bibdb/bibdb.bib

   1 %
   2 % bibliography database
   3 %
   4
   5 @Article{albe_sic_pot,
   6   author =       "Paul Erhart and Karsten Albe",
   7   title =        "Analytical potential for atomistic simulations of
   8                  silicon, carbon, and silicon carbide",
   9   publisher =    "APS",
  10   year =         "2005",
  11   journal =      "Phys. Rev. B",
  12   volume =       "71",
  13   number =       "3",
  14   eid =          "035211",
  15   numpages =     "14",
  16   pages =        "035211",
  17   notes =        "alble reparametrization, analytical bond oder
  18                  potential (ABOP)",
  19   keywords =     "silicon; elemental semiconductors; carbon; silicon
  20                  compounds; wide band gap semiconductors; elasticity;
  21                  enthalpy; point defects; crystallographic shear; atomic
  22                  forces",
  23   URL =          "http://link.aps.org/abstract/PRB/v71/e035211",
  24   doi =          "10.1103/PhysRevB.71.035211",
  25 }
  26
  27 @Article{albe2002,
  28   title =        "Modeling the metal-semiconductor interaction:
  29                  Analytical bond-order potential for platinum-carbon",
  30   author =       "Karsten Albe and Kai Nordlund and Robert S. Averback",
  31   journal =      "Phys. Rev. B",
  32   volume =       "65",
  33   number =       "19",
  34   pages =        "195124",
  35   numpages =     "11",
  36   year =         "2002",
  37   month =        may,
  38   doi =          "10.1103/PhysRevB.65.195124",
  39   publisher =    "American Physical Society",
  40   notes =        "derivation of albe bond order formalism",
  41 }
  42
  43 @Article{bean71,
  44   title =        "The solubility of carbon in pulled silicon crystals",
  45   journal =      "Journal of Physics and Chemistry of Solids",
  46   volume =       "32",
  47   number =       "6",
  48   pages =        "1211--1219",
  49   year =         "1971",
  50   note =         "",
  51   ISSN =         "0022-3697",
  52   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-3697(71)80179-8",
  53   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXR-4PR80SS-D/2/ce21d10d2bb885b5641905883a618ff5",
  54   author =       "A. R. Bean and R. C. Newman",
  55   notes =        "experimental solubility data of carbon in silicon",
  56 }
  57
  58 @Article{capano97,
  59   author =       "M. A. Capano and R. J. Trew",
  60   title =        "Silicon Carbide Electronic Materials and Devices",
  61   journal =      "MRS Bull.",
  62   volume =       "22",
  63   pages =        "19",
  64   year =         "1997",
  65 }
  66
  67 @Article{fischer90,
  68   author =       "G. R. Fisher and P. Barnes",
  69   title =        "Towards a unified view of polytypism in silicon
  70                  carbide",
  71   journal =      "Philosophical Magazine Part B",
  72   volume =       "61",
  73   pages =        "217--236",
  74   year =         "1990",
  75   notes =        "sic polytypes",
  76 }
  77
  78 @Article{koegler03,
  79   author =       "R. K{\"{o}}gler and F. Eichhorn and J. R. Kaschny and
  80                  A. M{\"{u}}cklich and H. Reuther and W. Skorupa and C.
  81                  Serre and A. Perez-Rodriguez",
  82   title =        "Synthesis of nano-sized Si{C} precipitates in Si by
  83                  simultaneous dual-beam implantation of {C}+ and Si+
  84                  ions",
  85   journal =      "Applied Physics A: Materials Science \& Processing",
  86   volume =       "76",
  87   pages =        "827--835",
  88   month =        mar,
  89   year =         "2003",
  90   notes =        "dual implantation, sic prec enhanced by vacancies,
  91                  precipitation by interstitial and substitutional
  92                  carbon, both mechanisms explained + refs",
  93 }
  94
  95 @Book{laplace,
  96   author =       "P. S. de Laplace",
  97   title =        "Th\'eorie analytique des probabilit\'es",
  98   series =       "Oeuvres Compl\`etes de Laplace",
  99   volume =       "VII",
 100   publisher =    "Gauthier-Villars",
 101   year =         "1820",
 102 }
 103
 104 @Article{mattoni2007,
 105   author =       "A. {Mattoni} and M. {Ippolito} and L. {Colombo}",
 106   title =        "{Atomistic modeling of brittleness in covalent
 107                  materials}",
 108   journal =      "Phys. Rev. B",
 109   year =         "2007",
 110   month =        dec,
 111   volume =       "76",
 112   number =       "22",
 113   pages =        "224103",
 114   doi =          "10.1103/PhysRevB.76.224103",
 115   notes =        "adopted tersoff potential for Si, C, Ge ad SiC;
 116                  longe(r)-range-interactions, brittle propagation of
 117                  fracture, more available potentials, universal energy
 118                  relation (uer), minimum range model (mrm)",
 119 }
 120
 121 @Article{balamane92,
 122   title =        "Comparative study of silicon empirical interatomic
 123                  potentials",
 124   author =       "H. Balamane and T. Halicioglu and W. A. Tiller",
 125   journal =      "Phys. Rev. B",
 126   volume =       "46",
 127   number =       "4",
 128   pages =        "2250--2279",
 129   numpages =     "29",
 130   year =         "1992",
 131   month =        jul,
 132   doi =          "10.1103/PhysRevB.46.2250",
 133   publisher =    "American Physical Society",
 134   notes =        "comparison of classical potentials for si",
 135 }
 136
 137 @Article{koster2002,
 138   title =        "Stress relaxation in $a-Si$ induced by ion
 139                  bombardment",
 140   author =       "H. M. Urbassek M. Koster",
 141   journal =      "Phys. Rev. B",
 142   volume =       "62",
 143   number =       "16",
 144   pages =        "11219--11224",
 145   numpages =     "5",
 146   year =         "2000",
 147   month =        oct,
 148   doi =          "10.1103/PhysRevB.62.11219",
 149   publisher =    "American Physical Society",
 150   notes =        "virial derivation for 3-body tersoff potential",
 151 }
 152
 153 @Article{breadmore99,
 154   title =        "Direct simulation of ion-beam-induced stressing and
 155                  amorphization of silicon",
 156   author =       "N. Gr\o{}nbech-Jensen K. M. Beardmore",
 157   journal =      "Phys. Rev. B",
 158   volume =       "60",
 159   number =       "18",
 160   pages =        "12610--12616",
 161   numpages =     "6",
 162   year =         "1999",
 163   month =        nov,
 164   doi =          "10.1103/PhysRevB.60.12610",
 165   publisher =    "American Physical Society",
 166   notes =        "virial derivation for 3-body tersoff potential",
 167 }
 168
 169 @Article{moissan04,
 170   author =       "Henri Moissan",
 171   title =        "Nouvelles recherches sur la météorité de Cañon
 172                  Diablo",
 173   journal =      "Comptes rendus de l'Académie des Sciences",
 174   volume =       "139",
 175   pages =        "773--786",
 176   year =         "1904",
 177 }
 178
 179 @Book{park98,
 180   author =       "Y. S. Park",
 181   title =        "Si{C} Materials and Devices",
 182   publisher =    "Academic Press",
 183   address =      "San Diego",
 184   year =         "1998",
 185 }
 186
 187 @Article{tsvetkov98,
 188   author =       "Valeri F. Tsvetkov and R. C. Glass and D. Henshall and
 189                  Calvin H. Carter Jr. and D. Asbury",
 190   title =        "Si{C} Seeded Boule Growth",
 191   journal =      "Materials Science Forum",
 192   volume =       "264-268",
 193   pages =        "3--8",
 194   year =         "1998",
 195   notes =        "modified lely process, micropipes",
 196 }
 197
 198 @Article{verlet67,
 199   title =        "Computer {"}Experiments{"} on Classical Fluids. {I}.
 200                  Thermodynamical Properties of Lennard-Jones Molecules",
 201   author =       "Loup Verlet",
 202   journal =      "Phys. Rev.",
 203   volume =       "159",
 204   number =       "1",
 205   pages =        "98",
 206   year =         "1967",
 207   month =        jul,
 208   doi =          "10.1103/PhysRev.159.98",
 209   publisher =    "American Physical Society",
 210   notes =        "velocity verlet integration algorithm equation of
 211                  motion",
 212 }
 213
 214 @Article{berendsen84,
 215   author =       "H. J. C. Berendsen and J. P. M. Postma and W. F. van
 216                  Gunsteren and A. DiNola and J. R. Haak",
 217   collaboration = "",
 218   title =        "Molecular dynamics with coupling to an external bath",
 219   publisher =    "AIP",
 220   year =         "1984",
 221   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
 222   volume =       "81",
 223   number =       "8",
 224   pages =        "3684--3690",
 225   keywords =     "MOLECULAR DYNAMICS CALCULATION; TRANSPORT THEORY;
 226                  COMPUTERIZED SIMULATION; LIQUIDS; STRUCTURE FACTORS",
 227   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/81/3684/1",
 228   doi =          "10.1063/1.448118",
 229   notes =        "berendsen thermostat barostat",
 230 }
 231
 232 @Article{huang95,
 233   author =       "Hanchen Huang and N M Ghoniem and J K Wong and M
 234                  Baskes",
 235   title =        "Molecular dynamics determination of defect energetics
 236                  in beta -Si{C} using three representative empirical
 237                  potentials",
 238   journal =      "Modelling and Simulation in Materials Science and
 239                  Engineering",
 240   volume =       "3",
 241   number =       "5",
 242   pages =        "615--627",
 243   URL =          "http://stacks.iop.org/0965-0393/3/615",
 244   notes =        "comparison of tersoff, pearson and eam for defect
 245                  energetics in sic; (m)eam parameters for sic",
 246   year =         "1995",
 247 }
 248
 249 @Article{brenner89,
 250   title =        "Relationship between the embedded-atom method and
 251                  Tersoff potentials",
 252   author =       "Donald W. Brenner",
 253   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 254   volume =       "63",
 255   number =       "9",
 256   pages =        "1022",
 257   numpages =     "1",
 258   year =         "1989",
 259   month =        aug,
 260   doi =          "10.1103/PhysRevLett.63.1022",
 261   publisher =    "American Physical Society",
 262   notes =        "relation of tersoff and eam potential",
 263 }
 264
 265 @Article{batra87,
 266   title =        "Molecular-dynamics study of self-interstitials in
 267                  silicon",
 268   author =       "Inder P. Batra and Farid F. Abraham and S. Ciraci",
 269   journal =      "Phys. Rev. B",
 270   volume =       "35",
 271   number =       "18",
 272   pages =        "9552--9558",
 273   numpages =     "6",
 274   year =         "1987",
 275   month =        jun,
 276   doi =          "10.1103/PhysRevB.35.9552",
 277   publisher =    "American Physical Society",
 278   notes =        "selft-interstitials in silicon, stillinger-weber,
 279                  calculation of defect formation energy, defect
 280                  interstitial types",
 281 }
 282
 283 @Article{schober89,
 284   title =        "Extended interstitials in silicon and germanium",
 285   author =       "H. R. Schober",
 286   journal =      "Phys. Rev. B",
 287   volume =       "39",
 288   number =       "17",
 289   pages =        "13013--13015",
 290   numpages =     "2",
 291   year =         "1989",
 292   month =        jun,
 293   doi =          "10.1103/PhysRevB.39.13013",
 294   publisher =    "American Physical Society",
 295   notes =        "stillinger-weber silicon 110 stable and metastable
 296                  dumbbell configuration",
 297 }
 298
 299 @Article{gao02a,
 300   title =        "Cascade overlap and amorphization in $3{C}-Si{C}:$
 301                  Defect accumulation, topological features, and
 302                  disordering",
 303   author =       "F. Gao and W. J. Weber",
 304   journal =      "Phys. Rev. B",
 305   volume =       "66",
 306   number =       "2",
 307   pages =        "024106",
 308   numpages =     "10",
 309   year =         "2002",
 310   month =        jul,
 311   doi =          "10.1103/PhysRevB.66.024106",
 312   publisher =    "American Physical Society",
 313   notes =        "sic intro, si cascade in 3c-sic, amorphization,
 314                  tersoff modified, pair correlation of amorphous sic, md
 315                  result analyze",
 316 }
 317
 318 @Article{devanathan98,
 319   title =        "Computer simulation of a 10 ke{V} Si displacement
 320                  cascade in Si{C}",
 321   journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
 322                  Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
 323   volume =       "141",
 324   number =       "1-4",
 325   pages =        "118--122",
 326   year =         "1998",
 327   ISSN =         "0168-583X",
 328   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00084-6",
 329   author =       "R. Devanathan and W. J. Weber and T. Diaz de la
 330                  Rubia",
 331   notes =        "modified tersoff short range potential, ab initio
 332                  3c-sic",
 333 }
 334
 335 @Article{devanathan98_2,
 336   title =        "Displacement threshold energies in [beta]-Si{C}",
 337   journal =      "Journal of Nuclear Materials",
 338   volume =       "253",
 339   number =       "1-3",
 340   pages =        "47--52",
 341   year =         "1998",
 342   ISSN =         "0022-3115",
 343   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-3115(97)00304-8",
 344   author =       "R. Devanathan and T. Diaz de la Rubia and W. J.
