bibdb/bibdb.bib

   1 %
   2 % bibliography database
   3 %
   4
   5 @Article{albe_sic_pot,
   6   author =       "Paul Erhart and Karsten Albe",
   7   title =        "Analytical potential for atomistic simulations of
   8                  silicon, carbon, and silicon carbide",
   9   publisher =    "APS",
  10   year =         "2005",
  11   journal =      "Phys. Rev. B",
  12   volume =       "71",
  13   number =       "3",
  14   eid =          "035211",
  15   numpages =     "14",
  16   pages =        "035211",
  17   notes =        "alble reparametrization, analytical bond oder
  18                  potential (ABOP)",
  19   keywords =     "silicon; elemental semiconductors; carbon; silicon
  20                  compounds; wide band gap semiconductors; elasticity;
  21                  enthalpy; point defects; crystallographic shear; atomic
  22                  forces",
  23   URL =          "http://link.aps.org/abstract/PRB/v71/e035211",
  24   doi =          "10.1103/PhysRevB.71.035211",
  25 }
  26
  27 @Article{albe2002,
  28   title =        "Modeling the metal-semiconductor interaction:
  29                  Analytical bond-order potential for platinum-carbon",
  30   author =       "Karsten Albe and Kai Nordlund and Robert S. Averback",
  31   journal =      "Phys. Rev. B",
  32   volume =       "65",
  33   number =       "19",
  34   pages =        "195124",
  35   numpages =     "11",
  36   year =         "2002",
  37   month =        may,
  38   doi =          "10.1103/PhysRevB.65.195124",
  39   publisher =    "American Physical Society",
  40   notes =        "derivation of albe bond order formalism",
  41 }
  42
  43 @Article{bean71,
  44   title =        "The solubility of carbon in pulled silicon crystals",
  45   journal =      "Journal of Physics and Chemistry of Solids",
  46   volume =       "32",
  47   number =       "6",
  48   pages =        "1211--1219",
  49   year =         "1971",
  50   note =         "",
  51   ISSN =         "0022-3697",
  52   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-3697(71)80179-8",
  53   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXR-4PR80SS-D/2/ce21d10d2bb885b5641905883a618ff5",
  54   author =       "A. R. Bean and R. C. Newman",
  55   notes =        "experimental solubility data of carbon in silicon",
  56 }
  57
  58 @Article{capano97,
  59   author =       "M. A. Capano and R. J. Trew",
  60   title =        "Silicon Carbide Electronic Materials and Devices",
  61   journal =      "MRS Bull.",
  62   volume =       "22",
  63   pages =        "19",
  64   year =         "1997",
  65 }
  66
  67 @Article{fischer90,
  68   author =       "G. R. Fisher and P. Barnes",
  69   title =        "Towards a unified view of polytypism in silicon
  70                  carbide",
  71   journal =      "Philos. Mag. B",
  72   volume =       "61",
  73   pages =        "217--236",
  74   year =         "1990",
  75   notes =        "sic polytypes",
  76 }
  77
  78 @Article{koegler03,
  79   author =       "R. K{\"{o}}gler and F. Eichhorn and J. R. Kaschny and
  80                  A. M{\"{u}}cklich and H. Reuther and W. Skorupa and C.
  81                  Serre and A. Perez-Rodriguez",
  82   title =        "Synthesis of nano-sized Si{C} precipitates in Si by
  83                  simultaneous dual-beam implantation of {C}+ and Si+
  84                  ions",
  85   journal =      "Appl. Phys. A: Mater. Sci. Process.",
  86   volume =       "76",
  87   pages =        "827--835",
  88   month =        mar,
  89   year =         "2003",
  90   notes =        "dual implantation, sic prec enhanced by vacancies,
  91                  precipitation by interstitial and substitutional
  92                  carbon, both mechanisms explained + refs",
  93 }
  94
  95 @Article{skorupa96,
  96   title =        "Carbon-mediated effects in silicon and in
  97                  silicon-related materials",
  98   journal =      "Materials Chemistry and Physics",
  99   volume =       "44",
 100   number =       "2",
 101   pages =        "101--143",
 102   year =         "1996",
 103   note =         "",
 104   ISSN =         "0254-0584",
 105   doi =          "DOI: 10.1016/0254-0584(95)01673-I",
 106   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TX4-3VR9V74-2/2/4ab972315eb79eaa76b55ffab5aed982",
 107   author =       "W. Skorupa and R. A. Yankov",
 108   notes =        "review of silicon carbon compound",
 109 }
 110
 111 @Book{laplace,
 112   author =       "P. S. de Laplace",
 113   title =        "Th\'eorie analytique des probabilit\'es",
 114   series =       "Oeuvres Compl\`etes de Laplace",
 115   volume =       "VII",
 116   publisher =    "Gauthier-Villars",
 117   year =         "1820",
 118 }
 119
 120 @Article{mattoni2007,
 121   author =       "A. {Mattoni} and M. {Ippolito} and L. {Colombo}",
 122   title =        "{Atomistic modeling of brittleness in covalent
 123                  materials}",
 124   journal =      "Phys. Rev. B",
 125   year =         "2007",
 126   month =        dec,
 127   volume =       "76",
 128   number =       "22",
 129   pages =        "224103",
 130   doi =          "10.1103/PhysRevB.76.224103",
 131   notes =        "adopted tersoff potential for Si, C, Ge ad SiC;
 132                  longe(r)-range-interactions, brittle propagation of
 133                  fracture, more available potentials, universal energy
 134                  relation (uer), minimum range model (mrm)",
 135 }
 136
 137 @Article{balamane92,
 138   title =        "Comparative study of silicon empirical interatomic
 139                  potentials",
 140   author =       "H. Balamane and T. Halicioglu and W. A. Tiller",
 141   journal =      "Phys. Rev. B",
 142   volume =       "46",
 143   number =       "4",
 144   pages =        "2250--2279",
 145   numpages =     "29",
 146   year =         "1992",
 147   month =        jul,
 148   doi =          "10.1103/PhysRevB.46.2250",
 149   publisher =    "American Physical Society",
 150   notes =        "comparison of classical potentials for si",
 151 }
 152
 153 @Article{koster2002,
 154   title =        "Stress relaxation in $a-Si$ induced by ion
 155                  bombardment",
 156   author =       "H. M. Urbassek M. Koster",
 157   journal =      "Phys. Rev. B",
 158   volume =       "62",
 159   number =       "16",
 160   pages =        "11219--11224",
 161   numpages =     "5",
 162   year =         "2000",
 163   month =        oct,
 164   doi =          "10.1103/PhysRevB.62.11219",
 165   publisher =    "American Physical Society",
 166   notes =        "virial derivation for 3-body tersoff potential",
 167 }
 168
 169 @Article{breadmore99,
 170   title =        "Direct simulation of ion-beam-induced stressing and
 171                  amorphization of silicon",
 172   author =       "N. Gr\o{}nbech-Jensen K. M. Beardmore",
 173   journal =      "Phys. Rev. B",
 174   volume =       "60",
 175   number =       "18",
 176   pages =        "12610--12616",
 177   numpages =     "6",
 178   year =         "1999",
 179   month =        nov,
 180   doi =          "10.1103/PhysRevB.60.12610",
 181   publisher =    "American Physical Society",
 182   notes =        "virial derivation for 3-body tersoff potential",
 183 }
 184
 185 @Article{moissan04,
 186   author =       "Henri Moissan",
 187   title =        "Nouvelles recherches sur la météorité de Cañon
 188                  Diablo",
 189   journal =      "Comptes rendus de l'Académie des Sciences",
 190   volume =       "139",
 191   pages =        "773--786",
 192   year =         "1904",
 193 }
 194
 195 @Book{park98,
 196   author =       "Y. S. Park",
 197   title =        "Si{C} Materials and Devices",
 198   publisher =    "Academic Press",
 199   address =      "San Diego",
 200   year =         "1998",
 201 }
 202
 203 @Article{tsvetkov98,
 204   author =       "Valeri F. Tsvetkov and R. C. Glass and D. Henshall and
 205                  Calvin H. Carter Jr. and D. Asbury",
 206   title =        "Si{C} Seeded Boule Growth",
 207   journal =      "Materials Science Forum",
 208   volume =       "264-268",
 209   pages =        "3--8",
 210   year =         "1998",
 211   notes =        "modified lely process, micropipes",
 212 }
 213
 214 @Article{verlet67,
 215   title =        "Computer {"}Experiments{"} on Classical Fluids. {I}.
 216                  Thermodynamical Properties of Lennard-Jones Molecules",
 217   author =       "Loup Verlet",
 218   journal =      "Phys. Rev.",
 219   volume =       "159",
 220   number =       "1",
 221   pages =        "98",
 222   year =         "1967",
 223   month =        jul,
 224   doi =          "10.1103/PhysRev.159.98",
 225   publisher =    "American Physical Society",
 226   notes =        "velocity verlet integration algorithm equation of
 227                  motion",
 228 }
 229
 230 @Article{berendsen84,
 231   author =       "H. J. C. Berendsen and J. P. M. Postma and W. F. van
 232                  Gunsteren and A. DiNola and J. R. Haak",
 233   collaboration = "",
 234   title =        "Molecular dynamics with coupling to an external bath",
 235   publisher =    "AIP",
 236   year =         "1984",
 237   journal =      "J. Chem. Phys.",
 238   volume =       "81",
 239   number =       "8",
 240   pages =        "3684--3690",
 241   keywords =     "MOLECULAR DYNAMICS CALCULATION; TRANSPORT THEORY;
 242                  COMPUTERIZED SIMULATION; LIQUIDS; STRUCTURE FACTORS",
 243   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/81/3684/1",
 244   doi =          "10.1063/1.448118",
 245   notes =        "berendsen thermostat barostat",
 246 }
 247
 248 @Article{huang95,
 249   author =       "Hanchen Huang and N M Ghoniem and J K Wong and M
 250                  Baskes",
 251   title =        "Molecular dynamics determination of defect energetics
 252                  in beta -Si{C} using three representative empirical
 253                  potentials",
 254   journal =      "Modell. Simul. Mater. Sci. Eng.",
 255   volume =       "3",
 256   number =       "5",
 257   pages =        "615--627",
 258   URL =          "http://stacks.iop.org/0965-0393/3/615",
 259   notes =        "comparison of tersoff, pearson and eam for defect
 260                  energetics in sic; (m)eam parameters for sic",
 261   year =         "1995",
 262 }
 263
 264 @Article{brenner89,
 265   title =        "Relationship between the embedded-atom method and
 266                  Tersoff potentials",
 267   author =       "Donald W. Brenner",
 268   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 269   volume =       "63",
 270   number =       "9",
 271   pages =        "1022",
 272   numpages =     "1",
 273   year =         "1989",
 274   month =        aug,
 275   doi =          "10.1103/PhysRevLett.63.1022",
 276   publisher =    "American Physical Society",
 277   notes =        "relation of tersoff and eam potential",
 278 }
 279
 280 @Article{batra87,
 281   title =        "Molecular-dynamics study of self-interstitials in
 282                  silicon",
 283   author =       "Inder P. Batra and Farid F. Abraham and S. Ciraci",
 284   journal =      "Phys. Rev. B",
 285   volume =       "35",
 286   number =       "18",
 287   pages =        "9552--9558",
 288   numpages =     "6",
 289   year =         "1987",
 290   month =        jun,
 291   doi =          "10.1103/PhysRevB.35.9552",
 292   publisher =    "American Physical Society",
 293   notes =        "selft-interstitials in silicon, stillinger-weber,
 294                  calculation of defect formation energy, defect
 295                  interstitial types",
 296 }
 297
 298 @Article{schober89,
 299   title =        "Extended interstitials in silicon and germanium",
 300   author =       "H. R. Schober",
 301   journal =      "Phys. Rev. B",
 302   volume =       "39",
 303   number =       "17",
 304   pages =        "13013--13015",
 305   numpages =     "2",
 306   year =         "1989",
 307   month =        jun,
 308   doi =          "10.1103/PhysRevB.39.13013",
 309   publisher =    "American Physical Society",
 310   notes =        "stillinger-weber silicon 110 stable and metastable
 311                  dumbbell configuration",
 312 }
 313
 314 @Article{gao02a,
 315   title =        "Cascade overlap and amorphization in $3{C}-Si{C}:$
 316                  Defect accumulation, topological features, and
 317                  disordering",
 318   author =       "F. Gao and W. J. Weber",
 319   journal =      "Phys. Rev. B",
 320   volume =       "66",
 321   number =       "2",
 322   pages =        "024106",
 323   numpages =     "10",
 324   year =         "2002",
 325   month =        jul,
 326   doi =          "10.1103/PhysRevB.66.024106",
 327   publisher =    "American Physical Society",
 328   notes =        "sic intro, si cascade in 3c-sic, amorphization,
 329                  tersoff modified, pair correlation of amorphous sic, md
 330                  result analyze",
 331 }
 332
 333 @Article{devanathan98,
 334   title =        "Computer simulation of a 10 ke{V} Si displacement
 335                  cascade in Si{C}",
 336   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
 337   volume =       "141",
 338   number =       "1-4",
 339   pages =        "118--122",
 340   year =         "1998",
 341   ISSN =         "0168-583X",
 342   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00084-6",
 343   author =       "R. Devanathan and W. J. Weber and T. Diaz de la
 344                  Rubia",
 345   notes =        "modified tersoff short range potential, ab initio
 346                  3c-sic",
 347 }
 348
 349 @Article{devanathan98_2,
 350   title =        "Displacement threshold energies in [beta]-Si{C}",
 351   journal =      "J. Nucl. Mater.",
 352   volume =       "253",
 353   number =       "1-3",
 354   pages =        "47--52",
 355   year =         "1998",
 356   ISSN =         "0022-3115",
 357   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-3115(97)00304-8",
 358   author =       "R. Devanathan and T. Diaz de la Rubia and W. J.
