bibdb/bibdb.bib

   1 %
   2 % bibliography database
   3 %
   4
   5 @Article{albe_sic_pot,
   6   author =       "Paul Erhart and Karsten Albe",
   7   title =        "Analytical potential for atomistic simulations of
   8                  silicon, carbon, and silicon carbide",
   9   publisher =    "APS",
  10   year =         "2005",
  11   journal =      "Phys. Rev. B",
  12   volume =       "71",
  13   number =       "3",
  14   eid =          "035211",
  15   numpages =     "14",
  16   pages =        "035211",
  17   notes =        "alble reparametrization, analytical bond oder
  18                  potential (ABOP)",
  19   keywords =     "silicon; elemental semiconductors; carbon; silicon
  20                  compounds; wide band gap semiconductors; elasticity;
  21                  enthalpy; point defects; crystallographic shear; atomic
  22                  forces",
  23   URL =          "http://link.aps.org/abstract/PRB/v71/e035211",
  24   doi =          "10.1103/PhysRevB.71.035211",
  25 }
  26
  27 @Article{albe2002,
  28   title =        "Modeling the metal-semiconductor interaction:
  29                  Analytical bond-order potential for platinum-carbon",
  30   author =       "Karsten Albe and Kai Nordlund and Robert S. Averback",
  31   journal =      "Phys. Rev. B",
  32   volume =       "65",
  33   number =       "19",
  34   pages =        "195124",
  35   numpages =     "11",
  36   year =         "2002",
  37   month =        may,
  38   doi =          "10.1103/PhysRevB.65.195124",
  39   publisher =    "American Physical Society",
  40   notes =        "derivation of albe bond order formalism",
  41 }
  42
  43 @Article{bean71,
  44   title =        "The solubility of carbon in pulled silicon crystals",
  45   journal =      "Journal of Physics and Chemistry of Solids",
  46   volume =       "32",
  47   number =       "6",
  48   pages =        "1211--1219",
  49   year =         "1971",
  50   note =         "",
  51   ISSN =         "0022-3697",
  52   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-3697(71)80179-8",
  53   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXR-4PR80SS-D/2/ce21d10d2bb885b5641905883a618ff5",
  54   author =       "A. R. Bean and R. C. Newman",
  55   notes =        "experimental solubility data of carbon in silicon",
  56 }
  57
  58 @Article{capano97,
  59   author =       "M. A. Capano and R. J. Trew",
  60   title =        "Silicon Carbide Electronic Materials and Devices",
  61   journal =      "MRS Bull.",
  62   volume =       "22",
  63   pages =        "19",
  64   year =         "1997",
  65 }
  66
  67 @Article{fischer90,
  68   author =       "G. R. Fisher and P. Barnes",
  69   title =        "Towards a unified view of polytypism in silicon
  70                  carbide",
  71   journal =      "Philosophical Magazine Part B",
  72   volume =       "61",
  73   pages =        "217--236",
  74   year =         "1990",
  75   notes =        "sic polytypes",
  76 }
  77
  78 @Article{koegler03,
  79   author =       "R. K{\"{o}}gler and F. Eichhorn and J. R. Kaschny and
  80                  A. M{\"{u}}cklich and H. Reuther and W. Skorupa and C.
  81                  Serre and A. Perez-Rodriguez",
  82   title =        "Synthesis of nano-sized Si{C} precipitates in Si by
  83                  simultaneous dual-beam implantation of {C}+ and Si+
  84                  ions",
  85   journal =      "Applied Physics A: Materials Science \& Processing",
  86   volume =       "76",
  87   pages =        "827--835",
  88   month =        mar,
  89   year =         "2003",
  90   notes =        "dual implantation, sic prec enhanced by vacancies,
  91                  precipitation by interstitial and substitutional
  92                  carbon, both mechanisms explained + refs",
  93 }
  94
  95 @Book{laplace,
  96   author =       "P. S. de Laplace",
  97   title =        "Th\'eorie analytique des probabilit\'es",
  98   series =       "Oeuvres Compl\`etes de Laplace",
  99   volume =       "VII",
 100   publisher =    "Gauthier-Villars",
 101   year =         "1820",
 102 }
 103
 104 @Article{mattoni2007,
 105   author =       "A. {Mattoni} and M. {Ippolito} and L. {Colombo}",
 106   title =        "{Atomistic modeling of brittleness in covalent
 107                  materials}",
 108   journal =      "Phys. Rev. B",
 109   year =         "2007",
 110   month =        dec,
 111   volume =       "76",
 112   number =       "22",
 113   pages =        "224103",
 114   doi =          "10.1103/PhysRevB.76.224103",
 115   notes =        "adopted tersoff potential for Si, C, Ge ad SiC;
 116                  longe(r)-range-interactions, brittle propagation of
 117                  fracture, more available potentials, universal energy
 118                  relation (uer), minimum range model (mrm)",
 119 }
 120
 121 @Article{balamane92,
 122   title =        "Comparative study of silicon empirical interatomic
 123                  potentials",
 124   author =       "H. Balamane and T. Halicioglu and W. A. Tiller",
 125   journal =      "Phys. Rev. B",
 126   volume =       "46",
 127   number =       "4",
 128   pages =        "2250--2279",
 129   numpages =     "29",
 130   year =         "1992",
 131   month =        jul,
 132   doi =          "10.1103/PhysRevB.46.2250",
 133   publisher =    "American Physical Society",
 134   notes =        "comparison of classical potentials for si",
 135 }
 136
 137 @Article{koster2002,
 138   title =        "Stress relaxation in $a-Si$ induced by ion
 139                  bombardment",
 140   author =       "H. M. Urbassek M. Koster",
 141   journal =      "Phys. Rev. B",
 142   volume =       "62",
 143   number =       "16",
 144   pages =        "11219--11224",
 145   numpages =     "5",
 146   year =         "2000",
 147   month =        oct,
 148   doi =          "10.1103/PhysRevB.62.11219",
 149   publisher =    "American Physical Society",
 150   notes =        "virial derivation for 3-body tersoff potential",
 151 }
 152
 153 @Article{breadmore99,
 154   title =        "Direct simulation of ion-beam-induced stressing and
 155                  amorphization of silicon",
 156   author =       "N. Gr\o{}nbech-Jensen K. M. Beardmore",
 157   journal =      "Phys. Rev. B",
 158   volume =       "60",
 159   number =       "18",
 160   pages =        "12610--12616",
 161   numpages =     "6",
 162   year =         "1999",
 163   month =        nov,
 164   doi =          "10.1103/PhysRevB.60.12610",
 165   publisher =    "American Physical Society",
 166   notes =        "virial derivation for 3-body tersoff potential",
 167 }
 168
 169 @Article{moissan04,
 170   author =       "Henri Moissan",
 171   title =        "Nouvelles recherches sur la météorité de Cañon
 172                  Diablo",
 173   journal =      "Comptes rendus de l'Académie des Sciences",
 174   volume =       "139",
 175   pages =        "773--786",
 176   year =         "1904",
 177 }
 178
 179 @Book{park98,
 180   author =       "Y. S. Park",
 181   title =        "Si{C} Materials and Devices",
 182   publisher =    "Academic Press",
 183   address =      "San Diego",
 184   year =         "1998",
 185 }
 186
 187 @Article{tsvetkov98,
 188   author =       "Valeri F. Tsvetkov and R. C. Glass and D. Henshall and
 189                  Calvin H. Carter Jr. and D. Asbury",
 190   title =        "Si{C} Seeded Boule Growth",
 191   journal =      "Materials Science Forum",
 192   volume =       "264-268",
 193   pages =        "3--8",
 194   year =         "1998",
 195   notes =        "modified lely process, micropipes",
 196 }
 197
 198 @Article{verlet67,
 199   title =        "Computer {"}Experiments{"} on Classical Fluids. {I}.
 200                  Thermodynamical Properties of Lennard-Jones Molecules",
 201   author =       "Loup Verlet",
 202   journal =      "Phys. Rev.",
 203   volume =       "159",
 204   number =       "1",
 205   pages =        "98",
 206   year =         "1967",
 207   month =        jul,
 208   doi =          "10.1103/PhysRev.159.98",
 209   publisher =    "American Physical Society",
 210   notes =        "velocity verlet integration algorithm equation of
 211                  motion",
 212 }
 213
 214 @Article{berendsen84,
 215   author =       "H. J. C. Berendsen and J. P. M. Postma and W. F. van
 216                  Gunsteren and A. DiNola and J. R. Haak",
 217   collaboration = "",
 218   title =        "Molecular dynamics with coupling to an external bath",
 219   publisher =    "AIP",
 220   year =         "1984",
 221   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
 222   volume =       "81",
 223   number =       "8",
 224   pages =        "3684--3690",
 225   keywords =     "MOLECULAR DYNAMICS CALCULATION; TRANSPORT THEORY;
 226                  COMPUTERIZED SIMULATION; LIQUIDS; STRUCTURE FACTORS",
 227   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/81/3684/1",
 228   doi =          "10.1063/1.448118",
 229   notes =        "berendsen thermostat barostat",
 230 }
 231
 232 @Article{huang95,
 233   author =       "Hanchen Huang and N M Ghoniem and J K Wong and M
 234                  Baskes",
 235   title =        "Molecular dynamics determination of defect energetics
 236                  in beta -Si{C} using three representative empirical
 237                  potentials",
 238   journal =      "Modelling and Simulation in Materials Science and
 239                  Engineering",
 240   volume =       "3",
 241   number =       "5",
 242   pages =        "615--627",
 243   URL =          "http://stacks.iop.org/0965-0393/3/615",
 244   notes =        "comparison of tersoff, pearson and eam for defect
 245                  energetics in sic; (m)eam parameters for sic",
 246   year =         "1995",
 247 }
 248
 249 @Article{brenner89,
 250   title =        "Relationship between the embedded-atom method and
 251                  Tersoff potentials",
 252   author =       "Donald W. Brenner",
 253   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 254   volume =       "63",
 255   number =       "9",
 256   pages =        "1022",
 257   numpages =     "1",
 258   year =         "1989",
 259   month =        aug,
 260   doi =          "10.1103/PhysRevLett.63.1022",
 261   publisher =    "American Physical Society",
 262   notes =        "relation of tersoff and eam potential",
 263 }
 264
 265 @Article{batra87,
 266   title =        "Molecular-dynamics study of self-interstitials in
 267                  silicon",
 268   author =       "Inder P. Batra and Farid F. Abraham and S. Ciraci",
 269   journal =      "Phys. Rev. B",
 270   volume =       "35",
 271   number =       "18",
 272   pages =        "9552--9558",
 273   numpages =     "6",
 274   year =         "1987",
 275   month =        jun,
 276   doi =          "10.1103/PhysRevB.35.9552",
 277   publisher =    "American Physical Society",
 278   notes =        "selft-interstitials in silicon, stillinger-weber,
 279                  calculation of defect formation energy, defect
 280                  interstitial types",
 281 }
 282
 283 @Article{schober89,
 284   title =        "Extended interstitials in silicon and germanium",
 285   author =       "H. R. Schober",
 286   journal =      "Phys. Rev. B",
 287   volume =       "39",
 288   number =       "17",
 289   pages =        "13013--13015",
 290   numpages =     "2",
 291   year =         "1989",
 292   month =        jun,
 293   doi =          "10.1103/PhysRevB.39.13013",
 294   publisher =    "American Physical Society",
 295   notes =        "stillinger-weber silicon 110 stable and metastable
 296                  dumbbell configuration",
 297 }
 298
 299 @Article{gao02a,
 300   title =        "Cascade overlap and amorphization in $3{C}-Si{C}:$
 301                  Defect accumulation, topological features, and
 302                  disordering",
 303   author =       "F. Gao and W. J. Weber",
 304   journal =      "Phys. Rev. B",
 305   volume =       "66",
 306   number =       "2",
 307   pages =        "024106",
 308   numpages =     "10",
 309   year =         "2002",
 310   month =        jul,
 311   doi =          "10.1103/PhysRevB.66.024106",
 312   publisher =    "American Physical Society",
 313   notes =        "sic intro, si cascade in 3c-sic, amorphization,
 314                  tersoff modified, pair correlation of amorphous sic, md
 315                  result analyze",
 316 }
 317
 318 @Article{devanathan98,
 319   title =        "Computer simulation of a 10 ke{V} Si displacement
 320                  cascade in Si{C}",
 321   journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
 322                  Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
 323   volume =       "141",
 324   number =       "1-4",
 325   pages =        "118--122",
 326   year =         "1998",
 327   ISSN =         "0168-583X",
 328   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00084-6",
 329   author =       "R. Devanathan and W. J. Weber and T. Diaz de la
 330                  Rubia",
 331   notes =        "modified tersoff short range potential, ab initio
 332                  3c-sic",
 333 }
 334
 335 @Article{devanathan98_2,
 336   title =        "Displacement threshold energies in [beta]-Si{C}",
 337   journal =      "Journal of Nuclear Materials",
 338   volume =       "253",
 339   number =       "1-3",
 340   pages =        "47--52",
 341   year =         "1998",
 342   ISSN =         "0022-3115",
 343   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-3115(97)00304-8",
 344   author =       "R. Devanathan and T. Diaz de la Rubia and W. J.
