bibdb/bibdb.bib

   1 %
   2 % bibliography database
   3 %
   4
   5 @Article{albe_sic_pot,
   6   author =       "Paul Erhart and Karsten Albe",
   7   title =        "Analytical potential for atomistic simulations of
   8                  silicon, carbon, and silicon carbide",
   9   publisher =    "APS",
  10   year =         "2005",
  11   journal =      "Phys. Rev. B",
  12   volume =       "71",
  13   number =       "3",
  14   eid =          "035211",
  15   numpages =     "14",
  16   pages =        "035211",
  17   notes =        "alble reparametrization, analytical bond oder
  18                  potential (ABOP)",
  19   keywords =     "silicon; elemental semiconductors; carbon; silicon
  20                  compounds; wide band gap semiconductors; elasticity;
  21                  enthalpy; point defects; crystallographic shear; atomic
  22                  forces",
  23   URL =          "http://link.aps.org/abstract/PRB/v71/e035211",
  24   doi =          "10.1103/PhysRevB.71.035211",
  25 }
  26
  27 @Article{albe2002,
  28   title =        "Modeling the metal-semiconductor interaction:
  29                  Analytical bond-order potential for platinum-carbon",
  30   author =       "Karsten Albe and Kai Nordlund and Robert S. Averback",
  31   journal =      "Phys. Rev. B",
  32   volume =       "65",
  33   number =       "19",
  34   pages =        "195124",
  35   numpages =     "11",
  36   year =         "2002",
  37   month =        may,
  38   doi =          "10.1103/PhysRevB.65.195124",
  39   publisher =    "American Physical Society",
  40   notes =        "derivation of albe bond order formalism",
  41 }
  42
  43 @Article{bean71,
  44   title =        "The solubility of carbon in pulled silicon crystals",
  45   journal =      "Journal of Physics and Chemistry of Solids",
  46   volume =       "32",
  47   number =       "6",
  48   pages =        "1211--1219",
  49   year =         "1971",
  50   note =         "",
  51   ISSN =         "0022-3697",
  52   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-3697(71)80179-8",
  53   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXR-4PR80SS-D/2/ce21d10d2bb885b5641905883a618ff5",
  54   author =       "A. R. Bean and R. C. Newman",
  55   notes =        "experimental solubility data of carbon in silicon",
  56 }
  57
  58 @Article{capano97,
  59   author =       "M. A. Capano and R. J. Trew",
  60   title =        "Silicon Carbide Electronic Materials and Devices",
  61   journal =      "MRS Bull.",
  62   volume =       "22",
  63   pages =        "19",
  64   year =         "1997",
  65 }
  66
  67 @Article{fischer90,
  68   author =       "G. R. Fisher and P. Barnes",
  69   title =        "Towards a unified view of polytypism in silicon
  70                  carbide",
  71   journal =      "Philos. Mag. B",
  72   volume =       "61",
  73   pages =        "217--236",
  74   year =         "1990",
  75   notes =        "sic polytypes",
  76 }
  77
  78 @Article{koegler03,
  79   author =       "R. K{\"{o}}gler and F. Eichhorn and J. R. Kaschny and
  80                  A. M{\"{u}}cklich and H. Reuther and W. Skorupa and C.
  81                  Serre and A. Perez-Rodriguez",
  82   title =        "Synthesis of nano-sized Si{C} precipitates in Si by
  83                  simultaneous dual-beam implantation of {C}+ and Si+
  84                  ions",
  85   journal =      "Appl. Phys. A: Mater. Sci. Process.",
  86   volume =       "76",
  87   pages =        "827--835",
  88   month =        mar,
  89   year =         "2003",
  90   notes =        "dual implantation, sic prec enhanced by vacancies,
  91                  precipitation by interstitial and substitutional
  92                  carbon, both mechanisms explained + refs",
  93 }
  94
  95 @Article{skorupa96,
  96   title =        "Carbon-mediated effects in silicon and in
  97                  silicon-related materials",
  98   journal =      "Materials Chemistry and Physics",
  99   volume =       "44",
 100   number =       "2",
 101   pages =        "101--143",
 102   year =         "1996",
 103   note =         "",
 104   ISSN =         "0254-0584",
 105   doi =          "DOI: 10.1016/0254-0584(95)01673-I",
 106   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TX4-3VR9V74-2/2/4ab972315eb79eaa76b55ffab5aed982",
 107   author =       "W. Skorupa and R. A. Yankov",
 108   notes =        "review of silicon carbon compound",
 109 }
 110
 111 @Book{laplace,
 112   author =       "P. S. de Laplace",
 113   title =        "Th\'eorie analytique des probabilit\'es",
 114   series =       "Oeuvres Compl\`etes de Laplace",
 115   volume =       "VII",
 116   publisher =    "Gauthier-Villars",
 117   year =         "1820",
 118 }
 119
 120 @Article{mattoni2007,
 121   author =       "A. {Mattoni} and M. {Ippolito} and L. {Colombo}",
 122   title =        "{Atomistic modeling of brittleness in covalent
 123                  materials}",
 124   journal =      "Phys. Rev. B",
 125   year =         "2007",
 126   month =        dec,
 127   volume =       "76",
 128   number =       "22",
 129   pages =        "224103",
 130   doi =          "10.1103/PhysRevB.76.224103",
 131   notes =        "adopted tersoff potential for Si, C, Ge ad SiC;
 132                  longe(r)-range-interactions, brittle propagation of
 133                  fracture, more available potentials, universal energy
 134                  relation (uer), minimum range model (mrm)",
 135 }
 136
 137 @Article{balamane92,
 138   title =        "Comparative study of silicon empirical interatomic
 139                  potentials",
 140   author =       "H. Balamane and T. Halicioglu and W. A. Tiller",
 141   journal =      "Phys. Rev. B",
 142   volume =       "46",
 143   number =       "4",
 144   pages =        "2250--2279",
 145   numpages =     "29",
 146   year =         "1992",
 147   month =        jul,
 148   doi =          "10.1103/PhysRevB.46.2250",
 149   publisher =    "American Physical Society",
 150   notes =        "comparison of classical potentials for si",
 151 }
 152
 153 @Article{koster2002,
 154   title =        "Stress relaxation in $a-Si$ induced by ion
 155                  bombardment",
 156   author =       "H. M. Urbassek M. Koster",
 157   journal =      "Phys. Rev. B",
 158   volume =       "62",
 159   number =       "16",
 160   pages =        "11219--11224",
 161   numpages =     "5",
 162   year =         "2000",
 163   month =        oct,
 164   doi =          "10.1103/PhysRevB.62.11219",
 165   publisher =    "American Physical Society",
 166   notes =        "virial derivation for 3-body tersoff potential",
 167 }
 168
 169 @Article{breadmore99,
 170   title =        "Direct simulation of ion-beam-induced stressing and
 171                  amorphization of silicon",
 172   author =       "N. Gr\o{}nbech-Jensen K. M. Beardmore",
 173   journal =      "Phys. Rev. B",
 174   volume =       "60",
 175   number =       "18",
 176   pages =        "12610--12616",
 177   numpages =     "6",
 178   year =         "1999",
 179   month =        nov,
 180   doi =          "10.1103/PhysRevB.60.12610",
 181   publisher =    "American Physical Society",
 182   notes =        "virial derivation for 3-body tersoff potential",
 183 }
 184
 185 @Article{nielsen83,
 186   title =        "First-Principles Calculation of Stress",
 187   author =       "O. H. Nielsen and Richard M. Martin",
 188   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 189   volume =       "50",
 190   number =       "9",
 191   pages =        "697--700",
 192   numpages =     "3",
 193   year =         "1983",
 194   month =        feb,
 195   doi =          "10.1103/PhysRevLett.50.697",
 196   publisher =    "American Physical Society",
 197   notes =        "generalization of virial theorem",
 198 }
 199
 200 @Article{nielsen85,
 201   title =        "Quantum-mechanical theory of stress and force",
 202   author =       "O. H. Nielsen and Richard M. Martin",
 203   journal =      "Phys. Rev. B",
 204   volume =       "32",
 205   number =       "6",
 206   pages =        "3780--3791",
 207   numpages =     "11",
 208   year =         "1985",
 209   month =        sep,
 210   doi =          "10.1103/PhysRevB.32.3780",
 211   publisher =    "American Physical Society",
 212   notes =        "dft virial stress and forces",
 213 }
 214
 215 @Article{moissan04,
 216   author =       "Henri Moissan",
 217   title =        "Nouvelles recherches sur la météorité de Cañon
 218                  Diablo",
 219   journal =      "Comptes rendus de l'Académie des Sciences",
 220   volume =       "139",
 221   pages =        "773--786",
 222   year =         "1904",
 223 }
 224
 225 @Book{park98,
 226   author =       "Y. S. Park",
 227   title =        "Si{C} Materials and Devices",
 228   publisher =    "Academic Press",
 229   address =      "San Diego",
 230   year =         "1998",
 231 }
 232
 233 @Article{tsvetkov98,
 234   author =       "Valeri F. Tsvetkov and R. C. Glass and D. Henshall and
 235                  Calvin H. Carter Jr. and D. Asbury",
 236   title =        "Si{C} Seeded Boule Growth",
 237   journal =      "Materials Science Forum",
 238   volume =       "264-268",
 239   pages =        "3--8",
 240   year =         "1998",
 241   notes =        "modified lely process, micropipes",
 242 }
 243
 244 @Article{verlet67,
 245   title =        "Computer {"}Experiments{"} on Classical Fluids. {I}.
 246                  Thermodynamical Properties of Lennard-Jones Molecules",
 247   author =       "Loup Verlet",
 248   journal =      "Phys. Rev.",
 249   volume =       "159",
 250   number =       "1",
 251   pages =        "98",
 252   year =         "1967",
 253   month =        jul,
 254   doi =          "10.1103/PhysRev.159.98",
 255   publisher =    "American Physical Society",
 256   notes =        "velocity verlet integration algorithm equation of
 257                  motion",
 258 }
 259
 260 @Article{berendsen84,
 261   author =       "H. J. C. Berendsen and J. P. M. Postma and W. F. van
 262                  Gunsteren and A. DiNola and J. R. Haak",
 263   collaboration = "",
 264   title =        "Molecular dynamics with coupling to an external bath",
 265   publisher =    "AIP",
 266   year =         "1984",
 267   journal =      "J. Chem. Phys.",
 268   volume =       "81",
 269   number =       "8",
 270   pages =        "3684--3690",
 271   keywords =     "MOLECULAR DYNAMICS CALCULATION; TRANSPORT THEORY;
 272                  COMPUTERIZED SIMULATION; LIQUIDS; STRUCTURE FACTORS",
 273   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/81/3684/1",
 274   doi =          "10.1063/1.448118",
 275   notes =        "berendsen thermostat barostat",
 276 }
 277
 278 @Article{huang95,
 279   author =       "Hanchen Huang and N M Ghoniem and J K Wong and M
 280                  Baskes",
 281   title =        "Molecular dynamics determination of defect energetics
 282                  in beta -Si{C} using three representative empirical
 283                  potentials",
 284   journal =      "Modell. Simul. Mater. Sci. Eng.",
 285   volume =       "3",
 286   number =       "5",
 287   pages =        "615--627",
 288   URL =          "http://stacks.iop.org/0965-0393/3/615",
 289   notes =        "comparison of tersoff, pearson and eam for defect
 290                  energetics in sic; (m)eam parameters for sic",
 291   year =         "1995",
 292 }
 293
 294 @Article{brenner89,
 295   title =        "Relationship between the embedded-atom method and
 296                  Tersoff potentials",
 297   author =       "Donald W. Brenner",
 298   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 299   volume =       "63",
 300   number =       "9",
 301   pages =        "1022",
 302   numpages =     "1",
 303   year =         "1989",
 304   month =        aug,
 305   doi =          "10.1103/PhysRevLett.63.1022",
 306   publisher =    "American Physical Society",
 307   notes =        "relation of tersoff and eam potential",
 308 }
 309
 310 @Article{batra87,
 311   title =        "Molecular-dynamics study of self-interstitials in
 312                  silicon",
 313   author =       "Inder P. Batra and Farid F. Abraham and S. Ciraci",
 314   journal =      "Phys. Rev. B",
 315   volume =       "35",
 316   number =       "18",
 317   pages =        "9552--9558",
 318   numpages =     "6",
 319   year =         "1987",
 320   month =        jun,
 321   doi =          "10.1103/PhysRevB.35.9552",
 322   publisher =    "American Physical Society",
 323   notes =        "selft-interstitials in silicon, stillinger-weber,
 324                  calculation of defect formation energy, defect
 325                  interstitial types",
 326 }
 327
 328 @Article{schober89,
 329   title =        "Extended interstitials in silicon and germanium",
 330   author =       "H. R. Schober",
 331   journal =      "Phys. Rev. B",
 332   volume =       "39",
 333   number =       "17",
 334   pages =        "13013--13015",
 335   numpages =     "2",
 336   year =         "1989",
 337   month =        jun,
 338   doi =          "10.1103/PhysRevB.39.13013",
 339   publisher =    "American Physical Society",
 340   notes =        "stillinger-weber silicon 110 stable and metastable
 341                  dumbbell configuration",
 342 }
 343
 344 @Article{gao02a,
 345   title =        "Cascade overlap and amorphization in $3{C}-Si{C}:$
 346                  Defect accumulation, topological features, and
 347                  disordering",
 348   author =       "F. Gao and W. J. Weber",
 349   journal =      "Phys. Rev. B",
 350   volume =       "66",
 351   number =       "2",
 352   pages =        "024106",
 353   numpages =     "10",
 354   year =         "2002",
 355   month =        jul,
 356   doi =          "10.1103/PhysRevB.66.024106",
 357   publisher =    "American Physical Society",
 358   notes =        "sic intro, si cascade in 3c-sic, amorphization,
 359                  tersoff modified, pair correlation of amorphous sic, md
 360                  result analyze",
 361 }
 362
 363 @Article{devanathan98,
 364   title =        "Computer simulation of a 10 ke{V} Si displacement
 365                  cascade in Si{C}",
 366   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
 367   volume =       "141",
 368   number =       "1-4",
 369   pages =        "118--122",
 370   year =         "1998",
 371   ISSN =         "0168-583X",
 372   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00084-6",
 373   author =       "R. Devanathan and W. J. Weber and T. Diaz de la
 374                  Rubia",
 375   notes =        "modified tersoff short range potential, ab initio
 376                  3c-sic",
 377 }
 378
 379 @Article{devanathan98_2,
 380   title =        "Displacement threshold energies in [beta]-Si{C}",
 381   journal =      "J. Nucl. Mater.",
 382   volume =       "253",
 383   number =       "1-3",
 384   pages =        "47--52",
 385   year =         "1998",
 386   ISSN =         "0022-3115",
 387   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-3115(97)00304-8",
 388   author =       "R. Devanathan and T. Diaz de la Rubia and W. J.
 389                  Weber",
 390   notes =        "modified tersoff, ab initio, combined ab initio
 391                  tersoff",
 392 }
 393
 394 @Article{kitabatake00,
 395   title =        "Si{C}/Si heteroepitaxial growth",
 396   author =       "M. Kitabatake",
 397   journal =      "Thin Solid Films",
 398   volume =       "369",
 399   pages =        "257--264",
 400   numpages =     "8",
 401   year =         "2000",
 402   notes =        "md simulation, sic si heteroepitaxy, mbe",
 403 }
 404
 405 @Article{tang97,
 406   title =        "Intrinsic point defects in crystalline silicon:
 407                  Tight-binding molecular dynamics studies of
 408                  self-diffusion, interstitial-vacancy recombination, and
 409                  formation volumes",
 410   author =       "M. Tang and L. Colombo and J. Zhu and T. Diaz de la
 411                  Rubia",
 412   journal =      "Phys. Rev. B",
 413   volume =       "55",
 414   number =       "21",
 415   pages =        "14279--14289",
 416   numpages =     "10",
 417   year =         "1997",
 418   month =        jun,
 419   doi =          "10.1103/PhysRevB.55.14279",
 420   publisher =    "American Physical Society",
 421   notes =        "si self interstitial, diffusion, tbmd",
 422 }
 423
 424 @Article{johnson98,
 425   author =       "M. D. Johnson and M.-J. Caturla and T. D\'{\i}az de la
 426                  Rubia",
 427   collaboration = "",
 428   title =        "A kinetic Monte--Carlo study of the effective
 429                  diffusivity of the silicon self-interstitial in the
 430                  presence of carbon and boron",
 431   publisher =    "AIP",
 432   year =         "1998",
 433   journal =      "J. Appl. Phys.",
 434   volume =       "84",
 435   number =       "4",
 436   pages =        "1963--1967",
 437   keywords =     "MONTE CARLO METHOD; DIFFUSION; SILICON; INTERSTITIALS;
 438                  CARBON ADDITIONS; BORON ADDITIONS; elemental
 439                  semiconductors; self-diffusion",
 440   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/84/1963/1",
 441   doi =          "10.1063/1.368328",
 442   notes =        "kinetic monte carlo of si self interstitial
 443                  diffsuion",
 444 }
 445
 446 @Article{bar-yam84,
 447   title =        "Barrier to Migration of the Silicon
 448                  Self-Interstitial",
 449   author =       "Y. Bar-Yam and J. D. Joannopoulos",
 450   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 451   volume =       "52",
 452   number =       "13",
 453   pages =        "1129--1132",
 454   numpages =     "3",
 455   year =         "1984",
 456   month =        mar,
 457   doi =          "10.1103/PhysRevLett.52.1129",
 458   publisher =    "American Physical Society",
 459   notes =        "si self-interstitial migration barrier",
 460 }
 461
 462 @Article{bar-yam84_2,
 463   title =        "Electronic structure and total-energy migration
 464                  barriers of silicon self-interstitials",
 465   author =       "Y. Bar-Yam and J. D. Joannopoulos",
 466   journal =      "Phys. Rev. B",
 467   volume =       "30",
 468   number =       "4",
 469   pages =        "1844--1852",
 470   numpages =     "8",
 471   year =         "1984",
 472   month =        aug,
 473   doi =          "10.1103/PhysRevB.30.1844",
 474   publisher =    "American Physical Society",
 475 }
 476
 477 @Article{bloechl93,
 478   title =        "First-principles calculations of self-diffusion
 479                  constants in silicon",
 480   author =       "Peter E. Bl{\"o}chl and Enrico Smargiassi and R. Car
 481                  and D. B. Laks and W. Andreoni and S. T. Pantelides",
 482   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 483   volume =       "70",
 484   number =       "16",
 485   pages =        "2435--2438",
 486   numpages =     "3",
 487   year =         "1993",
 488   month =        apr,
 489   doi =          "10.1103/PhysRevLett.70.2435",
 490   publisher =    "American Physical Society",
 491   notes =        "si self int diffusion by ab initio md, formation
 492                  entropy calculations",
 493 }
 494
 495 @Article{colombo02,
 496   title =        "Tight-binding theory of native point defects in
 497                  silicon",
 498   author =       "L. Colombo",
 499   journal =      "Annu. Rev. Mater. Res.",
 500   volume =       "32",
 501   pages =        "271--295",
 502   numpages =     "25",
 503   year =         "2002",
 504   doi =          "10.1146/annurev.matsci.32.111601.103036",
 505   publisher =    "Annual Reviews",
 506   notes =        "si self interstitial, tbmd, virial stress",
 507 }
 508
 509 @Article{al-mushadani03,
 510   title =        "Free-energy calculations of intrinsic point defects in
 511                  silicon",
 512   author =       "O. K. Al-Mushadani and R. J. Needs",
 513   journal =      "Phys. Rev. B",
 514   volume =       "68",
 515   number =       "23",
 516   pages =        "235205",
 517   numpages =     "8",
 518   year =         "2003",
 519   month =        dec,
 520   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.235205",
 521   publisher =    "American Physical Society",
 522   notes =        "formation energies of intrinisc point defects in
 523                  silicon, si self interstitials, free energy",
 524 }
 525
 526 @Article{goedecker02,
 527   title =        "A Fourfold Coordinated Point Defect in Silicon",
 528   author =       "Stefan Goedecker and Thierry Deutsch and Luc Billard",
 529   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 530   volume =       "88",
 531   number =       "23",
 532   pages =        "235501",
 533   numpages =     "4",
 534   year =         "2002",
 535   month =        may,
 536   doi =          "10.1103/PhysRevLett.88.235501",
 537   publisher =    "American Physical Society",
 538   notes =        "first time ffcd, fourfold coordinated point defect in
 539                  silicon",
 540 }
 541
 542 @Article{sahli05,
 543   title =        "Ab initio molecular dynamics simulation of
 544                  self-interstitial diffusion in silicon",
 545   author =       "Beat Sahli and Wolfgang Fichtner",
 546   journal =      "Phys. Rev. B",
 547   volume =       "72",
 548   number =       "24",
 549   pages =        "245210",
 550   numpages =     "6",
 551   year =         "2005",
 552   month =        dec,
 553   doi =          "10.1103/PhysRevB.72.245210",
 554   publisher =    "American Physical Society",
 555   notes =        "si self int, diffusion, barrier height, voronoi
 556                  mapping applied",
 557 }
 558
 559 @Article{hobler05,
 560   title =        "Ab initio calculations of the interaction between
 561                  native point defects in silicon",
 562   journal =      "Mater. Sci. Eng., B",
 563   volume =       "124-125",
 564   number =       "",
 565   pages =        "368--371",
 566   year =         "2005",
 567   note =         "EMRS 2005, Symposium D - Materials Science and Device
 568                  Issues for Future Technologies",
 569   ISSN =         "0921-5107",
 570   doi =          "DOI: 10.1016/j.mseb.2005.08.072",
 571   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXF-4H6PKRB-3/2/e217bd3d7ee1fffee899eeb4a2f133a4",
 572   author =       "G. Hobler and G. Kresse",
 573   notes =        "vasp intrinsic si defect interaction study, capture
 574                  radius",
 575 }
 576
 577 @Article{ma10,
 578   title =        "Ab initio study of self-diffusion in silicon over a
 579                  wide temperature range: Point defect states and
 580                  migration mechanisms",
 581   author =       "Shangyi Ma and Shaoqing Wang",
 582   journal =      "Phys. Rev. B",
 583   volume =       "81",
 584   number =       "19",
 585   pages =        "193203",
 586   numpages =     "4",
 587   year =         "2010",
 588   month =        may,
 589   doi =          "10.1103/PhysRevB.81.193203",
 590   publisher =    "American Physical Society",
 591   notes =        "si self interstitial diffusion + refs",
 592 }
 593
 594 @Article{posselt06,
 595   title =        "Atomistic simulations on the thermal stability of the
 596                  antisite pair in 3{C}- and 4{H}-Si{C}",
 597   author =       "M. Posselt and F. Gao and W. J. Weber",
 598   journal =      "Phys. Rev. B",
 599   volume =       "73",
 600   number =       "12",
 601   pages =        "125206",
 602   numpages =     "8",
 603   year =         "2006",
 604   month =        mar,
 605   doi =          "10.1103/PhysRevB.73.125206",
 606   publisher =    "American Physical Society",
 607 }
 608
 609 @Article{posselt08,
 610   title =        "Correlation between self-diffusion in Si and the
 611                  migration mechanisms of vacancies and
 612                  self-interstitials: An atomistic study",
 613   author =       "M. Posselt and F. Gao and H. Bracht",
 614   journal =      "Phys. Rev. B",
 615   volume =       "78",
 616   number =       "3",
 617   pages =        "035208",
 618   numpages =     "9",
 619   year =         "2008",
 620   month =        jul,
 621   doi =          "10.1103/PhysRevB.78.035208",
 622   publisher =    "American Physical Society",
 623   notes =        "si self-interstitial and vacancy diffusion, stillinger
 624                  weber and tersoff",
 625 }
 626
 627 @Article{gao2001,
 628   title =        "Ab initio and empirical-potential studies of defect
 629                  properties in $3{C}-Si{C}$",
 630   author =       "F. Gao and E. J. Bylaska and W. J. Weber and L. R.
