bibdb/bibdb.bib

   1 %
   2 % bibliography database
   3 %
   4
   5 @Article{albe_sic_pot,
   6   author =       "Paul Erhart and Karsten Albe",
   7   title =        "Analytical potential for atomistic simulations of
   8                  silicon, carbon, and silicon carbide",
   9   publisher =    "APS",
  10   year =         "2005",
  11   journal =      "Phys. Rev. B",
  12   volume =       "71",
  13   number =       "3",
  14   eid =          "035211",
  15   numpages =     "14",
  16   pages =        "035211",
  17   notes =        "alble reparametrization, analytical bond oder
  18                  potential (ABOP)",
  19   keywords =     "silicon; elemental semiconductors; carbon; silicon
  20                  compounds; wide band gap semiconductors; elasticity;
  21                  enthalpy; point defects; crystallographic shear; atomic
  22                  forces",
  23   URL =          "http://link.aps.org/abstract/PRB/v71/e035211",
  24   doi =          "10.1103/PhysRevB.71.035211",
  25 }
  26
  27 @Article{albe2002,
  28   title =        "Modeling the metal-semiconductor interaction:
  29                  Analytical bond-order potential for platinum-carbon",
  30   author =       "Karsten Albe and Kai Nordlund and Robert S. Averback",
  31   journal =      "Phys. Rev. B",
  32   volume =       "65",
  33   number =       "19",
  34   pages =        "195124",
  35   numpages =     "11",
  36   year =         "2002",
  37   month =        may,
  38   doi =          "10.1103/PhysRevB.65.195124",
  39   publisher =    "American Physical Society",
  40   notes =        "derivation of albe bond order formalism",
  41 }
  42
  43 @Article{bean71,
  44   title =        "The solubility of carbon in pulled silicon crystals",
  45   journal =      "Journal of Physics and Chemistry of Solids",
  46   volume =       "32",
  47   number =       "6",
  48   pages =        "1211--1219",
  49   year =         "1971",
  50   note =         "",
  51   ISSN =         "0022-3697",
  52   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-3697(71)80179-8",
  53   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXR-4PR80SS-D/2/ce21d10d2bb885b5641905883a618ff5",
  54   author =       "A. R. Bean and R. C. Newman",
  55   notes =        "experimental solubility data of carbon in silicon",
  56 }
  57
  58 @Article{capano97,
  59   author =       "M. A. Capano and R. J. Trew",
  60   title =        "Silicon Carbide Electronic Materials and Devices",
  61   journal =      "MRS Bull.",
  62   volume =       "22",
  63   pages =        "19",
  64   year =         "1997",
  65 }
  66
  67 @Article{fischer90,
  68   author =       "G. R. Fisher and P. Barnes",
  69   title =        "Towards a unified view of polytypism in silicon
  70                  carbide",
  71   journal =      "Philosophical Magazine Part B",
  72   volume =       "61",
  73   pages =        "217--236",
  74   year =         "1990",
  75   notes =        "sic polytypes",
  76 }
  77
  78 @Article{koegler03,
  79   author =       "R. K{\"{o}}gler and F. Eichhorn and J. R. Kaschny and
  80                  A. M{\"{u}}cklich and H. Reuther and W. Skorupa and C.
  81                  Serre and A. Perez-Rodriguez",
  82   title =        "Synthesis of nano-sized Si{C} precipitates in Si by
  83                  simultaneous dual-beam implantation of {C}+ and Si+
  84                  ions",
  85   journal =      "Applied Physics A: Materials Science \& Processing",
  86   volume =       "76",
  87   pages =        "827--835",
  88   month =        mar,
  89   year =         "2003",
  90   notes =        "dual implantation, sic prec enhanced by vacancies,
  91                  precipitation by interstitial and substitutional
  92                  carbon, both mechanisms explained + refs",
  93 }
  94
  95 @Book{laplace,
  96   author =       "P. S. de Laplace",
  97   title =        "Th\'eorie analytique des probabilit\'es",
  98   series =       "Oeuvres Compl\`etes de Laplace",
  99   volume =       "VII",
 100   publisher =    "Gauthier-Villars",
 101   year =         "1820",
 102 }
 103
 104 @Article{mattoni2007,
 105   author =       "A. {Mattoni} and M. {Ippolito} and L. {Colombo}",
 106   title =        "{Atomistic modeling of brittleness in covalent
 107                  materials}",
 108   journal =      "Phys. Rev. B",
 109   year =         "2007",
 110   month =        dec,
 111   volume =       "76",
 112   number =       "22",
 113   pages =        "224103",
 114   doi =          "10.1103/PhysRevB.76.224103",
 115   notes =        "adopted tersoff potential for Si, C, Ge ad SiC;
 116                  longe(r)-range-interactions, brittle propagation of
 117                  fracture, more available potentials, universal energy
 118                  relation (uer), minimum range model (mrm)",
 119 }
 120
 121 @Article{balamane92,
 122   title =        "Comparative study of silicon empirical interatomic
 123                  potentials",
 124   author =       "H. Balamane and T. Halicioglu and W. A. Tiller",
 125   journal =      "Phys. Rev. B",
 126   volume =       "46",
 127   number =       "4",
 128   pages =        "2250--2279",
 129   numpages =     "29",
 130   year =         "1992",
 131   month =        jul,
 132   doi =          "10.1103/PhysRevB.46.2250",
 133   publisher =    "American Physical Society",
 134   notes =        "comparison of classical potentials for si",
 135 }
 136
 137 @Article{koster2002,
 138   title =        "Stress relaxation in $a-Si$ induced by ion
 139                  bombardment",
 140   author =       "H. M. Urbassek M. Koster",
 141   journal =      "Phys. Rev. B",
 142   volume =       "62",
 143   number =       "16",
 144   pages =        "11219--11224",
 145   numpages =     "5",
 146   year =         "2000",
 147   month =        oct,
 148   doi =          "10.1103/PhysRevB.62.11219",
 149   publisher =    "American Physical Society",
 150   notes =        "virial derivation for 3-body tersoff potential",
 151 }
 152
 153 @Article{breadmore99,
 154   title =        "Direct simulation of ion-beam-induced stressing and
 155                  amorphization of silicon",
 156   author =       "N. Gr\o{}nbech-Jensen K. M. Beardmore",
 157   journal =      "Phys. Rev. B",
 158   volume =       "60",
 159   number =       "18",
 160   pages =        "12610--12616",
 161   numpages =     "6",
 162   year =         "1999",
 163   month =        nov,
 164   doi =          "10.1103/PhysRevB.60.12610",
 165   publisher =    "American Physical Society",
 166   notes =        "virial derivation for 3-body tersoff potential",
 167 }
 168
 169 @Article{moissan04,
 170   author =       "Henri Moissan",
 171   title =        "Nouvelles recherches sur la météorité de Cañon
 172                  Diablo",
 173   journal =      "Comptes rendus de l'Académie des Sciences",
 174   volume =       "139",
 175   pages =        "773--786",
 176   year =         "1904",
 177 }
 178
 179 @Book{park98,
 180   author =       "Y. S. Park",
 181   title =        "Si{C} Materials and Devices",
 182   publisher =    "Academic Press",
 183   address =      "San Diego",
 184   year =         "1998",
 185 }
 186
 187 @Article{tsvetkov98,
 188   author =       "Valeri F. Tsvetkov and R. C. Glass and D. Henshall and
 189                  Calvin H. Carter Jr. and D. Asbury",
 190   title =        "Si{C} Seeded Boule Growth",
 191   journal =      "Materials Science Forum",
 192   volume =       "264-268",
 193   pages =        "3--8",
 194   year =         "1998",
 195   notes =        "modified lely process, micropipes",
 196 }
 197
 198 @Article{verlet67,
 199   title =        "Computer {"}Experiments{"} on Classical Fluids. {I}.
 200                  Thermodynamical Properties of Lennard-Jones Molecules",
 201   author =       "Loup Verlet",
 202   journal =      "Phys. Rev.",
 203   volume =       "159",
 204   number =       "1",
 205   pages =        "98",
 206   year =         "1967",
 207   month =        jul,
 208   doi =          "10.1103/PhysRev.159.98",
 209   publisher =    "American Physical Society",
 210   notes =        "velocity verlet integration algorithm equation of
 211                  motion",
 212 }
 213
 214 @Article{berendsen84,
 215   author =       "H. J. C. Berendsen and J. P. M. Postma and W. F. van
 216                  Gunsteren and A. DiNola and J. R. Haak",
 217   collaboration = "",
 218   title =        "Molecular dynamics with coupling to an external bath",
 219   publisher =    "AIP",
 220   year =         "1984",
 221   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
 222   volume =       "81",
 223   number =       "8",
 224   pages =        "3684--3690",
 225   keywords =     "MOLECULAR DYNAMICS CALCULATION; TRANSPORT THEORY;
 226                  COMPUTERIZED SIMULATION; LIQUIDS; STRUCTURE FACTORS",
 227   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/81/3684/1",
 228   doi =          "10.1063/1.448118",
 229   notes =        "berendsen thermostat barostat",
 230 }
 231
 232 @Article{huang95,
 233   author =       "Hanchen Huang and N M Ghoniem and J K Wong and M
 234                  Baskes",
 235   title =        "Molecular dynamics determination of defect energetics
 236                  in beta -Si{C} using three representative empirical
 237                  potentials",
 238   journal =      "Modelling and Simulation in Materials Science and
 239                  Engineering",
 240   volume =       "3",
 241   number =       "5",
 242   pages =        "615--627",
 243   URL =          "http://stacks.iop.org/0965-0393/3/615",
 244   notes =        "comparison of tersoff, pearson and eam for defect
 245                  energetics in sic; (m)eam parameters for sic",
 246   year =         "1995",
 247 }
 248
 249 @Article{brenner89,
 250   title =        "Relationship between the embedded-atom method and
 251                  Tersoff potentials",
 252   author =       "Donald W. Brenner",
 253   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 254   volume =       "63",
 255   number =       "9",
 256   pages =        "1022",
 257   numpages =     "1",
 258   year =         "1989",
 259   month =        aug,
 260   doi =          "10.1103/PhysRevLett.63.1022",
 261   publisher =    "American Physical Society",
 262   notes =        "relation of tersoff and eam potential",
 263 }
 264
 265 @Article{batra87,
 266   title =        "Molecular-dynamics study of self-interstitials in
 267                  silicon",
 268   author =       "Inder P. Batra and Farid F. Abraham and S. Ciraci",
 269   journal =      "Phys. Rev. B",
 270   volume =       "35",
 271   number =       "18",
 272   pages =        "9552--9558",
 273   numpages =     "6",
 274   year =         "1987",
 275   month =        jun,
 276   doi =          "10.1103/PhysRevB.35.9552",
 277   publisher =    "American Physical Society",
 278   notes =        "selft-interstitials in silicon, stillinger-weber,
 279                  calculation of defect formation energy, defect
 280                  interstitial types",
 281 }
 282
 283 @Article{schober89,
 284   title =        "Extended interstitials in silicon and germanium",
 285   author =       "H. R. Schober",
 286   journal =      "Phys. Rev. B",
 287   volume =       "39",
 288   number =       "17",
 289   pages =        "13013--13015",
 290   numpages =     "2",
 291   year =         "1989",
 292   month =        jun,
 293   doi =          "10.1103/PhysRevB.39.13013",
 294   publisher =    "American Physical Society",
 295   notes =        "stillinger-weber silicon 110 stable and metastable
 296                  dumbbell configuration",
 297 }
 298
 299 @Article{gao02a,
 300   title =        "Cascade overlap and amorphization in $3{C}-Si{C}:$
 301                  Defect accumulation, topological features, and
 302                  disordering",
 303   author =       "F. Gao and W. J. Weber",
 304   journal =      "Phys. Rev. B",
 305   volume =       "66",
 306   number =       "2",
 307   pages =        "024106",
 308   numpages =     "10",
 309   year =         "2002",
 310   month =        jul,
 311   doi =          "10.1103/PhysRevB.66.024106",
 312   publisher =    "American Physical Society",
 313   notes =        "sic intro, si cascade in 3c-sic, amorphization,
 314                  tersoff modified, pair correlation of amorphous sic, md
 315                  result analyze",
 316 }
 317
 318 @Article{devanathan98,
 319   title =        "Computer simulation of a 10 ke{V} Si displacement
 320                  cascade in Si{C}",
 321   journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
 322                  Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
 323   volume =       "141",
 324   number =       "1-4",
 325   pages =        "118--122",
 326   year =         "1998",
 327   ISSN =         "0168-583X",
 328   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00084-6",
 329   author =       "R. Devanathan and W. J. Weber and T. Diaz de la
 330                  Rubia",
 331   notes =        "modified tersoff short range potential, ab initio
 332                  3c-sic",
 333 }
 334
 335 @Article{devanathan98_2,
 336   title =        "Displacement threshold energies in [beta]-Si{C}",
 337   journal =      "Journal of Nuclear Materials",
 338   volume =       "253",
 339   number =       "1-3",
 340   pages =        "47--52",
 341   year =         "1998",
 342   ISSN =         "0022-3115",
 343   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-3115(97)00304-8",
 344   author =       "R. Devanathan and T. Diaz de la Rubia and W. J.