 345                  Weber",
 346   notes =        "modified tersoff, ab initio, combined ab initio
 347                  tersoff",
 348 }
 349
 350 @Article{kitabatake00,
 351   title =        "Si{C}/Si heteroepitaxial growth",
 352   author =       "M. Kitabatake",
 353   journal =      "Thin Solid Films",
 354   volume =       "369",
 355   pages =        "257--264",
 356   numpages =     "8",
 357   year =         "2000",
 358   notes =        "md simulation, sic si heteroepitaxy, mbe",
 359 }
 360
 361 @Article{tang97,
 362   title =        "Intrinsic point defects in crystalline silicon:
 363                  Tight-binding molecular dynamics studies of
 364                  self-diffusion, interstitial-vacancy recombination, and
 365                  formation volumes",
 366   author =       "M. Tang and L. Colombo and J. Zhu and T. Diaz de la
 367                  Rubia",
 368   journal =      "Phys. Rev. B",
 369   volume =       "55",
 370   number =       "21",
 371   pages =        "14279--14289",
 372   numpages =     "10",
 373   year =         "1997",
 374   month =        jun,
 375   doi =          "10.1103/PhysRevB.55.14279",
 376   publisher =    "American Physical Society",
 377   notes =        "si self interstitial, diffusion, tbmd",
 378 }
 379
 380 @Article{johnson98,
 381   author =       "M. D. Johnson and M.-J. Caturla and T. D\'{\i}az de la
 382                  Rubia",
 383   collaboration = "",
 384   title =        "A kinetic Monte--Carlo study of the effective
 385                  diffusivity of the silicon self-interstitial in the
 386                  presence of carbon and boron",
 387   publisher =    "AIP",
 388   year =         "1998",
 389   journal =      "Journal of Applied Physics",
 390   volume =       "84",
 391   number =       "4",
 392   pages =        "1963--1967",
 393   keywords =     "MONTE CARLO METHOD; DIFFUSION; SILICON; INTERSTITIALS;
 394                  CARBON ADDITIONS; BORON ADDITIONS; elemental
 395                  semiconductors; self-diffusion",
 396   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/84/1963/1",
 397   doi =          "10.1063/1.368328",
 398   notes =        "kinetic monte carlo of si self interstitial
 399                  diffsuion",
 400 }
 401
 402 @Article{bar-yam84,
 403   title =        "Barrier to Migration of the Silicon
 404                  Self-Interstitial",
 405   author =       "Y. Bar-Yam and J. D. Joannopoulos",
 406   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 407   volume =       "52",
 408   number =       "13",
 409   pages =        "1129--1132",
 410   numpages =     "3",
 411   year =         "1984",
 412   month =        mar,
 413   doi =          "10.1103/PhysRevLett.52.1129",
 414   publisher =    "American Physical Society",
 415   notes =        "si self-interstitial migration barrier",
 416 }
 417
 418 @Article{bar-yam84_2,
 419   title =        "Electronic structure and total-energy migration
 420                  barriers of silicon self-interstitials",
 421   author =       "Y. Bar-Yam and J. D. Joannopoulos",
 422   journal =      "Phys. Rev. B",
 423   volume =       "30",
 424   number =       "4",
 425   pages =        "1844--1852",
 426   numpages =     "8",
 427   year =         "1984",
 428   month =        aug,
 429   doi =          "10.1103/PhysRevB.30.1844",
 430   publisher =    "American Physical Society",
 431 }
 432
 433 @Article{bloechl93,
 434   title =        "First-principles calculations of self-diffusion
 435                  constants in silicon",
 436   author =       "Peter E. Bl{\"o}chl and Enrico Smargiassi and R. Car
 437                  and D. B. Laks and W. Andreoni and S. T. Pantelides",
 438   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 439   volume =       "70",
 440   number =       "16",
 441   pages =        "2435--2438",
 442   numpages =     "3",
 443   year =         "1993",
 444   month =        apr,
 445   doi =          "10.1103/PhysRevLett.70.2435",
 446   publisher =    "American Physical Society",
 447   notes =        "si self int diffusion by ab initio md, formation
 448                  entropy calculations",
 449 }
 450
 451 @Article{colombo02,
 452   title =        "Tight-binding theory of native point defects in
 453                  silicon",
 454   author =       "L. Colombo",
 455   journal =      "Annu. Rev. Mater. Res.",
 456   volume =       "32",
 457   pages =        "271--295",
 458   numpages =     "25",
 459   year =         "2002",
 460   doi =          "10.1146/annurev.matsci.32.111601.103036",
 461   publisher =    "Annual Reviews",
 462   notes =        "si self interstitial, tbmd, virial stress",
 463 }
 464
 465 @Article{al-mushadani03,
 466   title =        "Free-energy calculations of intrinsic point defects in
 467                  silicon",
 468   author =       "O. K. Al-Mushadani and R. J. Needs",
 469   journal =      "Phys. Rev. B",
 470   volume =       "68",
 471   number =       "23",
 472   pages =        "235205",
 473   numpages =     "8",
 474   year =         "2003",
 475   month =        dec,
 476   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.235205",
 477   publisher =    "American Physical Society",
 478   notes =        "formation energies of intrinisc point defects in
 479                  silicon, si self interstitials, free energy",
 480 }
 481
 482 @Article{goedecker02,
 483   title =        "A Fourfold Coordinated Point Defect in Silicon",
 484   author =       "Stefan Goedecker and Thierry Deutsch and Luc Billard",
 485   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 486   volume =       "88",
 487   number =       "23",
 488   pages =        "235501",
 489   numpages =     "4",
 490   year =         "2002",
 491   month =        may,
 492   doi =          "10.1103/PhysRevLett.88.235501",
 493   publisher =    "American Physical Society",
 494   notes =        "first time ffcd, fourfold coordinated point defect in
 495                  silicon",
 496 }
 497
 498 @Article{ma10,
 499   title =        "Ab initio study of self-diffusion in silicon over a
 500                  wide temperature range: Point defect states and
 501                  migration mechanisms",
 502   author =       "Shangyi Ma and Shaoqing Wang",
 503   journal =      "Phys. Rev. B",
 504   volume =       "81",
 505   number =       "19",
 506   pages =        "193203",
 507   numpages =     "4",
 508   year =         "2010",
 509   month =        may,
 510   doi =          "10.1103/PhysRevB.81.193203",
 511   publisher =    "American Physical Society",
 512   notes =        "si self interstitial diffusion + refs",
 513 }
 514
 515 @Article{posselt06,
 516   title =        "Atomistic simulations on the thermal stability of the
 517                  antisite pair in 3{C}- and 4{H}-Si{C}",
 518   author =       "M. Posselt and F. Gao and W. J. Weber",
 519   journal =      "Phys. Rev. B",
 520   volume =       "73",
 521   number =       "12",
 522   pages =        "125206",
 523   numpages =     "8",
 524   year =         "2006",
 525   month =        mar,
 526   doi =          "10.1103/PhysRevB.73.125206",
 527   publisher =    "American Physical Society",
 528 }
 529
 530 @Article{posselt08,
 531   title =        "Correlation between self-diffusion in Si and the
 532                  migration mechanisms of vacancies and
 533                  self-interstitials: An atomistic study",
 534   author =       "M. Posselt and F. Gao and H. Bracht",
 535   journal =      "Phys. Rev. B",
 536   volume =       "78",
 537   number =       "3",
 538   pages =        "035208",
 539   numpages =     "9",
 540   year =         "2008",
 541   month =        jul,
 542   doi =          "10.1103/PhysRevB.78.035208",
 543   publisher =    "American Physical Society",
 544   notes =        "si self-interstitial and vacancy diffusion, stillinger
 545                  weber and tersoff",
 546 }
 547
 548 @Article{gao2001,
 549   title =        "Ab initio and empirical-potential studies of defect
 550                  properties in $3{C}-Si{C}$",
 551   author =       "F. Gao and E. J. Bylaska and W. J. Weber and L. R.
 552                  Corrales",
 553   journal =      "Phys. Rev. B",
 554   volume =       "64",
 555   number =       "24",
 556   pages =        "245208",
 557   numpages =     "7",
 558   year =         "2001",
 559   month =        dec,
 560   doi =          "10.1103/PhysRevB.64.245208",
 561   publisher =    "American Physical Society",
 562   notes =        "defects in 3c-sic",
 563 }
 564
 565 @Article{gao02,
 566   title =        "Empirical potential approach for defect properties in
 567                  3{C}-Si{C}",
 568   journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
 569                  Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
 570   volume =       "191",
 571   number =       "1-4",
 572   pages =        "504--508",
 573   year =         "2002",
 574   note =         "",
 575   ISSN =         "0168-583X",
 576   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(02)00600-6",
 577   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-453NR6B-G/2/e65b0730e94e13d66f72a2147b449ea7",
 578   author =       "Fei Gao and William J. Weber",
 579   keywords =     "Empirical potential",
 580   keywords =     "Defect properties",
 581   keywords =     "Silicon carbide",
 582   keywords =     "Computer simulation",
 583   notes =        "sic potential, brenner type, like erhart/albe",
 584 }
 585
 586 @Article{gao04,
 587   title =        "Atomistic study of intrinsic defect migration in
 588                  3{C}-Si{C}",
 589   author =       "Fei Gao and William J. Weber and M. Posselt and V.
 590                  Belko",
 591   journal =      "Phys. Rev. B",
 592   volume =       "69",
 593   number =       "24",
 594   pages =        "245205",
 595   numpages =     "5",
 596   year =         "2004",
 597   month =        jun,
 598   doi =          "10.1103/PhysRevB.69.245205",
 599   publisher =    "American Physical Society",
 600   notes =        "defect migration in sic",
 601 }
 602
 603 @Article{gao07,
 604   author =       "F. Gao and J. Du and E. J. Bylaska and M. Posselt and
 605                  W. J. Weber",
 606   collaboration = "",
 607   title =        "Ab Initio atomic simulations of antisite pair recovery
 608                  in cubic silicon carbide",
 609   publisher =    "AIP",
 610   year =         "2007",
 611   journal =      "Applied Physics Letters",
 612   volume =       "90",
 613   number =       "22",
 614   eid =          "221915",
 615   numpages =     "3",
 616   pages =        "221915",
 617   keywords =     "ab initio calculations; silicon compounds; antisite
 618                  defects; wide band gap semiconductors; molecular
 619                  dynamics method; density functional theory;
 620                  electron-hole recombination; photoluminescence;
 621                  impurities; diffusion",
 622   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/90/221915/1",
 623   doi =          "10.1063/1.2743751",
 624 }
 625
 626 @Article{mattoni2002,
 627   title =        "Self-interstitial trapping by carbon complexes in
 628                  crystalline silicon",
 629   author =       "A. Mattoni and F. Bernardini and L. Colombo",
 630   journal =      "Phys. Rev. B",
 631   volume =       "66",
 632   number =       "19",
 633   pages =        "195214",
 634   numpages =     "6",
 635   year =         "2002",
 636   month =        nov,
 637   doi =          "10.1103/PhysRevB.66.195214",
 638   publisher =    "American Physical Society",
 639   notes =        "c in c-si, diffusion, interstitial configuration +
 640                  links, interaction of carbon and silicon interstitials,
 641                  tersoff suitability",
 642 }
 643
 644 @Article{leung99,
 645   title =        "Calculations of Silicon Self-Interstitial Defects",
 646   author =       "W.-K. Leung and R. J. Needs and G. Rajagopal and S.
 647                  Itoh and S. Ihara",
 648   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 649   volume =       "83",
 650   number =       "12",
 651   pages =        "2351--2354",
 652   numpages =     "3",
 653   year =         "1999",
 654   month =        sep,
 655   doi =          "10.1103/PhysRevLett.83.2351",
 656   publisher =    "American Physical Society",
 657   notes =        "nice images of the defects, si defect overview +
 658                  refs",
 659 }
 660
 661 @Article{capaz94,
 662   title =        "Identification of the migration path of interstitial
 663                  carbon in silicon",
 664   author =       "R. B. Capaz and A. {Dal Pino} and J. D. Joannopoulos",
 665   journal =      "Phys. Rev. B",
 666   volume =       "50",
 667   number =       "11",
 668   pages =        "7439--7442",
 669   numpages =     "3",
 670   year =         "1994",
 671   month =        sep,
 672   doi =          "10.1103/PhysRevB.50.7439",
 673   publisher =    "American Physical Society",
 674   notes =        "carbon interstitial migration path shown, 001 c-si
 675                  dumbbell",
 676 }
 677
 678 @Article{capaz98,
 679   title =        "Theory of carbon-carbon pairs in silicon",
 680   author =       "R. B. Capaz and A. {Dal Pino} and J. D. Joannopoulos",
 681   journal =      "Phys. Rev. B",
 682   volume =       "58",
 683   number =       "15",
 684   pages =        "9845--9850",
 685   numpages =     "5",
 686   year =         "1998",
 687   month =        oct,
 688   doi =          "10.1103/PhysRevB.58.9845",
 689   publisher =    "American Physical Society",
 690   notes =        "carbon pairs in si",
 691 }
 692
 693 @Article{dal_pino93,
 694   title =        "Ab initio investigation of carbon-related defects in
 695                  silicon",
 696   author =       "A. {Dal Pino} and Andrew M. Rappe and J. D.