 631                  Corrales",
 632   journal =      "Phys. Rev. B",
 633   volume =       "64",
 634   number =       "24",
 635   pages =        "245208",
 636   numpages =     "7",
 637   year =         "2001",
 638   month =        dec,
 639   doi =          "10.1103/PhysRevB.64.245208",
 640   publisher =    "American Physical Society",
 641   notes =        "defects in 3c-sic",
 642 }
 643
 644 @Article{gao02,
 645   title =        "Empirical potential approach for defect properties in
 646                  3{C}-Si{C}",
 647   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
 648   volume =       "191",
 649   number =       "1-4",
 650   pages =        "487--496",
 651   year =         "2002",
 652   note =         "",
 653   ISSN =         "0168-583X",
 654   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(02)00600-6",
 655   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-453NR6B-G/2/e65b0730e94e13d66f72a2147b449ea7",
 656   author =       "Fei Gao and William J. Weber",
 657   keywords =     "Empirical potential",
 658   keywords =     "Defect properties",
 659   keywords =     "Silicon carbide",
 660   keywords =     "Computer simulation",
 661   notes =        "sic potential, brenner type, like erhart/albe",
 662 }
 663
 664 @Article{gao04,
 665   title =        "Atomistic study of intrinsic defect migration in
 666                  3{C}-Si{C}",
 667   author =       "Fei Gao and William J. Weber and M. Posselt and V.
 668                  Belko",
 669   journal =      "Phys. Rev. B",
 670   volume =       "69",
 671   number =       "24",
 672   pages =        "245205",
 673   numpages =     "5",
 674   year =         "2004",
 675   month =        jun,
 676   doi =          "10.1103/PhysRevB.69.245205",
 677   publisher =    "American Physical Society",
 678   notes =        "defect migration in sic",
 679 }
 680
 681 @Article{gao07,
 682   author =       "F. Gao and J. Du and E. J. Bylaska and M. Posselt and
 683                  W. J. Weber",
 684   collaboration = "",
 685   title =        "Ab Initio atomic simulations of antisite pair recovery
 686                  in cubic silicon carbide",
 687   publisher =    "AIP",
 688   year =         "2007",
 689   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
 690   volume =       "90",
 691   number =       "22",
 692   eid =          "221915",
 693   numpages =     "3",
 694   pages =        "221915",
 695   keywords =     "ab initio calculations; silicon compounds; antisite
 696                  defects; wide band gap semiconductors; molecular
 697                  dynamics method; density functional theory;
 698                  electron-hole recombination; photoluminescence;
 699                  impurities; diffusion",
 700   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/90/221915/1",
 701   doi =          "10.1063/1.2743751",
 702 }
 703
 704 @Article{mattoni2002,
 705   title =        "Self-interstitial trapping by carbon complexes in
 706                  crystalline silicon",
 707   author =       "A. Mattoni and F. Bernardini and L. Colombo",
 708   journal =      "Phys. Rev. B",
 709   volume =       "66",
 710   number =       "19",
 711   pages =        "195214",
 712   numpages =     "6",
 713   year =         "2002",
 714   month =        nov,
 715   doi =          "10.1103/PhysRevB.66.195214",
 716   publisher =    "American Physical Society",
 717   notes =        "c in c-si, diffusion, interstitial configuration +
 718                  links, interaction of carbon and silicon interstitials,
 719                  tersoff suitability",
 720 }
 721
 722 @Article{leung99,
 723   title =        "Calculations of Silicon Self-Interstitial Defects",
 724   author =       "W.-K. Leung and R. J. Needs and G. Rajagopal and S.
 725                  Itoh and S. Ihara",
 726   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 727   volume =       "83",
 728   number =       "12",
 729   pages =        "2351--2354",
 730   numpages =     "3",
 731   year =         "1999",
 732   month =        sep,
 733   doi =          "10.1103/PhysRevLett.83.2351",
 734   publisher =    "American Physical Society",
 735   notes =        "nice images of the defects, si defect overview +
 736                  refs",
 737 }
 738
 739 @Article{capaz94,
 740   title =        "Identification of the migration path of interstitial
 741                  carbon in silicon",
 742   author =       "R. B. Capaz and A. {Dal Pino} and J. D. Joannopoulos",
 743   journal =      "Phys. Rev. B",
 744   volume =       "50",
 745   number =       "11",
 746   pages =        "7439--7442",
 747   numpages =     "3",
 748   year =         "1994",
 749   month =        sep,
 750   doi =          "10.1103/PhysRevB.50.7439",
 751   publisher =    "American Physical Society",
 752   notes =        "carbon interstitial migration path shown, 001 c-si
 753                  dumbbell",
 754 }
 755
 756 @Article{capaz98,
 757   title =        "Theory of carbon-carbon pairs in silicon",
 758   author =       "R. B. Capaz and A. {Dal Pino} and J. D. Joannopoulos",
 759   journal =      "Phys. Rev. B",
 760   volume =       "58",
 761   number =       "15",
 762   pages =        "9845--9850",
 763   numpages =     "5",
 764   year =         "1998",
 765   month =        oct,
 766   doi =          "10.1103/PhysRevB.58.9845",
 767   publisher =    "American Physical Society",
 768   notes =        "c_i c_s pair configuration, theoretical results",
 769 }
 770
 771 @Article{song90_2,
 772   title =        "Bistable interstitial-carbon--substitutional-carbon
 773                  pair in silicon",
 774   author =       "L. W. Song and X. D. Zhan and B. W. Benson and G. D.
 775                  Watkins",
 776   journal =      "Phys. Rev. B",
 777   volume =       "42",
 778   number =       "9",
 779   pages =        "5765--5783",
 780   numpages =     "18",
 781   year =         "1990",
 782   month =        sep,
 783   doi =          "10.1103/PhysRevB.42.5765",
 784   publisher =    "American Physical Society",
 785   notes =        "c_i c_s pair configuration, experimental results",
 786 }
 787
 788 @Article{liu02,
 789   author =       "Chun-Li Liu and Wolfgang Windl and Len Borucki and
 790                  Shifeng Lu and Xiang-Yang Liu",
 791   collaboration = "",
 792   title =        "Ab initio modeling and experimental study of {C}--{B}
 793                  interactions in Si",
 794   publisher =    "AIP",
 795   year =         "2002",
 796   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
 797   volume =       "80",
 798   number =       "1",
 799   pages =        "52--54",
 800   keywords =     "silicon; boron; carbon; elemental semiconductors;
 801                  impurity-defect interactions; ab initio calculations;
 802                  secondary ion mass spectra; diffusion; interstitials",
 803   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/80/52/1",
 804   doi =          "10.1063/1.1430505",
 805   notes =        "c-c 100 split, lower as a and b states of capaz",
 806 }
 807
 808 @Article{dal_pino93,
 809   title =        "Ab initio investigation of carbon-related defects in
 810                  silicon",
 811   author =       "A. {Dal Pino} and Andrew M. Rappe and J. D.
 812                  Joannopoulos",
 813   journal =      "Phys. Rev. B",
 814   volume =       "47",
 815   number =       "19",
 816   pages =        "12554--12557",
 817   numpages =     "3",
 818   year =         "1993",
 819   month =        may,
 820   doi =          "10.1103/PhysRevB.47.12554",
 821   publisher =    "American Physical Society",
 822   notes =        "c interstitials in crystalline silicon",
 823 }
 824
 825 @Article{car84,
 826   title =        "Microscopic Theory of Atomic Diffusion Mechanisms in
 827                  Silicon",
 828   author =       "Roberto Car and Paul J. Kelly and Atsushi Oshiyama and
 829                  Sokrates T. Pantelides",
 830   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 831   volume =       "52",
 832   number =       "20",
 833   pages =        "1814--1817",
 834   numpages =     "3",
 835   year =         "1984",
 836   month =        may,
 837   doi =          "10.1103/PhysRevLett.52.1814",
 838   publisher =    "American Physical Society",
 839   notes =        "microscopic theory diffusion silicon dft migration
 840                  path formation",
 841 }
 842
 843 @Article{car85,
 844   title =        "Unified Approach for Molecular Dynamics and
 845                  Density-Functional Theory",
 846   author =       "R. Car and M. Parrinello",
 847   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 848   volume =       "55",
 849   number =       "22",
 850   pages =        "2471--2474",
 851   numpages =     "3",
 852   year =         "1985",
 853   month =        nov,
 854   doi =          "10.1103/PhysRevLett.55.2471",
 855   publisher =    "American Physical Society",
 856   notes =        "car parrinello method, dft and md",
 857 }
 858
 859 @Article{kelires97,
 860   title =        "Short-range order, bulk moduli, and physical trends in
 861                  c-$Si1-x$$Cx$ alloys",
 862   author =       "P. C. Kelires",
 863   journal =      "Phys. Rev. B",
 864   volume =       "55",
 865   number =       "14",
 866   pages =        "8784--8787",
 867   numpages =     "3",
 868   year =         "1997",
 869   month =        apr,
 870   doi =          "10.1103/PhysRevB.55.8784",
 871   publisher =    "American Physical Society",
 872   notes =        "c strained si, montecarlo md, bulk moduli, next
 873                  neighbour dist",
 874 }
 875
 876 @Article{kelires95,
 877   title =        "Monte Carlo Studies of Ternary Semiconductor Alloys:
 878                  Application to the $Si1-x-yGexCy$ System",
 879   author =       "P. C. Kelires",
 880   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 881   volume =       "75",
 882   number =       "6",
 883   pages =        "1114--1117",
 884   numpages =     "3",
 885   year =         "1995",
 886   month =        aug,
 887   doi =          "10.1103/PhysRevLett.75.1114",
 888   publisher =    "American Physical Society",
 889   notes =        "mc md, strain compensation in si ge by c insertion",
 890 }
 891
 892 @Article{bean70,
 893   title =        "Low temperature electron irradiation of silicon
 894                  containing carbon",
 895   journal =      "Solid State Communications",
 896   volume =       "8",
 897   number =       "3",
 898   pages =        "175--177",
 899   year =         "1970",
 900   note =         "",
 901   ISSN =         "0038-1098",
 902   doi =          "DOI: 10.1016/0038-1098(70)90074-8",
 903   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVW-46MF8S4-156/2/5f4d9c189a3d97227fde9214195aa081",
 904   author =       "A. R. Bean and R. C. Newman",
 905 }
 906
 907 @Article{watkins76,
 908   title =        "{EPR} Observation of the Isolated Interstitial Carbon
 909                  Atom in Silicon",
 910   author =       "G. D. Watkins and K. L. Brower",
 911   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 912   volume =       "36",
 913   number =       "22",
 914   pages =        "1329--1332",
 915   numpages =     "3",
 916   year =         "1976",
 917   month =        may,
 918   doi =          "10.1103/PhysRevLett.36.1329",
 919   publisher =    "American Physical Society",
 920   notes =        "epr observations of 100 interstitial carbon atom in
 921                  silicon",
 922 }
 923
 924 @Article{song90,
 925   title =        "{EPR} identification of the single-acceptor state of
 926                  interstitial carbon in silicon",
 927   author =       "L. W. Song and G. D. Watkins",
 928   journal =      "Phys. Rev. B",
 929   volume =       "42",
 930   number =       "9",
 931   pages =        "5759--5764",
 932   numpages =     "5",
 933   year =         "1990",
 934   month =        sep,
 935   doi =          "10.1103/PhysRevB.42.5759",
 936   publisher =    "American Physical Society",
 937   notes =        "carbon diffusion in silicon",
 938 }
 939
 940 @Article{tipping87,
 941   author =       "A K Tipping and R C Newman",
 942   title =        "The diffusion coefficient of interstitial carbon in
 943                  silicon",
 944   journal =      "Semicond. Sci. Technol.",
 945   volume =       "2",
 946   number =       "5",
 947   pages =        "315--317",
 948   URL =          "http://stacks.iop.org/0268-1242/2/315",
 949   year =         "1987",
 950   notes =        "diffusion coefficient of carbon interstitials in
 951                  silicon",
 952 }
 953
 954 @Article{strane96,
 955   title =        "Carbon incorporation into Si at high concentrations by
 956                  ion implantation and solid phase epitaxy",
 957   author =       "J. W. Strane and S. R. Lee and H. J. Stein and S. T.
 958                  Picraux and J. K. Watanabe and J. W. Mayer",
 959   journal =      "J. Appl. Phys.",
 960   volume =       "79",
 961   pages =        "637",
 962   year =         "1996",
 963   month =        jan,
 964   doi =          "10.1063/1.360806",
 965   notes =        "strained silicon, carbon supersaturation",
 966 }
 967
 968 @Article{laveant2002,
 969   title =        "Epitaxy of carbon-rich silicon with {MBE}",
 970   journal =      "Mater. Sci. Eng., B",
 971   volume =       "89",
 972   number =       "1-3",
 973   pages =        "241--245",
 974   year =         "2002",
 975   ISSN =         "0921-5107",
 976   doi =          "DOI: 10.1016/S0921-5107(01)00794-2",
 977   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXF-44YVPGS-1V/2/024ece074ad18ebbec62a39a2510a268",
 978   author =       "P. Lav\'eant and G. Gerth and P. Werner and U.
 979                  G{\"{o}}sele",
 980   notes =        "low c in si, tensile stress to compensate compressive
 981                  stress, avoid sic precipitation",
 982 }
 983
 984 @Article{werner97,
 985   author =       "P. Werner and S. Eichler and G. Mariani and R.
 986                  K{\"{o}}gler and W. Skorupa",
 987   title =        "Investigation of {C}[sub x]Si defects in {C} implanted
 988                  silicon by transmission electron microscopy",
 989   publisher =    "AIP",
 990   year =         "1997",
 991   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
 992   volume =       "70",
 993   number =       "2",
 994   pages =        "252--254",
 995   keywords =     "silicon; ion implantation; carbon; crystal defects;
 996                  transmission electron microscopy; annealing; positron
 997                  annihilation; secondary ion mass spectroscopy; buried
 998                  layers; precipitation",
 999   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/70/252/1",
1000   doi =          "10.1063/1.118381",
1001   notes =        "si-c complexes, agglomerate, sic in si matrix, sic
1002                  precipitate",
1003 }
1004
1005 @InProceedings{werner96,
1006   author =       "P. Werner and R. K{\"{o}}gler and W. Skorupa and D.
1007                  Eichler",
1008   booktitle =    "Ion Implantation Technology. Proceedings of the 11th
1009                  International Conference on",
1010   title =        "{TEM} investigation of {C}-Si defects in carbon
1011                  implanted silicon",
1012   year =         "1996",
1013   month =        jun,
1014   volume =       "",
1015   number =       "",
1016   pages =        "675--678",
1017   doi =          "10.1109/IIT.1996.586497",
1018   ISSN =         "",
1019   notes =        "c-si agglomerates dumbbells",
1020 }
1021
1022 @Article{werner98,
1023   author =       "P. Werner and U. G{\"{o}}sele and H.-J. Gossmann and
1024                  D. C. Jacobson",
1025   collaboration = "",
1026   title =        "Carbon diffusion in silicon",
1027   publisher =    "AIP",
1028   year =         "1998",
1029   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1030   volume =       "73",
1031   number =       "17",
1032   pages =        "2465--2467",
1033   keywords =     "silicon; carbon; elemental semiconductors; diffusion;
1034                  secondary ion mass spectra; semiconductor epitaxial
1035                  layers; annealing; impurity-defect interactions;
1036                  impurity distribution",
1037   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/73/2465/1",
1038   doi =          "10.1063/1.122483",
1039   notes =        "c diffusion in si, kick out mechnism",
1040 }
1041
1042 @Article{strane94,
1043   author =       "J. W. Strane and H. J. Stein and S. R. Lee and S. T.
1044                  Picraux and J. K. Watanabe and J. W. Mayer",
1045   collaboration = "",
1046   title =        "Precipitation and relaxation in strained Si[sub 1 -
1047                  y]{C}[sub y]/Si heterostructures",
1048   publisher =    "AIP",
1049   year =         "1994",
1050   journal =      "J. Appl. Phys.",
1051   volume =       "76",
1052   number =       "6",
1053   pages =        "3656--3668",
1054   keywords =     "SILICON CARBIDES; SILICON; PRECIPITATION; STRAINS",
1055   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/76/3656/1",
1056   doi =          "10.1063/1.357429",
1057   notes =        "strained si-c to 3c-sic, carbon nucleation + refs,
1058                  precipitation by substitutional carbon, coherent prec,
1059                  coherent to incoherent transition strain vs interface
1060                  energy",
1061 }
1062
1063 @Article{fischer95,
1064   author =       "G. G. Fischer and P. Zaumseil and E. Bugiel and H. J.