 345                  Weber",
 346   notes =        "modified tersoff, ab initio, combined ab initio
 347                  tersoff",
 348 }
 349
 350 @Article{kitabatake00,
 351   title =        "Si{C}/Si heteroepitaxial growth",
 352   author =       "M. Kitabatake",
 353   journal =      "Thin Solid Films",
 354   volume =       "369",
 355   pages =        "257--264",
 356   numpages =     "8",
 357   year =         "2000",
 358   notes =        "md simulation, sic si heteroepitaxy, mbe",
 359 }
 360
 361 @Article{tang97,
 362   title =        "Intrinsic point defects in crystalline silicon:
 363                  Tight-binding molecular dynamics studies of
 364                  self-diffusion, interstitial-vacancy recombination, and
 365                  formation volumes",
 366   author =       "M. Tang and L. Colombo and J. Zhu and T. Diaz de la
 367                  Rubia",
 368   journal =      "Phys. Rev. B",
 369   volume =       "55",
 370   number =       "21",
 371   pages =        "14279--14289",
 372   numpages =     "10",
 373   year =         "1997",
 374   month =        jun,
 375   doi =          "10.1103/PhysRevB.55.14279",
 376   publisher =    "American Physical Society",
 377   notes =        "si self interstitial, diffusion, tbmd",
 378 }
 379
 380 @Article{johnson98,
 381   author =       "M. D. Johnson and M.-J. Caturla and T. D\'{\i}az de la
 382                  Rubia",
 383   collaboration = "",
 384   title =        "A kinetic Monte--Carlo study of the effective
 385                  diffusivity of the silicon self-interstitial in the
 386                  presence of carbon and boron",
 387   publisher =    "AIP",
 388   year =         "1998",
 389   journal =      "Journal of Applied Physics",
 390   volume =       "84",
 391   number =       "4",
 392   pages =        "1963--1967",
 393   keywords =     "MONTE CARLO METHOD; DIFFUSION; SILICON; INTERSTITIALS;
 394                  CARBON ADDITIONS; BORON ADDITIONS; elemental
 395                  semiconductors; self-diffusion",
 396   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/84/1963/1",
 397   doi =          "10.1063/1.368328",
 398   notes =        "kinetic monte carlo of si self interstitial
 399                  diffsuion",
 400 }
 401
 402 @Article{bar-yam84,
 403   title =        "Barrier to Migration of the Silicon
 404                  Self-Interstitial",
 405   author =       "Y. Bar-Yam and J. D. Joannopoulos",
 406   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 407   volume =       "52",
 408   number =       "13",
 409   pages =        "1129--1132",
 410   numpages =     "3",
 411   year =         "1984",
 412   month =        mar,
 413   doi =          "10.1103/PhysRevLett.52.1129",
 414   publisher =    "American Physical Society",
 415   notes =        "si self-interstitial migration barrier",
 416 }
 417
 418 @Article{bar-yam84_2,
 419   title =        "Electronic structure and total-energy migration
 420                  barriers of silicon self-interstitials",
 421   author =       "Y. Bar-Yam and J. D. Joannopoulos",
 422   journal =      "Phys. Rev. B",
 423   volume =       "30",
 424   number =       "4",
 425   pages =        "1844--1852",
 426   numpages =     "8",
 427   year =         "1984",
 428   month =        aug,
 429   doi =          "10.1103/PhysRevB.30.1844",
 430   publisher =    "American Physical Society",
 431 }
 432
 433 @Article{bloechl93,
 434   title =        "First-principles calculations of self-diffusion
 435                  constants in silicon",
 436   author =       "Peter E. Bl{\"o}chl and Enrico Smargiassi and R. Car
 437                  and D. B. Laks and W. Andreoni and S. T. Pantelides",
 438   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 439   volume =       "70",
 440   number =       "16",
 441   pages =        "2435--2438",
 442   numpages =     "3",
 443   year =         "1993",
 444   month =        apr,
 445   doi =          "10.1103/PhysRevLett.70.2435",
 446   publisher =    "American Physical Society",
 447   notes =        "si self int diffusion by ab initio md, formation
 448                  entropy calculations",
 449 }
 450
 451 @Article{colombo02,
 452   title =        "Tight-binding theory of native point defects in
 453                  silicon",
 454   author =       "L. Colombo",
 455   journal =      "Annu. Rev. Mater. Res.",
 456   volume =       "32",
 457   pages =        "271--295",
 458   numpages =     "25",
 459   year =         "2002",
 460   doi =          "10.1146/annurev.matsci.32.111601.103036",
 461   publisher =    "Annual Reviews",
 462   notes =        "si self interstitial, tbmd, virial stress",
 463 }
 464
 465 @Article{al-mushadani03,
 466   title =        "Free-energy calculations of intrinsic point defects in
 467                  silicon",
 468   author =       "O. K. Al-Mushadani and R. J. Needs",
 469   journal =      "Phys. Rev. B",
 470   volume =       "68",
 471   number =       "23",
 472   pages =        "235205",
 473   numpages =     "8",
 474   year =         "2003",
 475   month =        dec,
 476   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.235205",
 477   publisher =    "American Physical Society",
 478   notes =        "formation energies of intrinisc point defects in
 479                  silicon, si self interstitials, free energy",
 480 }
 481
 482 @Article{goedecker02,
 483   title =        "A Fourfold Coordinated Point Defect in Silicon",
 484   author =       "Stefan Goedecker and Thierry Deutsch and Luc Billard",
 485   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 486   volume =       "88",
 487   number =       "23",
 488   pages =        "235501",
 489   numpages =     "4",
 490   year =         "2002",
 491   month =        may,
 492   doi =          "10.1103/PhysRevLett.88.235501",
 493   publisher =    "American Physical Society",
 494   notes =        "first time ffcd, fourfold coordinated point defect in
 495                  silicon",
 496 }
 497
 498 @Article{hobler05,
 499   title =        "Ab initio calculations of the interaction between
 500                  native point defects in silicon",
 501   journal =      "Materials Science and Engineering: B",
 502   volume =       "124-125",
 503   number =       "",
 504   pages =        "368--371",
 505   year =         "2005",
 506   note =         "EMRS 2005, Symposium D - Materials Science and Device
 507                  Issues for Future Technologies",
 508   ISSN =         "0921-5107",
 509   doi =          "DOI: 10.1016/j.mseb.2005.08.072",
 510   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXF-4H6PKRB-3/2/e217bd3d7ee1fffee899eeb4a2f133a4",
 511   author =       "G. Hobler and G. Kresse",
 512   notes =        "vasp intrinsic si defect interaction study, capture
 513                  radius",
 514 }
 515
 516 @Article{ma10,
 517   title =        "Ab initio study of self-diffusion in silicon over a
 518                  wide temperature range: Point defect states and
 519                  migration mechanisms",
 520   author =       "Shangyi Ma and Shaoqing Wang",
 521   journal =      "Phys. Rev. B",
 522   volume =       "81",
 523   number =       "19",
 524   pages =        "193203",
 525   numpages =     "4",
 526   year =         "2010",
 527   month =        may,
 528   doi =          "10.1103/PhysRevB.81.193203",
 529   publisher =    "American Physical Society",
 530   notes =        "si self interstitial diffusion + refs",
 531 }
 532
 533 @Article{posselt06,
 534   title =        "Atomistic simulations on the thermal stability of the
 535                  antisite pair in 3{C}- and 4{H}-Si{C}",
 536   author =       "M. Posselt and F. Gao and W. J. Weber",
 537   journal =      "Phys. Rev. B",
 538   volume =       "73",
 539   number =       "12",
 540   pages =        "125206",
 541   numpages =     "8",
 542   year =         "2006",
 543   month =        mar,
 544   doi =          "10.1103/PhysRevB.73.125206",
 545   publisher =    "American Physical Society",
 546 }
 547
 548 @Article{posselt08,
 549   title =        "Correlation between self-diffusion in Si and the
 550                  migration mechanisms of vacancies and
 551                  self-interstitials: An atomistic study",
 552   author =       "M. Posselt and F. Gao and H. Bracht",
 553   journal =      "Phys. Rev. B",
 554   volume =       "78",
 555   number =       "3",
 556   pages =        "035208",
 557   numpages =     "9",
 558   year =         "2008",
 559   month =        jul,
 560   doi =          "10.1103/PhysRevB.78.035208",
 561   publisher =    "American Physical Society",
 562   notes =        "si self-interstitial and vacancy diffusion, stillinger
 563                  weber and tersoff",
 564 }
 565
 566 @Article{gao2001,
 567   title =        "Ab initio and empirical-potential studies of defect
 568                  properties in $3{C}-Si{C}$",
 569   author =       "F. Gao and E. J. Bylaska and W. J. Weber and L. R.
 570                  Corrales",
 571   journal =      "Phys. Rev. B",
 572   volume =       "64",
 573   number =       "24",
 574   pages =        "245208",
 575   numpages =     "7",
 576   year =         "2001",
 577   month =        dec,
 578   doi =          "10.1103/PhysRevB.64.245208",
 579   publisher =    "American Physical Society",
 580   notes =        "defects in 3c-sic",
 581 }
 582
 583 @Article{gao02,
 584   title =        "Empirical potential approach for defect properties in
 585                  3{C}-Si{C}",
 586   journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
 587                  Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
 588   volume =       "191",
 589   number =       "1-4",
 590   pages =        "504--508",
 591   year =         "2002",
 592   note =         "",
 593   ISSN =         "0168-583X",
 594   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(02)00600-6",
 595   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-453NR6B-G/2/e65b0730e94e13d66f72a2147b449ea7",
 596   author =       "Fei Gao and William J. Weber",
 597   keywords =     "Empirical potential",
 598   keywords =     "Defect properties",
 599   keywords =     "Silicon carbide",
 600   keywords =     "Computer simulation",
 601   notes =        "sic potential, brenner type, like erhart/albe",
 602 }
 603
 604 @Article{gao04,
 605   title =        "Atomistic study of intrinsic defect migration in
 606                  3{C}-Si{C}",
 607   author =       "Fei Gao and William J. Weber and M. Posselt and V.
 608                  Belko",
 609   journal =      "Phys. Rev. B",
 610   volume =       "69",
 611   number =       "24",
 612   pages =        "245205",
 613   numpages =     "5",
 614   year =         "2004",
 615   month =        jun,
 616   doi =          "10.1103/PhysRevB.69.245205",
 617   publisher =    "American Physical Society",
 618   notes =        "defect migration in sic",
 619 }
 620
 621 @Article{gao07,
 622   author =       "F. Gao and J. Du and E. J. Bylaska and M. Posselt and
 623                  W. J. Weber",
 624   collaboration = "",
 625   title =        "Ab Initio atomic simulations of antisite pair recovery
 626                  in cubic silicon carbide",
 627   publisher =    "AIP",
 628   year =         "2007",
 629   journal =      "Applied Physics Letters",
 630   volume =       "90",
 631   number =       "22",
 632   eid =          "221915",
 633   numpages =     "3",
 634   pages =        "221915",
 635   keywords =     "ab initio calculations; silicon compounds; antisite
 636                  defects; wide band gap semiconductors; molecular
 637                  dynamics method; density functional theory;
 638                  electron-hole recombination; photoluminescence;
 639                  impurities; diffusion",
 640   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/90/221915/1",
 641   doi =          "10.1063/1.2743751",
 642 }
 643
 644 @Article{mattoni2002,
 645   title =        "Self-interstitial trapping by carbon complexes in
 646                  crystalline silicon",
 647   author =       "A. Mattoni and F. Bernardini and L. Colombo",
 648   journal =      "Phys. Rev. B",
 649   volume =       "66",
 650   number =       "19",
 651   pages =        "195214",
 652   numpages =     "6",
 653   year =         "2002",
 654   month =        nov,
 655   doi =          "10.1103/PhysRevB.66.195214",
 656   publisher =    "American Physical Society",
 657   notes =        "c in c-si, diffusion, interstitial configuration +
 658                  links, interaction of carbon and silicon interstitials,
 659                  tersoff suitability",
 660 }
 661
 662 @Article{leung99,
 663   title =        "Calculations of Silicon Self-Interstitial Defects",
 664   author =       "W.-K. Leung and R. J. Needs and G. Rajagopal and S.
 665                  Itoh and S. Ihara",
 666   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 667   volume =       "83",
 668   number =       "12",
 669   pages =        "2351--2354",
 670   numpages =     "3",
 671   year =         "1999",
 672   month =        sep,
 673   doi =          "10.1103/PhysRevLett.83.2351",
 674   publisher =    "American Physical Society",
 675   notes =        "nice images of the defects, si defect overview +
 676                  refs",
 677 }
 678
 679 @Article{capaz94,
 680   title =        "Identification of the migration path of interstitial
 681                  carbon in silicon",
 682   author =       "R. B. Capaz and A. {Dal Pino} and J. D. Joannopoulos",
 683   journal =      "Phys. Rev. B",
 684   volume =       "50",
 685   number =       "11",
 686   pages =        "7439--7442",
 687   numpages =     "3",
 688   year =         "1994",
 689   month =        sep,
 690   doi =          "10.1103/PhysRevB.50.7439",
 691   publisher =    "American Physical Society",
 692   notes =        "carbon interstitial migration path shown, 001 c-si
 693                  dumbbell",
 694 }
 695
 696 @Article{capaz98,
 697   title =        "Theory of carbon-carbon pairs in silicon",
 698   author =       "R. B. Capaz and A. {Dal Pino} and J. D. Joannopoulos",
 699   journal =      "Phys. Rev. B",
 700   volume =       "58",
 701   number =       "15",
 702   pages =        "9845--9850",
 703   numpages =     "5",
 704   year =         "1998",
 705   month =        oct,
 706   doi =          "10.1103/PhysRevB.58.9845",
 707   publisher =    "American Physical Society",
 708   notes =        "carbon pairs in si",
 709 }
 710
 711 @Article{liu02,
 712   author =       "Chun-Li Liu and Wolfgang Windl and Len Borucki and
 713                  Shifeng Lu and Xiang-Yang Liu",
 714   collaboration = "",
 715   title =        "Ab initio modeling and experimental study of {C}--{B}
 716                  interactions in Si",
 717   publisher =    "AIP",
 718   year =         "2002",
 719   journal =      "Applied Physics Letters",
 720   volume =       "80",
 721   number =       "1",
 722   pages =        "52--54",
 723   keywords =     "silicon; boron; carbon; elemental semiconductors;
 724                  impurity-defect interactions; ab initio calculations;
 725                  secondary ion mass spectra; diffusion; interstitials",
 726   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/80/52/1",
 727   doi =          "10.1063/1.1430505",
 728   notes =        "c-c 100 split, lower as a and b states of capaz",
 729 }
 730
 731 @Article{dal_pino93,
 732   title =        "Ab initio investigation of carbon-related defects in
 733                  silicon",
 734   author =       "A. {Dal Pino} and Andrew M. Rappe and J. D.
