bibdb/bibdb.bib

   1 %
   2 % bibliography database
   3 %
   4
   5 @Article{albe_sic_pot,
   6   author =       "Paul Erhart and Karsten Albe",
   7   title =        "Analytical potential for atomistic simulations of
   8                  silicon, carbon, and silicon carbide",
   9   publisher =    "APS",
  10   year =         "2005",
  11   journal =      "Phys. Rev. B",
  12   volume =       "71",
  13   number =       "3",
  14   eid =          "035211",
  15   numpages =     "14",
  16   pages =        "035211",
  17   notes =        "alble reparametrization, analytical bond oder
  18                  potential (ABOP)",
  19   keywords =     "silicon; elemental semiconductors; carbon; silicon
  20                  compounds; wide band gap semiconductors; elasticity;
  21                  enthalpy; point defects; crystallographic shear; atomic
  22                  forces",
  23   URL =          "http://link.aps.org/abstract/PRB/v71/e035211",
  24   doi =          "10.1103/PhysRevB.71.035211",
  25 }
  26
  27 @Article{albe2002,
  28   title =        "Modeling the metal-semiconductor interaction:
  29                  Analytical bond-order potential for platinum-carbon",
  30   author =       "Karsten Albe and Kai Nordlund and Robert S. Averback",
  31   journal =      "Phys. Rev. B",
  32   volume =       "65",
  33   number =       "19",
  34   pages =        "195124",
  35   numpages =     "11",
  36   year =         "2002",
  37   month =        may,
  38   doi =          "10.1103/PhysRevB.65.195124",
  39   publisher =    "American Physical Society",
  40   notes =        "derivation of albe bond order formalism",
  41 }
  42
  43 @Article{bean71,
  44   title =        "The solubility of carbon in pulled silicon crystals",
  45   journal =      "Journal of Physics and Chemistry of Solids",
  46   volume =       "32",
  47   number =       "6",
  48   pages =        "1211--1219",
  49   year =         "1971",
  50   note =         "",
  51   ISSN =         "0022-3697",
  52   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-3697(71)80179-8",
  53   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXR-4PR80SS-D/2/ce21d10d2bb885b5641905883a618ff5",
  54   author =       "A. R. Bean and R. C. Newman",
  55   notes =        "experimental solubility data of carbon in silicon",
  56 }
  57
  58 @Article{capano97,
  59   author =       "M. A. Capano and R. J. Trew",
  60   title =        "Silicon Carbide Electronic Materials and Devices",
  61   journal =      "MRS Bull.",
  62   volume =       "22",
  63   pages =        "19",
  64   year =         "1997",
  65 }
  66
  67 @Article{fischer90,
  68   author =       "G. R. Fisher and P. Barnes",
  69   title =        "Towards a unified view of polytypism in silicon
  70                  carbide",
  71   journal =      "Philos. Mag. B",
  72   volume =       "61",
  73   pages =        "217--236",
  74   year =         "1990",
  75   notes =        "sic polytypes",
  76 }
  77
  78 @Article{koegler03,
  79   author =       "R. K{\"{o}}gler and F. Eichhorn and J. R. Kaschny and
  80                  A. M{\"{u}}cklich and H. Reuther and W. Skorupa and C.
  81                  Serre and A. Perez-Rodriguez",
  82   title =        "Synthesis of nano-sized Si{C} precipitates in Si by
  83                  simultaneous dual-beam implantation of {C}+ and Si+
  84                  ions",
  85   journal =      "Appl. Phys. A: Mater. Sci. Process.",
  86   volume =       "76",
  87   pages =        "827--835",
  88   month =        mar,
  89   year =         "2003",
  90   notes =        "dual implantation, sic prec enhanced by vacancies,
  91                  precipitation by interstitial and substitutional
  92                  carbon, both mechanisms explained + refs",
  93 }
  94
  95 @Article{skorupa96,
  96   title =        "Carbon-mediated effects in silicon and in
  97                  silicon-related materials",
  98   journal =      "Materials Chemistry and Physics",
  99   volume =       "44",
 100   number =       "2",
 101   pages =        "101--143",
 102   year =         "1996",
 103   note =         "",
 104   ISSN =         "0254-0584",
 105   doi =          "DOI: 10.1016/0254-0584(95)01673-I",
 106   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TX4-3VR9V74-2/2/4ab972315eb79eaa76b55ffab5aed982",
 107   author =       "W. Skorupa and R. A. Yankov",
 108   notes =        "review of silicon carbon compound",
 109 }
 110
 111 @Book{laplace,
 112   author =       "P. S. de Laplace",
 113   title =        "Th\'eorie analytique des probabilit\'es",
 114   series =       "Oeuvres Compl\`etes de Laplace",
 115   volume =       "VII",
 116   publisher =    "Gauthier-Villars",
 117   year =         "1820",
 118 }
 119
 120 @Article{mattoni2007,
 121   author =       "A. {Mattoni} and M. {Ippolito} and L. {Colombo}",
 122   title =        "{Atomistic modeling of brittleness in covalent
 123                  materials}",
 124   journal =      "Phys. Rev. B",
 125   year =         "2007",
 126   month =        dec,
 127   volume =       "76",
 128   number =       "22",
 129   pages =        "224103",
 130   doi =          "10.1103/PhysRevB.76.224103",
 131   notes =        "adopted tersoff potential for Si, C, Ge ad SiC;
 132                  longe(r)-range-interactions, brittle propagation of
 133                  fracture, more available potentials, universal energy
 134                  relation (uer), minimum range model (mrm)",
 135 }
 136
 137 @Article{balamane92,
 138   title =        "Comparative study of silicon empirical interatomic
 139                  potentials",
 140   author =       "H. Balamane and T. Halicioglu and W. A. Tiller",
 141   journal =      "Phys. Rev. B",
 142   volume =       "46",
 143   number =       "4",
 144   pages =        "2250--2279",
 145   numpages =     "29",
 146   year =         "1992",
 147   month =        jul,
 148   doi =          "10.1103/PhysRevB.46.2250",
 149   publisher =    "American Physical Society",
 150   notes =        "comparison of classical potentials for si",
 151 }
 152
 153 @Article{koster2002,
 154   title =        "Stress relaxation in $a-Si$ induced by ion
 155                  bombardment",
 156   author =       "H. M. Urbassek M. Koster",
 157   journal =      "Phys. Rev. B",
 158   volume =       "62",
 159   number =       "16",
 160   pages =        "11219--11224",
 161   numpages =     "5",
 162   year =         "2000",
 163   month =        oct,
 164   doi =          "10.1103/PhysRevB.62.11219",
 165   publisher =    "American Physical Society",
 166   notes =        "virial derivation for 3-body tersoff potential",
 167 }
 168
 169 @Article{breadmore99,
 170   title =        "Direct simulation of ion-beam-induced stressing and
 171                  amorphization of silicon",
 172   author =       "N. Gr\o{}nbech-Jensen K. M. Beardmore",
 173   journal =      "Phys. Rev. B",
 174   volume =       "60",
 175   number =       "18",
 176   pages =        "12610--12616",
 177   numpages =     "6",
 178   year =         "1999",
 179   month =        nov,
 180   doi =          "10.1103/PhysRevB.60.12610",
 181   publisher =    "American Physical Society",
 182   notes =        "virial derivation for 3-body tersoff potential",
 183 }
 184
 185 @Article{moissan04,
 186   author =       "Henri Moissan",
 187   title =        "Nouvelles recherches sur la météorité de Cañon
 188                  Diablo",
 189   journal =      "Comptes rendus de l'Académie des Sciences",
 190   volume =       "139",
 191   pages =        "773--786",
 192   year =         "1904",
 193 }
 194
 195 @Book{park98,
 196   author =       "Y. S. Park",
 197   title =        "Si{C} Materials and Devices",
 198   publisher =    "Academic Press",
 199   address =      "San Diego",
 200   year =         "1998",
 201 }
 202
 203 @Article{tsvetkov98,
 204   author =       "Valeri F. Tsvetkov and R. C. Glass and D. Henshall and
 205                  Calvin H. Carter Jr. and D. Asbury",
 206   title =        "Si{C} Seeded Boule Growth",
 207   journal =      "Materials Science Forum",
 208   volume =       "264-268",
 209   pages =        "3--8",
 210   year =         "1998",
 211   notes =        "modified lely process, micropipes",
 212 }
 213
 214 @Article{verlet67,
 215   title =        "Computer {"}Experiments{"} on Classical Fluids. {I}.
 216                  Thermodynamical Properties of Lennard-Jones Molecules",
 217   author =       "Loup Verlet",
 218   journal =      "Phys. Rev.",
 219   volume =       "159",
 220   number =       "1",
 221   pages =        "98",
 222   year =         "1967",
 223   month =        jul,
 224   doi =          "10.1103/PhysRev.159.98",
 225   publisher =    "American Physical Society",
 226   notes =        "velocity verlet integration algorithm equation of
 227                  motion",
 228 }
 229
 230 @Article{berendsen84,
 231   author =       "H. J. C. Berendsen and J. P. M. Postma and W. F. van
 232                  Gunsteren and A. DiNola and J. R. Haak",
 233   collaboration = "",
 234   title =        "Molecular dynamics with coupling to an external bath",
 235   publisher =    "AIP",
 236   year =         "1984",
 237   journal =      "J. Chem. Phys.",
 238   volume =       "81",
 239   number =       "8",
 240   pages =        "3684--3690",
 241   keywords =     "MOLECULAR DYNAMICS CALCULATION; TRANSPORT THEORY;
 242                  COMPUTERIZED SIMULATION; LIQUIDS; STRUCTURE FACTORS",
 243   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/81/3684/1",
 244   doi =          "10.1063/1.448118",
 245   notes =        "berendsen thermostat barostat",
 246 }
 247
 248 @Article{huang95,
 249   author =       "Hanchen Huang and N M Ghoniem and J K Wong and M
 250                  Baskes",
 251   title =        "Molecular dynamics determination of defect energetics
 252                  in beta -Si{C} using three representative empirical
 253                  potentials",
 254   journal =      "Modell. Simul. Mater. Sci. Eng.",
 255   volume =       "3",
 256   number =       "5",
 257   pages =        "615--627",
 258   URL =          "http://stacks.iop.org/0965-0393/3/615",
 259   notes =        "comparison of tersoff, pearson and eam for defect
 260                  energetics in sic; (m)eam parameters for sic",
 261   year =         "1995",
 262 }
 263
 264 @Article{brenner89,
 265   title =        "Relationship between the embedded-atom method and
 266                  Tersoff potentials",
 267   author =       "Donald W. Brenner",
 268   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 269   volume =       "63",
 270   number =       "9",
 271   pages =        "1022",
 272   numpages =     "1",
 273   year =         "1989",
 274   month =        aug,
 275   doi =          "10.1103/PhysRevLett.63.1022",
 276   publisher =    "American Physical Society",
 277   notes =        "relation of tersoff and eam potential",
 278 }
 279
 280 @Article{batra87,
 281   title =        "Molecular-dynamics study of self-interstitials in
 282                  silicon",
 283   author =       "Inder P. Batra and Farid F. Abraham and S. Ciraci",
 284   journal =      "Phys. Rev. B",
 285   volume =       "35",
 286   number =       "18",
 287   pages =        "9552--9558",
 288   numpages =     "6",
 289   year =         "1987",
 290   month =        jun,
 291   doi =          "10.1103/PhysRevB.35.9552",
 292   publisher =    "American Physical Society",
 293   notes =        "selft-interstitials in silicon, stillinger-weber,
 294                  calculation of defect formation energy, defect
 295                  interstitial types",
 296 }
 297
 298 @Article{schober89,
 299   title =        "Extended interstitials in silicon and germanium",
 300   author =       "H. R. Schober",
 301   journal =      "Phys. Rev. B",
 302   volume =       "39",
 303   number =       "17",
 304   pages =        "13013--13015",
 305   numpages =     "2",
 306   year =         "1989",
 307   month =        jun,
 308   doi =          "10.1103/PhysRevB.39.13013",
 309   publisher =    "American Physical Society",
 310   notes =        "stillinger-weber silicon 110 stable and metastable
 311                  dumbbell configuration",
 312 }
 313
 314 @Article{gao02a,
 315   title =        "Cascade overlap and amorphization in $3{C}-Si{C}:$
 316                  Defect accumulation, topological features, and
 317                  disordering",
 318   author =       "F. Gao and W. J. Weber",
 319   journal =      "Phys. Rev. B",
 320   volume =       "66",
 321   number =       "2",
 322   pages =        "024106",
 323   numpages =     "10",
 324   year =         "2002",
 325   month =        jul,
 326   doi =          "10.1103/PhysRevB.66.024106",
 327   publisher =    "American Physical Society",
 328   notes =        "sic intro, si cascade in 3c-sic, amorphization,
 329                  tersoff modified, pair correlation of amorphous sic, md
 330                  result analyze",
 331 }
 332
 333 @Article{devanathan98,
 334   title =        "Computer simulation of a 10 ke{V} Si displacement
 335                  cascade in Si{C}",
 336   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
 337   volume =       "141",
 338   number =       "1-4",
 339   pages =        "118--122",
 340   year =         "1998",
 341   ISSN =         "0168-583X",
 342   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00084-6",
 343   author =       "R. Devanathan and W. J. Weber and T. Diaz de la
 344                  Rubia",
 345   notes =        "modified tersoff short range potential, ab initio
 346                  3c-sic",
 347 }
 348
 349 @Article{devanathan98_2,
 350   title =        "Displacement threshold energies in [beta]-Si{C}",
 351   journal =      "J. Nucl. Mater.",
 352   volume =       "253",
 353   number =       "1-3",
 354   pages =        "47--52",
 355   year =         "1998",
 356   ISSN =         "0022-3115",
 357   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-3115(97)00304-8",
 358   author =       "R. Devanathan and T. Diaz de la Rubia and W. J.