1065                  Osten",
1066   collaboration = "",
1067   title =        "Investigation of the high temperature behavior of
1068                  strained Si[sub 1 - y]{C}[sub y] /Si heterostructures",
1069   publisher =    "AIP",
1070   year =         "1995",
1071   journal =      "J. Appl. Phys.",
1072   volume =       "77",
1073   number =       "5",
1074   pages =        "1934--1937",
1075   keywords =     "SILICON CARBIDES; SILICON; HETEROSTRUCTURES; STRAINS;
1076                  XRD; MOLECULAR BEAM EPITAXY; STABILITY; TENSILE
1077                  PROPERTIES; EPITAXIAL LAYERS; ANNEALING; PRECIPITATION;
1078                  TEMPERATURE RANGE 04001000 K",
1079   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/77/1934/1",
1080   doi =          "10.1063/1.358826",
1081 }
1082
1083 @Article{edgar92,
1084   title =        "Prospects for device implementation of wide band gap
1085                  semiconductors",
1086   author =       "J. H. Edgar",
1087   journal =      "J. Mater. Res.",
1088   volume =       "7",
1089   pages =        "235",
1090   year =         "1992",
1091   month =        jan,
1092   doi =          "10.1557/JMR.1992.0235",
1093   notes =        "properties wide band gap semiconductor, sic
1094                  polytypes",
1095 }
1096
1097 @Article{zirkelbach2007,
1098   title =        "Monte Carlo simulation study of a selforganisation
1099                  process leading to ordered precipitate structures",
1100   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
1101                  and B. Stritzker",
1102   journal =      "Nucl. Instr. and Meth. B",
1103   volume =       "257",
1104   number =       "1--2",
1105   pages =        "75--79",
1106   numpages =     "5",
1107   year =         "2007",
1108   month =        apr,
1109   doi =          "doi:10.1016/j.nimb.2006.12.118",
1110   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
1111                  NETHERLANDS",
1112 }
1113
1114 @Article{zirkelbach2006,
1115   title =        "Monte-Carlo simulation study of the self-organization
1116                  of nanometric amorphous precipitates in regular arrays
1117                  during ion irradiation",
1118   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
1119                  and B. Stritzker",
1120   journal =      "Nucl. Instr. and Meth. B",
1121   volume =       "242",
1122   number =       "1--2",
1123   pages =        "679--682",
1124   numpages =     "4",
1125   year =         "2006",
1126   month =        jan,
1127   doi =          "doi:10.1016/j.nimb.2005.08.162",
1128   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
1129                  NETHERLANDS",
1130 }
1131
1132 @Article{zirkelbach2005,
1133   title =        "Modelling of a selforganization process leading to
1134                  periodic arrays of nanometric amorphous precipitates by
1135                  ion irradiation",
1136   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
1137                  and B. Stritzker",
1138   journal =      "Comp. Mater. Sci.",
1139   volume =       "33",
1140   number =       "1--3",
1141   pages =        "310--316",
1142   numpages =     "7",
1143   year =         "2005",
1144   month =        apr,
1145   doi =          "doi:10.1016/j.commatsci.2004.12.016",
1146   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
1147                  NETHERLANDS",
1148 }
1149
1150 @Article{zirkelbach09,
1151   title =        "Molecular dynamics simulation of defect formation and
1152                  precipitation in heavily carbon doped silicon",
1153   journal =      "Mater. Sci. Eng., B",
1154   volume =       "159-160",
1155   number =       "",
1156   pages =        "149--152",
1157   year =         "2009",
1158   note =         "EMRS 2008 Spring Conference Symposium K: Advanced
1159                  Silicon Materials Research for Electronic and
1160                  Photovoltaic Applications",
1161   ISSN =         "0921-5107",
1162   doi =          "DOI: 10.1016/j.mseb.2008.10.010",
1163   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXF-4TX1547-2/2/cb9f4921f324735087020ccce7843e39",
1164   author =       "F. Zirkelbach and J. K. N. Lindner and K. Nordlund and
1165                  B. Stritzker",
1166   keywords =     "Silicon",
1167   keywords =     "Carbon",
1168   keywords =     "Silicon carbide",
1169   keywords =     "Nucleation",
1170   keywords =     "Defect formation",
1171   keywords =     "Molecular dynamics simulations",
1172 }
1173
1174 @Article{zirkelbach10a,
1175   title =        "Defects in carbon implanted silicon calculated by
1176                  classical potentials and first-principles methods",
1177   author =       "F. Zirkelbach and B. Stritzker and K. Nordlund and J.
1178                  K. N. Lindner and W. G. Schmidt and E. Rauls",
1179   journal =      "Phys. Rev. B",
1180   volume =       "82",
1181   number =       "9",
1182   pages =        "094110",
1183   numpages =     "6",
1184   year =         "2010",
1185   month =        sep,
1186   doi =          "10.1103/PhysRevB.82.094110",
1187   publisher =    "American Physical Society",
1188 }
1189
1190 @Article{zirkelbach10b,
1191   title =        "First principles study of defects in carbon implanted
1192                  silicon",
1193   journal =      "to be published",
1194   volume =       "",
1195   number =       "",
1196   pages =        "",
1197   year =         "2010",
1198   author =       "F. Zirkelbach and B. Stritzker and K. Nordlund and J.
1199                  K. N. Lindner and W. G. Schmidt and E. Rauls",
1200 }
1201
1202 @Article{zirkelbach10c,
1203   title =        "...",
1204   journal =      "to be published",
1205   volume =       "",
1206   number =       "",
1207   pages =        "",
1208   year =         "2010",
1209   author =       "F. Zirkelbach and B. Stritzker and K. Nordlund and J.
1210                  K. N. Lindner and W. G. Schmidt and E. Rauls",
1211 }
1212
1213 @Article{lindner99,
1214   title =        "Controlling the density distribution of Si{C}
1215                  nanocrystals for the ion beam synthesis of buried Si{C}
1216                  layers in silicon",
1217   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
1218   volume =       "147",
1219   number =       "1-4",
1220   pages =        "249--255",
1221   year =         "1999",
1222   note =         "",
1223   ISSN =         "0168-583X",
1224   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00598-9",
1225   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3YMWWDY-1H/2/ad53e614f783b2a7474aecb936dd0169",
1226   author =       "J. K. N. Lindner and B. Stritzker",
1227   notes =        "two-step implantation process",
1228 }
1229
1230 @Article{lindner99_2,
1231   title =        "Mechanisms in the ion beam synthesis of Si{C} layers
1232                  in silicon",
1233   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
1234   volume =       "148",
1235   number =       "1-4",
1236   pages =        "528--533",
1237   year =         "1999",
1238   ISSN =         "0168-583X",
1239   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00787-3",
1240   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3XGFSSH-3H/2/17d138baa6db68cb279e6de9161e5f85",
1241   author =       "J. K. N. Lindner and B. Stritzker",
1242   notes =        "3c-sic precipitation model, c-si dimers (dumbbells)",
1243 }
1244
1245 @Article{lindner01,
1246   title =        "Ion beam synthesis of buried Si{C} layers in silicon:
1247                  Basic physical processes",
1248   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
1249   volume =       "178",
1250   number =       "1-4",
1251   pages =        "44--54",
1252   year =         "2001",
1253   note =         "",
1254   ISSN =         "0168-583X",
1255   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(01)00504-3",
1256   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-435KG96-8/2/f222574d8945c3fd7aaf9ae1efdd37b3",
1257   author =       "J{\"{o}}rg K. N. Lindner",
1258 }
1259
1260 @Article{lindner02,
1261   title =        "High-dose carbon implantations into silicon:
1262                  fundamental studies for new technological tricks",
1263   author =       "J. K. N. Lindner",
1264   journal =      "Appl. Phys. A",
1265   volume =       "77",
1266   pages =        "27--38",
1267   year =         "2003",
1268   doi =          "10.1007/s00339-002-2062-8",
1269   notes =        "ibs, burried sic layers",
1270 }
1271
1272 @Article{lindner06,
1273   title =        "On the balance between ion beam induced nanoparticle
1274                  formation and displacive precipitate resolution in the
1275                  {C}-Si system",
1276   journal =      "Mater. Sci. Eng., C",
1277   volume =       "26",
1278   number =       "5-7",
1279   pages =        "857--861",
1280   year =         "2006",
1281   note =         "Current Trends in Nanoscience - from Materials to
1282                  Applications",
1283   ISSN =         "0928-4931",
1284   doi =          "DOI: 10.1016/j.msec.2005.09.099",
1285   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXG-4HSXVVM-1/2/5b0e351198cc2e8f5f4446a80a73d04a",
1286   author =       "J. K. N. Lindner and M. H{\"a}berlen and G. Thorwarth
1287                  and B. Stritzker",
1288   notes =        "c int diffusion barrier",
1289 }
1290
1291 @Article{ito04,
1292   title =        "Ion beam synthesis of 3{C}-Si{C} layers in Si and its
1293                  application in buffer layer for Ga{N} epitaxial
1294                  growth",
1295   journal =      "Applied Surface Science",
1296   volume =       "238",
1297   number =       "1-4",
1298   pages =        "159--164",
1299   year =         "2004",
1300   note =         "APHYS'03 Special Issue",
1301   ISSN =         "0169-4332",
1302   doi =          "DOI: 10.1016/j.apsusc.2004.05.199",
1303   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6THY-4CTTNGX-B/2/d24ee637db87f3f1a6ef7fe6820f267c",
1304   author =       "Y. Ito and T. Yamauchi and A. Yamamoto and M. Sasase
1305                  and S. Nishio and K. Yasuda and Y. Ishigami",
1306   notes =        "gan on 3c-sic, focus on ibs of 3c-sic",
1307 }
1308
1309 @Article{yamamoto04,
1310   title =        "Organometallic vapor phase epitaxial growth of Ga{N}
1311                  on a 3c-Si{C}/Si(1 1 1) template formed by {C}+-ion
1312                  implantation into Si(1 1 1) substrate",
1313   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1314   volume =       "261",
1315   number =       "2-3",
1316   pages =        "266--270",
1317   year =         "2004",
1318   note =         "Proceedings of the 11th Biennial (US) Workshop on
1319                  Organometallic Vapor Phase Epitaxy (OMVPE)",
1320   ISSN =         "0022-0248",
1321   doi =          "DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2003.11.041",
1322   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-4B5BFSX-2/2/55e79e024f2a23b487d19c6fd8dbf166",
1323   author =       "A. Yamamoto and T. Yamauchi and T. Tanikawa and M.
1324                  Sasase and B. K. Ghosh and A. Hashimoto and Y. Ito",
1325   notes =        "gan on 3c-sic",
1326 }
1327
1328 @Article{liu_l02,
1329   title =        "Substrates for gallium nitride epitaxy",
1330   journal =      "Materials Science and Engineering: R: Reports",
1331   volume =       "37",
1332   number =       "3",
1333   pages =        "61--127",
1334   year =         "2002",
1335   note =         "",
1336   ISSN =         "0927-796X",
1337   doi =          "DOI: 10.1016/S0927-796X(02)00008-6",
1338   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXH-45DFBSV-2/2/38c47e77fa91f23f8649a044e7135401",
1339   author =       "L. Liu and J. H. Edgar",
1340   notes =        "gan substrates",
1341 }
1342
1343 @Article{takeuchi91,
1344   title =        "Growth of single crystalline Ga{N} film on Si
1345                  substrate using 3{C}-Si{C} as an intermediate layer",
1346   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1347   volume =       "115",
1348   number =       "1-4",
1349   pages =        "634--638",
1350   year =         "1991",
1351   note =         "",
1352   ISSN =         "0022-0248",
1353   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(91)90817-O",
1354   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46FJ525-TY/2/7bb50016a50b1dd1dbc36b43c46b3140",
1355   author =       "Tetsuya Takeuchi and Hiroshi Amano and Kazumasa
1356                  Hiramatsu and Nobuhiko Sawaki and Isamu Akasaki",
1357   notes =        "gan on 3c-sic (first time?)",
1358 }
1359
1360 @Article{alder57,
1361   author =       "B. J. Alder and T. E. Wainwright",
1362   title =        "Phase Transition for a Hard Sphere System",
1363   publisher =    "AIP",
1364   year =         "1957",
1365   journal =      "J. Chem. Phys.",
1366   volume =       "27",
1367   number =       "5",
1368   pages =        "1208--1209",
1369   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/27/1208/1",
1370   doi =          "10.1063/1.1743957",
1371 }
1372
1373 @Article{alder59,
1374   author =       "B. J. Alder and T. E. Wainwright",
1375   title =        "Studies in Molecular Dynamics. {I}. General Method",
1376   publisher =    "AIP",
1377   year =         "1959",
1378   journal =      "J. Chem. Phys.",
1379   volume =       "31",
1380   number =       "2",
1381   pages =        "459--466",
1382   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/31/459/1",
1383   doi =          "10.1063/1.1730376",
1384 }
1385
1386 @Article{tersoff_si1,
1387   title =        "New empirical model for the structural properties of
1388                  silicon",
1389   author =       "J. Tersoff",
1390   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1391   volume =       "56",
1392   number =       "6",
1393   pages =        "632--635",
1394   numpages =     "3",
1395   year =         "1986",
1396   month =        feb,
1397   doi =          "10.1103/PhysRevLett.56.632",
1398   publisher =    "American Physical Society",
1399 }
1400
1401 @Article{tersoff_si2,
1402   title =        "New empirical approach for the structure and energy of
1403                  covalent systems",
1404   author =       "J. Tersoff",
1405   journal =      "Phys. Rev. B",
1406   volume =       "37",
1407   number =       "12",
1408   pages =        "6991--7000",
1409   numpages =     "9",
1410   year =         "1988",
1411   month =        apr,
1412   doi =          "10.1103/PhysRevB.37.6991",
1413   publisher =    "American Physical Society",
1414 }
1415
1416 @Article{tersoff_si3,
1417   title =        "Empirical interatomic potential for silicon with
1418                  improved elastic properties",
1419   author =       "J. Tersoff",
1420   journal =      "Phys. Rev. B",
1421   volume =       "38",
1422   number =       "14",
1423   pages =        "9902--9905",
1424   numpages =     "3",
1425   year =         "1988",
1426   month =        nov,
1427   doi =          "10.1103/PhysRevB.38.9902",
1428   publisher =    "American Physical Society",
1429 }
1430
1431 @Article{tersoff_c,
1432   title =        "Empirical Interatomic Potential for Carbon, with
1433                  Applications to Amorphous Carbon",
1434   author =       "J. Tersoff",
1435   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1436   volume =       "61",
1437   number =       "25",
1438   pages =        "2879--2882",
1439   numpages =     "3",
1440   year =         "1988",
1441   month =        dec,
1442   doi =          "10.1103/PhysRevLett.61.2879",
1443   publisher =    "American Physical Society",
1444 }
1445
1446 @Article{tersoff_m,
1447   title =        "Modeling solid-state chemistry: Interatomic potentials
1448                  for multicomponent systems",
1449   author =       "J. Tersoff",
1450   journal =      "Phys. Rev. B",
1451   volume =       "39",
1452   number =       "8",
1453   pages =        "5566--5568",
1454   numpages =     "2",
1455   year =         "1989",
1456   month =        mar,
1457   doi =          "10.1103/PhysRevB.39.5566",
1458   publisher =    "American Physical Society",
1459 }
1460
1461 @Article{tersoff90,
1462   title =        "Carbon defects and defect reactions in silicon",
1463   author =       "J. Tersoff",
1464   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1465   volume =       "64",
1466   number =       "15",
1467   pages =        "1757--1760",
1468   numpages =     "3",
1469   year =         "1990",
1470   month =        apr,
1471   doi =          "10.1103/PhysRevLett.64.1757",
1472   publisher =    "American Physical Society",
1473 }
1474
1475 @Article{fahey89,
1476   title =        "Point defects and dopant diffusion in silicon",
1477   author =       "P. M. Fahey and P. B. Griffin and J. D. Plummer",
1478   journal =      "Rev. Mod. Phys.",
1479   volume =       "61",
1480   number =       "2",
1481   pages =        "289--384",
1482   numpages =     "95",
1483   year =         "1989",
1484   month =        apr,
1485   doi =          "10.1103/RevModPhys.61.289",
1486   publisher =    "American Physical Society",
1487 }
1488
1489 @Article{wesch96,
1490   title =        "Silicon carbide: synthesis and processing",
1491   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
1492   volume =       "116",
1493   number =       "1-4",
1494   pages =        "305--321",
1495   year =         "1996",
1496   note =         "Radiation Effects in Insulators",
1497   ISSN =         "0168-583X",
1498   doi =          "DOI: 10.1016/0168-583X(96)00065-1",
1499   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3VXHNFT-C7/2/4216cb1ec9e422c22de5fed7360fb06e",
1500   author =       "W. Wesch",
1501 }
1502
1503 @Article{davis91,
1504   author =       "R. F. Davis and G. Kelner and M. Shur and J. W.
1505                  Palmour and J. A. Edmond",
1506   journal =      "Proceedings of the IEEE",
1507   title =        "Thin film deposition and microelectronic and
1508                  optoelectronic device fabrication and characterization
1509                  in monocrystalline alpha and beta silicon carbide",
1510   year =         "1991",
1511   month =        may,
1512   volume =       "79",
1513   number =       "5",
1514   pages =        "677--701",
1515   keywords =     "HBT;LED;MESFET;MOSFET;Schottky contacts;Schottky
1516                  diode;SiC;dry etching;electrical
1517                  contacts;etching;impurity incorporation;optoelectronic
1518                  device fabrication;solid-state devices;surface
1519                  chemistry;Schottky effect;Schottky gate field effect
1520                  transistors;Schottky-barrier
1521                  diodes;etching;heterojunction bipolar
1522                  transistors;insulated gate field effect
1523                  transistors;light emitting diodes;semiconductor
1524                  materials;semiconductor thin films;silicon compounds;",
1525   doi =          "10.1109/5.90132",
1526   ISSN =         "0018-9219",
1527   notes =        "sic growth methods",
1528 }
1529
1530 @Article{morkoc94,
1531   author =       "H. Morko\c{c} and S. Strite and G. B. Gao and M. E.