 735                  Joannopoulos",
 736   journal =      "Phys. Rev. B",
 737   volume =       "47",
 738   number =       "19",
 739   pages =        "12554--12557",
 740   numpages =     "3",
 741   year =         "1993",
 742   month =        may,
 743   doi =          "10.1103/PhysRevB.47.12554",
 744   publisher =    "American Physical Society",
 745   notes =        "c interstitials in crystalline silicon",
 746 }
 747
 748 @Article{car84,
 749   title =        "Microscopic Theory of Atomic Diffusion Mechanisms in
 750                  Silicon",
 751   author =       "Roberto Car and Paul J. Kelly and Atsushi Oshiyama and
 752                  Sokrates T. Pantelides",
 753   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 754   volume =       "52",
 755   number =       "20",
 756   pages =        "1814--1817",
 757   numpages =     "3",
 758   year =         "1984",
 759   month =        may,
 760   doi =          "10.1103/PhysRevLett.52.1814",
 761   publisher =    "American Physical Society",
 762   notes =        "microscopic theory diffusion silicon dft migration
 763                  path formation",
 764 }
 765
 766 @Article{car85,
 767   title =        "Unified Approach for Molecular Dynamics and
 768                  Density-Functional Theory",
 769   author =       "R. Car and M. Parrinello",
 770   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 771   volume =       "55",
 772   number =       "22",
 773   pages =        "2471--2474",
 774   numpages =     "3",
 775   year =         "1985",
 776   month =        nov,
 777   doi =          "10.1103/PhysRevLett.55.2471",
 778   publisher =    "American Physical Society",
 779   notes =        "car parrinello method, dft and md",
 780 }
 781
 782 @Article{kelires97,
 783   title =        "Short-range order, bulk moduli, and physical trends in
 784                  c-$Si1-x$$Cx$ alloys",
 785   author =       "P. C. Kelires",
 786   journal =      "Phys. Rev. B",
 787   volume =       "55",
 788   number =       "14",
 789   pages =        "8784--8787",
 790   numpages =     "3",
 791   year =         "1997",
 792   month =        apr,
 793   doi =          "10.1103/PhysRevB.55.8784",
 794   publisher =    "American Physical Society",
 795   notes =        "c strained si, montecarlo md, bulk moduli, next
 796                  neighbour dist",
 797 }
 798
 799 @Article{kelires95,
 800   title =        "Monte Carlo Studies of Ternary Semiconductor Alloys:
 801                  Application to the $Si1-x-yGexCy$ System",
 802   author =       "P. C. Kelires",
 803   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 804   volume =       "75",
 805   number =       "6",
 806   pages =        "1114--1117",
 807   numpages =     "3",
 808   year =         "1995",
 809   month =        aug,
 810   doi =          "10.1103/PhysRevLett.75.1114",
 811   publisher =    "American Physical Society",
 812   notes =        "mc md, strain compensation in si ge by c insertion",
 813 }
 814
 815 @Article{bean70,
 816   title =        "Low temperature electron irradiation of silicon
 817                  containing carbon",
 818   journal =      "Solid State Communications",
 819   volume =       "8",
 820   number =       "3",
 821   pages =        "175--177",
 822   year =         "1970",
 823   note =         "",
 824   ISSN =         "0038-1098",
 825   doi =          "DOI: 10.1016/0038-1098(70)90074-8",
 826   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVW-46MF8S4-156/2/5f4d9c189a3d97227fde9214195aa081",
 827   author =       "A. R. Bean and R. C. Newman",
 828 }
 829
 830 @Article{watkins76,
 831   title =        "{EPR} Observation of the Isolated Interstitial Carbon
 832                  Atom in Silicon",
 833   author =       "G. D. Watkins and K. L. Brower",
 834   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 835   volume =       "36",
 836   number =       "22",
 837   pages =        "1329--1332",
 838   numpages =     "3",
 839   year =         "1976",
 840   month =        may,
 841   doi =          "10.1103/PhysRevLett.36.1329",
 842   publisher =    "American Physical Society",
 843   notes =        "epr observations of 100 interstitial carbon atom in
 844                  silicon",
 845 }
 846
 847 @Article{song90,
 848   title =        "{EPR} identification of the single-acceptor state of
 849                  interstitial carbon in silicon",
 850   author =       "L. W. Song and G. D. Watkins",
 851   journal =      "Phys. Rev. B",
 852   volume =       "42",
 853   number =       "9",
 854   pages =        "5759--5764",
 855   numpages =     "5",
 856   year =         "1990",
 857   month =        sep,
 858   doi =          "10.1103/PhysRevB.42.5759",
 859   publisher =    "American Physical Society",
 860   notes =        "carbon diffusion in silicon",
 861 }
 862
 863 @Article{tipping87,
 864   author =       "A K Tipping and R C Newman",
 865   title =        "The diffusion coefficient of interstitial carbon in
 866                  silicon",
 867   journal =      "Semiconductor Science and Technology",
 868   volume =       "2",
 869   number =       "5",
 870   pages =        "315--317",
 871   URL =          "http://stacks.iop.org/0268-1242/2/315",
 872   year =         "1987",
 873   notes =        "diffusion coefficient of carbon interstitials in
 874                  silicon",
 875 }
 876
 877 @Article{strane96,
 878   title =        "Carbon incorporation into Si at high concentrations by
 879                  ion implantation and solid phase epitaxy",
 880   author =       "J. W. Strane and S. R. Lee and H. J. Stein and S. T.
 881                  Picraux and J. K. Watanabe and J. W. Mayer",
 882   journal =      "J. Appl. Phys.",
 883   volume =       "79",
 884   pages =        "637",
 885   year =         "1996",
 886   month =        jan,
 887   doi =          "10.1063/1.360806",
 888   notes =        "strained silicon, carbon supersaturation",
 889 }
 890
 891 @Article{laveant2002,
 892   title =        "Epitaxy of carbon-rich silicon with {MBE}",
 893   journal =      "Materials Science and Engineering B",
 894   volume =       "89",
 895   number =       "1-3",
 896   pages =        "241--245",
 897   year =         "2002",
 898   ISSN =         "0921-5107",
 899   doi =          "DOI: 10.1016/S0921-5107(01)00794-2",
 900   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXF-44YVPGS-1V/2/024ece074ad18ebbec62a39a2510a268",
 901   author =       "P. Lav\'eant and G. Gerth and P. Werner and U.
 902                  G{\"{o}}sele",
 903   notes =        "low c in si, tensile stress to compensate compressive
 904                  stress, avoid sic precipitation",
 905 }
 906
 907 @Article{werner97,
 908   author =       "P. Werner and S. Eichler and G. Mariani and R.
 909                  K{\"{o}}gler and W. Skorupa",
 910   title =        "Investigation of {C}[sub x]Si defects in {C} implanted
 911                  silicon by transmission electron microscopy",
 912   publisher =    "AIP",
 913   year =         "1997",
 914   journal =      "Applied Physics Letters",
 915   volume =       "70",
 916   number =       "2",
 917   pages =        "252--254",
 918   keywords =     "silicon; ion implantation; carbon; crystal defects;
 919                  transmission electron microscopy; annealing; positron
 920                  annihilation; secondary ion mass spectroscopy; buried
 921                  layers; precipitation",
 922   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/70/252/1",
 923   doi =          "10.1063/1.118381",
 924   notes =        "si-c complexes, agglomerate, sic in si matrix, sic
 925                  precipitate",
 926 }
 927
 928 @InProceedings{werner96,
 929   author =       "P. Werner and R. K{\"{o}}gler and W. Skorupa and D.
 930                  Eichler",
 931   booktitle =    "Ion Implantation Technology. Proceedings of the 11th
 932                  International Conference on",
 933   title =        "{TEM} investigation of {C}-Si defects in carbon
 934                  implanted silicon",
 935   year =         "1996",
 936   month =        jun,
 937   volume =       "",
 938   number =       "",
 939   pages =        "675--678",
 940   doi =          "10.1109/IIT.1996.586497",
 941   ISSN =         "",
 942   notes =        "c-si agglomerates dumbbells",
 943 }
 944
 945 @Article{werner98,
 946   author =       "P. Werner and U. G{\"{o}}sele and H.-J. Gossmann and
 947                  D. C. Jacobson",
 948   collaboration = "",
 949   title =        "Carbon diffusion in silicon",
 950   publisher =    "AIP",
 951   year =         "1998",
 952   journal =      "Applied Physics Letters",
 953   volume =       "73",
 954   number =       "17",
 955   pages =        "2465--2467",
 956   keywords =     "silicon; carbon; elemental semiconductors; diffusion;
 957                  secondary ion mass spectra; semiconductor epitaxial
 958                  layers; annealing; impurity-defect interactions;
 959                  impurity distribution",
 960   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/73/2465/1",
 961   doi =          "10.1063/1.122483",
 962   notes =        "c diffusion in si, kick out mechnism",
 963 }
 964
 965 @Article{strane94,
 966   author =       "J. W. Strane and H. J. Stein and S. R. Lee and S. T.
 967                  Picraux and J. K. Watanabe and J. W. Mayer",
 968   collaboration = "",
 969   title =        "Precipitation and relaxation in strained Si[sub 1 -
 970                  y]{C}[sub y]/Si heterostructures",
 971   publisher =    "AIP",
 972   year =         "1994",
 973   journal =      "Journal of Applied Physics",
 974   volume =       "76",
 975   number =       "6",
 976   pages =        "3656--3668",
 977   keywords =     "SILICON CARBIDES; SILICON; PRECIPITATION; STRAINS",
 978   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/76/3656/1",
 979   doi =          "10.1063/1.357429",
 980   notes =        "strained si-c to 3c-sic, carbon nucleation + refs,
 981                  precipitation by substitutional carbon, coherent prec,
 982                  coherent to incoherent transition strain vs interface
 983                  energy",
 984 }
 985
 986 @Article{fischer95,
 987   author =       "G. G. Fischer and P. Zaumseil and E. Bugiel and H. J.
 988                  Osten",
 989   collaboration = "",
 990   title =        "Investigation of the high temperature behavior of
 991                  strained Si[sub 1 - y]{C}[sub y] /Si heterostructures",
 992   publisher =    "AIP",
 993   year =         "1995",
 994   journal =      "Journal of Applied Physics",
 995   volume =       "77",
 996   number =       "5",
 997   pages =        "1934--1937",
 998   keywords =     "SILICON CARBIDES; SILICON; HETEROSTRUCTURES; STRAINS;
 999                  XRD; MOLECULAR BEAM EPITAXY; STABILITY; TENSILE
1000                  PROPERTIES; EPITAXIAL LAYERS; ANNEALING; PRECIPITATION;
1001                  TEMPERATURE RANGE 04001000 K",
1002   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/77/1934/1",
1003   doi =          "10.1063/1.358826",
1004 }
1005
1006 @Article{edgar92,
1007   title =        "Prospects for device implementation of wide band gap
1008                  semiconductors",
1009   author =       "J. H. Edgar",
1010   journal =      "J. Mater. Res.",
1011   volume =       "7",
1012   pages =        "235",
1013   year =         "1992",
1014   month =        jan,
1015   doi =          "10.1557/JMR.1992.0235",
1016   notes =        "properties wide band gap semiconductor, sic
1017                  polytypes",
1018 }
1019
1020 @Article{zirkelbach2007,
1021   title =        "Monte Carlo simulation study of a selforganisation
1022                  process leading to ordered precipitate structures",
1023   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
1024                  and B. Stritzker",
1025   journal =      "Nucl. Instr. and Meth. B",
1026   volume =       "257",
1027   number =       "1--2",
1028   pages =        "75--79",
1029   numpages =     "5",
1030   year =         "2007",
1031   month =        apr,
1032   doi =          "doi:10.1016/j.nimb.2006.12.118",
1033   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
1034                  NETHERLANDS",
1035 }
1036
1037 @Article{zirkelbach2006,
1038   title =        "Monte-Carlo simulation study of the self-organization
1039                  of nanometric amorphous precipitates in regular arrays
1040                  during ion irradiation",
1041   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
1042                  and B. Stritzker",
1043   journal =      "Nucl. Instr. and Meth. B",
1044   volume =       "242",
1045   number =       "1--2",
1046   pages =        "679--682",
1047   numpages =     "4",
1048   year =         "2006",
1049   month =        jan,
1050   doi =          "doi:10.1016/j.nimb.2005.08.162",
1051   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
1052                  NETHERLANDS",
1053 }
1054
1055 @Article{zirkelbach2005,
1056   title =        "Modelling of a selforganization process leading to
1057                  periodic arrays of nanometric amorphous precipitates by
1058                  ion irradiation",
1059   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
1060                  and B. Stritzker",
1061   journal =      "Comp. Mater. Sci.",
1062   volume =       "33",
1063   number =       "1--3",
1064   pages =        "310--316",
1065   numpages =     "7",
1066   year =         "2005",
1067   month =        apr,
1068   doi =          "doi:10.1016/j.commatsci.2004.12.016",
1069   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
1070                  NETHERLANDS",
1071 }
1072
1073 @Article{zirkelbach09,
1074   title =        "Molecular dynamics simulation of defect formation and
1075                  precipitation in heavily carbon doped silicon",
1076   journal =      "Materials Science and Engineering: B",
1077   volume =       "159-160",
1078   number =       "",
1079   pages =        "149--152",
1080   year =         "2009",
1081   note =         "EMRS 2008 Spring Conference Symposium K: Advanced
1082                  Silicon Materials Research for Electronic and
1083                  Photovoltaic Applications",
1084   ISSN =         "0921-5107",
1085   doi =          "DOI: 10.1016/j.mseb.2008.10.010",
1086   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXF-4TX1547-2/2/cb9f4921f324735087020ccce7843e39",
1087   author =       "F. Zirkelbach and J. K. N. Lindner and K. Nordlund and
1088                  B. Stritzker",
1089   keywords =     "Silicon",
1090   keywords =     "Carbon",
1091   keywords =     "Silicon carbide",
1092   keywords =     "Nucleation",
1093   keywords =     "Defect formation",
1094   keywords =     "Molecular dynamics simulations",
1095 }
1096
1097 @Article{zirkelbach10a,
1098   title =        "Defects in Carbon implanted Silicon calculated by
1099                  classical potentials and first principles methods",
1100   journal =      "to be published",
1101   volume =       "",
1102   number =       "",
1103   pages =        "",
1104   year =         "2010",
1105   author =       "F. Zirkelbach and B. Stritzker and K. Nordlund and J.
1106                  K. N. Lindner and W. G. Schmidtd and E. Rauls",
1107 }
1108
1109 @Article{zirkelbach10b,
1110   title =        "Extensive first principles study of carbon defects in
1111                  silicon",
1112   journal =      "to be published",
1113   volume =       "",
1114   number =       "",
1115   pages =        "",
1116   year =         "2010",
1117   author =       "F. Zirkelbach and B. Stritzker and K. Nordlund and J.
1118                  K. N. Lindner and W. G. Schmidtd and E. Rauls",
1119 }
1120
1121 @Article{zirkelbach10c,
1122   title =        "...",
1123   journal =      "to be published",
1124   volume =       "",
1125   number =       "",
1126   pages =        "",
1127   year =         "2010",
1128   author =       "F. Zirkelbach and B. Stritzker and K. Nordlund and J.