 359                  Weber",
 360   notes =        "modified tersoff, ab initio, combined ab initio
 361                  tersoff",
 362 }
 363
 364 @Article{kitabatake00,
 365   title =        "Si{C}/Si heteroepitaxial growth",
 366   author =       "M. Kitabatake",
 367   journal =      "Thin Solid Films",
 368   volume =       "369",
 369   pages =        "257--264",
 370   numpages =     "8",
 371   year =         "2000",
 372   notes =        "md simulation, sic si heteroepitaxy, mbe",
 373 }
 374
 375 @Article{tang97,
 376   title =        "Intrinsic point defects in crystalline silicon:
 377                  Tight-binding molecular dynamics studies of
 378                  self-diffusion, interstitial-vacancy recombination, and
 379                  formation volumes",
 380   author =       "M. Tang and L. Colombo and J. Zhu and T. Diaz de la
 381                  Rubia",
 382   journal =      "Phys. Rev. B",
 383   volume =       "55",
 384   number =       "21",
 385   pages =        "14279--14289",
 386   numpages =     "10",
 387   year =         "1997",
 388   month =        jun,
 389   doi =          "10.1103/PhysRevB.55.14279",
 390   publisher =    "American Physical Society",
 391   notes =        "si self interstitial, diffusion, tbmd",
 392 }
 393
 394 @Article{johnson98,
 395   author =       "M. D. Johnson and M.-J. Caturla and T. D\'{\i}az de la
 396                  Rubia",
 397   collaboration = "",
 398   title =        "A kinetic Monte--Carlo study of the effective
 399                  diffusivity of the silicon self-interstitial in the
 400                  presence of carbon and boron",
 401   publisher =    "AIP",
 402   year =         "1998",
 403   journal =      "J. Appl. Phys.",
 404   volume =       "84",
 405   number =       "4",
 406   pages =        "1963--1967",
 407   keywords =     "MONTE CARLO METHOD; DIFFUSION; SILICON; INTERSTITIALS;
 408                  CARBON ADDITIONS; BORON ADDITIONS; elemental
 409                  semiconductors; self-diffusion",
 410   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/84/1963/1",
 411   doi =          "10.1063/1.368328",
 412   notes =        "kinetic monte carlo of si self interstitial
 413                  diffsuion",
 414 }
 415
 416 @Article{bar-yam84,
 417   title =        "Barrier to Migration of the Silicon
 418                  Self-Interstitial",
 419   author =       "Y. Bar-Yam and J. D. Joannopoulos",
 420   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 421   volume =       "52",
 422   number =       "13",
 423   pages =        "1129--1132",
 424   numpages =     "3",
 425   year =         "1984",
 426   month =        mar,
 427   doi =          "10.1103/PhysRevLett.52.1129",
 428   publisher =    "American Physical Society",
 429   notes =        "si self-interstitial migration barrier",
 430 }
 431
 432 @Article{bar-yam84_2,
 433   title =        "Electronic structure and total-energy migration
 434                  barriers of silicon self-interstitials",
 435   author =       "Y. Bar-Yam and J. D. Joannopoulos",
 436   journal =      "Phys. Rev. B",
 437   volume =       "30",
 438   number =       "4",
 439   pages =        "1844--1852",
 440   numpages =     "8",
 441   year =         "1984",
 442   month =        aug,
 443   doi =          "10.1103/PhysRevB.30.1844",
 444   publisher =    "American Physical Society",
 445 }
 446
 447 @Article{bloechl93,
 448   title =        "First-principles calculations of self-diffusion
 449                  constants in silicon",
 450   author =       "Peter E. Bl{\"o}chl and Enrico Smargiassi and R. Car
 451                  and D. B. Laks and W. Andreoni and S. T. Pantelides",
 452   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 453   volume =       "70",
 454   number =       "16",
 455   pages =        "2435--2438",
 456   numpages =     "3",
 457   year =         "1993",
 458   month =        apr,
 459   doi =          "10.1103/PhysRevLett.70.2435",
 460   publisher =    "American Physical Society",
 461   notes =        "si self int diffusion by ab initio md, formation
 462                  entropy calculations",
 463 }
 464
 465 @Article{colombo02,
 466   title =        "Tight-binding theory of native point defects in
 467                  silicon",
 468   author =       "L. Colombo",
 469   journal =      "Annu. Rev. Mater. Res.",
 470   volume =       "32",
 471   pages =        "271--295",
 472   numpages =     "25",
 473   year =         "2002",
 474   doi =          "10.1146/annurev.matsci.32.111601.103036",
 475   publisher =    "Annual Reviews",
 476   notes =        "si self interstitial, tbmd, virial stress",
 477 }
 478
 479 @Article{al-mushadani03,
 480   title =        "Free-energy calculations of intrinsic point defects in
 481                  silicon",
 482   author =       "O. K. Al-Mushadani and R. J. Needs",
 483   journal =      "Phys. Rev. B",
 484   volume =       "68",
 485   number =       "23",
 486   pages =        "235205",
 487   numpages =     "8",
 488   year =         "2003",
 489   month =        dec,
 490   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.235205",
 491   publisher =    "American Physical Society",
 492   notes =        "formation energies of intrinisc point defects in
 493                  silicon, si self interstitials, free energy",
 494 }
 495
 496 @Article{goedecker02,
 497   title =        "A Fourfold Coordinated Point Defect in Silicon",
 498   author =       "Stefan Goedecker and Thierry Deutsch and Luc Billard",
 499   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 500   volume =       "88",
 501   number =       "23",
 502   pages =        "235501",
 503   numpages =     "4",
 504   year =         "2002",
 505   month =        may,
 506   doi =          "10.1103/PhysRevLett.88.235501",
 507   publisher =    "American Physical Society",
 508   notes =        "first time ffcd, fourfold coordinated point defect in
 509                  silicon",
 510 }
 511
 512 @Article{sahli05,
 513   title =        "Ab initio molecular dynamics simulation of
 514                  self-interstitial diffusion in silicon",
 515   author =       "Beat Sahli and Wolfgang Fichtner",
 516   journal =      "Phys. Rev. B",
 517   volume =       "72",
 518   number =       "24",
 519   pages =        "245210",
 520   numpages =     "6",
 521   year =         "2005",
 522   month =        dec,
 523   doi =          "10.1103/PhysRevB.72.245210",
 524   publisher =    "American Physical Society",
 525   notes =        "si self int, diffusion, barrier height, voronoi
 526                  mapping applied",
 527 }
 528
 529 @Article{hobler05,
 530   title =        "Ab initio calculations of the interaction between
 531                  native point defects in silicon",
 532   journal =      "Mater. Sci. Eng., B",
 533   volume =       "124-125",
 534   number =       "",
 535   pages =        "368--371",
 536   year =         "2005",
 537   note =         "EMRS 2005, Symposium D - Materials Science and Device
 538                  Issues for Future Technologies",
 539   ISSN =         "0921-5107",
 540   doi =          "DOI: 10.1016/j.mseb.2005.08.072",
 541   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXF-4H6PKRB-3/2/e217bd3d7ee1fffee899eeb4a2f133a4",
 542   author =       "G. Hobler and G. Kresse",
 543   notes =        "vasp intrinsic si defect interaction study, capture
 544                  radius",
 545 }
 546
 547 @Article{ma10,
 548   title =        "Ab initio study of self-diffusion in silicon over a
 549                  wide temperature range: Point defect states and
 550                  migration mechanisms",
 551   author =       "Shangyi Ma and Shaoqing Wang",
 552   journal =      "Phys. Rev. B",
 553   volume =       "81",
 554   number =       "19",
 555   pages =        "193203",
 556   numpages =     "4",
 557   year =         "2010",
 558   month =        may,
 559   doi =          "10.1103/PhysRevB.81.193203",
 560   publisher =    "American Physical Society",
 561   notes =        "si self interstitial diffusion + refs",
 562 }
 563
 564 @Article{posselt06,
 565   title =        "Atomistic simulations on the thermal stability of the
 566                  antisite pair in 3{C}- and 4{H}-Si{C}",
 567   author =       "M. Posselt and F. Gao and W. J. Weber",
 568   journal =      "Phys. Rev. B",
 569   volume =       "73",
 570   number =       "12",
 571   pages =        "125206",
 572   numpages =     "8",
 573   year =         "2006",
 574   month =        mar,
 575   doi =          "10.1103/PhysRevB.73.125206",
 576   publisher =    "American Physical Society",
 577 }
 578
 579 @Article{posselt08,
 580   title =        "Correlation between self-diffusion in Si and the
 581                  migration mechanisms of vacancies and
 582                  self-interstitials: An atomistic study",
 583   author =       "M. Posselt and F. Gao and H. Bracht",
 584   journal =      "Phys. Rev. B",
 585   volume =       "78",
 586   number =       "3",
 587   pages =        "035208",
 588   numpages =     "9",
 589   year =         "2008",
 590   month =        jul,
 591   doi =          "10.1103/PhysRevB.78.035208",
 592   publisher =    "American Physical Society",
 593   notes =        "si self-interstitial and vacancy diffusion, stillinger
 594                  weber and tersoff",
 595 }
 596
 597 @Article{gao2001,
 598   title =        "Ab initio and empirical-potential studies of defect
 599                  properties in $3{C}-Si{C}$",
 600   author =       "F. Gao and E. J. Bylaska and W. J. Weber and L. R.
 601                  Corrales",
 602   journal =      "Phys. Rev. B",
 603   volume =       "64",
 604   number =       "24",
 605   pages =        "245208",
 606   numpages =     "7",
 607   year =         "2001",
 608   month =        dec,
 609   doi =          "10.1103/PhysRevB.64.245208",
 610   publisher =    "American Physical Society",
 611   notes =        "defects in 3c-sic",
 612 }
 613
 614 @Article{gao02,
 615   title =        "Empirical potential approach for defect properties in
 616                  3{C}-Si{C}",
 617   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
 618   volume =       "191",
 619   number =       "1-4",
 620   pages =        "487--496",
 621   year =         "2002",
 622   note =         "",
 623   ISSN =         "0168-583X",
 624   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(02)00600-6",
 625   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-453NR6B-G/2/e65b0730e94e13d66f72a2147b449ea7",
 626   author =       "Fei Gao and William J. Weber",
 627   keywords =     "Empirical potential",
 628   keywords =     "Defect properties",
 629   keywords =     "Silicon carbide",
 630   keywords =     "Computer simulation",
 631   notes =        "sic potential, brenner type, like erhart/albe",
 632 }
 633
 634 @Article{gao04,
 635   title =        "Atomistic study of intrinsic defect migration in
 636                  3{C}-Si{C}",
 637   author =       "Fei Gao and William J. Weber and M. Posselt and V.
 638                  Belko",
 639   journal =      "Phys. Rev. B",
 640   volume =       "69",
 641   number =       "24",
 642   pages =        "245205",
 643   numpages =     "5",
 644   year =         "2004",
 645   month =        jun,
 646   doi =          "10.1103/PhysRevB.69.245205",
 647   publisher =    "American Physical Society",
 648   notes =        "defect migration in sic",
 649 }
 650
 651 @Article{gao07,
 652   author =       "F. Gao and J. Du and E. J. Bylaska and M. Posselt and
 653                  W. J. Weber",
 654   collaboration = "",
 655   title =        "Ab Initio atomic simulations of antisite pair recovery
 656                  in cubic silicon carbide",
 657   publisher =    "AIP",
 658   year =         "2007",
 659   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
 660   volume =       "90",
 661   number =       "22",
 662   eid =          "221915",
 663   numpages =     "3",
 664   pages =        "221915",
 665   keywords =     "ab initio calculations; silicon compounds; antisite
 666                  defects; wide band gap semiconductors; molecular
 667                  dynamics method; density functional theory;
 668                  electron-hole recombination; photoluminescence;
 669                  impurities; diffusion",
 670   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/90/221915/1",
 671   doi =          "10.1063/1.2743751",
 672 }
 673
 674 @Article{mattoni2002,
 675   title =        "Self-interstitial trapping by carbon complexes in
 676                  crystalline silicon",
 677   author =       "A. Mattoni and F. Bernardini and L. Colombo",
 678   journal =      "Phys. Rev. B",
 679   volume =       "66",
 680   number =       "19",
 681   pages =        "195214",
 682   numpages =     "6",
 683   year =         "2002",
 684   month =        nov,
 685   doi =          "10.1103/PhysRevB.66.195214",
 686   publisher =    "American Physical Society",
 687   notes =        "c in c-si, diffusion, interstitial configuration +
 688                  links, interaction of carbon and silicon interstitials,
 689                  tersoff suitability",
 690 }
 691
 692 @Article{leung99,
 693   title =        "Calculations of Silicon Self-Interstitial Defects",
 694   author =       "W.-K. Leung and R. J. Needs and G. Rajagopal and S.
 695                  Itoh and S. Ihara",
 696   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 697   volume =       "83",
 698   number =       "12",
 699   pages =        "2351--2354",
 700   numpages =     "3",
 701   year =         "1999",
 702   month =        sep,
 703   doi =          "10.1103/PhysRevLett.83.2351",
 704   publisher =    "American Physical Society",
 705   notes =        "nice images of the defects, si defect overview +
 706                  refs",
 707 }
 708
 709 @Article{capaz94,
 710   title =        "Identification of the migration path of interstitial
 711                  carbon in silicon",
 712   author =       "R. B. Capaz and A. {Dal Pino} and J. D. Joannopoulos",
 713   journal =      "Phys. Rev. B",
 714   volume =       "50",
 715   number =       "11",
 716   pages =        "7439--7442",
 717   numpages =     "3",
 718   year =         "1994",
 719   month =        sep,
 720   doi =          "10.1103/PhysRevB.50.7439",
 721   publisher =    "American Physical Society",
 722   notes =        "carbon interstitial migration path shown, 001 c-si
 723                  dumbbell",
 724 }
 725
 726 @Article{capaz98,
 727   title =        "Theory of carbon-carbon pairs in silicon",
 728   author =       "R. B. Capaz and A. {Dal Pino} and J. D. Joannopoulos",
 729   journal =      "Phys. Rev. B",
 730   volume =       "58",
 731   number =       "15",
 732   pages =        "9845--9850",
 733   numpages =     "5",
 734   year =         "1998",
 735   month =        oct,
 736   doi =          "10.1103/PhysRevB.58.9845",
 737   publisher =    "American Physical Society",
 738   notes =        "c_i c_s pair configuration, theoretical results",
 739 }
 740
 741 @Article{song90_2,
 742   title =        "Bistable interstitial-carbon--substitutional-carbon
 743                  pair in silicon",
 744   author =       "L. W. Song and X. D. Zhan and B. W. Benson and G. D.
 745                  Watkins",
 746   journal =      "Phys. Rev. B",
 747   volume =       "42",
 748   number =       "9",
 749   pages =        "5765--5783",
 750   numpages =     "18",
 751   year =         "1990",
 752   month =        sep,
 753   doi =          "10.1103/PhysRevB.42.5765",
 754   publisher =    "American Physical Society",
 755   notes =        "c_i c_s pair configuration, experimental results",
 756 }
 757
 758 @Article{liu02,
 759   author =       "Chun-Li Liu and Wolfgang Windl and Len Borucki and
 760                  Shifeng Lu and Xiang-Yang Liu",
 761   collaboration = "",
 762   title =        "Ab initio modeling and experimental study of {C}--{B}
 763                  interactions in Si",
 764   publisher =    "AIP",
 765   year =         "2002",
 766   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
 767   volume =       "80",
 768   number =       "1",
 769   pages =        "52--54",
 770   keywords =     "silicon; boron; carbon; elemental semiconductors;
 771                  impurity-defect interactions; ab initio calculations;
 772                  secondary ion mass spectra; diffusion; interstitials",
 773   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/80/52/1",
 774   doi =          "10.1063/1.1430505",
 775   notes =        "c-c 100 split, lower as a and b states of capaz",
 776 }
 777
 778 @Article{dal_pino93,
 779   title =        "Ab initio investigation of carbon-related defects in
 780                  silicon",
 781   author =       "A. {Dal Pino} and Andrew M. Rappe and J. D.
 782                  Joannopoulos",
 783   journal =      "Phys. Rev. B",
 784   volume =       "47",
 785   number =       "19",
 786   pages =        "12554--12557",
 787   numpages =     "3",
 788   year =         "1993",
 789   month =        may,
 790   doi =          "10.1103/PhysRevB.47.12554",
 791   publisher =    "American Physical Society",
 792   notes =        "c interstitials in crystalline silicon",
 793 }
 794
 795 @Article{car84,
 796   title =        "Microscopic Theory of Atomic Diffusion Mechanisms in
 797                  Silicon",
 798   author =       "Roberto Car and Paul J. Kelly and Atsushi Oshiyama and
 799                  Sokrates T. Pantelides",
 800   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 801   volume =       "52",
 802   number =       "20",
 803   pages =        "1814--1817",
 804   numpages =     "3",
 805   year =         "1984",
 806   month =        may,
 807   doi =          "10.1103/PhysRevLett.52.1814",
 808   publisher =    "American Physical Society",
 809   notes =        "microscopic theory diffusion silicon dft migration
 810                  path formation",
 811 }
 812
 813 @Article{car85,
 814   title =        "Unified Approach for Molecular Dynamics and
 815                  Density-Functional Theory",
 816   author =       "R. Car and M. Parrinello",
 817   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 818   volume =       "55",
 819   number =       "22",
 820   pages =        "2471--2474",
 821   numpages =     "3",
 822   year =         "1985",
 823   month =        nov,
 824   doi =          "10.1103/PhysRevLett.55.2471",
 825   publisher =    "American Physical Society",
 826   notes =        "car parrinello method, dft and md",
 827 }
 828
 829 @Article{kelires97,
 830   title =        "Short-range order, bulk moduli, and physical trends in
 831                  c-$Si1-x$$Cx$ alloys",
 832   author =       "P. C. Kelires",
 833   journal =      "Phys. Rev. B",
 834   volume =       "55",
 835   number =       "14",
 836   pages =        "8784--8787",
 837   numpages =     "3",
 838   year =         "1997",
 839   month =        apr,
 840   doi =          "10.1103/PhysRevB.55.8784",
 841   publisher =    "American Physical Society",
 842   notes =        "c strained si, montecarlo md, bulk moduli, next
 843                  neighbour dist",
 844 }
 845
 846 @Article{kelires95,
 847   title =        "Monte Carlo Studies of Ternary Semiconductor Alloys:
 848                  Application to the $Si1-x-yGexCy$ System",
 849   author =       "P. C. Kelires",
 850   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 851   volume =       "75",
 852   number =       "6",
 853   pages =        "1114--1117",
 854   numpages =     "3",
 855   year =         "1995",
 856   month =        aug,
 857   doi =          "10.1103/PhysRevLett.75.1114",
 858   publisher =    "American Physical Society",
 859   notes =        "mc md, strain compensation in si ge by c insertion",
 860 }
 861
 862 @Article{bean70,
 863   title =        "Low temperature electron irradiation of silicon
 864                  containing carbon",
 865   journal =      "Solid State Communications",
 866   volume =       "8",
 867   number =       "3",
 868   pages =        "175--177",
 869   year =         "1970",
 870   note =         "",
 871   ISSN =         "0038-1098",
 872   doi =          "DOI: 10.1016/0038-1098(70)90074-8",
 873   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVW-46MF8S4-156/2/5f4d9c189a3d97227fde9214195aa081",
 874   author =       "A. R. Bean and R. C. Newman",
 875 }
 876
 877 @Article{watkins76,
 878   title =        "{EPR} Observation of the Isolated Interstitial Carbon
 879                  Atom in Silicon",
 880   author =       "G. D. Watkins and K. L. Brower",
 881   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 882   volume =       "36",
 883   number =       "22",
 884   pages =        "1329--1332",
 885   numpages =     "3",
 886   year =         "1976",
 887   month =        may,
 888   doi =          "10.1103/PhysRevLett.36.1329",
 889   publisher =    "American Physical Society",
 890   notes =        "epr observations of 100 interstitial carbon atom in
 891                  silicon",
 892 }
 893
 894 @Article{song90,
 895   title =        "{EPR} identification of the single-acceptor state of
 896                  interstitial carbon in silicon",
 897   author =       "L. W. Song and G. D. Watkins",
 898   journal =      "Phys. Rev. B",
 899   volume =       "42",
 900   number =       "9",
 901   pages =        "5759--5764",
 902   numpages =     "5",
 903   year =         "1990",
 904   month =        sep,
 905   doi =          "10.1103/PhysRevB.42.5759",
 906   publisher =    "American Physical Society",
 907   notes =        "carbon diffusion in silicon",
 908 }
 909
 910 @Article{tipping87,
 911   author =       "A K Tipping and R C Newman",
 912   title =        "The diffusion coefficient of interstitial carbon in
 913                  silicon",
 914   journal =      "Semicond. Sci. Technol.",
 915   volume =       "2",
 916   number =       "5",
 917   pages =        "315--317",
 918   URL =          "http://stacks.iop.org/0268-1242/2/315",
 919   year =         "1987",
 920   notes =        "diffusion coefficient of carbon interstitials in
 921                  silicon",
 922 }
 923
 924 @Article{strane96,
 925   title =        "Carbon incorporation into Si at high concentrations by
 926                  ion implantation and solid phase epitaxy",
 927   author =       "J. W. Strane and S. R. Lee and H. J. Stein and S. T.
 928                  Picraux and J. K. Watanabe and J. W. Mayer",
 929   journal =      "J. Appl. Phys.",
 930   volume =       "79",
 931   pages =        "637",
 932   year =         "1996",
 933   month =        jan,
 934   doi =          "10.1063/1.360806",
 935   notes =        "strained silicon, carbon supersaturation",
 936 }
 937
 938 @Article{laveant2002,
 939   title =        "Epitaxy of carbon-rich silicon with {MBE}",
 940   journal =      "Mater. Sci. Eng., B",
 941   volume =       "89",
 942   number =       "1-3",
 943   pages =        "241--245",
 944   year =         "2002",
 945   ISSN =         "0921-5107",
 946   doi =          "DOI: 10.1016/S0921-5107(01)00794-2",
 947   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXF-44YVPGS-1V/2/024ece074ad18ebbec62a39a2510a268",
 948   author =       "P. Lav\'eant and G. Gerth and P. Werner and U.
 949                  G{\"{o}}sele",
 950   notes =        "low c in si, tensile stress to compensate compressive
 951                  stress, avoid sic precipitation",
 952 }
 953
 954 @Article{werner97,
 955   author =       "P. Werner and S. Eichler and G. Mariani and R.