1532                  Lin and B. Sverdlov and M. Burns",
1533   collaboration = "",
1534   title =        "Large-band-gap Si{C}, {III}-{V} nitride, and {II}-{VI}
1535                  ZnSe-based semiconductor device technologies",
1536   publisher =    "AIP",
1537   year =         "1994",
1538   journal =      "J. Appl. Phys.",
1539   volume =       "76",
1540   number =       "3",
1541   pages =        "1363--1398",
1542   keywords =     "SEMICONDUCTOR DEVICES; SILICON CARBIDES; GALLIUM
1543                  NITRIDES; ZINC SELENIDES; SUBSTRATES; MOS JUNCTIONS;
1544                  LASER MATERIALS; MATERIALS; REVIEWS; ENERGY GAP; THIN
1545                  FILMS; INDUSTRY",
1546   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/76/1363/1",
1547   doi =          "10.1063/1.358463",
1548   notes =        "sic intro, properties",
1549 }
1550
1551 @Article{foo,
1552   author =       "Noch Unbekannt",
1553   title =        "How to find references",
1554   journal =      "Journal of Applied References",
1555   year =         "2009",
1556   volume =       "77",
1557   pages =        "1--23",
1558 }
1559
1560 @Article{tang95,
1561   title =        "Atomistic simulation of thermomechanical properties of
1562                  \beta{}-Si{C}",
1563   author =       "Meijie Tang and Sidney Yip",
1564   journal =      "Phys. Rev. B",
1565   volume =       "52",
1566   number =       "21",
1567   pages =        "15150--15159",
1568   numpages =     "9",
1569   year =         "1995",
1570   doi =          "10.1103/PhysRevB.52.15150",
1571   notes =        "modified tersoff, scale cutoff with volume, promising
1572                  tersoff reparametrization",
1573   publisher =    "American Physical Society",
1574 }
1575
1576 @Article{sarro00,
1577   title =        "Silicon carbide as a new {MEMS} technology",
1578   journal =      "Sensors and Actuators A: Physical",
1579   volume =       "82",
1580   number =       "1-3",
1581   pages =        "210--218",
1582   year =         "2000",
1583   ISSN =         "0924-4247",
1584   doi =          "DOI: 10.1016/S0924-4247(99)00335-0",
1585   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6THG-406VM55-13/2/75385a587669b215d9ef88029a93fd59",
1586   author =       "Pasqualina M. Sarro",
1587   keywords =     "MEMS",
1588   keywords =     "Silicon carbide",
1589   keywords =     "Micromachining",
1590   keywords =     "Mechanical stress",
1591 }
1592
1593 @Article{casady96,
1594   title =        "Status of silicon carbide (Si{C}) as a wide-bandgap
1595                  semiconductor for high-temperature applications: {A}
1596                  review",
1597   journal =      "Solid-State Electronics",
1598   volume =       "39",
1599   number =       "10",
1600   pages =        "1409--1422",
1601   year =         "1996",
1602   ISSN =         "0038-1101",
1603   doi =          "DOI: 10.1016/0038-1101(96)00045-7",
1604   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TY5-3VSR9J0-1/2/a871c11636e937dc45bfdf48e29f725b",
1605   author =       "J. B. Casady and R. W. Johnson",
1606   notes =        "sic intro",
1607 }
1608
1609 @Article{giancarli98,
1610   title =        "Design requirements for Si{C}/Si{C} composites
1611                  structural material in fusion power reactor blankets",
1612   journal =      "Fusion Engineering and Design",
1613   volume =       "41",
1614   number =       "1-4",
1615   pages =        "165--171",
1616   year =         "1998",
1617   ISSN =         "0920-3796",
1618   doi =          "DOI: 10.1016/S0920-3796(97)00200-7",
1619   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6V3C-3V8RYK8-T/2/16949194114900fd1330f79892d7a7be",
1620   author =       "L. Giancarli and J. P. Bonal and A. Caso and G. Le
1621                  Marois and N. B. Morley and J. F. Salavy",
1622 }
1623
1624 @Article{pensl93,
1625   title =        "Electrical and optical characterization of Si{C}",
1626   journal =      "Physica B: Condensed Matter",
1627   volume =       "185",
1628   number =       "1-4",
1629   pages =        "264--283",
1630   year =         "1993",
1631   ISSN =         "0921-4526",
1632   doi =          "DOI: 10.1016/0921-4526(93)90249-6",
1633   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVH-46G8HRX-99/2/eab9398bf2bbf10df3ae42c2ab28a776",
1634   author =       "G. Pensl and W. J. Choyke",
1635 }
1636
1637 @Article{tairov78,
1638   title =        "Investigation of growth processes of ingots of silicon
1639                  carbide single crystals",
1640   journal =      "J. Cryst. Growth",
1641   volume =       "43",
1642   number =       "2",
1643   pages =        "209--212",
1644   year =         "1978",
1645   notes =        "modified lely process",
1646   ISSN =         "0022-0248",
1647   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(78)90169-0",
1648   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46BY2NR-7S/2/fa6fee78ebd8322491f6366e72d5b6dc",
1649   author =       "Yu. M. Tairov and V. F. Tsvetkov",
1650 }
1651
1652 @Article{tairov81,
1653   title =        "General principles of growing large-size single
1654                  crystals of various silicon carbide polytypes",
1655   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1656   volume =       "52",
1657   number =       "Part 1",
1658   pages =        "146--150",
1659   year =         "1981",
1660   note =         "",
1661   ISSN =         "0022-0248",
1662   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(81)90184-6",
1663   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46FVMF6-2Y/2/b7c4025f0ef07ceec37fbd596819d529",
1664   author =       "Yu.M. Tairov and V. F. Tsvetkov",
1665 }
1666
1667 @Article{barrett91,
1668   title =        "Si{C} boule growth by sublimation vapor transport",
1669   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1670   volume =       "109",
1671   number =       "1-4",
1672   pages =        "17--23",
1673   year =         "1991",
1674   note =         "",
1675   ISSN =         "0022-0248",
1676   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(91)90152-U",
1677   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46FJ4VX-KF/2/fb802a6d67a8074a672007e972b264e1",
1678   author =       "D. L. Barrett and R. G. Seidensticker and W. Gaida and
1679                  R. H. Hopkins and W. J. Choyke",
1680 }
1681
1682 @Article{barrett93,
1683   title =        "Growth of large Si{C} single crystals",
1684   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1685   volume =       "128",
1686   number =       "1-4",
1687   pages =        "358--362",
1688   year =         "1993",
1689   note =         "",
1690   ISSN =         "0022-0248",
1691   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(93)90348-Z",
1692   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46YKSGB-4D/2/bc26617f48735a9ffbf5c61a5e164d9c",
1693   author =       "D. L. Barrett and J. P. McHugh and H. M. Hobgood and
1694                  R. H. Hopkins and P. G. McMullin and R. C. Clarke and
1695                  W. J. Choyke",
1696 }
1697
1698 @Article{stein93,
1699   title =        "Control of polytype formation by surface energy
1700                  effects during the growth of Si{C} monocrystals by the
1701                  sublimation method",
1702   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1703   volume =       "131",
1704   number =       "1-2",
1705   pages =        "71--74",
1706   year =         "1993",
1707   note =         "",
1708   ISSN =         "0022-0248",
1709   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(93)90397-F",
1710   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46FX1XJ-1X/2/493b180c29103dba5dba351e0fae5b9d",
1711   author =       "R. A. Stein and P. Lanig",
1712   notes =        "6h and 4h, sublimation technique",
1713 }
1714
1715 @Article{nishino83,
1716   author =       "Shigehiro Nishino and J. Anthony Powell and Herbert A.
1717                  Will",
1718   collaboration = "",
1719   title =        "Production of large-area single-crystal wafers of
1720                  cubic Si{C} for semiconductor devices",
1721   publisher =    "AIP",
1722   year =         "1983",
1723   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1724   volume =       "42",
1725   number =       "5",
1726   pages =        "460--462",
1727   keywords =     "silicon carbides; layers; chemical vapor deposition;
1728                  monocrystals",
1729   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/42/460/1",
1730   doi =          "10.1063/1.93970",
1731   notes =        "cvd of 3c-sic on si, sic buffer layer",
1732 }
1733
1734 @Article{nishino87,
1735   author =       "Shigehiro Nishino and Hajime Suhara and Hideyuki Ono
1736                  and Hiroyuki Matsunami",
1737   collaboration = "",
1738   title =        "Epitaxial growth and electric characteristics of cubic
1739                  Si{C} on silicon",
1740   publisher =    "AIP",
1741   year =         "1987",
1742   journal =      "J. Appl. Phys.",
1743   volume =       "61",
1744   number =       "10",
1745   pages =        "4889--4893",
1746   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/61/4889/1",
1747   doi =          "10.1063/1.338355",
1748   notes =        "cvd of 3c-sic on si, sic buffer layer, first time
1749                  carbonization",
1750 }
1751
1752 @Article{powell87,
1753   author =       "J. Anthony Powell and Lawrence G. Matus and Maria A.
1754                  Kuczmarski",
1755   title =        "Growth and Characterization of Cubic Si{C}
1756                  Single-Crystal Films on Si",
1757   publisher =    "ECS",
1758   year =         "1987",
1759   journal =      "Journal of The Electrochemical Society",
1760   volume =       "134",
1761   number =       "6",
1762   pages =        "1558--1565",
1763   keywords =     "semiconductor materials; silicon compounds; carbon
1764                  compounds; crystal morphology; electron mobility",
1765   URL =          "http://link.aip.org/link/?JES/134/1558/1",
1766   doi =          "10.1149/1.2100708",
1767   notes =        "blue light emitting diodes (led)",
1768 }
1769
1770 @Article{powell87_2,
1771   author =       "J. A. Powell and L. G. Matus and M. A. Kuczmarski and
1772                  C. M. Chorey and T. T. Cheng and P. Pirouz",
1773   collaboration = "",
1774   title =        "Improved beta-Si{C} heteroepitaxial films using
1775                  off-axis Si substrates",
1776   publisher =    "AIP",
1777   year =         "1987",
1778   journal =      "Applied Physics Letters",
1779   volume =       "51",
1780   number =       "11",
1781   pages =        "823--825",
1782   keywords =     "VAPOR PHASE EPITAXY; SILICON CARBIDES; VAPOR DEPOSITED
1783                  COATINGS; SILICON; EPITAXIAL LAYERS; INTERFACE
1784                  STRUCTURE; SURFACE STRUCTURE; FILM GROWTH; STACKING
1785                  FAULTS; CRYSTAL DEFECTS; ANTIPHASE BOUNDARIES;
1786                  OXIDATION; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; ROUGHNESS",
1787   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/51/823/1",
1788   doi =          "10.1063/1.98824",
1789   notes =        "improved sic on off-axis si substrates, reduced apbs",
1790 }
1791
1792 @Article{ueda90,
1793   title =        "Crystal growth of Si{C} by step-controlled epitaxy",
1794   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1795   volume =       "104",
1796   number =       "3",
1797   pages =        "695--700",
1798   year =         "1990",
1799   note =         "",
1800   ISSN =         "0022-0248",
1801   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(90)90013-B",
1802   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46CC6CX-KN/2/d5184c7bd29063985f7d1dd4112b12c9",
1803   author =       "Tetsuzo Ueda and Hironori Nishino and Hiroyuki
1804                  Matsunami",
1805   notes =        "step-controlled epitaxy model",
1806 }
1807
1808 @Article{kimoto93,
1809   author =       "Tsunenobu Kimoto and Hironori Nishino and Woo Sik Yoo
1810                  and Hiroyuki Matsunami",
1811   title =        "Growth mechanism of 6{H}-Si{C} in step-controlled
1812                  epitaxy",
1813   publisher =    "AIP",
1814   year =         "1993",
1815   journal =      "J. Appl. Phys.",
1816   volume =       "73",
1817   number =       "2",
1818   pages =        "726--732",
1819   keywords =     "SILICON CARBIDES; EPITAXY; GROWTH RATE; TEMPERATURE
1820                  RANGE 10004000 K; TWINNING; ACTIVATION ENERGY; CHEMICAL
1821                  VAPOR DEPOSITION",
1822   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/73/726/1",
1823   doi =          "10.1063/1.353329",
1824   notes =        "cvd of 6h-sic on 6h-sic, twinned 3c-sic",
1825 }
1826
1827 @Article{powell90_2,
1828   author =       "J. A. Powell and D. J. Larkin and L. G. Matus and W.
1829                  J. Choyke and J. L. Bradshaw and L. Henderson and M.
1830                  Yoganathan and J. Yang and P. Pirouz",
1831   collaboration = "",
1832   title =        "Growth of high quality 6{H}-Si{C} epitaxial films on
1833                  vicinal (0001) 6{H}-Si{C} wafers",
1834   publisher =    "AIP",
1835   year =         "1990",
1836   journal =      "Applied Physics Letters",
1837   volume =       "56",
1838   number =       "15",
1839   pages =        "1442--1444",
1840   keywords =     "SILICON CARBIDES; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; SORPTIVE
1841                  PROPERTIES; WAFERS; CARRIER DENSITY; CARRIER MOBILITY;
1842                  TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; CRYSTAL DEFECTS;
1843                  DISLOCATIONS; PHOTOLUMINESCENCE; VAPOR PHASE EPITAXY",
1844   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/56/1442/1",
1845   doi =          "10.1063/1.102492",
1846   notes =        "cvd of 6h-sic on 6h-sic",
1847 }
1848
1849 @Article{kong88_2,
1850   author =       "H. S. Kong and J. T. Glass and R. F. Davis",
1851   collaboration = "",
1852   title =        "Chemical vapor deposition and characterization of
1853                  6{H}-Si{C} thin films on off-axis 6{H}-Si{C}
1854                  substrates",
1855   publisher =    "AIP",
1856   year =         "1988",
1857   journal =      "Journal of Applied Physics",
1858   volume =       "64",
1859   number =       "5",
1860   pages =        "2672--2679",
1861   keywords =     "THIN FILMS; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; VAPOR DEPOSITED
1862                  COATINGS; SILICON CARBIDES; TRANSMISSION ELECTRON
1863                  MICROSCOPY; MONOCRYSTALS; MORPHOLOGY; CRYSTAL
1864                  STRUCTURE; CRYSTAL DEFECTS; CARRIER DENSITY; VAPOR
1865                  PHASE EPITAXY; CRYSTAL ORIENTATION",
1866   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/64/2672/1",
1867   doi =          "10.1063/1.341608",
1868 }
1869
1870 @Article{powell90,
1871   author =       "J. A. Powell and D. J. Larkin and L. G. Matus and W.
1872                  J. Choyke and J. L. Bradshaw and L. Henderson and M.
1873                  Yoganathan and J. Yang and P. Pirouz",
1874   collaboration = "",
1875   title =        "Growth of improved quality 3{C}-Si{C} films on
1876                  6{H}-Si{C} substrates",
1877   publisher =    "AIP",
1878   year =         "1990",
1879   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1880   volume =       "56",
1881   number =       "14",
1882   pages =        "1353--1355",
1883   keywords =     "SILICON CARBIDES; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; SORPTIVE
1884                  PROPERTIES; PHOTOLUMINESCENCE; TRANSMISSION ELECTRON
1885                  MICROSCOPY; DEFECT STRUCTURE; STACKING FAULTS; VAPOR
1886                  PHASE EPITAXY",
1887   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/56/1353/1",
1888   doi =          "10.1063/1.102512",
1889   notes =        "cvd of 3c-sic on 6h-sic",
1890 }
1891
1892 @Article{kong88,
1893   author =       "H. S. Kong and B. L. Jiang and J. T. Glass and G. A.
1894                  Rozgonyi and K. L. More",
1895   collaboration = "",
1896   title =        "An examination of double positioning boundaries and
1897                  interface misfit in beta-Si{C} films on alpha-Si{C}
1898                  substrates",
1899   publisher =    "AIP",
1900   year =         "1988",
1901   journal =      "Journal of Applied Physics",
1902   volume =       "63",
1903   number =       "8",
1904   pages =        "2645--2650",
1905   keywords =     "SILICON CARBIDES; INTERFACES; SILICON; STACKING
1906                  FAULTS; TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; EPITAXY; THIN
1907                  FILMS; OPTICAL MICROSCOPY; TOPOGRAPHY; NUCLEATION;
1908                  MORPHOLOGY; ROTATION; SURFACE STRUCTURE; INTERFACE
1909                  STRUCTURE; XRAY TOPOGRAPHY; EPITAXIAL LAYERS",
1910   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/63/2645/1",
1911   doi =          "10.1063/1.341004",
1912 }
1913
1914 @Article{powell91,
1915   author =       "J. A. Powell and J. B. Petit and J. H. Edgar and I. G.
1916                  Jenkins and L. G. Matus and J. W. Yang and P. Pirouz
1917                  and W. J. Choyke and L. Clemen and M. Yoganathan",
1918   collaboration = "",
1919   title =        "Controlled growth of 3{C}-Si{C} and 6{H}-Si{C} films
1920                  on low-tilt-angle vicinal (0001) 6{H}-Si{C} wafers",
1921   publisher =    "AIP",
1922   year =         "1991",
1923   journal =      "Applied Physics Letters",
1924   volume =       "59",
1925   number =       "3",
1926   pages =        "333--335",
1927   keywords =     "SILICON CARBIDES; SURFACE TREATMENTS; SORPTIVE
1928                  PROPERTIES; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; MATHEMATICAL
1929                  MODELS; CRYSTAL STRUCTURE; VERY HIGH TEMPERATURE",
1930   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/59/333/1",
1931   doi =          "10.1063/1.105587",
1932 }
1933
1934 @Article{yuan95,
1935   author =       "C. Yuan and A. J. Steckl and J. Chaudhuri and R.
1936                  Thokala and M. J. Loboda",
1937   collaboration = "",
1938   title =        "Reduced temperature growth of crystalline 3{C}-Si{C}
1939                  films on 6{H}-Si{C} by chemical vapor deposition from
1940                  silacyclobutane",
1941   publisher =    "AIP",
1942   year =         "1995",
1943   journal =      "J. Appl. Phys.",
1944   volume =       "78",
1945   number =       "2",
1946   pages =        "1271--1273",
1947   keywords =     "SILICON CARBIDES; THIN FILMS; CVD; EPITAXY; ABSORPTION
1948                  EDGE; CRYSTAL STRUCTURE; STRAINS; DISLOCATIONS; XRD;
1949                  SPECTROPHOTOMETRY",
1950   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/78/1271/1",
1951   doi =          "10.1063/1.360368",
1952   notes =        "3c-sic on 6h-sic, cvd, reduced temperature",
1953 }
1954
1955 @Article{kaneda87,
1956   title =        "{MBE} growth of 3{C}·Si{C}/6·Si{C} and the electric
1957                  properties of its p-n junction",
1958   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1959   volume =       "81",
1960   number =       "1-4",
1961   pages =        "536--542",
1962   year =         "1987",
1963   note =         "",
1964   ISSN =         "0022-0248",
1965   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(87)90449-0",
1966   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46X9W77-3F/2/864b2d86faa794252e1d1f16c99a9cf1",
1967   author =       "Shigeo Kaneda and Yoshiki Sakamoto and Tadashi Mihara
1968                  and Takao Tanaka",
1969   notes =        "first time ssmbe of 3c-sic on 6h-sic",
1970 }
1971
1972 @Article{fissel95,
1973   title =        "Epitaxial growth of Si{C} thin films on Si-stabilized
1974                  [alpha]-Si{C}(0001) at low temperatures by solid-source
1975                  molecular beam epitaxy",
1976   journal =      "J. Cryst. Growth",
1977   volume =       "154",
1978   number =       "1-2",
1979   pages =        "72--80",
1980   year =         "1995",
1981   ISSN =         "0022-0248",
1982   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(95)00170-0",
1983   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-3Y5MMXM-1N/2/65549019b878bf02d5ec645b7eea9e98",
1984   author =       "A. Fissel and U. Kaiser and E. Ducke and B.