 697                  Joannopoulos",
 698   journal =      "Phys. Rev. B",
 699   volume =       "47",
 700   number =       "19",
 701   pages =        "12554--12557",
 702   numpages =     "3",
 703   year =         "1993",
 704   month =        may,
 705   doi =          "10.1103/PhysRevB.47.12554",
 706   publisher =    "American Physical Society",
 707   notes =        "c interstitials in crystalline silicon",
 708 }
 709
 710 @Article{car84,
 711   title =        "Microscopic Theory of Atomic Diffusion Mechanisms in
 712                  Silicon",
 713   author =       "Roberto Car and Paul J. Kelly and Atsushi Oshiyama and
 714                  Sokrates T. Pantelides",
 715   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 716   volume =       "52",
 717   number =       "20",
 718   pages =        "1814--1817",
 719   numpages =     "3",
 720   year =         "1984",
 721   month =        may,
 722   doi =          "10.1103/PhysRevLett.52.1814",
 723   publisher =    "American Physical Society",
 724   notes =        "microscopic theory diffusion silicon dft migration
 725                  path formation",
 726 }
 727
 728 @Article{car85,
 729   title =        "Unified Approach for Molecular Dynamics and
 730                  Density-Functional Theory",
 731   author =       "R. Car and M. Parrinello",
 732   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 733   volume =       "55",
 734   number =       "22",
 735   pages =        "2471--2474",
 736   numpages =     "3",
 737   year =         "1985",
 738   month =        nov,
 739   doi =          "10.1103/PhysRevLett.55.2471",
 740   publisher =    "American Physical Society",
 741   notes =        "car parrinello method, dft and md",
 742 }
 743
 744 @Article{kelires97,
 745   title =        "Short-range order, bulk moduli, and physical trends in
 746                  c-$Si1-x$$Cx$ alloys",
 747   author =       "P. C. Kelires",
 748   journal =      "Phys. Rev. B",
 749   volume =       "55",
 750   number =       "14",
 751   pages =        "8784--8787",
 752   numpages =     "3",
 753   year =         "1997",
 754   month =        apr,
 755   doi =          "10.1103/PhysRevB.55.8784",
 756   publisher =    "American Physical Society",
 757   notes =        "c strained si, montecarlo md, bulk moduli, next
 758                  neighbour dist",
 759 }
 760
 761 @Article{kelires95,
 762   title =        "Monte Carlo Studies of Ternary Semiconductor Alloys:
 763                  Application to the $Si1-x-yGexCy$ System",
 764   author =       "P. C. Kelires",
 765   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 766   volume =       "75",
 767   number =       "6",
 768   pages =        "1114--1117",
 769   numpages =     "3",
 770   year =         "1995",
 771   month =        aug,
 772   doi =          "10.1103/PhysRevLett.75.1114",
 773   publisher =    "American Physical Society",
 774   notes =        "mc md, strain compensation in si ge by c insertion",
 775 }
 776
 777 @Article{bean70,
 778   title =        "Low temperature electron irradiation of silicon
 779                  containing carbon",
 780   journal =      "Solid State Communications",
 781   volume =       "8",
 782   number =       "3",
 783   pages =        "175--177",
 784   year =         "1970",
 785   note =         "",
 786   ISSN =         "0038-1098",
 787   doi =          "DOI: 10.1016/0038-1098(70)90074-8",
 788   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVW-46MF8S4-156/2/5f4d9c189a3d97227fde9214195aa081",
 789   author =       "A. R. Bean and R. C. Newman",
 790 }
 791
 792 @Article{watkins76,
 793   title =        "{EPR} Observation of the Isolated Interstitial Carbon
 794                  Atom in Silicon",
 795   author =       "G. D. Watkins and K. L. Brower",
 796   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 797   volume =       "36",
 798   number =       "22",
 799   pages =        "1329--1332",
 800   numpages =     "3",
 801   year =         "1976",
 802   month =        may,
 803   doi =          "10.1103/PhysRevLett.36.1329",
 804   publisher =    "American Physical Society",
 805   notes =        "epr observations of 100 interstitial carbon atom in
 806                  silicon",
 807 }
 808
 809 @Article{song90,
 810   title =        "{EPR} identification of the single-acceptor state of
 811                  interstitial carbon in silicon",
 812   author =       "L. W. Song and G. D. Watkins",
 813   journal =      "Phys. Rev. B",
 814   volume =       "42",
 815   number =       "9",
 816   pages =        "5759--5764",
 817   numpages =     "5",
 818   year =         "1990",
 819   month =        sep,
 820   doi =          "10.1103/PhysRevB.42.5759",
 821   publisher =    "American Physical Society",
 822   notes =        "carbon diffusion in silicon",
 823 }
 824
 825 @Article{tipping87,
 826   author =       "A K Tipping and R C Newman",
 827   title =        "The diffusion coefficient of interstitial carbon in
 828                  silicon",
 829   journal =      "Semiconductor Science and Technology",
 830   volume =       "2",
 831   number =       "5",
 832   pages =        "315--317",
 833   URL =          "http://stacks.iop.org/0268-1242/2/315",
 834   year =         "1987",
 835   notes =        "diffusion coefficient of carbon interstitials in
 836                  silicon",
 837 }
 838
 839 @Article{strane96,
 840   title =        "Carbon incorporation into Si at high concentrations by
 841                  ion implantation and solid phase epitaxy",
 842   author =       "J. W. Strane and S. R. Lee and H. J. Stein and S. T.
 843                  Picraux and J. K. Watanabe and J. W. Mayer",
 844   journal =      "J. Appl. Phys.",
 845   volume =       "79",
 846   pages =        "637",
 847   year =         "1996",
 848   month =        jan,
 849   doi =          "10.1063/1.360806",
 850   notes =        "strained silicon, carbon supersaturation",
 851 }
 852
 853 @Article{laveant2002,
 854   title =        "Epitaxy of carbon-rich silicon with {MBE}",
 855   journal =      "Materials Science and Engineering B",
 856   volume =       "89",
 857   number =       "1-3",
 858   pages =        "241--245",
 859   year =         "2002",
 860   ISSN =         "0921-5107",
 861   doi =          "DOI: 10.1016/S0921-5107(01)00794-2",
 862   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXF-44YVPGS-1V/2/024ece074ad18ebbec62a39a2510a268",
 863   author =       "P. Lav\'eant and G. Gerth and P. Werner and U.
 864                  G{\"{o}}sele",
 865   notes =        "low c in si, tensile stress to compensate compressive
 866                  stress, avoid sic precipitation",
 867 }
 868
 869 @Article{werner97,
 870   author =       "P. Werner and S. Eichler and G. Mariani and R.
 871                  K{\"{o}}gler and W. Skorupa",
 872   title =        "Investigation of {C}[sub x]Si defects in {C} implanted
 873                  silicon by transmission electron microscopy",
 874   publisher =    "AIP",
 875   year =         "1997",
 876   journal =      "Applied Physics Letters",
 877   volume =       "70",
 878   number =       "2",
 879   pages =        "252--254",
 880   keywords =     "silicon; ion implantation; carbon; crystal defects;
 881                  transmission electron microscopy; annealing; positron
 882                  annihilation; secondary ion mass spectroscopy; buried
 883                  layers; precipitation",
 884   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/70/252/1",
 885   doi =          "10.1063/1.118381",
 886   notes =        "si-c complexes, agglomerate, sic in si matrix, sic
 887                  precipitate",
 888 }
 889
 890 @InProceedings{werner96,
 891   author =       "P. Werner and R. K{\"{o}}gler and W. Skorupa and D.
 892                  Eichler",
 893   booktitle =    "Ion Implantation Technology. Proceedings of the 11th
 894                  International Conference on",
 895   title =        "{TEM} investigation of {C}-Si defects in carbon
 896                  implanted silicon",
 897   year =         "1996",
 898   month =        jun,
 899   volume =       "",
 900   number =       "",
 901   pages =        "675--678",
 902   keywords =     "beta;-SiC precipitates;30 s;700 to 1300 C;C
 903                  atom/radiation induced defect interaction;C depth
 904                  distribution;C precipitation;C-Si defects;C-Si
 905                  dimers;CZ Si;HREM;Si:C;TEM;buried layer morphology;high
 906                  energy ion implantation;ion implantation;metastable
 907                  agglomerates;microdefects;positron annihilation
 908                  spectroscopy;rapid thermal annealing;secondary ion mass
 909                  spectrometry;vacancy clusters;buried
 910                  layers;carbon;elemental semiconductors;impurity-defect
 911                  interactions;ion implantation;positron
 912                  annihilation;precipitation;rapid thermal
 913                  annealing;secondary ion mass
 914                  spectra;silicon;transmission electron
 915                  microscopy;vacancies (crystal);",
 916   doi =          "10.1109/IIT.1996.586497",
 917   ISSN =         "",
 918   notes =        "c-si agglomerates dumbbells",
 919 }
 920
 921 @Article{strane94,
 922   author =       "J. W. Strane and H. J. Stein and S. R. Lee and S. T.
 923                  Picraux and J. K. Watanabe and J. W. Mayer",
 924   collaboration = "",
 925   title =        "Precipitation and relaxation in strained Si[sub 1 -
 926                  y]{C}[sub y]/Si heterostructures",
 927   publisher =    "AIP",
 928   year =         "1994",
 929   journal =      "Journal of Applied Physics",
 930   volume =       "76",
 931   number =       "6",
 932   pages =        "3656--3668",
 933   keywords =     "SILICON CARBIDES; SILICON; PRECIPITATION; STRAINS",
 934   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/76/3656/1",
 935   doi =          "10.1063/1.357429",
 936   notes =        "strained si-c to 3c-sic, carbon nucleation + refs,
 937                  precipitation by substitutional carbon, coherent prec,
 938                  coherent to incoherent transition strain vs interface
 939                  energy",
 940 }
 941
 942 @Article{fischer95,
 943   author =       "G. G. Fischer and P. Zaumseil and E. Bugiel and H. J.
 944                  Osten",
 945   collaboration = "",
 946   title =        "Investigation of the high temperature behavior of
 947                  strained Si[sub 1 - y]{C}[sub y] /Si heterostructures",
 948   publisher =    "AIP",
 949   year =         "1995",
 950   journal =      "Journal of Applied Physics",
 951   volume =       "77",
 952   number =       "5",
 953   pages =        "1934--1937",
 954   keywords =     "SILICON CARBIDES; SILICON; HETEROSTRUCTURES; STRAINS;
 955                  XRD; MOLECULAR BEAM EPITAXY; STABILITY; TENSILE
 956                  PROPERTIES; EPITAXIAL LAYERS; ANNEALING; PRECIPITATION;
 957                  TEMPERATURE RANGE 04001000 K",
 958   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/77/1934/1",
 959   doi =          "10.1063/1.358826",
 960 }
 961
 962 @Article{edgar92,
 963   title =        "Prospects for device implementation of wide band gap
 964                  semiconductors",
 965   author =       "J. H. Edgar",
 966   journal =      "J. Mater. Res.",
 967   volume =       "7",
 968   pages =        "235",
 969   year =         "1992",
 970   month =        jan,
 971   doi =          "10.1557/JMR.1992.0235",
 972   notes =        "properties wide band gap semiconductor, sic
 973                  polytypes",
 974 }
 975
 976 @Article{zirkelbach2007,
 977   title =        "Monte Carlo simulation study of a selforganisation
 978                  process leading to ordered precipitate structures",
 979   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
 980                  and B. Stritzker",
 981   journal =      "Nucl. Instr. and Meth. B",
 982   volume =       "257",
 983   number =       "1--2",
 984   pages =        "75--79",
 985   numpages =     "5",
 986   year =         "2007",
 987   month =        apr,
 988   doi =          "doi:10.1016/j.nimb.2006.12.118",
 989   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
 990                  NETHERLANDS",
 991 }
 992
 993 @Article{zirkelbach2006,
 994   title =        "Monte-Carlo simulation study of the self-organization
 995                  of nanometric amorphous precipitates in regular arrays
 996                  during ion irradiation",
 997   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
 998                  and B. Stritzker",
 999   journal =      "Nucl. Instr. and Meth. B",
1000   volume =       "242",
1001   number =       "1--2",
1002   pages =        "679--682",
1003   numpages =     "4",
1004   year =         "2006",
1005   month =        jan,
1006   doi =          "doi:10.1016/j.nimb.2005.08.162",
1007   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
1008                  NETHERLANDS",
1009 }
1010
1011 @Article{zirkelbach2005,
1012   title =        "Modelling of a selforganization process leading to
1013                  periodic arrays of nanometric amorphous precipitates by
1014                  ion irradiation",
1015   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
1016                  and B. Stritzker",
1017   journal =      "Comp. Mater. Sci.",
1018   volume =       "33",
1019   number =       "1--3",
1020   pages =        "310--316",
1021   numpages =     "7",
1022   year =         "2005",
1023   month =        apr,
1024   doi =          "doi:10.1016/j.commatsci.2004.12.016",
1025   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
1026                  NETHERLANDS",
1027 }
1028
1029 @Article{lindner99,
1030   title =        "Controlling the density distribution of Si{C}
1031                  nanocrystals for the ion beam synthesis of buried Si{C}
1032                  layers in silicon",
1033   journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
1034                  Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
1035   volume =       "147",
1036   number =       "1-4",
1037   pages =        "249--255",
1038   year =         "1999",
1039   note =         "",
1040   ISSN =         "0168-583X",
1041   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00598-9",
1042   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3YMWWDY-1H/2/ad53e614f783b2a7474aecb936dd0169",
1043   author =       "J. K. N. Lindner and B. Stritzker",
1044   notes =        "two-step implantation process",
1045 }
1046
1047 @Article{lindner99_2,
1048   title =        "Mechanisms in the ion beam synthesis of Si{C} layers
1049                  in silicon",
1050   journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
1051                  Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
1052   volume =       "148",
1053   number =       "1-4",
1054   pages =        "528--533",
1055   year =         "1999",
1056   ISSN =         "0168-583X",
1057   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00787-3",
1058   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3XGFSSH-3H/2/17d138baa6db68cb279e6de9161e5f85",
1059   author =       "J. K. N. Lindner and B. Stritzker",
1060   notes =        "3c-sic precipitation model, c-si dimers (dumbbells)",
1061 }
1062
1063 @Article{lindner01,
1064   title =        "Ion beam synthesis of buried Si{C} layers in silicon:
1065                  Basic physical processes",
1066   journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
1067                  Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