 345                  Weber",
 346   notes =        "modified tersoff, ab initio, combined ab initio
 347                  tersoff",
 348 }
 349
 350 @Article{kitabatake00,
 351   title =        "Si{C}/Si heteroepitaxial growth",
 352   author =       "M. Kitabatake",
 353   journal =      "Thin Solid Films",
 354   volume =       "369",
 355   pages =        "257--264",
 356   numpages =     "8",
 357   year =         "2000",
 358   notes =        "md simulation, sic si heteroepitaxy, mbe",
 359 }
 360
 361 @Article{tang97,
 362   title =        "Intrinsic point defects in crystalline silicon:
 363                  Tight-binding molecular dynamics studies of
 364                  self-diffusion, interstitial-vacancy recombination, and
 365                  formation volumes",
 366   author =       "M. Tang and L. Colombo and J. Zhu and T. Diaz de la
 367                  Rubia",
 368   journal =      "Phys. Rev. B",
 369   volume =       "55",
 370   number =       "21",
 371   pages =        "14279--14289",
 372   numpages =     "10",
 373   year =         "1997",
 374   month =        jun,
 375   doi =          "10.1103/PhysRevB.55.14279",
 376   publisher =    "American Physical Society",
 377   notes =        "si self interstitial, diffusion, tbmd",
 378 }
 379
 380 @Article{johnson98,
 381   author =       "M. D. Johnson and M.-J. Caturla and T. D\'{\i}az de la
 382                  Rubia",
 383   collaboration = "",
 384   title =        "A kinetic Monte--Carlo study of the effective
 385                  diffusivity of the silicon self-interstitial in the
 386                  presence of carbon and boron",
 387   publisher =    "AIP",
 388   year =         "1998",
 389   journal =      "Journal of Applied Physics",
 390   volume =       "84",
 391   number =       "4",
 392   pages =        "1963--1967",
 393   keywords =     "MONTE CARLO METHOD; DIFFUSION; SILICON; INTERSTITIALS;
 394                  CARBON ADDITIONS; BORON ADDITIONS; elemental
 395                  semiconductors; self-diffusion",
 396   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/84/1963/1",
 397   doi =          "10.1063/1.368328",
 398   notes =        "kinetic monte carlo of si self interstitial
 399                  diffsuion",
 400 }
 401
 402 @Article{bar-yam84,
 403   title =        "Barrier to Migration of the Silicon
 404                  Self-Interstitial",
 405   author =       "Y. Bar-Yam and J. D. Joannopoulos",
 406   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 407   volume =       "52",
 408   number =       "13",
 409   pages =        "1129--1132",
 410   numpages =     "3",
 411   year =         "1984",
 412   month =        mar,
 413   doi =          "10.1103/PhysRevLett.52.1129",
 414   publisher =    "American Physical Society",
 415   notes =        "si self-interstitial migration barrier",
 416 }
 417
 418 @Article{bar-yam84_2,
 419   title =        "Electronic structure and total-energy migration
 420                  barriers of silicon self-interstitials",
 421   author =       "Y. Bar-Yam and J. D. Joannopoulos",
 422   journal =      "Phys. Rev. B",
 423   volume =       "30",
 424   number =       "4",
 425   pages =        "1844--1852",
 426   numpages =     "8",
 427   year =         "1984",
 428   month =        aug,
 429   doi =          "10.1103/PhysRevB.30.1844",
 430   publisher =    "American Physical Society",
 431 }
 432
 433 @Article{bloechl93,
 434   title =        "First-principles calculations of self-diffusion
 435                  constants in silicon",
 436   author =       "Peter E. Bl{\"o}chl and Enrico Smargiassi and R. Car
 437                  and D. B. Laks and W. Andreoni and S. T. Pantelides",
 438   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 439   volume =       "70",
 440   number =       "16",
 441   pages =        "2435--2438",
 442   numpages =     "3",
 443   year =         "1993",
 444   month =        apr,
 445   doi =          "10.1103/PhysRevLett.70.2435",
 446   publisher =    "American Physical Society",
 447   notes =        "si self int diffusion by ab initio md, formation
 448                  entropy calculations",
 449 }
 450
 451 @Article{colombo02,
 452   title =        "Tight-binding theory of native point defects in
 453                  silicon",
 454   author =       "L. Colombo",
 455   journal =      "Annu. Rev. Mater. Res.",
 456   volume =       "32",
 457   pages =        "271--295",
 458   numpages =     "25",
 459   year =         "2002",
 460   doi =          "10.1146/annurev.matsci.32.111601.103036",
 461   publisher =    "Annual Reviews",
 462   notes =        "si self interstitial, tbmd, virial stress",
 463 }
 464
 465 @Article{al-mushadani03,
 466   title =        "Free-energy calculations of intrinsic point defects in
 467                  silicon",
 468   author =       "O. K. Al-Mushadani and R. J. Needs",
 469   journal =      "Phys. Rev. B",
 470   volume =       "68",
 471   number =       "23",
 472   pages =        "235205",
 473   numpages =     "8",
 474   year =         "2003",
 475   month =        dec,
 476   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.235205",
 477   publisher =    "American Physical Society",
 478   notes =        "formation energies of intrinisc point defects in
 479                  silicon, si self interstitials, free energy",
 480 }
 481
 482 @Article{goedecker02,
 483   title =        "A Fourfold Coordinated Point Defect in Silicon",
 484   author =       "Stefan Goedecker and Thierry Deutsch and Luc Billard",
 485   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 486   volume =       "88",
 487   number =       "23",
 488   pages =        "235501",
 489   numpages =     "4",
 490   year =         "2002",
 491   month =        may,
 492   doi =          "10.1103/PhysRevLett.88.235501",
 493   publisher =    "American Physical Society",
 494   notes =        "first time ffcd, fourfold coordinated point defect in
 495                  silicon",
 496 }
 497
 498 @Article{hobler05,
 499   title =        "Ab initio calculations of the interaction between
 500                  native point defects in silicon",
 501   journal =      "Materials Science and Engineering: B",
 502   volume =       "124-125",
 503   number =       "",
 504   pages =        "368--371",
 505   year =         "2005",
 506   note =         "EMRS 2005, Symposium D - Materials Science and Device
 507                  Issues for Future Technologies",
 508   ISSN =         "0921-5107",
 509   doi =          "DOI: 10.1016/j.mseb.2005.08.072",
 510   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXF-4H6PKRB-3/2/e217bd3d7ee1fffee899eeb4a2f133a4",
 511   author =       "G. Hobler and G. Kresse",
 512   notes =        "vasp intrinsic si defect interaction study, capture
 513                  radius",
 514 }
 515
 516 @Article{ma10,
 517   title =        "Ab initio study of self-diffusion in silicon over a
 518                  wide temperature range: Point defect states and
 519                  migration mechanisms",
 520   author =       "Shangyi Ma and Shaoqing Wang",
 521   journal =      "Phys. Rev. B",
 522   volume =       "81",
 523   number =       "19",
 524   pages =        "193203",
 525   numpages =     "4",
 526   year =         "2010",
 527   month =        may,
 528   doi =          "10.1103/PhysRevB.81.193203",
 529   publisher =    "American Physical Society",
 530   notes =        "si self interstitial diffusion + refs",
 531 }
 532
 533 @Article{posselt06,
 534   title =        "Atomistic simulations on the thermal stability of the
 535                  antisite pair in 3{C}- and 4{H}-Si{C}",
 536   author =       "M. Posselt and F. Gao and W. J. Weber",
 537   journal =      "Phys. Rev. B",
 538   volume =       "73",
 539   number =       "12",
 540   pages =        "125206",
 541   numpages =     "8",
 542   year =         "2006",
 543   month =        mar,
 544   doi =          "10.1103/PhysRevB.73.125206",
 545   publisher =    "American Physical Society",
 546 }
 547
 548 @Article{posselt08,
 549   title =        "Correlation between self-diffusion in Si and the
 550                  migration mechanisms of vacancies and
 551                  self-interstitials: An atomistic study",
 552   author =       "M. Posselt and F. Gao and H. Bracht",
 553   journal =      "Phys. Rev. B",
 554   volume =       "78",
 555   number =       "3",
 556   pages =        "035208",
 557   numpages =     "9",
 558   year =         "2008",
 559   month =        jul,
 560   doi =          "10.1103/PhysRevB.78.035208",
 561   publisher =    "American Physical Society",
 562   notes =        "si self-interstitial and vacancy diffusion, stillinger
 563                  weber and tersoff",
 564 }
 565
 566 @Article{gao2001,
 567   title =        "Ab initio and empirical-potential studies of defect
 568                  properties in $3{C}-Si{C}$",
 569   author =       "F. Gao and E. J. Bylaska and W. J. Weber and L. R.
 570                  Corrales",
 571   journal =      "Phys. Rev. B",
 572   volume =       "64",
 573   number =       "24",
 574   pages =        "245208",
 575   numpages =     "7",
 576   year =         "2001",
 577   month =        dec,
 578   doi =          "10.1103/PhysRevB.64.245208",
 579   publisher =    "American Physical Society",
 580   notes =        "defects in 3c-sic",
 581 }
 582
 583 @Article{gao02,
 584   title =        "Empirical potential approach for defect properties in
 585                  3{C}-Si{C}",
 586   journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
 587                  Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
 588   volume =       "191",
 589   number =       "1-4",
 590   pages =        "504--508",
 591   year =         "2002",
 592   note =         "",
 593   ISSN =         "0168-583X",
 594   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(02)00600-6",
 595   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-453NR6B-G/2/e65b0730e94e13d66f72a2147b449ea7",
 596   author =       "Fei Gao and William J. Weber",
 597   keywords =     "Empirical potential",
 598   keywords =     "Defect properties",
 599   keywords =     "Silicon carbide",
 600   keywords =     "Computer simulation",
 601   notes =        "sic potential, brenner type, like erhart/albe",
 602 }
 603
 604 @Article{gao04,
 605   title =        "Atomistic study of intrinsic defect migration in
 606                  3{C}-Si{C}",
 607   author =       "Fei Gao and William J. Weber and M. Posselt and V.
 608                  Belko",
 609   journal =      "Phys. Rev. B",
 610   volume =       "69",
 611   number =       "24",
 612   pages =        "245205",
 613   numpages =     "5",
 614   year =         "2004",
 615   month =        jun,
 616   doi =          "10.1103/PhysRevB.69.245205",
 617   publisher =    "American Physical Society",
 618   notes =        "defect migration in sic",
 619 }
 620
 621 @Article{gao07,
 622   author =       "F. Gao and J. Du and E. J. Bylaska and M. Posselt and
 623                  W. J. Weber",
 624   collaboration = "",
 625   title =        "Ab Initio atomic simulations of antisite pair recovery
 626                  in cubic silicon carbide",
 627   publisher =    "AIP",
 628   year =         "2007",
 629   journal =      "Applied Physics Letters",
 630   volume =       "90",
 631   number =       "22",
 632   eid =          "221915",
 633   numpages =     "3",
 634   pages =        "221915",
 635   keywords =     "ab initio calculations; silicon compounds; antisite
 636                  defects; wide band gap semiconductors; molecular
 637                  dynamics method; density functional theory;
 638                  electron-hole recombination; photoluminescence;
 639                  impurities; diffusion",
 640   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/90/221915/1",
 641   doi =          "10.1063/1.2743751",
 642 }
 643
 644 @Article{mattoni2002,
 645   title =        "Self-interstitial trapping by carbon complexes in
 646                  crystalline silicon",
 647   author =       "A. Mattoni and F. Bernardini and L. Colombo",
 648   journal =      "Phys. Rev. B",
 649   volume =       "66",
 650   number =       "19",
 651   pages =        "195214",
 652   numpages =     "6",
 653   year =         "2002",
 654   month =        nov,
 655   doi =          "10.1103/PhysRevB.66.195214",
 656   publisher =    "American Physical Society",
 657   notes =        "c in c-si, diffusion, interstitial configuration +
 658                  links, interaction of carbon and silicon interstitials,
 659                  tersoff suitability",
 660 }
 661
 662 @Article{leung99,
 663   title =        "Calculations of Silicon Self-Interstitial Defects",
 664   author =       "W.-K. Leung and R. J. Needs and G. Rajagopal and S.
 665                  Itoh and S. Ihara",
 666   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 667   volume =       "83",
 668   number =       "12",
 669   pages =        "2351--2354",
 670   numpages =     "3",
 671   year =         "1999",
 672   month =        sep,
 673   doi =          "10.1103/PhysRevLett.83.2351",
 674   publisher =    "American Physical Society",
 675   notes =        "nice images of the defects, si defect overview +
 676                  refs",
 677 }
 678
 679 @Article{capaz94,
 680   title =        "Identification of the migration path of interstitial
 681                  carbon in silicon",
 682   author =       "R. B. Capaz and A. {Dal Pino} and J. D. Joannopoulos",
 683   journal =      "Phys. Rev. B",
 684   volume =       "50",
 685   number =       "11",
 686   pages =        "7439--7442",
 687   numpages =     "3",
 688   year =         "1994",
 689   month =        sep,
 690   doi =          "10.1103/PhysRevB.50.7439",
 691   publisher =    "American Physical Society",
 692   notes =        "carbon interstitial migration path shown, 001 c-si
 693                  dumbbell",
 694 }
 695
 696 @Article{capaz98,
 697   title =        "Theory of carbon-carbon pairs in silicon",
 698   author =       "R. B. Capaz and A. {Dal Pino} and J. D. Joannopoulos",
 699   journal =      "Phys. Rev. B",
 700   volume =       "58",
 701   number =       "15",
 702   pages =        "9845--9850",
 703   numpages =     "5",
 704   year =         "1998",
 705   month =        oct,
 706   doi =          "10.1103/PhysRevB.58.9845",
 707   publisher =    "American Physical Society",
 708   notes =        "c_i c_s pair configuration, theoretical results",
 709 }
 710
 711 @Article{song90_2,
 712   title =        "Bistable interstitial-carbon--substitutional-carbon
 713                  pair in silicon",
 714   author =       "L. W. Song and X. D. Zhan and B. W. Benson and G. D.
 715                  Watkins",
 716   journal =      "Phys. Rev. B",
 717   volume =       "42",
 718   number =       "9",
 719   pages =        "5765--5783",
 720   numpages =     "18",
 721   year =         "1990",
 722   month =        sep,
 723   doi =          "10.1103/PhysRevB.42.5765",
 724   publisher =    "American Physical Society",
 725   notes =        "c_i c_s pair configuration, experimental results",
 726 }
 727
 728 @Article{liu02,
 729   author =       "Chun-Li Liu and Wolfgang Windl and Len Borucki and
 730                  Shifeng Lu and Xiang-Yang Liu",
 731   collaboration = "",
 732   title =        "Ab initio modeling and experimental study of {C}--{B}
 733                  interactions in Si",
 734   publisher =    "AIP",
 735   year =         "2002",
 736   journal =      "Applied Physics Letters",
 737   volume =       "80",
 738   number =       "1",
 739   pages =        "52--54",
 740   keywords =     "silicon; boron; carbon; elemental semiconductors;
 741                  impurity-defect interactions; ab initio calculations;
 742                  secondary ion mass spectra; diffusion; interstitials",
 743   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/80/52/1",
 744   doi =          "10.1063/1.1430505",
 745   notes =        "c-c 100 split, lower as a and b states of capaz",
 746 }
 747
 748 @Article{dal_pino93,
 749   title =        "Ab initio investigation of carbon-related defects in
 750                  silicon",
 751   author =       "A. {Dal Pino} and Andrew M. Rappe and J. D.