1985                  Schr{\"{o}}ter and W. Richter",
1986   notes =        "solid source mbe of 3c-sic on si and 6h-sic",
1987 }
1988
1989 @Article{fissel95_apl,
1990   author =       "A. Fissel and B. Schr{\"{o}}ter and W. Richter",
1991   collaboration = "",
1992   title =        "Low-temperature growth of Si{C} thin films on Si and
1993                  6{H}--Si{C} by solid-source molecular beam epitaxy",
1994   publisher =    "AIP",
1995   year =         "1995",
1996   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1997   volume =       "66",
1998   number =       "23",
1999   pages =        "3182--3184",
2000   keywords =     "SILICON CARBIDES; MOLECULAR BEAM EPITAXY; MORPHOLOGY;
2001                  RHEED; NUCLEATION",
2002   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/66/3182/1",
2003   doi =          "10.1063/1.113716",
2004   notes =        "mbe 3c-sic on si and 6h-sic",
2005 }
2006
2007 @Article{fissel96,
2008   author =       "Andreas Fissel and Ute Kaiser and Kay Pfennighaus and
2009                  Bernd Schr{\"{o}}ter and Wolfgang Richter",
2010   collaboration = "",
2011   title =        "Growth of 6{H}--Si{C} on 6{H}--Si{C}(0001) by
2012                  migration enhanced epitaxy controlled to an atomic
2013                  level using surface superstructures",
2014   publisher =    "AIP",
2015   year =         "1996",
2016   journal =      "Applied Physics Letters",
2017   volume =       "68",
2018   number =       "9",
2019   pages =        "1204--1206",
2020   keywords =     "MICROSTRUCTURE; MOLECULAR BEAM EPITAXY; MORPHOLOGY;
2021                  NUCLEATION; SILICON CARBIDES; SURFACE RECONSTRUCTION;
2022                  SURFACE STRUCTURE",
2023   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/68/1204/1",
2024   doi =          "10.1063/1.115969",
2025   notes =        "ss mbe sic, superstructure, reconstruction",
2026 }
2027
2028 @Article{righi03,
2029   title =        "Ab initio Simulations of Homoepitaxial Si{C} Growth",
2030   author =       "M. C. Righi and C. A. Pignedoli and R. Di Felice and
2031                  C. M. Bertoni and A. Catellani",
2032   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2033   volume =       "91",
2034   number =       "13",
2035   pages =        "136101",
2036   numpages =     "4",
2037   year =         "2003",
2038   month =        sep,
2039   doi =          "10.1103/PhysRevLett.91.136101",
2040   publisher =    "American Physical Society",
2041   notes =        "dft calculations mbe sic growth",
2042 }
2043
2044 @Article{borders71,
2045   author =       "J. A. Borders and S. T. Picraux and W. Beezhold",
2046   collaboration = "",
2047   title =        "{FORMATION} {OF} Si{C} {IN} {SILICON} {BY} {ION}
2048                  {IMPLANTATION}",
2049   publisher =    "AIP",
2050   year =         "1971",
2051   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2052   volume =       "18",
2053   number =       "11",
2054   pages =        "509--511",
2055   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/18/509/1",
2056   doi =          "10.1063/1.1653516",
2057   notes =        "first time sic by ibs, follow cites for precipitation
2058                  ideas",
2059 }
2060
2061 @Article{edelman76,
2062   author =       "F. L. Edelman and O. N. Kuznetsov and L. V. Lezheiko
2063                  and E. V. Lubopytova",
2064   title =        "Formation of Si{C} and Si[sub 3]{N}[sub 4] in silicon
2065                  by ion implantation",
2066   publisher =    "Taylor \& Francis",
2067   year =         "1976",
2068   journal =      "Radiation Effects",
2069   volume =       "29",
2070   number =       "1",
2071   pages =        "13--15",
2072   URL =          "http://www.informaworld.com/10.1080/00337577608233477",
2073   notes =        "3c-sic for different temperatures, amorphous, poly,
2074                  single crystalline",
2075 }
2076
2077 @Article{akimchenko80,
2078   author =       "I. P. Akimchenko and K. V. Kisseleva and V. V. Krasnopevtsev and A. G. Touryanski and V. S. Vavilov",
2079   title =        "Structure and optical properties of silicon implanted by high doses of 70 and 310 keV carbon ions",
2080   publisher =    "Taylor \& Francis",
2081   year =         "1980",
2082   journal =      "Radiation Effects",
2083   volume =       "48",
2084   number =       "1",
2085   pages =        "7",
2086   URL =          "http://www.informaworld.com/10.1080/00337578008209220",
2087   notes =        "3c-sic nucleation by thermal spikes",
2088 }
2089
2090 @Article{martin90,
2091   author =       "P. Martin and B. Daudin and M. Dupuy and A. Ermolieff
2092                  and M. Olivier and A. M. Papon and G. Rolland",
2093   collaboration = "",
2094   title =        "High-temperature ion beam synthesis of cubic Si{C}",
2095   publisher =    "AIP",
2096   year =         "1990",
2097   journal =      "Journal of Applied Physics",
2098   volume =       "67",
2099   number =       "6",
2100   pages =        "2908--2912",
2101   keywords =     "SILICON CARBIDES; SYNTHESIS; CUBIC LATTICES; ION
2102                  IMPLANTATION; SILICON; SUBSTRATES; CARBON IONS;
2103                  TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; XRAY DIFFRACTION;
2104                  INFRARED SPECTRA; ABSORPTION SPECTROSCOPY; AUGER
2105                  ELECTRON SPECTROSCOPY; RBS; CHANNELING; NUCLEAR
2106                  REACTIONS; MONOCRYSTALS",
2107   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/67/2908/1",
2108   doi =          "10.1063/1.346092",
2109   notes =        "triple energy implantation to overcome high annealing
2110                  temepratures",
2111 }
2112
2113 @Article{reeson87,
2114   author =       "K. J. Reeson and P. L. F. Hemment and J. Stoemenos and
2115                  J. Davis and G. E. Celler",
2116   collaboration = "",
2117   title =        "Formation of buried layers of beta-Si{C} using ion
2118                  beam synthesis and incoherent lamp annealing",
2119   publisher =    "AIP",
2120   year =         "1987",
2121   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2122   volume =       "51",
2123   number =       "26",
2124   pages =        "2242--2244",
2125   keywords =     "SILICON CARBIDES; FILM GROWTH; SOLIDPHASE EPITAXY; ION
2126                  IMPLANTATION; CARBON IONS; DOPING PROFILES; SYNTHESIS",
2127   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/51/2242/1",
2128   doi =          "10.1063/1.98953",
2129   notes =        "nice tem images, sic by ibs",
2130 }
2131
2132 @Article{scace59,
2133   author =       "R. I. Scace and G. A. Slack",
2134   collaboration = "",
2135   title =        "Solubility of Carbon in Silicon and Germanium",
2136   publisher =    "AIP",
2137   year =         "1959",
2138   journal =      "J. Chem. Phys.",
2139   volume =       "30",
2140   number =       "6",
2141   pages =        "1551--1555",
2142   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/30/1551/1",
2143   doi =          "10.1063/1.1730236",
2144   notes =        "solubility of c in c-si, si-c phase diagram",
2145 }
2146
2147 @Article{cowern96,
2148   author =       "N. E. B. Cowern and A. Cacciato and J. S. Custer and
2149                  F. W. Saris and W. Vandervorst",
2150   collaboration = "",
2151   title =        "Role of {C} and {B} clusters in transient diffusion of
2152                  {B} in silicon",
2153   publisher =    "AIP",
2154   year =         "1996",
2155   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2156   volume =       "68",
2157   number =       "8",
2158   pages =        "1150--1152",
2159   keywords =     "ATOMIC CLUSTERS; BORON ADDITIONS; CRYSTAL DOPING;
2160                  DIFFUSION; DOPED MATERIALS; IMPURITIES; INTERSTITIALS;
2161                  SILICON",
2162   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/68/1150/1",
2163   doi =          "10.1063/1.115706",
2164   notes =        "suppression of transient enhanced diffusion (ted)",
2165 }
2166
2167 @Article{stolk95,
2168   title =        "Implantation and transient boron diffusion: the role
2169                  of the silicon self-interstitial",
2170   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
2171   volume =       "96",
2172   number =       "1-2",
2173   pages =        "187--195",
2174   year =         "1995",
2175   note =         "Selected Papers of the Tenth International Conference
2176                  on Ion Implantation Technology (IIT '94)",
2177   ISSN =         "0168-583X",
2178   doi =          "DOI: 10.1016/0168-583X(94)00481-1",
2179   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-40WKY1P-29/2/602c6e5b809221323d2d2968edd0a71c",
2180   author =       "P. A. Stolk and H. -J. Gossmann and D. J. Eaglesham
2181                  and J. M. Poate",
2182 }
2183
2184 @Article{stolk97,
2185   author =       "P. A. Stolk and H.-J. Gossmann and D. J. Eaglesham and
2186                  D. C. Jacobson and C. S. Rafferty and G. H. Gilmer and
2187                  M. Jara\'{\i}z and J. M. Poate and H. S. Luftman and T.
2188                  E. Haynes",
2189   collaboration = "",
2190   title =        "Physical mechanisms of transient enhanced dopant
2191                  diffusion in ion-implanted silicon",
2192   publisher =    "AIP",
2193   year =         "1997",
2194   journal =      "J. Appl. Phys.",
2195   volume =       "81",
2196   number =       "9",
2197   pages =        "6031--6050",
2198   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/81/6031/1",
2199   doi =          "10.1063/1.364452",
2200   notes =        "ted, transient enhanced diffusion, c silicon trap",
2201 }
2202
2203 @Article{powell94,
2204   author =       "A. R. Powell and F. K. LeGoues and S. S. Iyer",
2205   collaboration = "",
2206   title =        "Formation of beta-Si{C} nanocrystals by the relaxation
2207                  of Si[sub 1 - y]{C}[sub y] random alloy layers",
2208   publisher =    "AIP",
2209   year =         "1994",
2210   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2211   volume =       "64",
2212   number =       "3",
2213   pages =        "324--326",
2214   keywords =     "SILICON CARBIDES; NANOSTRUCTURES; DISPERSIONS;
2215                  EPITAXIAL LAYERS; STRESS RELAXATION; ANNEALING;
2216                  TEMPERATURE EFFECTS; PRECIPITATION; DISLOCATIONS;
2217                  SYNTHESIS",
2218   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/64/324/1",
2219   doi =          "10.1063/1.111195",
2220   notes =        "beta sic nano crystals in si, mbe, annealing",
2221 }
2222
2223 @Article{soref91,
2224   author =       "Richard A. Soref",
2225   collaboration = "",
2226   title =        "Optical band gap of the ternary semiconductor Si[sub 1
2227                  - x - y]Ge[sub x]{C}[sub y]",
2228   publisher =    "AIP",
2229   year =         "1991",
2230   journal =      "J. Appl. Phys.",
2231   volume =       "70",
2232   number =       "4",
2233   pages =        "2470--2472",
2234   keywords =     "SILICON CARBIDES; GERMANIUM CARBIDES; ENERGY GAP;
2235                  OPTICAL PROPERTIES; DIAMONDS; SEMICONDUCTOR ALLOYS;
2236                  TERNARY ALLOYS",
2237   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/70/2470/1",
2238   doi =          "10.1063/1.349403",
2239   notes =        "band gap of strained si by c",
2240 }
2241
2242 @Article{kasper91,
2243   author =       "E Kasper",
2244   title =        "Superlattices of group {IV} elements, a new
2245                  possibility to produce direct band gap material",
2246   journal =      "Physica Scripta",
2247   volume =       "T35",
2248   pages =        "232--236",
2249   URL =          "http://stacks.iop.org/1402-4896/T35/232",
2250   year =         "1991",
2251   notes =        "superlattices, convert indirect band gap into a
2252                  quasi-direct one",
2253 }
2254
2255 @Article{osten99,
2256   author =       "H. J. Osten and J. Griesche and S. Scalese",
2257   collaboration = "",
2258   title =        "Substitutional carbon incorporation in epitaxial
2259                  Si[sub 1 - y]{C}[sub y] alloys on Si(001) grown by
2260                  molecular beam epitaxy",
2261   publisher =    "AIP",
2262   year =         "1999",
2263   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2264   volume =       "74",
2265   number =       "6",
2266   pages =        "836--838",
2267   keywords =     "molecular beam epitaxial growth; semiconductor growth;
2268                  wide band gap semiconductors; interstitials; silicon
2269                  compounds",
2270   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/74/836/1",
2271   doi =          "10.1063/1.123384",
2272   notes =        "substitutional c in si",
2273 }
2274
2275 @Article{hohenberg64,
2276   title =        "Inhomogeneous Electron Gas",
2277   author =       "P. Hohenberg and W. Kohn",
2278   journal =      "Phys. Rev.",
2279   volume =       "136",
2280   number =       "3B",
2281   pages =        "B864--B871",
2282   numpages =     "7",
2283   year =         "1964",
2284   month =        nov,
2285   doi =          "10.1103/PhysRev.136.B864",
2286   publisher =    "American Physical Society",
2287   notes =        "density functional theory, dft",
2288 }
2289
2290 @Article{kohn65,
2291   title =        "Self-Consistent Equations Including Exchange and
2292                  Correlation Effects",
2293   author =       "W. Kohn and L. J. Sham",
2294   journal =      "Phys. Rev.",
2295   volume =       "140",
2296   number =       "4A",
2297   pages =        "A1133--A1138",
2298   numpages =     "5",
2299   year =         "1965",
2300   month =        nov,
2301   doi =          "10.1103/PhysRev.140.A1133",
2302   publisher =    "American Physical Society",
2303   notes =        "dft, exchange and correlation",
2304 }
2305
2306 @Article{ruecker94,
2307   title =        "Strain-stabilized highly concentrated pseudomorphic
2308                  $Si1-x$$Cx$ layers in Si",
2309   author =       "H. R{\"u}cker and M. Methfessel and E. Bugiel and H.
2310                  J. Osten",
2311   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2312   volume =       "72",
2313   number =       "22",
2314   pages =        "3578--3581",
2315   numpages =     "3",
2316   year =         "1994",
2317   month =        may,
2318   doi =          "10.1103/PhysRevLett.72.3578",
2319   publisher =    "American Physical Society",
2320   notes =        "high c concentration in si, heterostructure, strained
2321                  si, dft",
2322 }
2323
2324 @Article{chang05,
2325   title =        "Electron Transport Model for Strained Silicon-Carbon
2326                  Alloy",
2327   author =       "Shu-Tong Chang and Chung-Yi Lin",
2328   journal =      "Japanese J. Appl. Phys.",
2329   volume =       "44",
2330   number =       "4B",
2331   pages =        "2257--2262",
2332   numpages =     "5",
2333   year =         "2005",
2334   URL =          "http://jjap.ipap.jp/link?JJAP/44/2257/",
2335   doi =          "10.1143/JJAP.44.2257",
2336   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
2337   notes =        "enhance of electron mobility in starined si",
2338 }
2339
2340 @Article{osten97,
2341   author =       "H. J. Osten and P. Gaworzewski",
2342   collaboration = "",
2343   title =        "Charge transport in strained Si[sub 1 - y]{C}[sub y]
2344                  and Si[sub 1 - x - y]Ge[sub x]{C}[sub y] alloys on
2345                  Si(001)",
2346   publisher =    "AIP",
2347   year =         "1997",
2348   journal =      "J. Appl. Phys.",
2349   volume =       "82",
2350   number =       "10",
2351   pages =        "4977--4981",
2352   keywords =     "silicon compounds; Ge-Si alloys; wide band gap
2353                  semiconductors; semiconductor epitaxial layers; carrier
2354                  density; Hall mobility; interstitials; defect states",
2355   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/82/4977/1",
2356   doi =          "10.1063/1.366364",
2357   notes =        "charge transport in strained si",
2358 }
2359
2360 @Article{kapur04,
2361   title =        "Carbon-mediated aggregation of self-interstitials in
2362                  silicon: {A} large-scale molecular dynamics study",
2363   author =       "Sumeet S. Kapur and Manish Prasad and Talid Sinno",
2364   journal =      "Phys. Rev. B",
2365   volume =       "69",
2366   number =       "15",
2367   pages =        "155214",
2368   numpages =     "8",
2369   year =         "2004",
2370   month =        apr,
2371   doi =          "10.1103/PhysRevB.69.155214",
2372   publisher =    "American Physical Society",
2373   notes =        "simulation using promising tersoff reparametrization",
2374 }
2375
2376 @Article{barkema96,
2377   title =        "Event-Based Relaxation of Continuous Disordered
2378                  Systems",
2379   author =       "G. T. Barkema and Normand Mousseau",
2380   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2381   volume =       "77",
2382   number =       "21",
2383   pages =        "4358--4361",
2384   numpages =     "3",
2385   year =         "1996",
2386   month =        nov,
2387   doi =          "10.1103/PhysRevLett.77.4358",
2388   publisher =    "American Physical Society",
2389   notes =        "activation relaxation technique, art, speed up slow
2390                  dynamic mds",
2391 }
2392
2393 @Article{cances09,
2394   author =       "E. Canc\`{e}s and F. Legoll and M.-C. Marinica and K.
2395                  Minoukadeh and F. Willaime",
2396   collaboration = "",
2397   title =        "Some improvements of the activation-relaxation
2398                  technique method for finding transition pathways on
2399                  potential energy surfaces",
2400   publisher =    "AIP",
2401   year =         "2009",
2402   journal =      "J. Chem. Phys.",
2403   volume =       "130",
2404   number =       "11",
2405   eid =          "114711",
2406   numpages =     "6",
2407   pages =        "114711",
2408   keywords =     "eigenvalues and eigenfunctions; iron; potential energy
2409                  surfaces; vacancies (crystal)",
2410   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/130/114711/1",
2411   doi =          "10.1063/1.3088532",
2412   notes =        "improvements to art, refs for methods to find
2413                  transition pathways",
2414 }
2415
2416 @Article{parrinello81,
2417   author =       "M. Parrinello and A. Rahman",
2418   collaboration = "",
2419   title =        "Polymorphic transitions in single crystals: {A} new
2420                  molecular dynamics method",
2421   publisher =    "AIP",
2422   year =         "1981",
2423   journal =      "J. Appl. Phys.",
2424   volume =       "52",
2425   number =       "12",
2426   pages =        "7182--7190",
2427   keywords =     "MONOCRYSTALS; PHASE TRANSFORMATIONS; STRUCTURAL
2428                  MODELS; DYNAMICS; THEORETICAL DATA; STRESSES;
2429                  CONFIGURATION; LAGRANGE EQUATIONS; SIZE; NICKEL;
2430                  COMPRESSION; TENSILE PROPERTIES; COMPARATIVE
2431                  EVALUATIONS; STRAINS; CUBIC LATTICES; HCP LATTICES;
2432                  IMPACT SHOCK",
2433   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/52/7182/1",
2434   doi =          "10.1063/1.328693",
2435 }
2436
2437 @Article{stillinger85,
2438   title =        "Computer simulation of local order in condensed phases
2439                  of silicon",
2440   author =       "Frank H. Stillinger and Thomas A. Weber",
2441   journal =      "Phys. Rev. B",
2442   volume =       "31",
2443   number =       "8",
2444   pages =        "5262--5271",
2445   numpages =     "9",
2446   year =         "1985",
2447   month =        apr,
2448   doi =          "10.1103/PhysRevB.31.5262",
2449   publisher =    "American Physical Society",
2450 }
2451
2452 @Article{brenner90,
2453   title =        "Empirical potential for hydrocarbons for use in
2454                  simulating the chemical vapor deposition of diamond
2455                  films",
2456   author =       "Donald W. Brenner",
2457   journal =      "Phys. Rev. B",
2458   volume =       "42",
2459   number =       "15",
2460   pages =        "9458--9471",
2461   numpages =     "13",
2462   year =         "1990",
2463   month =        nov,
2464   doi =          "10.1103/PhysRevB.42.9458",
2465   publisher =    "American Physical Society",
2466   notes =        "brenner hydro carbons",
2467 }
2468
2469 @Article{bazant96,
2470   title =        "Modeling of Covalent Bonding in Solids by Inversion of
2471                  Cohesive Energy Curves",
2472   author =       "Martin Z. Bazant and Efthimios Kaxiras",
2473   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2474   volume =       "77",
2475   number =       "21",
2476   pages =        "4370--4373",
2477   numpages =     "3",
2478   year =         "1996",
2479   month =        nov,
2480   doi =          "10.1103/PhysRevLett.77.4370",
2481   publisher =    "American Physical Society",
2482   notes =        "first si edip",
2483 }
2484
2485 @Article{bazant97,
2486   title =        "Environment-dependent interatomic potential for bulk
2487                  silicon",
2488   author =       "Martin Z. Bazant and Efthimios Kaxiras and J. F.