 956                  K{\"{o}}gler and W. Skorupa",
 957   title =        "Investigation of {C}[sub x]Si defects in {C} implanted
 958                  silicon by transmission electron microscopy",
 959   publisher =    "AIP",
 960   year =         "1997",
 961   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
 962   volume =       "70",
 963   number =       "2",
 964   pages =        "252--254",
 965   keywords =     "silicon; ion implantation; carbon; crystal defects;
 966                  transmission electron microscopy; annealing; positron
 967                  annihilation; secondary ion mass spectroscopy; buried
 968                  layers; precipitation",
 969   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/70/252/1",
 970   doi =          "10.1063/1.118381",
 971   notes =        "si-c complexes, agglomerate, sic in si matrix, sic
 972                  precipitate",
 973 }
 974
 975 @InProceedings{werner96,
 976   author =       "P. Werner and R. K{\"{o}}gler and W. Skorupa and D.
 977                  Eichler",
 978   booktitle =    "Ion Implantation Technology. Proceedings of the 11th
 979                  International Conference on",
 980   title =        "{TEM} investigation of {C}-Si defects in carbon
 981                  implanted silicon",
 982   year =         "1996",
 983   month =        jun,
 984   volume =       "",
 985   number =       "",
 986   pages =        "675--678",
 987   doi =          "10.1109/IIT.1996.586497",
 988   ISSN =         "",
 989   notes =        "c-si agglomerates dumbbells",
 990 }
 991
 992 @Article{werner98,
 993   author =       "P. Werner and U. G{\"{o}}sele and H.-J. Gossmann and
 994                  D. C. Jacobson",
 995   collaboration = "",
 996   title =        "Carbon diffusion in silicon",
 997   publisher =    "AIP",
 998   year =         "1998",
 999   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1000   volume =       "73",
1001   number =       "17",
1002   pages =        "2465--2467",
1003   keywords =     "silicon; carbon; elemental semiconductors; diffusion;
1004                  secondary ion mass spectra; semiconductor epitaxial
1005                  layers; annealing; impurity-defect interactions;
1006                  impurity distribution",
1007   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/73/2465/1",
1008   doi =          "10.1063/1.122483",
1009   notes =        "c diffusion in si, kick out mechnism",
1010 }
1011
1012 @Article{strane94,
1013   author =       "J. W. Strane and H. J. Stein and S. R. Lee and S. T.
1014                  Picraux and J. K. Watanabe and J. W. Mayer",
1015   collaboration = "",
1016   title =        "Precipitation and relaxation in strained Si[sub 1 -
1017                  y]{C}[sub y]/Si heterostructures",
1018   publisher =    "AIP",
1019   year =         "1994",
1020   journal =      "J. Appl. Phys.",
1021   volume =       "76",
1022   number =       "6",
1023   pages =        "3656--3668",
1024   keywords =     "SILICON CARBIDES; SILICON; PRECIPITATION; STRAINS",
1025   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/76/3656/1",
1026   doi =          "10.1063/1.357429",
1027   notes =        "strained si-c to 3c-sic, carbon nucleation + refs,
1028                  precipitation by substitutional carbon, coherent prec,
1029                  coherent to incoherent transition strain vs interface
1030                  energy",
1031 }
1032
1033 @Article{fischer95,
1034   author =       "G. G. Fischer and P. Zaumseil and E. Bugiel and H. J.
1035                  Osten",
1036   collaboration = "",
1037   title =        "Investigation of the high temperature behavior of
1038                  strained Si[sub 1 - y]{C}[sub y] /Si heterostructures",
1039   publisher =    "AIP",
1040   year =         "1995",
1041   journal =      "J. Appl. Phys.",
1042   volume =       "77",
1043   number =       "5",
1044   pages =        "1934--1937",
1045   keywords =     "SILICON CARBIDES; SILICON; HETEROSTRUCTURES; STRAINS;
1046                  XRD; MOLECULAR BEAM EPITAXY; STABILITY; TENSILE
1047                  PROPERTIES; EPITAXIAL LAYERS; ANNEALING; PRECIPITATION;
1048                  TEMPERATURE RANGE 04001000 K",
1049   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/77/1934/1",
1050   doi =          "10.1063/1.358826",
1051 }
1052
1053 @Article{edgar92,
1054   title =        "Prospects for device implementation of wide band gap
1055                  semiconductors",
1056   author =       "J. H. Edgar",
1057   journal =      "J. Mater. Res.",
1058   volume =       "7",
1059   pages =        "235",
1060   year =         "1992",
1061   month =        jan,
1062   doi =          "10.1557/JMR.1992.0235",
1063   notes =        "properties wide band gap semiconductor, sic
1064                  polytypes",
1065 }
1066
1067 @Article{zirkelbach2007,
1068   title =        "Monte Carlo simulation study of a selforganisation
1069                  process leading to ordered precipitate structures",
1070   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
1071                  and B. Stritzker",
1072   journal =      "Nucl. Instr. and Meth. B",
1073   volume =       "257",
1074   number =       "1--2",
1075   pages =        "75--79",
1076   numpages =     "5",
1077   year =         "2007",
1078   month =        apr,
1079   doi =          "doi:10.1016/j.nimb.2006.12.118",
1080   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
1081                  NETHERLANDS",
1082 }
1083
1084 @Article{zirkelbach2006,
1085   title =        "Monte-Carlo simulation study of the self-organization
1086                  of nanometric amorphous precipitates in regular arrays
1087                  during ion irradiation",
1088   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
1089                  and B. Stritzker",
1090   journal =      "Nucl. Instr. and Meth. B",
1091   volume =       "242",
1092   number =       "1--2",
1093   pages =        "679--682",
1094   numpages =     "4",
1095   year =         "2006",
1096   month =        jan,
1097   doi =          "doi:10.1016/j.nimb.2005.08.162",
1098   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
1099                  NETHERLANDS",
1100 }
1101
1102 @Article{zirkelbach2005,
1103   title =        "Modelling of a selforganization process leading to
1104                  periodic arrays of nanometric amorphous precipitates by
1105                  ion irradiation",
1106   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
1107                  and B. Stritzker",
1108   journal =      "Comp. Mater. Sci.",
1109   volume =       "33",
1110   number =       "1--3",
1111   pages =        "310--316",
1112   numpages =     "7",
1113   year =         "2005",
1114   month =        apr,
1115   doi =          "doi:10.1016/j.commatsci.2004.12.016",
1116   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
1117                  NETHERLANDS",
1118 }
1119
1120 @Article{zirkelbach09,
1121   title =        "Molecular dynamics simulation of defect formation and
1122                  precipitation in heavily carbon doped silicon",
1123   journal =      "Mater. Sci. Eng., B",
1124   volume =       "159-160",
1125   number =       "",
1126   pages =        "149--152",
1127   year =         "2009",
1128   note =         "EMRS 2008 Spring Conference Symposium K: Advanced
1129                  Silicon Materials Research for Electronic and
1130                  Photovoltaic Applications",
1131   ISSN =         "0921-5107",
1132   doi =          "DOI: 10.1016/j.mseb.2008.10.010",
1133   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXF-4TX1547-2/2/cb9f4921f324735087020ccce7843e39",
1134   author =       "F. Zirkelbach and J. K. N. Lindner and K. Nordlund and
1135                  B. Stritzker",
1136   keywords =     "Silicon",
1137   keywords =     "Carbon",
1138   keywords =     "Silicon carbide",
1139   keywords =     "Nucleation",
1140   keywords =     "Defect formation",
1141   keywords =     "Molecular dynamics simulations",
1142 }
1143
1144 @Article{zirkelbach10a,
1145   title =        "Defects in carbon implanted silicon calculated by
1146                  classical potentials and first-principles methods",
1147   author =       "F. Zirkelbach and B. Stritzker and K. Nordlund and J.
1148                  K. N. Lindner and W. G. Schmidt and E. Rauls",
1149   journal =      "Phys. Rev. B",
1150   volume =       "82",
1151   number =       "9",
1152   pages =        "094110",
1153   numpages =     "6",
1154   year =         "2010",
1155   month =        sep,
1156   doi =          "10.1103/PhysRevB.82.094110",
1157   publisher =    "American Physical Society",
1158 }
1159
1160 @Article{zirkelbach10b,
1161   title =        "First principles study of defects in carbon implanted
1162                  silicon",
1163   journal =      "to be published",
1164   volume =       "",
1165   number =       "",
1166   pages =        "",
1167   year =         "2010",
1168   author =       "F. Zirkelbach and B. Stritzker and K. Nordlund and J.
1169                  K. N. Lindner and W. G. Schmidt and E. Rauls",
1170 }
1171
1172 @Article{zirkelbach10c,
1173   title =        "...",
1174   journal =      "to be published",
1175   volume =       "",
1176   number =       "",
1177   pages =        "",
1178   year =         "2010",
1179   author =       "F. Zirkelbach and B. Stritzker and K. Nordlund and J.
1180                  K. N. Lindner and W. G. Schmidt and E. Rauls",
1181 }
1182
1183 @Article{lindner99,
1184   title =        "Controlling the density distribution of Si{C}
1185                  nanocrystals for the ion beam synthesis of buried Si{C}
1186                  layers in silicon",
1187   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
1188   volume =       "147",
1189   number =       "1-4",
1190   pages =        "249--255",
1191   year =         "1999",
1192   note =         "",
1193   ISSN =         "0168-583X",
1194   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00598-9",
1195   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3YMWWDY-1H/2/ad53e614f783b2a7474aecb936dd0169",
1196   author =       "J. K. N. Lindner and B. Stritzker",
1197   notes =        "two-step implantation process",
1198 }
1199
1200 @Article{lindner99_2,
1201   title =        "Mechanisms in the ion beam synthesis of Si{C} layers
1202                  in silicon",
1203   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
1204   volume =       "148",
1205   number =       "1-4",
1206   pages =        "528--533",
1207   year =         "1999",
1208   ISSN =         "0168-583X",
1209   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00787-3",
1210   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3XGFSSH-3H/2/17d138baa6db68cb279e6de9161e5f85",
1211   author =       "J. K. N. Lindner and B. Stritzker",
1212   notes =        "3c-sic precipitation model, c-si dimers (dumbbells)",
1213 }
1214
1215 @Article{lindner01,
1216   title =        "Ion beam synthesis of buried Si{C} layers in silicon:
1217                  Basic physical processes",
1218   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
1219   volume =       "178",
1220   number =       "1-4",
1221   pages =        "44--54",
1222   year =         "2001",
1223   note =         "",
1224   ISSN =         "0168-583X",
1225   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(01)00504-3",
1226   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-435KG96-8/2/f222574d8945c3fd7aaf9ae1efdd37b3",
1227   author =       "J{\"{o}}rg K. N. Lindner",
1228 }
1229
1230 @Article{lindner02,
1231   title =        "High-dose carbon implantations into silicon:
1232                  fundamental studies for new technological tricks",
1233   author =       "J. K. N. Lindner",
1234   journal =      "Appl. Phys. A",
1235   volume =       "77",
1236   pages =        "27--38",
1237   year =         "2003",
1238   doi =          "10.1007/s00339-002-2062-8",
1239   notes =        "ibs, burried sic layers",
1240 }
1241
1242 @Article{lindner06,
1243   title =        "On the balance between ion beam induced nanoparticle
1244                  formation and displacive precipitate resolution in the
1245                  {C}-Si system",
1246   journal =      "Mater. Sci. Eng., C",
1247   volume =       "26",
1248   number =       "5-7",
1249   pages =        "857--861",
1250   year =         "2006",
1251   note =         "Current Trends in Nanoscience - from Materials to
1252                  Applications",
1253   ISSN =         "0928-4931",
1254   doi =          "DOI: 10.1016/j.msec.2005.09.099",
1255   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXG-4HSXVVM-1/2/5b0e351198cc2e8f5f4446a80a73d04a",
1256   author =       "J. K. N. Lindner and M. H{\"a}berlen and G. Thorwarth
1257                  and B. Stritzker",
1258   notes =        "c int diffusion barrier",
1259 }
1260
1261 @Article{ito04,
1262   title =        "Ion beam synthesis of 3{C}-Si{C} layers in Si and its
1263                  application in buffer layer for Ga{N} epitaxial
1264                  growth",
1265   journal =      "Applied Surface Science",
1266   volume =       "238",
1267   number =       "1-4",
1268   pages =        "159--164",
1269   year =         "2004",
1270   note =         "APHYS'03 Special Issue",
1271   ISSN =         "0169-4332",
1272   doi =          "DOI: 10.1016/j.apsusc.2004.05.199",
1273   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6THY-4CTTNGX-B/2/d24ee637db87f3f1a6ef7fe6820f267c",
1274   author =       "Y. Ito and T. Yamauchi and A. Yamamoto and M. Sasase
1275                  and S. Nishio and K. Yasuda and Y. Ishigami",
1276   notes =        "gan on 3c-sic, focus on ibs of 3c-sic",
1277 }
1278
1279 @Article{yamamoto04,
1280   title =        "Organometallic vapor phase epitaxial growth of Ga{N}
1281                  on a 3c-Si{C}/Si(1 1 1) template formed by {C}+-ion
1282                  implantation into Si(1 1 1) substrate",
1283   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1284   volume =       "261",
1285   number =       "2-3",
1286   pages =        "266--270",
1287   year =         "2004",
1288   note =         "Proceedings of the 11th Biennial (US) Workshop on
1289                  Organometallic Vapor Phase Epitaxy (OMVPE)",
1290   ISSN =         "0022-0248",
1291   doi =          "DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2003.11.041",
1292   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-4B5BFSX-2/2/55e79e024f2a23b487d19c6fd8dbf166",
1293   author =       "A. Yamamoto and T. Yamauchi and T. Tanikawa and M.
1294                  Sasase and B. K. Ghosh and A. Hashimoto and Y. Ito",
1295   notes =        "gan on 3c-sic",
1296 }
1297
1298 @Article{liu_l02,
1299   title =        "Substrates for gallium nitride epitaxy",
1300   journal =      "Materials Science and Engineering: R: Reports",
1301   volume =       "37",
1302   number =       "3",
1303   pages =        "61--127",
1304   year =         "2002",
1305   note =         "",
1306   ISSN =         "0927-796X",
1307   doi =          "DOI: 10.1016/S0927-796X(02)00008-6",
1308   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXH-45DFBSV-2/2/38c47e77fa91f23f8649a044e7135401",
1309   author =       "L. Liu and J. H. Edgar",
1310   notes =        "gan substrates",
1311 }
1312
1313 @Article{takeuchi91,
1314   title =        "Growth of single crystalline Ga{N} film on Si
1315                  substrate using 3{C}-Si{C} as an intermediate layer",
1316   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1317   volume =       "115",
1318   number =       "1-4",
1319   pages =        "634--638",
1320   year =         "1991",
1321   note =         "",
1322   ISSN =         "0022-0248",
1323   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(91)90817-O",
1324   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46FJ525-TY/2/7bb50016a50b1dd1dbc36b43c46b3140",
1325   author =       "Tetsuya Takeuchi and Hiroshi Amano and Kazumasa
1326                  Hiramatsu and Nobuhiko Sawaki and Isamu Akasaki",
1327   notes =        "gan on 3c-sic (first time?)",
1328 }
1329
1330 @Article{alder57,
1331   author =       "B. J. Alder and T. E. Wainwright",
1332   title =        "Phase Transition for a Hard Sphere System",
1333   publisher =    "AIP",
1334   year =         "1957",
1335   journal =      "J. Chem. Phys.",
1336   volume =       "27",
1337   number =       "5",
1338   pages =        "1208--1209",
1339   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/27/1208/1",
1340   doi =          "10.1063/1.1743957",
1341 }
1342
1343 @Article{alder59,
1344   author =       "B. J. Alder and T. E. Wainwright",
1345   title =        "Studies in Molecular Dynamics. {I}. General Method",
1346   publisher =    "AIP",
1347   year =         "1959",
1348   journal =      "J. Chem. Phys.",
1349   volume =       "31",
1350   number =       "2",
1351   pages =        "459--466",
1352   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/31/459/1",
1353   doi =          "10.1063/1.1730376",
1354 }
1355
1356 @Article{tersoff_si1,
1357   title =        "New empirical model for the structural properties of
1358                  silicon",
1359   author =       "J. Tersoff",
1360   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1361   volume =       "56",
1362   number =       "6",
1363   pages =        "632--635",
1364   numpages =     "3",
1365   year =         "1986",
1366   month =        feb,
1367   doi =          "10.1103/PhysRevLett.56.632",
1368   publisher =    "American Physical Society",
1369 }
1370
1371 @Article{tersoff_si2,
1372   title =        "New empirical approach for the structure and energy of
1373                  covalent systems",
1374   author =       "J. Tersoff",
1375   journal =      "Phys. Rev. B",
1376   volume =       "37",
1377   number =       "12",
1378   pages =        "6991--7000",
1379   numpages =     "9",
1380   year =         "1988",
1381   month =        apr,
1382   doi =          "10.1103/PhysRevB.37.6991",
1383   publisher =    "American Physical Society",
1384 }
1385
1386 @Article{tersoff_si3,
1387   title =        "Empirical interatomic potential for silicon with
1388                  improved elastic properties",
1389   author =       "J. Tersoff",
1390   journal =      "Phys. Rev. B",
1391   volume =       "38",
1392   number =       "14",
1393   pages =        "9902--9905",
1394   numpages =     "3",
1395   year =         "1988",
1396   month =        nov,
1397   doi =          "10.1103/PhysRevB.38.9902",
1398   publisher =    "American Physical Society",
1399 }
1400
1401 @Article{tersoff_c,
1402   title =        "Empirical Interatomic Potential for Carbon, with
1403                  Applications to Amorphous Carbon",
1404   author =       "J. Tersoff",
1405   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1406   volume =       "61",
1407   number =       "25",
1408   pages =        "2879--2882",
1409   numpages =     "3",
1410   year =         "1988",
1411   month =        dec,
1412   doi =          "10.1103/PhysRevLett.61.2879",
1413   publisher =    "American Physical Society",
1414 }
1415
1416 @Article{tersoff_m,
1417   title =        "Modeling solid-state chemistry: Interatomic potentials
1418                  for multicomponent systems",
1419   author =       "J. Tersoff",
1420   journal =      "Phys. Rev. B",
1421   volume =       "39",
1422   number =       "8",
1423   pages =        "5566--5568",
1424   numpages =     "2",
1425   year =         "1989",
1426   month =        mar,
1427   doi =          "10.1103/PhysRevB.39.5566",
1428   publisher =    "American Physical Society",
1429 }
1430
1431 @Article{tersoff90,
1432   title =        "Carbon defects and defect reactions in silicon",
1433   author =       "J. Tersoff",
1434   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1435   volume =       "64",
1436   number =       "15",
1437   pages =        "1757--1760",
1438   numpages =     "3",
1439   year =         "1990",
1440   month =        apr,
1441   doi =          "10.1103/PhysRevLett.64.1757",
1442   publisher =    "American Physical Society",
1443 }
1444
1445 @Article{fahey89,
1446   title =        "Point defects and dopant diffusion in silicon",
1447   author =       "P. M. Fahey and P. B. Griffin and J. D. Plummer",
1448   journal =      "Rev. Mod. Phys.",
1449   volume =       "61",
1450   number =       "2",
1451   pages =        "289--384",
1452   numpages =     "95",
1453   year =         "1989",
1454   month =        apr,
1455   doi =          "10.1103/RevModPhys.61.289",
1456   publisher =    "American Physical Society",
1457 }
1458
1459 @Article{wesch96,
1460   title =        "Silicon carbide: synthesis and processing",
1461   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
1462   volume =       "116",
1463   number =       "1-4",
1464   pages =        "305--321",
1465   year =         "1996",
1466   note =         "Radiation Effects in Insulators",
1467   ISSN =         "0168-583X",
1468   doi =          "DOI: 10.1016/0168-583X(96)00065-1",
1469   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3VXHNFT-C7/2/4216cb1ec9e422c22de5fed7360fb06e",
1470   author =       "W. Wesch",
1471 }
1472
1473 @Article{morkoc94,
1474   author =       "H. Morko\c{c} and S. Strite and G. B. Gao and M. E.