1068   volume =       "178",
1069   number =       "1-4",
1070   pages =        "44--54",
1071   year =         "2001",
1072   note =         "",
1073   ISSN =         "0168-583X",
1074   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(01)00504-3",
1075   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-435KG96-8/2/f222574d8945c3fd7aaf9ae1efdd37b3",
1076   author =       "J{\"{o}}rg K. N. Lindner",
1077 }
1078
1079 @Article{lindner02,
1080   title =        "High-dose carbon implantations into silicon:
1081                  fundamental studies for new technological tricks",
1082   author =       "J. K. N. Lindner",
1083   journal =      "Appl. Phys. A",
1084   volume =       "77",
1085   pages =        "27--38",
1086   year =         "2003",
1087   doi =          "10.1007/s00339-002-2062-8",
1088   notes =        "ibs, burried sic layers",
1089 }
1090
1091 @Article{ito04,
1092   title =        "Ion beam synthesis of 3{C}-Si{C} layers in Si and its
1093                  application in buffer layer for Ga{N} epitaxial
1094                  growth",
1095   journal =      "Applied Surface Science",
1096   volume =       "238",
1097   number =       "1-4",
1098   pages =        "159--164",
1099   year =         "2004",
1100   note =         "APHYS'03 Special Issue",
1101   ISSN =         "0169-4332",
1102   doi =          "DOI: 10.1016/j.apsusc.2004.05.199",
1103   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6THY-4CTTNGX-B/2/d24ee637db87f3f1a6ef7fe6820f267c",
1104   author =       "Y. Ito and T. Yamauchi and A. Yamamoto and M. Sasase
1105                  and S. Nishio and K. Yasuda and Y. Ishigami",
1106   notes =        "gan on 3c-sic",
1107 }
1108
1109 @Article{alder57,
1110   author =       "B. J. Alder and T. E. Wainwright",
1111   title =        "Phase Transition for a Hard Sphere System",
1112   publisher =    "AIP",
1113   year =         "1957",
1114   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
1115   volume =       "27",
1116   number =       "5",
1117   pages =        "1208--1209",
1118   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/27/1208/1",
1119   doi =          "10.1063/1.1743957",
1120 }
1121
1122 @Article{alder59,
1123   author =       "B. J. Alder and T. E. Wainwright",
1124   title =        "Studies in Molecular Dynamics. {I}. General Method",
1125   publisher =    "AIP",
1126   year =         "1959",
1127   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
1128   volume =       "31",
1129   number =       "2",
1130   pages =        "459--466",
1131   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/31/459/1",
1132   doi =          "10.1063/1.1730376",
1133 }
1134
1135 @Article{tersoff_si1,
1136   title =        "New empirical model for the structural properties of
1137                  silicon",
1138   author =       "J. Tersoff",
1139   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1140   volume =       "56",
1141   number =       "6",
1142   pages =        "632--635",
1143   numpages =     "3",
1144   year =         "1986",
1145   month =        feb,
1146   doi =          "10.1103/PhysRevLett.56.632",
1147   publisher =    "American Physical Society",
1148 }
1149
1150 @Article{tersoff_si2,
1151   title =        "New empirical approach for the structure and energy of
1152                  covalent systems",
1153   author =       "J. Tersoff",
1154   journal =      "Phys. Rev. B",
1155   volume =       "37",
1156   number =       "12",
1157   pages =        "6991--7000",
1158   numpages =     "9",
1159   year =         "1988",
1160   month =        apr,
1161   doi =          "10.1103/PhysRevB.37.6991",
1162   publisher =    "American Physical Society",
1163 }
1164
1165 @Article{tersoff_si3,
1166   title =        "Empirical interatomic potential for silicon with
1167                  improved elastic properties",
1168   author =       "J. Tersoff",
1169   journal =      "Phys. Rev. B",
1170   volume =       "38",
1171   number =       "14",
1172   pages =        "9902--9905",
1173   numpages =     "3",
1174   year =         "1988",
1175   month =        nov,
1176   doi =          "10.1103/PhysRevB.38.9902",
1177   publisher =    "American Physical Society",
1178 }
1179
1180 @Article{tersoff_c,
1181   title =        "Empirical Interatomic Potential for Carbon, with
1182                  Applications to Amorphous Carbon",
1183   author =       "J. Tersoff",
1184   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1185   volume =       "61",
1186   number =       "25",
1187   pages =        "2879--2882",
1188   numpages =     "3",
1189   year =         "1988",
1190   month =        dec,
1191   doi =          "10.1103/PhysRevLett.61.2879",
1192   publisher =    "American Physical Society",
1193 }
1194
1195 @Article{tersoff_m,
1196   title =        "Modeling solid-state chemistry: Interatomic potentials
1197                  for multicomponent systems",
1198   author =       "J. Tersoff",
1199   journal =      "Phys. Rev. B",
1200   volume =       "39",
1201   number =       "8",
1202   pages =        "5566--5568",
1203   numpages =     "2",
1204   year =         "1989",
1205   month =        mar,
1206   doi =          "10.1103/PhysRevB.39.5566",
1207   publisher =    "American Physical Society",
1208 }
1209
1210 @Article{tersoff90,
1211   title =        "Carbon defects and defect reactions in silicon",
1212   author =       "J. Tersoff",
1213   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1214   volume =       "64",
1215   number =       "15",
1216   pages =        "1757--1760",
1217   numpages =     "3",
1218   year =         "1990",
1219   month =        apr,
1220   doi =          "10.1103/PhysRevLett.64.1757",
1221   publisher =    "American Physical Society",
1222 }
1223
1224 @Article{fahey89,
1225   title =        "Point defects and dopant diffusion in silicon",
1226   author =       "P. M. Fahey and P. B. Griffin and J. D. Plummer",
1227   journal =      "Rev. Mod. Phys.",
1228   volume =       "61",
1229   number =       "2",
1230   pages =        "289--384",
1231   numpages =     "95",
1232   year =         "1989",
1233   month =        apr,
1234   doi =          "10.1103/RevModPhys.61.289",
1235   publisher =    "American Physical Society",
1236 }
1237
1238 @Article{wesch96,
1239   title =        "Silicon carbide: synthesis and processing",
1240   journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
1241                  Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
1242   volume =       "116",
1243   number =       "1-4",
1244   pages =        "305--321",
1245   year =         "1996",
1246   note =         "Radiation Effects in Insulators",
1247   ISSN =         "0168-583X",
1248   doi =          "DOI: 10.1016/0168-583X(96)00065-1",
1249   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3VXHNFT-C7/2/4216cb1ec9e422c22de5fed7360fb06e",
1250   author =       "W. Wesch",
1251 }
1252
1253 @Article{morkoc94,
1254   author =       "H. Morko\c{c} and S. Strite and G. B. Gao and M. E.
1255                  Lin and B. Sverdlov and M. Burns",
1256   collaboration = "",
1257   title =        "Large-band-gap Si{C}, {III}-{V} nitride, and {II}-{VI}
1258                  ZnSe-based semiconductor device technologies",
1259   publisher =    "AIP",
1260   year =         "1994",
1261   journal =      "Journal of Applied Physics",
1262   volume =       "76",
1263   number =       "3",
1264   pages =        "1363--1398",
1265   keywords =     "SEMICONDUCTOR DEVICES; SILICON CARBIDES; GALLIUM
1266                  NITRIDES; ZINC SELENIDES; SUBSTRATES; MOS JUNCTIONS;
1267                  LASER MATERIALS; MATERIALS; REVIEWS; ENERGY GAP; THIN
1268                  FILMS; INDUSTRY",
1269   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/76/1363/1",
1270   doi =          "10.1063/1.358463",
1271   notes =        "sic intro, properties",
1272 }
1273
1274 @Article{neudeck95,
1275   author =       "P. G. Neudeck",
1276   title =        "{PROGRESS} {IN} {SILICON}-{CARBIDE} {SEMICONDUCTOR}
1277                  {ELECTRONICS} {TECHNOLOGY}",
1278   journal =      "Journal of Electronic Materials",
1279   year =         "1995",
1280   volume =       "24",
1281   number =       "4",
1282   pages =        "283--288",
1283   month =        apr,
1284 }
1285
1286 @Article{foo,
1287   author =       "Noch Unbekannt",
1288   title =        "How to find references",
1289   journal =      "Journal of Applied References",
1290   year =         "2009",
1291   volume =       "77",
1292   pages =        "1--23",
1293 }
1294
1295 @Article{tang95,
1296   title =        "Atomistic simulation of thermomechanical properties of
1297                  \beta{}-Si{C}",
1298   author =       "Meijie Tang and Sidney Yip",
1299   journal =      "Phys. Rev. B",
1300   volume =       "52",
1301   number =       "21",
1302   pages =        "15150--15159",
1303   numpages =     "9",
1304   year =         "1995",
1305   doi =          "10.1103/PhysRevB.52.15150",
1306   notes =        "modified tersoff, scale cutoff with volume, promising
1307                  tersoff reparametrization",
1308   publisher =    "American Physical Society",
1309 }
1310
1311 @Article{sarro00,
1312   title =        "Silicon carbide as a new {MEMS} technology",
1313   journal =      "Sensors and Actuators A: Physical",
1314   volume =       "82",
1315   number =       "1-3",
1316   pages =        "210--218",
1317   year =         "2000",
1318   ISSN =         "0924-4247",
1319   doi =          "DOI: 10.1016/S0924-4247(99)00335-0",
1320   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6THG-406VM55-13/2/75385a587669b215d9ef88029a93fd59",
1321   author =       "Pasqualina M. Sarro",
1322   keywords =     "MEMS",
1323   keywords =     "Silicon carbide",
1324   keywords =     "Micromachining",
1325   keywords =     "Mechanical stress",
1326 }
1327
1328 @Article{casady96,
1329   title =        "Status of silicon carbide (Si{C}) as a wide-bandgap
1330                  semiconductor for high-temperature applications: {A}
1331                  review",
1332   journal =      "Solid-State Electronics",
1333   volume =       "39",
1334   number =       "10",
1335   pages =        "1409--1422",
1336   year =         "1996",
1337   ISSN =         "0038-1101",
1338   doi =          "DOI: 10.1016/0038-1101(96)00045-7",
1339   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TY5-3VSR9J0-1/2/a871c11636e937dc45bfdf48e29f725b",
1340   author =       "J. B. Casady and R. W. Johnson",
1341   notes =        "sic intro",
1342 }
1343
1344 @Article{giancarli98,
1345   title =        "Design requirements for Si{C}/Si{C} composites
1346                  structural material in fusion power reactor blankets",
1347   journal =      "Fusion Engineering and Design",
1348   volume =       "41",
1349   number =       "1-4",
1350   pages =        "165--171",
1351   year =         "1998",
1352   ISSN =         "0920-3796",
1353   doi =          "DOI: 10.1016/S0920-3796(97)00200-7",
1354   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6V3C-3V8RYK8-T/2/16949194114900fd1330f79892d7a7be",
1355   author =       "L. Giancarli and J. P. Bonal and A. Caso and G. Le
1356                  Marois and N. B. Morley and J. F. Salavy",
1357 }
1358
1359 @Article{pensl93,
1360   title =        "Electrical and optical characterization of Si{C}",
1361   journal =      "Physica B: Condensed Matter",
1362   volume =       "185",
1363   number =       "1-4",
1364   pages =        "264--283",
1365   year =         "1993",
1366   ISSN =         "0921-4526",
1367   doi =          "DOI: 10.1016/0921-4526(93)90249-6",
1368   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVH-46G8HRX-99/2/eab9398bf2bbf10df3ae42c2ab28a776",
1369   author =       "G. Pensl and W. J. Choyke",
1370 }
1371
1372 @Article{tairov78,
1373   title =        "Investigation of growth processes of ingots of silicon
1374                  carbide single crystals",
1375   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1376   volume =       "43",
1377   number =       "2",
1378   pages =        "209--212",
1379   year =         "1978",
1380   notes =        "modified lely process",
1381   ISSN =         "0022-0248",
1382   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(78)90169-0",
1383   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46BY2NR-7S/2/fa6fee78ebd8322491f6366e72d5b6dc",
1384   author =       "Yu. M. Tairov and V. F. Tsvetkov",
1385 }
1386
1387 @Article{nishino83,
1388   author =       "Shigehiro Nishino and J. Anthony Powell and Herbert A.
1389                  Will",
1390   collaboration = "",
1391   title =        "Production of large-area single-crystal wafers of
1392                  cubic Si{C} for semiconductor devices",
1393   publisher =    "AIP",
1394   year =         "1983",
1395   journal =      "Applied Physics Letters",
1396   volume =       "42",
1397   number =       "5",
1398   pages =        "460--462",
1399   keywords =     "silicon carbides; layers; chemical vapor deposition;
1400                  monocrystals",
1401   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/42/460/1",
1402   doi =          "10.1063/1.93970",
1403   notes =        "cvd of 3c-sic on si, sic buffer layer",
1404 }
1405
1406 @Article{nishino87,
1407   author =       "Shigehiro Nishino and Hajime Suhara and Hideyuki Ono
1408                  and Hiroyuki Matsunami",
1409   collaboration = "",
1410   title =        "Epitaxial growth and electric characteristics of cubic
1411                  Si{C} on silicon",
1412   publisher =    "AIP",
1413   year =         "1987",
1414   journal =      "Journal of Applied Physics",
1415   volume =       "61",
1416   number =       "10",
1417   pages =        "4889--4893",
1418   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/61/4889/1",
1419   doi =          "10.1063/1.338355",
1420   notes =        "cvd of 3c-sic on si, sic buffer layer, first time
1421                  carbonization",
1422 }
1423
1424 @Article{powell87,
1425   author =       "J. Anthony Powell and Lawrence G. Matus and Maria A.
1426                  Kuczmarski",
1427   title =        "Growth and Characterization of Cubic Si{C}
1428                  Single-Crystal Films on Si",
1429   publisher =    "ECS",
1430   year =         "1987",
1431   journal =      "Journal of The Electrochemical Society",
1432   volume =       "134",
1433   number =       "6",
1434   pages =        "1558--1565",
1435   keywords =     "semiconductor materials; silicon compounds; carbon
1436                  compounds; crystal morphology; electron mobility",
1437   URL =          "http://link.aip.org/link/?JES/134/1558/1",
1438   doi =          "10.1149/1.2100708",
1439   notes =        "blue light emitting diodes (led)",
1440 }
1441
1442 @Article{kimoto93,
1443   author =       "Tsunenobu Kimoto and Hironori Nishino and Woo Sik Yoo
1444                  and Hiroyuki Matsunami",
1445   title =        "Growth mechanism of 6{H}-Si{C} in step-controlled
1446                  epitaxy",
1447   publisher =    "AIP",
1448   year =         "1993",
1449   journal =      "Journal of Applied Physics",
1450   volume =       "73",
1451   number =       "2",
1452   pages =        "726--732",
1453   keywords =     "SILICON CARBIDES; EPITAXY; GROWTH RATE; TEMPERATURE
1454                  RANGE 10004000 K; TWINNING; ACTIVATION ENERGY; CHEMICAL
1455                  VAPOR DEPOSITION",
1456   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/73/726/1",
1457   doi =          "10.1063/1.353329",
1458   notes =        "cvd of 6h-sic on 6h-sic, twinned 3c-sic",
1459 }
1460
1461 @Article{powell90,
1462   author =       "J. A. Powell and D. J. Larkin and L. G. Matus and W.