 752                  Joannopoulos",
 753   journal =      "Phys. Rev. B",
 754   volume =       "47",
 755   number =       "19",
 756   pages =        "12554--12557",
 757   numpages =     "3",
 758   year =         "1993",
 759   month =        may,
 760   doi =          "10.1103/PhysRevB.47.12554",
 761   publisher =    "American Physical Society",
 762   notes =        "c interstitials in crystalline silicon",
 763 }
 764
 765 @Article{car84,
 766   title =        "Microscopic Theory of Atomic Diffusion Mechanisms in
 767                  Silicon",
 768   author =       "Roberto Car and Paul J. Kelly and Atsushi Oshiyama and
 769                  Sokrates T. Pantelides",
 770   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 771   volume =       "52",
 772   number =       "20",
 773   pages =        "1814--1817",
 774   numpages =     "3",
 775   year =         "1984",
 776   month =        may,
 777   doi =          "10.1103/PhysRevLett.52.1814",
 778   publisher =    "American Physical Society",
 779   notes =        "microscopic theory diffusion silicon dft migration
 780                  path formation",
 781 }
 782
 783 @Article{car85,
 784   title =        "Unified Approach for Molecular Dynamics and
 785                  Density-Functional Theory",
 786   author =       "R. Car and M. Parrinello",
 787   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 788   volume =       "55",
 789   number =       "22",
 790   pages =        "2471--2474",
 791   numpages =     "3",
 792   year =         "1985",
 793   month =        nov,
 794   doi =          "10.1103/PhysRevLett.55.2471",
 795   publisher =    "American Physical Society",
 796   notes =        "car parrinello method, dft and md",
 797 }
 798
 799 @Article{kelires97,
 800   title =        "Short-range order, bulk moduli, and physical trends in
 801                  c-$Si1-x$$Cx$ alloys",
 802   author =       "P. C. Kelires",
 803   journal =      "Phys. Rev. B",
 804   volume =       "55",
 805   number =       "14",
 806   pages =        "8784--8787",
 807   numpages =     "3",
 808   year =         "1997",
 809   month =        apr,
 810   doi =          "10.1103/PhysRevB.55.8784",
 811   publisher =    "American Physical Society",
 812   notes =        "c strained si, montecarlo md, bulk moduli, next
 813                  neighbour dist",
 814 }
 815
 816 @Article{kelires95,
 817   title =        "Monte Carlo Studies of Ternary Semiconductor Alloys:
 818                  Application to the $Si1-x-yGexCy$ System",
 819   author =       "P. C. Kelires",
 820   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 821   volume =       "75",
 822   number =       "6",
 823   pages =        "1114--1117",
 824   numpages =     "3",
 825   year =         "1995",
 826   month =        aug,
 827   doi =          "10.1103/PhysRevLett.75.1114",
 828   publisher =    "American Physical Society",
 829   notes =        "mc md, strain compensation in si ge by c insertion",
 830 }
 831
 832 @Article{bean70,
 833   title =        "Low temperature electron irradiation of silicon
 834                  containing carbon",
 835   journal =      "Solid State Communications",
 836   volume =       "8",
 837   number =       "3",
 838   pages =        "175--177",
 839   year =         "1970",
 840   note =         "",
 841   ISSN =         "0038-1098",
 842   doi =          "DOI: 10.1016/0038-1098(70)90074-8",
 843   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVW-46MF8S4-156/2/5f4d9c189a3d97227fde9214195aa081",
 844   author =       "A. R. Bean and R. C. Newman",
 845 }
 846
 847 @Article{watkins76,
 848   title =        "{EPR} Observation of the Isolated Interstitial Carbon
 849                  Atom in Silicon",
 850   author =       "G. D. Watkins and K. L. Brower",
 851   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 852   volume =       "36",
 853   number =       "22",
 854   pages =        "1329--1332",
 855   numpages =     "3",
 856   year =         "1976",
 857   month =        may,
 858   doi =          "10.1103/PhysRevLett.36.1329",
 859   publisher =    "American Physical Society",
 860   notes =        "epr observations of 100 interstitial carbon atom in
 861                  silicon",
 862 }
 863
 864 @Article{song90,
 865   title =        "{EPR} identification of the single-acceptor state of
 866                  interstitial carbon in silicon",
 867   author =       "L. W. Song and G. D. Watkins",
 868   journal =      "Phys. Rev. B",
 869   volume =       "42",
 870   number =       "9",
 871   pages =        "5759--5764",
 872   numpages =     "5",
 873   year =         "1990",
 874   month =        sep,
 875   doi =          "10.1103/PhysRevB.42.5759",
 876   publisher =    "American Physical Society",
 877   notes =        "carbon diffusion in silicon",
 878 }
 879
 880 @Article{tipping87,
 881   author =       "A K Tipping and R C Newman",
 882   title =        "The diffusion coefficient of interstitial carbon in
 883                  silicon",
 884   journal =      "Semiconductor Science and Technology",
 885   volume =       "2",
 886   number =       "5",
 887   pages =        "315--317",
 888   URL =          "http://stacks.iop.org/0268-1242/2/315",
 889   year =         "1987",
 890   notes =        "diffusion coefficient of carbon interstitials in
 891                  silicon",
 892 }
 893
 894 @Article{strane96,
 895   title =        "Carbon incorporation into Si at high concentrations by
 896                  ion implantation and solid phase epitaxy",
 897   author =       "J. W. Strane and S. R. Lee and H. J. Stein and S. T.
 898                  Picraux and J. K. Watanabe and J. W. Mayer",
 899   journal =      "J. Appl. Phys.",
 900   volume =       "79",
 901   pages =        "637",
 902   year =         "1996",
 903   month =        jan,
 904   doi =          "10.1063/1.360806",
 905   notes =        "strained silicon, carbon supersaturation",
 906 }
 907
 908 @Article{laveant2002,
 909   title =        "Epitaxy of carbon-rich silicon with {MBE}",
 910   journal =      "Materials Science and Engineering B",
 911   volume =       "89",
 912   number =       "1-3",
 913   pages =        "241--245",
 914   year =         "2002",
 915   ISSN =         "0921-5107",
 916   doi =          "DOI: 10.1016/S0921-5107(01)00794-2",
 917   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXF-44YVPGS-1V/2/024ece074ad18ebbec62a39a2510a268",
 918   author =       "P. Lav\'eant and G. Gerth and P. Werner and U.
 919                  G{\"{o}}sele",
 920   notes =        "low c in si, tensile stress to compensate compressive
 921                  stress, avoid sic precipitation",
 922 }
 923
 924 @Article{werner97,
 925   author =       "P. Werner and S. Eichler and G. Mariani and R.
 926                  K{\"{o}}gler and W. Skorupa",
 927   title =        "Investigation of {C}[sub x]Si defects in {C} implanted
 928                  silicon by transmission electron microscopy",
 929   publisher =    "AIP",
 930   year =         "1997",
 931   journal =      "Applied Physics Letters",
 932   volume =       "70",
 933   number =       "2",
 934   pages =        "252--254",
 935   keywords =     "silicon; ion implantation; carbon; crystal defects;
 936                  transmission electron microscopy; annealing; positron
 937                  annihilation; secondary ion mass spectroscopy; buried
 938                  layers; precipitation",
 939   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/70/252/1",
 940   doi =          "10.1063/1.118381",
 941   notes =        "si-c complexes, agglomerate, sic in si matrix, sic
 942                  precipitate",
 943 }
 944
 945 @InProceedings{werner96,
 946   author =       "P. Werner and R. K{\"{o}}gler and W. Skorupa and D.
 947                  Eichler",
 948   booktitle =    "Ion Implantation Technology. Proceedings of the 11th
 949                  International Conference on",
 950   title =        "{TEM} investigation of {C}-Si defects in carbon
 951                  implanted silicon",
 952   year =         "1996",
 953   month =        jun,
 954   volume =       "",
 955   number =       "",
 956   pages =        "675--678",
 957   doi =          "10.1109/IIT.1996.586497",
 958   ISSN =         "",
 959   notes =        "c-si agglomerates dumbbells",
 960 }
 961
 962 @Article{werner98,
 963   author =       "P. Werner and U. G{\"{o}}sele and H.-J. Gossmann and
 964                  D. C. Jacobson",
 965   collaboration = "",
 966   title =        "Carbon diffusion in silicon",
 967   publisher =    "AIP",
 968   year =         "1998",
 969   journal =      "Applied Physics Letters",
 970   volume =       "73",
 971   number =       "17",
 972   pages =        "2465--2467",
 973   keywords =     "silicon; carbon; elemental semiconductors; diffusion;
 974                  secondary ion mass spectra; semiconductor epitaxial
 975                  layers; annealing; impurity-defect interactions;
 976                  impurity distribution",
 977   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/73/2465/1",
 978   doi =          "10.1063/1.122483",
 979   notes =        "c diffusion in si, kick out mechnism",
 980 }
 981
 982 @Article{strane94,
 983   author =       "J. W. Strane and H. J. Stein and S. R. Lee and S. T.
 984                  Picraux and J. K. Watanabe and J. W. Mayer",
 985   collaboration = "",
 986   title =        "Precipitation and relaxation in strained Si[sub 1 -
 987                  y]{C}[sub y]/Si heterostructures",
 988   publisher =    "AIP",
 989   year =         "1994",
 990   journal =      "Journal of Applied Physics",
 991   volume =       "76",
 992   number =       "6",
 993   pages =        "3656--3668",
 994   keywords =     "SILICON CARBIDES; SILICON; PRECIPITATION; STRAINS",
 995   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/76/3656/1",
 996   doi =          "10.1063/1.357429",
 997   notes =        "strained si-c to 3c-sic, carbon nucleation + refs,
 998                  precipitation by substitutional carbon, coherent prec,
 999                  coherent to incoherent transition strain vs interface
1000                  energy",
1001 }
1002
1003 @Article{fischer95,
1004   author =       "G. G. Fischer and P. Zaumseil and E. Bugiel and H. J.
1005                  Osten",
1006   collaboration = "",
1007   title =        "Investigation of the high temperature behavior of
1008                  strained Si[sub 1 - y]{C}[sub y] /Si heterostructures",
1009   publisher =    "AIP",
1010   year =         "1995",
1011   journal =      "Journal of Applied Physics",
1012   volume =       "77",
1013   number =       "5",
1014   pages =        "1934--1937",
1015   keywords =     "SILICON CARBIDES; SILICON; HETEROSTRUCTURES; STRAINS;
1016                  XRD; MOLECULAR BEAM EPITAXY; STABILITY; TENSILE
1017                  PROPERTIES; EPITAXIAL LAYERS; ANNEALING; PRECIPITATION;
1018                  TEMPERATURE RANGE 04001000 K",
1019   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/77/1934/1",
1020   doi =          "10.1063/1.358826",
1021 }
1022
1023 @Article{edgar92,
1024   title =        "Prospects for device implementation of wide band gap
1025                  semiconductors",
1026   author =       "J. H. Edgar",
1027   journal =      "J. Mater. Res.",
1028   volume =       "7",
1029   pages =        "235",
1030   year =         "1992",
1031   month =        jan,
1032   doi =          "10.1557/JMR.1992.0235",
1033   notes =        "properties wide band gap semiconductor, sic
1034                  polytypes",
1035 }
1036
1037 @Article{zirkelbach2007,
1038   title =        "Monte Carlo simulation study of a selforganisation
1039                  process leading to ordered precipitate structures",
1040   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
1041                  and B. Stritzker",
1042   journal =      "Nucl. Instr. and Meth. B",
1043   volume =       "257",
1044   number =       "1--2",
1045   pages =        "75--79",
1046   numpages =     "5",
1047   year =         "2007",
1048   month =        apr,
1049   doi =          "doi:10.1016/j.nimb.2006.12.118",
1050   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
1051                  NETHERLANDS",
1052 }
1053
1054 @Article{zirkelbach2006,
1055   title =        "Monte-Carlo simulation study of the self-organization
1056                  of nanometric amorphous precipitates in regular arrays
1057                  during ion irradiation",
1058   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
1059                  and B. Stritzker",
1060   journal =      "Nucl. Instr. and Meth. B",
1061   volume =       "242",
1062   number =       "1--2",
1063   pages =        "679--682",
1064   numpages =     "4",
1065   year =         "2006",
1066   month =        jan,
1067   doi =          "doi:10.1016/j.nimb.2005.08.162",
1068   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
1069                  NETHERLANDS",
1070 }
1071
1072 @Article{zirkelbach2005,
1073   title =        "Modelling of a selforganization process leading to
1074                  periodic arrays of nanometric amorphous precipitates by
1075                  ion irradiation",
1076   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
1077                  and B. Stritzker",
1078   journal =      "Comp. Mater. Sci.",
1079   volume =       "33",
1080   number =       "1--3",
1081   pages =        "310--316",
1082   numpages =     "7",
1083   year =         "2005",
1084   month =        apr,
1085   doi =          "doi:10.1016/j.commatsci.2004.12.016",
1086   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
1087                  NETHERLANDS",
1088 }
1089
1090 @Article{zirkelbach09,
1091   title =        "Molecular dynamics simulation of defect formation and
1092                  precipitation in heavily carbon doped silicon",
1093   journal =      "Materials Science and Engineering: B",
1094   volume =       "159-160",
1095   number =       "",
1096   pages =        "149--152",
1097   year =         "2009",
1098   note =         "EMRS 2008 Spring Conference Symposium K: Advanced
1099                  Silicon Materials Research for Electronic and
1100                  Photovoltaic Applications",
1101   ISSN =         "0921-5107",
1102   doi =          "DOI: 10.1016/j.mseb.2008.10.010",
1103   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXF-4TX1547-2/2/cb9f4921f324735087020ccce7843e39",
1104   author =       "F. Zirkelbach and J. K. N. Lindner and K. Nordlund and
1105                  B. Stritzker",
1106   keywords =     "Silicon",
1107   keywords =     "Carbon",
1108   keywords =     "Silicon carbide",
1109   keywords =     "Nucleation",
1110   keywords =     "Defect formation",
1111   keywords =     "Molecular dynamics simulations",
1112 }
1113
1114 @Article{zirkelbach10a,
1115   title =        "Defects in Carbon implanted Silicon calculated by
1116                  classical potentials and first principles methods",
1117   journal =      "to be published",
1118   volume =       "",
1119   number =       "",
1120   pages =        "",
1121   year =         "2010",
1122   author =       "F. Zirkelbach and B. Stritzker and K. Nordlund and J.
1123                  K. N. Lindner and W. G. Schmidtd and E. Rauls",
1124 }
1125
1126 @Article{zirkelbach10b,
1127   title =        "Extensive first principles study of carbon defects in
1128                  silicon",
1129   journal =      "to be published",
1130   volume =       "",
1131   number =       "",
1132   pages =        "",
1133   year =         "2010",
1134   author =       "F. Zirkelbach and B. Stritzker and K. Nordlund and J.
1135                  K. N. Lindner and W. G. Schmidtd and E. Rauls",
1136 }
1137
1138 @Article{zirkelbach10c,
1139   title =        "...",
1140   journal =      "to be published",
1141   volume =       "",
1142   number =       "",
1143   pages =        "",
1144   year =         "2010",
1145   author =       "F. Zirkelbach and B. Stritzker and K. Nordlund and J.