1475                  Lin and B. Sverdlov and M. Burns",
1476   collaboration = "",
1477   title =        "Large-band-gap Si{C}, {III}-{V} nitride, and {II}-{VI}
1478                  ZnSe-based semiconductor device technologies",
1479   publisher =    "AIP",
1480   year =         "1994",
1481   journal =      "J. Appl. Phys.",
1482   volume =       "76",
1483   number =       "3",
1484   pages =        "1363--1398",
1485   keywords =     "SEMICONDUCTOR DEVICES; SILICON CARBIDES; GALLIUM
1486                  NITRIDES; ZINC SELENIDES; SUBSTRATES; MOS JUNCTIONS;
1487                  LASER MATERIALS; MATERIALS; REVIEWS; ENERGY GAP; THIN
1488                  FILMS; INDUSTRY",
1489   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/76/1363/1",
1490   doi =          "10.1063/1.358463",
1491   notes =        "sic intro, properties",
1492 }
1493
1494 @Article{foo,
1495   author =       "Noch Unbekannt",
1496   title =        "How to find references",
1497   journal =      "Journal of Applied References",
1498   year =         "2009",
1499   volume =       "77",
1500   pages =        "1--23",
1501 }
1502
1503 @Article{tang95,
1504   title =        "Atomistic simulation of thermomechanical properties of
1505                  \beta{}-Si{C}",
1506   author =       "Meijie Tang and Sidney Yip",
1507   journal =      "Phys. Rev. B",
1508   volume =       "52",
1509   number =       "21",
1510   pages =        "15150--15159",
1511   numpages =     "9",
1512   year =         "1995",
1513   doi =          "10.1103/PhysRevB.52.15150",
1514   notes =        "modified tersoff, scale cutoff with volume, promising
1515                  tersoff reparametrization",
1516   publisher =    "American Physical Society",
1517 }
1518
1519 @Article{sarro00,
1520   title =        "Silicon carbide as a new {MEMS} technology",
1521   journal =      "Sensors and Actuators A: Physical",
1522   volume =       "82",
1523   number =       "1-3",
1524   pages =        "210--218",
1525   year =         "2000",
1526   ISSN =         "0924-4247",
1527   doi =          "DOI: 10.1016/S0924-4247(99)00335-0",
1528   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6THG-406VM55-13/2/75385a587669b215d9ef88029a93fd59",
1529   author =       "Pasqualina M. Sarro",
1530   keywords =     "MEMS",
1531   keywords =     "Silicon carbide",
1532   keywords =     "Micromachining",
1533   keywords =     "Mechanical stress",
1534 }
1535
1536 @Article{casady96,
1537   title =        "Status of silicon carbide (Si{C}) as a wide-bandgap
1538                  semiconductor for high-temperature applications: {A}
1539                  review",
1540   journal =      "Solid-State Electronics",
1541   volume =       "39",
1542   number =       "10",
1543   pages =        "1409--1422",
1544   year =         "1996",
1545   ISSN =         "0038-1101",
1546   doi =          "DOI: 10.1016/0038-1101(96)00045-7",
1547   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TY5-3VSR9J0-1/2/a871c11636e937dc45bfdf48e29f725b",
1548   author =       "J. B. Casady and R. W. Johnson",
1549   notes =        "sic intro",
1550 }
1551
1552 @Article{giancarli98,
1553   title =        "Design requirements for Si{C}/Si{C} composites
1554                  structural material in fusion power reactor blankets",
1555   journal =      "Fusion Engineering and Design",
1556   volume =       "41",
1557   number =       "1-4",
1558   pages =        "165--171",
1559   year =         "1998",
1560   ISSN =         "0920-3796",
1561   doi =          "DOI: 10.1016/S0920-3796(97)00200-7",
1562   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6V3C-3V8RYK8-T/2/16949194114900fd1330f79892d7a7be",
1563   author =       "L. Giancarli and J. P. Bonal and A. Caso and G. Le
1564                  Marois and N. B. Morley and J. F. Salavy",
1565 }
1566
1567 @Article{pensl93,
1568   title =        "Electrical and optical characterization of Si{C}",
1569   journal =      "Physica B: Condensed Matter",
1570   volume =       "185",
1571   number =       "1-4",
1572   pages =        "264--283",
1573   year =         "1993",
1574   ISSN =         "0921-4526",
1575   doi =          "DOI: 10.1016/0921-4526(93)90249-6",
1576   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVH-46G8HRX-99/2/eab9398bf2bbf10df3ae42c2ab28a776",
1577   author =       "G. Pensl and W. J. Choyke",
1578 }
1579
1580 @Article{tairov78,
1581   title =        "Investigation of growth processes of ingots of silicon
1582                  carbide single crystals",
1583   journal =      "J. Cryst. Growth",
1584   volume =       "43",
1585   number =       "2",
1586   pages =        "209--212",
1587   year =         "1978",
1588   notes =        "modified lely process",
1589   ISSN =         "0022-0248",
1590   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(78)90169-0",
1591   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46BY2NR-7S/2/fa6fee78ebd8322491f6366e72d5b6dc",
1592   author =       "Yu. M. Tairov and V. F. Tsvetkov",
1593 }
1594
1595 @Article{tairov81,
1596   title =        "General principles of growing large-size single
1597                  crystals of various silicon carbide polytypes",
1598   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1599   volume =       "52",
1600   number =       "Part 1",
1601   pages =        "146--150",
1602   year =         "1981",
1603   note =         "",
1604   ISSN =         "0022-0248",
1605   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(81)90184-6",
1606   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46FVMF6-2Y/2/b7c4025f0ef07ceec37fbd596819d529",
1607   author =       "Yu.M. Tairov and V. F. Tsvetkov",
1608 }
1609
1610 @Article{barrett91,
1611   title =        "Si{C} boule growth by sublimation vapor transport",
1612   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1613   volume =       "109",
1614   number =       "1-4",
1615   pages =        "17--23",
1616   year =         "1991",
1617   note =         "",
1618   ISSN =         "0022-0248",
1619   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(91)90152-U",
1620   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46FJ4VX-KF/2/fb802a6d67a8074a672007e972b264e1",
1621   author =       "D. L. Barrett and R. G. Seidensticker and W. Gaida and
1622                  R. H. Hopkins and W. J. Choyke",
1623 }
1624
1625 @Article{barrett93,
1626   title =        "Growth of large Si{C} single crystals",
1627   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1628   volume =       "128",
1629   number =       "1-4",
1630   pages =        "358--362",
1631   year =         "1993",
1632   note =         "",
1633   ISSN =         "0022-0248",
1634   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(93)90348-Z",
1635   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46YKSGB-4D/2/bc26617f48735a9ffbf5c61a5e164d9c",
1636   author =       "D. L. Barrett and J. P. McHugh and H. M. Hobgood and
1637                  R. H. Hopkins and P. G. McMullin and R. C. Clarke and
1638                  W. J. Choyke",
1639 }
1640
1641 @Article{stein93,
1642   title =        "Control of polytype formation by surface energy
1643                  effects during the growth of Si{C} monocrystals by the
1644                  sublimation method",
1645   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1646   volume =       "131",
1647   number =       "1-2",
1648   pages =        "71--74",
1649   year =         "1993",
1650   note =         "",
1651   ISSN =         "0022-0248",
1652   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(93)90397-F",
1653   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46FX1XJ-1X/2/493b180c29103dba5dba351e0fae5b9d",
1654   author =       "R. A. Stein and P. Lanig",
1655   notes =        "6h and 4h, sublimation technique",
1656 }
1657
1658 @Article{nishino83,
1659   author =       "Shigehiro Nishino and J. Anthony Powell and Herbert A.
1660                  Will",
1661   collaboration = "",
1662   title =        "Production of large-area single-crystal wafers of
1663                  cubic Si{C} for semiconductor devices",
1664   publisher =    "AIP",
1665   year =         "1983",
1666   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1667   volume =       "42",
1668   number =       "5",
1669   pages =        "460--462",
1670   keywords =     "silicon carbides; layers; chemical vapor deposition;
1671                  monocrystals",
1672   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/42/460/1",
1673   doi =          "10.1063/1.93970",
1674   notes =        "cvd of 3c-sic on si, sic buffer layer",
1675 }
1676
1677 @Article{nishino87,
1678   author =       "Shigehiro Nishino and Hajime Suhara and Hideyuki Ono
1679                  and Hiroyuki Matsunami",
1680   collaboration = "",
1681   title =        "Epitaxial growth and electric characteristics of cubic
1682                  Si{C} on silicon",
1683   publisher =    "AIP",
1684   year =         "1987",
1685   journal =      "J. Appl. Phys.",
1686   volume =       "61",
1687   number =       "10",
1688   pages =        "4889--4893",
1689   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/61/4889/1",
1690   doi =          "10.1063/1.338355",
1691   notes =        "cvd of 3c-sic on si, sic buffer layer, first time
1692                  carbonization",
1693 }
1694
1695 @Article{powell87,
1696   author =       "J. Anthony Powell and Lawrence G. Matus and Maria A.
1697                  Kuczmarski",
1698   title =        "Growth and Characterization of Cubic Si{C}
1699                  Single-Crystal Films on Si",
1700   publisher =    "ECS",
1701   year =         "1987",
1702   journal =      "Journal of The Electrochemical Society",
1703   volume =       "134",
1704   number =       "6",
1705   pages =        "1558--1565",
1706   keywords =     "semiconductor materials; silicon compounds; carbon
1707                  compounds; crystal morphology; electron mobility",
1708   URL =          "http://link.aip.org/link/?JES/134/1558/1",
1709   doi =          "10.1149/1.2100708",
1710   notes =        "blue light emitting diodes (led)",
1711 }
1712
1713 @Article{powell87_2,
1714   author =       "J. A. Powell and L. G. Matus and M. A. Kuczmarski and
1715                  C. M. Chorey and T. T. Cheng and P. Pirouz",
1716   collaboration = "",
1717   title =        "Improved beta-Si{C} heteroepitaxial films using
1718                  off-axis Si substrates",
1719   publisher =    "AIP",
1720   year =         "1987",
1721   journal =      "Applied Physics Letters",
1722   volume =       "51",
1723   number =       "11",
1724   pages =        "823--825",
1725   keywords =     "VAPOR PHASE EPITAXY; SILICON CARBIDES; VAPOR DEPOSITED
1726                  COATINGS; SILICON; EPITAXIAL LAYERS; INTERFACE
1727                  STRUCTURE; SURFACE STRUCTURE; FILM GROWTH; STACKING
1728                  FAULTS; CRYSTAL DEFECTS; ANTIPHASE BOUNDARIES;
1729                  OXIDATION; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; ROUGHNESS",
1730   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/51/823/1",
1731   doi =          "10.1063/1.98824",
1732   notes =        "improved sic on off-axis si substrates, reduced apbs",
1733 }
1734
1735 @Article{ueda90,
1736   title =        "Crystal growth of Si{C} by step-controlled epitaxy",
1737   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1738   volume =       "104",
1739   number =       "3",
1740   pages =        "695--700",
1741   year =         "1990",
1742   note =         "",
1743   ISSN =         "0022-0248",
1744   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(90)90013-B",
1745   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46CC6CX-KN/2/d5184c7bd29063985f7d1dd4112b12c9",
1746   author =       "Tetsuzo Ueda and Hironori Nishino and Hiroyuki
1747                  Matsunami",
1748   notes =        "step-controlled epitaxy model",
1749 }
1750
1751 @Article{kimoto93,
1752   author =       "Tsunenobu Kimoto and Hironori Nishino and Woo Sik Yoo
1753                  and Hiroyuki Matsunami",
1754   title =        "Growth mechanism of 6{H}-Si{C} in step-controlled
1755                  epitaxy",
1756   publisher =    "AIP",
1757   year =         "1993",
1758   journal =      "J. Appl. Phys.",
1759   volume =       "73",
1760   number =       "2",
1761   pages =        "726--732",
1762   keywords =     "SILICON CARBIDES; EPITAXY; GROWTH RATE; TEMPERATURE
1763                  RANGE 10004000 K; TWINNING; ACTIVATION ENERGY; CHEMICAL
1764                  VAPOR DEPOSITION",
1765   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/73/726/1",
1766   doi =          "10.1063/1.353329",
1767   notes =        "cvd of 6h-sic on 6h-sic, twinned 3c-sic",
1768 }
1769
1770 @Article{powell90_2,
1771   author =       "J. A. Powell and D. J. Larkin and L. G. Matus and W.
1772                  J. Choyke and J. L. Bradshaw and L. Henderson and M.
1773                  Yoganathan and J. Yang and P. Pirouz",
1774   collaboration = "",
1775   title =        "Growth of high quality 6{H}-Si{C} epitaxial films on
1776                  vicinal (0001) 6{H}-Si{C} wafers",
1777   publisher =    "AIP",
1778   year =         "1990",
1779   journal =      "Applied Physics Letters",
1780   volume =       "56",
1781   number =       "15",
1782   pages =        "1442--1444",
1783   keywords =     "SILICON CARBIDES; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; SORPTIVE
1784                  PROPERTIES; WAFERS; CARRIER DENSITY; CARRIER MOBILITY;
1785                  TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; CRYSTAL DEFECTS;
1786                  DISLOCATIONS; PHOTOLUMINESCENCE; VAPOR PHASE EPITAXY",
1787   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/56/1442/1",
1788   doi =          "10.1063/1.102492",
1789   notes =        "cvd of 6h-sic on 6h-sic",
1790 }
1791
1792 @Article{kong88_2,
1793   author =       "H. S. Kong and J. T. Glass and R. F. Davis",
1794   collaboration = "",
1795   title =        "Chemical vapor deposition and characterization of
1796                  6{H}-Si{C} thin films on off-axis 6{H}-Si{C}
1797                  substrates",
1798   publisher =    "AIP",
1799   year =         "1988",
1800   journal =      "Journal of Applied Physics",
1801   volume =       "64",
1802   number =       "5",
1803   pages =        "2672--2679",
1804   keywords =     "THIN FILMS; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; VAPOR DEPOSITED
1805                  COATINGS; SILICON CARBIDES; TRANSMISSION ELECTRON
1806                  MICROSCOPY; MONOCRYSTALS; MORPHOLOGY; CRYSTAL
1807                  STRUCTURE; CRYSTAL DEFECTS; CARRIER DENSITY; VAPOR
1808                  PHASE EPITAXY; CRYSTAL ORIENTATION",
1809   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/64/2672/1",
1810   doi =          "10.1063/1.341608",
1811 }
1812
1813 @Article{powell90,
1814   author =       "J. A. Powell and D. J. Larkin and L. G. Matus and W.
1815                  J. Choyke and J. L. Bradshaw and L. Henderson and M.
1816                  Yoganathan and J. Yang and P. Pirouz",
1817   collaboration = "",
1818   title =        "Growth of improved quality 3{C}-Si{C} films on
1819                  6{H}-Si{C} substrates",
1820   publisher =    "AIP",
1821   year =         "1990",
1822   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1823   volume =       "56",
1824   number =       "14",
1825   pages =        "1353--1355",
1826   keywords =     "SILICON CARBIDES; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; SORPTIVE
1827                  PROPERTIES; PHOTOLUMINESCENCE; TRANSMISSION ELECTRON
1828                  MICROSCOPY; DEFECT STRUCTURE; STACKING FAULTS; VAPOR
1829                  PHASE EPITAXY",
1830   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/56/1353/1",
1831   doi =          "10.1063/1.102512",
1832   notes =        "cvd of 3c-sic on 6h-sic",
1833 }
1834
1835 @Article{kong88,
1836   author =       "H. S. Kong and B. L. Jiang and J. T. Glass and G. A.
1837                  Rozgonyi and K. L. More",
1838   collaboration = "",
1839   title =        "An examination of double positioning boundaries and
1840                  interface misfit in beta-Si{C} films on alpha-Si{C}
1841                  substrates",
1842   publisher =    "AIP",
1843   year =         "1988",
1844   journal =      "Journal of Applied Physics",
1845   volume =       "63",
1846   number =       "8",
1847   pages =        "2645--2650",
1848   keywords =     "SILICON CARBIDES; INTERFACES; SILICON; STACKING
1849                  FAULTS; TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; EPITAXY; THIN
1850                  FILMS; OPTICAL MICROSCOPY; TOPOGRAPHY; NUCLEATION;
1851                  MORPHOLOGY; ROTATION; SURFACE STRUCTURE; INTERFACE
1852                  STRUCTURE; XRAY TOPOGRAPHY; EPITAXIAL LAYERS",
1853   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/63/2645/1",
1854   doi =          "10.1063/1.341004",
1855 }
1856
1857 @Article{powell91,
1858   author =       "J. A. Powell and J. B. Petit and J. H. Edgar and I. G.