 359                  Weber",
 360   notes =        "modified tersoff, ab initio, combined ab initio
 361                  tersoff",
 362 }
 363
 364 @Article{kitabatake00,
 365   title =        "Si{C}/Si heteroepitaxial growth",
 366   author =       "M. Kitabatake",
 367   journal =      "Thin Solid Films",
 368   volume =       "369",
 369   pages =        "257--264",
 370   numpages =     "8",
 371   year =         "2000",
 372   notes =        "md simulation, sic si heteroepitaxy, mbe",
 373 }
 374
 375 @Article{tang97,
 376   title =        "Intrinsic point defects in crystalline silicon:
 377                  Tight-binding molecular dynamics studies of
 378                  self-diffusion, interstitial-vacancy recombination, and
 379                  formation volumes",
 380   author =       "M. Tang and L. Colombo and J. Zhu and T. Diaz de la
 381                  Rubia",
 382   journal =      "Phys. Rev. B",
 383   volume =       "55",
 384   number =       "21",
 385   pages =        "14279--14289",
 386   numpages =     "10",
 387   year =         "1997",
 388   month =        jun,
 389   doi =          "10.1103/PhysRevB.55.14279",
 390   publisher =    "American Physical Society",
 391   notes =        "si self interstitial, diffusion, tbmd",
 392 }
 393
 394 @Article{johnson98,
 395   author =       "M. D. Johnson and M.-J. Caturla and T. D\'{\i}az de la
 396                  Rubia",
 397   collaboration = "",
 398   title =        "A kinetic Monte--Carlo study of the effective
 399                  diffusivity of the silicon self-interstitial in the
 400                  presence of carbon and boron",
 401   publisher =    "AIP",
 402   year =         "1998",
 403   journal =      "J. Appl. Phys.",
 404   volume =       "84",
 405   number =       "4",
 406   pages =        "1963--1967",
 407   keywords =     "MONTE CARLO METHOD; DIFFUSION; SILICON; INTERSTITIALS;
 408                  CARBON ADDITIONS; BORON ADDITIONS; elemental
 409                  semiconductors; self-diffusion",
 410   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/84/1963/1",
 411   doi =          "10.1063/1.368328",
 412   notes =        "kinetic monte carlo of si self interstitial
 413                  diffsuion",
 414 }
 415
 416 @Article{bar-yam84,
 417   title =        "Barrier to Migration of the Silicon
 418                  Self-Interstitial",
 419   author =       "Y. Bar-Yam and J. D. Joannopoulos",
 420   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 421   volume =       "52",
 422   number =       "13",
 423   pages =        "1129--1132",
 424   numpages =     "3",
 425   year =         "1984",
 426   month =        mar,
 427   doi =          "10.1103/PhysRevLett.52.1129",
 428   publisher =    "American Physical Society",
 429   notes =        "si self-interstitial migration barrier",
 430 }
 431
 432 @Article{bar-yam84_2,
 433   title =        "Electronic structure and total-energy migration
 434                  barriers of silicon self-interstitials",
 435   author =       "Y. Bar-Yam and J. D. Joannopoulos",
 436   journal =      "Phys. Rev. B",
 437   volume =       "30",
 438   number =       "4",
 439   pages =        "1844--1852",
 440   numpages =     "8",
 441   year =         "1984",
 442   month =        aug,
 443   doi =          "10.1103/PhysRevB.30.1844",
 444   publisher =    "American Physical Society",
 445 }
 446
 447 @Article{bloechl93,
 448   title =        "First-principles calculations of self-diffusion
 449                  constants in silicon",
 450   author =       "Peter E. Bl{\"o}chl and Enrico Smargiassi and R. Car
 451                  and D. B. Laks and W. Andreoni and S. T. Pantelides",
 452   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 453   volume =       "70",
 454   number =       "16",
 455   pages =        "2435--2438",
 456   numpages =     "3",
 457   year =         "1993",
 458   month =        apr,
 459   doi =          "10.1103/PhysRevLett.70.2435",
 460   publisher =    "American Physical Society",
 461   notes =        "si self int diffusion by ab initio md, formation
 462                  entropy calculations",
 463 }
 464
 465 @Article{colombo02,
 466   title =        "Tight-binding theory of native point defects in
 467                  silicon",
 468   author =       "L. Colombo",
 469   journal =      "Annu. Rev. Mater. Res.",
 470   volume =       "32",
 471   pages =        "271--295",
 472   numpages =     "25",
 473   year =         "2002",
 474   doi =          "10.1146/annurev.matsci.32.111601.103036",
 475   publisher =    "Annual Reviews",
 476   notes =        "si self interstitial, tbmd, virial stress",
 477 }
 478
 479 @Article{al-mushadani03,
 480   title =        "Free-energy calculations of intrinsic point defects in
 481                  silicon",
 482   author =       "O. K. Al-Mushadani and R. J. Needs",
 483   journal =      "Phys. Rev. B",
 484   volume =       "68",
 485   number =       "23",
 486   pages =        "235205",
 487   numpages =     "8",
 488   year =         "2003",
 489   month =        dec,
 490   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.235205",
 491   publisher =    "American Physical Society",
 492   notes =        "formation energies of intrinisc point defects in
 493                  silicon, si self interstitials, free energy",
 494 }
 495
 496 @Article{goedecker02,
 497   title =        "A Fourfold Coordinated Point Defect in Silicon",
 498   author =       "Stefan Goedecker and Thierry Deutsch and Luc Billard",
 499   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 500   volume =       "88",
 501   number =       "23",
 502   pages =        "235501",
 503   numpages =     "4",
 504   year =         "2002",
 505   month =        may,
 506   doi =          "10.1103/PhysRevLett.88.235501",
 507   publisher =    "American Physical Society",
 508   notes =        "first time ffcd, fourfold coordinated point defect in
 509                  silicon",
 510 }
 511
 512 @Article{sahli05,
 513   title =        "Ab initio molecular dynamics simulation of
 514                  self-interstitial diffusion in silicon",
 515   author =       "Beat Sahli and Wolfgang Fichtner",
 516   journal =      "Phys. Rev. B",
 517   volume =       "72",
 518   number =       "24",
 519   pages =        "245210",
 520   numpages =     "6",
 521   year =         "2005",
 522   month =        dec,
 523   doi =          "10.1103/PhysRevB.72.245210",
 524   publisher =    "American Physical Society",
 525   notes =        "si self int, diffusion, barrier height, voronoi
 526                  mapping applied",
 527 }
 528
 529 @Article{hobler05,
 530   title =        "Ab initio calculations of the interaction between
 531                  native point defects in silicon",
 532   journal =      "Mater. Sci. Eng., B",
 533   volume =       "124-125",
 534   number =       "",
 535   pages =        "368--371",
 536   year =         "2005",
 537   note =         "EMRS 2005, Symposium D - Materials Science and Device
 538                  Issues for Future Technologies",
 539   ISSN =         "0921-5107",
 540   doi =          "DOI: 10.1016/j.mseb.2005.08.072",
 541   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXF-4H6PKRB-3/2/e217bd3d7ee1fffee899eeb4a2f133a4",
 542   author =       "G. Hobler and G. Kresse",
 543   notes =        "vasp intrinsic si defect interaction study, capture
 544                  radius",
 545 }
 546
 547 @Article{ma10,
 548   title =        "Ab initio study of self-diffusion in silicon over a
 549                  wide temperature range: Point defect states and
 550                  migration mechanisms",
 551   author =       "Shangyi Ma and Shaoqing Wang",
 552   journal =      "Phys. Rev. B",
 553   volume =       "81",
 554   number =       "19",
 555   pages =        "193203",
 556   numpages =     "4",
 557   year =         "2010",
 558   month =        may,
 559   doi =          "10.1103/PhysRevB.81.193203",
 560   publisher =    "American Physical Society",
 561   notes =        "si self interstitial diffusion + refs",
 562 }
 563
 564 @Article{posselt06,
 565   title =        "Atomistic simulations on the thermal stability of the
 566                  antisite pair in 3{C}- and 4{H}-Si{C}",
 567   author =       "M. Posselt and F. Gao and W. J. Weber",
 568   journal =      "Phys. Rev. B",
 569   volume =       "73",
 570   number =       "12",
 571   pages =        "125206",
 572   numpages =     "8",
 573   year =         "2006",
 574   month =        mar,
 575   doi =          "10.1103/PhysRevB.73.125206",
 576   publisher =    "American Physical Society",
 577 }
 578
 579 @Article{posselt08,
 580   title =        "Correlation between self-diffusion in Si and the
 581                  migration mechanisms of vacancies and
 582                  self-interstitials: An atomistic study",
 583   author =       "M. Posselt and F. Gao and H. Bracht",
 584   journal =      "Phys. Rev. B",
 585   volume =       "78",
 586   number =       "3",
 587   pages =        "035208",
 588   numpages =     "9",
 589   year =         "2008",
 590   month =        jul,
 591   doi =          "10.1103/PhysRevB.78.035208",
 592   publisher =    "American Physical Society",
 593   notes =        "si self-interstitial and vacancy diffusion, stillinger
 594                  weber and tersoff",
 595 }
 596
 597 @Article{gao2001,
 598   title =        "Ab initio and empirical-potential studies of defect
 599                  properties in $3{C}-Si{C}$",
 600   author =       "F. Gao and E. J. Bylaska and W. J. Weber and L. R.
 601                  Corrales",
 602   journal =      "Phys. Rev. B",
 603   volume =       "64",
 604   number =       "24",
 605   pages =        "245208",
 606   numpages =     "7",
 607   year =         "2001",
 608   month =        dec,
 609   doi =          "10.1103/PhysRevB.64.245208",
 610   publisher =    "American Physical Society",
 611   notes =        "defects in 3c-sic",
 612 }
 613
 614 @Article{gao02,
 615   title =        "Empirical potential approach for defect properties in
 616                  3{C}-Si{C}",
 617   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
 618   volume =       "191",
 619   number =       "1-4",
 620   pages =        "487--496",
 621   year =         "2002",
 622   note =         "",
 623   ISSN =         "0168-583X",
 624   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(02)00600-6",
 625   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-453NR6B-G/2/e65b0730e94e13d66f72a2147b449ea7",
 626   author =       "Fei Gao and William J. Weber",
 627   keywords =     "Empirical potential",
 628   keywords =     "Defect properties",
 629   keywords =     "Silicon carbide",
 630   keywords =     "Computer simulation",
 631   notes =        "sic potential, brenner type, like erhart/albe",
 632 }
 633
 634 @Article{gao04,
 635   title =        "Atomistic study of intrinsic defect migration in
 636                  3{C}-Si{C}",
 637   author =       "Fei Gao and William J. Weber and M. Posselt and V.
 638                  Belko",
 639   journal =      "Phys. Rev. B",
 640   volume =       "69",
 641   number =       "24",
 642   pages =        "245205",
 643   numpages =     "5",
 644   year =         "2004",
 645   month =        jun,
 646   doi =          "10.1103/PhysRevB.69.245205",
 647   publisher =    "American Physical Society",
 648   notes =        "defect migration in sic",
 649 }
 650
 651 @Article{gao07,
 652   author =       "F. Gao and J. Du and E. J. Bylaska and M. Posselt and
 653                  W. J. Weber",
 654   collaboration = "",
 655   title =        "Ab Initio atomic simulations of antisite pair recovery
 656                  in cubic silicon carbide",
 657   publisher =    "AIP",
 658   year =         "2007",
 659   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
 660   volume =       "90",
 661   number =       "22",
 662   eid =          "221915",
 663   numpages =     "3",
 664   pages =        "221915",
 665   keywords =     "ab initio calculations; silicon compounds; antisite
 666                  defects; wide band gap semiconductors; molecular
 667                  dynamics method; density functional theory;
 668                  electron-hole recombination; photoluminescence;
 669                  impurities; diffusion",
 670   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/90/221915/1",
 671   doi =          "10.1063/1.2743751",
 672 }
 673
 674 @Article{mattoni2002,
 675   title =        "Self-interstitial trapping by carbon complexes in
 676                  crystalline silicon",
 677   author =       "A. Mattoni and F. Bernardini and L. Colombo",
 678   journal =      "Phys. Rev. B",
 679   volume =       "66",
 680   number =       "19",
 681   pages =        "195214",
 682   numpages =     "6",
 683   year =         "2002",
 684   month =        nov,
 685   doi =          "10.1103/PhysRevB.66.195214",
 686   publisher =    "American Physical Society",
 687   notes =        "c in c-si, diffusion, interstitial configuration +
 688                  links, interaction of carbon and silicon interstitials,
 689                  tersoff suitability",
 690 }
 691
 692 @Article{leung99,
 693   title =        "Calculations of Silicon Self-Interstitial Defects",
 694   author =       "W.-K. Leung and R. J. Needs and G. Rajagopal and S.
 695                  Itoh and S. Ihara",
 696   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 697   volume =       "83",
 698   number =       "12",
 699   pages =        "2351--2354",
 700   numpages =     "3",
 701   year =         "1999",
 702   month =        sep,
 703   doi =          "10.1103/PhysRevLett.83.2351",
 704   publisher =    "American Physical Society",
 705   notes =        "nice images of the defects, si defect overview +
 706                  refs",
 707 }
 708
 709 @Article{capaz94,
 710   title =        "Identification of the migration path of interstitial
 711                  carbon in silicon",
 712   author =       "R. B. Capaz and A. {Dal Pino} and J. D. Joannopoulos",
 713   journal =      "Phys. Rev. B",
 714   volume =       "50",
 715   number =       "11",
 716   pages =        "7439--7442",
 717   numpages =     "3",
 718   year =         "1994",
 719   month =        sep,
 720   doi =          "10.1103/PhysRevB.50.7439",
 721   publisher =    "American Physical Society",
 722   notes =        "carbon interstitial migration path shown, 001 c-si
 723                  dumbbell",
 724 }
 725
 726 @Article{capaz98,
 727   title =        "Theory of carbon-carbon pairs in silicon",
 728   author =       "R. B. Capaz and A. {Dal Pino} and J. D. Joannopoulos",
 729   journal =      "Phys. Rev. B",
 730   volume =       "58",
 731   number =       "15",
 732   pages =        "9845--9850",
 733   numpages =     "5",
 734   year =         "1998",
 735   month =        oct,
 736   doi =          "10.1103/PhysRevB.58.9845",
 737   publisher =    "American Physical Society",
 738   notes =        "c_i c_s pair configuration, theoretical results",
 739 }
 740
 741 @Article{song90_2,
 742   title =        "Bistable interstitial-carbon--substitutional-carbon
 743                  pair in silicon",
 744   author =       "L. W. Song and X. D. Zhan and B. W. Benson and G. D.