1129                  K. N. Lindner and W. G. Schmidtd and E. Rauls",
1130 }
1131
1132 @Article{lindner99,
1133   title =        "Controlling the density distribution of Si{C}
1134                  nanocrystals for the ion beam synthesis of buried Si{C}
1135                  layers in silicon",
1136   journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
1137                  Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
1138   volume =       "147",
1139   number =       "1-4",
1140   pages =        "249--255",
1141   year =         "1999",
1142   note =         "",
1143   ISSN =         "0168-583X",
1144   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00598-9",
1145   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3YMWWDY-1H/2/ad53e614f783b2a7474aecb936dd0169",
1146   author =       "J. K. N. Lindner and B. Stritzker",
1147   notes =        "two-step implantation process",
1148 }
1149
1150 @Article{lindner99_2,
1151   title =        "Mechanisms in the ion beam synthesis of Si{C} layers
1152                  in silicon",
1153   journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
1154                  Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
1155   volume =       "148",
1156   number =       "1-4",
1157   pages =        "528--533",
1158   year =         "1999",
1159   ISSN =         "0168-583X",
1160   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00787-3",
1161   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3XGFSSH-3H/2/17d138baa6db68cb279e6de9161e5f85",
1162   author =       "J. K. N. Lindner and B. Stritzker",
1163   notes =        "3c-sic precipitation model, c-si dimers (dumbbells)",
1164 }
1165
1166 @Article{lindner01,
1167   title =        "Ion beam synthesis of buried Si{C} layers in silicon:
1168                  Basic physical processes",
1169   journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
1170                  Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
1171   volume =       "178",
1172   number =       "1-4",
1173   pages =        "44--54",
1174   year =         "2001",
1175   note =         "",
1176   ISSN =         "0168-583X",
1177   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(01)00504-3",
1178   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-435KG96-8/2/f222574d8945c3fd7aaf9ae1efdd37b3",
1179   author =       "J{\"{o}}rg K. N. Lindner",
1180 }
1181
1182 @Article{lindner02,
1183   title =        "High-dose carbon implantations into silicon:
1184                  fundamental studies for new technological tricks",
1185   author =       "J. K. N. Lindner",
1186   journal =      "Appl. Phys. A",
1187   volume =       "77",
1188   pages =        "27--38",
1189   year =         "2003",
1190   doi =          "10.1007/s00339-002-2062-8",
1191   notes =        "ibs, burried sic layers",
1192 }
1193
1194 @Article{lindner06,
1195   title =        "On the balance between ion beam induced nanoparticle
1196                  formation and displacive precipitate resolution in the
1197                  {C}-Si system",
1198   journal =      "Materials Science and Engineering: C",
1199   volume =       "26",
1200   number =       "5-7",
1201   pages =        "857--861",
1202   year =         "2006",
1203   note =         "Current Trends in Nanoscience - from Materials to
1204                  Applications",
1205   ISSN =         "0928-4931",
1206   doi =          "DOI: 10.1016/j.msec.2005.09.099",
1207   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXG-4HSXVVM-1/2/5b0e351198cc2e8f5f4446a80a73d04a",
1208   author =       "J. K. N. Lindner and M. H{\"a}berlen and G. Thorwarth
1209                  and B. Stritzker",
1210   notes =        "c int diffusion barrier",
1211 }
1212
1213 @Article{ito04,
1214   title =        "Ion beam synthesis of 3{C}-Si{C} layers in Si and its
1215                  application in buffer layer for Ga{N} epitaxial
1216                  growth",
1217   journal =      "Applied Surface Science",
1218   volume =       "238",
1219   number =       "1-4",
1220   pages =        "159--164",
1221   year =         "2004",
1222   note =         "APHYS'03 Special Issue",
1223   ISSN =         "0169-4332",
1224   doi =          "DOI: 10.1016/j.apsusc.2004.05.199",
1225   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6THY-4CTTNGX-B/2/d24ee637db87f3f1a6ef7fe6820f267c",
1226   author =       "Y. Ito and T. Yamauchi and A. Yamamoto and M. Sasase
1227                  and S. Nishio and K. Yasuda and Y. Ishigami",
1228   notes =        "gan on 3c-sic",
1229 }
1230
1231 @Article{alder57,
1232   author =       "B. J. Alder and T. E. Wainwright",
1233   title =        "Phase Transition for a Hard Sphere System",
1234   publisher =    "AIP",
1235   year =         "1957",
1236   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
1237   volume =       "27",
1238   number =       "5",
1239   pages =        "1208--1209",
1240   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/27/1208/1",
1241   doi =          "10.1063/1.1743957",
1242 }
1243
1244 @Article{alder59,
1245   author =       "B. J. Alder and T. E. Wainwright",
1246   title =        "Studies in Molecular Dynamics. {I}. General Method",
1247   publisher =    "AIP",
1248   year =         "1959",
1249   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
1250   volume =       "31",
1251   number =       "2",
1252   pages =        "459--466",
1253   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/31/459/1",
1254   doi =          "10.1063/1.1730376",
1255 }
1256
1257 @Article{tersoff_si1,
1258   title =        "New empirical model for the structural properties of
1259                  silicon",
1260   author =       "J. Tersoff",
1261   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1262   volume =       "56",
1263   number =       "6",
1264   pages =        "632--635",
1265   numpages =     "3",
1266   year =         "1986",
1267   month =        feb,
1268   doi =          "10.1103/PhysRevLett.56.632",
1269   publisher =    "American Physical Society",
1270 }
1271
1272 @Article{tersoff_si2,
1273   title =        "New empirical approach for the structure and energy of
1274                  covalent systems",
1275   author =       "J. Tersoff",
1276   journal =      "Phys. Rev. B",
1277   volume =       "37",
1278   number =       "12",
1279   pages =        "6991--7000",
1280   numpages =     "9",
1281   year =         "1988",
1282   month =        apr,
1283   doi =          "10.1103/PhysRevB.37.6991",
1284   publisher =    "American Physical Society",
1285 }
1286
1287 @Article{tersoff_si3,
1288   title =        "Empirical interatomic potential for silicon with
1289                  improved elastic properties",
1290   author =       "J. Tersoff",
1291   journal =      "Phys. Rev. B",
1292   volume =       "38",
1293   number =       "14",
1294   pages =        "9902--9905",
1295   numpages =     "3",
1296   year =         "1988",
1297   month =        nov,
1298   doi =          "10.1103/PhysRevB.38.9902",
1299   publisher =    "American Physical Society",
1300 }
1301
1302 @Article{tersoff_c,
1303   title =        "Empirical Interatomic Potential for Carbon, with
1304                  Applications to Amorphous Carbon",
1305   author =       "J. Tersoff",
1306   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1307   volume =       "61",
1308   number =       "25",
1309   pages =        "2879--2882",
1310   numpages =     "3",
1311   year =         "1988",
1312   month =        dec,
1313   doi =          "10.1103/PhysRevLett.61.2879",
1314   publisher =    "American Physical Society",
1315 }
1316
1317 @Article{tersoff_m,
1318   title =        "Modeling solid-state chemistry: Interatomic potentials
1319                  for multicomponent systems",
1320   author =       "J. Tersoff",
1321   journal =      "Phys. Rev. B",
1322   volume =       "39",
1323   number =       "8",
1324   pages =        "5566--5568",
1325   numpages =     "2",
1326   year =         "1989",
1327   month =        mar,
1328   doi =          "10.1103/PhysRevB.39.5566",
1329   publisher =    "American Physical Society",
1330 }
1331
1332 @Article{tersoff90,
1333   title =        "Carbon defects and defect reactions in silicon",
1334   author =       "J. Tersoff",
1335   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1336   volume =       "64",
1337   number =       "15",
1338   pages =        "1757--1760",
1339   numpages =     "3",
1340   year =         "1990",
1341   month =        apr,
1342   doi =          "10.1103/PhysRevLett.64.1757",
1343   publisher =    "American Physical Society",
1344 }
1345
1346 @Article{fahey89,
1347   title =        "Point defects and dopant diffusion in silicon",
1348   author =       "P. M. Fahey and P. B. Griffin and J. D. Plummer",
1349   journal =      "Rev. Mod. Phys.",
1350   volume =       "61",
1351   number =       "2",
1352   pages =        "289--384",
1353   numpages =     "95",
1354   year =         "1989",
1355   month =        apr,
1356   doi =          "10.1103/RevModPhys.61.289",
1357   publisher =    "American Physical Society",
1358 }
1359
1360 @Article{wesch96,
1361   title =        "Silicon carbide: synthesis and processing",
1362   journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
1363                  Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
1364   volume =       "116",
1365   number =       "1-4",
1366   pages =        "305--321",
1367   year =         "1996",
1368   note =         "Radiation Effects in Insulators",
1369   ISSN =         "0168-583X",
1370   doi =          "DOI: 10.1016/0168-583X(96)00065-1",
1371   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3VXHNFT-C7/2/4216cb1ec9e422c22de5fed7360fb06e",
1372   author =       "W. Wesch",
1373 }
1374
1375 @Article{morkoc94,
1376   author =       "H. Morko\c{c} and S. Strite and G. B. Gao and M. E.
1377                  Lin and B. Sverdlov and M. Burns",
1378   collaboration = "",
1379   title =        "Large-band-gap Si{C}, {III}-{V} nitride, and {II}-{VI}
1380                  ZnSe-based semiconductor device technologies",
1381   publisher =    "AIP",
1382   year =         "1994",
1383   journal =      "Journal of Applied Physics",
1384   volume =       "76",
1385   number =       "3",
1386   pages =        "1363--1398",
1387   keywords =     "SEMICONDUCTOR DEVICES; SILICON CARBIDES; GALLIUM
1388                  NITRIDES; ZINC SELENIDES; SUBSTRATES; MOS JUNCTIONS;
1389                  LASER MATERIALS; MATERIALS; REVIEWS; ENERGY GAP; THIN
1390                  FILMS; INDUSTRY",
1391   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/76/1363/1",
1392   doi =          "10.1063/1.358463",
1393   notes =        "sic intro, properties",
1394 }
1395
1396 @Article{neudeck95,
1397   author =       "P. G. Neudeck",
1398   title =        "{PROGRESS} {IN} {SILICON}-{CARBIDE} {SEMICONDUCTOR}
1399                  {ELECTRONICS} {TECHNOLOGY}",
1400   journal =      "Journal of Electronic Materials",
1401   year =         "1995",
1402   volume =       "24",
1403   number =       "4",
1404   pages =        "283--288",
1405   month =        apr,
1406 }
1407
1408 @Article{foo,
1409   author =       "Noch Unbekannt",
1410   title =        "How to find references",
1411   journal =      "Journal of Applied References",
1412   year =         "2009",
1413   volume =       "77",
1414   pages =        "1--23",
1415 }
1416
1417 @Article{tang95,
1418   title =        "Atomistic simulation of thermomechanical properties of
1419                  \beta{}-Si{C}",
1420   author =       "Meijie Tang and Sidney Yip",
1421   journal =      "Phys. Rev. B",
1422   volume =       "52",
1423   number =       "21",
1424   pages =        "15150--15159",
1425   numpages =     "9",
1426   year =         "1995",
1427   doi =          "10.1103/PhysRevB.52.15150",
1428   notes =        "modified tersoff, scale cutoff with volume, promising
1429                  tersoff reparametrization",
1430   publisher =    "American Physical Society",
1431 }
1432
1433 @Article{sarro00,
1434   title =        "Silicon carbide as a new {MEMS} technology",
1435   journal =      "Sensors and Actuators A: Physical",
1436   volume =       "82",
1437   number =       "1-3",
1438   pages =        "210--218",
1439   year =         "2000",
1440   ISSN =         "0924-4247",
1441   doi =          "DOI: 10.1016/S0924-4247(99)00335-0",
1442   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6THG-406VM55-13/2/75385a587669b215d9ef88029a93fd59",
1443   author =       "Pasqualina M. Sarro",
1444   keywords =     "MEMS",
1445   keywords =     "Silicon carbide",
1446   keywords =     "Micromachining",
1447   keywords =     "Mechanical stress",
1448 }
1449
1450 @Article{casady96,
1451   title =        "Status of silicon carbide (Si{C}) as a wide-bandgap
1452                  semiconductor for high-temperature applications: {A}
1453                  review",
1454   journal =      "Solid-State Electronics",
1455   volume =       "39",
1456   number =       "10",
1457   pages =        "1409--1422",
1458   year =         "1996",
1459   ISSN =         "0038-1101",
1460   doi =          "DOI: 10.1016/0038-1101(96)00045-7",
1461   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TY5-3VSR9J0-1/2/a871c11636e937dc45bfdf48e29f725b",
1462   author =       "J. B. Casady and R. W. Johnson",
1463   notes =        "sic intro",
1464 }
1465
1466 @Article{giancarli98,
1467   title =        "Design requirements for Si{C}/Si{C} composites
1468                  structural material in fusion power reactor blankets",
1469   journal =      "Fusion Engineering and Design",
1470   volume =       "41",
1471   number =       "1-4",
1472   pages =        "165--171",
1473   year =         "1998",
1474   ISSN =         "0920-3796",
1475   doi =          "DOI: 10.1016/S0920-3796(97)00200-7",
1476   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6V3C-3V8RYK8-T/2/16949194114900fd1330f79892d7a7be",
1477   author =       "L. Giancarli and J. P. Bonal and A. Caso and G. Le
1478                  Marois and N. B. Morley and J. F. Salavy",
1479 }
1480
1481 @Article{pensl93,
1482   title =        "Electrical and optical characterization of Si{C}",
1483   journal =      "Physica B: Condensed Matter",
1484   volume =       "185",
1485   number =       "1-4",
1486   pages =        "264--283",
1487   year =         "1993",
1488   ISSN =         "0921-4526",
1489   doi =          "DOI: 10.1016/0921-4526(93)90249-6",
1490   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVH-46G8HRX-99/2/eab9398bf2bbf10df3ae42c2ab28a776",
1491   author =       "G. Pensl and W. J. Choyke",
1492 }
1493
1494 @Article{tairov78,
1495   title =        "Investigation of growth processes of ingots of silicon
1496                  carbide single crystals",
1497   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1498   volume =       "43",
1499   number =       "2",
1500   pages =        "209--212",
1501   year =         "1978",
1502   notes =        "modified lely process",
1503   ISSN =         "0022-0248",
1504   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(78)90169-0",
1505   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46BY2NR-7S/2/fa6fee78ebd8322491f6366e72d5b6dc",
1506   author =       "Yu. M. Tairov and V. F. Tsvetkov",
1507 }
1508
1509 @Article{nishino83,
1510   author =       "Shigehiro Nishino and J. Anthony Powell and Herbert A.