1859                  Jenkins and L. G. Matus and J. W. Yang and P. Pirouz
1860                  and W. J. Choyke and L. Clemen and M. Yoganathan",
1861   collaboration = "",
1862   title =        "Controlled growth of 3{C}-Si{C} and 6{H}-Si{C} films
1863                  on low-tilt-angle vicinal (0001) 6{H}-Si{C} wafers",
1864   publisher =    "AIP",
1865   year =         "1991",
1866   journal =      "Applied Physics Letters",
1867   volume =       "59",
1868   number =       "3",
1869   pages =        "333--335",
1870   keywords =     "SILICON CARBIDES; SURFACE TREATMENTS; SORPTIVE
1871                  PROPERTIES; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; MATHEMATICAL
1872                  MODELS; CRYSTAL STRUCTURE; VERY HIGH TEMPERATURE",
1873   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/59/333/1",
1874   doi =          "10.1063/1.105587",
1875 }
1876
1877 @Article{yuan95,
1878   author =       "C. Yuan and A. J. Steckl and J. Chaudhuri and R.
1879                  Thokala and M. J. Loboda",
1880   collaboration = "",
1881   title =        "Reduced temperature growth of crystalline 3{C}-Si{C}
1882                  films on 6{H}-Si{C} by chemical vapor deposition from
1883                  silacyclobutane",
1884   publisher =    "AIP",
1885   year =         "1995",
1886   journal =      "J. Appl. Phys.",
1887   volume =       "78",
1888   number =       "2",
1889   pages =        "1271--1273",
1890   keywords =     "SILICON CARBIDES; THIN FILMS; CVD; EPITAXY; ABSORPTION
1891                  EDGE; CRYSTAL STRUCTURE; STRAINS; DISLOCATIONS; XRD;
1892                  SPECTROPHOTOMETRY",
1893   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/78/1271/1",
1894   doi =          "10.1063/1.360368",
1895   notes =        "3c-sic on 6h-sic, cvd, reduced temperature",
1896 }
1897
1898 @Article{fissel95,
1899   title =        "Epitaxial growth of Si{C} thin films on Si-stabilized
1900                  [alpha]-Si{C}(0001) at low temperatures by solid-source
1901                  molecular beam epitaxy",
1902   journal =      "J. Cryst. Growth",
1903   volume =       "154",
1904   number =       "1-2",
1905   pages =        "72--80",
1906   year =         "1995",
1907   ISSN =         "0022-0248",
1908   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(95)00170-0",
1909   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-3Y5MMXM-1N/2/65549019b878bf02d5ec645b7eea9e98",
1910   author =       "A. Fissel and U. Kaiser and E. Ducke and B.
1911                  Schr{\"{o}}ter and W. Richter",
1912   notes =        "solid source mbe of 3c-sic on si and 6h-sic",
1913 }
1914
1915 @Article{fissel95_apl,
1916   author =       "A. Fissel and B. Schr{\"{o}}ter and W. Richter",
1917   collaboration = "",
1918   title =        "Low-temperature growth of Si{C} thin films on Si and
1919                  6{H}--Si{C} by solid-source molecular beam epitaxy",
1920   publisher =    "AIP",
1921   year =         "1995",
1922   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1923   volume =       "66",
1924   number =       "23",
1925   pages =        "3182--3184",
1926   keywords =     "SILICON CARBIDES; MOLECULAR BEAM EPITAXY; MORPHOLOGY;
1927                  RHEED; NUCLEATION",
1928   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/66/3182/1",
1929   doi =          "10.1063/1.113716",
1930   notes =        "mbe 3c-sic on si and 6h-sic",
1931 }
1932
1933 @Article{borders71,
1934   author =       "J. A. Borders and S. T. Picraux and W. Beezhold",
1935   collaboration = "",
1936   title =        "{FORMATION} {OF} Si{C} {IN} {SILICON} {BY} {ION}
1937                  {IMPLANTATION}",
1938   publisher =    "AIP",
1939   year =         "1971",
1940   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1941   volume =       "18",
1942   number =       "11",
1943   pages =        "509--511",
1944   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/18/509/1",
1945   doi =          "10.1063/1.1653516",
1946   notes =        "first time sic by ibs, follow cites for precipitation
1947                  ideas",
1948 }
1949
1950 @Article{reeson87,
1951   author =       "K. J. Reeson and P. L. F. Hemment and J. Stoemenos and
1952                  J. Davis and G. E. Celler",
1953   collaboration = "",
1954   title =        "Formation of buried layers of beta-Si{C} using ion
1955                  beam synthesis and incoherent lamp annealing",
1956   publisher =    "AIP",
1957   year =         "1987",
1958   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1959   volume =       "51",
1960   number =       "26",
1961   pages =        "2242--2244",
1962   keywords =     "SILICON CARBIDES; FILM GROWTH; SOLIDPHASE EPITAXY; ION
1963                  IMPLANTATION; CARBON IONS; DOPING PROFILES; SYNTHESIS",
1964   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/51/2242/1",
1965   doi =          "10.1063/1.98953",
1966   notes =        "nice tem images, sic by ibs",
1967 }
1968
1969 @Article{scace59,
1970   author =       "R. I. Scace and G. A. Slack",
1971   collaboration = "",
1972   title =        "Solubility of Carbon in Silicon and Germanium",
1973   publisher =    "AIP",
1974   year =         "1959",
1975   journal =      "J. Chem. Phys.",
1976   volume =       "30",
1977   number =       "6",
1978   pages =        "1551--1555",
1979   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/30/1551/1",
1980   doi =          "10.1063/1.1730236",
1981   notes =        "solubility of c in c-si, si-c phase diagram",
1982 }
1983
1984 @Article{cowern96,
1985   author =       "N. E. B. Cowern and A. Cacciato and J. S. Custer and
1986                  F. W. Saris and W. Vandervorst",
1987   collaboration = "",
1988   title =        "Role of {C} and {B} clusters in transient diffusion of
1989                  {B} in silicon",
1990   publisher =    "AIP",
1991   year =         "1996",
1992   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1993   volume =       "68",
1994   number =       "8",
1995   pages =        "1150--1152",
1996   keywords =     "ATOMIC CLUSTERS; BORON ADDITIONS; CRYSTAL DOPING;
1997                  DIFFUSION; DOPED MATERIALS; IMPURITIES; INTERSTITIALS;
1998                  SILICON",
1999   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/68/1150/1",
2000   doi =          "10.1063/1.115706",
2001   notes =        "suppression of transient enhanced diffusion (ted)",
2002 }
2003
2004 @Article{stolk95,
2005   title =        "Implantation and transient boron diffusion: the role
2006                  of the silicon self-interstitial",
2007   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
2008   volume =       "96",
2009   number =       "1-2",
2010   pages =        "187--195",
2011   year =         "1995",
2012   note =         "Selected Papers of the Tenth International Conference
2013                  on Ion Implantation Technology (IIT '94)",
2014   ISSN =         "0168-583X",
2015   doi =          "DOI: 10.1016/0168-583X(94)00481-1",
2016   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-40WKY1P-29/2/602c6e5b809221323d2d2968edd0a71c",
2017   author =       "P. A. Stolk and H. -J. Gossmann and D. J. Eaglesham
2018                  and J. M. Poate",
2019 }
2020
2021 @Article{stolk97,
2022   author =       "P. A. Stolk and H.-J. Gossmann and D. J. Eaglesham and
2023                  D. C. Jacobson and C. S. Rafferty and G. H. Gilmer and
2024                  M. Jara\'{\i}z and J. M. Poate and H. S. Luftman and T.
2025                  E. Haynes",
2026   collaboration = "",
2027   title =        "Physical mechanisms of transient enhanced dopant
2028                  diffusion in ion-implanted silicon",
2029   publisher =    "AIP",
2030   year =         "1997",
2031   journal =      "J. Appl. Phys.",
2032   volume =       "81",
2033   number =       "9",
2034   pages =        "6031--6050",
2035   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/81/6031/1",
2036   doi =          "10.1063/1.364452",
2037   notes =        "ted, transient enhanced diffusion, c silicon trap",
2038 }
2039
2040 @Article{powell94,
2041   author =       "A. R. Powell and F. K. LeGoues and S. S. Iyer",
2042   collaboration = "",
2043   title =        "Formation of beta-Si{C} nanocrystals by the relaxation
2044                  of Si[sub 1 - y]{C}[sub y] random alloy layers",
2045   publisher =    "AIP",
2046   year =         "1994",
2047   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2048   volume =       "64",
2049   number =       "3",
2050   pages =        "324--326",
2051   keywords =     "SILICON CARBIDES; NANOSTRUCTURES; DISPERSIONS;
2052                  EPITAXIAL LAYERS; STRESS RELAXATION; ANNEALING;
2053                  TEMPERATURE EFFECTS; PRECIPITATION; DISLOCATIONS;
2054                  SYNTHESIS",
2055   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/64/324/1",
2056   doi =          "10.1063/1.111195",
2057   notes =        "beta sic nano crystals in si, mbe, annealing",
2058 }
2059
2060 @Article{soref91,
2061   author =       "Richard A. Soref",
2062   collaboration = "",
2063   title =        "Optical band gap of the ternary semiconductor Si[sub 1
2064                  - x - y]Ge[sub x]{C}[sub y]",
2065   publisher =    "AIP",
2066   year =         "1991",
2067   journal =      "J. Appl. Phys.",
2068   volume =       "70",
2069   number =       "4",
2070   pages =        "2470--2472",
2071   keywords =     "SILICON CARBIDES; GERMANIUM CARBIDES; ENERGY GAP;
2072                  OPTICAL PROPERTIES; DIAMONDS; SEMICONDUCTOR ALLOYS;
2073                  TERNARY ALLOYS",
2074   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/70/2470/1",
2075   doi =          "10.1063/1.349403",
2076   notes =        "band gap of strained si by c",
2077 }
2078
2079 @Article{kasper91,
2080   author =       "E Kasper",
2081   title =        "Superlattices of group {IV} elements, a new
2082                  possibility to produce direct band gap material",
2083   journal =      "Physica Scripta",
2084   volume =       "T35",
2085   pages =        "232--236",
2086   URL =          "http://stacks.iop.org/1402-4896/T35/232",
2087   year =         "1991",
2088   notes =        "superlattices, convert indirect band gap into a
2089                  quasi-direct one",
2090 }
2091
2092 @Article{osten99,
2093   author =       "H. J. Osten and J. Griesche and S. Scalese",
2094   collaboration = "",
2095   title =        "Substitutional carbon incorporation in epitaxial
2096                  Si[sub 1 - y]{C}[sub y] alloys on Si(001) grown by
2097                  molecular beam epitaxy",
2098   publisher =    "AIP",
2099   year =         "1999",
2100   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2101   volume =       "74",
2102   number =       "6",
2103   pages =        "836--838",
2104   keywords =     "molecular beam epitaxial growth; semiconductor growth;
2105                  wide band gap semiconductors; interstitials; silicon
2106                  compounds",
2107   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/74/836/1",
2108   doi =          "10.1063/1.123384",
2109   notes =        "substitutional c in si",
2110 }
2111
2112 @Article{hohenberg64,
2113   title =        "Inhomogeneous Electron Gas",
2114   author =       "P. Hohenberg and W. Kohn",
2115   journal =      "Phys. Rev.",
2116   volume =       "136",
2117   number =       "3B",
2118   pages =        "B864--B871",
2119   numpages =     "7",
2120   year =         "1964",
2121   month =        nov,
2122   doi =          "10.1103/PhysRev.136.B864",
2123   publisher =    "American Physical Society",
2124   notes =        "density functional theory, dft",
2125 }
2126
2127 @Article{kohn65,
2128   title =        "Self-Consistent Equations Including Exchange and
2129                  Correlation Effects",
2130   author =       "W. Kohn and L. J. Sham",
2131   journal =      "Phys. Rev.",
2132   volume =       "140",
2133   number =       "4A",
2134   pages =        "A1133--A1138",
2135   numpages =     "5",
2136   year =         "1965",
2137   month =        nov,
2138   doi =          "10.1103/PhysRev.140.A1133",
2139   publisher =    "American Physical Society",
2140   notes =        "dft, exchange and correlation",
2141 }
2142
2143 @Article{ruecker94,
2144   title =        "Strain-stabilized highly concentrated pseudomorphic
2145                  $Si1-x$$Cx$ layers in Si",
2146   author =       "H. R{\"u}cker and M. Methfessel and E. Bugiel and H.
2147                  J. Osten",
2148   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2149   volume =       "72",
2150   number =       "22",
2151   pages =        "3578--3581",
2152   numpages =     "3",
2153   year =         "1994",
2154   month =        may,
2155   doi =          "10.1103/PhysRevLett.72.3578",
2156   publisher =    "American Physical Society",
2157   notes =        "high c concentration in si, heterostructure, strained
2158                  si, dft",
2159 }
2160
2161 @Article{chang05,
2162   title =        "Electron Transport Model for Strained Silicon-Carbon
2163                  Alloy",
2164   author =       "Shu-Tong Chang and Chung-Yi Lin",
2165   journal =      "Japanese J. Appl. Phys.",
2166   volume =       "44",
2167   number =       "4B",
2168   pages =        "2257--2262",
2169   numpages =     "5",
2170   year =         "2005",
2171   URL =          "http://jjap.ipap.jp/link?JJAP/44/2257/",
2172   doi =          "10.1143/JJAP.44.2257",
2173   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
2174   notes =        "enhance of electron mobility in starined si",
2175 }
2176
2177 @Article{osten97,
2178   author =       "H. J. Osten and P. Gaworzewski",
2179   collaboration = "",
2180   title =        "Charge transport in strained Si[sub 1 - y]{C}[sub y]
2181                  and Si[sub 1 - x - y]Ge[sub x]{C}[sub y] alloys on
2182                  Si(001)",
2183   publisher =    "AIP",
2184   year =         "1997",
2185   journal =      "J. Appl. Phys.",
2186   volume =       "82",
2187   number =       "10",
2188   pages =        "4977--4981",
2189   keywords =     "silicon compounds; Ge-Si alloys; wide band gap
2190                  semiconductors; semiconductor epitaxial layers; carrier
2191                  density; Hall mobility; interstitials; defect states",
2192   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/82/4977/1",
2193   doi =          "10.1063/1.366364",
2194   notes =        "charge transport in strained si",
2195 }
2196
2197 @Article{kapur04,
2198   title =        "Carbon-mediated aggregation of self-interstitials in
2199                  silicon: {A} large-scale molecular dynamics study",
2200   author =       "Sumeet S. Kapur and Manish Prasad and Talid Sinno",
2201   journal =      "Phys. Rev. B",
2202   volume =       "69",
2203   number =       "15",
2204   pages =        "155214",
2205   numpages =     "8",
2206   year =         "2004",
2207   month =        apr,
2208   doi =          "10.1103/PhysRevB.69.155214",
2209   publisher =    "American Physical Society",
2210   notes =        "simulation using promising tersoff reparametrization",
2211 }
2212
2213 @Article{barkema96,
2214   title =        "Event-Based Relaxation of Continuous Disordered
2215                  Systems",
2216   author =       "G. T. Barkema and Normand Mousseau",
2217   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2218   volume =       "77",
2219   number =       "21",
2220   pages =        "4358--4361",
2221   numpages =     "3",
2222   year =         "1996",
2223   month =        nov,
2224   doi =          "10.1103/PhysRevLett.77.4358",
2225   publisher =    "American Physical Society",
2226   notes =        "activation relaxation technique, art, speed up slow
2227                  dynamic mds",
2228 }
2229
2230 @Article{cances09,
2231   author =       "E. Canc\`{e}s and F. Legoll and M.-C. Marinica and K.
2232                  Minoukadeh and F. Willaime",
2233   collaboration = "",
2234   title =        "Some improvements of the activation-relaxation
2235                  technique method for finding transition pathways on
2236                  potential energy surfaces",
2237   publisher =    "AIP",
2238   year =         "2009",
2239   journal =      "J. Chem. Phys.",
2240   volume =       "130",
2241   number =       "11",
2242   eid =          "114711",
2243   numpages =     "6",
2244   pages =        "114711",
2245   keywords =     "eigenvalues and eigenfunctions; iron; potential energy
2246                  surfaces; vacancies (crystal)",
2247   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/130/114711/1",
2248   doi =          "10.1063/1.3088532",
2249   notes =        "improvements to art, refs for methods to find
2250                  transition pathways",
2251 }
2252
2253 @Article{parrinello81,
2254   author =       "M. Parrinello and A. Rahman",
2255   collaboration = "",
2256   title =        "Polymorphic transitions in single crystals: {A} new
2257                  molecular dynamics method",
2258   publisher =    "AIP",
2259   year =         "1981",
2260   journal =      "J. Appl. Phys.",
2261   volume =       "52",
2262   number =       "12",
2263   pages =        "7182--7190",
2264   keywords =     "MONOCRYSTALS; PHASE TRANSFORMATIONS; STRUCTURAL
2265                  MODELS; DYNAMICS; THEORETICAL DATA; STRESSES;
2266                  CONFIGURATION; LAGRANGE EQUATIONS; SIZE; NICKEL;
2267                  COMPRESSION; TENSILE PROPERTIES; COMPARATIVE
2268                  EVALUATIONS; STRAINS; CUBIC LATTICES; HCP LATTICES;
2269                  IMPACT SHOCK",
2270   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/52/7182/1",
2271   doi =          "10.1063/1.328693",
2272 }
2273
2274 @Article{stillinger85,
2275   title =        "Computer simulation of local order in condensed phases
2276                  of silicon",
2277   author =       "Frank H. Stillinger and Thomas A. Weber",
2278   journal =      "Phys. Rev. B",
2279   volume =       "31",
2280   number =       "8",
2281   pages =        "5262--5271",
2282   numpages =     "9",
2283   year =         "1985",
2284   month =        apr,
2285   doi =          "10.1103/PhysRevB.31.5262",
2286   publisher =    "American Physical Society",
2287 }
2288
2289 @Article{brenner90,
2290   title =        "Empirical potential for hydrocarbons for use in
2291                  simulating the chemical vapor deposition of diamond
2292                  films",
2293   author =       "Donald W. Brenner",
2294   journal =      "Phys. Rev. B",
2295   volume =       "42",
2296   number =       "15",
2297   pages =        "9458--9471",
2298   numpages =     "13",
2299   year =         "1990",
2300   month =        nov,
2301   doi =          "10.1103/PhysRevB.42.9458",
2302   publisher =    "American Physical Society",
2303   notes =        "brenner hydro carbons",
2304 }
2305
2306 @Article{bazant96,
2307   title =        "Modeling of Covalent Bonding in Solids by Inversion of
2308                  Cohesive Energy Curves",
2309   author =       "Martin Z. Bazant and Efthimios Kaxiras",
2310   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2311   volume =       "77",
2312   number =       "21",
2313   pages =        "4370--4373",
2314   numpages =     "3",
2315   year =         "1996",
2316   month =        nov,
2317   doi =          "10.1103/PhysRevLett.77.4370",
2318   publisher =    "American Physical Society",
2319   notes =        "first si edip",
2320 }
2321
2322 @Article{bazant97,
2323   title =        "Environment-dependent interatomic potential for bulk
2324                  silicon",
2325   author =       "Martin Z. Bazant and Efthimios Kaxiras and J. F.