1463                  J. Choyke and J. L. Bradshaw and L. Henderson and M.
1464                  Yoganathan and J. Yang and P. Pirouz",
1465   collaboration = "",
1466   title =        "Growth of improved quality 3{C}-Si{C} films on
1467                  6{H}-Si{C} substrates",
1468   publisher =    "AIP",
1469   year =         "1990",
1470   journal =      "Applied Physics Letters",
1471   volume =       "56",
1472   number =       "14",
1473   pages =        "1353--1355",
1474   keywords =     "SILICON CARBIDES; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; SORPTIVE
1475                  PROPERTIES; PHOTOLUMINESCENCE; TRANSMISSION ELECTRON
1476                  MICROSCOPY; DEFECT STRUCTURE; STACKING FAULTS; VAPOR
1477                  PHASE EPITAXY",
1478   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/56/1353/1",
1479   doi =          "10.1063/1.102512",
1480   notes =        "cvd of 3c-sic on 6h-sic",
1481 }
1482
1483 @Article{yuan95,
1484   author =       "C. Yuan and A. J. Steckl and J. Chaudhuri and R.
1485                  Thokala and M. J. Loboda",
1486   collaboration = "",
1487   title =        "Reduced temperature growth of crystalline 3{C}-Si{C}
1488                  films on 6{H}-Si{C} by chemical vapor deposition from
1489                  silacyclobutane",
1490   publisher =    "AIP",
1491   year =         "1995",
1492   journal =      "Journal of Applied Physics",
1493   volume =       "78",
1494   number =       "2",
1495   pages =        "1271--1273",
1496   keywords =     "SILICON CARBIDES; THIN FILMS; CVD; EPITAXY; ABSORPTION
1497                  EDGE; CRYSTAL STRUCTURE; STRAINS; DISLOCATIONS; XRD;
1498                  SPECTROPHOTOMETRY",
1499   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/78/1271/1",
1500   doi =          "10.1063/1.360368",
1501   notes =        "3c-sic on 6h-sic, cvd, reduced temperature",
1502 }
1503
1504 @Article{fissel95,
1505   title =        "Epitaxial growth of Si{C} thin films on Si-stabilized
1506                  [alpha]-Si{C}(0001) at low temperatures by solid-source
1507                  molecular beam epitaxy",
1508   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1509   volume =       "154",
1510   number =       "1-2",
1511   pages =        "72--80",
1512   year =         "1995",
1513   ISSN =         "0022-0248",
1514   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(95)00170-0",
1515   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-3Y5MMXM-1N/2/65549019b878bf02d5ec645b7eea9e98",
1516   author =       "A. Fissel and U. Kaiser and E. Ducke and B.
1517                  Schr{\"{o}}ter and W. Richter",
1518   notes =        "solid source mbe of 3c-sic on si and 6h-sic",
1519 }
1520
1521 @Article{fissel95_apl,
1522   author =       "A. Fissel and B. Schr{\"{o}}ter and W. Richter",
1523   collaboration = "",
1524   title =        "Low-temperature growth of Si{C} thin films on Si and
1525                  6{H}--Si{C} by solid-source molecular beam epitaxy",
1526   publisher =    "AIP",
1527   year =         "1995",
1528   journal =      "Applied Physics Letters",
1529   volume =       "66",
1530   number =       "23",
1531   pages =        "3182--3184",
1532   keywords =     "SILICON CARBIDES; MOLECULAR BEAM EPITAXY; MORPHOLOGY;
1533                  RHEED; NUCLEATION",
1534   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/66/3182/1",
1535   doi =          "10.1063/1.113716",
1536   notes =        "mbe 3c-sic on si and 6h-sic",
1537 }
1538
1539 @Article{borders71,
1540   author =       "J. A. Borders and S. T. Picraux and W. Beezhold",
1541   collaboration = "",
1542   title =        "{FORMATION} {OF} Si{C} {IN} {SILICON} {BY} {ION}
1543                  {IMPLANTATION}",
1544   publisher =    "AIP",
1545   year =         "1971",
1546   journal =      "Applied Physics Letters",
1547   volume =       "18",
1548   number =       "11",
1549   pages =        "509--511",
1550   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/18/509/1",
1551   doi =          "10.1063/1.1653516",
1552   notes =        "first time sic by ibs, follow cites for precipitation
1553                  ideas",
1554 }
1555
1556 @Article{reeson87,
1557   author =       "K. J. Reeson and P. L. F. Hemment and J. Stoemenos and
1558                  J. Davis and G. E. Celler",
1559   collaboration = "",
1560   title =        "Formation of buried layers of beta-Si{C} using ion
1561                  beam synthesis and incoherent lamp annealing",
1562   publisher =    "AIP",
1563   year =         "1987",
1564   journal =      "Applied Physics Letters",
1565   volume =       "51",
1566   number =       "26",
1567   pages =        "2242--2244",
1568   keywords =     "SILICON CARBIDES; FILM GROWTH; SOLIDPHASE EPITAXY; ION
1569                  IMPLANTATION; CARBON IONS; DOPING PROFILES; SYNTHESIS",
1570   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/51/2242/1",
1571   doi =          "10.1063/1.98953",
1572   notes =        "nice tem images, sic by ibs",
1573 }
1574
1575 @Article{scace59,
1576   author =       "R. I. Scace and G. A. Slack",
1577   collaboration = "",
1578   title =        "Solubility of Carbon in Silicon and Germanium",
1579   publisher =    "AIP",
1580   year =         "1959",
1581   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
1582   volume =       "30",
1583   number =       "6",
1584   pages =        "1551--1555",
1585   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/30/1551/1",
1586   doi =          "10.1063/1.1730236",
1587   notes =        "solubility of c in c-si, si-c phase diagram",
1588 }
1589
1590 @Article{cowern96,
1591   author =       "N. E. B. Cowern and A. Cacciato and J. S. Custer and
1592                  F. W. Saris and W. Vandervorst",
1593   collaboration = "",
1594   title =        "Role of {C} and {B} clusters in transient diffusion of
1595                  {B} in silicon",
1596   publisher =    "AIP",
1597   year =         "1996",
1598   journal =      "Applied Physics Letters",
1599   volume =       "68",
1600   number =       "8",
1601   pages =        "1150--1152",
1602   keywords =     "ATOMIC CLUSTERS; BORON ADDITIONS; CRYSTAL DOPING;
1603                  DIFFUSION; DOPED MATERIALS; IMPURITIES; INTERSTITIALS;
1604                  SILICON",
1605   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/68/1150/1",
1606   doi =          "10.1063/1.115706",
1607   notes =        "suppression of transient enhanced diffusion (ted)",
1608 }
1609
1610 @Article{stolk95,
1611   title =        "Implantation and transient boron diffusion: the role
1612                  of the silicon self-interstitial",
1613   journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
1614                  Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
1615   volume =       "96",
1616   number =       "1-2",
1617   pages =        "187--195",
1618   year =         "1995",
1619   note =         "Selected Papers of the Tenth International Conference
1620                  on Ion Implantation Technology (IIT '94)",
1621   ISSN =         "0168-583X",
1622   doi =          "DOI: 10.1016/0168-583X(94)00481-1",
1623   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-40WKY1P-29/2/602c6e5b809221323d2d2968edd0a71c",
1624   author =       "P. A. Stolk and H. -J. Gossmann and D. J. Eaglesham
1625                  and J. M. Poate",
1626 }
1627
1628 @Article{stolk97,
1629   author =       "P. A. Stolk and H.-J. Gossmann and D. J. Eaglesham and
1630                  D. C. Jacobson and C. S. Rafferty and G. H. Gilmer and
1631                  M. Jara\'{\i}z and J. M. Poate and H. S. Luftman and T.
1632                  E. Haynes",
1633   collaboration = "",
1634   title =        "Physical mechanisms of transient enhanced dopant
1635                  diffusion in ion-implanted silicon",
1636   publisher =    "AIP",
1637   year =         "1997",
1638   journal =      "Journal of Applied Physics",
1639   volume =       "81",
1640   number =       "9",
1641   pages =        "6031--6050",
1642   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/81/6031/1",
1643   doi =          "10.1063/1.364452",
1644   notes =        "ted, transient enhanced diffusion, c silicon trap",
1645 }
1646
1647 @Article{powell94,
1648   author =       "A. R. Powell and F. K. LeGoues and S. S. Iyer",
1649   collaboration = "",
1650   title =        "Formation of beta-Si{C} nanocrystals by the relaxation
1651                  of Si[sub 1 - y]{C}[sub y] random alloy layers",
1652   publisher =    "AIP",
1653   year =         "1994",
1654   journal =      "Applied Physics Letters",
1655   volume =       "64",
1656   number =       "3",
1657   pages =        "324--326",
1658   keywords =     "SILICON CARBIDES; NANOSTRUCTURES; DISPERSIONS;
1659                  EPITAXIAL LAYERS; STRESS RELAXATION; ANNEALING;
1660                  TEMPERATURE EFFECTS; PRECIPITATION; DISLOCATIONS;
1661                  SYNTHESIS",
1662   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/64/324/1",
1663   doi =          "10.1063/1.111195",
1664   notes =        "beta sic nano crystals in si, mbe, annealing",
1665 }
1666
1667 @Article{soref91,
1668   author =       "Richard A. Soref",
1669   collaboration = "",
1670   title =        "Optical band gap of the ternary semiconductor Si[sub 1
1671                  - x - y]Ge[sub x]{C}[sub y]",
1672   publisher =    "AIP",
1673   year =         "1991",
1674   journal =      "Journal of Applied Physics",
1675   volume =       "70",
1676   number =       "4",
1677   pages =        "2470--2472",
1678   keywords =     "SILICON CARBIDES; GERMANIUM CARBIDES; ENERGY GAP;
1679                  OPTICAL PROPERTIES; DIAMONDS; SEMICONDUCTOR ALLOYS;
1680                  TERNARY ALLOYS",
1681   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/70/2470/1",
1682   doi =          "10.1063/1.349403",
1683   notes =        "band gap of strained si by c",
1684 }
1685
1686 @Article{kasper91,
1687   author =       "E Kasper",
1688   title =        "Superlattices of group {IV} elements, a new
1689                  possibility to produce direct band gap material",
1690   journal =      "Physica Scripta",
1691   volume =       "T35",
1692   pages =        "232--236",
1693   URL =          "http://stacks.iop.org/1402-4896/T35/232",
1694   year =         "1991",
1695   notes =        "superlattices, convert indirect band gap into a
1696                  quasi-direct one",
1697 }
1698
1699 @Article{osten99,
1700   author =       "H. J. Osten and J. Griesche and S. Scalese",
1701   collaboration = "",
1702   title =        "Substitutional carbon incorporation in epitaxial
1703                  Si[sub 1 - y]{C}[sub y] alloys on Si(001) grown by
1704                  molecular beam epitaxy",
1705   publisher =    "AIP",
1706   year =         "1999",
1707   journal =      "Applied Physics Letters",
1708   volume =       "74",
1709   number =       "6",
1710   pages =        "836--838",
1711   keywords =     "molecular beam epitaxial growth; semiconductor growth;
1712                  wide band gap semiconductors; interstitials; silicon
1713                  compounds",
1714   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/74/836/1",
1715   doi =          "10.1063/1.123384",
1716   notes =        "substitutional c in si",
1717 }
1718
1719 @Article{hohenberg64,
1720   title =        "Inhomogeneous Electron Gas",
1721   author =       "P. Hohenberg and W. Kohn",
1722   journal =      "Phys. Rev.",
1723   volume =       "136",
1724   number =       "3B",
1725   pages =        "B864--B871",
1726   numpages =     "7",
1727   year =         "1964",
1728   month =        nov,
1729   doi =          "10.1103/PhysRev.136.B864",
1730   publisher =    "American Physical Society",
1731   notes =        "density functional theory, dft",
1732 }
1733
1734 @Article{kohn65,
1735   title =        "Self-Consistent Equations Including Exchange and
1736                  Correlation Effects",
1737   author =       "W. Kohn and L. J. Sham",
1738   journal =      "Phys. Rev.",
1739   volume =       "140",
1740   number =       "4A",
1741   pages =        "A1133--A1138",
1742   numpages =     "5",
1743   year =         "1965",
1744   month =        nov,
1745   doi =          "10.1103/PhysRev.140.A1133",
1746   publisher =    "American Physical Society",
1747   notes =        "dft, exchange and correlation",
1748 }
1749
1750 @Article{ruecker94,
1751   title =        "Strain-stabilized highly concentrated pseudomorphic
1752                  $Si1-x$$Cx$ layers in Si",
1753   author =       "H. R{\"u}cker and M. Methfessel and E. Bugiel and H.