1146                  K. N. Lindner and W. G. Schmidtd and E. Rauls",
1147 }
1148
1149 @Article{lindner99,
1150   title =        "Controlling the density distribution of Si{C}
1151                  nanocrystals for the ion beam synthesis of buried Si{C}
1152                  layers in silicon",
1153   journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
1154                  Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
1155   volume =       "147",
1156   number =       "1-4",
1157   pages =        "249--255",
1158   year =         "1999",
1159   note =         "",
1160   ISSN =         "0168-583X",
1161   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00598-9",
1162   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3YMWWDY-1H/2/ad53e614f783b2a7474aecb936dd0169",
1163   author =       "J. K. N. Lindner and B. Stritzker",
1164   notes =        "two-step implantation process",
1165 }
1166
1167 @Article{lindner99_2,
1168   title =        "Mechanisms in the ion beam synthesis of Si{C} layers
1169                  in silicon",
1170   journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
1171                  Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
1172   volume =       "148",
1173   number =       "1-4",
1174   pages =        "528--533",
1175   year =         "1999",
1176   ISSN =         "0168-583X",
1177   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00787-3",
1178   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3XGFSSH-3H/2/17d138baa6db68cb279e6de9161e5f85",
1179   author =       "J. K. N. Lindner and B. Stritzker",
1180   notes =        "3c-sic precipitation model, c-si dimers (dumbbells)",
1181 }
1182
1183 @Article{lindner01,
1184   title =        "Ion beam synthesis of buried Si{C} layers in silicon:
1185                  Basic physical processes",
1186   journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
1187                  Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
1188   volume =       "178",
1189   number =       "1-4",
1190   pages =        "44--54",
1191   year =         "2001",
1192   note =         "",
1193   ISSN =         "0168-583X",
1194   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(01)00504-3",
1195   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-435KG96-8/2/f222574d8945c3fd7aaf9ae1efdd37b3",
1196   author =       "J{\"{o}}rg K. N. Lindner",
1197 }
1198
1199 @Article{lindner02,
1200   title =        "High-dose carbon implantations into silicon:
1201                  fundamental studies for new technological tricks",
1202   author =       "J. K. N. Lindner",
1203   journal =      "Appl. Phys. A",
1204   volume =       "77",
1205   pages =        "27--38",
1206   year =         "2003",
1207   doi =          "10.1007/s00339-002-2062-8",
1208   notes =        "ibs, burried sic layers",
1209 }
1210
1211 @Article{lindner06,
1212   title =        "On the balance between ion beam induced nanoparticle
1213                  formation and displacive precipitate resolution in the
1214                  {C}-Si system",
1215   journal =      "Materials Science and Engineering: C",
1216   volume =       "26",
1217   number =       "5-7",
1218   pages =        "857--861",
1219   year =         "2006",
1220   note =         "Current Trends in Nanoscience - from Materials to
1221                  Applications",
1222   ISSN =         "0928-4931",
1223   doi =          "DOI: 10.1016/j.msec.2005.09.099",
1224   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXG-4HSXVVM-1/2/5b0e351198cc2e8f5f4446a80a73d04a",
1225   author =       "J. K. N. Lindner and M. H{\"a}berlen and G. Thorwarth
1226                  and B. Stritzker",
1227   notes =        "c int diffusion barrier",
1228 }
1229
1230 @Article{ito04,
1231   title =        "Ion beam synthesis of 3{C}-Si{C} layers in Si and its
1232                  application in buffer layer for Ga{N} epitaxial
1233                  growth",
1234   journal =      "Applied Surface Science",
1235   volume =       "238",
1236   number =       "1-4",
1237   pages =        "159--164",
1238   year =         "2004",
1239   note =         "APHYS'03 Special Issue",
1240   ISSN =         "0169-4332",
1241   doi =          "DOI: 10.1016/j.apsusc.2004.05.199",
1242   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6THY-4CTTNGX-B/2/d24ee637db87f3f1a6ef7fe6820f267c",
1243   author =       "Y. Ito and T. Yamauchi and A. Yamamoto and M. Sasase
1244                  and S. Nishio and K. Yasuda and Y. Ishigami",
1245   notes =        "gan on 3c-sic",
1246 }
1247
1248 @Article{alder57,
1249   author =       "B. J. Alder and T. E. Wainwright",
1250   title =        "Phase Transition for a Hard Sphere System",
1251   publisher =    "AIP",
1252   year =         "1957",
1253   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
1254   volume =       "27",
1255   number =       "5",
1256   pages =        "1208--1209",
1257   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/27/1208/1",
1258   doi =          "10.1063/1.1743957",
1259 }
1260
1261 @Article{alder59,
1262   author =       "B. J. Alder and T. E. Wainwright",
1263   title =        "Studies in Molecular Dynamics. {I}. General Method",
1264   publisher =    "AIP",
1265   year =         "1959",
1266   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
1267   volume =       "31",
1268   number =       "2",
1269   pages =        "459--466",
1270   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/31/459/1",
1271   doi =          "10.1063/1.1730376",
1272 }
1273
1274 @Article{tersoff_si1,
1275   title =        "New empirical model for the structural properties of
1276                  silicon",
1277   author =       "J. Tersoff",
1278   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1279   volume =       "56",
1280   number =       "6",
1281   pages =        "632--635",
1282   numpages =     "3",
1283   year =         "1986",
1284   month =        feb,
1285   doi =          "10.1103/PhysRevLett.56.632",
1286   publisher =    "American Physical Society",
1287 }
1288
1289 @Article{tersoff_si2,
1290   title =        "New empirical approach for the structure and energy of
1291                  covalent systems",
1292   author =       "J. Tersoff",
1293   journal =      "Phys. Rev. B",
1294   volume =       "37",
1295   number =       "12",
1296   pages =        "6991--7000",
1297   numpages =     "9",
1298   year =         "1988",
1299   month =        apr,
1300   doi =          "10.1103/PhysRevB.37.6991",
1301   publisher =    "American Physical Society",
1302 }
1303
1304 @Article{tersoff_si3,
1305   title =        "Empirical interatomic potential for silicon with
1306                  improved elastic properties",
1307   author =       "J. Tersoff",
1308   journal =      "Phys. Rev. B",
1309   volume =       "38",
1310   number =       "14",
1311   pages =        "9902--9905",
1312   numpages =     "3",
1313   year =         "1988",
1314   month =        nov,
1315   doi =          "10.1103/PhysRevB.38.9902",
1316   publisher =    "American Physical Society",
1317 }
1318
1319 @Article{tersoff_c,
1320   title =        "Empirical Interatomic Potential for Carbon, with
1321                  Applications to Amorphous Carbon",
1322   author =       "J. Tersoff",
1323   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1324   volume =       "61",
1325   number =       "25",
1326   pages =        "2879--2882",
1327   numpages =     "3",
1328   year =         "1988",
1329   month =        dec,
1330   doi =          "10.1103/PhysRevLett.61.2879",
1331   publisher =    "American Physical Society",
1332 }
1333
1334 @Article{tersoff_m,
1335   title =        "Modeling solid-state chemistry: Interatomic potentials
1336                  for multicomponent systems",
1337   author =       "J. Tersoff",
1338   journal =      "Phys. Rev. B",
1339   volume =       "39",
1340   number =       "8",
1341   pages =        "5566--5568",
1342   numpages =     "2",
1343   year =         "1989",
1344   month =        mar,
1345   doi =          "10.1103/PhysRevB.39.5566",
1346   publisher =    "American Physical Society",
1347 }
1348
1349 @Article{tersoff90,
1350   title =        "Carbon defects and defect reactions in silicon",
1351   author =       "J. Tersoff",
1352   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1353   volume =       "64",
1354   number =       "15",
1355   pages =        "1757--1760",
1356   numpages =     "3",
1357   year =         "1990",
1358   month =        apr,
1359   doi =          "10.1103/PhysRevLett.64.1757",
1360   publisher =    "American Physical Society",
1361 }
1362
1363 @Article{fahey89,
1364   title =        "Point defects and dopant diffusion in silicon",
1365   author =       "P. M. Fahey and P. B. Griffin and J. D. Plummer",
1366   journal =      "Rev. Mod. Phys.",
1367   volume =       "61",
1368   number =       "2",
1369   pages =        "289--384",
1370   numpages =     "95",
1371   year =         "1989",
1372   month =        apr,
1373   doi =          "10.1103/RevModPhys.61.289",
1374   publisher =    "American Physical Society",
1375 }
1376
1377 @Article{wesch96,
1378   title =        "Silicon carbide: synthesis and processing",
1379   journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
1380                  Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
1381   volume =       "116",
1382   number =       "1-4",
1383   pages =        "305--321",
1384   year =         "1996",
1385   note =         "Radiation Effects in Insulators",
1386   ISSN =         "0168-583X",
1387   doi =          "DOI: 10.1016/0168-583X(96)00065-1",
1388   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3VXHNFT-C7/2/4216cb1ec9e422c22de5fed7360fb06e",
1389   author =       "W. Wesch",
1390 }
1391
1392 @Article{morkoc94,
1393   author =       "H. Morko\c{c} and S. Strite and G. B. Gao and M. E.
1394                  Lin and B. Sverdlov and M. Burns",
1395   collaboration = "",
1396   title =        "Large-band-gap Si{C}, {III}-{V} nitride, and {II}-{VI}
1397                  ZnSe-based semiconductor device technologies",
1398   publisher =    "AIP",
1399   year =         "1994",
1400   journal =      "Journal of Applied Physics",
1401   volume =       "76",
1402   number =       "3",
1403   pages =        "1363--1398",
1404   keywords =     "SEMICONDUCTOR DEVICES; SILICON CARBIDES; GALLIUM
1405                  NITRIDES; ZINC SELENIDES; SUBSTRATES; MOS JUNCTIONS;
1406                  LASER MATERIALS; MATERIALS; REVIEWS; ENERGY GAP; THIN
1407                  FILMS; INDUSTRY",
1408   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/76/1363/1",
1409   doi =          "10.1063/1.358463",
1410   notes =        "sic intro, properties",
1411 }
1412
1413 @Article{neudeck95,
1414   author =       "P. G. Neudeck",
1415   title =        "{PROGRESS} {IN} {SILICON}-{CARBIDE} {SEMICONDUCTOR}
1416                  {ELECTRONICS} {TECHNOLOGY}",
1417   journal =      "Journal of Electronic Materials",
1418   year =         "1995",
1419   volume =       "24",
1420   number =       "4",
1421   pages =        "283--288",
1422   month =        apr,
1423 }
1424
1425 @Article{foo,
1426   author =       "Noch Unbekannt",
1427   title =        "How to find references",
1428   journal =      "Journal of Applied References",
1429   year =         "2009",
1430   volume =       "77",
1431   pages =        "1--23",
1432 }
1433
1434 @Article{tang95,
1435   title =        "Atomistic simulation of thermomechanical properties of
1436                  \beta{}-Si{C}",
1437   author =       "Meijie Tang and Sidney Yip",
1438   journal =      "Phys. Rev. B",
1439   volume =       "52",
1440   number =       "21",
1441   pages =        "15150--15159",
1442   numpages =     "9",
1443   year =         "1995",
1444   doi =          "10.1103/PhysRevB.52.15150",
1445   notes =        "modified tersoff, scale cutoff with volume, promising
1446                  tersoff reparametrization",
1447   publisher =    "American Physical Society",
1448 }
1449
1450 @Article{sarro00,
1451   title =        "Silicon carbide as a new {MEMS} technology",
1452   journal =      "Sensors and Actuators A: Physical",
1453   volume =       "82",
1454   number =       "1-3",
1455   pages =        "210--218",
1456   year =         "2000",
1457   ISSN =         "0924-4247",
1458   doi =          "DOI: 10.1016/S0924-4247(99)00335-0",
1459   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6THG-406VM55-13/2/75385a587669b215d9ef88029a93fd59",
1460   author =       "Pasqualina M. Sarro",
1461   keywords =     "MEMS",
1462   keywords =     "Silicon carbide",
1463   keywords =     "Micromachining",
1464   keywords =     "Mechanical stress",
1465 }
1466
1467 @Article{casady96,
1468   title =        "Status of silicon carbide (Si{C}) as a wide-bandgap
1469                  semiconductor for high-temperature applications: {A}
1470                  review",
1471   journal =      "Solid-State Electronics",
1472   volume =       "39",
1473   number =       "10",
1474   pages =        "1409--1422",
1475   year =         "1996",
1476   ISSN =         "0038-1101",
1477   doi =          "DOI: 10.1016/0038-1101(96)00045-7",
1478   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TY5-3VSR9J0-1/2/a871c11636e937dc45bfdf48e29f725b",
1479   author =       "J. B. Casady and R. W. Johnson",
1480   notes =        "sic intro",
1481 }
1482
1483 @Article{giancarli98,
1484   title =        "Design requirements for Si{C}/Si{C} composites
1485                  structural material in fusion power reactor blankets",
1486   journal =      "Fusion Engineering and Design",
1487   volume =       "41",
1488   number =       "1-4",
1489   pages =        "165--171",
1490   year =         "1998",
1491   ISSN =         "0920-3796",
1492   doi =          "DOI: 10.1016/S0920-3796(97)00200-7",
1493   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6V3C-3V8RYK8-T/2/16949194114900fd1330f79892d7a7be",
1494   author =       "L. Giancarli and J. P. Bonal and A. Caso and G. Le
1495                  Marois and N. B. Morley and J. F. Salavy",
1496 }
1497
1498 @Article{pensl93,
1499   title =        "Electrical and optical characterization of Si{C}",
1500   journal =      "Physica B: Condensed Matter",
1501   volume =       "185",
1502   number =       "1-4",
1503   pages =        "264--283",
1504   year =         "1993",
1505   ISSN =         "0921-4526",
1506   doi =          "DOI: 10.1016/0921-4526(93)90249-6",
1507   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVH-46G8HRX-99/2/eab9398bf2bbf10df3ae42c2ab28a776",
1508   author =       "G. Pensl and W. J. Choyke",
1509 }
1510
1511 @Article{tairov78,
1512   title =        "Investigation of growth processes of ingots of silicon
1513                  carbide single crystals",
1514   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1515   volume =       "43",
1516   number =       "2",
1517   pages =        "209--212",
1518   year =         "1978",
1519   notes =        "modified lely process",
1520   ISSN =         "0022-0248",
1521   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(78)90169-0",
1522   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46BY2NR-7S/2/fa6fee78ebd8322491f6366e72d5b6dc",
1523   author =       "Yu. M. Tairov and V. F. Tsvetkov",
1524 }
1525
1526 @Article{nishino83,
1527   author =       "Shigehiro Nishino and J. Anthony Powell and Herbert A.