1511                  Will",
1512   collaboration = "",
1513   title =        "Production of large-area single-crystal wafers of
1514                  cubic Si{C} for semiconductor devices",
1515   publisher =    "AIP",
1516   year =         "1983",
1517   journal =      "Applied Physics Letters",
1518   volume =       "42",
1519   number =       "5",
1520   pages =        "460--462",
1521   keywords =     "silicon carbides; layers; chemical vapor deposition;
1522                  monocrystals",
1523   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/42/460/1",
1524   doi =          "10.1063/1.93970",
1525   notes =        "cvd of 3c-sic on si, sic buffer layer",
1526 }
1527
1528 @Article{nishino87,
1529   author =       "Shigehiro Nishino and Hajime Suhara and Hideyuki Ono
1530                  and Hiroyuki Matsunami",
1531   collaboration = "",
1532   title =        "Epitaxial growth and electric characteristics of cubic
1533                  Si{C} on silicon",
1534   publisher =    "AIP",
1535   year =         "1987",
1536   journal =      "Journal of Applied Physics",
1537   volume =       "61",
1538   number =       "10",
1539   pages =        "4889--4893",
1540   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/61/4889/1",
1541   doi =          "10.1063/1.338355",
1542   notes =        "cvd of 3c-sic on si, sic buffer layer, first time
1543                  carbonization",
1544 }
1545
1546 @Article{powell87,
1547   author =       "J. Anthony Powell and Lawrence G. Matus and Maria A.
1548                  Kuczmarski",
1549   title =        "Growth and Characterization of Cubic Si{C}
1550                  Single-Crystal Films on Si",
1551   publisher =    "ECS",
1552   year =         "1987",
1553   journal =      "Journal of The Electrochemical Society",
1554   volume =       "134",
1555   number =       "6",
1556   pages =        "1558--1565",
1557   keywords =     "semiconductor materials; silicon compounds; carbon
1558                  compounds; crystal morphology; electron mobility",
1559   URL =          "http://link.aip.org/link/?JES/134/1558/1",
1560   doi =          "10.1149/1.2100708",
1561   notes =        "blue light emitting diodes (led)",
1562 }
1563
1564 @Article{kimoto93,
1565   author =       "Tsunenobu Kimoto and Hironori Nishino and Woo Sik Yoo
1566                  and Hiroyuki Matsunami",
1567   title =        "Growth mechanism of 6{H}-Si{C} in step-controlled
1568                  epitaxy",
1569   publisher =    "AIP",
1570   year =         "1993",
1571   journal =      "Journal of Applied Physics",
1572   volume =       "73",
1573   number =       "2",
1574   pages =        "726--732",
1575   keywords =     "SILICON CARBIDES; EPITAXY; GROWTH RATE; TEMPERATURE
1576                  RANGE 10004000 K; TWINNING; ACTIVATION ENERGY; CHEMICAL
1577                  VAPOR DEPOSITION",
1578   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/73/726/1",
1579   doi =          "10.1063/1.353329",
1580   notes =        "cvd of 6h-sic on 6h-sic, twinned 3c-sic",
1581 }
1582
1583 @Article{powell90,
1584   author =       "J. A. Powell and D. J. Larkin and L. G. Matus and W.
1585                  J. Choyke and J. L. Bradshaw and L. Henderson and M.
1586                  Yoganathan and J. Yang and P. Pirouz",
1587   collaboration = "",
1588   title =        "Growth of improved quality 3{C}-Si{C} films on
1589                  6{H}-Si{C} substrates",
1590   publisher =    "AIP",
1591   year =         "1990",
1592   journal =      "Applied Physics Letters",
1593   volume =       "56",
1594   number =       "14",
1595   pages =        "1353--1355",
1596   keywords =     "SILICON CARBIDES; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; SORPTIVE
1597                  PROPERTIES; PHOTOLUMINESCENCE; TRANSMISSION ELECTRON
1598                  MICROSCOPY; DEFECT STRUCTURE; STACKING FAULTS; VAPOR
1599                  PHASE EPITAXY",
1600   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/56/1353/1",
1601   doi =          "10.1063/1.102512",
1602   notes =        "cvd of 3c-sic on 6h-sic",
1603 }
1604
1605 @Article{yuan95,
1606   author =       "C. Yuan and A. J. Steckl and J. Chaudhuri and R.
1607                  Thokala and M. J. Loboda",
1608   collaboration = "",
1609   title =        "Reduced temperature growth of crystalline 3{C}-Si{C}
1610                  films on 6{H}-Si{C} by chemical vapor deposition from
1611                  silacyclobutane",
1612   publisher =    "AIP",
1613   year =         "1995",
1614   journal =      "Journal of Applied Physics",
1615   volume =       "78",
1616   number =       "2",
1617   pages =        "1271--1273",
1618   keywords =     "SILICON CARBIDES; THIN FILMS; CVD; EPITAXY; ABSORPTION
1619                  EDGE; CRYSTAL STRUCTURE; STRAINS; DISLOCATIONS; XRD;
1620                  SPECTROPHOTOMETRY",
1621   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/78/1271/1",
1622   doi =          "10.1063/1.360368",
1623   notes =        "3c-sic on 6h-sic, cvd, reduced temperature",
1624 }
1625
1626 @Article{fissel95,
1627   title =        "Epitaxial growth of Si{C} thin films on Si-stabilized
1628                  [alpha]-Si{C}(0001) at low temperatures by solid-source
1629                  molecular beam epitaxy",
1630   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1631   volume =       "154",
1632   number =       "1-2",
1633   pages =        "72--80",
1634   year =         "1995",
1635   ISSN =         "0022-0248",
1636   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(95)00170-0",
1637   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-3Y5MMXM-1N/2/65549019b878bf02d5ec645b7eea9e98",
1638   author =       "A. Fissel and U. Kaiser and E. Ducke and B.
1639                  Schr{\"{o}}ter and W. Richter",
1640   notes =        "solid source mbe of 3c-sic on si and 6h-sic",
1641 }
1642
1643 @Article{fissel95_apl,
1644   author =       "A. Fissel and B. Schr{\"{o}}ter and W. Richter",
1645   collaboration = "",
1646   title =        "Low-temperature growth of Si{C} thin films on Si and
1647                  6{H}--Si{C} by solid-source molecular beam epitaxy",
1648   publisher =    "AIP",
1649   year =         "1995",
1650   journal =      "Applied Physics Letters",
1651   volume =       "66",
1652   number =       "23",
1653   pages =        "3182--3184",
1654   keywords =     "SILICON CARBIDES; MOLECULAR BEAM EPITAXY; MORPHOLOGY;
1655                  RHEED; NUCLEATION",
1656   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/66/3182/1",
1657   doi =          "10.1063/1.113716",
1658   notes =        "mbe 3c-sic on si and 6h-sic",
1659 }
1660
1661 @Article{borders71,
1662   author =       "J. A. Borders and S. T. Picraux and W. Beezhold",
1663   collaboration = "",
1664   title =        "{FORMATION} {OF} Si{C} {IN} {SILICON} {BY} {ION}
1665                  {IMPLANTATION}",
1666   publisher =    "AIP",
1667   year =         "1971",
1668   journal =      "Applied Physics Letters",
1669   volume =       "18",
1670   number =       "11",
1671   pages =        "509--511",
1672   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/18/509/1",
1673   doi =          "10.1063/1.1653516",
1674   notes =        "first time sic by ibs, follow cites for precipitation
1675                  ideas",
1676 }
1677
1678 @Article{reeson87,
1679   author =       "K. J. Reeson and P. L. F. Hemment and J. Stoemenos and
1680                  J. Davis and G. E. Celler",
1681   collaboration = "",
1682   title =        "Formation of buried layers of beta-Si{C} using ion
1683                  beam synthesis and incoherent lamp annealing",
1684   publisher =    "AIP",
1685   year =         "1987",
1686   journal =      "Applied Physics Letters",
1687   volume =       "51",
1688   number =       "26",
1689   pages =        "2242--2244",
1690   keywords =     "SILICON CARBIDES; FILM GROWTH; SOLIDPHASE EPITAXY; ION
1691                  IMPLANTATION; CARBON IONS; DOPING PROFILES; SYNTHESIS",
1692   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/51/2242/1",
1693   doi =          "10.1063/1.98953",
1694   notes =        "nice tem images, sic by ibs",
1695 }
1696
1697 @Article{scace59,
1698   author =       "R. I. Scace and G. A. Slack",
1699   collaboration = "",
1700   title =        "Solubility of Carbon in Silicon and Germanium",
1701   publisher =    "AIP",
1702   year =         "1959",
1703   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
1704   volume =       "30",
1705   number =       "6",
1706   pages =        "1551--1555",
1707   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/30/1551/1",
1708   doi =          "10.1063/1.1730236",
1709   notes =        "solubility of c in c-si, si-c phase diagram",
1710 }
1711
1712 @Article{cowern96,
1713   author =       "N. E. B. Cowern and A. Cacciato and J. S. Custer and
1714                  F. W. Saris and W. Vandervorst",
1715   collaboration = "",
1716   title =        "Role of {C} and {B} clusters in transient diffusion of
1717                  {B} in silicon",
1718   publisher =    "AIP",
1719   year =         "1996",
1720   journal =      "Applied Physics Letters",
1721   volume =       "68",
1722   number =       "8",
1723   pages =        "1150--1152",
1724   keywords =     "ATOMIC CLUSTERS; BORON ADDITIONS; CRYSTAL DOPING;
1725                  DIFFUSION; DOPED MATERIALS; IMPURITIES; INTERSTITIALS;
1726                  SILICON",
1727   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/68/1150/1",
1728   doi =          "10.1063/1.115706",
1729   notes =        "suppression of transient enhanced diffusion (ted)",
1730 }
1731
1732 @Article{stolk95,
1733   title =        "Implantation and transient boron diffusion: the role
1734                  of the silicon self-interstitial",
1735   journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
1736                  Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
1737   volume =       "96",
1738   number =       "1-2",
1739   pages =        "187--195",
1740   year =         "1995",
1741   note =         "Selected Papers of the Tenth International Conference
1742                  on Ion Implantation Technology (IIT '94)",
1743   ISSN =         "0168-583X",
1744   doi =          "DOI: 10.1016/0168-583X(94)00481-1",
1745   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-40WKY1P-29/2/602c6e5b809221323d2d2968edd0a71c",
1746   author =       "P. A. Stolk and H. -J. Gossmann and D. J. Eaglesham
1747                  and J. M. Poate",
1748 }
1749
1750 @Article{stolk97,
1751   author =       "P. A. Stolk and H.-J. Gossmann and D. J. Eaglesham and
1752                  D. C. Jacobson and C. S. Rafferty and G. H. Gilmer and
1753                  M. Jara\'{\i}z and J. M. Poate and H. S. Luftman and T.
1754                  E. Haynes",
1755   collaboration = "",
1756   title =        "Physical mechanisms of transient enhanced dopant
1757                  diffusion in ion-implanted silicon",
1758   publisher =    "AIP",
1759   year =         "1997",
1760   journal =      "Journal of Applied Physics",
1761   volume =       "81",
1762   number =       "9",
1763   pages =        "6031--6050",
1764   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/81/6031/1",
1765   doi =          "10.1063/1.364452",
1766   notes =        "ted, transient enhanced diffusion, c silicon trap",
1767 }
1768
1769 @Article{powell94,
1770   author =       "A. R. Powell and F. K. LeGoues and S. S. Iyer",
1771   collaboration = "",
1772   title =        "Formation of beta-Si{C} nanocrystals by the relaxation
1773                  of Si[sub 1 - y]{C}[sub y] random alloy layers",
1774   publisher =    "AIP",
1775   year =         "1994",
1776   journal =      "Applied Physics Letters",
1777   volume =       "64",
1778   number =       "3",
1779   pages =        "324--326",
1780   keywords =     "SILICON CARBIDES; NANOSTRUCTURES; DISPERSIONS;
1781                  EPITAXIAL LAYERS; STRESS RELAXATION; ANNEALING;
1782                  TEMPERATURE EFFECTS; PRECIPITATION; DISLOCATIONS;
1783                  SYNTHESIS",
1784   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/64/324/1",
1785   doi =          "10.1063/1.111195",
1786   notes =        "beta sic nano crystals in si, mbe, annealing",
1787 }
1788
1789 @Article{soref91,
1790   author =       "Richard A. Soref",
1791   collaboration = "",
1792   title =        "Optical band gap of the ternary semiconductor Si[sub 1
1793                  - x - y]Ge[sub x]{C}[sub y]",
1794   publisher =    "AIP",
1795   year =         "1991",
1796   journal =      "Journal of Applied Physics",
1797   volume =       "70",
1798   number =       "4",
1799   pages =        "2470--2472",
1800   keywords =     "SILICON CARBIDES; GERMANIUM CARBIDES; ENERGY GAP;
1801                  OPTICAL PROPERTIES; DIAMONDS; SEMICONDUCTOR ALLOYS;
1802                  TERNARY ALLOYS",
1803   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/70/2470/1",
1804   doi =          "10.1063/1.349403",
1805   notes =        "band gap of strained si by c",
1806 }
1807
1808 @Article{kasper91,
1809   author =       "E Kasper",
1810   title =        "Superlattices of group {IV} elements, a new
1811                  possibility to produce direct band gap material",
1812   journal =      "Physica Scripta",
1813   volume =       "T35",
1814   pages =        "232--236",
1815   URL =          "http://stacks.iop.org/1402-4896/T35/232",
1816   year =         "1991",
1817   notes =        "superlattices, convert indirect band gap into a
1818                  quasi-direct one",
1819 }
1820
1821 @Article{osten99,
1822   author =       "H. J. Osten and J. Griesche and S. Scalese",
1823   collaboration = "",
1824   title =        "Substitutional carbon incorporation in epitaxial
1825                  Si[sub 1 - y]{C}[sub y] alloys on Si(001) grown by
1826                  molecular beam epitaxy",
1827   publisher =    "AIP",
1828   year =         "1999",
1829   journal =      "Applied Physics Letters",
1830   volume =       "74",
1831   number =       "6",
1832   pages =        "836--838",
1833   keywords =     "molecular beam epitaxial growth; semiconductor growth;
1834                  wide band gap semiconductors; interstitials; silicon
1835                  compounds",
1836   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/74/836/1",
1837   doi =          "10.1063/1.123384",
1838   notes =        "substitutional c in si",
1839 }
1840
1841 @Article{hohenberg64,
1842   title =        "Inhomogeneous Electron Gas",
1843   author =       "P. Hohenberg and W. Kohn",
1844   journal =      "Phys. Rev.",
1845   volume =       "136",
1846   number =       "3B",
1847   pages =        "B864--B871",
1848   numpages =     "7",
1849   year =         "1964",
1850   month =        nov,
1851   doi =          "10.1103/PhysRev.136.B864",
1852   publisher =    "American Physical Society",
1853   notes =        "density functional theory, dft",
1854 }
1855
1856 @Article{kohn65,
1857   title =        "Self-Consistent Equations Including Exchange and
1858                  Correlation Effects",
1859   author =       "W. Kohn and L. J. Sham",
1860   journal =      "Phys. Rev.",
1861   volume =       "140",
1862   number =       "4A",
1863   pages =        "A1133--A1138",
1864   numpages =     "5",
1865   year =         "1965",
1866   month =        nov,
1867   doi =          "10.1103/PhysRev.140.A1133",
1868   publisher =    "American Physical Society",
1869   notes =        "dft, exchange and correlation",
1870 }
1871
1872 @Article{ruecker94,
1873   title =        "Strain-stabilized highly concentrated pseudomorphic
1874                  $Si1-x$$Cx$ layers in Si",
1875   author =       "H. R{\"u}cker and M. Methfessel and E. Bugiel and H.