1754                  J. Osten",
1755   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1756   volume =       "72",
1757   number =       "22",
1758   pages =        "3578--3581",
1759   numpages =     "3",
1760   year =         "1994",
1761   month =        may,
1762   doi =          "10.1103/PhysRevLett.72.3578",
1763   publisher =    "American Physical Society",
1764   notes =        "high c concentration in si, heterostructure, starined
1765                  si, dft",
1766 }
1767
1768 @Article{chang05,
1769   title =        "Electron Transport Model for Strained Silicon-Carbon
1770                  Alloy",
1771   author =       "Shu-Tong Chang and Chung-Yi Lin",
1772   journal =      "Japanese Journal of Applied Physics",
1773   volume =       "44",
1774   number =       "4B",
1775   pages =        "2257--2262",
1776   numpages =     "5",
1777   year =         "2005",
1778   URL =          "http://jjap.ipap.jp/link?JJAP/44/2257/",
1779   doi =          "10.1143/JJAP.44.2257",
1780   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
1781   notes =        "enhance of electron mobility in starined si",
1782 }
1783
1784 @Article{osten97,
1785   author =       "H. J. Osten and P. Gaworzewski",
1786   collaboration = "",
1787   title =        "Charge transport in strained Si[sub 1 - y]{C}[sub y]
1788                  and Si[sub 1 - x - y]Ge[sub x]{C}[sub y] alloys on
1789                  Si(001)",
1790   publisher =    "AIP",
1791   year =         "1997",
1792   journal =      "Journal of Applied Physics",
1793   volume =       "82",
1794   number =       "10",
1795   pages =        "4977--4981",
1796   keywords =     "silicon compounds; Ge-Si alloys; wide band gap
1797                  semiconductors; semiconductor epitaxial layers; carrier
1798                  density; Hall mobility; interstitials; defect states",
1799   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/82/4977/1",
1800   doi =          "10.1063/1.366364",
1801   notes =        "charge transport in strained si",
1802 }
1803
1804 @Article{kapur04,
1805   title =        "Carbon-mediated aggregation of self-interstitials in
1806                  silicon: {A} large-scale molecular dynamics study",
1807   author =       "Sumeet S. Kapur and Manish Prasad and Talid Sinno",
1808   journal =      "Phys. Rev. B",
1809   volume =       "69",
1810   number =       "15",
1811   pages =        "155214",
1812   numpages =     "8",
1813   year =         "2004",
1814   month =        apr,
1815   doi =          "10.1103/PhysRevB.69.155214",
1816   publisher =    "American Physical Society",
1817   notes =        "simulation using promising tersoff reparametrization",
1818 }
1819
1820 @Article{barkema96,
1821   title =        "Event-Based Relaxation of Continuous Disordered
1822                  Systems",
1823   author =       "G. T. Barkema and Normand Mousseau",
1824   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1825   volume =       "77",
1826   number =       "21",
1827   pages =        "4358--4361",
1828   numpages =     "3",
1829   year =         "1996",
1830   month =        nov,
1831   doi =          "10.1103/PhysRevLett.77.4358",
1832   publisher =    "American Physical Society",
1833   notes =        "activation relaxation technique, art, speed up slow
1834                  dynamic mds",
1835 }
1836
1837 @Article{cances09,
1838   author =       "E. Canc\`{e}s and F. Legoll and M.-C. Marinica and K.
1839                  Minoukadeh and F. Willaime",
1840   collaboration = "",
1841   title =        "Some improvements of the activation-relaxation
1842                  technique method for finding transition pathways on
1843                  potential energy surfaces",
1844   publisher =    "AIP",
1845   year =         "2009",
1846   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
1847   volume =       "130",
1848   number =       "11",
1849   eid =          "114711",
1850   numpages =     "6",
1851   pages =        "114711",
1852   keywords =     "eigenvalues and eigenfunctions; iron; potential energy
1853                  surfaces; vacancies (crystal)",
1854   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/130/114711/1",
1855   doi =          "10.1063/1.3088532",
1856   notes =        "improvements to art, refs for methods to find
1857                  transition pathways",
1858 }
1859
1860 @Article{parrinello81,
1861   author =       "M. Parrinello and A. Rahman",
1862   collaboration = "",
1863   title =        "Polymorphic transitions in single crystals: {A} new
1864                  molecular dynamics method",
1865   publisher =    "AIP",
1866   year =         "1981",
1867   journal =      "Journal of Applied Physics",
1868   volume =       "52",
1869   number =       "12",
1870   pages =        "7182--7190",
1871   keywords =     "MONOCRYSTALS; PHASE TRANSFORMATIONS; STRUCTURAL
1872                  MODELS; DYNAMICS; THEORETICAL DATA; STRESSES;
1873                  CONFIGURATION; LAGRANGE EQUATIONS; SIZE; NICKEL;
1874                  COMPRESSION; TENSILE PROPERTIES; COMPARATIVE
1875                  EVALUATIONS; STRAINS; CUBIC LATTICES; HCP LATTICES;
1876                  IMPACT SHOCK",
1877   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/52/7182/1",
1878   doi =          "10.1063/1.328693",
1879 }
1880
1881 @Article{stillinger85,
1882   title =        "Computer simulation of local order in condensed phases
1883                  of silicon",
1884   author =       "Frank H. Stillinger and Thomas A. Weber",
1885   journal =      "Phys. Rev. B",
1886   volume =       "31",
1887   number =       "8",
1888   pages =        "5262--5271",
1889   numpages =     "9",
1890   year =         "1985",
1891   month =        apr,
1892   doi =          "10.1103/PhysRevB.31.5262",
1893   publisher =    "American Physical Society",
1894 }
1895
1896 @Article{brenner90,
1897   title =        "Empirical potential for hydrocarbons for use in
1898                  simulating the chemical vapor deposition of diamond
1899                  films",
1900   author =       "Donald W. Brenner",
1901   journal =      "Phys. Rev. B",
1902   volume =       "42",
1903   number =       "15",
1904   pages =        "9458--9471",
1905   numpages =     "13",
1906   year =         "1990",
1907   month =        nov,
1908   doi =          "10.1103/PhysRevB.42.9458",
1909   publisher =    "American Physical Society",
1910   notes =        "brenner hydro carbons",
1911 }
1912
1913 @Article{bazant96,
1914   title =        "Modeling of Covalent Bonding in Solids by Inversion of
1915                  Cohesive Energy Curves",
1916   author =       "Martin Z. Bazant and Efthimios Kaxiras",
1917   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1918   volume =       "77",
1919   number =       "21",
1920   pages =        "4370--4373",
1921   numpages =     "3",
1922   year =         "1996",
1923   month =        nov,
1924   doi =          "10.1103/PhysRevLett.77.4370",
1925   publisher =    "American Physical Society",
1926   notes =        "first si edip",
1927 }
1928
1929 @Article{bazant97,
1930   title =        "Environment-dependent interatomic potential for bulk
1931                  silicon",
1932   author =       "Martin Z. Bazant and Efthimios Kaxiras and J. F.
1933                  Justo",
1934   journal =      "Phys. Rev. B",
1935   volume =       "56",
1936   number =       "14",
1937   pages =        "8542--8552",
1938   numpages =     "10",
1939   year =         "1997",
1940   month =        oct,
1941   doi =          "10.1103/PhysRevB.56.8542",
1942   publisher =    "American Physical Society",
1943   notes =        "second si edip",
1944 }
1945
1946 @Article{justo98,
1947   title =        "Interatomic potential for silicon defects and
1948                  disordered phases",
1949   author =       "Jo\tilde{a}o F. Justo and Martin Z. Bazant and
1950                  Efthimios Kaxiras and V. V. Bulatov and Sidney Yip",
1951   journal =      "Phys. Rev. B",
1952   volume =       "58",
1953   number =       "5",
1954   pages =        "2539--2550",
1955   numpages =     "11",
1956   year =         "1998",
1957   month =        aug,
1958   doi =          "10.1103/PhysRevB.58.2539",
1959   publisher =    "American Physical Society",
1960   notes =        "latest si edip, good dislocation explanation",
1961 }
1962
1963 @Article{parcas_md,
1964   title =        "{PARCAS} molecular dynamics code",
1965   author =       "K. Nordlund",
1966   year =         "2008",
1967 }
1968
1969 @Article{voter97,
1970   title =        "Hyperdynamics: Accelerated Molecular Dynamics of
1971                  Infrequent Events",
1972   author =       "Arthur F. Voter",
1973   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1974   volume =       "78",
1975   number =       "20",
1976   pages =        "3908--3911",
1977   numpages =     "3",
1978   year =         "1997",
1979   month =        may,
1980   doi =          "10.1103/PhysRevLett.78.3908",
1981   publisher =    "American Physical Society",
1982   notes =        "hyperdynamics, accelerated md",
1983 }
1984
1985 @Article{voter97_2,
1986   author =       "Arthur F. Voter",
1987   collaboration = "",
1988   title =        "A method for accelerating the molecular dynamics
1989                  simulation of infrequent events",
1990   publisher =    "AIP",
1991   year =         "1997",
1992   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
1993   volume =       "106",
1994   number =       "11",
1995   pages =        "4665--4677",
1996   keywords =     "COMPUTERIZED SIMULATION; NICKEL; DIFFUSION; ATOM
1997                  TRANSPORT; MOLECULAR ORBITAL METHOD; POTENTIAL ENERGY;
1998                  SURFACE POTENTIAL; MOLECULAR DYNAMICS METHOD; potential
1999                  energy functions; surface diffusion; reaction kinetics
2000                  theory; potential energy surfaces",
2001   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/106/4665/1",
2002   doi =          "10.1063/1.473503",
2003   notes =        "improved hyperdynamics md",
2004 }
2005
2006 @Article{sorensen2000,
2007   author =       "Mads R. S\o rensen and Arthur F. Voter",
2008   collaboration = "",
2009   title =        "Temperature-accelerated dynamics for simulation of
2010                  infrequent events",
2011   publisher =    "AIP",
2012   year =         "2000",
2013   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
2014   volume =       "112",
2015   number =       "21",
2016   pages =        "9599--9606",
2017   keywords =     "SOLID STATE PHYSICS; SIMULATION; DIFFUSION; SURFACES;
2018                  MOLECULAR DYNAMICS METHOD; surface diffusion",
2019   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/112/9599/1",
2020   doi =          "10.1063/1.481576",
2021   notes =        "temperature accelerated dynamics, tad",
2022 }
2023
2024 @Article{voter98,
2025   title =        "Parallel replica method for dynamics of infrequent
2026                  events",
2027   author =       "Arthur F. Voter",
2028   journal =      "Phys. Rev. B",
2029   volume =       "57",
2030   number =       "22",
2031   pages =        "R13985--R13988",
2032   numpages =     "3",
2033   year =         "1998",
2034   month =        jun,
2035   doi =          "10.1103/PhysRevB.57.R13985",
2036   publisher =    "American Physical Society",
2037   notes =        "parallel replica method, accelerated md",
2038 }
2039
2040 @Article{wu99,
2041   author =       "Xiongwu Wu and Shaomeng Wang",
2042   collaboration = "",
2043   title =        "Enhancing systematic motion in molecular dynamics
2044                  simulation",
2045   publisher =    "AIP",
2046   year =         "1999",
2047   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
2048   volume =       "110",
2049   number =       "19",
2050   pages =        "9401--9410",
2051   keywords =     "molecular dynamics method; argon; Lennard-Jones
2052                  potential; crystallisation; liquid theory",
2053   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/110/9401/1",
2054   doi =          "10.1063/1.478948",
2055   notes =        "self guided md, sgmd, accelerated md, enhancing
2056                  systematic motion",
2057 }
2058
2059 @Article{choudhary05,
2060   author =       "Devashish Choudhary and Paulette Clancy",
2061   collaboration = "",
2062   title =        "Application of accelerated molecular dynamics schemes
2063                  to the production of amorphous silicon",
2064   publisher =    "AIP",
2065   year =         "2005",
2066   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
2067   volume =       "122",
2068   number =       "15",
2069   eid =          "154509",
2070   numpages =     "8",
2071   pages =        "154509",
2072   keywords =     "molecular dynamics method; silicon; glass structure;
2073                  amorphous semiconductors",
2074   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/122/154509/1",
2075   doi =          "10.1063/1.1878733",
2076   notes =        "explanation of sgmd and hyper md, applied to amorphous
2077                  silicon",
2078 }
2079
2080 @Article{taylor93,
2081   author =       "W. J. Taylor and T. Y. Tan and U. G{\"{o}}sele",
2082   collaboration = "",
2083   title =        "Carbon precipitation in silicon: Why is it so
2084                  difficult?",
2085   publisher =    "AIP",
2086   year =         "1993",
2087   journal =      "Applied Physics Letters",
2088   volume =       "62",
2089   number =       "25",
2090   pages =        "3336--3338",
2091   keywords =     "SILICON; CARBON ADDITIONS; OXYGEN ADDITIONS; DOPED
2092                  MATERIALS; PRECIPITATION; THERMODYNAMICS; SURFACE
2093                  ENERGY",
2094   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/62/3336/1",
2095   doi =          "10.1063/1.109063",
2096   notes =        "interfacial energy of cubic sic and si",
2097 }
2098
2099 @Article{chaussende08,
2100   title =        "Prospects for 3{C}-Si{C} bulk crystal growth",
2101   journal =      "Journal of Crystal Growth",
2102   volume =       "310",
2103   number =       "5",
2104   pages =        "976--981",
2105   year =         "2008",
2106   note =         "Proceedings of the E-MRS Conference, Symposium G -
2107                  Substrates of Wide Bandgap Materials",
2108   ISSN =         "0022-0248",
2109   doi =          "DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2007.11.140",
2110   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-4R7J67S-F/2/e92fc194b652409f5b119393d608b082",
2111   author =       "D. Chaussende and F. Mercier and A. Boulle and F.
2112                  Conchon and M. Soueidan and G. Ferro and A. Mantzari
2113                  and A. Andreadou and E. K. Polychroniadis and C.