2489                  Justo",
2490   journal =      "Phys. Rev. B",
2491   volume =       "56",
2492   number =       "14",
2493   pages =        "8542--8552",
2494   numpages =     "10",
2495   year =         "1997",
2496   month =        oct,
2497   doi =          "10.1103/PhysRevB.56.8542",
2498   publisher =    "American Physical Society",
2499   notes =        "second si edip",
2500 }
2501
2502 @Article{justo98,
2503   title =        "Interatomic potential for silicon defects and
2504                  disordered phases",
2505   author =       "Jo\tilde{a}o F. Justo and Martin Z. Bazant and
2506                  Efthimios Kaxiras and V. V. Bulatov and Sidney Yip",
2507   journal =      "Phys. Rev. B",
2508   volume =       "58",
2509   number =       "5",
2510   pages =        "2539--2550",
2511   numpages =     "11",
2512   year =         "1998",
2513   month =        aug,
2514   doi =          "10.1103/PhysRevB.58.2539",
2515   publisher =    "American Physical Society",
2516   notes =        "latest si edip, good dislocation explanation",
2517 }
2518
2519 @Article{parcas_md,
2520   title =        "{PARCAS} molecular dynamics code",
2521   author =       "K. Nordlund",
2522   year =         "2008",
2523 }
2524
2525 @Article{voter97,
2526   title =        "Hyperdynamics: Accelerated Molecular Dynamics of
2527                  Infrequent Events",
2528   author =       "Arthur F. Voter",
2529   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2530   volume =       "78",
2531   number =       "20",
2532   pages =        "3908--3911",
2533   numpages =     "3",
2534   year =         "1997",
2535   month =        may,
2536   doi =          "10.1103/PhysRevLett.78.3908",
2537   publisher =    "American Physical Society",
2538   notes =        "hyperdynamics, accelerated md",
2539 }
2540
2541 @Article{voter97_2,
2542   author =       "Arthur F. Voter",
2543   collaboration = "",
2544   title =        "A method for accelerating the molecular dynamics
2545                  simulation of infrequent events",
2546   publisher =    "AIP",
2547   year =         "1997",
2548   journal =      "J. Chem. Phys.",
2549   volume =       "106",
2550   number =       "11",
2551   pages =        "4665--4677",
2552   keywords =     "COMPUTERIZED SIMULATION; NICKEL; DIFFUSION; ATOM
2553                  TRANSPORT; MOLECULAR ORBITAL METHOD; POTENTIAL ENERGY;
2554                  SURFACE POTENTIAL; MOLECULAR DYNAMICS METHOD; potential
2555                  energy functions; surface diffusion; reaction kinetics
2556                  theory; potential energy surfaces",
2557   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/106/4665/1",
2558   doi =          "10.1063/1.473503",
2559   notes =        "improved hyperdynamics md",
2560 }
2561
2562 @Article{sorensen2000,
2563   author =       "Mads R. S{\o }rensen and Arthur F. Voter",
2564   collaboration = "",
2565   title =        "Temperature-accelerated dynamics for simulation of
2566                  infrequent events",
2567   publisher =    "AIP",
2568   year =         "2000",
2569   journal =      "J. Chem. Phys.",
2570   volume =       "112",
2571   number =       "21",
2572   pages =        "9599--9606",
2573   keywords =     "SOLID STATE PHYSICS; SIMULATION; DIFFUSION; SURFACES;
2574                  MOLECULAR DYNAMICS METHOD; surface diffusion",
2575   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/112/9599/1",
2576   doi =          "10.1063/1.481576",
2577   notes =        "temperature accelerated dynamics, tad",
2578 }
2579
2580 @Article{voter98,
2581   title =        "Parallel replica method for dynamics of infrequent
2582                  events",
2583   author =       "Arthur F. Voter",
2584   journal =      "Phys. Rev. B",
2585   volume =       "57",
2586   number =       "22",
2587   pages =        "R13985--R13988",
2588   numpages =     "3",
2589   year =         "1998",
2590   month =        jun,
2591   doi =          "10.1103/PhysRevB.57.R13985",
2592   publisher =    "American Physical Society",
2593   notes =        "parallel replica method, accelerated md",
2594 }
2595
2596 @Article{wu99,
2597   author =       "Xiongwu Wu and Shaomeng Wang",
2598   collaboration = "",
2599   title =        "Enhancing systematic motion in molecular dynamics
2600                  simulation",
2601   publisher =    "AIP",
2602   year =         "1999",
2603   journal =      "J. Chem. Phys.",
2604   volume =       "110",
2605   number =       "19",
2606   pages =        "9401--9410",
2607   keywords =     "molecular dynamics method; argon; Lennard-Jones
2608                  potential; crystallisation; liquid theory",
2609   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/110/9401/1",
2610   doi =          "10.1063/1.478948",
2611   notes =        "self guided md, sgmd, accelerated md, enhancing
2612                  systematic motion",
2613 }
2614
2615 @Article{choudhary05,
2616   author =       "Devashish Choudhary and Paulette Clancy",
2617   collaboration = "",
2618   title =        "Application of accelerated molecular dynamics schemes
2619                  to the production of amorphous silicon",
2620   publisher =    "AIP",
2621   year =         "2005",
2622   journal =      "J. Chem. Phys.",
2623   volume =       "122",
2624   number =       "15",
2625   eid =          "154509",
2626   numpages =     "8",
2627   pages =        "154509",
2628   keywords =     "molecular dynamics method; silicon; glass structure;
2629                  amorphous semiconductors",
2630   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/122/154509/1",
2631   doi =          "10.1063/1.1878733",
2632   notes =        "explanation of sgmd and hyper md, applied to amorphous
2633                  silicon",
2634 }
2635
2636 @Article{taylor93,
2637   author =       "W. J. Taylor and T. Y. Tan and U. G{\"{o}}sele",
2638   collaboration = "",
2639   title =        "Carbon precipitation in silicon: Why is it so
2640                  difficult?",
2641   publisher =    "AIP",
2642   year =         "1993",
2643   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2644   volume =       "62",
2645   number =       "25",
2646   pages =        "3336--3338",
2647   keywords =     "SILICON; CARBON ADDITIONS; OXYGEN ADDITIONS; DOPED
2648                  MATERIALS; PRECIPITATION; THERMODYNAMICS; SURFACE
2649                  ENERGY",
2650   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/62/3336/1",
2651   doi =          "10.1063/1.109063",
2652   notes =        "interfacial energy of cubic sic and si, si self
2653                  interstitials necessary for precipitation, volume
2654                  decrease, high interface energy",
2655 }
2656
2657 @Article{chaussende08,
2658   title =        "Prospects for 3{C}-Si{C} bulk crystal growth",
2659   journal =      "J. Cryst. Growth",
2660   volume =       "310",
2661   number =       "5",
2662   pages =        "976--981",
2663   year =         "2008",
2664   note =         "Proceedings of the E-MRS Conference, Symposium G -
2665                  Substrates of Wide Bandgap Materials",
2666   ISSN =         "0022-0248",
2667   doi =          "DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2007.11.140",
2668   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-4R7J67S-F/2/e92fc194b652409f5b119393d608b082",
2669   author =       "D. Chaussende and F. Mercier and A. Boulle and F.
2670                  Conchon and M. Soueidan and G. Ferro and A. Mantzari
2671                  and A. Andreadou and E. K. Polychroniadis and C.
2672                  Balloud and S. Juillaguet and J. Camassel and M. Pons",
2673   notes =        "3c-sic crystal growth, sic fabrication + links,
2674                  metastable",
2675 }
2676
2677 @Article{chaussende07,
2678   author =       "D. Chaussende and P. J. Wellmann and M. Pons",
2679   title =        "Status of Si{C} bulk growth processes",
2680   journal =      "Journal of Physics D: Applied Physics",
2681   volume =       "40",
2682   number =       "20",
2683   pages =        "6150",
2684   URL =          "http://stacks.iop.org/0022-3727/40/i=20/a=S02",
2685   year =         "2007",
2686   notes =        "review of sic single crystal growth methods, process
2687                  modelling",
2688 }
2689
2690 @Article{feynman39,
2691   title =        "Forces in Molecules",
2692   author =       "R. P. Feynman",
2693   journal =      "Phys. Rev.",
2694   volume =       "56",
2695   number =       "4",
2696   pages =        "340--343",
2697   numpages =     "3",
2698   year =         "1939",
2699   month =        aug,
2700   doi =          "10.1103/PhysRev.56.340",
2701   publisher =    "American Physical Society",
2702   notes =        "hellmann feynman forces",
2703 }
2704
2705 @Article{buczko00,
2706   title =        "Bonding Arrangements at the $Si-Si{O}_{2}$ and
2707                  $Si{C}-Si{O}_{2}$ Interfaces and a Possible Origin of
2708                  their Contrasting Properties",
2709   author =       "Ryszard Buczko and Stephen J. Pennycook and Sokrates
2710                  T. Pantelides",
2711   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2712   volume =       "84",
2713   number =       "5",
2714   pages =        "943--946",
2715   numpages =     "3",
2716   year =         "2000",
2717   month =        jan,
2718   doi =          "10.1103/PhysRevLett.84.943",
2719   publisher =    "American Physical Society",
2720   notes =        "si sio2 and sic sio2 interface",
2721 }
2722
2723 @Article{djurabekova08,
2724   title =        "Atomistic simulation of the interface structure of Si
2725                  nanocrystals embedded in amorphous silica",
2726   author =       "Flyura Djurabekova and Kai Nordlund",
2727   journal =      "Phys. Rev. B",
2728   volume =       "77",
2729   number =       "11",
2730   pages =        "115325",
2731   numpages =     "7",
2732   year =         "2008",
2733   month =        mar,
2734   doi =          "10.1103/PhysRevB.77.115325",
2735   publisher =    "American Physical Society",
2736   notes =        "nc-si in sio2, interface energy, nc construction,
2737                  angular distribution, coordination",
2738 }
2739
2740 @Article{wen09,
2741   author =       "C. Wen and Y. M. Wang and W. Wan and F. H. Li and J.
2742                  W. Liang and J. Zou",
2743   collaboration = "",
2744   title =        "Nature of interfacial defects and their roles in
2745                  strain relaxation at highly lattice mismatched
2746                  3{C}-Si{C}/Si (001) interface",
2747   publisher =    "AIP",
2748   year =         "2009",
2749   journal =      "J. Appl. Phys.",
2750   volume =       "106",
2751   number =       "7",
2752   eid =          "073522",
2753   numpages =     "8",
2754   pages =        "073522",
2755   keywords =     "anelastic relaxation; crystal structure; dislocations;
2756                  elemental semiconductors; semiconductor growth;
2757                  semiconductor thin films; silicon; silicon compounds;
2758                  stacking faults; wide band gap semiconductors",
2759   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/106/073522/1",
2760   doi =          "10.1063/1.3234380",
2761   notes =        "sic/si interface, follow refs, tem image
2762                  deconvolution, dislocation defects",
2763 }
2764
2765 @Article{kitabatake93,
2766   author =       "Makoto Kitabatake and Masahiro Deguchi and Takashi
2767                  Hirao",
2768   collaboration = "",
2769   title =        "Simulations and experiments of Si{C} heteroepitaxial
2770                  growth on Si(001) surface",
2771   publisher =    "AIP",
2772   year =         "1993",
2773   journal =      "J. Appl. Phys.",
2774   volume =       "74",
2775   number =       "7",
2776   pages =        "4438--4445",
2777   keywords =     "SILICON CARBIDES; FILM GROWTH; SIMULATION; MOLECULAR
2778                  BEAM EPITAXY; MOLECULAR DYNAMICS CALCULATIONS; SILICON;
2779                  MICROSTRUCTURE; ULTRAVIOLET RADIATION; IRRADIATION",
2780   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/74/4438/1",
2781   doi =          "10.1063/1.354385",
2782   notes =        "mbe and md of sic growth on si, 4 to 5 shrinkage
2783                  model, interface",
2784 }
2785
2786 @Article{kitabatake97,
2787   author =       "Makoto Kitabatake",
2788   title =        "Simulations and Experiments of 3{C}-Si{C}/Si
2789                  Heteroepitaxial Growth",
2790   publisher =    "WILEY-VCH Verlag",
2791   year =         "1997",
2792   journal =      "physica status solidi (b)",
2793   volume =       "202",
2794   pages =        "405--420",
2795   URL =          "http://dx.doi.org/10.1002/1521-3951(199707)202:1<405::AID-PSSB405>3.0.CO;2-5",
2796   doi =          "10.1002/1521-3951(199707)202:1<405::AID-PSSB405>3.0.CO;2-5",
2797   notes =        "3c-sic heteroepitaxial growth on si off-axis model",
2798 }
2799
2800 @Article{chirita97,
2801   title =        "Strain relaxation and thermal stability of the
2802                  3{C}-Si{C}(001)/Si(001) interface: {A} molecular
2803                  dynamics study",
2804   journal =      "Thin Solid Films",
2805   volume =       "294",
2806   number =       "1-2",
2807   pages =        "47--49",
2808   year =         "1997",
2809   note =         "",
2810   ISSN =         "0040-6090",
2811   doi =          "DOI: 10.1016/S0040-6090(96)09257-7",
2812   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TW0-41WBB52-C/2/6ef684a04d02dd3b108f972377cde8f4",
2813   author =       "V. Chirita and L. Hultman and L. R. Wallenberg",
2814   keywords =     "Strain relaxation",
2815   keywords =     "Interfaces",
2816   keywords =     "Thermal stability",
2817   keywords =     "Molecular dynamics",
2818   notes =        "tersoff sic/si interface study",
2819 }
2820
2821 @Article{cicero02,
2822   title =        "Ab initio Study of Misfit Dislocations at the
2823                  $Si{C}/Si(001)$ Interface",
2824   author =       "Giancarlo Cicero and Laurent Pizzagalli and Alessandra
2825                  Catellani",
2826   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2827   volume =       "89",
2828   number =       "15",
2829   pages =        "156101",
2830   numpages =     "4",
2831   year =         "2002",
2832   month =        sep,
2833   doi =          "10.1103/PhysRevLett.89.156101",
2834   publisher =    "American Physical Society",
2835   notes =        "sic/si interface study",
2836 }
2837
2838 @Article{pizzagalli03,
2839   title =        "Theoretical investigations of a highly mismatched
2840                  interface: Si{C}/Si(001)",
2841   author =       "Laurent Pizzagalli and Giancarlo Cicero and Alessandra
2842                  Catellani",
2843   journal =      "Phys. Rev. B",
2844   volume =       "68",
2845   number =       "19",
2846   pages =        "195302",
2847   numpages =     "10",
2848   year =         "2003",
2849   month =        nov,
2850   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.195302",
2851   publisher =    "American Physical Society",
2852   notes =        "tersoff md and ab initio sic/si interface study",
2853 }
2854
2855 @Article{tang07,
2856   title =        "Atomic configurations of dislocation core and twin
2857                  boundaries in $ 3{C}-Si{C} $ studied by high-resolution
2858                  electron microscopy",
2859   author =       "C. Y. Tang and F. H. Li and R. Wang and J. Zou and X.
2860                  H. Zheng and J. W. Liang",
2861   journal =      "Phys. Rev. B",
2862   volume =       "75",
2863   number =       "18",
2864   pages =        "184103",
2865   numpages =     "7",
2866   year =         "2007",
2867   month =        may,
2868   doi =          "10.1103/PhysRevB.75.184103",
2869   publisher =    "American Physical Society",
2870   notes =        "hrem image deconvolution on 3c-sic on si, distinguish
2871                  si and c",
2872 }
2873
2874 @Article{hornstra58,
2875   title =        "Dislocations in the diamond lattice",
2876   journal =      "Journal of Physics and Chemistry of Solids",
2877   volume =       "5",
2878   number =       "1-2",
2879   pages =        "129--141",
2880   year =         "1958",
2881   note =         "",
2882   ISSN =         "0022-3697",
2883   doi =          "DOI: 10.1016/0022-3697(58)90138-0",
2884   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXR-46MMPHJ-10D/2/7176c01c29cd4e73faa26ab2aacdcea5",
2885   author =       "J. Hornstra",
2886   notes =        "dislocations in diamond lattice",
2887 }
2888
2889 @Article{deguchi92,
2890   title =        "Synthesis of $\beta$-Si{C} Layer in Silicon by Carbon
2891                  Ion `Hot' Implantation",
2892   author =       "Masahiro Deguchi and Makoto Kitabatake and Takashi
2893                  Hirao and Naoki Arai and Tomio Izumi",
2894   journal =      "Japanese Journal of Applied Physics",
2895   volume =       "31",
2896   number =       "Part 1, No. 2A",
2897   pages =        "343--347",
2898   numpages =     "4",
2899   year =         "1992",
2900   URL =          "http://jjap.ipap.jp/link?JJAP/31/343/",
2901   doi =          "10.1143/JJAP.31.343",
2902   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
2903   notes =        "c-c bonds in c implanted si, hot implantation
2904                  efficiency, c-c hard to break by thermal annealing",
2905 }
2906
2907 @Article{eichhorn99,
2908   author =       "F. Eichhorn and N. Schell and W. Matz and R.
2909                  K{\"{o}}gler",
2910   collaboration = "",
2911   title =        "Strain and Si{C} particle formation in silicon
2912                  implanted with carbon ions of medium fluence studied by
2913                  synchrotron x-ray diffraction",
2914   publisher =    "AIP",
2915   year =         "1999",
2916   journal =      "J. Appl. Phys.",
2917   volume =       "86",
2918   number =       "8",
2919   pages =        "4184--4187",
2920   keywords =     "silicon; carbon; elemental semiconductors; chemical
2921                  interdiffusion; ion implantation; X-ray diffraction;
2922                  precipitation; semiconductor doping",
2923   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/86/4184/1",
2924   doi =          "10.1063/1.371344",
2925   notes =        "sic conversion by ibs, detected substitutional carbon,
2926                  expansion of si lattice",
2927 }
2928
2929 @Article{eichhorn02,
2930   author =       "F. Eichhorn and N. Schell and A. M{\"{u}}cklich and H.