1876                  J. Osten",
1877   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1878   volume =       "72",
1879   number =       "22",
1880   pages =        "3578--3581",
1881   numpages =     "3",
1882   year =         "1994",
1883   month =        may,
1884   doi =          "10.1103/PhysRevLett.72.3578",
1885   publisher =    "American Physical Society",
1886   notes =        "high c concentration in si, heterostructure, starined
1887                  si, dft",
1888 }
1889
1890 @Article{chang05,
1891   title =        "Electron Transport Model for Strained Silicon-Carbon
1892                  Alloy",
1893   author =       "Shu-Tong Chang and Chung-Yi Lin",
1894   journal =      "Japanese Journal of Applied Physics",
1895   volume =       "44",
1896   number =       "4B",
1897   pages =        "2257--2262",
1898   numpages =     "5",
1899   year =         "2005",
1900   URL =          "http://jjap.ipap.jp/link?JJAP/44/2257/",
1901   doi =          "10.1143/JJAP.44.2257",
1902   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
1903   notes =        "enhance of electron mobility in starined si",
1904 }
1905
1906 @Article{osten97,
1907   author =       "H. J. Osten and P. Gaworzewski",
1908   collaboration = "",
1909   title =        "Charge transport in strained Si[sub 1 - y]{C}[sub y]
1910                  and Si[sub 1 - x - y]Ge[sub x]{C}[sub y] alloys on
1911                  Si(001)",
1912   publisher =    "AIP",
1913   year =         "1997",
1914   journal =      "Journal of Applied Physics",
1915   volume =       "82",
1916   number =       "10",
1917   pages =        "4977--4981",
1918   keywords =     "silicon compounds; Ge-Si alloys; wide band gap
1919                  semiconductors; semiconductor epitaxial layers; carrier
1920                  density; Hall mobility; interstitials; defect states",
1921   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/82/4977/1",
1922   doi =          "10.1063/1.366364",
1923   notes =        "charge transport in strained si",
1924 }
1925
1926 @Article{kapur04,
1927   title =        "Carbon-mediated aggregation of self-interstitials in
1928                  silicon: {A} large-scale molecular dynamics study",
1929   author =       "Sumeet S. Kapur and Manish Prasad and Talid Sinno",
1930   journal =      "Phys. Rev. B",
1931   volume =       "69",
1932   number =       "15",
1933   pages =        "155214",
1934   numpages =     "8",
1935   year =         "2004",
1936   month =        apr,
1937   doi =          "10.1103/PhysRevB.69.155214",
1938   publisher =    "American Physical Society",
1939   notes =        "simulation using promising tersoff reparametrization",
1940 }
1941
1942 @Article{barkema96,
1943   title =        "Event-Based Relaxation of Continuous Disordered
1944                  Systems",
1945   author =       "G. T. Barkema and Normand Mousseau",
1946   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1947   volume =       "77",
1948   number =       "21",
1949   pages =        "4358--4361",
1950   numpages =     "3",
1951   year =         "1996",
1952   month =        nov,
1953   doi =          "10.1103/PhysRevLett.77.4358",
1954   publisher =    "American Physical Society",
1955   notes =        "activation relaxation technique, art, speed up slow
1956                  dynamic mds",
1957 }
1958
1959 @Article{cances09,
1960   author =       "E. Canc\`{e}s and F. Legoll and M.-C. Marinica and K.
1961                  Minoukadeh and F. Willaime",
1962   collaboration = "",
1963   title =        "Some improvements of the activation-relaxation
1964                  technique method for finding transition pathways on
1965                  potential energy surfaces",
1966   publisher =    "AIP",
1967   year =         "2009",
1968   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
1969   volume =       "130",
1970   number =       "11",
1971   eid =          "114711",
1972   numpages =     "6",
1973   pages =        "114711",
1974   keywords =     "eigenvalues and eigenfunctions; iron; potential energy
1975                  surfaces; vacancies (crystal)",
1976   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/130/114711/1",
1977   doi =          "10.1063/1.3088532",
1978   notes =        "improvements to art, refs for methods to find
1979                  transition pathways",
1980 }
1981
1982 @Article{parrinello81,
1983   author =       "M. Parrinello and A. Rahman",
1984   collaboration = "",
1985   title =        "Polymorphic transitions in single crystals: {A} new
1986                  molecular dynamics method",
1987   publisher =    "AIP",
1988   year =         "1981",
1989   journal =      "Journal of Applied Physics",
1990   volume =       "52",
1991   number =       "12",
1992   pages =        "7182--7190",
1993   keywords =     "MONOCRYSTALS; PHASE TRANSFORMATIONS; STRUCTURAL
1994                  MODELS; DYNAMICS; THEORETICAL DATA; STRESSES;
1995                  CONFIGURATION; LAGRANGE EQUATIONS; SIZE; NICKEL;
1996                  COMPRESSION; TENSILE PROPERTIES; COMPARATIVE
1997                  EVALUATIONS; STRAINS; CUBIC LATTICES; HCP LATTICES;
1998                  IMPACT SHOCK",
1999   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/52/7182/1",
2000   doi =          "10.1063/1.328693",
2001 }
2002
2003 @Article{stillinger85,
2004   title =        "Computer simulation of local order in condensed phases
2005                  of silicon",
2006   author =       "Frank H. Stillinger and Thomas A. Weber",
2007   journal =      "Phys. Rev. B",
2008   volume =       "31",
2009   number =       "8",
2010   pages =        "5262--5271",
2011   numpages =     "9",
2012   year =         "1985",
2013   month =        apr,
2014   doi =          "10.1103/PhysRevB.31.5262",
2015   publisher =    "American Physical Society",
2016 }
2017
2018 @Article{brenner90,
2019   title =        "Empirical potential for hydrocarbons for use in
2020                  simulating the chemical vapor deposition of diamond
2021                  films",
2022   author =       "Donald W. Brenner",
2023   journal =      "Phys. Rev. B",
2024   volume =       "42",
2025   number =       "15",
2026   pages =        "9458--9471",
2027   numpages =     "13",
2028   year =         "1990",
2029   month =        nov,
2030   doi =          "10.1103/PhysRevB.42.9458",
2031   publisher =    "American Physical Society",
2032   notes =        "brenner hydro carbons",
2033 }
2034
2035 @Article{bazant96,
2036   title =        "Modeling of Covalent Bonding in Solids by Inversion of
2037                  Cohesive Energy Curves",
2038   author =       "Martin Z. Bazant and Efthimios Kaxiras",
2039   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2040   volume =       "77",
2041   number =       "21",
2042   pages =        "4370--4373",
2043   numpages =     "3",
2044   year =         "1996",
2045   month =        nov,
2046   doi =          "10.1103/PhysRevLett.77.4370",
2047   publisher =    "American Physical Society",
2048   notes =        "first si edip",
2049 }
2050
2051 @Article{bazant97,
2052   title =        "Environment-dependent interatomic potential for bulk
2053                  silicon",
2054   author =       "Martin Z. Bazant and Efthimios Kaxiras and J. F.
2055                  Justo",
2056   journal =      "Phys. Rev. B",
2057   volume =       "56",
2058   number =       "14",
2059   pages =        "8542--8552",
2060   numpages =     "10",
2061   year =         "1997",
2062   month =        oct,
2063   doi =          "10.1103/PhysRevB.56.8542",
2064   publisher =    "American Physical Society",
2065   notes =        "second si edip",
2066 }
2067
2068 @Article{justo98,
2069   title =        "Interatomic potential for silicon defects and
2070                  disordered phases",
2071   author =       "Jo\tilde{a}o F. Justo and Martin Z. Bazant and
2072                  Efthimios Kaxiras and V. V. Bulatov and Sidney Yip",
2073   journal =      "Phys. Rev. B",
2074   volume =       "58",
2075   number =       "5",
2076   pages =        "2539--2550",
2077   numpages =     "11",
2078   year =         "1998",
2079   month =        aug,
2080   doi =          "10.1103/PhysRevB.58.2539",
2081   publisher =    "American Physical Society",
2082   notes =        "latest si edip, good dislocation explanation",
2083 }
2084
2085 @Article{parcas_md,
2086   title =        "{PARCAS} molecular dynamics code",
2087   author =       "K. Nordlund",
2088   year =         "2008",
2089 }
2090
2091 @Article{voter97,
2092   title =        "Hyperdynamics: Accelerated Molecular Dynamics of
2093                  Infrequent Events",
2094   author =       "Arthur F. Voter",
2095   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2096   volume =       "78",
2097   number =       "20",
2098   pages =        "3908--3911",
2099   numpages =     "3",
2100   year =         "1997",
2101   month =        may,
2102   doi =          "10.1103/PhysRevLett.78.3908",
2103   publisher =    "American Physical Society",
2104   notes =        "hyperdynamics, accelerated md",
2105 }
2106
2107 @Article{voter97_2,
2108   author =       "Arthur F. Voter",
2109   collaboration = "",
2110   title =        "A method for accelerating the molecular dynamics
2111                  simulation of infrequent events",
2112   publisher =    "AIP",
2113   year =         "1997",
2114   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
2115   volume =       "106",
2116   number =       "11",
2117   pages =        "4665--4677",
2118   keywords =     "COMPUTERIZED SIMULATION; NICKEL; DIFFUSION; ATOM
2119                  TRANSPORT; MOLECULAR ORBITAL METHOD; POTENTIAL ENERGY;
2120                  SURFACE POTENTIAL; MOLECULAR DYNAMICS METHOD; potential
2121                  energy functions; surface diffusion; reaction kinetics
2122                  theory; potential energy surfaces",
2123   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/106/4665/1",
2124   doi =          "10.1063/1.473503",
2125   notes =        "improved hyperdynamics md",
2126 }
2127
2128 @Article{sorensen2000,
2129   author =       "Mads R. S\o rensen and Arthur F. Voter",
2130   collaboration = "",
2131   title =        "Temperature-accelerated dynamics for simulation of
2132                  infrequent events",
2133   publisher =    "AIP",
2134   year =         "2000",
2135   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
2136   volume =       "112",
2137   number =       "21",
2138   pages =        "9599--9606",
2139   keywords =     "SOLID STATE PHYSICS; SIMULATION; DIFFUSION; SURFACES;
2140                  MOLECULAR DYNAMICS METHOD; surface diffusion",
2141   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/112/9599/1",
2142   doi =          "10.1063/1.481576",
2143   notes =        "temperature accelerated dynamics, tad",
2144 }
2145
2146 @Article{voter98,
2147   title =        "Parallel replica method for dynamics of infrequent
2148                  events",
2149   author =       "Arthur F. Voter",
2150   journal =      "Phys. Rev. B",
2151   volume =       "57",
2152   number =       "22",
2153   pages =        "R13985--R13988",
2154   numpages =     "3",
2155   year =         "1998",
2156   month =        jun,
2157   doi =          "10.1103/PhysRevB.57.R13985",
2158   publisher =    "American Physical Society",
2159   notes =        "parallel replica method, accelerated md",
2160 }
2161
2162 @Article{wu99,
2163   author =       "Xiongwu Wu and Shaomeng Wang",
2164   collaboration = "",
2165   title =        "Enhancing systematic motion in molecular dynamics
2166                  simulation",
2167   publisher =    "AIP",
2168   year =         "1999",
2169   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
2170   volume =       "110",
2171   number =       "19",
2172   pages =        "9401--9410",
2173   keywords =     "molecular dynamics method; argon; Lennard-Jones
2174                  potential; crystallisation; liquid theory",
2175   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/110/9401/1",
2176   doi =          "10.1063/1.478948",
2177   notes =        "self guided md, sgmd, accelerated md, enhancing
2178                  systematic motion",
2179 }
2180
2181 @Article{choudhary05,
2182   author =       "Devashish Choudhary and Paulette Clancy",
2183   collaboration = "",
2184   title =        "Application of accelerated molecular dynamics schemes
2185                  to the production of amorphous silicon",
2186   publisher =    "AIP",
2187   year =         "2005",
2188   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
2189   volume =       "122",
2190   number =       "15",
2191   eid =          "154509",
2192   numpages =     "8",
2193   pages =        "154509",
2194   keywords =     "molecular dynamics method; silicon; glass structure;
2195                  amorphous semiconductors",
2196   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/122/154509/1",
2197   doi =          "10.1063/1.1878733",
2198   notes =        "explanation of sgmd and hyper md, applied to amorphous
2199                  silicon",
2200 }
2201
2202 @Article{taylor93,
2203   author =       "W. J. Taylor and T. Y. Tan and U. G{\"{o}}sele",
2204   collaboration = "",
2205   title =        "Carbon precipitation in silicon: Why is it so
2206                  difficult?",
2207   publisher =    "AIP",
2208   year =         "1993",
2209   journal =      "Applied Physics Letters",
2210   volume =       "62",
2211   number =       "25",
2212   pages =        "3336--3338",
2213   keywords =     "SILICON; CARBON ADDITIONS; OXYGEN ADDITIONS; DOPED
2214                  MATERIALS; PRECIPITATION; THERMODYNAMICS; SURFACE
2215                  ENERGY",
2216   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/62/3336/1",
2217   doi =          "10.1063/1.109063",
2218   notes =        "interfacial energy of cubic sic and si",
2219 }
2220
2221 @Article{chaussende08,
2222   title =        "Prospects for 3{C}-Si{C} bulk crystal growth",
2223   journal =      "Journal of Crystal Growth",
2224   volume =       "310",
2225   number =       "5",
2226   pages =        "976--981",
2227   year =         "2008",
2228   note =         "Proceedings of the E-MRS Conference, Symposium G -
2229                  Substrates of Wide Bandgap Materials",
2230   ISSN =         "0022-0248",
2231   doi =          "DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2007.11.140",
2232   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-4R7J67S-F/2/e92fc194b652409f5b119393d608b082",
2233   author =       "D. Chaussende and F. Mercier and A. Boulle and F.