1528                  Will",
1529   collaboration = "",
1530   title =        "Production of large-area single-crystal wafers of
1531                  cubic Si{C} for semiconductor devices",
1532   publisher =    "AIP",
1533   year =         "1983",
1534   journal =      "Applied Physics Letters",
1535   volume =       "42",
1536   number =       "5",
1537   pages =        "460--462",
1538   keywords =     "silicon carbides; layers; chemical vapor deposition;
1539                  monocrystals",
1540   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/42/460/1",
1541   doi =          "10.1063/1.93970",
1542   notes =        "cvd of 3c-sic on si, sic buffer layer",
1543 }
1544
1545 @Article{nishino87,
1546   author =       "Shigehiro Nishino and Hajime Suhara and Hideyuki Ono
1547                  and Hiroyuki Matsunami",
1548   collaboration = "",
1549   title =        "Epitaxial growth and electric characteristics of cubic
1550                  Si{C} on silicon",
1551   publisher =    "AIP",
1552   year =         "1987",
1553   journal =      "Journal of Applied Physics",
1554   volume =       "61",
1555   number =       "10",
1556   pages =        "4889--4893",
1557   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/61/4889/1",
1558   doi =          "10.1063/1.338355",
1559   notes =        "cvd of 3c-sic on si, sic buffer layer, first time
1560                  carbonization",
1561 }
1562
1563 @Article{powell87,
1564   author =       "J. Anthony Powell and Lawrence G. Matus and Maria A.
1565                  Kuczmarski",
1566   title =        "Growth and Characterization of Cubic Si{C}
1567                  Single-Crystal Films on Si",
1568   publisher =    "ECS",
1569   year =         "1987",
1570   journal =      "Journal of The Electrochemical Society",
1571   volume =       "134",
1572   number =       "6",
1573   pages =        "1558--1565",
1574   keywords =     "semiconductor materials; silicon compounds; carbon
1575                  compounds; crystal morphology; electron mobility",
1576   URL =          "http://link.aip.org/link/?JES/134/1558/1",
1577   doi =          "10.1149/1.2100708",
1578   notes =        "blue light emitting diodes (led)",
1579 }
1580
1581 @Article{kimoto93,
1582   author =       "Tsunenobu Kimoto and Hironori Nishino and Woo Sik Yoo
1583                  and Hiroyuki Matsunami",
1584   title =        "Growth mechanism of 6{H}-Si{C} in step-controlled
1585                  epitaxy",
1586   publisher =    "AIP",
1587   year =         "1993",
1588   journal =      "Journal of Applied Physics",
1589   volume =       "73",
1590   number =       "2",
1591   pages =        "726--732",
1592   keywords =     "SILICON CARBIDES; EPITAXY; GROWTH RATE; TEMPERATURE
1593                  RANGE 10004000 K; TWINNING; ACTIVATION ENERGY; CHEMICAL
1594                  VAPOR DEPOSITION",
1595   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/73/726/1",
1596   doi =          "10.1063/1.353329",
1597   notes =        "cvd of 6h-sic on 6h-sic, twinned 3c-sic",
1598 }
1599
1600 @Article{powell90,
1601   author =       "J. A. Powell and D. J. Larkin and L. G. Matus and W.
1602                  J. Choyke and J. L. Bradshaw and L. Henderson and M.
1603                  Yoganathan and J. Yang and P. Pirouz",
1604   collaboration = "",
1605   title =        "Growth of improved quality 3{C}-Si{C} films on
1606                  6{H}-Si{C} substrates",
1607   publisher =    "AIP",
1608   year =         "1990",
1609   journal =      "Applied Physics Letters",
1610   volume =       "56",
1611   number =       "14",
1612   pages =        "1353--1355",
1613   keywords =     "SILICON CARBIDES; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; SORPTIVE
1614                  PROPERTIES; PHOTOLUMINESCENCE; TRANSMISSION ELECTRON
1615                  MICROSCOPY; DEFECT STRUCTURE; STACKING FAULTS; VAPOR
1616                  PHASE EPITAXY",
1617   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/56/1353/1",
1618   doi =          "10.1063/1.102512",
1619   notes =        "cvd of 3c-sic on 6h-sic",
1620 }
1621
1622 @Article{yuan95,
1623   author =       "C. Yuan and A. J. Steckl and J. Chaudhuri and R.
1624                  Thokala and M. J. Loboda",
1625   collaboration = "",
1626   title =        "Reduced temperature growth of crystalline 3{C}-Si{C}
1627                  films on 6{H}-Si{C} by chemical vapor deposition from
1628                  silacyclobutane",
1629   publisher =    "AIP",
1630   year =         "1995",
1631   journal =      "Journal of Applied Physics",
1632   volume =       "78",
1633   number =       "2",
1634   pages =        "1271--1273",
1635   keywords =     "SILICON CARBIDES; THIN FILMS; CVD; EPITAXY; ABSORPTION
1636                  EDGE; CRYSTAL STRUCTURE; STRAINS; DISLOCATIONS; XRD;
1637                  SPECTROPHOTOMETRY",
1638   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/78/1271/1",
1639   doi =          "10.1063/1.360368",
1640   notes =        "3c-sic on 6h-sic, cvd, reduced temperature",
1641 }
1642
1643 @Article{fissel95,
1644   title =        "Epitaxial growth of Si{C} thin films on Si-stabilized
1645                  [alpha]-Si{C}(0001) at low temperatures by solid-source
1646                  molecular beam epitaxy",
1647   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1648   volume =       "154",
1649   number =       "1-2",
1650   pages =        "72--80",
1651   year =         "1995",
1652   ISSN =         "0022-0248",
1653   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(95)00170-0",
1654   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-3Y5MMXM-1N/2/65549019b878bf02d5ec645b7eea9e98",
1655   author =       "A. Fissel and U. Kaiser and E. Ducke and B.
1656                  Schr{\"{o}}ter and W. Richter",
1657   notes =        "solid source mbe of 3c-sic on si and 6h-sic",
1658 }
1659
1660 @Article{fissel95_apl,
1661   author =       "A. Fissel and B. Schr{\"{o}}ter and W. Richter",
1662   collaboration = "",
1663   title =        "Low-temperature growth of Si{C} thin films on Si and
1664                  6{H}--Si{C} by solid-source molecular beam epitaxy",
1665   publisher =    "AIP",
1666   year =         "1995",
1667   journal =      "Applied Physics Letters",
1668   volume =       "66",
1669   number =       "23",
1670   pages =        "3182--3184",
1671   keywords =     "SILICON CARBIDES; MOLECULAR BEAM EPITAXY; MORPHOLOGY;
1672                  RHEED; NUCLEATION",
1673   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/66/3182/1",
1674   doi =          "10.1063/1.113716",
1675   notes =        "mbe 3c-sic on si and 6h-sic",
1676 }
1677
1678 @Article{borders71,
1679   author =       "J. A. Borders and S. T. Picraux and W. Beezhold",
1680   collaboration = "",
1681   title =        "{FORMATION} {OF} Si{C} {IN} {SILICON} {BY} {ION}
1682                  {IMPLANTATION}",
1683   publisher =    "AIP",
1684   year =         "1971",
1685   journal =      "Applied Physics Letters",
1686   volume =       "18",
1687   number =       "11",
1688   pages =        "509--511",
1689   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/18/509/1",
1690   doi =          "10.1063/1.1653516",
1691   notes =        "first time sic by ibs, follow cites for precipitation
1692                  ideas",
1693 }
1694
1695 @Article{reeson87,
1696   author =       "K. J. Reeson and P. L. F. Hemment and J. Stoemenos and
1697                  J. Davis and G. E. Celler",
1698   collaboration = "",
1699   title =        "Formation of buried layers of beta-Si{C} using ion
1700                  beam synthesis and incoherent lamp annealing",
1701   publisher =    "AIP",
1702   year =         "1987",
1703   journal =      "Applied Physics Letters",
1704   volume =       "51",
1705   number =       "26",
1706   pages =        "2242--2244",
1707   keywords =     "SILICON CARBIDES; FILM GROWTH; SOLIDPHASE EPITAXY; ION
1708                  IMPLANTATION; CARBON IONS; DOPING PROFILES; SYNTHESIS",
1709   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/51/2242/1",
1710   doi =          "10.1063/1.98953",
1711   notes =        "nice tem images, sic by ibs",
1712 }
1713
1714 @Article{scace59,
1715   author =       "R. I. Scace and G. A. Slack",
1716   collaboration = "",
1717   title =        "Solubility of Carbon in Silicon and Germanium",
1718   publisher =    "AIP",
1719   year =         "1959",
1720   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
1721   volume =       "30",
1722   number =       "6",
1723   pages =        "1551--1555",
1724   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/30/1551/1",
1725   doi =          "10.1063/1.1730236",
1726   notes =        "solubility of c in c-si, si-c phase diagram",
1727 }
1728
1729 @Article{cowern96,
1730   author =       "N. E. B. Cowern and A. Cacciato and J. S. Custer and
1731                  F. W. Saris and W. Vandervorst",
1732   collaboration = "",
1733   title =        "Role of {C} and {B} clusters in transient diffusion of
1734                  {B} in silicon",
1735   publisher =    "AIP",
1736   year =         "1996",
1737   journal =      "Applied Physics Letters",
1738   volume =       "68",
1739   number =       "8",
1740   pages =        "1150--1152",
1741   keywords =     "ATOMIC CLUSTERS; BORON ADDITIONS; CRYSTAL DOPING;
1742                  DIFFUSION; DOPED MATERIALS; IMPURITIES; INTERSTITIALS;
1743                  SILICON",
1744   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/68/1150/1",
1745   doi =          "10.1063/1.115706",
1746   notes =        "suppression of transient enhanced diffusion (ted)",
1747 }
1748
1749 @Article{stolk95,
1750   title =        "Implantation and transient boron diffusion: the role
1751                  of the silicon self-interstitial",
1752   journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
1753                  Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
1754   volume =       "96",
1755   number =       "1-2",
1756   pages =        "187--195",
1757   year =         "1995",
1758   note =         "Selected Papers of the Tenth International Conference
1759                  on Ion Implantation Technology (IIT '94)",
1760   ISSN =         "0168-583X",
1761   doi =          "DOI: 10.1016/0168-583X(94)00481-1",
1762   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-40WKY1P-29/2/602c6e5b809221323d2d2968edd0a71c",
1763   author =       "P. A. Stolk and H. -J. Gossmann and D. J. Eaglesham
1764                  and J. M. Poate",
1765 }
1766
1767 @Article{stolk97,
1768   author =       "P. A. Stolk and H.-J. Gossmann and D. J. Eaglesham and
1769                  D. C. Jacobson and C. S. Rafferty and G. H. Gilmer and
1770                  M. Jara\'{\i}z and J. M. Poate and H. S. Luftman and T.
1771                  E. Haynes",
1772   collaboration = "",
1773   title =        "Physical mechanisms of transient enhanced dopant
1774                  diffusion in ion-implanted silicon",
1775   publisher =    "AIP",
1776   year =         "1997",
1777   journal =      "Journal of Applied Physics",
1778   volume =       "81",
1779   number =       "9",
1780   pages =        "6031--6050",
1781   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/81/6031/1",
1782   doi =          "10.1063/1.364452",
1783   notes =        "ted, transient enhanced diffusion, c silicon trap",
1784 }
1785
1786 @Article{powell94,
1787   author =       "A. R. Powell and F. K. LeGoues and S. S. Iyer",
1788   collaboration = "",
1789   title =        "Formation of beta-Si{C} nanocrystals by the relaxation
1790                  of Si[sub 1 - y]{C}[sub y] random alloy layers",
1791   publisher =    "AIP",
1792   year =         "1994",
1793   journal =      "Applied Physics Letters",
1794   volume =       "64",
1795   number =       "3",
1796   pages =        "324--326",
1797   keywords =     "SILICON CARBIDES; NANOSTRUCTURES; DISPERSIONS;
1798                  EPITAXIAL LAYERS; STRESS RELAXATION; ANNEALING;
1799                  TEMPERATURE EFFECTS; PRECIPITATION; DISLOCATIONS;
1800                  SYNTHESIS",
1801   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/64/324/1",
1802   doi =          "10.1063/1.111195",
1803   notes =        "beta sic nano crystals in si, mbe, annealing",
1804 }
1805
1806 @Article{soref91,
1807   author =       "Richard A. Soref",
1808   collaboration = "",
1809   title =        "Optical band gap of the ternary semiconductor Si[sub 1
1810                  - x - y]Ge[sub x]{C}[sub y]",
1811   publisher =    "AIP",
1812   year =         "1991",
1813   journal =      "Journal of Applied Physics",
1814   volume =       "70",
1815   number =       "4",
1816   pages =        "2470--2472",
1817   keywords =     "SILICON CARBIDES; GERMANIUM CARBIDES; ENERGY GAP;
1818                  OPTICAL PROPERTIES; DIAMONDS; SEMICONDUCTOR ALLOYS;
1819                  TERNARY ALLOYS",
1820   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/70/2470/1",
1821   doi =          "10.1063/1.349403",
1822   notes =        "band gap of strained si by c",
1823 }
1824
1825 @Article{kasper91,
1826   author =       "E Kasper",
1827   title =        "Superlattices of group {IV} elements, a new
1828                  possibility to produce direct band gap material",
1829   journal =      "Physica Scripta",
1830   volume =       "T35",
1831   pages =        "232--236",
1832   URL =          "http://stacks.iop.org/1402-4896/T35/232",
1833   year =         "1991",
1834   notes =        "superlattices, convert indirect band gap into a
1835                  quasi-direct one",
1836 }
1837
1838 @Article{osten99,
1839   author =       "H. J. Osten and J. Griesche and S. Scalese",
1840   collaboration = "",
1841   title =        "Substitutional carbon incorporation in epitaxial
1842                  Si[sub 1 - y]{C}[sub y] alloys on Si(001) grown by
1843                  molecular beam epitaxy",
1844   publisher =    "AIP",
1845   year =         "1999",
1846   journal =      "Applied Physics Letters",
1847   volume =       "74",
1848   number =       "6",
1849   pages =        "836--838",
1850   keywords =     "molecular beam epitaxial growth; semiconductor growth;
1851                  wide band gap semiconductors; interstitials; silicon
1852                  compounds",
1853   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/74/836/1",
1854   doi =          "10.1063/1.123384",
1855   notes =        "substitutional c in si",
1856 }
1857
1858 @Article{hohenberg64,
1859   title =        "Inhomogeneous Electron Gas",
1860   author =       "P. Hohenberg and W. Kohn",
1861   journal =      "Phys. Rev.",
1862   volume =       "136",
1863   number =       "3B",
1864   pages =        "B864--B871",
1865   numpages =     "7",
1866   year =         "1964",
1867   month =        nov,
1868   doi =          "10.1103/PhysRev.136.B864",
1869   publisher =    "American Physical Society",
1870   notes =        "density functional theory, dft",
1871 }
1872
1873 @Article{kohn65,
1874   title =        "Self-Consistent Equations Including Exchange and
1875                  Correlation Effects",
1876   author =       "W. Kohn and L. J. Sham",
1877   journal =      "Phys. Rev.",
1878   volume =       "140",
1879   number =       "4A",
1880   pages =        "A1133--A1138",
1881   numpages =     "5",
1882   year =         "1965",
1883   month =        nov,
1884   doi =          "10.1103/PhysRev.140.A1133",
1885   publisher =    "American Physical Society",
1886   notes =        "dft, exchange and correlation",
1887 }
1888
1889 @Article{ruecker94,
1890   title =        "Strain-stabilized highly concentrated pseudomorphic
1891                  $Si1-x$$Cx$ layers in Si",
1892   author =       "H. R{\"u}cker and M. Methfessel and E. Bugiel and H.
