bibdb/bibdb.bib

   1 %
   2 % bibliography database
   3 %
   4
   5 % molecular dynamics: basics / potential
   6
   7 @article{albe_sic_pot,
   8   author = {Paul Erhart and Karsten Albe},
   9   title = {Analytical potential for atomistic simulations of silicon, carbon,
  10            and silicon carbide},
  11   publisher = {APS},
  12   year = {2005},
  13   journal = {Phys. Rev. B},
  14   volume = {71},
  15   number = {3},
  16   eid = {035211},
  17   numpages = {14},
  18   pages = {035211},
  19   notes = {alble reparametrization, analytical bond oder potential (ABOP)},
  20   keywords = {silicon; elemental semiconductors; carbon; silicon compounds;
  21               wide band gap semiconductors; elasticity; enthalpy;
  22               point defects; crystallographic shear; atomic forces},
  23   url = {http://link.aps.org/abstract/PRB/v71/e035211},
  24   doi = {10.1103/PhysRevB.71.035211}
  25 }
  26
  27 @Article{albe2002,
  28   title = {Modeling the metal-semiconductor interaction:
  29            Analytical bond-order potential for platinum-carbon},
  30   author = {Albe, Karsten  and Nordlund, Kai  and Averback, Robert S.},
  31   journal = {Phys. Rev. B},
  32   volume = {65},
  33   number = {19},
  34   pages = {195124},
  35   numpages = {11},
  36   year = {2002},
  37   month = {May},
  38   doi = {10.1103/PhysRevB.65.195124},
  39   publisher = {American Physical Society},
  40   notes = {derivation of albe bond order formalism},
  41 }
  42
  43 @Article{koster2002,
  44   title = {Stress relaxation in $a-Si$ induced by ion bombardment},
  45   author = {M. Koster, H. M. Urbassek},
  46   journal = {Phys. Rev. B},
  47   volume = {62},
  48   number = {16},
  49   pages = {11219--11224},
  50   numpages = {5},
  51   year = {2000},
  52   month = {Oct},
  53   doi = {10.1103/PhysRevB.62.11219},
  54   publisher = {American Physical Society},
  55   notes = {virial derivation for 3-body tersoff potential}
  56 }
  57
  58 @Article{breadmore99,
  59   title = {Direct simulation of ion-beam-induced stressing
  60            and amorphization of silicon},
  61   author = {K. M. Beardmore, N. Gr\o{}nbech-Jensen},
  62   journal = {Phys. Rev. B},
  63   volume = {60},
  64   number = {18},
  65   pages = {12610--12616},
  66   numpages = {6},
  67   year = {1999},
  68   month = {Nov},
  69   doi = {10.1103/PhysRevB.60.12610},
  70   publisher = {American Physical Society},
  71   notes = {virial derivation for 3-body tersoff potential}
  72 }
  73
  74 % molecular dynamics: applications
  75
  76 @Article{batra87,
  77   title = {Molecular-dynamics study of self-interstitials in silicon},
  78   author = {Inder P. Batra, Farid F. Abraham, S. Ciraci},
  79   journal = {Phys. Rev. B},
  80   volume = {35},
  81   number = {18},
  82   pages = {9552--9558},
  83   numpages = {6},
  84   year = {1987},
  85   month = {Jun},
  86   doi = {10.1103/PhysRevB.35.9552},
  87   publisher = {American Physical Society},
  88   notes = {selft-interstitials in silicon, stillinger-weber,
  89            calculation of defect formation energy, defect interstitial types}
  90 }
  91
  92 @Article{schober89,
  93   title = {Extended interstitials in silicon and germanium},
  94   author = {H. R. Schober},
  95   journal = {Phys. Rev. B},
  96   volume = {39},
  97   number = {17},
  98   pages = {13013--13015},
  99   numpages = {2},
 100   year = {1989},
 101   month = {Jun},
 102   doi = {10.1103/PhysRevB.39.13013},
 103   publisher = {American Physical Society},
 104   notes = {stillinger-weber silicon 110 stable and metastable dumbbell
 105            configuration}
 106 }
 107
 108 % tight binding
 109
 110 @Article{tang97,
 111   title = {Intrinsic point defects in crystalline silicon:
 112            Tight-binding molecular dynamics studiesof self-diffusion,
 113            interstitial-vacancy recombination, and formation volumes},
 114   author = {M. Tang, L. Colombo, J. Zhu, T. Diaz de la Rubia},
 115   journal = {Phys. Rev. B},
 116   volume = {55},
 117   number = {21},
 118   pages = {14279--14289},
 119   numpages = {10},
 120   year = {1997},
 121   month = {Jun},
 122   doi = {10.1103/PhysRevB.55.14279},
 123   publisher = {American Physical Society},
 124   notes = {si self interstitial, diffusion, tbmd}
 125 }
 126
 127 @Article{tang97,
 128   title = {Tight-binding theory of native point defects in silicon},
 129   author = {L. Colombo},
 130   journal = {Annu. Rev. Mater. Res.},
 131   volume = {32},
 132   pages = {271--295},
 133   numpages = {25},
 134   year = {2002},