2234                  Conchon and M. Soueidan and G. Ferro and A. Mantzari
2235                  and A. Andreadou and E. K. Polychroniadis and C.
2236                  Balloud and S. Juillaguet and J. Camassel and M. Pons",
2237   notes =        "3c-sic crystal growth, sic fabrication + links,
2238                  metastable",
2239 }
2240
2241 @Article{feynman39,
2242   title =        "Forces in Molecules",
2243   author =       "R. P. Feynman",
2244   journal =      "Phys. Rev.",
2245   volume =       "56",
2246   number =       "4",
2247   pages =        "340--343",
2248   numpages =     "3",
2249   year =         "1939",
2250   month =        aug,
2251   doi =          "10.1103/PhysRev.56.340",
2252   publisher =    "American Physical Society",
2253   notes =        "hellmann feynman forces",
2254 }
2255
2256 @Article{buczko00,
2257   title =        "Bonding Arrangements at the $Si-Si{O}_{2}$ and
2258                  $Si{C}-Si{O}_{2}$ Interfaces and a Possible Origin of
2259                  their Contrasting Properties",
2260   author =       "Ryszard Buczko and Stephen J. Pennycook and Sokrates
2261                  T. Pantelides",
2262   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2263   volume =       "84",
2264   number =       "5",
2265   pages =        "943--946",
2266   numpages =     "3",
2267   year =         "2000",
2268   month =        jan,
2269   doi =          "10.1103/PhysRevLett.84.943",
2270   publisher =    "American Physical Society",
2271   notes =        "si sio2 and sic sio2 interface",
2272 }
2273
2274 @Article{djurabekova08,
2275   title =        "Atomistic simulation of the interface structure of Si
2276                  nanocrystals embedded in amorphous silica",
2277   author =       "Flyura Djurabekova and Kai Nordlund",
2278   journal =      "Phys. Rev. B",
2279   volume =       "77",
2280   number =       "11",
2281   pages =        "115325",
2282   numpages =     "7",
2283   year =         "2008",
2284   month =        mar,
2285   doi =          "10.1103/PhysRevB.77.115325",
2286   publisher =    "American Physical Society",
2287   notes =        "nc-si in sio2, interface energy, nc construction,
2288                  angular distribution, coordination",
2289 }
2290
2291 @Article{wen09,
2292   author =       "C. Wen and Y. M. Wang and W. Wan and F. H. Li and J.
2293                  W. Liang and J. Zou",
2294   collaboration = "",
2295   title =        "Nature of interfacial defects and their roles in
2296                  strain relaxation at highly lattice mismatched
2297                  3{C}-Si{C}/Si (001) interface",
2298   publisher =    "AIP",
2299   year =         "2009",
2300   journal =      "Journal of Applied Physics",
2301   volume =       "106",
2302   number =       "7",
2303   eid =          "073522",
2304   numpages =     "8",
2305   pages =        "073522",
2306   keywords =     "anelastic relaxation; crystal structure; dislocations;
2307                  elemental semiconductors; semiconductor growth;
2308                  semiconductor thin films; silicon; silicon compounds;
2309                  stacking faults; wide band gap semiconductors",
2310   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/106/073522/1",
2311   doi =          "10.1063/1.3234380",
2312   notes =        "sic/si interface, follow refs, tem image
2313                  deconvolution, dislocation defects",
2314 }
2315
2316 @Article{kitabatake93,
2317   author =       "Makoto Kitabatake and Masahiro Deguchi and Takashi
2318                  Hirao",
2319   collaboration = "",
2320   title =        "Simulations and experiments of Si{C} heteroepitaxial
2321                  growth on Si(001) surface",
2322   publisher =    "AIP",
2323   year =         "1993",
2324   journal =      "Journal of Applied Physics",
2325   volume =       "74",
2326   number =       "7",
2327   pages =        "4438--4445",
2328   keywords =     "SILICON CARBIDES; FILM GROWTH; SIMULATION; MOLECULAR
2329                  BEAM EPITAXY; MOLECULAR DYNAMICS CALCULATIONS; SILICON;
2330                  MICROSTRUCTURE; ULTRAVIOLET RADIATION; IRRADIATION",
2331   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/74/4438/1",
2332   doi =          "10.1063/1.354385",
2333   notes =        "mbe and md of sic growth on si, 4 to 5 shrinkage
2334                  model, interface",
2335 }
2336
2337 @Article{chirita97,
2338   title =        "Strain relaxation and thermal stability of the
2339                  3{C}-Si{C}(001)/Si(001) interface: {A} molecular
2340                  dynamics study",
2341   journal =      "Thin Solid Films",
2342   volume =       "294",
2343   number =       "1-2",
2344   pages =        "47--49",
2345   year =         "1997",
2346   note =         "",
2347   ISSN =         "0040-6090",
2348   doi =          "DOI: 10.1016/S0040-6090(96)09257-7",
2349   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TW0-41WBB52-C/2/6ef684a04d02dd3b108f972377cde8f4",
2350   author =       "V. Chirita and L. Hultman and L. R. Wallenberg",
2351   keywords =     "Strain relaxation",
2352   keywords =     "Interfaces",
2353   keywords =     "Thermal stability",
2354   keywords =     "Molecular dynamics",
2355   notes =        "tersoff sic/si interface study",
2356 }
2357
2358 @Article{cicero02,
2359   title =        "Ab initio Study of Misfit Dislocations at the
2360                  $Si{C}/Si(001)$ Interface",
2361   author =       "Giancarlo Cicero and Laurent Pizzagalli and Alessandra
2362                  Catellani",
2363   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2364   volume =       "89",
2365   number =       "15",
2366   pages =        "156101",
2367   numpages =     "4",
2368   year =         "2002",
2369   month =        sep,
2370   doi =          "10.1103/PhysRevLett.89.156101",
2371   publisher =    "American Physical Society",
2372   notes =        "sic/si interface study",
2373 }
2374
2375 @Article{pizzagalli03,
2376   title =        "Theoretical investigations of a highly mismatched
2377                  interface: Si{C}/Si(001)",
2378   author =       "Laurent Pizzagalli and Giancarlo Cicero and Alessandra
2379                  Catellani",
2380   journal =      "Phys. Rev. B",
2381   volume =       "68",
2382   number =       "19",
2383   pages =        "195302",
2384   numpages =     "10",
2385   year =         "2003",
2386   month =        nov,
2387   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.195302",
2388   publisher =    "American Physical Society",
2389   notes =        "tersoff md and ab initio sic/si interface study",
2390 }
2391
2392 @Article{tang07,
2393   title =        "Atomic configurations of dislocation core and twin
2394                  boundaries in $ 3{C}-Si{C} $ studied by high-resolution
2395                  electron microscopy",
2396   author =       "C. Y. Tang and F. H. Li and R. Wang and J. Zou and X.
2397                  H. Zheng and J. W. Liang",
2398   journal =      "Phys. Rev. B",
2399   volume =       "75",
2400   number =       "18",
2401   pages =        "184103",
2402   numpages =     "7",
2403   year =         "2007",
2404   month =        may,
2405   doi =          "10.1103/PhysRevB.75.184103",
2406   publisher =    "American Physical Society",
2407   notes =        "hrem image deconvolution on 3c-sic on si, distinguish
2408                  si and c",
2409 }
2410
2411 @Article{hornstra58,
2412   title =        "Dislocations in the diamond lattice",
2413   journal =      "Journal of Physics and Chemistry of Solids",
2414   volume =       "5",
2415   number =       "1-2",
2416   pages =        "129--141",
2417   year =         "1958",
2418   note =         "",
2419   ISSN =         "0022-3697",
2420   doi =          "DOI: 10.1016/0022-3697(58)90138-0",
2421   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXR-46MMPHJ-10D/2/7176c01c29cd4e73faa26ab2aacdcea5",
2422   author =       "J. Hornstra",
2423   notes =        "dislocations in diamond lattice",
2424 }
2425
2426 @Article{eichhorn99,
2427   author =       "F. Eichhorn and N. Schell and W. Matz and R.
2428                  K{\"{o}}gler",
2429   collaboration = "",
2430   title =        "Strain and Si{C} particle formation in silicon
2431                  implanted with carbon ions of medium fluence studied by
2432                  synchrotron x-ray diffraction",
2433   publisher =    "AIP",
2434   year =         "1999",
2435   journal =      "Journal of Applied Physics",
2436   volume =       "86",
2437   number =       "8",
2438   pages =        "4184--4187",
2439   keywords =     "silicon; carbon; elemental semiconductors; chemical
2440                  interdiffusion; ion implantation; X-ray diffraction;
2441                  precipitation; semiconductor doping",
2442   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/86/4184/1",
2443   doi =          "10.1063/1.371344",
2444   notes =        "sic conversion by ibs, detected substitutional carbon,
2445                  expansion of si lattice",
2446 }
2447
2448 @Article{eichhorn02,
2449   author =       "F. Eichhorn and N. Schell and A. M{\"{u}}cklich and H.
2450                  Metzger and W. Matz and R. K{\"{o}}gler",
2451   collaboration = "",
2452   title =        "Structural relation between Si and Si{C} formed by
2453                  carbon ion implantation",
2454   publisher =    "AIP",
2455   year =         "2002",
2456   journal =      "Journal of Applied Physics",
2457   volume =       "91",
2458   number =       "3",
2459   pages =        "1287--1292",
2460   keywords =     "silicon compounds; wide band gap semiconductors; ion
2461                  implantation; annealing; X-ray scattering; transmission
2462                  electron microscopy",
2463   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/91/1287/1",
2464   doi =          "10.1063/1.1428105",
2465   notes =        "3c-sic alignement to si host in ibs depending on
2466                  temperature, might explain c int to c sub trafo",
2467 }
2468
2469 @Article{lucas10,
2470   author =       "G Lucas and M Bertolus and L Pizzagalli",
2471   title =        "An environment-dependent interatomic potential for
2472                  silicon carbide: calculation of bulk properties,
2473                  high-pressure phases, point and extended defects, and
2474                  amorphous structures",
2475   journal =      "Journal of Physics: Condensed Matter",
2476   volume =       "22",
2477   number =       "3",
2478   pages =        "035802",
2479   URL =          "http://stacks.iop.org/0953-8984/22/i=3/a=035802",
2480   year =         "2010",
2481   notes =        "edip sic",
2482 }
2483
2484 @Article{godet03,
2485   author =       "J Godet and L Pizzagalli and S Brochard and P
2486                  Beauchamp",
2487   title =        "Comparison between classical potentials and ab initio
2488                  methods for silicon under large shear",
2489   journal =      "Journal of Physics: Condensed Matter",
2490   volume =       "15",
2491   number =       "41",
2492   pages =        "6943",
2493   URL =          "http://stacks.iop.org/0953-8984/15/i=41/a=004",
2494   year =         "2003",
2495   notes =        "comparison of empirical potentials, stillinger weber,
2496                  edip, tersoff, ab initio",
2497 }
2498
2499 @Article{moriguchi98,
2500   title =        "Verification of Tersoff's Potential for Static
2501                  Structural Analysis of Solids of Group-{IV} Elements",
2502   author =       "Koji Moriguchi and Akira Shintani",
2503   journal =      "Japanese Journal of Applied Physics",
2504   volume =       "37",
2505   number =       "Part 1, No. 2",
2506   pages =        "414--422",
2507   numpages =     "8",
2508   year =         "1998",
2509   URL =          "http://jjap.ipap.jp/link?JJAP/37/414/",
2510   doi =          "10.1143/JJAP.37.414",
2511   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
2512   notes =        "tersoff stringent test",
2513 }
2514
2515 @Article{mazzarolo01,
2516   title =        "Low-energy recoils in crystalline silicon: Quantum
2517                  simulations",
2518   author =       "Massimiliano Mazzarolo and Luciano Colombo and Giorgio
2519                  Lulli and Eros Albertazzi",
2520   journal =      "Phys. Rev. B",
2521   volume =       "63",
2522   number =       "19",
2523   pages =        "195207",
2524   numpages =     "4",
2525   year =         "2001",
2526   month =        apr,
2527   doi =          "10.1103/PhysRevB.63.195207",
2528   publisher =    "American Physical Society",
2529 }
2530
2531 @Article{holmstroem08,
2532   title =        "Threshold defect production in silicon determined by
2533                  density functional theory molecular dynamics
2534                  simulations",
2535   author =       "E. Holmstr{\"o}m and A. Kuronen and K. Nordlund",
2536   journal =      "Phys. Rev. B",
2537   volume =       "78",
2538   number =       "4",
2539   pages =        "045202",
2540   numpages =     "6",
2541   year =         "2008",
2542   month =        jul,
2543   doi =          "10.1103/PhysRevB.78.045202",
2544   publisher =    "American Physical Society",
2545   notes =        "threshold displacement comparison empirical and ab
2546                  initio",
2547 }
2548
2549 @Article{nordlund97,
2550   title =        "Repulsive interatomic potentials calculated using
2551                  Hartree-Fock and density-functional theory methods",
2552   journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
2553                  Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
2554   volume =       "132",
2555   number =       "1",
2556   pages =        "45--54",
2557   year =         "1997",
2558   note =         "",
2559   ISSN =         "0168-583X",
2560   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(97)00447-3",
2561   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-4CP0TGF-91/2/1a9100c0aae82d2d258fc83dfdba23c1",
2562   author =       "K. Nordlund and N. Runeberg and D. Sundholm",
2563   notes =        "repulsive ab initio potential",
2564 }
2565
2566 @Article{kresse96,
2567   title =        "Efficiency of ab-initio total energy calculations for
2568                  metals and semiconductors using a plane-wave basis
2569                  set",
2570   journal =      "Computational Materials Science",
2571   volume =       "6",
2572   number =       "1",
2573   pages =        "15--50",
2574   year =         "1996",
2575   note =         "",
2576   ISSN =         "0927-0256",
2577   doi =          "DOI: 10.1016/0927-0256(96)00008-0",
2578   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TWM-3VRVTBF-3/2/88689b1eacfe2b5fe57f09d37eff3b74",
2579   author =       "G. Kresse and J. Furthm{\"{u}}ller",
2580   notes =        "vasp ref",
2581 }
2582
2583 @Article{bloechl94,
2584   title =        "Projector augmented-wave method",
2585   author =       "P. E. Bl{\"o}chl",