1893                  J. Osten",
1894   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1895   volume =       "72",
1896   number =       "22",
1897   pages =        "3578--3581",
1898   numpages =     "3",
1899   year =         "1994",
1900   month =        may,
1901   doi =          "10.1103/PhysRevLett.72.3578",
1902   publisher =    "American Physical Society",
1903   notes =        "high c concentration in si, heterostructure, starined
1904                  si, dft",
1905 }
1906
1907 @Article{chang05,
1908   title =        "Electron Transport Model for Strained Silicon-Carbon
1909                  Alloy",
1910   author =       "Shu-Tong Chang and Chung-Yi Lin",
1911   journal =      "Japanese Journal of Applied Physics",
1912   volume =       "44",
1913   number =       "4B",
1914   pages =        "2257--2262",
1915   numpages =     "5",
1916   year =         "2005",
1917   URL =          "http://jjap.ipap.jp/link?JJAP/44/2257/",
1918   doi =          "10.1143/JJAP.44.2257",
1919   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
1920   notes =        "enhance of electron mobility in starined si",
1921 }
1922
1923 @Article{osten97,
1924   author =       "H. J. Osten and P. Gaworzewski",
1925   collaboration = "",
1926   title =        "Charge transport in strained Si[sub 1 - y]{C}[sub y]
1927                  and Si[sub 1 - x - y]Ge[sub x]{C}[sub y] alloys on
1928                  Si(001)",
1929   publisher =    "AIP",
1930   year =         "1997",
1931   journal =      "Journal of Applied Physics",
1932   volume =       "82",
1933   number =       "10",
1934   pages =        "4977--4981",
1935   keywords =     "silicon compounds; Ge-Si alloys; wide band gap
1936                  semiconductors; semiconductor epitaxial layers; carrier
1937                  density; Hall mobility; interstitials; defect states",
1938   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/82/4977/1",
1939   doi =          "10.1063/1.366364",
1940   notes =        "charge transport in strained si",
1941 }
1942
1943 @Article{kapur04,
1944   title =        "Carbon-mediated aggregation of self-interstitials in
1945                  silicon: {A} large-scale molecular dynamics study",
1946   author =       "Sumeet S. Kapur and Manish Prasad and Talid Sinno",
1947   journal =      "Phys. Rev. B",
1948   volume =       "69",
1949   number =       "15",
1950   pages =        "155214",
1951   numpages =     "8",
1952   year =         "2004",
1953   month =        apr,
1954   doi =          "10.1103/PhysRevB.69.155214",
1955   publisher =    "American Physical Society",
1956   notes =        "simulation using promising tersoff reparametrization",
1957 }
1958
1959 @Article{barkema96,
1960   title =        "Event-Based Relaxation of Continuous Disordered
1961                  Systems",
1962   author =       "G. T. Barkema and Normand Mousseau",
1963   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1964   volume =       "77",
1965   number =       "21",
1966   pages =        "4358--4361",
1967   numpages =     "3",
1968   year =         "1996",
1969   month =        nov,
1970   doi =          "10.1103/PhysRevLett.77.4358",
1971   publisher =    "American Physical Society",
1972   notes =        "activation relaxation technique, art, speed up slow
1973                  dynamic mds",
1974 }
1975
1976 @Article{cances09,
1977   author =       "E. Canc\`{e}s and F. Legoll and M.-C. Marinica and K.
1978                  Minoukadeh and F. Willaime",
1979   collaboration = "",
1980   title =        "Some improvements of the activation-relaxation
1981                  technique method for finding transition pathways on
1982                  potential energy surfaces",
1983   publisher =    "AIP",
1984   year =         "2009",
1985   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
1986   volume =       "130",
1987   number =       "11",
1988   eid =          "114711",
1989   numpages =     "6",
1990   pages =        "114711",
1991   keywords =     "eigenvalues and eigenfunctions; iron; potential energy
1992                  surfaces; vacancies (crystal)",
1993   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/130/114711/1",
1994   doi =          "10.1063/1.3088532",
1995   notes =        "improvements to art, refs for methods to find
1996                  transition pathways",
1997 }
1998
1999 @Article{parrinello81,
2000   author =       "M. Parrinello and A. Rahman",
2001   collaboration = "",
2002   title =        "Polymorphic transitions in single crystals: {A} new
2003                  molecular dynamics method",
2004   publisher =    "AIP",
2005   year =         "1981",
2006   journal =      "Journal of Applied Physics",
2007   volume =       "52",
2008   number =       "12",
2009   pages =        "7182--7190",
2010   keywords =     "MONOCRYSTALS; PHASE TRANSFORMATIONS; STRUCTURAL
2011                  MODELS; DYNAMICS; THEORETICAL DATA; STRESSES;
2012                  CONFIGURATION; LAGRANGE EQUATIONS; SIZE; NICKEL;
2013                  COMPRESSION; TENSILE PROPERTIES; COMPARATIVE
2014                  EVALUATIONS; STRAINS; CUBIC LATTICES; HCP LATTICES;
2015                  IMPACT SHOCK",
2016   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/52/7182/1",
2017   doi =          "10.1063/1.328693",
2018 }
2019
2020 @Article{stillinger85,
2021   title =        "Computer simulation of local order in condensed phases
2022                  of silicon",
2023   author =       "Frank H. Stillinger and Thomas A. Weber",
2024   journal =      "Phys. Rev. B",
2025   volume =       "31",
2026   number =       "8",
2027   pages =        "5262--5271",
2028   numpages =     "9",
2029   year =         "1985",
2030   month =        apr,
2031   doi =          "10.1103/PhysRevB.31.5262",
2032   publisher =    "American Physical Society",
2033 }
2034
2035 @Article{brenner90,
2036   title =        "Empirical potential for hydrocarbons for use in
2037                  simulating the chemical vapor deposition of diamond
2038                  films",
2039   author =       "Donald W. Brenner",
2040   journal =      "Phys. Rev. B",
2041   volume =       "42",
2042   number =       "15",
2043   pages =        "9458--9471",
2044   numpages =     "13",
2045   year =         "1990",
2046   month =        nov,
2047   doi =          "10.1103/PhysRevB.42.9458",
2048   publisher =    "American Physical Society",
2049   notes =        "brenner hydro carbons",
2050 }
2051
2052 @Article{bazant96,
2053   title =        "Modeling of Covalent Bonding in Solids by Inversion of
2054                  Cohesive Energy Curves",
2055   author =       "Martin Z. Bazant and Efthimios Kaxiras",
2056   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2057   volume =       "77",
2058   number =       "21",
2059   pages =        "4370--4373",
2060   numpages =     "3",
2061   year =         "1996",
2062   month =        nov,
2063   doi =          "10.1103/PhysRevLett.77.4370",
2064   publisher =    "American Physical Society",
2065   notes =        "first si edip",
2066 }
2067
2068 @Article{bazant97,
2069   title =        "Environment-dependent interatomic potential for bulk
2070                  silicon",
2071   author =       "Martin Z. Bazant and Efthimios Kaxiras and J. F.
2072                  Justo",
2073   journal =      "Phys. Rev. B",
2074   volume =       "56",
2075   number =       "14",
2076   pages =        "8542--8552",
2077   numpages =     "10",
2078   year =         "1997",
2079   month =        oct,
2080   doi =          "10.1103/PhysRevB.56.8542",
2081   publisher =    "American Physical Society",
2082   notes =        "second si edip",
2083 }
2084
2085 @Article{justo98,
2086   title =        "Interatomic potential for silicon defects and
2087                  disordered phases",
2088   author =       "Jo\tilde{a}o F. Justo and Martin Z. Bazant and
2089                  Efthimios Kaxiras and V. V. Bulatov and Sidney Yip",
2090   journal =      "Phys. Rev. B",
2091   volume =       "58",
2092   number =       "5",
2093   pages =        "2539--2550",
2094   numpages =     "11",
2095   year =         "1998",
2096   month =        aug,
2097   doi =          "10.1103/PhysRevB.58.2539",
2098   publisher =    "American Physical Society",
2099   notes =        "latest si edip, good dislocation explanation",
2100 }
2101
2102 @Article{parcas_md,
2103   title =        "{PARCAS} molecular dynamics code",
2104   author =       "K. Nordlund",
2105   year =         "2008",
2106 }
2107
2108 @Article{voter97,
2109   title =        "Hyperdynamics: Accelerated Molecular Dynamics of
2110                  Infrequent Events",
2111   author =       "Arthur F. Voter",
2112   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2113   volume =       "78",
2114   number =       "20",
2115   pages =        "3908--3911",
2116   numpages =     "3",
2117   year =         "1997",
2118   month =        may,
2119   doi =          "10.1103/PhysRevLett.78.3908",
2120   publisher =    "American Physical Society",
2121   notes =        "hyperdynamics, accelerated md",
2122 }
2123
2124 @Article{voter97_2,
2125   author =       "Arthur F. Voter",
2126   collaboration = "",
2127   title =        "A method for accelerating the molecular dynamics
2128                  simulation of infrequent events",
2129   publisher =    "AIP",
2130   year =         "1997",
2131   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
2132   volume =       "106",
2133   number =       "11",
2134   pages =        "4665--4677",
2135   keywords =     "COMPUTERIZED SIMULATION; NICKEL; DIFFUSION; ATOM
2136                  TRANSPORT; MOLECULAR ORBITAL METHOD; POTENTIAL ENERGY;
2137                  SURFACE POTENTIAL; MOLECULAR DYNAMICS METHOD; potential
2138                  energy functions; surface diffusion; reaction kinetics
2139                  theory; potential energy surfaces",
2140   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/106/4665/1",
2141   doi =          "10.1063/1.473503",
2142   notes =        "improved hyperdynamics md",
2143 }
2144
2145 @Article{sorensen2000,
2146   author =       "Mads R. S\o rensen and Arthur F. Voter",
2147   collaboration = "",
2148   title =        "Temperature-accelerated dynamics for simulation of
2149                  infrequent events",
2150   publisher =    "AIP",
2151   year =         "2000",
2152   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
2153   volume =       "112",
2154   number =       "21",
2155   pages =        "9599--9606",
2156   keywords =     "SOLID STATE PHYSICS; SIMULATION; DIFFUSION; SURFACES;
2157                  MOLECULAR DYNAMICS METHOD; surface diffusion",
2158   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/112/9599/1",
2159   doi =          "10.1063/1.481576",
2160   notes =        "temperature accelerated dynamics, tad",
2161 }
2162
2163 @Article{voter98,
2164   title =        "Parallel replica method for dynamics of infrequent
2165                  events",
2166   author =       "Arthur F. Voter",
2167   journal =      "Phys. Rev. B",
2168   volume =       "57",
2169   number =       "22",
2170   pages =        "R13985--R13988",
2171   numpages =     "3",
2172   year =         "1998",
2173   month =        jun,
2174   doi =          "10.1103/PhysRevB.57.R13985",
2175   publisher =    "American Physical Society",
2176   notes =        "parallel replica method, accelerated md",
2177 }
2178
2179 @Article{wu99,
2180   author =       "Xiongwu Wu and Shaomeng Wang",
2181   collaboration = "",
2182   title =        "Enhancing systematic motion in molecular dynamics
2183                  simulation",
2184   publisher =    "AIP",
2185   year =         "1999",
2186   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
2187   volume =       "110",
2188   number =       "19",
2189   pages =        "9401--9410",
2190   keywords =     "molecular dynamics method; argon; Lennard-Jones
2191                  potential; crystallisation; liquid theory",
2192   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/110/9401/1",
2193   doi =          "10.1063/1.478948",
2194   notes =        "self guided md, sgmd, accelerated md, enhancing
2195                  systematic motion",
2196 }
2197
2198 @Article{choudhary05,
2199   author =       "Devashish Choudhary and Paulette Clancy",
2200   collaboration = "",
2201   title =        "Application of accelerated molecular dynamics schemes
2202                  to the production of amorphous silicon",
2203   publisher =    "AIP",
2204   year =         "2005",
2205   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
2206   volume =       "122",
2207   number =       "15",
2208   eid =          "154509",
2209   numpages =     "8",
2210   pages =        "154509",
2211   keywords =     "molecular dynamics method; silicon; glass structure;
2212                  amorphous semiconductors",
2213   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/122/154509/1",
2214   doi =          "10.1063/1.1878733",
2215   notes =        "explanation of sgmd and hyper md, applied to amorphous
2216                  silicon",
2217 }
2218
2219 @Article{taylor93,
2220   author =       "W. J. Taylor and T. Y. Tan and U. G{\"{o}}sele",
2221   collaboration = "",
2222   title =        "Carbon precipitation in silicon: Why is it so
2223                  difficult?",
2224   publisher =    "AIP",
2225   year =         "1993",
2226   journal =      "Applied Physics Letters",
2227   volume =       "62",
2228   number =       "25",
2229   pages =        "3336--3338",
2230   keywords =     "SILICON; CARBON ADDITIONS; OXYGEN ADDITIONS; DOPED
2231                  MATERIALS; PRECIPITATION; THERMODYNAMICS; SURFACE
2232                  ENERGY",
2233   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/62/3336/1",
2234   doi =          "10.1063/1.109063",
2235   notes =        "interfacial energy of cubic sic and si",
2236 }
2237
2238 @Article{chaussende08,
2239   title =        "Prospects for 3{C}-Si{C} bulk crystal growth",
2240   journal =      "Journal of Crystal Growth",
2241   volume =       "310",
2242   number =       "5",
2243   pages =        "976--981",
2244   year =         "2008",
2245   note =         "Proceedings of the E-MRS Conference, Symposium G -
2246                  Substrates of Wide Bandgap Materials",
2247   ISSN =         "0022-0248",
2248   doi =          "DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2007.11.140",
2249   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-4R7J67S-F/2/e92fc194b652409f5b119393d608b082",
2250   author =       "D. Chaussende and F. Mercier and A. Boulle and F.