2931                  Metzger and W. Matz and R. K{\"{o}}gler",
2932   collaboration = "",
2933   title =        "Structural relation between Si and Si{C} formed by
2934                  carbon ion implantation",
2935   publisher =    "AIP",
2936   year =         "2002",
2937   journal =      "J. Appl. Phys.",
2938   volume =       "91",
2939   number =       "3",
2940   pages =        "1287--1292",
2941   keywords =     "silicon compounds; wide band gap semiconductors; ion
2942                  implantation; annealing; X-ray scattering; transmission
2943                  electron microscopy",
2944   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/91/1287/1",
2945   doi =          "10.1063/1.1428105",
2946   notes =        "3c-sic alignement to si host in ibs depending on
2947                  temperature, might explain c into c sub trafo",
2948 }
2949
2950 @Article{lucas10,
2951   author =       "G Lucas and M Bertolus and L Pizzagalli",
2952   title =        "An environment-dependent interatomic potential for
2953                  silicon carbide: calculation of bulk properties,
2954                  high-pressure phases, point and extended defects, and
2955                  amorphous structures",
2956   journal =      "J. Phys.: Condens. Matter",
2957   volume =       "22",
2958   number =       "3",
2959   pages =        "035802",
2960   URL =          "http://stacks.iop.org/0953-8984/22/i=3/a=035802",
2961   year =         "2010",
2962   notes =        "edip sic",
2963 }
2964
2965 @Article{godet03,
2966   author =       "J Godet and L Pizzagalli and S Brochard and P
2967                  Beauchamp",
2968   title =        "Comparison between classical potentials and ab initio
2969                  methods for silicon under large shear",
2970   journal =      "J. Phys.: Condens. Matter",
2971   volume =       "15",
2972   number =       "41",
2973   pages =        "6943",
2974   URL =          "http://stacks.iop.org/0953-8984/15/i=41/a=004",
2975   year =         "2003",
2976   notes =        "comparison of empirical potentials, stillinger weber,
2977                  edip, tersoff, ab initio",
2978 }
2979
2980 @Article{moriguchi98,
2981   title =        "Verification of Tersoff's Potential for Static
2982                  Structural Analysis of Solids of Group-{IV} Elements",
2983   author =       "Koji Moriguchi and Akira Shintani",
2984   journal =      "Japanese J. Appl. Phys.",
2985   volume =       "37",
2986   number =       "Part 1, No. 2",
2987   pages =        "414--422",
2988   numpages =     "8",
2989   year =         "1998",
2990   URL =          "http://jjap.ipap.jp/link?JJAP/37/414/",
2991   doi =          "10.1143/JJAP.37.414",
2992   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
2993   notes =        "tersoff stringent test",
2994 }
2995
2996 @Article{mazzarolo01,
2997   title =        "Low-energy recoils in crystalline silicon: Quantum
2998                  simulations",
2999   author =       "Massimiliano Mazzarolo and Luciano Colombo and Giorgio
3000                  Lulli and Eros Albertazzi",
3001   journal =      "Phys. Rev. B",
3002   volume =       "63",
3003   number =       "19",
3004   pages =        "195207",
3005   numpages =     "4",
3006   year =         "2001",
3007   month =        apr,
3008   doi =          "10.1103/PhysRevB.63.195207",
3009   publisher =    "American Physical Society",
3010 }
3011
3012 @Article{holmstroem08,
3013   title =        "Threshold defect production in silicon determined by
3014                  density functional theory molecular dynamics
3015                  simulations",
3016   author =       "E. Holmstr{\"o}m and A. Kuronen and K. Nordlund",
3017   journal =      "Phys. Rev. B",
3018   volume =       "78",
3019   number =       "4",
3020   pages =        "045202",
3021   numpages =     "6",
3022   year =         "2008",
3023   month =        jul,
3024   doi =          "10.1103/PhysRevB.78.045202",
3025   publisher =    "American Physical Society",
3026   notes =        "threshold displacement comparison empirical and ab
3027                  initio",
3028 }
3029
3030 @Article{nordlund97,
3031   title =        "Repulsive interatomic potentials calculated using
3032                  Hartree-Fock and density-functional theory methods",
3033   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
3034   volume =       "132",
3035   number =       "1",
3036   pages =        "45--54",
3037   year =         "1997",
3038   note =         "",
3039   ISSN =         "0168-583X",
3040   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(97)00447-3",
3041   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-4CP0TGF-91/2/1a9100c0aae82d2d258fc83dfdba23c1",
3042   author =       "K. Nordlund and N. Runeberg and D. Sundholm",
3043   notes =        "repulsive ab initio potential",
3044 }
3045
3046 @Article{kresse96,
3047   title =        "Efficiency of ab-initio total energy calculations for
3048                  metals and semiconductors using a plane-wave basis
3049                  set",
3050   journal =      "Comput. Mater. Sci.",
3051   volume =       "6",
3052   number =       "1",
3053   pages =        "15--50",
3054   year =         "1996",
3055   note =         "",
3056   ISSN =         "0927-0256",
3057   doi =          "DOI: 10.1016/0927-0256(96)00008-0",
3058   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TWM-3VRVTBF-3/2/88689b1eacfe2b5fe57f09d37eff3b74",
3059   author =       "G. Kresse and J. Furthm{\"{u}}ller",
3060   notes =        "vasp ref",
3061 }
3062
3063 @Article{bloechl94,
3064   title =        "Projector augmented-wave method",
3065   author =       "P. E. Bl{\"o}chl",
3066   journal =      "Phys. Rev. B",
3067   volume =       "50",
3068   number =       "24",
3069   pages =        "17953--17979",
3070   numpages =     "26",
3071   year =         "1994",
3072   month =        dec,
3073   doi =          "10.1103/PhysRevB.50.17953",
3074   publisher =    "American Physical Society",
3075   notes =        "paw method",
3076 }
3077
3078 @Article{hamann79,
3079   title =        "Norm-Conserving Pseudopotentials",
3080   author =       "D. R. Hamann and M. Schl{\"u}ter and C. Chiang",
3081   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
3082   volume =       "43",
3083   number =       "20",
3084   pages =        "1494--1497",
3085   numpages =     "3",
3086   year =         "1979",
3087   month =        nov,
3088   doi =          "10.1103/PhysRevLett.43.1494",
3089   publisher =    "American Physical Society",
3090   notes =        "norm-conserving pseudopotentials",
3091 }
3092
3093 @Article{vanderbilt90,
3094   title =        "Soft self-consistent pseudopotentials in a generalized
3095                  eigenvalue formalism",
3096   author =       "David Vanderbilt",
3097   journal =      "Phys. Rev. B",
3098   volume =       "41",
3099   number =       "11",
3100   pages =        "7892--7895",
3101   numpages =     "3",
3102   year =         "1990",
3103   month =        apr,
3104   doi =          "10.1103/PhysRevB.41.7892",
3105   publisher =    "American Physical Society",
3106   notes =        "vasp pseudopotentials",
3107 }
3108
3109 @Article{perdew86,
3110   title =        "Accurate and simple density functional for the
3111                  electronic exchange energy: Generalized gradient
3112                  approximation",
3113   author =       "John P. Perdew and Yue Wang",
3114   journal =      "Phys. Rev. B",
3115   volume =       "33",
3116   number =       "12",
3117   pages =        "8800--8802",
3118   numpages =     "2",
3119   year =         "1986",
3120   month =        jun,
3121   doi =          "10.1103/PhysRevB.33.8800",
3122   publisher =    "American Physical Society",
3123   notes =        "rapid communication gga",
3124 }
3125
3126 @Article{perdew02,
3127   title =        "Generalized gradient approximations for exchange and
3128                  correlation: {A} look backward and forward",
3129   journal =      "Physica B: Condensed Matter",
3130   volume =       "172",
3131   number =       "1-2",
3132   pages =        "1--6",
3133   year =         "1991",
3134   note =         "",
3135   ISSN =         "0921-4526",
3136   doi =          "DOI: 10.1016/0921-4526(91)90409-8",
3137   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVH-46G8GR9-3D/2/18e610a616e4d80b934079c89063ece7",
3138   author =       "John P. Perdew",
3139   notes =        "gga overview",
3140 }
3141
3142 @Article{perdew92,
3143   title =        "Atoms, molecules, solids, and surfaces: Applications
3144                  of the generalized gradient approximation for exchange
3145                  and correlation",
3146   author =       "John P. Perdew and J. A. Chevary and S. H. Vosko and
3147                  Koblar A. Jackson and Mark R. Pederson and D. J. Singh
3148                  and Carlos Fiolhais",
3149   journal =      "Phys. Rev. B",
3150   volume =       "46",
3151   number =       "11",
3152   pages =        "6671--6687",
3153   numpages =     "16",
3154   year =         "1992",
3155   month =        sep,
3156   doi =          "10.1103/PhysRevB.46.6671",
3157   publisher =    "American Physical Society",
3158   notes =        "gga pw91 (as in vasp)",
3159 }
3160
3161 @Article{baldereschi73,
3162   title =        "Mean-Value Point in the Brillouin Zone",
3163   author =       "A. Baldereschi",
3164   journal =      "Phys. Rev. B",
3165   volume =       "7",
3166   number =       "12",
3167   pages =        "5212--5215",
3168   numpages =     "3",
3169   year =         "1973",
3170   month =        jun,
3171   doi =          "10.1103/PhysRevB.7.5212",
3172   publisher =    "American Physical Society",
3173   notes =        "mean value k point",
3174 }
3175
3176 @Article{zhu98,
3177   title =        "Ab initio pseudopotential calculations of dopant
3178                  diffusion in Si",
3179   journal =      "Comput. Mater. Sci.",
3180   volume =       "12",
3181   number =       "4",
3182   pages =        "309--318",
3183   year =         "1998",
3184   note =         "",
3185   ISSN =         "0927-0256",
3186   doi =          "DOI: 10.1016/S0927-0256(98)00023-8",
3187   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TWM-3VB7F2K-7/2/aa864582273be8e054300efb7bd16a1b",
3188   author =       "Jing Zhu",
3189   keywords =     "TED (transient enhanced diffusion)",
3190   keywords =     "Boron dopant",
3191   keywords =     "Carbon dopant",
3192   keywords =     "Defect",
3193   keywords =     "ab initio pseudopotential method",
3194   keywords =     "Impurity cluster",
3195   notes =        "binding of c to si interstitial, c in si defects",
3196 }
3197
3198 @Article{nejim95,
3199   author =       "A. Nejim and P. L. F. Hemment and J. Stoemenos",
3200   collaboration = "",
3201   title =        "Si{C} buried layer formation by ion beam synthesis at
3202                  950 [degree]{C}",
3203   publisher =    "AIP",
3204   year =         "1995",
3205   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
3206   volume =       "66",
3207   number =       "20",
3208   pages =        "2646--2648",
3209   keywords =     "SILICON; ION IMPLANTATION; CARBON IONS; SILICON
3210                  CARBIDES; BURIED LAYERS; SYNTHESIS; KEV RANGE 100 --
3211                  1000; CRYSTAL DEFECTS; MORPHOLOGY; RBS; TRANSMISSION
3212                  ELECTRON MICROSCOPY",
3213   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/66/2646/1",
3214   doi =          "10.1063/1.113112",
3215   notes =        "precipitation mechanism by substitutional carbon, si
3216                  self interstitials react with further implanted c",
3217 }
3218
3219 @Article{guedj98,
3220   author =       "C. Guedj and M. W. Dashiell and L. Kulik and J.
3221                  Kolodzey and A. Hairie",
3222   collaboration = "",
3223   title =        "Precipitation of beta-Si{C} in Si[sub 1 - y]{C}[sub y]
3224                  alloys",
3225   publisher =    "AIP",
3226   year =         "1998",
3227   journal =      "J. Appl. Phys.",
3228   volume =       "84",
3229   number =       "8",
3230   pages =        "4631--4633",
3231   keywords =     "silicon compounds; precipitation; localised modes;
3232                  semiconductor epitaxial layers; infrared spectra;
3233                  Fourier transform spectra; thermal stability;
3234                  annealing",
3235   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/84/4631/1",
3236   doi =          "10.1063/1.368703",
3237   notes =        "coherent 3C-SiC, topotactic, critical coherence size",
3238 }
3239
3240 @Article{jones04,
3241   author =       "R Jones and B J Coomer and P R Briddon",
3242   title =        "Quantum mechanical modelling of defects in
3243                  semiconductors",
3244   journal =      "J. Phys.: Condens. Matter",
3245   volume =       "16",
3246   number =       "27",
3247   pages =        "S2643",
3248   URL =          "http://stacks.iop.org/0953-8984/16/i=27/a=004",
3249   year =         "2004",
3250   notes =        "ab inito init, vibrational modes, c defect in si",
3251 }
3252
3253 @Article{park02,
3254   author =       "S. Y. Park and J. D'Arcy-Gall and D. Gall and J. A. N.
3255                  T Soares and Y.-W. Kim and H. Kim and P. Desjardins and
3256                  J. E. Greene and S. G. Bishop",
3257   collaboration = "",
3258   title =        "Carbon incorporation pathways and lattice sites in
3259                  Si[sub 1 - y]{C}[sub y] alloys grown on Si(001) by
3260                  molecular-beam epitaxy",
3261   publisher =    "AIP",
3262   year =         "2002",
3263   journal =      "J. Appl. Phys.",
3264   volume =       "91",
3265   number =       "9",
3266   pages =        "5716--5727",
3267   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/91/5716/1",
3268   doi =          "10.1063/1.1465122",
3269   notes =        "c substitutional incorporation pathway, dft and expt",
3270 }
3271
3272 @Article{leary97,
3273   title =        "Dynamic properties of interstitial carbon and
3274                  carbon-carbon pair defects in silicon",
3275   author =       "P. Leary and R. Jones and S. {\"O}berg and V. J. B.
3276                  Torres",
3277   journal =      "Phys. Rev. B",
3278   volume =       "55",
3279   number =       "4",
3280   pages =        "2188--2194",
3281   numpages =     "6",
3282   year =         "1997",
3283   month =        jan,
3284   doi =          "10.1103/PhysRevB.55.2188",
3285   publisher =    "American Physical Society",
3286   notes =        "ab initio c in si and di-carbon defect, no formation
3287                  energies, different migration barriers and paths",
3288 }
3289
3290 @Article{burnard93,
3291   title =        "Interstitial carbon and the carbon-carbon pair in
3292                  silicon: Semiempirical electronic-structure
3293                  calculations",
3294   author =       "Matthew J. Burnard and Gary G. DeLeo",
3295   journal =      "Phys. Rev. B",
3296   volume =       "47",
3297   number =       "16",
3298   pages =        "10217--10225",
3299   numpages =     "8",
3300   year =         "1993",
3301   month =        apr,
3302   doi =          "10.1103/PhysRevB.47.10217",
3303   publisher =    "American Physical Society",
3304   notes =        "semi empirical mndo, pm3 and mindo3 c in si and di
3305                  carbon defect, formation energies",
3306 }
3307
3308 @Article{besson91,
3309   title =        "Electronic structure of interstitial carbon in
3310                  silicon",
3311   author =       "Morgan Besson and Gary G. DeLeo",
3312   journal =      "Phys. Rev. B",
3313   volume =       "43",
3314   number =       "5",
3315   pages =        "4028--4033",
3316   numpages =     "5",
3317   year =         "1991",
3318   month =        feb,
3319   doi =          "10.1103/PhysRevB.43.4028",
3320   publisher =    "American Physical Society",
3321 }
3322
3323 @Article{kaxiras96,
3324   title =        "Review of atomistic simulations of surface diffusion
3325                  and growth on semiconductors",
3326   journal =      "Comput. Mater. Sci.",
3327   volume =       "6",
3328   number =       "2",
3329   pages =        "158--172",
3330   year =         "1996",
3331   note =         "Proceedings of the Workshop on Virtual Molecular Beam
3332                  Epitaxy",
3333   ISSN =         "0927-0256",
3334   doi =          "DOI: 10.1016/0927-0256(96)00030-4",
3335   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TWM-3VSFF1G-7/2/afc8408b00ded1ca2dc3ad1686c2dae6",
3336   author =       "Efthimios Kaxiras",
3337   notes =        "might contain c 100 db formation energy, overview md,
3338                  tight binding, first principles",
3339 }
3340
3341 @Article{kaukonen98,
3342   title =        "Effect of {N} and {B} doping on the growth of {CVD}
3343                  diamond
3344                  $(100):{H}(2\ifmmode\times\else\texttimes\fi{}1)$
3345                  surfaces",
3346   author =       "M. Kaukonen and P. K. Sitch and G. Jungnickel and R.
3347                  M. Nieminen and Sami P{\"o}ykk{\"o} and D. Porezag and
3348                  Th. Frauenheim",
3349   journal =      "Phys. Rev. B",
3350   volume =       "57",
3351   number =       "16",
3352   pages =        "9965--9970",
3353   numpages =     "5",
3354   year =         "1998",
3355   month =        apr,
3356   doi =          "10.1103/PhysRevB.57.9965",
3357   publisher =    "American Physical Society",
3358   notes =        "constrained conjugate gradient relaxation technique
3359                  (crt)",
3360 }
3361
3362 @Article{gali03,
3363   title =        "Correlation between the antisite pair and the ${DI}$
3364                  center in Si{C}",
3365   author =       "A. Gali and P. De\'ak and E. Rauls and N. T. Son and
3366                  I. G. Ivanov and F. H. C. Carlsson and E. Janz\'en and
3367                  W. J. Choyke",
3368   journal =      "Phys. Rev. B",
3369   volume =       "67",
3370   number =       "15",
3371   pages =        "155203",
3372   numpages =     "5",
3373   year =         "2003",
3374   month =        apr,
3375   doi =          "10.1103/PhysRevB.67.155203",
3376   publisher =    "American Physical Society",
3377 }
3378
3379 @Article{chen98,
3380   title =        "Production and recovery of defects in Si{C} after
3381                  irradiation and deformation",
3382   journal =      "J. Nucl. Mater.",
3383   volume =       "258-263",
3384   number =       "Part 2",
3385   pages =        "1803--1808",
3386   year =         "1998",
3387   note =         "",
3388   ISSN =         "0022-3115",
3389   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-3115(98)00139-1",
3390   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXN-43G486N-47/2/56905f48f025ab98e5de4d6cde09c62b",
3391   author =       "J. Chen and P. Jung and H. Klein",
3392 }
3393
3394 @Article{weber01,
3395   title =        "Accumulation, dynamic annealing and thermal recovery
3396                  of ion-beam-induced disorder in silicon carbide",
3397   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
3398   volume =       "175-177",
3399   number =       "",
3400   pages =        "26--30",
3401   year =         "2001",
3402   note =         "",
3403   ISSN =         "0168-583X",
3404   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(00)00542-5",
3405   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-435KH7Y-2R/2/8acc176700c95bb8614d96c40cfc5577",
3406   author =       "W. J. Weber and W. Jiang and S. Thevuthasan",
3407 }
3408
3409 @Article{bockstedte03,
3410   title =        "Ab initio study of the migration of intrinsic defects
3411                  in $3{C}-Si{C}$",
3412   author =       "Michel Bockstedte and Alexander Mattausch and Oleg
3413                  Pankratov",
3414   journal =      "Phys. Rev. B",
3415   volume =       "68",
3416   number =       "20",
3417   pages =        "205201",
3418   numpages =     "17",
3419   year =         "2003",
3420   month =        nov,
3421   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.205201",
3422   publisher =    "American Physical Society",
3423   notes =        "defect migration in sic",
3424 }
3425
3426 @Article{rauls03a,
3427   title =        "Theoretical study of vacancy diffusion and
3428                  vacancy-assisted clustering of antisites in Si{C}",
3429   author =       "E. Rauls and Th. Frauenheim and A. Gali and P.
3430                  De\'ak",
3431   journal =      "Phys. Rev. B",
3432   volume =       "68",
3433   number =       "15",
3434   pages =        "155208",
3435   numpages =     "9",
3436   year =         "2003",
3437   month =        oct,
3438   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.155208",
3439   publisher =    "American Physical Society",
3440 }
3441
3442 @Article{losev27,
3443   journal =      "Telegrafiya i Telefoniya bez Provodov",
3444   volume =       "44",
3445   pages =        "485--494",
3446   year =         "1927",
3447   author =       "O. V. Lossev",
3448 }
3449
3450 @Article{losev28,
3451   title =        "Luminous carborundum detector and detection effect and
3452                  oscillations with crystals",
3453   journal =      "Philosophical Magazine Series 7",
3454   volume =       "6",
3455   number =       "39",
3456   pages =        "1024--1044",
3457   year =         "1928",
3458   URL =          "http://www.informaworld.com/10.1080/14786441108564683",
3459   author =       "O. V. Lossev",
3460 }
3461
3462 @Article{losev29,
3463   journal =      "Physik. Zeitschr.",
3464   volume =       "30",
3465   pages =        "920--923",
3466   year =         "1929",
3467   author =       "O. V. Lossev",
3468 }
3469
3470 @Article{losev31,
3471   journal =      "Physik. Zeitschr.",
3472   volume =       "32",
3473   pages =        "692--696",
3474   year =         "1931",
3475   author =       "O. V. Lossev",
3476 }
3477
3478 @Article{losev33,
3479   journal =      "Physik. Zeitschr.",
3480   volume =       "34",
3481   pages =        "397--403",
3482   year =         "1933",
3483   author =       "O. V. Lossev",
3484 }
3485
3486 @Article{round07,
3487   title =        "A note on carborundum",
3488   journal =      "Electrical World",
3489   volume =       "49",
3490   pages =        "308",
3491   year =         "1907",
3492   author =       "H. J. Round",
3493 }
3494
3495 @Article{vashishath08,
3496   title =        "Recent trends in silicon carbide device research",
3497   journal =      "Mj. Int. J. Sci. Tech.",
3498   volume =       "2",
3499   number =       "03",
3500   pages =        "444--470",
3501   year =         "2008",
3502   author =       "Munish Vashishath and Ashoke K. Chatterjee",
3503   URL =          "http://www.doaj.org/doaj?func=abstract&id=286746",
3504   notes =        "sic polytype electronic properties",
3505 }
3506
3507 @Article{nelson69,
3508   author =       "W. E. Nelson and F. A. Halden and A. Rosengreen",
3509   collaboration = "",
3510   title =        "Growth and Properties of beta-Si{C} Single Crystals",
3511   publisher =    "AIP",
3512   year =         "1966",
3513   journal =      "Journal of Applied Physics",
3514   volume =       "37",
3515   number =       "1",
3516   pages =        "333--336",
3517   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/37/333/1",
3518   doi =          "10.1063/1.1707837",
3519   notes =        "sic melt growth",
3520 }
3521
3522 @Article{arkel25,
3523   author =       "A. E. van Arkel and J. H. de Boer",
3524   title =        "Darstellung von reinem Titanium-, Zirkonium-, Hafnium-
3525                  und Thoriummetall",
3526   publisher =    "WILEY-VCH Verlag GmbH",
3527   year =         "1925",
3528   journal =      "Z. Anorg. Chem.",
3529   volume =       "148",
3530   pages =        "345--350",
3531   URL =          "http://dx.doi.org/10.1002/zaac.19251480133",
3532   doi =          "10.1002/zaac.19251480133",
3533   notes =        "van arkel apparatus",
3534 }
3535
3536 @Article{moers31,
3537   author =       "K. Moers",
3538   year =         "1931",
3539   journal =      "Z. Anorg. Chem.",
3540   volume =       "198",
3541   pages =        "293",
3542   notes =        "sic by van arkel apparatus, pyrolitical vapor growth
3543                  process",
3544 }
3545
3546 @Article{kendall53,
3547   author =       "J. T. Kendall",
3548   title =        "Electronic Conduction in Silicon Carbide",
3549   publisher =    "AIP",
3550   year =         "1953",
3551   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
3552   volume =       "21",
3553   number =       "5",
3554   pages =        "821--827",
3555   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/21/821/1",
3556   notes =        "sic by van arkel apparatus, pyrolitical vapor growth
3557                  process",
3558 }
3559
3560 @Article{lely55,
3561   author =       "J. A. Lely",
3562   year =         "1955",
3563   journal =      "Ber. Deut. Keram. Ges.",
3564   volume =       "32",
3565   pages =        "229",
3566   notes =        "lely sublimation growth process",
3567 }
3568
3569 @Article{knippenberg63,
3570   author =       "W. F. Knippenberg",
3571   year =         "1963",
3572   journal =      "Philips Res. Repts.",
3573   volume =       "18",
3574   pages =        "161",
3575   notes =        "acheson process",
3576 }
3577
3578 @Article{hoffmann82,
3579   author =       "L. Hoffmann and G. Ziegler and D. Theis and C.