 745                  Watkins",
 746   journal =      "Phys. Rev. B",
 747   volume =       "42",
 748   number =       "9",
 749   pages =        "5765--5783",
 750   numpages =     "18",
 751   year =         "1990",
 752   month =        sep,
 753   doi =          "10.1103/PhysRevB.42.5765",
 754   publisher =    "American Physical Society",
 755   notes =        "c_i c_s pair configuration, experimental results",
 756 }
 757
 758 @Article{liu02,
 759   author =       "Chun-Li Liu and Wolfgang Windl and Len Borucki and
 760                  Shifeng Lu and Xiang-Yang Liu",
 761   collaboration = "",
 762   title =        "Ab initio modeling and experimental study of {C}--{B}
 763                  interactions in Si",
 764   publisher =    "AIP",
 765   year =         "2002",
 766   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
 767   volume =       "80",
 768   number =       "1",
 769   pages =        "52--54",
 770   keywords =     "silicon; boron; carbon; elemental semiconductors;
 771                  impurity-defect interactions; ab initio calculations;
 772                  secondary ion mass spectra; diffusion; interstitials",
 773   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/80/52/1",
 774   doi =          "10.1063/1.1430505",
 775   notes =        "c-c 100 split, lower as a and b states of capaz",
 776 }
 777
 778 @Article{dal_pino93,
 779   title =        "Ab initio investigation of carbon-related defects in
 780                  silicon",
 781   author =       "A. {Dal Pino} and Andrew M. Rappe and J. D.
 782                  Joannopoulos",
 783   journal =      "Phys. Rev. B",
 784   volume =       "47",
 785   number =       "19",
 786   pages =        "12554--12557",
 787   numpages =     "3",
 788   year =         "1993",
 789   month =        may,
 790   doi =          "10.1103/PhysRevB.47.12554",
 791   publisher =    "American Physical Society",
 792   notes =        "c interstitials in crystalline silicon",
 793 }
 794
 795 @Article{car84,
 796   title =        "Microscopic Theory of Atomic Diffusion Mechanisms in
 797                  Silicon",
 798   author =       "Roberto Car and Paul J. Kelly and Atsushi Oshiyama and
 799                  Sokrates T. Pantelides",
 800   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 801   volume =       "52",
 802   number =       "20",
 803   pages =        "1814--1817",
 804   numpages =     "3",
 805   year =         "1984",
 806   month =        may,
 807   doi =          "10.1103/PhysRevLett.52.1814",
 808   publisher =    "American Physical Society",
 809   notes =        "microscopic theory diffusion silicon dft migration
 810                  path formation",
 811 }
 812
 813 @Article{car85,
 814   title =        "Unified Approach for Molecular Dynamics and
 815                  Density-Functional Theory",
 816   author =       "R. Car and M. Parrinello",
 817   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 818   volume =       "55",
 819   number =       "22",
 820   pages =        "2471--2474",
 821   numpages =     "3",
 822   year =         "1985",
 823   month =        nov,
 824   doi =          "10.1103/PhysRevLett.55.2471",
 825   publisher =    "American Physical Society",
 826   notes =        "car parrinello method, dft and md",
 827 }
 828
 829 @Article{kelires97,
 830   title =        "Short-range order, bulk moduli, and physical trends in
 831                  c-$Si1-x$$Cx$ alloys",
 832   author =       "P. C. Kelires",
 833   journal =      "Phys. Rev. B",
 834   volume =       "55",
 835   number =       "14",
 836   pages =        "8784--8787",
 837   numpages =     "3",
 838   year =         "1997",
 839   month =        apr,
 840   doi =          "10.1103/PhysRevB.55.8784",
 841   publisher =    "American Physical Society",
 842   notes =        "c strained si, montecarlo md, bulk moduli, next
 843                  neighbour dist",
 844 }
 845
 846 @Article{kelires95,
 847   title =        "Monte Carlo Studies of Ternary Semiconductor Alloys:
 848                  Application to the $Si1-x-yGexCy$ System",
 849   author =       "P. C. Kelires",
 850   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 851   volume =       "75",
 852   number =       "6",
 853   pages =        "1114--1117",
 854   numpages =     "3",
 855   year =         "1995",
 856   month =        aug,
 857   doi =          "10.1103/PhysRevLett.75.1114",
 858   publisher =    "American Physical Society",
 859   notes =        "mc md, strain compensation in si ge by c insertion",
 860 }
 861
 862 @Article{bean70,
 863   title =        "Low temperature electron irradiation of silicon
 864                  containing carbon",
 865   journal =      "Solid State Communications",
 866   volume =       "8",
 867   number =       "3",
 868   pages =        "175--177",
 869   year =         "1970",
 870   note =         "",
 871   ISSN =         "0038-1098",
 872   doi =          "DOI: 10.1016/0038-1098(70)90074-8",
 873   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVW-46MF8S4-156/2/5f4d9c189a3d97227fde9214195aa081",
 874   author =       "A. R. Bean and R. C. Newman",
 875 }
 876
 877 @Article{watkins76,
 878   title =        "{EPR} Observation of the Isolated Interstitial Carbon
 879                  Atom in Silicon",
 880   author =       "G. D. Watkins and K. L. Brower",
 881   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 882   volume =       "36",
 883   number =       "22",
 884   pages =        "1329--1332",
 885   numpages =     "3",
 886   year =         "1976",
 887   month =        may,
 888   doi =          "10.1103/PhysRevLett.36.1329",
 889   publisher =    "American Physical Society",
 890   notes =        "epr observations of 100 interstitial carbon atom in
 891                  silicon",
 892 }
 893
 894 @Article{song90,
 895   title =        "{EPR} identification of the single-acceptor state of
 896                  interstitial carbon in silicon",
 897   author =       "L. W. Song and G. D. Watkins",
 898   journal =      "Phys. Rev. B",
 899   volume =       "42",
 900   number =       "9",
 901   pages =        "5759--5764",
 902   numpages =     "5",
 903   year =         "1990",
 904   month =        sep,
 905   doi =          "10.1103/PhysRevB.42.5759",
 906   publisher =    "American Physical Society",
 907   notes =        "carbon diffusion in silicon",
 908 }
 909
 910 @Article{tipping87,
 911   author =       "A K Tipping and R C Newman",
 912   title =        "The diffusion coefficient of interstitial carbon in
 913                  silicon",
 914   journal =      "Semicond. Sci. Technol.",
 915   volume =       "2",
 916   number =       "5",
 917   pages =        "315--317",
 918   URL =          "http://stacks.iop.org/0268-1242/2/315",
 919   year =         "1987",
 920   notes =        "diffusion coefficient of carbon interstitials in
 921                  silicon",
 922 }
 923
 924 @Article{strane96,
 925   title =        "Carbon incorporation into Si at high concentrations by
 926                  ion implantation and solid phase epitaxy",
 927   author =       "J. W. Strane and S. R. Lee and H. J. Stein and S. T.
 928                  Picraux and J. K. Watanabe and J. W. Mayer",
 929   journal =      "J. Appl. Phys.",
 930   volume =       "79",
 931   pages =        "637",
 932   year =         "1996",
 933   month =        jan,
 934   doi =          "10.1063/1.360806",
 935   notes =        "strained silicon, carbon supersaturation",
 936 }
 937
 938 @Article{laveant2002,
 939   title =        "Epitaxy of carbon-rich silicon with {MBE}",
 940   journal =      "Mater. Sci. Eng., B",
 941   volume =       "89",
 942   number =       "1-3",
 943   pages =        "241--245",
 944   year =         "2002",
 945   ISSN =         "0921-5107",
 946   doi =          "DOI: 10.1016/S0921-5107(01)00794-2",
 947   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXF-44YVPGS-1V/2/024ece074ad18ebbec62a39a2510a268",
 948   author =       "P. Lav\'eant and G. Gerth and P. Werner and U.
 949                  G{\"{o}}sele",
 950   notes =        "low c in si, tensile stress to compensate compressive
 951                  stress, avoid sic precipitation",
 952 }
 953
 954 @Article{werner97,
 955   author =       "P. Werner and S. Eichler and G. Mariani and R.
 956                  K{\"{o}}gler and W. Skorupa",
 957   title =        "Investigation of {C}[sub x]Si defects in {C} implanted
 958                  silicon by transmission electron microscopy",
 959   publisher =    "AIP",
 960   year =         "1997",
 961   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
 962   volume =       "70",
 963   number =       "2",
 964   pages =        "252--254",
 965   keywords =     "silicon; ion implantation; carbon; crystal defects;
 966                  transmission electron microscopy; annealing; positron
 967                  annihilation; secondary ion mass spectroscopy; buried
 968                  layers; precipitation",
 969   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/70/252/1",
 970   doi =          "10.1063/1.118381",
 971   notes =        "si-c complexes, agglomerate, sic in si matrix, sic
 972                  precipitate",
 973 }
 974
 975 @InProceedings{werner96,
 976   author =       "P. Werner and R. K{\"{o}}gler and W. Skorupa and D.
 977                  Eichler",
 978   booktitle =    "Ion Implantation Technology. Proceedings of the 11th
 979                  International Conference on",
 980   title =        "{TEM} investigation of {C}-Si defects in carbon
 981                  implanted silicon",
 982   year =         "1996",
 983   month =        jun,
 984   volume =       "",
 985   number =       "",
 986   pages =        "675--678",
 987   doi =          "10.1109/IIT.1996.586497",
 988   ISSN =         "",
 989   notes =        "c-si agglomerates dumbbells",
 990 }
 991
 992 @Article{werner98,
 993   author =       "P. Werner and U. G{\"{o}}sele and H.-J. Gossmann and
 994                  D. C. Jacobson",
 995   collaboration = "",
 996   title =        "Carbon diffusion in silicon",
 997   publisher =    "AIP",
 998   year =         "1998",
 999   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1000   volume =       "73",
1001   number =       "17",
1002   pages =        "2465--2467",
1003   keywords =     "silicon; carbon; elemental semiconductors; diffusion;
1004                  secondary ion mass spectra; semiconductor epitaxial
1005                  layers; annealing; impurity-defect interactions;
1006                  impurity distribution",
1007   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/73/2465/1",
1008   doi =          "10.1063/1.122483",
1009   notes =        "c diffusion in si, kick out mechnism",
1010 }
1011
1012 @Article{strane94,
1013   author =       "J. W. Strane and H. J. Stein and S. R. Lee and S. T.
1014                  Picraux and J. K. Watanabe and J. W. Mayer",
1015   collaboration = "",
1016   title =        "Precipitation and relaxation in strained Si[sub 1 -
1017                  y]{C}[sub y]/Si heterostructures",
1018   publisher =    "AIP",
1019   year =         "1994",
1020   journal =      "J. Appl. Phys.",
1021   volume =       "76",
1022   number =       "6",
1023   pages =        "3656--3668",
1024   keywords =     "SILICON CARBIDES; SILICON; PRECIPITATION; STRAINS",
1025   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/76/3656/1",
1026   doi =          "10.1063/1.357429",
1027   notes =        "strained si-c to 3c-sic, carbon nucleation + refs,
1028                  precipitation by substitutional carbon, coherent prec,
1029                  coherent to incoherent transition strain vs interface
1030                  energy",
1031 }
1032
1033 @Article{fischer95,
1034   author =       "G. G. Fischer and P. Zaumseil and E. Bugiel and H. J.
