildung \ref{img:nel_impl_1mev} zeigt das durch {/em TRIM} ermittelte nukleare Bremskraft- und Implantationsprofil.
+    Auf Grund der hohen Energie wird kaum noch Kohlenstoff in den bisher relevanten Tiefenbereich zur Ruhe kommen.
+    Des weiteren ist in diesen Bereich die nukleare Bremskraft, und damit die Wahrscheinlichkeit eines Sto"ses,  ann"ahernd konstant.
+    Man erwartet schnelle Amoprhisierung auf Grund des bereits existierenden Kohlenstoffs durch die erste Implantation.
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