3580                  Weyrich",
3581   collaboration = "",
3582   title =        "Silicon carbide blue light emitting diodes with
3583                  improved external quantum efficiency",
3584   publisher =    "AIP",
3585   year =         "1982",
3586   journal =      "Journal of Applied Physics",
3587   volume =       "53",
3588   number =       "10",
3589   pages =        "6962--6967",
3590   keywords =     "light emitting diodes; silicon carbides; quantum
3591                  efficiency; visible radiation; experimental data;
3592                  epitaxy; fabrication; medium temperature; layers;
3593                  aluminium; nitrogen; substrates; pn junctions;
3594                  electroluminescence; spectra; current density;
3595                  optimization",
3596   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/53/6962/1",
3597   doi =          "10.1063/1.330041",
3598   notes =        "blue led, sublimation process",
3599 }
3600
3601 @Article{neudeck95,
3602   author =       "Philip Neudeck",
3603   affiliation =  "NASA Lewis Research Center M.S. 77-1, 21000 Brookpark
3604                  Road 44135 Cleveland OH",
3605   title =        "Progress in silicon carbide semiconductor electronics
3606                  technology",
3607   journal =      "Journal of Electronic Materials",
3608   publisher =    "Springer Boston",
3609   ISSN =         "0361-5235",
3610   keyword =      "Chemistry and Materials Science",
3611   pages =        "283--288",
3612   volume =       "24",
3613   issue =        "4",
3614   URL =          "http://dx.doi.org/10.1007/BF02659688",
3615   note =         "10.1007/BF02659688",
3616   year =         "1995",
3617   notes =        "sic data, advantages of 3c sic",
3618 }
3619
3620 @Article{bhatnagar93,
3621   author =       "M. Bhatnagar and B. J. Baliga",
3622   journal =      "Electron Devices, IEEE Transactions on",
3623   title =        "Comparison of 6{H}-Si{C}, 3{C}-Si{C}, and Si for power
3624                  devices",
3625   year =         "1993",
3626   month =        mar,
3627   volume =       "40",
3628   number =       "3",
3629   pages =        "645--655",
3630   keywords =     "3C-SiC;50 to 5000 V;6H-SiC;Schottky
3631                  rectifiers;Si;SiC;breakdown voltages;drift region
3632                  properties;output characteristics;power MOSFETs;power
3633                  semiconductor devices;switching characteristics;thermal
3634                  analysis;Schottky-barrier diodes;electric breakdown of
3635                  solids;insulated gate field effect transistors;power
3636                  transistors;semiconductor materials;silicon;silicon
3637                  compounds;solid-state rectifiers;thermal analysis;",
3638   doi =          "10.1109/16.199372",
3639   ISSN =         "0018-9383",
3640   notes =        "comparison 3c 6h sic and si devices",
3641 }
3642
3643 @Article{neudeck94,
3644   author =       "P. G. Neudeck and D. J. Larkin and J. E. Starr and J.
3645                  A. Powell and C. S. Salupo and L. G. Matus",
3646   journal =      "Electron Devices, IEEE Transactions on",
3647   title =        "Electrical properties of epitaxial 3{C}- and
3648                  6{H}-Si{C} p-n junction diodes produced side-by-side on
3649                  6{H}-Si{C} substrates",
3650   year =         "1994",
3651   month =        may,
3652   volume =       "41",
3653   number =       "5",
3654   pages =        "826--835",
3655   keywords =     "20 nA;200 micron;300 to 1100 V;3C-SiC layers;400
3656                  C;6H-SiC layers;6H-SiC substrates;CVD
3657                  process;SiC;chemical vapor deposition;doping;electrical
3658                  properties;epitaxial layers;light
3659                  emission;low-tilt-angle 6H-SiC substrates;p-n junction
3660                  diodes;polytype;rectification characteristics;reverse
3661                  leakage current;reverse voltages;temperature;leakage
3662                  currents;power electronics;semiconductor
3663                  diodes;semiconductor epitaxial layers;semiconductor
3664                  growth;semiconductor materials;silicon
3665                  compounds;solid-state rectifiers;substrates;vapour
3666                  phase epitaxial growth;",
3667   doi =          "10.1109/16.285038",
3668   ISSN =         "0018-9383",
3669   notes =        "comparison 6h 3c sic, cvd of 3c and 6h on single 6h
3670                  substrate",
3671 }
3672
3673 @Article{schulze98,
3674   author =       "N. Schulze and D. L. Barrett and G. Pensl",
3675   collaboration = "",
3676   title =        "Near-equilibrium growth of micropipe-free 6{H}-Si{C}
3677                  single crystals by physical vapor transport",
3678   publisher =    "AIP",
3679   year =         "1998",
3680   journal =      "Applied Physics Letters",
3681   volume =       "72",
3682   number =       "13",
3683   pages =        "1632--1634",
3684   keywords =     "silicon compounds; semiconductor materials;
3685                  semiconductor growth; crystal growth from vapour;
3686                  photoluminescence; Hall mobility",
3687   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/72/1632/1",
3688   doi =          "10.1063/1.121136",
3689   notes =        "micropipe free 6h-sic pvt growth",
3690 }
3691
3692 @Article{pirouz87,
3693   author =       "P. Pirouz and C. M. Chorey and J. A. Powell",
3694   collaboration = "",
3695   title =        "Antiphase boundaries in epitaxially grown beta-Si{C}",
3696   publisher =    "AIP",
3697   year =         "1987",
3698   journal =      "Applied Physics Letters",
3699   volume =       "50",
3700   number =       "4",
3701   pages =        "221--223",
3702   keywords =     "SILICON CARBIDES; DOMAIN STRUCTURE; SCANNING ELECTRON
3703                  MICROSCOPY; NUCLEATION; EPITAXIAL LAYERS; CHEMICAL
3704                  VAPOR DEPOSITION; ETCHING; ETCH PITS; TRANSMISSION
3705                  ELECTRON MICROSCOPY; ELECTRON MICROSCOPY; ANTIPHASE
3706                  BOUNDARIES",
3707   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/50/221/1",
3708   doi =          "10.1063/1.97667",
3709   notes =        "apb 3c-sic heteroepitaxy on si",
3710 }
3711
3712 @Article{shibahara86,
3713   title =        "Surface morphology of cubic Si{C}(100) grown on
3714                  Si(100) by chemical vapor deposition",
3715   journal =      "Journal of Crystal Growth",
3716   volume =       "78",
3717   number =       "3",
3718   pages =        "538--544",
3719   year =         "1986",
3720   note =         "",
3721   ISSN =         "0022-0248",
3722   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(86)90158-2",
3723   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46D26F7-1R/2/cfdbc7607352f3bc99d321303e3934e9",
3724   author =       "Kentaro Shibahara and Shigehiro Nishino and Hiroyuki
3725                  Matsunami",
3726   notes =        "defects in 3c-sis cvd on si, anti phase boundaries",
3727 }
3728
3729 @Article{desjardins96,
3730   author =       "P. Desjardins and J. E. Greene",
3731   collaboration = "",
3732   title =        "Step-flow epitaxial growth on two-domain surfaces",
3733   publisher =    "AIP",
3734   year =         "1996",
3735   journal =      "Journal of Applied Physics",
3736   volume =       "79",
3737   number =       "3",
3738   pages =        "1423--1434",
3739   keywords =     "ADATOMS; COMPUTERIZED SIMULATION; DIFFUSION; EPITAXY;
3740                  FILM GROWTH; SURFACE STRUCTURE",
3741   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/79/1423/1",
3742   doi =          "10.1063/1.360980",
3743   notes =        "apb model",
3744 }
3745
3746 @Article{henke95,
3747   author =       "S. Henke and B. Stritzker and B. Rauschenbach",
3748   collaboration = "",
3749   title =        "Synthesis of epitaxial beta-Si{C} by {C}[sub 60]
3750                  carbonization of silicon",
3751   publisher =    "AIP",
3752   year =         "1995",
3753   journal =      "Journal of Applied Physics",
3754   volume =       "78",
3755   number =       "3",
3756   pages =        "2070--2073",
3757   keywords =     "SILICON CARBIDES; THIN FILMS; EPITAXY; CARBONIZATION;
3758                  FULLERENES; ANNEALING; XRD; RBS; TWINNING; CRYSTAL
3759                  STRUCTURE",
3760   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/78/2070/1",
3761   doi =          "10.1063/1.360184",
3762   notes =        "ssmbe of sic on si, lower temperatures",
3763 }
3764
3765 @Article{fuyuki89,
3766   title =        "Atomic layer epitaxy of cubic Si{C} by gas source
3767                  {MBE} using surface superstructure",
3768   journal =      "Journal of Crystal Growth",
3769   volume =       "95",
3770   number =       "1-4",
3771   pages =        "461--463",
3772   year =         "1989",
3773   note =         "",
3774   ISSN =         "0022-0248",
3775   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(89)90442-9",
3776   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46DFS6F-GF/2/a8e0abaef892c6d96992ff4751fdeda2",
3777   author =       "Takashi Fuyuki and Michiaki Nakayama and Tatsuo
3778                  Yoshinobu and Hiromu Shiomi and Hiroyuki Matsunami",
3779   notes =        "gas source mbe of 3c-sic on 6h-sic",
3780 }
3781
3782 @Article{yoshinobu92,
3783   author =       "Tatsuo Yoshinobu and Hideaki Mitsui and Iwao Izumikawa
3784                  and Takashi Fuyuki and Hiroyuki Matsunami",
3785   collaboration = "",
3786   title =        "Lattice-matched epitaxial growth of single crystalline
3787                  3{C}-Si{C} on 6{H}-Si{C} substrates by gas source
3788                  molecular beam epitaxy",
3789   publisher =    "AIP",
3790   year =         "1992",
3791   journal =      "Applied Physics Letters",
3792   volume =       "60",
3793   number =       "7",
3794   pages =        "824--826",
3795   keywords =     "SILICON CARBIDES; HOMOJUNCTIONS; MOLECULAR BEAM
3796                  EPITAXY; TWINNING; RHEED; TEMPERATURE EFFECTS;
3797                  INTERFACE STRUCTURE",
3798   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/60/824/1",
3799   doi =          "10.1063/1.107430",
3800   notes =        "gas source mbe of 3c-sic on 6h-sic",
3801 }
3802
3803 @Article{yoshinobu90,
3804   title =        "Atomic level control in gas source {MBE} growth of
3805                  cubic Si{C}",
3806   journal =      "Journal of Crystal Growth",
3807   volume =       "99",
3808   number =       "1-4",
3809   pages =        "520--524",
3810   year =         "1990",
3811   note =         "",
3812   ISSN =         "0022-0248",
3813   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(90)90575-6",
3814   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46YKT9W-HY/2/04dd57af2f42ee620895844e480a2736",
3815   author =       "Tatsuo Yoshinobu and Michiaki Nakayama and Hiromu
3816                  Shiomi and Takashi Fuyuki and Hiroyuki Matsunami",
3817   notes =        "gas source mbe of 3c-sic on 3c-sic",
3818 }
3819
3820 @Article{fuyuki93,
3821   title =        "Atomic layer epitaxy controlled by surface
3822                  superstructures in Si{C}",
3823   journal =      "Thin Solid Films",
3824   volume =       "225",
3825   number =       "1-2",
3826   pages =        "225--229",
3827   year =         "1993",
3828   note =         "",
3829   ISSN =         "0040-6090",
3830   doi =          "DOI: 10.1016/0040-6090(93)90159-M",
3831   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TW0-46NY79X-40/2/c9675e1d8c4bcebc7ce7d06e44e14f1f",
3832   author =       "Takashi Fuyuki and Tatsuo Yoshinobu and Hiroyuki
3833                  Matsunami",
3834   notes =        "gas source mbe of 3c-sic on 3c-sic, atomic layer
3835                  epitaxy, ale",
3836 }
3837
3838 @Article{hara93,
3839   title =        "Microscopic mechanisms of accurate layer-by-layer
3840                  growth of [beta]-Si{C}",
3841   journal =      "Thin Solid Films",
3842   volume =       "225",
3843   number =       "1-2",
3844   pages =        "240--243",
3845   year =         "1993",
3846   note =         "",
3847   ISSN =         "0040-6090",
3848   doi =          "DOI: 10.1016/0040-6090(93)90162-I",
3849   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TW0-46NY79X-43/2/18694bfe0e75b1f29a3cf5f90d19987c",
3850   author =       "Shiro Hara and T. Meguro and Y. Aoyagi and M. Kawai
3851                  and S. Misawa and E. Sakuma and S. Yoshida",
3852   notes =        "gas source mbe of 3c-sic on 3c-sic, atomic layer
3853                  epitaxy, ale",
3854 }
3855
3856 @Article{tanaka94,
3857   author =       "Satoru Tanaka and R. Scott Kern and Robert F. Davis",
3858   collaboration = "",
3859   title =        "Effects of gas flow ratio on silicon carbide thin film
3860                  growth mode and polytype formation during gas-source
3861                  molecular beam epitaxy",
3862   publisher =    "AIP",
3863   year =         "1994",
3864   journal =      "Applied Physics Letters",
3865   volume =       "65",
3866   number =       "22",
3867   pages =        "2851--2853",
3868   keywords =     "SILICON CARBIDES; MOLECULAR BEAM EPITAXY; RHEED;
3869                  TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; MORPHOLOGY;
3870                  NUCLEATION; COALESCENCE; SURFACE RECONSTRUCTION; GAS
3871                  FLOW; FLOW RATE",
3872   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/65/2851/1",
3873   doi =          "10.1063/1.112513",
3874   notes =        "gas source mbe of 6h-sic on 6h-sic",
3875 }
3876
3877 @Article{fuyuki97,
3878   author =       "T. Fuyuki and T. Hatayama and H. Matsunami",
3879   title =        "Heterointerface Control and Epitaxial Growth of
3880                  3{C}-Si{C} on Si by Gas Source Molecular Beam Epitaxy",
3881   publisher =    "WILEY-VCH Verlag",
3882   year =         "1997",
3883   journal =      "physica status solidi (b)",
3884   volume =       "202",
3885   pages =        "359--378",
3886   notes =        "3c-sic heteroepitaxial growth on si by gsmbe, lower
3887                  temperatures 750",
3888 }
3889
3890 @Article{takaoka98,
3891   title =        "Initial stage of Si{C} growth on Si(1 0 0) surface",
3892   journal =      "Journal of Crystal Growth",
3893   volume =       "183",
3894   number =       "1-2",
3895   pages =        "175--182",
3896   year =         "1998",
3897   note =         "",
3898   ISSN =         "0022-0248",
3899   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-0248(97)00391-6",
3900   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-3W8STD4-V/2/8de695de037d5e20b8326c4107547918",
3901   author =       "T. Takaoka and H. Saito and Y. Igari and I. Kusunoki",
3902   keywords =     "Reflection high-energy electron diffraction (RHEED)",
3903   keywords =     "Scanning electron microscopy (SEM)",
3904   keywords =     "Silicon carbide",
3905   keywords =     "Silicon",
3906   keywords =     "Island growth",
3907   notes =        "lower temperature, 550-700",
3908 }
3909
3910 @Article{hatayama95,
3911   title =        "Low-temperature heteroepitaxial growth of cubic Si{C}
3912                  on Si using hydrocarbon radicals by gas source
3913                  molecular beam epitaxy",
3914   journal =      "Journal of Crystal Growth",
3915   volume =       "150",
3916   number =       "Part 2",
3917   pages =        "934--938",
3918   year =         "1995",
3919   note =         "",
3920   ISSN =         "0022-0248",
3921   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(95)80077-P",
3922   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-47RY2F6-1P/2/49acd5c4545dd9fd3486f70a6c25586e",
3923   author =       "Tomoaki Hatayama and Yoichiro Tarui and Takashi Fuyuki
3924                  and Hiroyuki Matsunami",
3925 }
3926
3927 @Article{heine91,
3928   author =       "Volker Heine and Ching Cheng and Richard J. Needs",
3929   title =        "The Preference of Silicon Carbide for Growth in the
3930                  Metastable Cubic Form",
3931   journal =      "Journal of the American Ceramic Society",
3932   volume =       "74",
3933   number =       "10",
3934   publisher =    "Blackwell Publishing Ltd",
3935   ISSN =         "1551-2916",
3936   URL =          "http://dx.doi.org/10.1111/j.1151-2916.1991.tb06811.x",
3937   doi =          "10.1111/j.1151-2916.1991.tb06811.x",
3938   pages =        "2630--2633",
3939   keywords =     "silicon carbide, crystal growth, crystal structure,
3940                  calculations, stability",
3941   year =         "1991",
3942   notes =        "3c-sic metastable, 3c-sic preferred growth, sic
3943                  polytype dft calculation refs",
3944 }
3945
3946 @Article{allendorf91,
3947   title =        "The adsorption of {H}-atoms on polycrystalline
3948                  [beta]-silicon carbide",
3949   journal =      "Surface Science",
3950   volume =       "258",
3951   number =       "1-3",
3952   pages =        "177--189",
3953   year =         "1991",
3954   note =         "",
3955   ISSN =         "0039-6028",
3956   doi =          "DOI: 10.1016/0039-6028(91)90912-C",
3957   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVX-46T3BSB-24V/2/534f1f4786088ceb88b6d31eccb096b3",
3958   author =       "Mark D. Allendorf and Duane A. Outka",
3959   notes =        "h adsorption on 3c-sic",
3960 }
3961
3962 @Article{eaglesham93,
3963   author =       "D. J. Eaglesham and F. C. Unterwald and H. Luftman and
3964                  D. P. Adams and S. M. Yalisove",
3965   collaboration = "",
3966   title =        "Effect of {H} on Si molecular-beam epitaxy",
3967   publisher =    "AIP",
3968   year =         "1993",
3969   journal =      "Journal of Applied Physics",
3970   volume =       "74",
3971   number =       "11",
3972   pages =        "6615--6618",
3973   keywords =     "SILICON; MOLECULAR BEAM EPITAXY; HYDROGEN; SURFACE
3974                  CONTAMINATION; SIMS; SEGREGATION; IMPURITIES;
3975                  DIFFUSION; ADSORPTION",
3976   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/74/6615/1",
3977   doi =          "10.1063/1.355101",
3978   notes =        "h incorporation on si surface, lower surface
3979                  mobility",
3980 }
3981
3982 @Article{newman85,
3983   author =       "Ronald C. Newman",
3984   title =        "Carbon in Crystalline Silicon",
3985   journal =      "MRS Online Proceedings Library",
3986   volume =       "59",
3987   number =       "",
3988   pages =        "403",
3989   year =         "1985",
3990   doi =          "10.1557/PROC-59-403",
3991   URL =          "http://dx.doi.org/10.1557/PROC-59-403",
3992   eprint =       "http://journals.cambridge.org/article_S194642740054367X",
3993 }
3994
3995 @Article{goesele85,
3996   author =       "U. Gösele",
3997   title =        "The Role of Carbon and Point Defects in Silicon",
3998   journal =      "MRS Online Proceedings Library",
3999   volume =       "59",
4000   number =       "",
4001   pages =        "419",
4002   year =         "1985",
4003   doi =          "10.1557/PROC-59-419",
4004   URL =          "http://dx.doi.org/10.1557/PROC-59-419",
4005   eprint =       "http://journals.cambridge.org/article_S1946427400543681",
4006 }