2251                  Conchon and M. Soueidan and G. Ferro and A. Mantzari
2252                  and A. Andreadou and E. K. Polychroniadis and C.
2253                  Balloud and S. Juillaguet and J. Camassel and M. Pons",
2254   notes =        "3c-sic crystal growth, sic fabrication + links,
2255                  metastable",
2256 }
2257
2258 @Article{feynman39,
2259   title =        "Forces in Molecules",
2260   author =       "R. P. Feynman",
2261   journal =      "Phys. Rev.",
2262   volume =       "56",
2263   number =       "4",
2264   pages =        "340--343",
2265   numpages =     "3",
2266   year =         "1939",
2267   month =        aug,
2268   doi =          "10.1103/PhysRev.56.340",
2269   publisher =    "American Physical Society",
2270   notes =        "hellmann feynman forces",
2271 }
2272
2273 @Article{buczko00,
2274   title =        "Bonding Arrangements at the $Si-Si{O}_{2}$ and
2275                  $Si{C}-Si{O}_{2}$ Interfaces and a Possible Origin of
2276                  their Contrasting Properties",
2277   author =       "Ryszard Buczko and Stephen J. Pennycook and Sokrates
2278                  T. Pantelides",
2279   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2280   volume =       "84",
2281   number =       "5",
2282   pages =        "943--946",
2283   numpages =     "3",
2284   year =         "2000",
2285   month =        jan,
2286   doi =          "10.1103/PhysRevLett.84.943",
2287   publisher =    "American Physical Society",
2288   notes =        "si sio2 and sic sio2 interface",
2289 }
2290
2291 @Article{djurabekova08,
2292   title =        "Atomistic simulation of the interface structure of Si
2293                  nanocrystals embedded in amorphous silica",
2294   author =       "Flyura Djurabekova and Kai Nordlund",
2295   journal =      "Phys. Rev. B",
2296   volume =       "77",
2297   number =       "11",
2298   pages =        "115325",
2299   numpages =     "7",
2300   year =         "2008",
2301   month =        mar,
2302   doi =          "10.1103/PhysRevB.77.115325",
2303   publisher =    "American Physical Society",
2304   notes =        "nc-si in sio2, interface energy, nc construction,
2305                  angular distribution, coordination",
2306 }
2307
2308 @Article{wen09,
2309   author =       "C. Wen and Y. M. Wang and W. Wan and F. H. Li and J.
2310                  W. Liang and J. Zou",
2311   collaboration = "",
2312   title =        "Nature of interfacial defects and their roles in
2313                  strain relaxation at highly lattice mismatched
2314                  3{C}-Si{C}/Si (001) interface",
2315   publisher =    "AIP",
2316   year =         "2009",
2317   journal =      "Journal of Applied Physics",
2318   volume =       "106",
2319   number =       "7",
2320   eid =          "073522",
2321   numpages =     "8",
2322   pages =        "073522",
2323   keywords =     "anelastic relaxation; crystal structure; dislocations;
2324                  elemental semiconductors; semiconductor growth;
2325                  semiconductor thin films; silicon; silicon compounds;
2326                  stacking faults; wide band gap semiconductors",
2327   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/106/073522/1",
2328   doi =          "10.1063/1.3234380",
2329   notes =        "sic/si interface, follow refs, tem image
2330                  deconvolution, dislocation defects",
2331 }
2332
2333 @Article{kitabatake93,
2334   author =       "Makoto Kitabatake and Masahiro Deguchi and Takashi
2335                  Hirao",
2336   collaboration = "",
2337   title =        "Simulations and experiments of Si{C} heteroepitaxial
2338                  growth on Si(001) surface",
2339   publisher =    "AIP",
2340   year =         "1993",
2341   journal =      "Journal of Applied Physics",
2342   volume =       "74",
2343   number =       "7",
2344   pages =        "4438--4445",
2345   keywords =     "SILICON CARBIDES; FILM GROWTH; SIMULATION; MOLECULAR
2346                  BEAM EPITAXY; MOLECULAR DYNAMICS CALCULATIONS; SILICON;
2347                  MICROSTRUCTURE; ULTRAVIOLET RADIATION; IRRADIATION",
2348   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/74/4438/1",
2349   doi =          "10.1063/1.354385",
2350   notes =        "mbe and md of sic growth on si, 4 to 5 shrinkage
2351                  model, interface",
2352 }
2353
2354 @Article{chirita97,
2355   title =        "Strain relaxation and thermal stability of the
2356                  3{C}-Si{C}(001)/Si(001) interface: {A} molecular
2357                  dynamics study",
2358   journal =      "Thin Solid Films",
2359   volume =       "294",
2360   number =       "1-2",
2361   pages =        "47--49",
2362   year =         "1997",
2363   note =         "",
2364   ISSN =         "0040-6090",
2365   doi =          "DOI: 10.1016/S0040-6090(96)09257-7",
2366   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TW0-41WBB52-C/2/6ef684a04d02dd3b108f972377cde8f4",
2367   author =       "V. Chirita and L. Hultman and L. R. Wallenberg",
2368   keywords =     "Strain relaxation",
2369   keywords =     "Interfaces",
2370   keywords =     "Thermal stability",
2371   keywords =     "Molecular dynamics",
2372   notes =        "tersoff sic/si interface study",
2373 }
2374
2375 @Article{cicero02,
2376   title =        "Ab initio Study of Misfit Dislocations at the
2377                  $Si{C}/Si(001)$ Interface",
2378   author =       "Giancarlo Cicero and Laurent Pizzagalli and Alessandra
2379                  Catellani",
2380   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2381   volume =       "89",
2382   number =       "15",
2383   pages =        "156101",
2384   numpages =     "4",
2385   year =         "2002",
2386   month =        sep,
2387   doi =          "10.1103/PhysRevLett.89.156101",
2388   publisher =    "American Physical Society",
2389   notes =        "sic/si interface study",
2390 }
2391
2392 @Article{pizzagalli03,
2393   title =        "Theoretical investigations of a highly mismatched
2394                  interface: Si{C}/Si(001)",
2395   author =       "Laurent Pizzagalli and Giancarlo Cicero and Alessandra
2396                  Catellani",
2397   journal =      "Phys. Rev. B",
2398   volume =       "68",
2399   number =       "19",
2400   pages =        "195302",
2401   numpages =     "10",
2402   year =         "2003",
2403   month =        nov,
2404   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.195302",
2405   publisher =    "American Physical Society",
2406   notes =        "tersoff md and ab initio sic/si interface study",
2407 }
2408
2409 @Article{tang07,
2410   title =        "Atomic configurations of dislocation core and twin
2411                  boundaries in $ 3{C}-Si{C} $ studied by high-resolution
2412                  electron microscopy",
2413   author =       "C. Y. Tang and F. H. Li and R. Wang and J. Zou and X.
2414                  H. Zheng and J. W. Liang",
2415   journal =      "Phys. Rev. B",
2416   volume =       "75",
2417   number =       "18",
2418   pages =        "184103",
2419   numpages =     "7",
2420   year =         "2007",
2421   month =        may,
2422   doi =          "10.1103/PhysRevB.75.184103",
2423   publisher =    "American Physical Society",
2424   notes =        "hrem image deconvolution on 3c-sic on si, distinguish
2425                  si and c",
2426 }
2427
2428 @Article{hornstra58,
2429   title =        "Dislocations in the diamond lattice",
2430   journal =      "Journal of Physics and Chemistry of Solids",
2431   volume =       "5",
2432   number =       "1-2",
2433   pages =        "129--141",
2434   year =         "1958",
2435   note =         "",
2436   ISSN =         "0022-3697",
2437   doi =          "DOI: 10.1016/0022-3697(58)90138-0",
2438   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXR-46MMPHJ-10D/2/7176c01c29cd4e73faa26ab2aacdcea5",
2439   author =       "J. Hornstra",
2440   notes =        "dislocations in diamond lattice",
2441 }
2442
2443 @Article{eichhorn99,
2444   author =       "F. Eichhorn and N. Schell and W. Matz and R.
2445                  K{\"{o}}gler",
2446   collaboration = "",
2447   title =        "Strain and Si{C} particle formation in silicon
2448                  implanted with carbon ions of medium fluence studied by
2449                  synchrotron x-ray diffraction",
2450   publisher =    "AIP",
2451   year =         "1999",
2452   journal =      "Journal of Applied Physics",
2453   volume =       "86",
2454   number =       "8",
2455   pages =        "4184--4187",
2456   keywords =     "silicon; carbon; elemental semiconductors; chemical
2457                  interdiffusion; ion implantation; X-ray diffraction;
2458                  precipitation; semiconductor doping",
2459   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/86/4184/1",
2460   doi =          "10.1063/1.371344",
2461   notes =        "sic conversion by ibs, detected substitutional carbon,
2462                  expansion of si lattice",
2463 }
2464
2465 @Article{eichhorn02,
2466   author =       "F. Eichhorn and N. Schell and A. M{\"{u}}cklich and H.
2467                  Metzger and W. Matz and R. K{\"{o}}gler",
2468   collaboration = "",
2469   title =        "Structural relation between Si and Si{C} formed by
2470                  carbon ion implantation",
2471   publisher =    "AIP",
2472   year =         "2002",
2473   journal =      "Journal of Applied Physics",
2474   volume =       "91",
2475   number =       "3",
2476   pages =        "1287--1292",
2477   keywords =     "silicon compounds; wide band gap semiconductors; ion
2478                  implantation; annealing; X-ray scattering; transmission
2479                  electron microscopy",
2480   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/91/1287/1",
2481   doi =          "10.1063/1.1428105",
2482   notes =        "3c-sic alignement to si host in ibs depending on
2483                  temperature, might explain c int to c sub trafo",
2484 }
2485
2486 @Article{lucas10,
2487   author =       "G Lucas and M Bertolus and L Pizzagalli",
2488   title =        "An environment-dependent interatomic potential for
2489                  silicon carbide: calculation of bulk properties,
2490                  high-pressure phases, point and extended defects, and
2491                  amorphous structures",
2492   journal =      "Journal of Physics: Condensed Matter",
2493   volume =       "22",
2494   number =       "3",
2495   pages =        "035802",
2496   URL =          "http://stacks.iop.org/0953-8984/22/i=3/a=035802",
2497   year =         "2010",
2498   notes =        "edip sic",
2499 }
2500
2501 @Article{godet03,
2502   author =       "J Godet and L Pizzagalli and S Brochard and P
2503                  Beauchamp",
2504   title =        "Comparison between classical potentials and ab initio
2505                  methods for silicon under large shear",
2506   journal =      "Journal of Physics: Condensed Matter",
2507   volume =       "15",
2508   number =       "41",
2509   pages =        "6943",
2510   URL =          "http://stacks.iop.org/0953-8984/15/i=41/a=004",
2511   year =         "2003",
2512   notes =        "comparison of empirical potentials, stillinger weber,
2513                  edip, tersoff, ab initio",
2514 }
2515
2516 @Article{moriguchi98,
2517   title =        "Verification of Tersoff's Potential for Static
2518                  Structural Analysis of Solids of Group-{IV} Elements",
2519   author =       "Koji Moriguchi and Akira Shintani",
2520   journal =      "Japanese Journal of Applied Physics",
2521   volume =       "37",
2522   number =       "Part 1, No. 2",
2523   pages =        "414--422",
2524   numpages =     "8",
2525   year =         "1998",
2526   URL =          "http://jjap.ipap.jp/link?JJAP/37/414/",
2527   doi =          "10.1143/JJAP.37.414",
2528   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
2529   notes =        "tersoff stringent test",
2530 }
2531
2532 @Article{mazzarolo01,
2533   title =        "Low-energy recoils in crystalline silicon: Quantum
2534                  simulations",
2535   author =       "Massimiliano Mazzarolo and Luciano Colombo and Giorgio
2536                  Lulli and Eros Albertazzi",
2537   journal =      "Phys. Rev. B",
2538   volume =       "63",
2539   number =       "19",
2540   pages =        "195207",
2541   numpages =     "4",
2542   year =         "2001",
2543   month =        apr,
2544   doi =          "10.1103/PhysRevB.63.195207",
2545   publisher =    "American Physical Society",
2546 }
2547
2548 @Article{holmstroem08,
2549   title =        "Threshold defect production in silicon determined by
2550                  density functional theory molecular dynamics
2551                  simulations",
2552   author =       "E. Holmstr{\"o}m and A. Kuronen and K. Nordlund",
2553   journal =      "Phys. Rev. B",
2554   volume =       "78",
2555   number =       "4",
2556   pages =        "045202",
2557   numpages =     "6",
2558   year =         "2008",
2559   month =        jul,
2560   doi =          "10.1103/PhysRevB.78.045202",
2561   publisher =    "American Physical Society",
2562   notes =        "threshold displacement comparison empirical and ab
2563                  initio",
2564 }
2565
2566 @Article{nordlund97,
2567   title =        "Repulsive interatomic potentials calculated using
2568                  Hartree-Fock and density-functional theory methods",
2569   journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
2570                  Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
2571   volume =       "132",
2572   number =       "1",
2573   pages =        "45--54",
2574   year =         "1997",
2575   note =         "",
2576   ISSN =         "0168-583X",
2577   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(97)00447-3",
2578   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-4CP0TGF-91/2/1a9100c0aae82d2d258fc83dfdba23c1",
2579   author =       "K. Nordlund and N. Runeberg and D. Sundholm",
2580   notes =        "repulsive ab initio potential",
2581 }
2582
2583 @Article{kresse96,
2584   title =        "Efficiency of ab-initio total energy calculations for
2585                  metals and semiconductors using a plane-wave basis
2586                  set",
2587   journal =      "Computational Materials Science",
2588   volume =       "6",
2589   number =       "1",
2590   pages =        "15--50",
2591   year =         "1996",
2592   note =         "",
2593   ISSN =         "0927-0256",
2594   doi =          "DOI: 10.1016/0927-0256(96)00008-0",
2595   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TWM-3VRVTBF-3/2/88689b1eacfe2b5fe57f09d37eff3b74",
2596   author =       "G. Kresse and J. Furthm{\"{u}}ller",
2597   notes =        "vasp ref",
2598 }
2599
2600 @Article{bloechl94,
2601   title =        "Projector augmented-wave method",
2602   author =       "P. E. Bl{\"o}chl",
2603   journal =      "Phys. Rev. B",
2604   volume =       "50",
2605   number =       "24",
2606   pages =        "17953--17979",
2607   numpages =     "26",
2608   year =         "1994",
2609   month =        dec,
2610   doi =          "10.1103/PhysRevB.50.17953",