2326                  Justo",
2327   journal =      "Phys. Rev. B",
2328   volume =       "56",
2329   number =       "14",
2330   pages =        "8542--8552",
2331   numpages =     "10",
2332   year =         "1997",
2333   month =        oct,
2334   doi =          "10.1103/PhysRevB.56.8542",
2335   publisher =    "American Physical Society",
2336   notes =        "second si edip",
2337 }
2338
2339 @Article{justo98,
2340   title =        "Interatomic potential for silicon defects and
2341                  disordered phases",
2342   author =       "Jo\tilde{a}o F. Justo and Martin Z. Bazant and
2343                  Efthimios Kaxiras and V. V. Bulatov and Sidney Yip",
2344   journal =      "Phys. Rev. B",
2345   volume =       "58",
2346   number =       "5",
2347   pages =        "2539--2550",
2348   numpages =     "11",
2349   year =         "1998",
2350   month =        aug,
2351   doi =          "10.1103/PhysRevB.58.2539",
2352   publisher =    "American Physical Society",
2353   notes =        "latest si edip, good dislocation explanation",
2354 }
2355
2356 @Article{parcas_md,
2357   title =        "{PARCAS} molecular dynamics code",
2358   author =       "K. Nordlund",
2359   year =         "2008",
2360 }
2361
2362 @Article{voter97,
2363   title =        "Hyperdynamics: Accelerated Molecular Dynamics of
2364                  Infrequent Events",
2365   author =       "Arthur F. Voter",
2366   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2367   volume =       "78",
2368   number =       "20",
2369   pages =        "3908--3911",
2370   numpages =     "3",
2371   year =         "1997",
2372   month =        may,
2373   doi =          "10.1103/PhysRevLett.78.3908",
2374   publisher =    "American Physical Society",
2375   notes =        "hyperdynamics, accelerated md",
2376 }
2377
2378 @Article{voter97_2,
2379   author =       "Arthur F. Voter",
2380   collaboration = "",
2381   title =        "A method for accelerating the molecular dynamics
2382                  simulation of infrequent events",
2383   publisher =    "AIP",
2384   year =         "1997",
2385   journal =      "J. Chem. Phys.",
2386   volume =       "106",
2387   number =       "11",
2388   pages =        "4665--4677",
2389   keywords =     "COMPUTERIZED SIMULATION; NICKEL; DIFFUSION; ATOM
2390                  TRANSPORT; MOLECULAR ORBITAL METHOD; POTENTIAL ENERGY;
2391                  SURFACE POTENTIAL; MOLECULAR DYNAMICS METHOD; potential
2392                  energy functions; surface diffusion; reaction kinetics
2393                  theory; potential energy surfaces",
2394   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/106/4665/1",
2395   doi =          "10.1063/1.473503",
2396   notes =        "improved hyperdynamics md",
2397 }
2398
2399 @Article{sorensen2000,
2400   author =       "Mads R. S{\o }rensen and Arthur F. Voter",
2401   collaboration = "",
2402   title =        "Temperature-accelerated dynamics for simulation of
2403                  infrequent events",
2404   publisher =    "AIP",
2405   year =         "2000",
2406   journal =      "J. Chem. Phys.",
2407   volume =       "112",
2408   number =       "21",
2409   pages =        "9599--9606",
2410   keywords =     "SOLID STATE PHYSICS; SIMULATION; DIFFUSION; SURFACES;
2411                  MOLECULAR DYNAMICS METHOD; surface diffusion",
2412   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/112/9599/1",
2413   doi =          "10.1063/1.481576",
2414   notes =        "temperature accelerated dynamics, tad",
2415 }
2416
2417 @Article{voter98,
2418   title =        "Parallel replica method for dynamics of infrequent
2419                  events",
2420   author =       "Arthur F. Voter",
2421   journal =      "Phys. Rev. B",
2422   volume =       "57",
2423   number =       "22",
2424   pages =        "R13985--R13988",
2425   numpages =     "3",
2426   year =         "1998",
2427   month =        jun,
2428   doi =          "10.1103/PhysRevB.57.R13985",
2429   publisher =    "American Physical Society",
2430   notes =        "parallel replica method, accelerated md",
2431 }
2432
2433 @Article{wu99,
2434   author =       "Xiongwu Wu and Shaomeng Wang",
2435   collaboration = "",
2436   title =        "Enhancing systematic motion in molecular dynamics
2437                  simulation",
2438   publisher =    "AIP",
2439   year =         "1999",
2440   journal =      "J. Chem. Phys.",
2441   volume =       "110",
2442   number =       "19",
2443   pages =        "9401--9410",
2444   keywords =     "molecular dynamics method; argon; Lennard-Jones
2445                  potential; crystallisation; liquid theory",
2446   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/110/9401/1",
2447   doi =          "10.1063/1.478948",
2448   notes =        "self guided md, sgmd, accelerated md, enhancing
2449                  systematic motion",
2450 }
2451
2452 @Article{choudhary05,
2453   author =       "Devashish Choudhary and Paulette Clancy",
2454   collaboration = "",
2455   title =        "Application of accelerated molecular dynamics schemes
2456                  to the production of amorphous silicon",
2457   publisher =    "AIP",
2458   year =         "2005",
2459   journal =      "J. Chem. Phys.",
2460   volume =       "122",
2461   number =       "15",
2462   eid =          "154509",
2463   numpages =     "8",
2464   pages =        "154509",
2465   keywords =     "molecular dynamics method; silicon; glass structure;
2466                  amorphous semiconductors",
2467   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/122/154509/1",
2468   doi =          "10.1063/1.1878733",
2469   notes =        "explanation of sgmd and hyper md, applied to amorphous
2470                  silicon",
2471 }
2472
2473 @Article{taylor93,
2474   author =       "W. J. Taylor and T. Y. Tan and U. G{\"{o}}sele",
2475   collaboration = "",
2476   title =        "Carbon precipitation in silicon: Why is it so
2477                  difficult?",
2478   publisher =    "AIP",
2479   year =         "1993",
2480   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2481   volume =       "62",
2482   number =       "25",
2483   pages =        "3336--3338",
2484   keywords =     "SILICON; CARBON ADDITIONS; OXYGEN ADDITIONS; DOPED
2485                  MATERIALS; PRECIPITATION; THERMODYNAMICS; SURFACE
2486                  ENERGY",
2487   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/62/3336/1",
2488   doi =          "10.1063/1.109063",
2489   notes =        "interfacial energy of cubic sic and si",
2490 }
2491
2492 @Article{chaussende08,
2493   title =        "Prospects for 3{C}-Si{C} bulk crystal growth",
2494   journal =      "J. Cryst. Growth",
2495   volume =       "310",
2496   number =       "5",
2497   pages =        "976--981",
2498   year =         "2008",
2499   note =         "Proceedings of the E-MRS Conference, Symposium G -
2500                  Substrates of Wide Bandgap Materials",
2501   ISSN =         "0022-0248",
2502   doi =          "DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2007.11.140",
2503   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-4R7J67S-F/2/e92fc194b652409f5b119393d608b082",
2504   author =       "D. Chaussende and F. Mercier and A. Boulle and F.
2505                  Conchon and M. Soueidan and G. Ferro and A. Mantzari
2506                  and A. Andreadou and E. K. Polychroniadis and C.
2507                  Balloud and S. Juillaguet and J. Camassel and M. Pons",
2508   notes =        "3c-sic crystal growth, sic fabrication + links,
2509                  metastable",
2510 }
2511
2512 @Article{chaussende07,
2513   author =       "D. Chaussende and P. J. Wellmann and M. Pons",
2514   title =        "Status of Si{C} bulk growth processes",
2515   journal =      "Journal of Physics D: Applied Physics",
2516   volume =       "40",
2517   number =       "20",
2518   pages =        "6150",
2519   URL =          "http://stacks.iop.org/0022-3727/40/i=20/a=S02",
2520   year =         "2007",
2521   notes =        "review of sic single crystal growth methods, process
2522                  modelling",
2523 }
2524
2525 @Article{feynman39,
2526   title =        "Forces in Molecules",
2527   author =       "R. P. Feynman",
2528   journal =      "Phys. Rev.",
2529   volume =       "56",
2530   number =       "4",
2531   pages =        "340--343",
2532   numpages =     "3",
2533   year =         "1939",
2534   month =        aug,
2535   doi =          "10.1103/PhysRev.56.340",
2536   publisher =    "American Physical Society",
2537   notes =        "hellmann feynman forces",
2538 }
2539
2540 @Article{buczko00,
2541   title =        "Bonding Arrangements at the $Si-Si{O}_{2}$ and
2542                  $Si{C}-Si{O}_{2}$ Interfaces and a Possible Origin of
2543                  their Contrasting Properties",
2544   author =       "Ryszard Buczko and Stephen J. Pennycook and Sokrates
2545                  T. Pantelides",
2546   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2547   volume =       "84",
2548   number =       "5",
2549   pages =        "943--946",
2550   numpages =     "3",
2551   year =         "2000",
2552   month =        jan,
2553   doi =          "10.1103/PhysRevLett.84.943",
2554   publisher =    "American Physical Society",
2555   notes =        "si sio2 and sic sio2 interface",
2556 }
2557
2558 @Article{djurabekova08,
2559   title =        "Atomistic simulation of the interface structure of Si
2560                  nanocrystals embedded in amorphous silica",
2561   author =       "Flyura Djurabekova and Kai Nordlund",
2562   journal =      "Phys. Rev. B",
2563   volume =       "77",
2564   number =       "11",
2565   pages =        "115325",
2566   numpages =     "7",
2567   year =         "2008",
2568   month =        mar,
2569   doi =          "10.1103/PhysRevB.77.115325",
2570   publisher =    "American Physical Society",
2571   notes =        "nc-si in sio2, interface energy, nc construction,
2572                  angular distribution, coordination",
2573 }
2574
2575 @Article{wen09,
2576   author =       "C. Wen and Y. M. Wang and W. Wan and F. H. Li and J.
2577                  W. Liang and J. Zou",
2578   collaboration = "",
2579   title =        "Nature of interfacial defects and their roles in
2580                  strain relaxation at highly lattice mismatched
2581                  3{C}-Si{C}/Si (001) interface",
2582   publisher =    "AIP",
2583   year =         "2009",
2584   journal =      "J. Appl. Phys.",
2585   volume =       "106",
2586   number =       "7",
2587   eid =          "073522",
2588   numpages =     "8",
2589   pages =        "073522",
2590   keywords =     "anelastic relaxation; crystal structure; dislocations;
2591                  elemental semiconductors; semiconductor growth;
2592                  semiconductor thin films; silicon; silicon compounds;
2593                  stacking faults; wide band gap semiconductors",
2594   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/106/073522/1",
2595   doi =          "10.1063/1.3234380",
2596   notes =        "sic/si interface, follow refs, tem image
2597                  deconvolution, dislocation defects",
2598 }
2599
2600 @Article{kitabatake93,
2601   author =       "Makoto Kitabatake and Masahiro Deguchi and Takashi
2602                  Hirao",
2603   collaboration = "",
2604   title =        "Simulations and experiments of Si{C} heteroepitaxial
2605                  growth on Si(001) surface",
2606   publisher =    "AIP",
2607   year =         "1993",
2608   journal =      "J. Appl. Phys.",
2609   volume =       "74",
2610   number =       "7",
2611   pages =        "4438--4445",
2612   keywords =     "SILICON CARBIDES; FILM GROWTH; SIMULATION; MOLECULAR
2613                  BEAM EPITAXY; MOLECULAR DYNAMICS CALCULATIONS; SILICON;
2614                  MICROSTRUCTURE; ULTRAVIOLET RADIATION; IRRADIATION",
2615   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/74/4438/1",
2616   doi =          "10.1063/1.354385",
2617   notes =        "mbe and md of sic growth on si, 4 to 5 shrinkage
2618                  model, interface",
2619 }
2620
2621 @Article{kitabatake97,
2622   author =       "Makoto Kitabatake",
2623   title =        "Simulations and Experiments of 3{C}-Si{C}/Si
2624                  Heteroepitaxial Growth",
2625   publisher =    "WILEY-VCH Verlag",
2626   year =         "1997",
2627   journal =      "physica status solidi (b)",
2628   volume =       "202",
2629   pages =        "405--420",
2630   URL =          "http://dx.doi.org/10.1002/1521-3951(199707)202:1<405::AID-PSSB405>3.0.CO;2-5",
2631   doi =          "10.1002/1521-3951(199707)202:1<405::AID-PSSB405>3.0.CO;2-5",
2632   notes =        "3c-sic heteroepitaxial growth on si off-axis model",
2633 }
2634
2635 @Article{chirita97,
2636   title =        "Strain relaxation and thermal stability of the
2637                  3{C}-Si{C}(001)/Si(001) interface: {A} molecular
2638                  dynamics study",
2639   journal =      "Thin Solid Films",
2640   volume =       "294",
2641   number =       "1-2",
2642   pages =        "47--49",
2643   year =         "1997",
2644   note =         "",
2645   ISSN =         "0040-6090",
2646   doi =          "DOI: 10.1016/S0040-6090(96)09257-7",
2647   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TW0-41WBB52-C/2/6ef684a04d02dd3b108f972377cde8f4",
2648   author =       "V. Chirita and L. Hultman and L. R. Wallenberg",
2649   keywords =     "Strain relaxation",
2650   keywords =     "Interfaces",
2651   keywords =     "Thermal stability",
2652   keywords =     "Molecular dynamics",
2653   notes =        "tersoff sic/si interface study",
2654 }
2655
2656 @Article{cicero02,
2657   title =        "Ab initio Study of Misfit Dislocations at the
2658                  $Si{C}/Si(001)$ Interface",
2659   author =       "Giancarlo Cicero and Laurent Pizzagalli and Alessandra
2660                  Catellani",
2661   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2662   volume =       "89",
2663   number =       "15",
2664   pages =        "156101",
2665   numpages =     "4",
2666   year =         "2002",
2667   month =        sep,
2668   doi =          "10.1103/PhysRevLett.89.156101",
2669   publisher =    "American Physical Society",
2670   notes =        "sic/si interface study",
2671 }
2672
2673 @Article{pizzagalli03,
2674   title =        "Theoretical investigations of a highly mismatched
2675                  interface: Si{C}/Si(001)",
2676   author =       "Laurent Pizzagalli and Giancarlo Cicero and Alessandra
2677                  Catellani",
2678   journal =      "Phys. Rev. B",
2679   volume =       "68",
2680   number =       "19",
2681   pages =        "195302",
2682   numpages =     "10",
2683   year =         "2003",
2684   month =        nov,
2685   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.195302",
2686   publisher =    "American Physical Society",
2687   notes =        "tersoff md and ab initio sic/si interface study",
2688 }
2689
2690 @Article{tang07,
2691   title =        "Atomic configurations of dislocation core and twin
2692                  boundaries in $ 3{C}-Si{C} $ studied by high-resolution
2693                  electron microscopy",
2694   author =       "C. Y. Tang and F. H. Li and R. Wang and J. Zou and X.
2695                  H. Zheng and J. W. Liang",
2696   journal =      "Phys. Rev. B",
2697   volume =       "75",
2698   number =       "18",
2699   pages =        "184103",
2700   numpages =     "7",
2701   year =         "2007",
2702   month =        may,
2703   doi =          "10.1103/PhysRevB.75.184103",
2704   publisher =    "American Physical Society",
2705   notes =        "hrem image deconvolution on 3c-sic on si, distinguish
2706                  si and c",
2707 }
2708
2709 @Article{hornstra58,
2710   title =        "Dislocations in the diamond lattice",
2711   journal =      "Journal of Physics and Chemistry of Solids",
2712   volume =       "5",
2713   number =       "1-2",
2714   pages =        "129--141",
2715   year =         "1958",
2716   note =         "",
2717   ISSN =         "0022-3697",
2718   doi =          "DOI: 10.1016/0022-3697(58)90138-0",
2719   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXR-46MMPHJ-10D/2/7176c01c29cd4e73faa26ab2aacdcea5",
2720   author =       "J. Hornstra",
2721   notes =        "dislocations in diamond lattice",
2722 }
2723
2724 @Article{deguchi92,
2725   title =        "Synthesis of $\beta$-Si{C} Layer in Silicon by Carbon
2726                  Ion `Hot' Implantation",
2727   author =       "Masahiro Deguchi and Makoto Kitabatake and Takashi
2728                  Hirao and Naoki Arai and Tomio Izumi",
2729   journal =      "Japanese Journal of Applied Physics",
2730   volume =       "31",
2731   number =       "Part 1, No. 2A",
2732   pages =        "343--347",
2733   numpages =     "4",
2734   year =         "1992",
2735   URL =          "http://jjap.ipap.jp/link?JJAP/31/343/",
2736   doi =          "10.1143/JJAP.31.343",
2737   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
2738   notes =        "c-c bonds in c implanted si, hot implantation
2739                  efficiency, c-c hard to break by thermal annealing",
2740 }
2741
2742 @Article{eichhorn99,
2743   author =       "F. Eichhorn and N. Schell and W. Matz and R.