1035                  Osten",
1036   collaboration = "",
1037   title =        "Investigation of the high temperature behavior of
1038                  strained Si[sub 1 - y]{C}[sub y] /Si heterostructures",
1039   publisher =    "AIP",
1040   year =         "1995",
1041   journal =      "J. Appl. Phys.",
1042   volume =       "77",
1043   number =       "5",
1044   pages =        "1934--1937",
1045   keywords =     "SILICON CARBIDES; SILICON; HETEROSTRUCTURES; STRAINS;
1046                  XRD; MOLECULAR BEAM EPITAXY; STABILITY; TENSILE
1047                  PROPERTIES; EPITAXIAL LAYERS; ANNEALING; PRECIPITATION;
1048                  TEMPERATURE RANGE 04001000 K",
1049   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/77/1934/1",
1050   doi =          "10.1063/1.358826",
1051 }
1052
1053 @Article{edgar92,
1054   title =        "Prospects for device implementation of wide band gap
1055                  semiconductors",
1056   author =       "J. H. Edgar",
1057   journal =      "J. Mater. Res.",
1058   volume =       "7",
1059   pages =        "235",
1060   year =         "1992",
1061   month =        jan,
1062   doi =          "10.1557/JMR.1992.0235",
1063   notes =        "properties wide band gap semiconductor, sic
1064                  polytypes",
1065 }
1066
1067 @Article{zirkelbach2007,
1068   title =        "Monte Carlo simulation study of a selforganisation
1069                  process leading to ordered precipitate structures",
1070   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
1071                  and B. Stritzker",
1072   journal =      "Nucl. Instr. and Meth. B",
1073   volume =       "257",
1074   number =       "1--2",
1075   pages =        "75--79",
1076   numpages =     "5",
1077   year =         "2007",
1078   month =        apr,
1079   doi =          "doi:10.1016/j.nimb.2006.12.118",
1080   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
1081                  NETHERLANDS",
1082 }
1083
1084 @Article{zirkelbach2006,
1085   title =        "Monte-Carlo simulation study of the self-organization
1086                  of nanometric amorphous precipitates in regular arrays
1087                  during ion irradiation",
1088   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
1089                  and B. Stritzker",
1090   journal =      "Nucl. Instr. and Meth. B",
1091   volume =       "242",
1092   number =       "1--2",
1093   pages =        "679--682",
1094   numpages =     "4",
1095   year =         "2006",
1096   month =        jan,
1097   doi =          "doi:10.1016/j.nimb.2005.08.162",
1098   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
1099                  NETHERLANDS",
1100 }
1101
1102 @Article{zirkelbach2005,
1103   title =        "Modelling of a selforganization process leading to
1104                  periodic arrays of nanometric amorphous precipitates by
1105                  ion irradiation",
1106   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
1107                  and B. Stritzker",
1108   journal =      "Comp. Mater. Sci.",
1109   volume =       "33",
1110   number =       "1--3",
1111   pages =        "310--316",
1112   numpages =     "7",
1113   year =         "2005",
1114   month =        apr,
1115   doi =          "doi:10.1016/j.commatsci.2004.12.016",
1116   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
1117                  NETHERLANDS",
1118 }
1119
1120 @Article{zirkelbach09,
1121   title =        "Molecular dynamics simulation of defect formation and
1122                  precipitation in heavily carbon doped silicon",
1123   journal =      "Mater. Sci. Eng., B",
1124   volume =       "159-160",
1125   number =       "",
1126   pages =        "149--152",
1127   year =         "2009",
1128   note =         "EMRS 2008 Spring Conference Symposium K: Advanced
1129                  Silicon Materials Research for Electronic and
1130                  Photovoltaic Applications",
1131   ISSN =         "0921-5107",
1132   doi =          "DOI: 10.1016/j.mseb.2008.10.010",
1133   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXF-4TX1547-2/2/cb9f4921f324735087020ccce7843e39",
1134   author =       "F. Zirkelbach and J. K. N. Lindner and K. Nordlund and
1135                  B. Stritzker",
1136   keywords =     "Silicon",
1137   keywords =     "Carbon",
1138   keywords =     "Silicon carbide",
1139   keywords =     "Nucleation",
1140   keywords =     "Defect formation",
1141   keywords =     "Molecular dynamics simulations",
1142 }
1143
1144 @Article{zirkelbach10a,
1145   title =        "Defects in carbon implanted silicon calculated by
1146                  classical potentials and first-principles methods",
1147   author =       "F. Zirkelbach and B. Stritzker and K. Nordlund and J.
1148                  K. N. Lindner and W. G. Schmidt and E. Rauls",
1149   journal =      "Phys. Rev. B",
1150   volume =       "82",
1151   number =       "9",
1152   pages =        "094110",
1153   numpages =     "6",
1154   year =         "2010",
1155   month =        sep,
1156   doi =          "10.1103/PhysRevB.82.094110",
1157   publisher =    "American Physical Society",
1158 }
1159
1160 @Article{zirkelbach10b,
1161   title =        "First principles study of defects in carbon implanted
1162                  silicon",
1163   journal =      "to be published",
1164   volume =       "",
1165   number =       "",
1166   pages =        "",
1167   year =         "2010",
1168   author =       "F. Zirkelbach and B. Stritzker and K. Nordlund and J.
1169                  K. N. Lindner and W. G. Schmidt and E. Rauls",
1170 }
1171
1172 @Article{zirkelbach10c,
1173   title =        "...",
1174   journal =      "to be published",
1175   volume =       "",
1176   number =       "",
1177   pages =        "",
1178   year =         "2010",
1179   author =       "F. Zirkelbach and B. Stritzker and K. Nordlund and J.
1180                  K. N. Lindner and W. G. Schmidt and E. Rauls",
1181 }
1182
1183 @Article{lindner99,
1184   title =        "Controlling the density distribution of Si{C}
1185                  nanocrystals for the ion beam synthesis of buried Si{C}
1186                  layers in silicon",
1187   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
1188   volume =       "147",
1189   number =       "1-4",
1190   pages =        "249--255",
1191   year =         "1999",
1192   note =         "",
1193   ISSN =         "0168-583X",
1194   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00598-9",
1195   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3YMWWDY-1H/2/ad53e614f783b2a7474aecb936dd0169",
1196   author =       "J. K. N. Lindner and B. Stritzker",
1197   notes =        "two-step implantation process",
1198 }
1199
1200 @Article{lindner99_2,
1201   title =        "Mechanisms in the ion beam synthesis of Si{C} layers
1202                  in silicon",
1203   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
1204   volume =       "148",
1205   number =       "1-4",
1206   pages =        "528--533",
1207   year =         "1999",
1208   ISSN =         "0168-583X",
1209   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00787-3",
1210   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3XGFSSH-3H/2/17d138baa6db68cb279e6de9161e5f85",
1211   author =       "J. K. N. Lindner and B. Stritzker",
1212   notes =        "3c-sic precipitation model, c-si dimers (dumbbells)",
1213 }
1214
1215 @Article{lindner01,
1216   title =        "Ion beam synthesis of buried Si{C} layers in silicon:
1217                  Basic physical processes",
1218   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
1219   volume =       "178",
1220   number =       "1-4",
1221   pages =        "44--54",
1222   year =         "2001",
1223   note =         "",
1224   ISSN =         "0168-583X",
1225   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(01)00504-3",
1226   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-435KG96-8/2/f222574d8945c3fd7aaf9ae1efdd37b3",
1227   author =       "J{\"{o}}rg K. N. Lindner",
1228 }
1229
1230 @Article{lindner02,
1231   title =        "High-dose carbon implantations into silicon:
1232                  fundamental studies for new technological tricks",
1233   author =       "J. K. N. Lindner",
1234   journal =      "Appl. Phys. A",
1235   volume =       "77",
1236   pages =        "27--38",
1237   year =         "2003",
1238   doi =          "10.1007/s00339-002-2062-8",
1239   notes =        "ibs, burried sic layers",
1240 }
1241
1242 @Article{lindner06,
1243   title =        "On the balance between ion beam induced nanoparticle
1244                  formation and displacive precipitate resolution in the
1245                  {C}-Si system",
1246   journal =      "Mater. Sci. Eng., C",
1247   volume =       "26",
1248   number =       "5-7",
1249   pages =        "857--861",
1250   year =         "2006",
1251   note =         "Current Trends in Nanoscience - from Materials to
1252                  Applications",
1253   ISSN =         "0928-4931",
1254   doi =          "DOI: 10.1016/j.msec.2005.09.099",
1255   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXG-4HSXVVM-1/2/5b0e351198cc2e8f5f4446a80a73d04a",
1256   author =       "J. K. N. Lindner and M. H{\"a}berlen and G. Thorwarth
1257                  and B. Stritzker",
1258   notes =        "c int diffusion barrier",
1259 }
1260
1261 @Article{ito04,
1262   title =        "Ion beam synthesis of 3{C}-Si{C} layers in Si and its
1263                  application in buffer layer for Ga{N} epitaxial
1264                  growth",
1265   journal =      "Applied Surface Science",
1266   volume =       "238",
1267   number =       "1-4",
1268   pages =        "159--164",
1269   year =         "2004",
1270   note =         "APHYS'03 Special Issue",
1271   ISSN =         "0169-4332",
1272   doi =          "DOI: 10.1016/j.apsusc.2004.05.199",
1273   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6THY-4CTTNGX-B/2/d24ee637db87f3f1a6ef7fe6820f267c",
1274   author =       "Y. Ito and T. Yamauchi and A. Yamamoto and M. Sasase
1275                  and S. Nishio and K. Yasuda and Y. Ishigami",
1276   notes =        "gan on 3c-sic, focus on ibs of 3c-sic",
1277 }
1278
1279 @Article{yamamoto04,
1280   title =        "Organometallic vapor phase epitaxial growth of Ga{N}
1281                  on a 3c-Si{C}/Si(1 1 1) template formed by {C}+-ion
1282                  implantation into Si(1 1 1) substrate",
1283   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1284   volume =       "261",
1285   number =       "2-3",
1286   pages =        "266--270",
1287   year =         "2004",
1288   note =         "Proceedings of the 11th Biennial (US) Workshop on
1289                  Organometallic Vapor Phase Epitaxy (OMVPE)",
1290   ISSN =         "0022-0248",
1291   doi =          "DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2003.11.041",
1292   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-4B5BFSX-2/2/55e79e024f2a23b487d19c6fd8dbf166",
1293   author =       "A. Yamamoto and T. Yamauchi and T. Tanikawa and M.
1294                  Sasase and B. K. Ghosh and A. Hashimoto and Y. Ito",
1295   notes =        "gan on 3c-sic",
1296 }
1297
1298 @Article{liu_l02,
1299   title =        "Substrates for gallium nitride epitaxy",
1300   journal =      "Materials Science and Engineering: R: Reports",
1301   volume =       "37",
1302   number =       "3",
1303   pages =        "61--127",
1304   year =         "2002",
1305   note =         "",
1306   ISSN =         "0927-796X",
1307   doi =          "DOI: 10.1016/S0927-796X(02)00008-6",
1308   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXH-45DFBSV-2/2/38c47e77fa91f23f8649a044e7135401",
1309   author =       "L. Liu and J. H. Edgar",
1310   notes =        "gan substrates",
1311 }
1312
1313 @Article{takeuchi91,
1314   title =        "Growth of single crystalline Ga{N} film on Si
1315                  substrate using 3{C}-Si{C} as an intermediate layer",
1316   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1317   volume =       "115",
1318   number =       "1-4",
1319   pages =        "634--638",
1320   year =         "1991",
1321   note =         "",
1322   ISSN =         "0022-0248",
1323   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(91)90817-O",
1324   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46FJ525-TY/2/7bb50016a50b1dd1dbc36b43c46b3140",
1325   author =       "Tetsuya Takeuchi and Hiroshi Amano and Kazumasa
1326                  Hiramatsu and Nobuhiko Sawaki and Isamu Akasaki",
1327   notes =        "gan on 3c-sic (first time?)",
1328 }
1329
1330 @Article{alder57,
1331   author =       "B. J. Alder and T. E. Wainwright",
1332   title =        "Phase Transition for a Hard Sphere System",
1333   publisher =    "AIP",
1334   year =         "1957",
1335   journal =      "J. Chem. Phys.",
1336   volume =       "27",
1337   number =       "5",
1338   pages =        "1208--1209",
1339   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/27/1208/1",
1340   doi =          "10.1063/1.1743957",
1341 }
1342
1343 @Article{alder59,
1344   author =       "B. J. Alder and T. E. Wainwright",
1345   title =        "Studies in Molecular Dynamics. {I}. General Method",
1346   publisher =    "AIP",
1347   year =         "1959",
1348   journal =      "J. Chem. Phys.",
1349   volume =       "31",
1350   number =       "2",
1351   pages =        "459--466",
1352   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/31/459/1",
1353   doi =          "10.1063/1.1730376",
1354 }
1355
1356 @Article{tersoff_si1,
1357   title =        "New empirical model for the structural properties of
1358                  silicon",
1359   author =       "J. Tersoff",
1360   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1361   volume =       "56",
1362   number =       "6",
1363   pages =        "632--635",
1364   numpages =     "3",
1365   year =         "1986",
1366   month =        feb,
1367   doi =          "10.1103/PhysRevLett.56.632",
1368   publisher =    "American Physical Society",
1369 }
1370
1371 @Article{tersoff_si2,
1372   title =        "New empirical approach for the structure and energy of
1373                  covalent systems",
1374   author =       "J. Tersoff",
1375   journal =      "Phys. Rev. B",
1376   volume =       "37",
1377   number =       "12",
1378   pages =        "6991--7000",
1379   numpages =     "9",
1380   year =         "1988",
1381   month =        apr,
1382   doi =          "10.1103/PhysRevB.37.6991",
1383   publisher =    "American Physical Society",
1384 }
1385
1386 @Article{tersoff_si3,
1387   title =        "Empirical interatomic potential for silicon with
1388                  improved elastic properties",
1389   author =       "J. Tersoff",
1390   journal =      "Phys. Rev. B",
1391   volume =       "38",
1392   number =       "14",
1393   pages =        "9902--9905",
1394   numpages =     "3",
1395   year =         "1988",
1396   month =        nov,
1397   doi =          "10.1103/PhysRevB.38.9902",
1398   publisher =    "American Physical Society",
1399 }
1400
1401 @Article{tersoff_c,
1402   title =        "Empirical Interatomic Potential for Carbon, with
1403                  Applications to Amorphous Carbon",
1404   author =       "J. Tersoff",
1405   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1406   volume =       "61",
1407   number =       "25",
1408   pages =        "2879--2882",
1409   numpages =     "3",
1410   year =         "1988",
1411   month =        dec,
1412   doi =          "10.1103/PhysRevLett.61.2879",
1413   publisher =    "American Physical Society",
1414 }
1415
1416 @Article{tersoff_m,
1417   title =        "Modeling solid-state chemistry: Interatomic potentials
1418                  for multicomponent systems",
1419   author =       "J. Tersoff",
1420   journal =      "Phys. Rev. B",
1421   volume =       "39",
1422   number =       "8",
1423   pages =        "5566--5568",
1424   numpages =     "2",
1425   year =         "1989",
1426   month =        mar,
1427   doi =          "10.1103/PhysRevB.39.5566",
1428   publisher =    "American Physical Society",
1429 }
1430
1431 @Article{tersoff90,
1432   title =        "Carbon defects and defect reactions in silicon",
1433   author =       "J. Tersoff",
1434   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1435   volume =       "64",
1436   number =       "15",
1437   pages =        "1757--1760",
1438   numpages =     "3",
1439   year =         "1990",
1440   month =        apr,
1441   doi =          "10.1103/PhysRevLett.64.1757",
1442   publisher =    "American Physical Society",
1443 }
1444
1445 @Article{fahey89,
1446   title =        "Point defects and dopant diffusion in silicon",
1447   author =       "P. M. Fahey and P. B. Griffin and J. D. Plummer",
1448   journal =      "Rev. Mod. Phys.",
1449   volume =       "61",
1450   number =       "2",
1451   pages =        "289--384",
1452   numpages =     "95",
1453   year =         "1989",
1454   month =        apr,
1455   doi =          "10.1103/RevModPhys.61.289",
1456   publisher =    "American Physical Society",
1457 }
1458
1459 @Article{wesch96,
1460   title =        "Silicon carbide: synthesis and processing",
1461   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
1462   volume =       "116",
1463   number =       "1-4",
1464   pages =        "305--321",
1465   year =         "1996",
1466   note =         "Radiation Effects in Insulators",
1467   ISSN =         "0168-583X",
1468   doi =          "DOI: 10.1016/0168-583X(96)00065-1",
1469   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3VXHNFT-C7/2/4216cb1ec9e422c22de5fed7360fb06e",
1470   author =       "W. Wesch",
1471 }
1472
1473 @Article{morkoc94,
1474   author =       "H. Morko\c{c} and S. Strite and G. B. Gao and M. E.