2611   publisher =    "American Physical Society",
2612   notes =        "paw method",
2613 }
2614
2615 @Article{hamann79,
2616   title =        "Norm-Conserving Pseudopotentials",
2617   author =       "D. R. Hamann and M. Schl{\"u}ter and C. Chiang",
2618   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2619   volume =       "43",
2620   number =       "20",
2621   pages =        "1494--1497",
2622   numpages =     "3",
2623   year =         "1979",
2624   month =        nov,
2625   doi =          "10.1103/PhysRevLett.43.1494",
2626   publisher =    "American Physical Society",
2627   notes =        "norm-conserving pseudopotentials",
2628 }
2629
2630 @Article{vanderbilt90,
2631   title =        "Soft self-consistent pseudopotentials in a generalized
2632                  eigenvalue formalism",
2633   author =       "David Vanderbilt",
2634   journal =      "Phys. Rev. B",
2635   volume =       "41",
2636   number =       "11",
2637   pages =        "7892--7895",
2638   numpages =     "3",
2639   year =         "1990",
2640   month =        apr,
2641   doi =          "10.1103/PhysRevB.41.7892",
2642   publisher =    "American Physical Society",
2643   notes =        "vasp pseudopotentials",
2644 }
2645
2646 @Article{perdew86,
2647   title =        "Accurate and simple density functional for the
2648                  electronic exchange energy: Generalized gradient
2649                  approximation",
2650   author =       "John P. Perdew and Wang Yue",
2651   journal =      "Phys. Rev. B",
2652   volume =       "33",
2653   number =       "12",
2654   pages =        "8800--8802",
2655   numpages =     "2",
2656   year =         "1986",
2657   month =        jun,
2658   doi =          "10.1103/PhysRevB.33.8800",
2659   publisher =    "American Physical Society",
2660   notes =        "rapid communication gga",
2661 }
2662
2663 @Article{perdew02,
2664   title =        "Generalized gradient approximations for exchange and
2665                  correlation: {A} look backward and forward",
2666   journal =      "Physica B: Condensed Matter",
2667   volume =       "172",
2668   number =       "1-2",
2669   pages =        "1--6",
2670   year =         "1991",
2671   note =         "",
2672   ISSN =         "0921-4526",
2673   doi =          "DOI: 10.1016/0921-4526(91)90409-8",
2674   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVH-46G8GR9-3D/2/18e610a616e4d80b934079c89063ece7",
2675   author =       "John P. Perdew",
2676   notes =        "gga overview",
2677 }
2678
2679 @Article{perdew92,
2680   title =        "Atoms, molecules, solids, and surfaces: Applications
2681                  of the generalized gradient approximation for exchange
2682                  and correlation",
2683   author =       "John P. Perdew and J. A. Chevary and S. H. Vosko and
2684                  Koblar A. Jackson and Mark R. Pederson and D. J. Singh
2685                  and Carlos Fiolhais",
2686   journal =      "Phys. Rev. B",
2687   volume =       "46",
2688   number =       "11",
2689   pages =        "6671--6687",
2690   numpages =     "16",
2691   year =         "1992",
2692   month =        sep,
2693   doi =          "10.1103/PhysRevB.46.6671",
2694   publisher =    "American Physical Society",
2695   notes =        "gga pw91 (as in vasp)",
2696 }
2697
2698 @Article{baldereschi73,
2699   title =        "Mean-Value Point in the Brillouin Zone",
2700   author =       "A. Baldereschi",
2701   journal =      "Phys. Rev. B",
2702   volume =       "7",
2703   number =       "12",
2704   pages =        "5212--5215",
2705   numpages =     "3",
2706   year =         "1973",
2707   month =        jun,
2708   doi =          "10.1103/PhysRevB.7.5212",
2709   publisher =    "American Physical Society",
2710   notes =        "mean value k point",
2711 }
2712
2713 @Article{zhu98,
2714   title =        "Ab initio pseudopotential calculations of dopant
2715                  diffusion in Si",
2716   journal =      "Computational Materials Science",
2717   volume =       "12",
2718   number =       "4",
2719   pages =        "309--318",
2720   year =         "1998",
2721   note =         "",
2722   ISSN =         "0927-0256",
2723   doi =          "DOI: 10.1016/S0927-0256(98)00023-8",
2724   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TWM-3VB7F2K-7/2/aa864582273be8e054300efb7bd16a1b",
2725   author =       "Jing Zhu",
2726   keywords =     "TED (transient enhanced diffusion)",
2727   keywords =     "Boron dopant",
2728   keywords =     "Carbon dopant",
2729   keywords =     "Defect",
2730   keywords =     "ab initio pseudopotential method",
2731   keywords =     "Impurity cluster",
2732   notes =        "binding of c to si interstitial, c in si defects",
2733 }
2734
2735 @Article{nejim95,
2736   author =       "A. Nejim and P. L. F. Hemment and J. Stoemenos",
2737   collaboration = "",
2738   title =        "Si{C} buried layer formation by ion beam synthesis at
2739                  950 [degree]{C}",
2740   publisher =    "AIP",
2741   year =         "1995",
2742   journal =      "Applied Physics Letters",
2743   volume =       "66",
2744   number =       "20",
2745   pages =        "2646--2648",
2746   keywords =     "SILICON; ION IMPLANTATION; CARBON IONS; SILICON
2747                  CARBIDES; BURIED LAYERS; SYNTHESIS; KEV RANGE 100 --
2748                  1000; CRYSTAL DEFECTS; MORPHOLOGY; RBS; TRANSMISSION
2749                  ELECTRON MICROSCOPY",
2750   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/66/2646/1",
2751   doi =          "10.1063/1.113112",
2752   notes =        "precipitation mechanism by substitutional carbon, si
2753                  self interstitials react with further implanted c",
2754 }
2755
2756 @Article{guedj98,
2757   author =       "C. Guedj and M. W. Dashiell and L. Kulik and J.
2758                  Kolodzey and A. Hairie",
2759   collaboration = "",
2760   title =        "Precipitation of beta-Si{C} in Si[sub 1 - y]{C}[sub y]
2761                  alloys",
2762   publisher =    "AIP",
2763   year =         "1998",
2764   journal =      "Journal of Applied Physics",
2765   volume =       "84",
2766   number =       "8",
2767   pages =        "4631--4633",
2768   keywords =     "silicon compounds; precipitation; localised modes;
2769                  semiconductor epitaxial layers; infrared spectra;
2770                  Fourier transform spectra; thermal stability;
2771                  annealing",
2772   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/84/4631/1",
2773   doi =          "10.1063/1.368703",
2774   notes =        "coherent 3C-SiC, topotactic, critical coherence size",
2775 }
2776
2777 @Article{jones04,
2778   author =       "R Jones and B J Coomer and P R Briddon",
2779   title =        "Quantum mechanical modelling of defects in
2780                  semiconductors",
2781   journal =      "Journal of Physics: Condensed Matter",
2782   volume =       "16",
2783   number =       "27",
2784   pages =        "S2643",
2785   URL =          "http://stacks.iop.org/0953-8984/16/i=27/a=004",
2786   year =         "2004",
2787   notes =        "ab inito init, vibrational modes, c defect in si",
2788 }
2789
2790 @Article{park02,
2791   author =       "S. Y. Park and J. D'Arcy-Gall and D. Gall and J. A. N.
2792                  T Soares and Y.-W. Kim and H. Kim and P. Desjardins and
2793                  J. E. Greene and S. G. Bishop",
2794   collaboration = "",
2795   title =        "Carbon incorporation pathways and lattice sites in
2796                  Si[sub 1 - y]{C}[sub y] alloys grown on Si(001) by
2797                  molecular-beam epitaxy",
2798   publisher =    "AIP",
2799   year =         "2002",
2800   journal =      "Journal of Applied Physics",
2801   volume =       "91",
2802   number =       "9",
2803   pages =        "5716--5727",
2804   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/91/5716/1",
2805   doi =          "10.1063/1.1465122",
2806   notes =        "c substitutional incorporation pathway, dft and expt",
2807 }
2808
2809 @Article{leary97,
2810   title =        "Dynamic properties of interstitial carbon and
2811                  carbon-carbon pair defects in silicon",
2812   author =       "P. Leary and R. Jones and S. {\"O}berg and V. J. B.
2813                  Torres",
2814   journal =      "Phys. Rev. B",
2815   volume =       "55",
2816   number =       "4",
2817   pages =        "2188--2194",
2818   numpages =     "6",
2819   year =         "1997",
2820   month =        jan,
2821   doi =          "10.1103/PhysRevB.55.2188",
2822   publisher =    "American Physical Society",
2823   notes =        "ab initio c in si and di-carbon defect, no formation
2824                  energies, different migration barriers and paths",
2825 }
2826
2827 @Article{burnard93,
2828   title =        "Interstitial carbon and the carbon-carbon pair in
2829                  silicon: Semiempirical electronic-structure
2830                  calculations",
2831   author =       "Matthew J. Burnard and Gary G. DeLeo",
2832   journal =      "Phys. Rev. B",
2833   volume =       "47",
2834   number =       "16",
2835   pages =        "10217--10225",
2836   numpages =     "8",
2837   year =         "1993",
2838   month =        apr,
2839   doi =          "10.1103/PhysRevB.47.10217",
2840   publisher =    "American Physical Society",
2841   notes =        "semi empirical mndo, pm3 and mindo3 c in si and di
2842                  carbon defect, formation energies",
2843 }
2844
2845 @Article{besson91,
2846   title =        "Electronic structure of interstitial carbon in
2847                  silicon",
2848   author =       "Morgan Besson and Gary G. DeLeo",
2849   journal =      "Phys. Rev. B",
2850   volume =       "43",
2851   number =       "5",
2852   pages =        "4028--4033",
2853   numpages =     "5",
2854   year =         "1991",
2855   month =        feb,
2856   doi =          "10.1103/PhysRevB.43.4028",
2857   publisher =    "American Physical Society",
2858 }
2859
2860 @Article{kaxiras96,
2861   title =        "Review of atomistic simulations of surface diffusion
2862                  and growth on semiconductors",
2863   journal =      "Computational Materials Science",
2864   volume =       "6",
2865   number =       "2",
2866   pages =        "158--172",
2867   year =         "1996",
2868   note =         "Proceedings of the Workshop on Virtual Molecular Beam
2869                  Epitaxy",
2870   ISSN =         "0927-0256",
2871   doi =          "DOI: 10.1016/0927-0256(96)00030-4",
2872   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TWM-3VSFF1G-7/2/afc8408b00ded1ca2dc3ad1686c2dae6",
2873   author =       "Efthimios Kaxiras",
2874   notes =        "might contain c 100 db formation energy, overview md,
2875                  tight binding, first principles",
2876 }
2877
2878 @Article{kaukonen98,
2879   title =        "Effect of {N} and {B} doping on the growth of {CVD}
2880                  diamond
2881                  $(100):{H}(2\ifmmode\times\else\texttimes\fi{}1)$
2882                  surfaces",
2883   author =       "M. Kaukonen and P. K. Sitch and G. Jungnickel and R.
2884                  M. Nieminen and Sami P{\"o}ykk{\"o} and D. Porezag and
2885                  Th. Frauenheim",
2886   journal =      "Phys. Rev. B",
2887   volume =       "57",
2888   number =       "16",
2889   pages =        "9965--9970",
2890   numpages =     "5",
2891   year =         "1998",
2892   month =        apr,
2893   doi =          "10.1103/PhysRevB.57.9965",
2894   publisher =    "American Physical Society",
2895   notes =        "constrained conjugate gradient relaxation technique
2896                  (crt)",
2897 }
2898
2899 @Article{gali03,
2900   title =        "Correlation between the antisite pair and the ${DI}$
2901                  center in Si{C}",
2902   author =       "A. Gali and P. De\'ak and E. Rauls and N. T. Son and
2903                  I. G. Ivanov and F. H. C. Carlsson and E. Janz\'en and
2904                  W. J. Choyke",
2905   journal =      "Phys. Rev. B",
2906   volume =       "67",
2907   number =       "15",
2908   pages =        "155203",
2909   numpages =     "5",
2910   year =         "2003",
2911   month =        apr,
2912   doi =          "10.1103/PhysRevB.67.155203",
2913   publisher =    "American Physical Society",
2914 }
2915
2916 @Article{chen98,
2917   title =        "Production and recovery of defects in Si{C} after
2918                  irradiation and deformation",
2919   journal =      "Journal of Nuclear Materials",
2920   volume =       "258-263",
2921   number =       "Part 2",
2922   pages =        "1803--1808",
2923   year =         "1998",
2924   note =         "",
2925   ISSN =         "0022-3115",
2926   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-3115(98)00139-1",
2927   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXN-43G486N-47/2/56905f48f025ab98e5de4d6cde09c62b",
2928   author =       "J. Chen and P. Jung and H. Klein",
2929 }
2930
2931 @Article{weber01,
2932   title =        "Accumulation, dynamic annealing and thermal recovery
2933                  of ion-beam-induced disorder in silicon carbide",
2934   journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
2935                  Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
2936   volume =       "175-177",
2937   number =       "",
2938   pages =        "26--30",
2939   year =         "2001",
2940   note =         "",
2941   ISSN =         "0168-583X",
2942   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(00)00542-5",
2943   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-435KH7Y-2R/2/8acc176700c95bb8614d96c40cfc5577",
2944   author =       "W. J. Weber and W. Jiang and S. Thevuthasan",
2945   keywords =     "Amorphization",
2946   keywords =     "Irradiation effects",
2947   keywords =     "Thermal recovery",
2948   keywords =     "Silicon carbide",
2949 }
2950
2951 @Article{bockstedte03,
2952   title =        "Ab initio study of the migration of intrinsic defects
2953                  in $3{C}-Si{C}$",
2954   author =       "Michel Bockstedte and Alexander Mattausch and Oleg
2955                  Pankratov",
2956   journal =      "Phys. Rev. B",
2957   volume =       "68",
2958   number =       "20",
2959   pages =        "205201",
2960   numpages =     "17",
2961   year =         "2003",
2962   month =        nov,
2963   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.205201",
2964   publisher =    "American Physical Society",
2965   notes =        "defect migration in sic",
2966 }
2967
2968 @Article{rauls03a,
2969   title =        "Theoretical study of vacancy diffusion and
2970                  vacancy-assisted clustering of antisites in Si{C}",
2971   author =       "E. Rauls and Th. Frauenheim and A. Gali and P.
2972                  De\'ak",
2973   journal =      "Phys. Rev. B",
2974   volume =       "68",
2975   number =       "15",
2976   pages =        "155208",
2977   numpages =     "9",
2978   year =         "2003",
2979   month =        oct,
2980   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.155208",
2981   publisher =    "American Physical Society",
2982 }