2586   journal =      "Phys. Rev. B",
2587   volume =       "50",
2588   number =       "24",
2589   pages =        "17953--17979",
2590   numpages =     "26",
2591   year =         "1994",
2592   month =        dec,
2593   doi =          "10.1103/PhysRevB.50.17953",
2594   publisher =    "American Physical Society",
2595   notes =        "paw method",
2596 }
2597
2598 @Article{hamann79,
2599   title =        "Norm-Conserving Pseudopotentials",
2600   author =       "D. R. Hamann and M. Schl{\"u}ter and C. Chiang",
2601   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2602   volume =       "43",
2603   number =       "20",
2604   pages =        "1494--1497",
2605   numpages =     "3",
2606   year =         "1979",
2607   month =        nov,
2608   doi =          "10.1103/PhysRevLett.43.1494",
2609   publisher =    "American Physical Society",
2610   notes =        "norm-conserving pseudopotentials",
2611 }
2612
2613 @Article{vanderbilt90,
2614   title =        "Soft self-consistent pseudopotentials in a generalized
2615                  eigenvalue formalism",
2616   author =       "David Vanderbilt",
2617   journal =      "Phys. Rev. B",
2618   volume =       "41",
2619   number =       "11",
2620   pages =        "7892--7895",
2621   numpages =     "3",
2622   year =         "1990",
2623   month =        apr,
2624   doi =          "10.1103/PhysRevB.41.7892",
2625   publisher =    "American Physical Society",
2626   notes =        "vasp pseudopotentials",
2627 }
2628
2629 @Article{perdew86,
2630   title =        "Accurate and simple density functional for the
2631                  electronic exchange energy: Generalized gradient
2632                  approximation",
2633   author =       "John P. Perdew and Wang Yue",
2634   journal =      "Phys. Rev. B",
2635   volume =       "33",
2636   number =       "12",
2637   pages =        "8800--8802",
2638   numpages =     "2",
2639   year =         "1986",
2640   month =        jun,
2641   doi =          "10.1103/PhysRevB.33.8800",
2642   publisher =    "American Physical Society",
2643   notes =        "rapid communication gga",
2644 }
2645
2646 @Article{perdew02,
2647   title =        "Generalized gradient approximations for exchange and
2648                  correlation: {A} look backward and forward",
2649   journal =      "Physica B: Condensed Matter",
2650   volume =       "172",
2651   number =       "1-2",
2652   pages =        "1--6",
2653   year =         "1991",
2654   note =         "",
2655   ISSN =         "0921-4526",
2656   doi =          "DOI: 10.1016/0921-4526(91)90409-8",
2657   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVH-46G8GR9-3D/2/18e610a616e4d80b934079c89063ece7",
2658   author =       "John P. Perdew",
2659   notes =        "gga overview",
2660 }
2661
2662 @Article{perdew92,
2663   title =        "Atoms, molecules, solids, and surfaces: Applications
2664                  of the generalized gradient approximation for exchange
2665                  and correlation",
2666   author =       "John P. Perdew and J. A. Chevary and S. H. Vosko and
2667                  Koblar A. Jackson and Mark R. Pederson and D. J. Singh
2668                  and Carlos Fiolhais",
2669   journal =      "Phys. Rev. B",
2670   volume =       "46",
2671   number =       "11",
2672   pages =        "6671--6687",
2673   numpages =     "16",
2674   year =         "1992",
2675   month =        sep,
2676   doi =          "10.1103/PhysRevB.46.6671",
2677   publisher =    "American Physical Society",
2678   notes =        "gga pw91 (as in vasp)",
2679 }
2680
2681 @Article{baldereschi73,
2682   title =        "Mean-Value Point in the Brillouin Zone",
2683   author =       "A. Baldereschi",
2684   journal =      "Phys. Rev. B",
2685   volume =       "7",
2686   number =       "12",
2687   pages =        "5212--5215",
2688   numpages =     "3",
2689   year =         "1973",
2690   month =        jun,
2691   doi =          "10.1103/PhysRevB.7.5212",
2692   publisher =    "American Physical Society",
2693   notes =        "mean value k point",
2694 }
2695
2696 @Article{zhu98,
2697   title =        "Ab initio pseudopotential calculations of dopant
2698                  diffusion in Si",
2699   journal =      "Computational Materials Science",
2700   volume =       "12",
2701   number =       "4",
2702   pages =        "309--318",
2703   year =         "1998",
2704   note =         "",
2705   ISSN =         "0927-0256",
2706   doi =          "DOI: 10.1016/S0927-0256(98)00023-8",
2707   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TWM-3VB7F2K-7/2/aa864582273be8e054300efb7bd16a1b",
2708   author =       "Jing Zhu",
2709   keywords =     "TED (transient enhanced diffusion)",
2710   keywords =     "Boron dopant",
2711   keywords =     "Carbon dopant",
2712   keywords =     "Defect",
2713   keywords =     "ab initio pseudopotential method",
2714   keywords =     "Impurity cluster",
2715   notes =        "binding of c to si interstitial, c in si defects",
2716 }
2717
2718 @Article{nejim95,
2719   author =       "A. Nejim and P. L. F. Hemment and J. Stoemenos",
2720   collaboration = "",
2721   title =        "Si{C} buried layer formation by ion beam synthesis at
2722                  950 [degree]{C}",
2723   publisher =    "AIP",
2724   year =         "1995",
2725   journal =      "Applied Physics Letters",
2726   volume =       "66",
2727   number =       "20",
2728   pages =        "2646--2648",
2729   keywords =     "SILICON; ION IMPLANTATION; CARBON IONS; SILICON
2730                  CARBIDES; BURIED LAYERS; SYNTHESIS; KEV RANGE 100 --
2731                  1000; CRYSTAL DEFECTS; MORPHOLOGY; RBS; TRANSMISSION
2732                  ELECTRON MICROSCOPY",
2733   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/66/2646/1",
2734   doi =          "10.1063/1.113112",
2735   notes =        "precipitation mechanism by substitutional carbon, si
2736                  self interstitials react with further implanted c",
2737 }
2738
2739 @Article{guedj98,
2740   author =       "C. Guedj and M. W. Dashiell and L. Kulik and J.
2741                  Kolodzey and A. Hairie",
2742   collaboration = "",
2743   title =        "Precipitation of beta-Si{C} in Si[sub 1 - y]{C}[sub y]
2744                  alloys",
2745   publisher =    "AIP",
2746   year =         "1998",
2747   journal =      "Journal of Applied Physics",
2748   volume =       "84",
2749   number =       "8",
2750   pages =        "4631--4633",
2751   keywords =     "silicon compounds; precipitation; localised modes;
2752                  semiconductor epitaxial layers; infrared spectra;
2753                  Fourier transform spectra; thermal stability;
2754                  annealing",
2755   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/84/4631/1",
2756   doi =          "10.1063/1.368703",
2757   notes =        "coherent 3C-SiC, topotactic, critical coherence size",
2758 }
2759
2760 @Article{jones04,
2761   author =       "R Jones and B J Coomer and P R Briddon",
2762   title =        "Quantum mechanical modelling of defects in
2763                  semiconductors",
2764   journal =      "Journal of Physics: Condensed Matter",
2765   volume =       "16",
2766   number =       "27",
2767   pages =        "S2643",
2768   URL =          "http://stacks.iop.org/0953-8984/16/i=27/a=004",
2769   year =         "2004",
2770   notes =        "ab inito init, vibrational modes, c defect in si",
2771 }
2772
2773 @Article{park02,
2774   author =       "S. Y. Park and J. D'Arcy-Gall and D. Gall and J. A. N.
2775                  T Soares and Y.-W. Kim and H. Kim and P. Desjardins and
2776                  J. E. Greene and S. G. Bishop",
2777   collaboration = "",
2778   title =        "Carbon incorporation pathways and lattice sites in
2779                  Si[sub 1 - y]{C}[sub y] alloys grown on Si(001) by
2780                  molecular-beam epitaxy",
2781   publisher =    "AIP",
2782   year =         "2002",
2783   journal =      "Journal of Applied Physics",
2784   volume =       "91",
2785   number =       "9",
2786   pages =        "5716--5727",
2787   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/91/5716/1",
2788   doi =          "10.1063/1.1465122",
2789   notes =        "c substitutional incorporation pathway, dft and expt",
2790 }
2791
2792 @Article{leary97,
2793   title =        "Dynamic properties of interstitial carbon and
2794                  carbon-carbon pair defects in silicon",
2795   author =       "P. Leary and R. Jones and S. {\"O}berg and V. J. B.
2796                  Torres",
2797   journal =      "Phys. Rev. B",
2798   volume =       "55",
2799   number =       "4",
2800   pages =        "2188--2194",
2801   numpages =     "6",
2802   year =         "1997",
2803   month =        jan,
2804   doi =          "10.1103/PhysRevB.55.2188",
2805   publisher =    "American Physical Society",
2806   notes =        "ab initio c in si and di-carbon defect, no formation
2807                  energies, different migration barriers and paths",
2808 }
2809
2810 @Article{burnard93,
2811   title =        "Interstitial carbon and the carbon-carbon pair in
2812                  silicon: Semiempirical electronic-structure
2813                  calculations",
2814   author =       "Matthew J. Burnard and Gary G. DeLeo",
2815   journal =      "Phys. Rev. B",
2816   volume =       "47",
2817   number =       "16",
2818   pages =        "10217--10225",
2819   numpages =     "8",
2820   year =         "1993",
2821   month =        apr,
2822   doi =          "10.1103/PhysRevB.47.10217",
2823   publisher =    "American Physical Society",
2824   notes =        "semi empirical mndo, pm3 and mindo3 c in si and di
2825                  carbon defect, formation energies",
2826 }
2827
2828 @Article{kaxiras96,
2829   title =        "Review of atomistic simulations of surface diffusion
2830                  and growth on semiconductors",
2831   journal =      "Computational Materials Science",
2832   volume =       "6",
2833   number =       "2",
2834   pages =        "158--172",
2835   year =         "1996",
2836   note =         "Proceedings of the Workshop on Virtual Molecular Beam
2837                  Epitaxy",
2838   ISSN =         "0927-0256",
2839   doi =          "DOI: 10.1016/0927-0256(96)00030-4",
2840   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TWM-3VSFF1G-7/2/afc8408b00ded1ca2dc3ad1686c2dae6",
2841   author =       "Efthimios Kaxiras",
2842   notes =        "might contain c 100 db formation energy, overview md,
2843                  tight binding, first principles",
2844 }
2845
2846 @Article{kaukonen98,
2847   title =        "Effect of {N} and {B} doping on the growth of {CVD}
2848                  diamond
2849                  $(100):{H}(2\ifmmode\times\else\texttimes\fi{}1)$
2850                  surfaces",
2851   author =       "M. Kaukonen and P. K. Sitch and G. Jungnickel and R.
2852                  M. Nieminen and Sami P{\"o}ykk{\"o} and D. Porezag and
2853                  Th. Frauenheim",
2854   journal =      "Phys. Rev. B",
2855   volume =       "57",
2856   number =       "16",
2857   pages =        "9965--9970",
2858   numpages =     "5",
2859   year =         "1998",
2860   month =        apr,
2861   doi =          "10.1103/PhysRevB.57.9965",
2862   publisher =    "American Physical Society",
2863   notes =        "constrained conjugate gradient relaxation technique
2864                  (crt)",
2865 }
2866
2867 @Article{gali03,
2868   title =        "Correlation between the antisite pair and the ${DI}$
2869                  center in Si{C}",
2870   author =       "A. Gali and P. De\'ak and E. Rauls and N. T. Son and
2871                  I. G. Ivanov and F. H. C. Carlsson and E. Janz\'en and
2872                  W. J. Choyke",
2873   journal =      "Phys. Rev. B",
2874   volume =       "67",
2875   number =       "15",
2876   pages =        "155203",
2877   numpages =     "5",
2878   year =         "2003",
2879   month =        apr,
2880   doi =          "10.1103/PhysRevB.67.155203",
2881   publisher =    "American Physical Society",
2882 }
2883
2884 @Article{chen98,
2885   title =        "Production and recovery of defects in Si{C} after
2886                  irradiation and deformation",
2887   journal =      "Journal of Nuclear Materials",
2888   volume =       "258-263",
2889   number =       "Part 2",
2890   pages =        "1803--1808",
2891   year =         "1998",
2892   note =         "",
2893   ISSN =         "0022-3115",
2894   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-3115(98)00139-1",
2895   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXN-43G486N-47/2/56905f48f025ab98e5de4d6cde09c62b",
2896   author =       "J. Chen and P. Jung and H. Klein",
2897 }
2898
2899 @Article{weber01,
2900   title =        "Accumulation, dynamic annealing and thermal recovery
2901                  of ion-beam-induced disorder in silicon carbide",
2902   journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
2903                  Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
2904   volume =       "175-177",
2905   number =       "",
2906   pages =        "26--30",
2907   year =         "2001",
2908   note =         "",
2909   ISSN =         "0168-583X",
2910   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(00)00542-5",
2911   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-435KH7Y-2R/2/8acc176700c95bb8614d96c40cfc5577",
2912   author =       "W. J. Weber and W. Jiang and S. Thevuthasan",
2913   keywords =     "Amorphization",
2914   keywords =     "Irradiation effects",
2915   keywords =     "Thermal recovery",
2916   keywords =     "Silicon carbide",
2917 }
2918
2919 @Article{bockstedte03,
2920   title =        "Ab initio study of the migration of intrinsic defects
2921                  in $3{C}-Si{C}$",
2922   author =       "Michel Bockstedte and Alexander Mattausch and Oleg
2923                  Pankratov",
2924   journal =      "Phys. Rev. B",
2925   volume =       "68",
2926   number =       "20",
2927   pages =        "205201",
2928   numpages =     "17",
2929   year =         "2003",
2930   month =        nov,
2931   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.205201",
2932   publisher =    "American Physical Society",
2933   notes =        "defect migration in sic",
2934 }
2935
2936 @Article{rauls03a,
2937   title =        "Theoretical study of vacancy diffusion and
2938                  vacancy-assisted clustering of antisites in Si{C}",
2939   author =       "E. Rauls and Th. Frauenheim and A. Gali and P.
2940                  De\'ak",
2941   journal =      "Phys. Rev. B",
2942   volume =       "68",
2943   number =       "15",
2944   pages =        "155208",
2945   numpages =     "9",
2946   year =         "2003",
2947   month =        oct,
2948   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.155208",
2949   publisher =    "American Physical Society",
2950 }