1475                  Lin and B. Sverdlov and M. Burns",
1476   collaboration = "",
1477   title =        "Large-band-gap Si{C}, {III}-{V} nitride, and {II}-{VI}
1478                  ZnSe-based semiconductor device technologies",
1479   publisher =    "AIP",
1480   year =         "1994",
1481   journal =      "J. Appl. Phys.",
1482   volume =       "76",
1483   number =       "3",
1484   pages =        "1363--1398",
1485   keywords =     "SEMICONDUCTOR DEVICES; SILICON CARBIDES; GALLIUM
1486                  NITRIDES; ZINC SELENIDES; SUBSTRATES; MOS JUNCTIONS;
1487                  LASER MATERIALS; MATERIALS; REVIEWS; ENERGY GAP; THIN
1488                  FILMS; INDUSTRY",
1489   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/76/1363/1",
1490   doi =          "10.1063/1.358463",
1491   notes =        "sic intro, properties",
1492 }
1493
1494 @Article{foo,
1495   author =       "Noch Unbekannt",
1496   title =        "How to find references",
1497   journal =      "Journal of Applied References",
1498   year =         "2009",
1499   volume =       "77",
1500   pages =        "1--23",
1501 }
1502
1503 @Article{tang95,
1504   title =        "Atomistic simulation of thermomechanical properties of
1505                  \beta{}-Si{C}",
1506   author =       "Meijie Tang and Sidney Yip",
1507   journal =      "Phys. Rev. B",
1508   volume =       "52",
1509   number =       "21",
1510   pages =        "15150--15159",
1511   numpages =     "9",
1512   year =         "1995",
1513   doi =          "10.1103/PhysRevB.52.15150",
1514   notes =        "modified tersoff, scale cutoff with volume, promising
1515                  tersoff reparametrization",
1516   publisher =    "American Physical Society",
1517 }
1518
1519 @Article{sarro00,
1520   title =        "Silicon carbide as a new {MEMS} technology",
1521   journal =      "Sensors and Actuators A: Physical",
1522   volume =       "82",
1523   number =       "1-3",
1524   pages =        "210--218",
1525   year =         "2000",
1526   ISSN =         "0924-4247",
1527   doi =          "DOI: 10.1016/S0924-4247(99)00335-0",
1528   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6THG-406VM55-13/2/75385a587669b215d9ef88029a93fd59",
1529   author =       "Pasqualina M. Sarro",
1530   keywords =     "MEMS",
1531   keywords =     "Silicon carbide",
1532   keywords =     "Micromachining",
1533   keywords =     "Mechanical stress",
1534 }
1535
1536 @Article{casady96,
1537   title =        "Status of silicon carbide (Si{C}) as a wide-bandgap
1538                  semiconductor for high-temperature applications: {A}
1539                  review",
1540   journal =      "Solid-State Electronics",
1541   volume =       "39",
1542   number =       "10",
1543   pages =        "1409--1422",
1544   year =         "1996",
1545   ISSN =         "0038-1101",
1546   doi =          "DOI: 10.1016/0038-1101(96)00045-7",
1547   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TY5-3VSR9J0-1/2/a871c11636e937dc45bfdf48e29f725b",
1548   author =       "J. B. Casady and R. W. Johnson",
1549   notes =        "sic intro",
1550 }
1551
1552 @Article{giancarli98,
1553   title =        "Design requirements for Si{C}/Si{C} composites
1554                  structural material in fusion power reactor blankets",
1555   journal =      "Fusion Engineering and Design",
1556   volume =       "41",
1557   number =       "1-4",
1558   pages =        "165--171",
1559   year =         "1998",
1560   ISSN =         "0920-3796",
1561   doi =          "DOI: 10.1016/S0920-3796(97)00200-7",
1562   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6V3C-3V8RYK8-T/2/16949194114900fd1330f79892d7a7be",
1563   author =       "L. Giancarli and J. P. Bonal and A. Caso and G. Le
1564                  Marois and N. B. Morley and J. F. Salavy",
1565 }
1566
1567 @Article{pensl93,
1568   title =        "Electrical and optical characterization of Si{C}",
1569   journal =      "Physica B: Condensed Matter",
1570   volume =       "185",
1571   number =       "1-4",
1572   pages =        "264--283",
1573   year =         "1993",
1574   ISSN =         "0921-4526",
1575   doi =          "DOI: 10.1016/0921-4526(93)90249-6",
1576   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVH-46G8HRX-99/2/eab9398bf2bbf10df3ae42c2ab28a776",
1577   author =       "G. Pensl and W. J. Choyke",
1578 }
1579
1580 @Article{tairov78,
1581   title =        "Investigation of growth processes of ingots of silicon
1582                  carbide single crystals",
1583   journal =      "J. Cryst. Growth",
1584   volume =       "43",
1585   number =       "2",
1586   pages =        "209--212",
1587   year =         "1978",
1588   notes =        "modified lely process",
1589   ISSN =         "0022-0248",
1590   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(78)90169-0",
1591   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46BY2NR-7S/2/fa6fee78ebd8322491f6366e72d5b6dc",
1592   author =       "Yu. M. Tairov and V. F. Tsvetkov",
1593 }
1594
1595 @Article{tairov81,
1596   title =        "General principles of growing large-size single
1597                  crystals of various silicon carbide polytypes",
1598   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1599   volume =       "52",
1600   number =       "Part 1",
1601   pages =        "146--150",
1602   year =         "1981",
1603   note =         "",
1604   ISSN =         "0022-0248",
1605   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(81)90184-6",
1606   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46FVMF6-2Y/2/b7c4025f0ef07ceec37fbd596819d529",
1607   author =       "Yu.M. Tairov and V. F. Tsvetkov",
1608 }
1609
1610 @Article{barrett91,
1611   title =        "Si{C} boule growth by sublimation vapor transport",
1612   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1613   volume =       "109",
1614   number =       "1-4",
1615   pages =        "17--23",
1616   year =         "1991",
1617   note =         "",
1618   ISSN =         "0022-0248",
1619   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(91)90152-U",
1620   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46FJ4VX-KF/2/fb802a6d67a8074a672007e972b264e1",
1621   author =       "D. L. Barrett and R. G. Seidensticker and W. Gaida and
1622                  R. H. Hopkins and W. J. Choyke",
1623 }
1624
1625 @Article{barrett93,
1626   title =        "Growth of large Si{C} single crystals",
1627   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1628   volume =       "128",
1629   number =       "1-4",
1630   pages =        "358--362",
1631   year =         "1993",
1632   note =         "",
1633   ISSN =         "0022-0248",
1634   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(93)90348-Z",
1635   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46YKSGB-4D/2/bc26617f48735a9ffbf5c61a5e164d9c",
1636   author =       "D. L. Barrett and J. P. McHugh and H. M. Hobgood and
1637                  R. H. Hopkins and P. G. McMullin and R. C. Clarke and
1638                  W. J. Choyke",
1639 }
1640
1641 @Article{stein93,
1642   title =        "Control of polytype formation by surface energy
1643                  effects during the growth of Si{C} monocrystals by the
1644                  sublimation method",
1645   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1646   volume =       "131",
1647   number =       "1-2",
1648   pages =        "71--74",
1649   year =         "1993",
1650   note =         "",
1651   ISSN =         "0022-0248",
1652   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(93)90397-F",
1653   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46FX1XJ-1X/2/493b180c29103dba5dba351e0fae5b9d",
1654   author =       "R. A. Stein and P. Lanig",
1655   notes =        "6h and 4h, sublimation technique",
1656 }
1657
1658 @Article{nishino83,
1659   author =       "Shigehiro Nishino and J. Anthony Powell and Herbert A.
1660                  Will",
1661   collaboration = "",
1662   title =        "Production of large-area single-crystal wafers of
1663                  cubic Si{C} for semiconductor devices",
1664   publisher =    "AIP",
1665   year =         "1983",
1666   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1667   volume =       "42",
1668   number =       "5",
1669   pages =        "460--462",
1670   keywords =     "silicon carbides; layers; chemical vapor deposition;
1671                  monocrystals",
1672   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/42/460/1",
1673   doi =          "10.1063/1.93970",
1674   notes =        "cvd of 3c-sic on si, sic buffer layer",
1675 }
1676
1677 @Article{nishino87,
1678   author =       "Shigehiro Nishino and Hajime Suhara and Hideyuki Ono
1679                  and Hiroyuki Matsunami",
1680   collaboration = "",
1681   title =        "Epitaxial growth and electric characteristics of cubic
1682                  Si{C} on silicon",
1683   publisher =    "AIP",
1684   year =         "1987",
1685   journal =      "J. Appl. Phys.",
1686   volume =       "61",
1687   number =       "10",
1688   pages =        "4889--4893",
1689   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/61/4889/1",
1690   doi =          "10.1063/1.338355",
1691   notes =        "cvd of 3c-sic on si, sic buffer layer, first time
1692                  carbonization",
1693 }
1694
1695 @Article{powell87,
1696   author =       "J. Anthony Powell and Lawrence G. Matus and Maria A.
1697                  Kuczmarski",
1698   title =        "Growth and Characterization of Cubic Si{C}
1699                  Single-Crystal Films on Si",
1700   publisher =    "ECS",
1701   year =         "1987",
1702   journal =      "Journal of The Electrochemical Society",
1703   volume =       "134",
1704   number =       "6",
1705   pages =        "1558--1565",
1706   keywords =     "semiconductor materials; silicon compounds; carbon
1707                  compounds; crystal morphology; electron mobility",
1708   URL =          "http://link.aip.org/link/?JES/134/1558/1",
1709   doi =          "10.1149/1.2100708",
1710   notes =        "blue light emitting diodes (led)",
1711 }
1712
1713 @Article{kimoto93,
1714   author =       "Tsunenobu Kimoto and Hironori Nishino and Woo Sik Yoo
1715                  and Hiroyuki Matsunami",
1716   title =        "Growth mechanism of 6{H}-Si{C} in step-controlled
1717                  epitaxy",
1718   publisher =    "AIP",
1719   year =         "1993",
1720   journal =      "J. Appl. Phys.",
1721   volume =       "73",
1722   number =       "2",
1723   pages =        "726--732",
1724   keywords =     "SILICON CARBIDES; EPITAXY; GROWTH RATE; TEMPERATURE
1725                  RANGE 10004000 K; TWINNING; ACTIVATION ENERGY; CHEMICAL
1726                  VAPOR DEPOSITION",
1727   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/73/726/1",
1728   doi =          "10.1063/1.353329",
1729   notes =        "cvd of 6h-sic on 6h-sic, twinned 3c-sic",
1730 }
1731
1732 @Article{powell90,
1733   author =       "J. A. Powell and D. J. Larkin and L. G. Matus and W.
1734                  J. Choyke and J. L. Bradshaw and L. Henderson and M.
1735                  Yoganathan and J. Yang and P. Pirouz",
1736   collaboration = "",
1737   title =        "Growth of improved quality 3{C}-Si{C} films on
1738                  6{H}-Si{C} substrates",
1739   publisher =    "AIP",
1740   year =         "1990",
1741   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1742   volume =       "56",
1743   number =       "14",
1744   pages =        "1353--1355",
1745   keywords =     "SILICON CARBIDES; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; SORPTIVE
1746                  PROPERTIES; PHOTOLUMINESCENCE; TRANSMISSION ELECTRON
1747                  MICROSCOPY; DEFECT STRUCTURE; STACKING FAULTS; VAPOR
1748                  PHASE EPITAXY",
1749   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/56/1353/1",
1750   doi =          "10.1063/1.102512",
1751   notes =        "cvd of 3c-sic on 6h-sic",
1752 }
1753
1754 @Article{yuan95,
1755   author =       "C. Yuan and A. J. Steckl and J. Chaudhuri and R.
1756                  Thokala and M. J. Loboda",
1757   collaboration = "",
1758   title =        "Reduced temperature growth of crystalline 3{C}-Si{C}
1759                  films on 6{H}-Si{C} by chemical vapor deposition from
1760                  silacyclobutane",
1761   publisher =    "AIP",
1762   year =         "1995",
1763   journal =      "J. Appl. Phys.",
1764   volume =       "78",
1765   number =       "2",
1766   pages =        "1271--1273",
1767   keywords =     "SILICON CARBIDES; THIN FILMS; CVD; EPITAXY; ABSORPTION
1768                  EDGE; CRYSTAL STRUCTURE; STRAINS; DISLOCATIONS; XRD;
1769                  SPECTROPHOTOMETRY",
1770   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/78/1271/1",
1771   doi =          "10.1063/1.360368",
1772   notes =        "3c-sic on 6h-sic, cvd, reduced temperature",
1773 }
1774
1775 @Article{fissel95,
1776   title =        "Epitaxial growth of Si{C} thin films on Si-stabilized
1777                  [alpha]-Si{C}(0001) at low temperatures by solid-source
1778                  molecular beam epitaxy",
1779   journal =      "J. Cryst. Growth",
1780   volume =       "154",
1781   number =       "1-2",
1782   pages =        "72--80",
1783   year =         "1995",
1784   ISSN =         "0022-0248",
1785   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(95)00170-0",
1786   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-3Y5MMXM-1N/2/65549019b878bf02d5ec645b7eea9e98",
1787   author =       "A. Fissel and U. Kaiser and E. Ducke and B.