2114                  Balloud and S. Juillaguet and J. Camassel and M. Pons",
2115   notes =        "3c-sic crystal growth, sic fabrication + links,
2116                  metastable",
2117 }
2118
2119 @Article{feynman39,
2120   title =        "Forces in Molecules",
2121   author =       "R. P. Feynman",
2122   journal =      "Phys. Rev.",
2123   volume =       "56",
2124   number =       "4",
2125   pages =        "340--343",
2126   numpages =     "3",
2127   year =         "1939",
2128   month =        aug,
2129   doi =          "10.1103/PhysRev.56.340",
2130   publisher =    "American Physical Society",
2131   notes =        "hellmann feynman forces",
2132 }
2133
2134 @Article{buczko00,
2135   title =        "Bonding Arrangements at the $Si-Si{O}_{2}$ and
2136                  $Si{C}-Si{O}_{2}$ Interfaces and a Possible Origin of
2137                  their Contrasting Properties",
2138   author =       "Ryszard Buczko and Stephen J. Pennycook and Sokrates
2139                  T. Pantelides",
2140   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2141   volume =       "84",
2142   number =       "5",
2143   pages =        "943--946",
2144   numpages =     "3",
2145   year =         "2000",
2146   month =        jan,
2147   doi =          "10.1103/PhysRevLett.84.943",
2148   publisher =    "American Physical Society",
2149   notes =        "si sio2 and sic sio2 interface",
2150 }
2151
2152 @Article{djurabekova08,
2153   title =        "Atomistic simulation of the interface structure of Si
2154                  nanocrystals embedded in amorphous silica",
2155   author =       "Flyura Djurabekova and Kai Nordlund",
2156   journal =      "Phys. Rev. B",
2157   volume =       "77",
2158   number =       "11",
2159   pages =        "115325",
2160   numpages =     "7",
2161   year =         "2008",
2162   month =        mar,
2163   doi =          "10.1103/PhysRevB.77.115325",
2164   publisher =    "American Physical Society",
2165   notes =        "nc-si in sio2, interface energy, nc construction,
2166                  angular distribution, coordination",
2167 }
2168
2169 @Article{wen09,
2170   author =       "C. Wen and Y. M. Wang and W. Wan and F. H. Li and J.
2171                  W. Liang and J. Zou",
2172   collaboration = "",
2173   title =        "Nature of interfacial defects and their roles in
2174                  strain relaxation at highly lattice mismatched
2175                  3{C}-Si{C}/Si (001) interface",
2176   publisher =    "AIP",
2177   year =         "2009",
2178   journal =      "Journal of Applied Physics",
2179   volume =       "106",
2180   number =       "7",
2181   eid =          "073522",
2182   numpages =     "8",
2183   pages =        "073522",
2184   keywords =     "anelastic relaxation; crystal structure; dislocations;
2185                  elemental semiconductors; semiconductor growth;
2186                  semiconductor thin films; silicon; silicon compounds;
2187                  stacking faults; wide band gap semiconductors",
2188   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/106/073522/1",
2189   doi =          "10.1063/1.3234380",
2190   notes =        "sic/si interface, follow refs, tem image
2191                  deconvolution, dislocation defects",
2192 }
2193
2194 @Article{kitabatake93,
2195   author =       "Makoto Kitabatake and Masahiro Deguchi and Takashi
2196                  Hirao",
2197   collaboration = "",
2198   title =        "Simulations and experiments of Si{C} heteroepitaxial
2199                  growth on Si(001) surface",
2200   publisher =    "AIP",
2201   year =         "1993",
2202   journal =      "Journal of Applied Physics",
2203   volume =       "74",
2204   number =       "7",
2205   pages =        "4438--4445",
2206   keywords =     "SILICON CARBIDES; FILM GROWTH; SIMULATION; MOLECULAR
2207                  BEAM EPITAXY; MOLECULAR DYNAMICS CALCULATIONS; SILICON;
2208                  MICROSTRUCTURE; ULTRAVIOLET RADIATION; IRRADIATION",
2209   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/74/4438/1",
2210   doi =          "10.1063/1.354385",
2211   notes =        "mbe and md of sic growth on si, 4 to 5 shrinkage
2212                  model, interface",
2213 }
2214
2215 @Article{chirita97,
2216   title =        "Strain relaxation and thermal stability of the
2217                  3{C}-Si{C}(001)/Si(001) interface: {A} molecular
2218                  dynamics study",
2219   journal =      "Thin Solid Films",
2220   volume =       "294",
2221   number =       "1-2",
2222   pages =        "47--49",
2223   year =         "1997",
2224   note =         "",
2225   ISSN =         "0040-6090",
2226   doi =          "DOI: 10.1016/S0040-6090(96)09257-7",
2227   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TW0-41WBB52-C/2/6ef684a04d02dd3b108f972377cde8f4",
2228   author =       "V. Chirita and L. Hultman and L. R. Wallenberg",
2229   keywords =     "Strain relaxation",
2230   keywords =     "Interfaces",
2231   keywords =     "Thermal stability",
2232   keywords =     "Molecular dynamics",
2233   notes =        "tersoff sic/si interface study",
2234 }
2235
2236 @Article{cicero02,
2237   title =        "Ab initio Study of Misfit Dislocations at the
2238                  $Si{C}/Si(001)$ Interface",
2239   author =       "Giancarlo Cicero and Laurent Pizzagalli and Alessandra
2240                  Catellani",
2241   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2242   volume =       "89",
2243   number =       "15",
2244   pages =        "156101",
2245   numpages =     "4",
2246   year =         "2002",
2247   month =        sep,
2248   doi =          "10.1103/PhysRevLett.89.156101",
2249   publisher =    "American Physical Society",
2250   notes =        "sic/si interface study",
2251 }
2252
2253 @Article{pizzagalli03,
2254   title =        "Theoretical investigations of a highly mismatched
2255                  interface: Si{C}/Si(001)",
2256   author =       "Laurent Pizzagalli and Giancarlo Cicero and Alessandra
2257                  Catellani",
2258   journal =      "Phys. Rev. B",
2259   volume =       "68",
2260   number =       "19",
2261   pages =        "195302",
2262   numpages =     "10",
2263   year =         "2003",
2264   month =        nov,
2265   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.195302",
2266   publisher =    "American Physical Society",
2267   notes =        "tersoff md and ab initio sic/si interface study",
2268 }
2269
2270 @Article{tang07,
2271   title =        "Atomic configurations of dislocation core and twin
2272                  boundaries in $ 3{C}-Si{C} $ studied by high-resolution
2273                  electron microscopy",
2274   author =       "C. Y. Tang and F. H. Li and R. Wang and J. Zou and X.
2275                  H. Zheng and J. W. Liang",
2276   journal =      "Phys. Rev. B",
2277   volume =       "75",
2278   number =       "18",
2279   pages =        "184103",
2280   numpages =     "7",
2281   year =         "2007",
2282   month =        may,
2283   doi =          "10.1103/PhysRevB.75.184103",
2284   publisher =    "American Physical Society",
2285   notes =        "hrem image deconvolution on 3c-sic on si, distinguish
2286                  si and c",
2287 }
2288
2289 @Article{hornstra58,
2290   title =        "Dislocations in the diamond lattice",
2291   journal =      "Journal of Physics and Chemistry of Solids",
2292   volume =       "5",
2293   number =       "1-2",
2294   pages =        "129--141",
2295   year =         "1958",
2296   note =         "",
2297   ISSN =         "0022-3697",
2298   doi =          "DOI: 10.1016/0022-3697(58)90138-0",
2299   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXR-46MMPHJ-10D/2/7176c01c29cd4e73faa26ab2aacdcea5",
2300   author =       "J. Hornstra",
2301   notes =        "dislocations in diamond lattice",
2302 }
2303
2304 @Article{eichhorn99,
2305   author =       "F. Eichhorn and N. Schell and W. Matz and R.
2306                  K{\"{o}}gler",
2307   collaboration = "",
2308   title =        "Strain and Si{C} particle formation in silicon
2309                  implanted with carbon ions of medium fluence studied by
2310                  synchrotron x-ray diffraction",
2311   publisher =    "AIP",
2312   year =         "1999",
2313   journal =      "Journal of Applied Physics",
2314   volume =       "86",
2315   number =       "8",
2316   pages =        "4184--4187",
2317   keywords =     "silicon; carbon; elemental semiconductors; chemical
2318                  interdiffusion; ion implantation; X-ray diffraction;
2319                  precipitation; semiconductor doping",
2320   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/86/4184/1",
2321   doi =          "10.1063/1.371344",
2322   notes =        "sic conversion by ibs, detected substitutional carbon,
2323                  expansion of si lattice",
2324 }
2325
2326 @Article{eichhorn02,
2327   author =       "F. Eichhorn and N. Schell and A. M{\"{u}}cklich and H.
2328                  Metzger and W. Matz and R. K{\"{o}}gler",
2329   collaboration = "",
2330   title =        "Structural relation between Si and Si{C} formed by
2331                  carbon ion implantation",
2332   publisher =    "AIP",
2333   year =         "2002",
2334   journal =      "Journal of Applied Physics",
2335   volume =       "91",
2336   number =       "3",
2337   pages =        "1287--1292",
2338   keywords =     "silicon compounds; wide band gap semiconductors; ion
2339                  implantation; annealing; X-ray scattering; transmission
2340                  electron microscopy",
2341   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/91/1287/1",
2342   doi =          "10.1063/1.1428105",
2343   notes =        "3c-sic alignement to si host in ibs depending on
2344                  temperature, might explain c int to c sub trafo",
2345 }
2346
2347 @Article{lucas10,
2348   author =       "G Lucas and M Bertolus and L Pizzagalli",
2349   title =        "An environment-dependent interatomic potential for
2350                  silicon carbide: calculation of bulk properties,
2351                  high-pressure phases, point and extended defects, and
2352                  amorphous structures",
2353   journal =      "Journal of Physics: Condensed Matter",
2354   volume =       "22",
2355   number =       "3",
2356   pages =        "035802",
2357   URL =          "http://stacks.iop.org/0953-8984/22/i=3/a=035802",
2358   year =         "2010",
2359   notes =        "edip sic",
2360 }
2361
2362 @Article{godet03,
2363   author =       "J Godet and L Pizzagalli and S Brochard and P
2364                  Beauchamp",
2365   title =        "Comparison between classical potentials and ab initio
2366                  methods for silicon under large shear",
2367   journal =      "Journal of Physics: Condensed Matter",
2368   volume =       "15",
2369   number =       "41",
2370   pages =        "6943",
2371   URL =          "http://stacks.iop.org/0953-8984/15/i=41/a=004",
2372   year =         "2003",
2373   notes =        "comparison of empirical potentials, stillinger weber,
2374                  edip, tersoff, ab initio",
2375 }
2376
2377 @Article{moriguchi98,
2378   title =        "Verification of Tersoff's Potential for Static
2379                  Structural Analysis of Solids of Group-{IV} Elements",
2380   author =       "Koji Moriguchi and Akira Shintani",
2381   journal =      "Japanese Journal of Applied Physics",
2382   volume =       "37",
2383   number =       "Part 1, No. 2",
2384   pages =        "414--422",
2385   numpages =     "8",
2386   year =         "1998",
2387   URL =          "http://jjap.ipap.jp/link?JJAP/37/414/",
2388   doi =          "10.1143/JJAP.37.414",
2389   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
2390   notes =        "tersoff stringent test",
2391 }
2392
2393 @Article{mazzarolo01,
2394   title =        "Low-energy recoils in crystalline silicon: Quantum
2395                  simulations",
2396   author =       "Massimiliano Mazzarolo and Luciano Colombo and Giorgio
2397                  Lulli and Eros Albertazzi",
2398   journal =      "Phys. Rev. B",
2399   volume =       "63",
2400   number =       "19",
2401   pages =        "195207",
2402   numpages =     "4",
2403   year =         "2001",
2404   month =        apr,
2405   doi =          "10.1103/PhysRevB.63.195207",
2406   publisher =    "American Physical Society",
2407 }
2408
2409 @Article{holmstroem08,
2410   title =        "Threshold defect production in silicon determined by
2411                  density functional theory molecular dynamics
2412                  simulations",
2413   author =       "E. Holmstr{\"o}m and A. Kuronen and K. Nordlund",
2414   journal =      "Phys. Rev. B",
2415   volume =       "78",
2416   number =       "4",
2417   pages =        "045202",
2418   numpages =     "6",
2419   year =         "2008",
2420   month =        jul,
2421   doi =          "10.1103/PhysRevB.78.045202",
2422   publisher =    "American Physical Society",
2423   notes =        "threshold displacement comparison empirical and ab
2424                  initio",
2425 }
2426
2427 @Article{nordlund97,
2428   title =        "Repulsive interatomic potentials calculated using
2429                  Hartree-Fock and density-functional theory methods",
2430   journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
2431                  Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
2432   volume =       "132",
2433   number =       "1",
2434   pages =        "45--54",
2435   year =         "1997",
2436   note =         "",
2437   ISSN =         "0168-583X",
2438   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(97)00447-3",
2439   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-4CP0TGF-91/2/1a9100c0aae82d2d258fc83dfdba23c1",
2440   author =       "K. Nordlund and N. Runeberg and D. Sundholm",
2441   notes =        "repulsive ab initio potential",
2442 }
2443
2444 @Article{kresse96,
2445   title =        "Efficiency of ab-initio total energy calculations for
2446                  metals and semiconductors using a plane-wave basis
2447                  set",
2448   journal =      "Computational Materials Science",
2449   volume =       "6",
2450   number =       "1",
2451   pages =        "15--50",
2452   year =         "1996",
2453   note =         "",
2454   ISSN =         "0927-0256",
2455   doi =          "DOI: 10.1016/0927-0256(96)00008-0",
2456   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TWM-3VRVTBF-3/2/88689b1eacfe2b5fe57f09d37eff3b74",
2457   author =       "G. Kresse and J. Furthm{\"{u}}ller",
2458   notes =        "vasp ref",
2459 }
2460
2461 @Article{bloechl94,
2462   title =        "Projector augmented-wave method",
2463   author =       "P. E. Bl{\"o}chl",
2464   journal =      "Phys. Rev. B",
2465   volume =       "50",