 135   doi = {10.1146/annurev.matsci.32.111601.103036},
 136   publisher = {Annual Reviews},
 137   notes = {si self interstitial, tbmd, virial stress}
 138 }
 139
 140 % mixed
 141
 142 @Article{gao2001,
 143   title = {Ab initio and empirical-potential studies of defect properties
 144            in $3C-SiC$ },
 145   author = {F. Gao, E. J. Bylaska, W. J. Weber, L. R. Corrales},
 146   journal = {Phys. Rev. B},
 147   volume = {64},
 148   number = {24},
 149   pages = {245208},
 150   numpages = {7},
 151   year = {2001},
 152   month = {Dec},
 153   doi = {10.1103/PhysRevB.64.245208},
 154   publisher = {American Physical Society},
 155   notes = {defects in 3c-sic}
 156 }
 157
 158 % ab initio
 159
 160 @Article{leung99,
 161   title = {Calculations of Silicon Self-Interstitial Defects},
 162   author = {Leung, W.-K.  and Needs, R. J. and Rajagopal, G.  and
 163             Itoh, S.  and Ihara, S. },
 164   journal = {Phys. Rev. Lett.},
 165   volume = {83},
 166   number = {12},
 167   pages = {2351--2354},
 168   numpages = {3},
 169   year = {1999},
 170   month = {Sep},
 171   doi = {10.1103/PhysRevLett.83.2351},
 172   publisher = {American Physical Society},
 173   notes = {nice images of the defects}
 174 }
 175
 176 @Article{PhysRevB.50.7439,
 177   title = {Identification of the migration path of interstitial carbon
 178            in silicon},
 179   author = {R. B. Capazd, A Dal Pino, J. D. Joannopoulos},
 180   journal = {Phys. Rev. B},
 181   volume = {50},
 182   number = {11},
 183   pages = {7439--7442},
 184   numpages = {3},
 185   year = {1994},
 186   month = {Sep},
 187   doi = {10.1103/PhysRevB.50.7439},
 188   publisher = {American Physical Society},
 189   notes = {carbon interstitial migration path shown, 001 c-si dumbbell}
 190 }
 191
 192 % experimental stuff
 193
 194 @Article{watkins76,
 195   title = {EPR Observation of the Isolated Interstitial Carbon Atom in Silicon},
 196   author = {Watkins, G. D. and Brower, K. L.},
 197   journal = {Phys. Rev. Lett.},
 198   volume = {36},
 199   number = {22},
 200   pages = {1329--1332},
 201   numpages = {3},
 202   year = {1976},
 203   month = {May},
 204   doi = {10.1103/PhysRevLett.36.1329},
 205   publisher = {American Physical Society},
 206   notes = {epr observations of 100 interstitial carbon atom in silicon}
 207 }
 208
 209 @Article{PhysRevB.42.5759,
 210   title = {EPR identification of the single-acceptor state of interstitial carbon in silicon},
 211   author = {L. W. Song, G. D. Watkins},
 212   journal = {Phys. Rev. B},
 213   volume = {42},
 214   number = {9},
 215   pages = {5759--5764},
 216   numpages = {5},
 217   year = {1990},
 218   month = {Sep},
 219   doi = {10.1103/PhysRevB.42.5759},
 220   publisher = {American Physical Society}
 221 }
 222
 223 % my own publications
 224
 225 @article{zirkelbach2007,
 226   title = {Monte Carlo simulation study of a selforganisation process
 227            leading to ordered precipitate structures},
 228   author = {F. Zirkelbach, M. H"aberlen, J.K.N. Lindner, B. Stritzker},
 229   journal = {Nucl. instr. and Meth. B},
 230   volume = {257},
 231   number = {1--2},
 232   pages = {75--79},
 233   numpages = {5},
 234   year = {2007},
 235   month = {Apr},
 236   doi = {doi:10.1016/j.nimb.2006.12.118},
 237   publisher = {ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM, NETHERLANDS}
 238 }
 239
 240 @article{zirkelbach2006,
 241   title = {Monte-Carlo simulation study of the self-organization of nanometric
 242            amorphous precipitates in regular arrays during ion irradiation},
 243   author = {F. Zirkelbach, M. H"aberlen, J.K.N. Lindner, B. Stritzker},
 244   journal = {Nucl. instr. and Meth. B},
 245   volume = {242},
 246   number = {1--2},
 247   pages = {679--682},
 248   numpages = {4},
 249   year = {2006},
 250   month = {Jan},
 251   doi = {doi:10.1016/j.nimb.2005.08.162},
 252   publisher = {ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM, NETHERLANDS}
 253 }
 254
 255 @article{zirkelbach2005,
 256   title = {Modelling of a selforganization process leading to periodic arrays
 257            of nanometric amorphous precipitates by ion irradiation},
 258   author = {F. Zirkelbach, M. H"aberlen, J.K.N. Lindner, B. Stritzker},
 259   journal = {Comp. Mater. Sci.},
 260   volume = {33},
 261   number = {1--3},
 262   pages = {310--316},
 263   numpages = {7},
 264   year = {2005},
 265   month = {Apr},
 266   doi = {doi:10.1016/j.commatsci.2004.12.016},
 267   publisher = {ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM, NETHERLANDS}
 268 }
 269