1788                  Schr{\"{o}}ter and W. Richter",
1789   notes =        "solid source mbe of 3c-sic on si and 6h-sic",
1790 }
1791
1792 @Article{fissel95_apl,
1793   author =       "A. Fissel and B. Schr{\"{o}}ter and W. Richter",
1794   collaboration = "",
1795   title =        "Low-temperature growth of Si{C} thin films on Si and
1796                  6{H}--Si{C} by solid-source molecular beam epitaxy",
1797   publisher =    "AIP",
1798   year =         "1995",
1799   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1800   volume =       "66",
1801   number =       "23",
1802   pages =        "3182--3184",
1803   keywords =     "SILICON CARBIDES; MOLECULAR BEAM EPITAXY; MORPHOLOGY;
1804                  RHEED; NUCLEATION",
1805   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/66/3182/1",
1806   doi =          "10.1063/1.113716",
1807   notes =        "mbe 3c-sic on si and 6h-sic",
1808 }
1809
1810 @Article{borders71,
1811   author =       "J. A. Borders and S. T. Picraux and W. Beezhold",
1812   collaboration = "",
1813   title =        "{FORMATION} {OF} Si{C} {IN} {SILICON} {BY} {ION}
1814                  {IMPLANTATION}",
1815   publisher =    "AIP",
1816   year =         "1971",
1817   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1818   volume =       "18",
1819   number =       "11",
1820   pages =        "509--511",
1821   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/18/509/1",
1822   doi =          "10.1063/1.1653516",
1823   notes =        "first time sic by ibs, follow cites for precipitation
1824                  ideas",
1825 }
1826
1827 @Article{reeson87,
1828   author =       "K. J. Reeson and P. L. F. Hemment and J. Stoemenos and
1829                  J. Davis and G. E. Celler",
1830   collaboration = "",
1831   title =        "Formation of buried layers of beta-Si{C} using ion
1832                  beam synthesis and incoherent lamp annealing",
1833   publisher =    "AIP",
1834   year =         "1987",
1835   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1836   volume =       "51",
1837   number =       "26",
1838   pages =        "2242--2244",
1839   keywords =     "SILICON CARBIDES; FILM GROWTH; SOLIDPHASE EPITAXY; ION
1840                  IMPLANTATION; CARBON IONS; DOPING PROFILES; SYNTHESIS",
1841   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/51/2242/1",
1842   doi =          "10.1063/1.98953",
1843   notes =        "nice tem images, sic by ibs",
1844 }
1845
1846 @Article{scace59,
1847   author =       "R. I. Scace and G. A. Slack",
1848   collaboration = "",
1849   title =        "Solubility of Carbon in Silicon and Germanium",
1850   publisher =    "AIP",
1851   year =         "1959",
1852   journal =      "J. Chem. Phys.",
1853   volume =       "30",
1854   number =       "6",
1855   pages =        "1551--1555",
1856   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/30/1551/1",
1857   doi =          "10.1063/1.1730236",
1858   notes =        "solubility of c in c-si, si-c phase diagram",
1859 }
1860
1861 @Article{cowern96,
1862   author =       "N. E. B. Cowern and A. Cacciato and J. S. Custer and
1863                  F. W. Saris and W. Vandervorst",
1864   collaboration = "",
1865   title =        "Role of {C} and {B} clusters in transient diffusion of
1866                  {B} in silicon",
1867   publisher =    "AIP",
1868   year =         "1996",
1869   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1870   volume =       "68",
1871   number =       "8",
1872   pages =        "1150--1152",
1873   keywords =     "ATOMIC CLUSTERS; BORON ADDITIONS; CRYSTAL DOPING;
1874                  DIFFUSION; DOPED MATERIALS; IMPURITIES; INTERSTITIALS;
1875                  SILICON",
1876   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/68/1150/1",
1877   doi =          "10.1063/1.115706",
1878   notes =        "suppression of transient enhanced diffusion (ted)",
1879 }
1880
1881 @Article{stolk95,
1882   title =        "Implantation and transient boron diffusion: the role
1883                  of the silicon self-interstitial",
1884   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
1885   volume =       "96",
1886   number =       "1-2",
1887   pages =        "187--195",
1888   year =         "1995",
1889   note =         "Selected Papers of the Tenth International Conference
1890                  on Ion Implantation Technology (IIT '94)",
1891   ISSN =         "0168-583X",
1892   doi =          "DOI: 10.1016/0168-583X(94)00481-1",
1893   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-40WKY1P-29/2/602c6e5b809221323d2d2968edd0a71c",
1894   author =       "P. A. Stolk and H. -J. Gossmann and D. J. Eaglesham
1895                  and J. M. Poate",
1896 }
1897
1898 @Article{stolk97,
1899   author =       "P. A. Stolk and H.-J. Gossmann and D. J. Eaglesham and
1900                  D. C. Jacobson and C. S. Rafferty and G. H. Gilmer and
1901                  M. Jara\'{\i}z and J. M. Poate and H. S. Luftman and T.
1902                  E. Haynes",
1903   collaboration = "",
1904   title =        "Physical mechanisms of transient enhanced dopant
1905                  diffusion in ion-implanted silicon",
1906   publisher =    "AIP",
1907   year =         "1997",
1908   journal =      "J. Appl. Phys.",
1909   volume =       "81",
1910   number =       "9",
1911   pages =        "6031--6050",
1912   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/81/6031/1",
1913   doi =          "10.1063/1.364452",
1914   notes =        "ted, transient enhanced diffusion, c silicon trap",
1915 }
1916
1917 @Article{powell94,
1918   author =       "A. R. Powell and F. K. LeGoues and S. S. Iyer",
1919   collaboration = "",
1920   title =        "Formation of beta-Si{C} nanocrystals by the relaxation
1921                  of Si[sub 1 - y]{C}[sub y] random alloy layers",
1922   publisher =    "AIP",
1923   year =         "1994",
1924   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1925   volume =       "64",
1926   number =       "3",
1927   pages =        "324--326",
1928   keywords =     "SILICON CARBIDES; NANOSTRUCTURES; DISPERSIONS;
1929                  EPITAXIAL LAYERS; STRESS RELAXATION; ANNEALING;
1930                  TEMPERATURE EFFECTS; PRECIPITATION; DISLOCATIONS;
1931                  SYNTHESIS",
1932   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/64/324/1",
1933   doi =          "10.1063/1.111195",
1934   notes =        "beta sic nano crystals in si, mbe, annealing",
1935 }
1936
1937 @Article{soref91,
1938   author =       "Richard A. Soref",
1939   collaboration = "",
1940   title =        "Optical band gap of the ternary semiconductor Si[sub 1
1941                  - x - y]Ge[sub x]{C}[sub y]",
1942   publisher =    "AIP",
1943   year =         "1991",
1944   journal =      "J. Appl. Phys.",
1945   volume =       "70",
1946   number =       "4",
1947   pages =        "2470--2472",
1948   keywords =     "SILICON CARBIDES; GERMANIUM CARBIDES; ENERGY GAP;
1949                  OPTICAL PROPERTIES; DIAMONDS; SEMICONDUCTOR ALLOYS;
1950                  TERNARY ALLOYS",
1951   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/70/2470/1",
1952   doi =          "10.1063/1.349403",
1953   notes =        "band gap of strained si by c",
1954 }
1955
1956 @Article{kasper91,
1957   author =       "E Kasper",
1958   title =        "Superlattices of group {IV} elements, a new
1959                  possibility to produce direct band gap material",
1960   journal =      "Physica Scripta",
1961   volume =       "T35",
1962   pages =        "232--236",
1963   URL =          "http://stacks.iop.org/1402-4896/T35/232",
1964   year =         "1991",
1965   notes =        "superlattices, convert indirect band gap into a
1966                  quasi-direct one",
1967 }
1968
1969 @Article{osten99,
1970   author =       "H. J. Osten and J. Griesche and S. Scalese",
1971   collaboration = "",
1972   title =        "Substitutional carbon incorporation in epitaxial
1973                  Si[sub 1 - y]{C}[sub y] alloys on Si(001) grown by
1974                  molecular beam epitaxy",
1975   publisher =    "AIP",
1976   year =         "1999",
1977   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1978   volume =       "74",
1979   number =       "6",
1980   pages =        "836--838",
1981   keywords =     "molecular beam epitaxial growth; semiconductor growth;
1982                  wide band gap semiconductors; interstitials; silicon
1983                  compounds",
1984   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/74/836/1",
1985   doi =          "10.1063/1.123384",
1986   notes =        "substitutional c in si",
1987 }
1988
1989 @Article{hohenberg64,
1990   title =        "Inhomogeneous Electron Gas",
1991   author =       "P. Hohenberg and W. Kohn",
1992   journal =      "Phys. Rev.",
1993   volume =       "136",
1994   number =       "3B",
1995   pages =        "B864--B871",
1996   numpages =     "7",
1997   year =         "1964",
1998   month =        nov,
1999   doi =          "10.1103/PhysRev.136.B864",
2000   publisher =    "American Physical Society",
2001   notes =        "density functional theory, dft",
2002 }
2003
2004 @Article{kohn65,
2005   title =        "Self-Consistent Equations Including Exchange and
2006                  Correlation Effects",
2007   author =       "W. Kohn and L. J. Sham",
2008   journal =      "Phys. Rev.",
2009   volume =       "140",
2010   number =       "4A",
2011   pages =        "A1133--A1138",
2012   numpages =     "5",
2013   year =         "1965",
2014   month =        nov,
2015   doi =          "10.1103/PhysRev.140.A1133",
2016   publisher =    "American Physical Society",
2017   notes =        "dft, exchange and correlation",
2018 }
2019
2020 @Article{ruecker94,
2021   title =        "Strain-stabilized highly concentrated pseudomorphic
2022                  $Si1-x$$Cx$ layers in Si",
2023   author =       "H. R{\"u}cker and M. Methfessel and E. Bugiel and H.
2024                  J. Osten",
2025   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2026   volume =       "72",
2027   number =       "22",
2028   pages =        "3578--3581",
2029   numpages =     "3",
2030   year =         "1994",
2031   month =        may,
2032   doi =          "10.1103/PhysRevLett.72.3578",
2033   publisher =    "American Physical Society",
2034   notes =        "high c concentration in si, heterostructure, strained
2035                  si, dft",
2036 }
2037
2038 @Article{chang05,
2039   title =        "Electron Transport Model for Strained Silicon-Carbon
2040                  Alloy",
2041   author =       "Shu-Tong Chang and Chung-Yi Lin",
2042   journal =      "Japanese J. Appl. Phys.",
2043   volume =       "44",
2044   number =       "4B",
2045   pages =        "2257--2262",
2046   numpages =     "5",
2047   year =         "2005",
2048   URL =          "http://jjap.ipap.jp/link?JJAP/44/2257/",
2049   doi =          "10.1143/JJAP.44.2257",
2050   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
2051   notes =        "enhance of electron mobility in starined si",
2052 }
2053
2054 @Article{osten97,
2055   author =       "H. J. Osten and P. Gaworzewski",
2056   collaboration = "",
2057   title =        "Charge transport in strained Si[sub 1 - y]{C}[sub y]
2058                  and Si[sub 1 - x - y]Ge[sub x]{C}[sub y] alloys on
2059                  Si(001)",
2060   publisher =    "AIP",
2061   year =         "1997",
2062   journal =      "J. Appl. Phys.",
2063   volume =       "82",
2064   number =       "10",
2065   pages =        "4977--4981",
2066   keywords =     "silicon compounds; Ge-Si alloys; wide band gap
2067                  semiconductors; semiconductor epitaxial layers; carrier
2068                  density; Hall mobility; interstitials; defect states",
2069   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/82/4977/1",
2070   doi =          "10.1063/1.366364",
2071   notes =        "charge transport in strained si",
2072 }
2073
2074 @Article{kapur04,
2075   title =        "Carbon-mediated aggregation of self-interstitials in
2076                  silicon: {A} large-scale molecular dynamics study",
2077   author =       "Sumeet S. Kapur and Manish Prasad and Talid Sinno",
2078   journal =      "Phys. Rev. B",
2079   volume =       "69",
2080   number =       "15",
2081   pages =        "155214",
2082   numpages =     "8",
2083   year =         "2004",
2084   month =        apr,
2085   doi =          "10.1103/PhysRevB.69.155214",
2086   publisher =    "American Physical Society",
2087   notes =        "simulation using promising tersoff reparametrization",
2088 }
2089
2090 @Article{barkema96,
2091   title =        "Event-Based Relaxation of Continuous Disordered
2092                  Systems",
2093   author =       "G. T. Barkema and Normand Mousseau",
2094   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2095   volume =       "77",
2096   number =       "21",
2097   pages =        "4358--4361",
2098   numpages =     "3",
2099   year =         "1996",
2100   month =        nov,
2101   doi =          "10.1103/PhysRevLett.77.4358",
2102   publisher =    "American Physical Society",
2103   notes =        "activation relaxation technique, art, speed up slow
2104                  dynamic mds",
2105 }
2106
2107 @Article{cances09,
2108   author =       "E. Canc\`{e}s and F. Legoll and M.-C. Marinica and K.