2466   number =       "24",
2467   pages =        "17953--17979",
2468   numpages =     "26",
2469   year =         "1994",
2470   month =        dec,
2471   doi =          "10.1103/PhysRevB.50.17953",
2472   publisher =    "American Physical Society",
2473   notes =        "paw method",
2474 }
2475
2476 @Article{hamann79,
2477   title =        "Norm-Conserving Pseudopotentials",
2478   author =       "D. R. Hamann and M. Schl{\"u}ter and C. Chiang",
2479   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2480   volume =       "43",
2481   number =       "20",
2482   pages =        "1494--1497",
2483   numpages =     "3",
2484   year =         "1979",
2485   month =        nov,
2486   doi =          "10.1103/PhysRevLett.43.1494",
2487   publisher =    "American Physical Society",
2488   notes =        "norm-conserving pseudopotentials",
2489 }
2490
2491 @Article{vanderbilt90,
2492   title =        "Soft self-consistent pseudopotentials in a generalized
2493                  eigenvalue formalism",
2494   author =       "David Vanderbilt",
2495   journal =      "Phys. Rev. B",
2496   volume =       "41",
2497   number =       "11",
2498   pages =        "7892--7895",
2499   numpages =     "3",
2500   year =         "1990",
2501   month =        apr,
2502   doi =          "10.1103/PhysRevB.41.7892",
2503   publisher =    "American Physical Society",
2504   notes =        "vasp pseudopotentials",
2505 }
2506
2507 @Article{perdew86,
2508   title =        "Accurate and simple density functional for the
2509                  electronic exchange energy: Generalized gradient
2510                  approximation",
2511   author =       "John P. Perdew and Wang Yue",
2512   journal =      "Phys. Rev. B",
2513   volume =       "33",
2514   number =       "12",
2515   pages =        "8800--8802",
2516   numpages =     "2",
2517   year =         "1986",
2518   month =        jun,
2519   doi =          "10.1103/PhysRevB.33.8800",
2520   publisher =    "American Physical Society",
2521   notes =        "rapid communication gga",
2522 }
2523
2524 @Article{perdew02,
2525   title =        "Generalized gradient approximations for exchange and
2526                  correlation: {A} look backward and forward",
2527   journal =      "Physica B: Condensed Matter",
2528   volume =       "172",
2529   number =       "1-2",
2530   pages =        "1--6",
2531   year =         "1991",
2532   note =         "",
2533   ISSN =         "0921-4526",
2534   doi =          "DOI: 10.1016/0921-4526(91)90409-8",
2535   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVH-46G8GR9-3D/2/18e610a616e4d80b934079c89063ece7",
2536   author =       "John P. Perdew",
2537   notes =        "gga overview",
2538 }
2539
2540 @Article{perdew92,
2541   title =        "Atoms, molecules, solids, and surfaces: Applications
2542                  of the generalized gradient approximation for exchange
2543                  and correlation",
2544   author =       "John P. Perdew and J. A. Chevary and S. H. Vosko and
2545                  Koblar A. Jackson and Mark R. Pederson and D. J. Singh
2546                  and Carlos Fiolhais",
2547   journal =      "Phys. Rev. B",
2548   volume =       "46",
2549   number =       "11",
2550   pages =        "6671--6687",
2551   numpages =     "16",
2552   year =         "1992",
2553   month =        sep,
2554   doi =          "10.1103/PhysRevB.46.6671",
2555   publisher =    "American Physical Society",
2556   notes =        "gga pw91 (as in vasp)",
2557 }
2558
2559 @Article{baldereschi73,
2560   title =        "Mean-Value Point in the Brillouin Zone",
2561   author =       "A. Baldereschi",
2562   journal =      "Phys. Rev. B",
2563   volume =       "7",
2564   number =       "12",
2565   pages =        "5212--5215",
2566   numpages =     "3",
2567   year =         "1973",
2568   month =        jun,
2569   doi =          "10.1103/PhysRevB.7.5212",
2570   publisher =    "American Physical Society",
2571   notes =        "mean value k point",
2572 }
2573
2574 @Article{zhu98,
2575   title =        "Ab initio pseudopotential calculations of dopant
2576                  diffusion in Si",
2577   journal =      "Computational Materials Science",
2578   volume =       "12",
2579   number =       "4",
2580   pages =        "309--318",
2581   year =         "1998",
2582   note =         "",
2583   ISSN =         "0927-0256",
2584   doi =          "DOI: 10.1016/S0927-0256(98)00023-8",
2585   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TWM-3VB7F2K-7/2/aa864582273be8e054300efb7bd16a1b",
2586   author =       "Jing Zhu",
2587   keywords =     "TED (transient enhanced diffusion)",
2588   keywords =     "Boron dopant",
2589   keywords =     "Carbon dopant",
2590   keywords =     "Defect",
2591   keywords =     "ab initio pseudopotential method",
2592   keywords =     "Impurity cluster",
2593   notes =        "binding of c to si interstitial, c in si defects",
2594 }
2595
2596 @Article{nejim95,
2597   author =       "A. Nejim and P. L. F. Hemment and J. Stoemenos",
2598   collaboration = "",
2599   title =        "Si{C} buried layer formation by ion beam synthesis at
2600                  950 [degree]{C}",
2601   publisher =    "AIP",
2602   year =         "1995",
2603   journal =      "Applied Physics Letters",
2604   volume =       "66",
2605   number =       "20",
2606   pages =        "2646--2648",
2607   keywords =     "SILICON; ION IMPLANTATION; CARBON IONS; SILICON
2608                  CARBIDES; BURIED LAYERS; SYNTHESIS; KEV RANGE 100 --
2609                  1000; CRYSTAL DEFECTS; MORPHOLOGY; RBS; TRANSMISSION
2610                  ELECTRON MICROSCOPY",
2611   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/66/2646/1",
2612   doi =          "10.1063/1.113112",
2613   notes =        "precipitation mechanism by substitutional carbon, si
2614                  self interstitials react with further implanted c",
2615 }
2616
2617 @Article{guedj98,
2618   author =       "C. Guedj and M. W. Dashiell and L. Kulik and J.
2619                  Kolodzey and A. Hairie",
2620   collaboration = "",
2621   title =        "Precipitation of beta-Si{C} in Si[sub 1 - y]{C}[sub y]
2622                  alloys",
2623   publisher =    "AIP",
2624   year =         "1998",
2625   journal =      "Journal of Applied Physics",
2626   volume =       "84",
2627   number =       "8",
2628   pages =        "4631--4633",
2629   keywords =     "silicon compounds; precipitation; localised modes;
2630                  semiconductor epitaxial layers; infrared spectra;
2631                  Fourier transform spectra; thermal stability;
2632                  annealing",
2633   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/84/4631/1",
2634   doi =          "10.1063/1.368703",
2635   notes =        "coherent 3C-SiC, topotactic, critical coherence size",
2636 }
2637
2638 @Article{jones04,
2639   author =       "R Jones and B J Coomer and P R Briddon",
2640   title =        "Quantum mechanical modelling of defects in
2641                  semiconductors",
2642   journal =      "Journal of Physics: Condensed Matter",
2643   volume =       "16",
2644   number =       "27",
2645   pages =        "S2643",
2646   URL =          "http://stacks.iop.org/0953-8984/16/i=27/a=004",
2647   year =         "2004",
2648   notes =        "ab inito init, vibrational modes, c defect in si",
2649 }
2650
2651 @Article{park02,
2652   author =       "S. Y. Park and J. D'Arcy-Gall and D. Gall and J. A. N.
2653                  T Soares and Y.-W. Kim and H. Kim and P. Desjardins and
2654                  J. E. Greene and S. G. Bishop",
2655   collaboration = "",
2656   title =        "Carbon incorporation pathways and lattice sites in
2657                  Si[sub 1 - y]{C}[sub y] alloys grown on Si(001) by
2658                  molecular-beam epitaxy",
2659   publisher =    "AIP",
2660   year =         "2002",
2661   journal =      "Journal of Applied Physics",
2662   volume =       "91",
2663   number =       "9",
2664   pages =        "5716--5727",
2665   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/91/5716/1",
2666   doi =          "10.1063/1.1465122",
2667   notes =        "c substitutional incorporation pathway, dft and expt",
2668 }
2669
2670 @Article{leary97,
2671   title =        "Dynamic properties of interstitial carbon and
2672                  carbon-carbon pair defects in silicon",
2673   author =       "P. Leary and R. Jones and S. {\"O}berg and V. J. B.
2674                  Torres",
2675   journal =      "Phys. Rev. B",
2676   volume =       "55",
2677   number =       "4",
2678   pages =        "2188--2194",
2679   numpages =     "6",
2680   year =         "1997",
2681   month =        jan,
2682   doi =          "10.1103/PhysRevB.55.2188",
2683   publisher =    "American Physical Society",
2684   notes =        "ab initio c in si and di-carbon defect, no formation
2685                  energies, different migration barriers and paths",
2686 }
2687
2688 @Article{burnard93,
2689   title =        "Interstitial carbon and the carbon-carbon pair in
2690                  silicon: Semiempirical electronic-structure
2691                  calculations",
2692   author =       "Matthew J. Burnard and Gary G. DeLeo",
2693   journal =      "Phys. Rev. B",
2694   volume =       "47",
2695   number =       "16",
2696   pages =        "10217--10225",
2697   numpages =     "8",
2698   year =         "1993",
2699   month =        apr,
2700   doi =          "10.1103/PhysRevB.47.10217",
2701   publisher =    "American Physical Society",
2702   notes =        "semi empirical mndo, pm3 and mindo3 c in si and di
2703                  carbon defect, formation energies",
2704 }
2705
2706 @Article{kaxiras96,
2707   title =        "Review of atomistic simulations of surface diffusion
2708                  and growth on semiconductors",
2709   journal =      "Computational Materials Science",
2710   volume =       "6",
2711   number =       "2",
2712   pages =        "158--172",
2713   year =         "1996",
2714   note =         "Proceedings of the Workshop on Virtual Molecular Beam
2715                  Epitaxy",
2716   ISSN =         "0927-0256",
2717   doi =          "DOI: 10.1016/0927-0256(96)00030-4",
2718   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TWM-3VSFF1G-7/2/afc8408b00ded1ca2dc3ad1686c2dae6",
2719   author =       "Efthimios Kaxiras",
2720   notes =        "might contain c 100 db formation energy, overview md,
2721                  tight binding, first principles",
2722 }
2723
2724 @Article{kaukonen98,
2725   title =        "Effect of {N} and {B} doping on the growth of {CVD}
2726                  diamond
2727                  $(100):{H}(2\ifmmode\times\else\texttimes\fi{}1)$
2728                  surfaces",
2729   author =       "M. Kaukonen and P. K. Sitch and G. Jungnickel and R.
2730                  M. Nieminen and Sami P{\"o}ykk{\"o} and D. Porezag and
2731                  Th. Frauenheim",
2732   journal =      "Phys. Rev. B",
2733   volume =       "57",
2734   number =       "16",
2735   pages =        "9965--9970",
2736   numpages =     "5",
2737   year =         "1998",
2738   month =        apr,
2739   doi =          "10.1103/PhysRevB.57.9965",
2740   publisher =    "American Physical Society",
2741   notes =        "constrained conjugate gradient relaxation technique
2742                  (crt)",
2743 }
2744
2745 @Article{gali03,
2746   title =        "Correlation between the antisite pair and the ${DI}$
2747                  center in Si{C}",
2748   author =       "A. Gali and P. De\'ak and E. Rauls and N. T. Son and
2749                  I. G. Ivanov and F. H. C. Carlsson and E. Janz\'en and
2750                  W. J. Choyke",
2751   journal =      "Phys. Rev. B",
2752   volume =       "67",
2753   number =       "15",
2754   pages =        "155203",
2755   numpages =     "5",
2756   year =         "2003",
2757   month =        apr,
2758   doi =          "10.1103/PhysRevB.67.155203",
2759   publisher =    "American Physical Society",
2760 }
2761
2762 @Article{chen98,
2763   title =        "Production and recovery of defects in Si{C} after
2764                  irradiation and deformation",
2765   journal =      "Journal of Nuclear Materials",
2766   volume =       "258-263",
2767   number =       "Part 2",
2768   pages =        "1803--1808",
2769   year =         "1998",
2770   note =         "",
2771   ISSN =         "0022-3115",
2772   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-3115(98)00139-1",
2773   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXN-43G486N-47/2/56905f48f025ab98e5de4d6cde09c62b",
2774   author =       "J. Chen and P. Jung and H. Klein",
2775 }
2776
2777 @Article{weber01,
2778   title =        "Accumulation, dynamic annealing and thermal recovery
2779                  of ion-beam-induced disorder in silicon carbide",
2780   journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
2781                  Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
2782   volume =       "175-177",
2783   number =       "",
2784   pages =        "26--30",
2785   year =         "2001",
2786   note =         "",
2787   ISSN =         "0168-583X",
2788   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(00)00542-5",
2789   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-435KH7Y-2R/2/8acc176700c95bb8614d96c40cfc5577",
2790   author =       "W. J. Weber and W. Jiang and S. Thevuthasan",
2791   keywords =     "Amorphization",
2792   keywords =     "Irradiation effects",
2793   keywords =     "Thermal recovery",
2794   keywords =     "Silicon carbide",
2795 }
2796
2797 @Article{bockstedte03,
2798   title =        "Ab initio study of the migration of intrinsic defects
2799                  in $3{C}-Si{C}$",
2800   author =       "Michel Bockstedte and Alexander Mattausch and Oleg
2801                  Pankratov",
2802   journal =      "Phys. Rev. B",
2803   volume =       "68",
2804   number =       "20",
2805   pages =        "205201",
2806   numpages =     "17",
2807   year =         "2003",
2808   month =        nov,
2809   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.205201",
2810   publisher =    "American Physical Society",
2811   notes =        "defect migration in sic",
2812 }
2813
2814 @Article{rauls03a,
2815   title =        "Theoretical study of vacancy diffusion and
2816                  vacancy-assisted clustering of antisites in Si{C}",
2817   author =       "E. Rauls and Th. Frauenheim and A. Gali and P.
2818                  De\'ak",
2819   journal =      "Phys. Rev. B",
2820   volume =       "68",
2821   number =       "15",
2822   pages =        "155208",
2823   numpages =     "9",
2824   year =         "2003",
2825   month =        oct,
2826   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.155208",
2827   publisher =    "American Physical Society",
2828 }