2744                  K{\"{o}}gler",
2745   collaboration = "",
2746   title =        "Strain and Si{C} particle formation in silicon
2747                  implanted with carbon ions of medium fluence studied by
2748                  synchrotron x-ray diffraction",
2749   publisher =    "AIP",
2750   year =         "1999",
2751   journal =      "J. Appl. Phys.",
2752   volume =       "86",
2753   number =       "8",
2754   pages =        "4184--4187",
2755   keywords =     "silicon; carbon; elemental semiconductors; chemical
2756                  interdiffusion; ion implantation; X-ray diffraction;
2757                  precipitation; semiconductor doping",
2758   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/86/4184/1",
2759   doi =          "10.1063/1.371344",
2760   notes =        "sic conversion by ibs, detected substitutional carbon,
2761                  expansion of si lattice",
2762 }
2763
2764 @Article{eichhorn02,
2765   author =       "F. Eichhorn and N. Schell and A. M{\"{u}}cklich and H.
2766                  Metzger and W. Matz and R. K{\"{o}}gler",
2767   collaboration = "",
2768   title =        "Structural relation between Si and Si{C} formed by
2769                  carbon ion implantation",
2770   publisher =    "AIP",
2771   year =         "2002",
2772   journal =      "J. Appl. Phys.",
2773   volume =       "91",
2774   number =       "3",
2775   pages =        "1287--1292",
2776   keywords =     "silicon compounds; wide band gap semiconductors; ion
2777                  implantation; annealing; X-ray scattering; transmission
2778                  electron microscopy",
2779   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/91/1287/1",
2780   doi =          "10.1063/1.1428105",
2781   notes =        "3c-sic alignement to si host in ibs depending on
2782                  temperature, might explain c into c sub trafo",
2783 }
2784
2785 @Article{lucas10,
2786   author =       "G Lucas and M Bertolus and L Pizzagalli",
2787   title =        "An environment-dependent interatomic potential for
2788                  silicon carbide: calculation of bulk properties,
2789                  high-pressure phases, point and extended defects, and
2790                  amorphous structures",
2791   journal =      "J. Phys.: Condens. Matter",
2792   volume =       "22",
2793   number =       "3",
2794   pages =        "035802",
2795   URL =          "http://stacks.iop.org/0953-8984/22/i=3/a=035802",
2796   year =         "2010",
2797   notes =        "edip sic",
2798 }
2799
2800 @Article{godet03,
2801   author =       "J Godet and L Pizzagalli and S Brochard and P
2802                  Beauchamp",
2803   title =        "Comparison between classical potentials and ab initio
2804                  methods for silicon under large shear",
2805   journal =      "J. Phys.: Condens. Matter",
2806   volume =       "15",
2807   number =       "41",
2808   pages =        "6943",
2809   URL =          "http://stacks.iop.org/0953-8984/15/i=41/a=004",
2810   year =         "2003",
2811   notes =        "comparison of empirical potentials, stillinger weber,
2812                  edip, tersoff, ab initio",
2813 }
2814
2815 @Article{moriguchi98,
2816   title =        "Verification of Tersoff's Potential for Static
2817                  Structural Analysis of Solids of Group-{IV} Elements",
2818   author =       "Koji Moriguchi and Akira Shintani",
2819   journal =      "Japanese J. Appl. Phys.",
2820   volume =       "37",
2821   number =       "Part 1, No. 2",
2822   pages =        "414--422",
2823   numpages =     "8",
2824   year =         "1998",
2825   URL =          "http://jjap.ipap.jp/link?JJAP/37/414/",
2826   doi =          "10.1143/JJAP.37.414",
2827   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
2828   notes =        "tersoff stringent test",
2829 }
2830
2831 @Article{mazzarolo01,
2832   title =        "Low-energy recoils in crystalline silicon: Quantum
2833                  simulations",
2834   author =       "Massimiliano Mazzarolo and Luciano Colombo and Giorgio
2835                  Lulli and Eros Albertazzi",
2836   journal =      "Phys. Rev. B",
2837   volume =       "63",
2838   number =       "19",
2839   pages =        "195207",
2840   numpages =     "4",
2841   year =         "2001",
2842   month =        apr,
2843   doi =          "10.1103/PhysRevB.63.195207",
2844   publisher =    "American Physical Society",
2845 }
2846
2847 @Article{holmstroem08,
2848   title =        "Threshold defect production in silicon determined by
2849                  density functional theory molecular dynamics
2850                  simulations",
2851   author =       "E. Holmstr{\"o}m and A. Kuronen and K. Nordlund",
2852   journal =      "Phys. Rev. B",
2853   volume =       "78",
2854   number =       "4",
2855   pages =        "045202",
2856   numpages =     "6",
2857   year =         "2008",
2858   month =        jul,
2859   doi =          "10.1103/PhysRevB.78.045202",
2860   publisher =    "American Physical Society",
2861   notes =        "threshold displacement comparison empirical and ab
2862                  initio",
2863 }
2864
2865 @Article{nordlund97,
2866   title =        "Repulsive interatomic potentials calculated using
2867                  Hartree-Fock and density-functional theory methods",
2868   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
2869   volume =       "132",
2870   number =       "1",
2871   pages =        "45--54",
2872   year =         "1997",
2873   note =         "",
2874   ISSN =         "0168-583X",
2875   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(97)00447-3",
2876   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-4CP0TGF-91/2/1a9100c0aae82d2d258fc83dfdba23c1",
2877   author =       "K. Nordlund and N. Runeberg and D. Sundholm",
2878   notes =        "repulsive ab initio potential",
2879 }
2880
2881 @Article{kresse96,
2882   title =        "Efficiency of ab-initio total energy calculations for
2883                  metals and semiconductors using a plane-wave basis
2884                  set",
2885   journal =      "Comput. Mater. Sci.",
2886   volume =       "6",
2887   number =       "1",
2888   pages =        "15--50",
2889   year =         "1996",
2890   note =         "",
2891   ISSN =         "0927-0256",
2892   doi =          "DOI: 10.1016/0927-0256(96)00008-0",
2893   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TWM-3VRVTBF-3/2/88689b1eacfe2b5fe57f09d37eff3b74",
2894   author =       "G. Kresse and J. Furthm{\"{u}}ller",
2895   notes =        "vasp ref",
2896 }
2897
2898 @Article{bloechl94,
2899   title =        "Projector augmented-wave method",
2900   author =       "P. E. Bl{\"o}chl",
2901   journal =      "Phys. Rev. B",
2902   volume =       "50",
2903   number =       "24",
2904   pages =        "17953--17979",
2905   numpages =     "26",
2906   year =         "1994",
2907   month =        dec,
2908   doi =          "10.1103/PhysRevB.50.17953",
2909   publisher =    "American Physical Society",
2910   notes =        "paw method",
2911 }
2912
2913 @Article{hamann79,
2914   title =        "Norm-Conserving Pseudopotentials",
2915   author =       "D. R. Hamann and M. Schl{\"u}ter and C. Chiang",
2916   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2917   volume =       "43",
2918   number =       "20",
2919   pages =        "1494--1497",
2920   numpages =     "3",
2921   year =         "1979",
2922   month =        nov,
2923   doi =          "10.1103/PhysRevLett.43.1494",
2924   publisher =    "American Physical Society",
2925   notes =        "norm-conserving pseudopotentials",
2926 }
2927
2928 @Article{vanderbilt90,
2929   title =        "Soft self-consistent pseudopotentials in a generalized
2930                  eigenvalue formalism",
2931   author =       "David Vanderbilt",
2932   journal =      "Phys. Rev. B",
2933   volume =       "41",
2934   number =       "11",
2935   pages =        "7892--7895",
2936   numpages =     "3",
2937   year =         "1990",
2938   month =        apr,
2939   doi =          "10.1103/PhysRevB.41.7892",
2940   publisher =    "American Physical Society",
2941   notes =        "vasp pseudopotentials",
2942 }
2943
2944 @Article{perdew86,
2945   title =        "Accurate and simple density functional for the
2946                  electronic exchange energy: Generalized gradient
2947                  approximation",
2948   author =       "John P. Perdew and Yue Wang",
2949   journal =      "Phys. Rev. B",
2950   volume =       "33",
2951   number =       "12",
2952   pages =        "8800--8802",
2953   numpages =     "2",
2954   year =         "1986",
2955   month =        jun,
2956   doi =          "10.1103/PhysRevB.33.8800",
2957   publisher =    "American Physical Society",
2958   notes =        "rapid communication gga",
2959 }
2960
2961 @Article{perdew02,
2962   title =        "Generalized gradient approximations for exchange and
2963                  correlation: {A} look backward and forward",
2964   journal =      "Physica B: Condensed Matter",
2965   volume =       "172",
2966   number =       "1-2",
2967   pages =        "1--6",
2968   year =         "1991",
2969   note =         "",
2970   ISSN =         "0921-4526",
2971   doi =          "DOI: 10.1016/0921-4526(91)90409-8",
2972   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVH-46G8GR9-3D/2/18e610a616e4d80b934079c89063ece7",
2973   author =       "John P. Perdew",
2974   notes =        "gga overview",
2975 }
2976
2977 @Article{perdew92,
2978   title =        "Atoms, molecules, solids, and surfaces: Applications
2979                  of the generalized gradient approximation for exchange
2980                  and correlation",
2981   author =       "John P. Perdew and J. A. Chevary and S. H. Vosko and
2982                  Koblar A. Jackson and Mark R. Pederson and D. J. Singh
2983                  and Carlos Fiolhais",
2984   journal =      "Phys. Rev. B",
2985   volume =       "46",
2986   number =       "11",
2987   pages =        "6671--6687",
2988   numpages =     "16",
2989   year =         "1992",
2990   month =        sep,
2991   doi =          "10.1103/PhysRevB.46.6671",
2992   publisher =    "American Physical Society",
2993   notes =        "gga pw91 (as in vasp)",
2994 }
2995
2996 @Article{baldereschi73,
2997   title =        "Mean-Value Point in the Brillouin Zone",
2998   author =       "A. Baldereschi",
2999   journal =      "Phys. Rev. B",
3000   volume =       "7",
3001   number =       "12",
3002   pages =        "5212--5215",
3003   numpages =     "3",
3004   year =         "1973",
3005   month =        jun,
3006   doi =          "10.1103/PhysRevB.7.5212",
3007   publisher =    "American Physical Society",
3008   notes =        "mean value k point",
3009 }
3010
3011 @Article{zhu98,
3012   title =        "Ab initio pseudopotential calculations of dopant
3013                  diffusion in Si",
3014   journal =      "Comput. Mater. Sci.",
3015   volume =       "12",
3016   number =       "4",
3017   pages =        "309--318",
3018   year =         "1998",
3019   note =         "",
3020   ISSN =         "0927-0256",
3021   doi =          "DOI: 10.1016/S0927-0256(98)00023-8",
3022   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TWM-3VB7F2K-7/2/aa864582273be8e054300efb7bd16a1b",
3023   author =       "Jing Zhu",
3024   keywords =     "TED (transient enhanced diffusion)",
3025   keywords =     "Boron dopant",
3026   keywords =     "Carbon dopant",
3027   keywords =     "Defect",
3028   keywords =     "ab initio pseudopotential method",
3029   keywords =     "Impurity cluster",
3030   notes =        "binding of c to si interstitial, c in si defects",
3031 }
3032
3033 @Article{nejim95,
3034   author =       "A. Nejim and P. L. F. Hemment and J. Stoemenos",
3035   collaboration = "",
3036   title =        "Si{C} buried layer formation by ion beam synthesis at
3037                  950 [degree]{C}",
3038   publisher =    "AIP",
3039   year =         "1995",
3040   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
3041   volume =       "66",
3042   number =       "20",
3043   pages =        "2646--2648",
3044   keywords =     "SILICON; ION IMPLANTATION; CARBON IONS; SILICON
3045                  CARBIDES; BURIED LAYERS; SYNTHESIS; KEV RANGE 100 --
3046                  1000; CRYSTAL DEFECTS; MORPHOLOGY; RBS; TRANSMISSION
3047                  ELECTRON MICROSCOPY",
3048   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/66/2646/1",
3049   doi =          "10.1063/1.113112",
3050   notes =        "precipitation mechanism by substitutional carbon, si
3051                  self interstitials react with further implanted c",
3052 }
3053
3054 @Article{guedj98,
3055   author =       "C. Guedj and M. W. Dashiell and L. Kulik and J.
3056                  Kolodzey and A. Hairie",
3057   collaboration = "",
3058   title =        "Precipitation of beta-Si{C} in Si[sub 1 - y]{C}[sub y]
3059                  alloys",
3060   publisher =    "AIP",
3061   year =         "1998",
3062   journal =      "J. Appl. Phys.",
3063   volume =       "84",
3064   number =       "8",
3065   pages =        "4631--4633",
3066   keywords =     "silicon compounds; precipitation; localised modes;
3067                  semiconductor epitaxial layers; infrared spectra;
3068                  Fourier transform spectra; thermal stability;
3069                  annealing",
3070   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/84/4631/1",
3071   doi =          "10.1063/1.368703",
3072   notes =        "coherent 3C-SiC, topotactic, critical coherence size",
3073 }
3074
3075 @Article{jones04,
3076   author =       "R Jones and B J Coomer and P R Briddon",
3077   title =        "Quantum mechanical modelling of defects in
3078                  semiconductors",
3079   journal =      "J. Phys.: Condens. Matter",
3080   volume =       "16",
3081   number =       "27",
3082   pages =        "S2643",
3083   URL =          "http://stacks.iop.org/0953-8984/16/i=27/a=004",
3084   year =         "2004",
3085   notes =        "ab inito init, vibrational modes, c defect in si",
3086 }
3087
3088 @Article{park02,
3089   author =       "S. Y. Park and J. D'Arcy-Gall and D. Gall and J. A. N.
3090                  T Soares and Y.-W. Kim and H. Kim and P. Desjardins and
3091                  J. E. Greene and S. G. Bishop",
3092   collaboration = "",
3093   title =        "Carbon incorporation pathways and lattice sites in
3094                  Si[sub 1 - y]{C}[sub y] alloys grown on Si(001) by
3095                  molecular-beam epitaxy",
3096   publisher =    "AIP",
3097   year =         "2002",
3098   journal =      "J. Appl. Phys.",
3099   volume =       "91",
3100   number =       "9",
3101   pages =        "5716--5727",
3102   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/91/5716/1",
3103   doi =          "10.1063/1.1465122",
3104   notes =        "c substitutional incorporation pathway, dft and expt",
3105 }
3106
3107 @Article{leary97,
3108   title =        "Dynamic properties of interstitial carbon and
3109                  carbon-carbon pair defects in silicon",
3110   author =       "P. Leary and R. Jones and S. {\"O}berg and V. J. B.
3111                  Torres",
3112   journal =      "Phys. Rev. B",
3113   volume =       "55",
3114   number =       "4",
3115   pages =        "2188--2194",
3116   numpages =     "6",
3117   year =         "1997",
3118   month =        jan,
3119   doi =          "10.1103/PhysRevB.55.2188",
3120   publisher =    "American Physical Society",
3121   notes =        "ab initio c in si and di-carbon defect, no formation
3122                  energies, different migration barriers and paths",
3123 }
3124
3125 @Article{burnard93,
3126   title =        "Interstitial carbon and the carbon-carbon pair in
3127                  silicon: Semiempirical electronic-structure
3128                  calculations",
3129   author =       "Matthew J. Burnard and Gary G. DeLeo",
3130   journal =      "Phys. Rev. B",
3131   volume =       "47",
3132   number =       "16",
3133   pages =        "10217--10225",
3134   numpages =     "8",
3135   year =         "1993",
3136   month =        apr,
3137   doi =          "10.1103/PhysRevB.47.10217",
3138   publisher =    "American Physical Society",
3139   notes =        "semi empirical mndo, pm3 and mindo3 c in si and di
3140                  carbon defect, formation energies",
3141 }
3142
3143 @Article{besson91,
3144   title =        "Electronic structure of interstitial carbon in
3145                  silicon",
3146   author =       "Morgan Besson and Gary G. DeLeo",
3147   journal =      "Phys. Rev. B",
3148   volume =       "43",
3149   number =       "5",
3150   pages =        "4028--4033",
3151   numpages =     "5",
3152   year =         "1991",
3153   month =        feb,
3154   doi =          "10.1103/PhysRevB.43.4028",
3155   publisher =    "American Physical Society",
3156 }
3157
3158 @Article{kaxiras96,
3159   title =        "Review of atomistic simulations of surface diffusion
3160                  and growth on semiconductors",
3161   journal =      "Comput. Mater. Sci.",
3162   volume =       "6",
3163   number =       "2",
3164   pages =        "158--172",
3165   year =         "1996",
3166   note =         "Proceedings of the Workshop on Virtual Molecular Beam
3167                  Epitaxy",
3168   ISSN =         "0927-0256",
3169   doi =          "DOI: 10.1016/0927-0256(96)00030-4",
3170   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TWM-3VSFF1G-7/2/afc8408b00ded1ca2dc3ad1686c2dae6",
3171   author =       "Efthimios Kaxiras",
3172   notes =        "might contain c 100 db formation energy, overview md,
3173                  tight binding, first principles",
3174 }
3175
3176 @Article{kaukonen98,
3177   title =        "Effect of {N} and {B} doping on the growth of {CVD}
3178                  diamond
3179                  $(100):{H}(2\ifmmode\times\else\texttimes\fi{}1)$
3180                  surfaces",
3181   author =       "M. Kaukonen and P. K. Sitch and G. Jungnickel and R.