2109                  Minoukadeh and F. Willaime",
2110   collaboration = "",
2111   title =        "Some improvements of the activation-relaxation
2112                  technique method for finding transition pathways on
2113                  potential energy surfaces",
2114   publisher =    "AIP",
2115   year =         "2009",
2116   journal =      "J. Chem. Phys.",
2117   volume =       "130",
2118   number =       "11",
2119   eid =          "114711",
2120   numpages =     "6",
2121   pages =        "114711",
2122   keywords =     "eigenvalues and eigenfunctions; iron; potential energy
2123                  surfaces; vacancies (crystal)",
2124   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/130/114711/1",
2125   doi =          "10.1063/1.3088532",
2126   notes =        "improvements to art, refs for methods to find
2127                  transition pathways",
2128 }
2129
2130 @Article{parrinello81,
2131   author =       "M. Parrinello and A. Rahman",
2132   collaboration = "",
2133   title =        "Polymorphic transitions in single crystals: {A} new
2134                  molecular dynamics method",
2135   publisher =    "AIP",
2136   year =         "1981",
2137   journal =      "J. Appl. Phys.",
2138   volume =       "52",
2139   number =       "12",
2140   pages =        "7182--7190",
2141   keywords =     "MONOCRYSTALS; PHASE TRANSFORMATIONS; STRUCTURAL
2142                  MODELS; DYNAMICS; THEORETICAL DATA; STRESSES;
2143                  CONFIGURATION; LAGRANGE EQUATIONS; SIZE; NICKEL;
2144                  COMPRESSION; TENSILE PROPERTIES; COMPARATIVE
2145                  EVALUATIONS; STRAINS; CUBIC LATTICES; HCP LATTICES;
2146                  IMPACT SHOCK",
2147   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/52/7182/1",
2148   doi =          "10.1063/1.328693",
2149 }
2150
2151 @Article{stillinger85,
2152   title =        "Computer simulation of local order in condensed phases
2153                  of silicon",
2154   author =       "Frank H. Stillinger and Thomas A. Weber",
2155   journal =      "Phys. Rev. B",
2156   volume =       "31",
2157   number =       "8",
2158   pages =        "5262--5271",
2159   numpages =     "9",
2160   year =         "1985",
2161   month =        apr,
2162   doi =          "10.1103/PhysRevB.31.5262",
2163   publisher =    "American Physical Society",
2164 }
2165
2166 @Article{brenner90,
2167   title =        "Empirical potential for hydrocarbons for use in
2168                  simulating the chemical vapor deposition of diamond
2169                  films",
2170   author =       "Donald W. Brenner",
2171   journal =      "Phys. Rev. B",
2172   volume =       "42",
2173   number =       "15",
2174   pages =        "9458--9471",
2175   numpages =     "13",
2176   year =         "1990",
2177   month =        nov,
2178   doi =          "10.1103/PhysRevB.42.9458",
2179   publisher =    "American Physical Society",
2180   notes =        "brenner hydro carbons",
2181 }
2182
2183 @Article{bazant96,
2184   title =        "Modeling of Covalent Bonding in Solids by Inversion of
2185                  Cohesive Energy Curves",
2186   author =       "Martin Z. Bazant and Efthimios Kaxiras",
2187   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2188   volume =       "77",
2189   number =       "21",
2190   pages =        "4370--4373",
2191   numpages =     "3",
2192   year =         "1996",
2193   month =        nov,
2194   doi =          "10.1103/PhysRevLett.77.4370",
2195   publisher =    "American Physical Society",
2196   notes =        "first si edip",
2197 }
2198
2199 @Article{bazant97,
2200   title =        "Environment-dependent interatomic potential for bulk
2201                  silicon",
2202   author =       "Martin Z. Bazant and Efthimios Kaxiras and J. F.
2203                  Justo",
2204   journal =      "Phys. Rev. B",
2205   volume =       "56",
2206   number =       "14",
2207   pages =        "8542--8552",
2208   numpages =     "10",
2209   year =         "1997",
2210   month =        oct,
2211   doi =          "10.1103/PhysRevB.56.8542",
2212   publisher =    "American Physical Society",
2213   notes =        "second si edip",
2214 }
2215
2216 @Article{justo98,
2217   title =        "Interatomic potential for silicon defects and
2218                  disordered phases",
2219   author =       "Jo\tilde{a}o F. Justo and Martin Z. Bazant and
2220                  Efthimios Kaxiras and V. V. Bulatov and Sidney Yip",
2221   journal =      "Phys. Rev. B",
2222   volume =       "58",
2223   number =       "5",
2224   pages =        "2539--2550",
2225   numpages =     "11",
2226   year =         "1998",
2227   month =        aug,
2228   doi =          "10.1103/PhysRevB.58.2539",
2229   publisher =    "American Physical Society",
2230   notes =        "latest si edip, good dislocation explanation",
2231 }
2232
2233 @Article{parcas_md,
2234   title =        "{PARCAS} molecular dynamics code",
2235   author =       "K. Nordlund",
2236   year =         "2008",
2237 }
2238
2239 @Article{voter97,
2240   title =        "Hyperdynamics: Accelerated Molecular Dynamics of
2241                  Infrequent Events",
2242   author =       "Arthur F. Voter",
2243   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2244   volume =       "78",
2245   number =       "20",
2246   pages =        "3908--3911",
2247   numpages =     "3",
2248   year =         "1997",
2249   month =        may,
2250   doi =          "10.1103/PhysRevLett.78.3908",
2251   publisher =    "American Physical Society",
2252   notes =        "hyperdynamics, accelerated md",
2253 }
2254
2255 @Article{voter97_2,
2256   author =       "Arthur F. Voter",
2257   collaboration = "",
2258   title =        "A method for accelerating the molecular dynamics
2259                  simulation of infrequent events",
2260   publisher =    "AIP",
2261   year =         "1997",
2262   journal =      "J. Chem. Phys.",
2263   volume =       "106",
2264   number =       "11",
2265   pages =        "4665--4677",
2266   keywords =     "COMPUTERIZED SIMULATION; NICKEL; DIFFUSION; ATOM
2267                  TRANSPORT; MOLECULAR ORBITAL METHOD; POTENTIAL ENERGY;
2268                  SURFACE POTENTIAL; MOLECULAR DYNAMICS METHOD; potential
2269                  energy functions; surface diffusion; reaction kinetics
2270                  theory; potential energy surfaces",
2271   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/106/4665/1",
2272   doi =          "10.1063/1.473503",
2273   notes =        "improved hyperdynamics md",
2274 }
2275
2276 @Article{sorensen2000,
2277   author =       "Mads R. S{\o }rensen and Arthur F. Voter",
2278   collaboration = "",
2279   title =        "Temperature-accelerated dynamics for simulation of
2280                  infrequent events",
2281   publisher =    "AIP",
2282   year =         "2000",
2283   journal =      "J. Chem. Phys.",
2284   volume =       "112",
2285   number =       "21",
2286   pages =        "9599--9606",
2287   keywords =     "SOLID STATE PHYSICS; SIMULATION; DIFFUSION; SURFACES;
2288                  MOLECULAR DYNAMICS METHOD; surface diffusion",
2289   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/112/9599/1",
2290   doi =          "10.1063/1.481576",
2291   notes =        "temperature accelerated dynamics, tad",
2292 }
2293
2294 @Article{voter98,
2295   title =        "Parallel replica method for dynamics of infrequent
2296                  events",
2297   author =       "Arthur F. Voter",
2298   journal =      "Phys. Rev. B",
2299   volume =       "57",
2300   number =       "22",
2301   pages =        "R13985--R13988",
2302   numpages =     "3",
2303   year =         "1998",
2304   month =        jun,
2305   doi =          "10.1103/PhysRevB.57.R13985",
2306   publisher =    "American Physical Society",
2307   notes =        "parallel replica method, accelerated md",
2308 }
2309
2310 @Article{wu99,
2311   author =       "Xiongwu Wu and Shaomeng Wang",
2312   collaboration = "",
2313   title =        "Enhancing systematic motion in molecular dynamics
2314                  simulation",
2315   publisher =    "AIP",
2316   year =         "1999",
2317   journal =      "J. Chem. Phys.",
2318   volume =       "110",
2319   number =       "19",
2320   pages =        "9401--9410",
2321   keywords =     "molecular dynamics method; argon; Lennard-Jones
2322                  potential; crystallisation; liquid theory",
2323   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/110/9401/1",
2324   doi =          "10.1063/1.478948",
2325   notes =        "self guided md, sgmd, accelerated md, enhancing
2326                  systematic motion",
2327 }
2328
2329 @Article{choudhary05,
2330   author =       "Devashish Choudhary and Paulette Clancy",
2331   collaboration = "",
2332   title =        "Application of accelerated molecular dynamics schemes
2333                  to the production of amorphous silicon",
2334   publisher =    "AIP",
2335   year =         "2005",
2336   journal =      "J. Chem. Phys.",
2337   volume =       "122",
2338   number =       "15",
2339   eid =          "154509",
2340   numpages =     "8",
2341   pages =        "154509",
2342   keywords =     "molecular dynamics method; silicon; glass structure;
2343                  amorphous semiconductors",
2344   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/122/154509/1",
2345   doi =          "10.1063/1.1878733",
2346   notes =        "explanation of sgmd and hyper md, applied to amorphous
2347                  silicon",
2348 }
2349
2350 @Article{taylor93,
2351   author =       "W. J. Taylor and T. Y. Tan and U. G{\"{o}}sele",
2352   collaboration = "",
2353   title =        "Carbon precipitation in silicon: Why is it so
2354                  difficult?",
2355   publisher =    "AIP",
2356   year =         "1993",
2357   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2358   volume =       "62",
2359   number =       "25",
2360   pages =        "3336--3338",
2361   keywords =     "SILICON; CARBON ADDITIONS; OXYGEN ADDITIONS; DOPED
2362                  MATERIALS; PRECIPITATION; THERMODYNAMICS; SURFACE
2363                  ENERGY",
2364   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/62/3336/1",
2365   doi =          "10.1063/1.109063",
2366   notes =        "interfacial energy of cubic sic and si",
2367 }
2368
2369 @Article{chaussende08,
2370   title =        "Prospects for 3{C}-Si{C} bulk crystal growth",
2371   journal =      "J. Cryst. Growth",
2372   volume =       "310",
2373   number =       "5",
2374   pages =        "976--981",
2375   year =         "2008",
2376   note =         "Proceedings of the E-MRS Conference, Symposium G -
2377                  Substrates of Wide Bandgap Materials",
2378   ISSN =         "0022-0248",
2379   doi =          "DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2007.11.140",
2380   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-4R7J67S-F/2/e92fc194b652409f5b119393d608b082",
2381   author =       "D. Chaussende and F. Mercier and A. Boulle and F.
2382                  Conchon and M. Soueidan and G. Ferro and A. Mantzari
2383                  and A. Andreadou and E. K. Polychroniadis and C.
2384                  Balloud and S. Juillaguet and J. Camassel and M. Pons",
2385   notes =        "3c-sic crystal growth, sic fabrication + links,
2386                  metastable",
2387 }
2388
2389 @Article{chaussende07,
2390   author =       "D. Chaussende and P. J. Wellmann and M. Pons",
2391   title =        "Status of Si{C} bulk growth processes",
2392   journal =      "Journal of Physics D: Applied Physics",
2393   volume =       "40",
2394   number =       "20",
2395   pages =        "6150",
2396   URL =          "http://stacks.iop.org/0022-3727/40/i=20/a=S02",
2397   year =         "2007",
2398   notes =        "review of sic single crystal growth methods, process
2399                  modelling",
2400 }
2401
2402 @Article{feynman39,
2403   title =        "Forces in Molecules",
2404   author =       "R. P. Feynman",
2405   journal =      "Phys. Rev.",
2406   volume =       "56",
2407   number =       "4",
2408   pages =        "340--343",
2409   numpages =     "3",
2410   year =         "1939",
2411   month =        aug,
2412   doi =          "10.1103/PhysRev.56.340",
2413   publisher =    "American Physical Society",
2414   notes =        "hellmann feynman forces",
2415 }
2416
2417 @Article{buczko00,
2418   title =        "Bonding Arrangements at the $Si-Si{O}_{2}$ and
2419                  $Si{C}-Si{O}_{2}$ Interfaces and a Possible Origin of
2420                  their Contrasting Properties",
2421   author =       "Ryszard Buczko and Stephen J. Pennycook and Sokrates
2422                  T. Pantelides",
2423   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2424   volume =       "84",
2425   number =       "5",
2426   pages =        "943--946",
2427   numpages =     "3",
2428   year =         "2000",
2429   month =        jan,
2430   doi =          "10.1103/PhysRevLett.84.943",
2431   publisher =    "American Physical Society",
2432   notes =        "si sio2 and sic sio2 interface",
2433 }
2434
2435 @Article{djurabekova08,
2436   title =        "Atomistic simulation of the interface structure of Si
2437                  nanocrystals embedded in amorphous silica",
2438   author =       "Flyura Djurabekova and Kai Nordlund",
2439   journal =      "Phys. Rev. B",
2440   volume =       "77",
2441   number =       "11",
2442   pages =        "115325",
2443   numpages =     "7",
2444   year =         "2008",
2445   month =        mar,
2446   doi =          "10.1103/PhysRevB.77.115325",
2447   publisher =    "American Physical Society",
2448   notes =        "nc-si in sio2, interface energy, nc construction,
2449                  angular distribution, coordination",
2450 }
2451
2452 @Article{wen09,
2453   author =       "C. Wen and Y. M. Wang and W. Wan and F. H. Li and J.