3182                  M. Nieminen and Sami P{\"o}ykk{\"o} and D. Porezag and
3183                  Th. Frauenheim",
3184   journal =      "Phys. Rev. B",
3185   volume =       "57",
3186   number =       "16",
3187   pages =        "9965--9970",
3188   numpages =     "5",
3189   year =         "1998",
3190   month =        apr,
3191   doi =          "10.1103/PhysRevB.57.9965",
3192   publisher =    "American Physical Society",
3193   notes =        "constrained conjugate gradient relaxation technique
3194                  (crt)",
3195 }
3196
3197 @Article{gali03,
3198   title =        "Correlation between the antisite pair and the ${DI}$
3199                  center in Si{C}",
3200   author =       "A. Gali and P. De\'ak and E. Rauls and N. T. Son and
3201                  I. G. Ivanov and F. H. C. Carlsson and E. Janz\'en and
3202                  W. J. Choyke",
3203   journal =      "Phys. Rev. B",
3204   volume =       "67",
3205   number =       "15",
3206   pages =        "155203",
3207   numpages =     "5",
3208   year =         "2003",
3209   month =        apr,
3210   doi =          "10.1103/PhysRevB.67.155203",
3211   publisher =    "American Physical Society",
3212 }
3213
3214 @Article{chen98,
3215   title =        "Production and recovery of defects in Si{C} after
3216                  irradiation and deformation",
3217   journal =      "J. Nucl. Mater.",
3218   volume =       "258-263",
3219   number =       "Part 2",
3220   pages =        "1803--1808",
3221   year =         "1998",
3222   note =         "",
3223   ISSN =         "0022-3115",
3224   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-3115(98)00139-1",
3225   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXN-43G486N-47/2/56905f48f025ab98e5de4d6cde09c62b",
3226   author =       "J. Chen and P. Jung and H. Klein",
3227 }
3228
3229 @Article{weber01,
3230   title =        "Accumulation, dynamic annealing and thermal recovery
3231                  of ion-beam-induced disorder in silicon carbide",
3232   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
3233   volume =       "175-177",
3234   number =       "",
3235   pages =        "26--30",
3236   year =         "2001",
3237   note =         "",
3238   ISSN =         "0168-583X",
3239   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(00)00542-5",
3240   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-435KH7Y-2R/2/8acc176700c95bb8614d96c40cfc5577",
3241   author =       "W. J. Weber and W. Jiang and S. Thevuthasan",
3242 }
3243
3244 @Article{bockstedte03,
3245   title =        "Ab initio study of the migration of intrinsic defects
3246                  in $3{C}-Si{C}$",
3247   author =       "Michel Bockstedte and Alexander Mattausch and Oleg
3248                  Pankratov",
3249   journal =      "Phys. Rev. B",
3250   volume =       "68",
3251   number =       "20",
3252   pages =        "205201",
3253   numpages =     "17",
3254   year =         "2003",
3255   month =        nov,
3256   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.205201",
3257   publisher =    "American Physical Society",
3258   notes =        "defect migration in sic",
3259 }
3260
3261 @Article{rauls03a,
3262   title =        "Theoretical study of vacancy diffusion and
3263                  vacancy-assisted clustering of antisites in Si{C}",
3264   author =       "E. Rauls and Th. Frauenheim and A. Gali and P.
3265                  De\'ak",
3266   journal =      "Phys. Rev. B",
3267   volume =       "68",
3268   number =       "15",
3269   pages =        "155208",
3270   numpages =     "9",
3271   year =         "2003",
3272   month =        oct,
3273   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.155208",
3274   publisher =    "American Physical Society",
3275 }
3276
3277 @Article{losev27,
3278   journal =      "Telegrafiya i Telefoniya bez Provodov",
3279   volume =       "44",
3280   pages =        "485--494",
3281   year =         "1927",
3282   author =       "O. V. Lossev",
3283 }
3284
3285 @Article{losev28,
3286   title =        "Luminous carborundum detector and detection effect and
3287                  oscillations with crystals",
3288   journal =      "Philosophical Magazine Series 7",
3289   volume =       "6",
3290   number =       "39",
3291   pages =        "1024--1044",
3292   year =         "1928",
3293   URL =          "http://www.informaworld.com/10.1080/14786441108564683",
3294   author =       "O. V. Lossev",
3295 }
3296
3297 @Article{losev29,
3298   journal =      "Physik. Zeitschr.",
3299   volume =       "30",
3300   pages =        "920--923",
3301   year =         "1929",
3302   author =       "O. V. Lossev",
3303 }
3304
3305 @Article{losev31,
3306   journal =      "Physik. Zeitschr.",
3307   volume =       "32",
3308   pages =        "692--696",
3309   year =         "1931",
3310   author =       "O. V. Lossev",
3311 }
3312
3313 @Article{losev33,
3314   journal =      "Physik. Zeitschr.",
3315   volume =       "34",
3316   pages =        "397--403",
3317   year =         "1933",
3318   author =       "O. V. Lossev",
3319 }
3320
3321 @Article{round07,
3322   title =        "A note on carborundum",
3323   journal =      "Electrical World",
3324   volume =       "49",
3325   pages =        "308",
3326   year =         "1907",
3327   author =       "H. J. Round",
3328 }
3329
3330 @Article{vashishath08,
3331   title =        "Recent trends in silicon carbide device research",
3332   journal =      "Mj. Int. J. Sci. Tech.",
3333   volume =       "2",
3334   number =       "03",
3335   pages =        "444--470",
3336   year =         "2008",
3337   author =       "Munish Vashishath and Ashoke K. Chatterjee",
3338   URL =          "http://www.doaj.org/doaj?func=abstract&id=286746",
3339   notes =        "sic polytype electronic properties",
3340 }
3341
3342 @Article{nelson69,
3343   author =       "W. E. Nelson and F. A. Halden and A. Rosengreen",
3344   collaboration = "",
3345   title =        "Growth and Properties of beta-Si{C} Single Crystals",
3346   publisher =    "AIP",
3347   year =         "1966",
3348   journal =      "Journal of Applied Physics",
3349   volume =       "37",
3350   number =       "1",
3351   pages =        "333--336",
3352   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/37/333/1",
3353   doi =          "10.1063/1.1707837",
3354   notes =        "sic melt growth",
3355 }
3356
3357 @Article{arkel25,
3358   author =       "A. E. van Arkel and J. H. de Boer",
3359   title =        "Darstellung von reinem Titanium-, Zirkonium-, Hafnium-
3360                  und Thoriummetall",
3361   publisher =    "WILEY-VCH Verlag GmbH",
3362   year =         "1925",
3363   journal =      "Z. Anorg. Chem.",
3364   volume =       "148",
3365   pages =        "345--350",
3366   URL =          "http://dx.doi.org/10.1002/zaac.19251480133",
3367   doi =          "10.1002/zaac.19251480133",
3368   notes =        "van arkel apparatus",
3369 }
3370
3371 @Article{moers31,
3372   author =       "K. Moers",
3373   year =         "1931",
3374   journal =      "Z. Anorg. Chem.",
3375   volume =       "198",
3376   pages =        "293",
3377   notes =        "sic by van arkel apparatus, pyrolitical vapor growth
3378                  process",
3379 }
3380
3381 @Article{kendall53,
3382   author =       "J. T. Kendall",
3383   title =        "Electronic Conduction in Silicon Carbide",
3384   publisher =    "AIP",
3385   year =         "1953",
3386   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
3387   volume =       "21",
3388   number =       "5",
3389   pages =        "821--827",
3390   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/21/821/1",
3391   notes =        "sic by van arkel apparatus, pyrolitical vapor growth
3392                  process",
3393 }
3394
3395 @Article{lely55,
3396   author =       "J. A. Lely",
3397   year =         "1955",
3398   journal =      "Ber. Deut. Keram. Ges.",
3399   volume =       "32",
3400   pages =        "229",
3401   notes =        "lely sublimation growth process",
3402 }
3403
3404 @Article{knippenberg63,
3405   author =       "W. F. Knippenberg",
3406   year =         "1963",
3407   journal =      "Philips Res. Repts.",
3408   volume =       "18",
3409   pages =        "161",
3410   notes =        "acheson process",
3411 }
3412
3413 @Article{hoffmann82,
3414   author =       "L. Hoffmann and G. Ziegler and D. Theis and C.
3415                  Weyrich",
3416   collaboration = "",
3417   title =        "Silicon carbide blue light emitting diodes with
3418                  improved external quantum efficiency",
3419   publisher =    "AIP",
3420   year =         "1982",
3421   journal =      "Journal of Applied Physics",
3422   volume =       "53",
3423   number =       "10",
3424   pages =        "6962--6967",
3425   keywords =     "light emitting diodes; silicon carbides; quantum
3426                  efficiency; visible radiation; experimental data;
3427                  epitaxy; fabrication; medium temperature; layers;
3428                  aluminium; nitrogen; substrates; pn junctions;
3429                  electroluminescence; spectra; current density;
3430                  optimization",
3431   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/53/6962/1",
3432   doi =          "10.1063/1.330041",
3433   notes =        "blue led, sublimation process",
3434 }
3435
3436 @Article{neudeck95,
3437   author =       "Philip Neudeck",
3438   affiliation =  "NASA Lewis Research Center M.S. 77-1, 21000 Brookpark
3439                  Road 44135 Cleveland OH",
3440   title =        "Progress in silicon carbide semiconductor electronics
3441                  technology",
3442   journal =      "Journal of Electronic Materials",
3443   publisher =    "Springer Boston",
3444   ISSN =         "0361-5235",
3445   keyword =      "Chemistry and Materials Science",
3446   pages =        "283--288",
3447   volume =       "24",
3448   issue =        "4",
3449   URL =          "http://dx.doi.org/10.1007/BF02659688",
3450   note =         "10.1007/BF02659688",
3451   year =         "1995",
3452   notes =        "sic data, advantages of 3c sic",
3453 }
3454
3455 @Article{bhatnagar93,
3456   author =       "M. Bhatnagar and B. J. Baliga",
3457   journal =      "Electron Devices, IEEE Transactions on",
3458   title =        "Comparison of 6{H}-Si{C}, 3{C}-Si{C}, and Si for power
3459                  devices",
3460   year =         "1993",
3461   month =        mar,
3462   volume =       "40",
3463   number =       "3",
3464   pages =        "645--655",
3465   keywords =     "3C-SiC;50 to 5000 V;6H-SiC;Schottky
3466                  rectifiers;Si;SiC;breakdown voltages;drift region
3467                  properties;output characteristics;power MOSFETs;power
3468                  semiconductor devices;switching characteristics;thermal
3469                  analysis;Schottky-barrier diodes;electric breakdown of
3470                  solids;insulated gate field effect transistors;power
3471                  transistors;semiconductor materials;silicon;silicon
3472                  compounds;solid-state rectifiers;thermal analysis;",
3473   doi =          "10.1109/16.199372",
3474   ISSN =         "0018-9383",
3475   notes =        "comparison 3c 6h sic and si devices",
3476 }
3477
3478 @Article{neudeck94,
3479   author =       "P. G. Neudeck and D. J. Larkin and J. E. Starr and J.
3480                  A. Powell and C. S. Salupo and L. G. Matus",
3481   journal =      "Electron Devices, IEEE Transactions on",
3482   title =        "Electrical properties of epitaxial 3{C}- and
3483                  6{H}-Si{C} p-n junction diodes produced side-by-side on
3484                  6{H}-Si{C} substrates",
3485   year =         "1994",
3486   month =        may,
3487   volume =       "41",
3488   number =       "5",
3489   pages =        "826--835",
3490   keywords =     "20 nA;200 micron;300 to 1100 V;3C-SiC layers;400
3491                  C;6H-SiC layers;6H-SiC substrates;CVD
3492                  process;SiC;chemical vapor deposition;doping;electrical
3493                  properties;epitaxial layers;light
3494                  emission;low-tilt-angle 6H-SiC substrates;p-n junction
3495                  diodes;polytype;rectification characteristics;reverse
3496                  leakage current;reverse voltages;temperature;leakage
3497                  currents;power electronics;semiconductor
3498                  diodes;semiconductor epitaxial layers;semiconductor
3499                  growth;semiconductor materials;silicon
3500                  compounds;solid-state rectifiers;substrates;vapour
3501                  phase epitaxial growth;",
3502   doi =          "10.1109/16.285038",
3503   ISSN =         "0018-9383",
3504   notes =        "comparison 6h 3c sic, cvd of 3c and 6h on single 6h
3505                  substrate",
3506 }
3507
3508 @Article{schulze98,
3509   author =       "N. Schulze and D. L. Barrett and G. Pensl",
3510   collaboration = "",
3511   title =        "Near-equilibrium growth of micropipe-free 6{H}-Si{C}
3512                  single crystals by physical vapor transport",
3513   publisher =    "AIP",
3514   year =         "1998",
3515   journal =      "Applied Physics Letters",
3516   volume =       "72",
3517   number =       "13",
3518   pages =        "1632--1634",
3519   keywords =     "silicon compounds; semiconductor materials;
3520                  semiconductor growth; crystal growth from vapour;
3521                  photoluminescence; Hall mobility",
3522   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/72/1632/1",
3523   doi =          "10.1063/1.121136",
3524   notes =        "micropipe free 6h-sic pvt growth",
3525 }
3526
3527 @Article{pirouz87,
3528   author =       "P. Pirouz and C. M. Chorey and J. A. Powell",
3529   collaboration = "",
3530   title =        "Antiphase boundaries in epitaxially grown beta-Si{C}",
3531   publisher =    "AIP",
3532   year =         "1987",
3533   journal =      "Applied Physics Letters",
3534   volume =       "50",
3535   number =       "4",
3536   pages =        "221--223",
3537   keywords =     "SILICON CARBIDES; DOMAIN STRUCTURE; SCANNING ELECTRON
3538                  MICROSCOPY; NUCLEATION; EPITAXIAL LAYERS; CHEMICAL
3539                  VAPOR DEPOSITION; ETCHING; ETCH PITS; TRANSMISSION
3540                  ELECTRON MICROSCOPY; ELECTRON MICROSCOPY; ANTIPHASE
3541                  BOUNDARIES",
3542   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/50/221/1",
3543   doi =          "10.1063/1.97667",
3544   notes =        "apb 3c-sic heteroepitaxy on si",
3545 }
3546
3547 @Article{shibahara86,
3548   title =        "Surface morphology of cubic Si{C}(100) grown on
3549                  Si(100) by chemical vapor deposition",
3550   journal =      "Journal of Crystal Growth",
3551   volume =       "78",
3552   number =       "3",
3553   pages =        "538--544",
3554   year =         "1986",
3555   note =         "",
3556   ISSN =         "0022-0248",
3557   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(86)90158-2",
3558   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46D26F7-1R/2/cfdbc7607352f3bc99d321303e3934e9",
3559   author =       "Kentaro Shibahara and Shigehiro Nishino and Hiroyuki
3560                  Matsunami",
3561   notes =        "defects in 3c-sis cvd on si, anti phase boundaries",
3562 }
3563
3564 @Article{desjardins96,
3565   author =       "P. Desjardins and J. E. Greene",
3566   collaboration = "",
3567   title =        "Step-flow epitaxial growth on two-domain surfaces",
3568   publisher =    "AIP",
3569   year =         "1996",
3570   journal =      "Journal of Applied Physics",
3571   volume =       "79",
3572   number =       "3",
3573   pages =        "1423--1434",
3574   keywords =     "ADATOMS; COMPUTERIZED SIMULATION; DIFFUSION; EPITAXY;
3575                  FILM GROWTH; SURFACE STRUCTURE",
3576   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/79/1423/1",
3577   doi =          "10.1063/1.360980",
3578   notes =        "apb model",
3579 }
3580
3581 @Article{henke95,
3582   author =       "S. Henke and B. Stritzker and B. Rauschenbach",
3583   collaboration = "",
3584   title =        "Synthesis of epitaxial beta-Si{C} by {C}[sub 60]
3585                  carbonization of silicon",
3586   publisher =    "AIP",
3587   year =         "1995",
3588   journal =      "Journal of Applied Physics",
3589   volume =       "78",
3590   number =       "3",
3591   pages =        "2070--2073",
3592   keywords =     "SILICON CARBIDES; THIN FILMS; EPITAXY; CARBONIZATION;
3593                  FULLERENES; ANNEALING; XRD; RBS; TWINNING; CRYSTAL
3594                  STRUCTURE",
3595   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/78/2070/1",
3596   doi =          "10.1063/1.360184",
3597   notes =        "ssmbe of sic on si, lower temperatures",
3598 }
3599
3600 @Article{fuyuki97,
3601   author =       "T. Fuyuki and T. Hatayama and H. Matsunami",
3602   title =        "Heterointerface Control and Epitaxial Growth of
3603                  3{C}-Si{C} on Si by Gas Source Molecular Beam Epitaxy",
3604   publisher =    "WILEY-VCH Verlag",
3605   year =         "1997",
3606   journal =      "physica status solidi (b)",
3607   volume =       "202",
3608   pages =        "359--378",
3609   notes =        "3c-sic heteroepitaxial growth on si by gsmbe, lower
3610                  temperatures 750",
3611 }
3612
3613 @Article{takaoka98,
3614   title =        "Initial stage of Si{C} growth on Si(1 0 0) surface",
3615   journal =      "Journal of Crystal Growth",
3616   volume =       "183",
3617   number =       "1-2",
3618   pages =        "175--182",
3619   year =         "1998",
3620   note =         "",
3621   ISSN =         "0022-0248",
3622   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-0248(97)00391-6",
3623   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-3W8STD4-V/2/8de695de037d5e20b8326c4107547918",
3624   author =       "T. Takaoka and H. Saito and Y. Igari and I. Kusunoki",
3625   keywords =     "Reflection high-energy electron diffraction (RHEED)",
3626   keywords =     "Scanning electron microscopy (SEM)",
3627   keywords =     "Silicon carbide",
3628   keywords =     "Silicon",
3629   keywords =     "Island growth",
3630   notes =        "lower temperature, 550-700",
3631 }
3632
3633 @Article{hatayama95,
3634   title =        "Low-temperature heteroepitaxial growth of cubic Si{C}
3635                  on Si using hydrocarbon radicals by gas source
3636                  molecular beam epitaxy",
3637   journal =      "Journal of Crystal Growth",
3638   volume =       "150",
3639   number =       "Part 2",
3640   pages =        "934--938",
3641   year =         "1995",
3642   note =         "",
3643   ISSN =         "0022-0248",
3644   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(95)80077-P",
3645   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-47RY2F6-1P/2/49acd5c4545dd9fd3486f70a6c25586e",
3646   author =       "Tomoaki Hatayama and Yoichiro Tarui and Takashi Fuyuki
3647                  and Hiroyuki Matsunami",
3648 }