2454                  W. Liang and J. Zou",
2455   collaboration = "",
2456   title =        "Nature of interfacial defects and their roles in
2457                  strain relaxation at highly lattice mismatched
2458                  3{C}-Si{C}/Si (001) interface",
2459   publisher =    "AIP",
2460   year =         "2009",
2461   journal =      "J. Appl. Phys.",
2462   volume =       "106",
2463   number =       "7",
2464   eid =          "073522",
2465   numpages =     "8",
2466   pages =        "073522",
2467   keywords =     "anelastic relaxation; crystal structure; dislocations;
2468                  elemental semiconductors; semiconductor growth;
2469                  semiconductor thin films; silicon; silicon compounds;
2470                  stacking faults; wide band gap semiconductors",
2471   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/106/073522/1",
2472   doi =          "10.1063/1.3234380",
2473   notes =        "sic/si interface, follow refs, tem image
2474                  deconvolution, dislocation defects",
2475 }
2476
2477 @Article{kitabatake93,
2478   author =       "Makoto Kitabatake and Masahiro Deguchi and Takashi
2479                  Hirao",
2480   collaboration = "",
2481   title =        "Simulations and experiments of Si{C} heteroepitaxial
2482                  growth on Si(001) surface",
2483   publisher =    "AIP",
2484   year =         "1993",
2485   journal =      "J. Appl. Phys.",
2486   volume =       "74",
2487   number =       "7",
2488   pages =        "4438--4445",
2489   keywords =     "SILICON CARBIDES; FILM GROWTH; SIMULATION; MOLECULAR
2490                  BEAM EPITAXY; MOLECULAR DYNAMICS CALCULATIONS; SILICON;
2491                  MICROSTRUCTURE; ULTRAVIOLET RADIATION; IRRADIATION",
2492   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/74/4438/1",
2493   doi =          "10.1063/1.354385",
2494   notes =        "mbe and md of sic growth on si, 4 to 5 shrinkage
2495                  model, interface",
2496 }
2497
2498 @Article{chirita97,
2499   title =        "Strain relaxation and thermal stability of the
2500                  3{C}-Si{C}(001)/Si(001) interface: {A} molecular
2501                  dynamics study",
2502   journal =      "Thin Solid Films",
2503   volume =       "294",
2504   number =       "1-2",
2505   pages =        "47--49",
2506   year =         "1997",
2507   note =         "",
2508   ISSN =         "0040-6090",
2509   doi =          "DOI: 10.1016/S0040-6090(96)09257-7",
2510   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TW0-41WBB52-C/2/6ef684a04d02dd3b108f972377cde8f4",
2511   author =       "V. Chirita and L. Hultman and L. R. Wallenberg",
2512   keywords =     "Strain relaxation",
2513   keywords =     "Interfaces",
2514   keywords =     "Thermal stability",
2515   keywords =     "Molecular dynamics",
2516   notes =        "tersoff sic/si interface study",
2517 }
2518
2519 @Article{cicero02,
2520   title =        "Ab initio Study of Misfit Dislocations at the
2521                  $Si{C}/Si(001)$ Interface",
2522   author =       "Giancarlo Cicero and Laurent Pizzagalli and Alessandra
2523                  Catellani",
2524   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2525   volume =       "89",
2526   number =       "15",
2527   pages =        "156101",
2528   numpages =     "4",
2529   year =         "2002",
2530   month =        sep,
2531   doi =          "10.1103/PhysRevLett.89.156101",
2532   publisher =    "American Physical Society",
2533   notes =        "sic/si interface study",
2534 }
2535
2536 @Article{pizzagalli03,
2537   title =        "Theoretical investigations of a highly mismatched
2538                  interface: Si{C}/Si(001)",
2539   author =       "Laurent Pizzagalli and Giancarlo Cicero and Alessandra
2540                  Catellani",
2541   journal =      "Phys. Rev. B",
2542   volume =       "68",
2543   number =       "19",
2544   pages =        "195302",
2545   numpages =     "10",
2546   year =         "2003",
2547   month =        nov,
2548   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.195302",
2549   publisher =    "American Physical Society",
2550   notes =        "tersoff md and ab initio sic/si interface study",
2551 }
2552
2553 @Article{tang07,
2554   title =        "Atomic configurations of dislocation core and twin
2555                  boundaries in $ 3{C}-Si{C} $ studied by high-resolution
2556                  electron microscopy",
2557   author =       "C. Y. Tang and F. H. Li and R. Wang and J. Zou and X.
2558                  H. Zheng and J. W. Liang",
2559   journal =      "Phys. Rev. B",
2560   volume =       "75",
2561   number =       "18",
2562   pages =        "184103",
2563   numpages =     "7",
2564   year =         "2007",
2565   month =        may,
2566   doi =          "10.1103/PhysRevB.75.184103",
2567   publisher =    "American Physical Society",
2568   notes =        "hrem image deconvolution on 3c-sic on si, distinguish
2569                  si and c",
2570 }
2571
2572 @Article{hornstra58,
2573   title =        "Dislocations in the diamond lattice",
2574   journal =      "Journal of Physics and Chemistry of Solids",
2575   volume =       "5",
2576   number =       "1-2",
2577   pages =        "129--141",
2578   year =         "1958",
2579   note =         "",
2580   ISSN =         "0022-3697",
2581   doi =          "DOI: 10.1016/0022-3697(58)90138-0",
2582   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXR-46MMPHJ-10D/2/7176c01c29cd4e73faa26ab2aacdcea5",
2583   author =       "J. Hornstra",
2584   notes =        "dislocations in diamond lattice",
2585 }
2586
2587 @Article{deguchi92,
2588   title =        "Synthesis of $\beta$-Si{C} Layer in Silicon by Carbon
2589                  Ion `Hot' Implantation",
2590   author =       "Masahiro Deguchi and Makoto Kitabatake and Takashi
2591                  Hirao and Naoki Arai and Tomio Izumi",
2592   journal =      "Japanese Journal of Applied Physics",
2593   volume =       "31",
2594   number =       "Part 1, No. 2A",
2595   pages =        "343--347",
2596   numpages =     "4",
2597   year =         "1992",
2598   URL =          "http://jjap.ipap.jp/link?JJAP/31/343/",
2599   doi =          "10.1143/JJAP.31.343",
2600   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
2601   notes =        "c-c bonds in c implanted si, hot implantation
2602                  efficiency, c-c hard to break by thermal annealing",
2603 }
2604
2605 @Article{eichhorn99,
2606   author =       "F. Eichhorn and N. Schell and W. Matz and R.
2607                  K{\"{o}}gler",
2608   collaboration = "",
2609   title =        "Strain and Si{C} particle formation in silicon
2610                  implanted with carbon ions of medium fluence studied by
2611                  synchrotron x-ray diffraction",
2612   publisher =    "AIP",
2613   year =         "1999",
2614   journal =      "J. Appl. Phys.",
2615   volume =       "86",
2616   number =       "8",
2617   pages =        "4184--4187",
2618   keywords =     "silicon; carbon; elemental semiconductors; chemical
2619                  interdiffusion; ion implantation; X-ray diffraction;
2620                  precipitation; semiconductor doping",
2621   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/86/4184/1",
2622   doi =          "10.1063/1.371344",
2623   notes =        "sic conversion by ibs, detected substitutional carbon,
2624                  expansion of si lattice",
2625 }
2626
2627 @Article{eichhorn02,
2628   author =       "F. Eichhorn and N. Schell and A. M{\"{u}}cklich and H.
2629                  Metzger and W. Matz and R. K{\"{o}}gler",
2630   collaboration = "",
2631   title =        "Structural relation between Si and Si{C} formed by
2632                  carbon ion implantation",
2633   publisher =    "AIP",
2634   year =         "2002",
2635   journal =      "J. Appl. Phys.",
2636   volume =       "91",
2637   number =       "3",
2638   pages =        "1287--1292",
2639   keywords =     "silicon compounds; wide band gap semiconductors; ion
2640                  implantation; annealing; X-ray scattering; transmission
2641                  electron microscopy",
2642   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/91/1287/1",
2643   doi =          "10.1063/1.1428105",
2644   notes =        "3c-sic alignement to si host in ibs depending on
2645                  temperature, might explain c into c sub trafo",
2646 }
2647
2648 @Article{lucas10,
2649   author =       "G Lucas and M Bertolus and L Pizzagalli",
2650   title =        "An environment-dependent interatomic potential for
2651                  silicon carbide: calculation of bulk properties,
2652                  high-pressure phases, point and extended defects, and
2653                  amorphous structures",
2654   journal =      "J. Phys.: Condens. Matter",
2655   volume =       "22",
2656   number =       "3",
2657   pages =        "035802",
2658   URL =          "http://stacks.iop.org/0953-8984/22/i=3/a=035802",
2659   year =         "2010",
2660   notes =        "edip sic",
2661 }
2662
2663 @Article{godet03,
2664   author =       "J Godet and L Pizzagalli and S Brochard and P
2665                  Beauchamp",
2666   title =        "Comparison between classical potentials and ab initio
2667                  methods for silicon under large shear",
2668   journal =      "J. Phys.: Condens. Matter",
2669   volume =       "15",
2670   number =       "41",
2671   pages =        "6943",
2672   URL =          "http://stacks.iop.org/0953-8984/15/i=41/a=004",
2673   year =         "2003",
2674   notes =        "comparison of empirical potentials, stillinger weber,
2675                  edip, tersoff, ab initio",
2676 }
2677
2678 @Article{moriguchi98,
2679   title =        "Verification of Tersoff's Potential for Static
2680                  Structural Analysis of Solids of Group-{IV} Elements",
2681   author =       "Koji Moriguchi and Akira Shintani",
2682   journal =      "Japanese J. Appl. Phys.",
2683   volume =       "37",
2684   number =       "Part 1, No. 2",
2685   pages =        "414--422",
2686   numpages =     "8",
2687   year =         "1998",
2688   URL =          "http://jjap.ipap.jp/link?JJAP/37/414/",
2689   doi =          "10.1143/JJAP.37.414",
2690   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
2691   notes =        "tersoff stringent test",
2692 }
2693
2694 @Article{mazzarolo01,
2695   title =        "Low-energy recoils in crystalline silicon: Quantum
2696                  simulations",
2697   author =       "Massimiliano Mazzarolo and Luciano Colombo and Giorgio
2698                  Lulli and Eros Albertazzi",
2699   journal =      "Phys. Rev. B",
2700   volume =       "63",
2701   number =       "19",
2702   pages =        "195207",
2703   numpages =     "4",
2704   year =         "2001",
2705   month =        apr,
2706   doi =          "10.1103/PhysRevB.63.195207",
2707   publisher =    "American Physical Society",
2708 }
2709
2710 @Article{holmstroem08,
2711   title =        "Threshold defect production in silicon determined by
2712                  density functional theory molecular dynamics
2713                  simulations",
2714   author =       "E. Holmstr{\"o}m and A. Kuronen and K. Nordlund",
2715   journal =      "Phys. Rev. B",
2716   volume =       "78",
2717   number =       "4",
2718   pages =        "045202",
2719   numpages =     "6",
2720   year =         "2008",
2721   month =        jul,
2722   doi =          "10.1103/PhysRevB.78.045202",
2723   publisher =    "American Physical Society",
2724   notes =        "threshold displacement comparison empirical and ab
2725                  initio",
2726 }
2727
2728 @Article{nordlund97,
2729   title =        "Repulsive interatomic potentials calculated using
2730                  Hartree-Fock and density-functional theory methods",
2731   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
2732   volume =       "132",
2733   number =       "1",
2734   pages =        "45--54",
2735   year =         "1997",
2736   note =         "",
2737   ISSN =         "0168-583X",
2738   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(97)00447-3",
2739   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-4CP0TGF-91/2/1a9100c0aae82d2d258fc83dfdba23c1",
2740   author =       "K. Nordlund and N. Runeberg and D. Sundholm",
2741   notes =        "repulsive ab initio potential",
2742 }
2743
2744 @Article{kresse96,
2745   title =        "Efficiency of ab-initio total energy calculations for
2746                  metals and semiconductors using a plane-wave basis
2747                  set",
2748   journal =      "Comput. Mater. Sci.",
2749   volume =       "6",
2750   number =       "1",
2751   pages =        "15--50",
2752   year =         "1996",
2753   note =         "",
2754   ISSN =         "0927-0256",
2755   doi =          "DOI: 10.1016/0927-0256(96)00008-0",
2756   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TWM-3VRVTBF-3/2/88689b1eacfe2b5fe57f09d37eff3b74",
2757   author =       "G. Kresse and J. Furthm{\"{u}}ller",
2758   notes =        "vasp ref",
2759 }
2760
2761 @Article{bloechl94,
2762   title =        "Projector augmented-wave method",
2763   author =       "P. E. Bl{\"o}chl",
2764   journal =      "Phys. Rev. B",
2765   volume =       "50",
2766   number =       "24",
2767   pages =        "17953--17979",
2768   numpages =     "26",
2769   year =         "1994",
2770   month =        dec,
2771   doi =          "10.1103/PhysRevB.50.17953",
2772   publisher =    "American Physical Society",
2773   notes =        "paw method",
2774 }
2775
2776 @Article{hamann79,
2777   title =        "Norm-Conserving Pseudopotentials",
2778   author =       "D. R. Hamann and M. Schl{\"u}ter and C. Chiang",
2779   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2780   volume =       "43",
2781   number =       "20",
2782   pages =        "1494--1497",
2783   numpages =     "3",
2784   year =         "1979",
2785   month =        nov,
2786   doi =          "10.1103/PhysRevLett.43.1494",
2787   publisher =    "American Physical Society",
2788   notes =        "norm-conserving pseudopotentials",
2789 }
2790
2791 @Article{vanderbilt90,
2792   title =        "Soft self-consistent pseudopotentials in a generalized
2793                  eigenvalue formalism",
2794   author =       "David Vanderbilt",
2795   journal =      "Phys. Rev. B",
2796   volume =       "41",
2797   number =       "11",
2798   pages =        "7892--7895",
2799   numpages =     "3",
2800   year =         "1990",
2801   month =        apr,
2802   doi =          "10.1103/PhysRevB.41.7892",
2803   publisher =    "American Physical Society",
2804   notes =        "vasp pseudopotentials",
2805 }
2806
2807 @Article{perdew86,
2808   title =        "Accurate and simple density functional for the
2809                  electronic exchange energy: Generalized gradient
2810                  approximation",
2811   author =       "John P. Perdew and Yue Wang",
2812   journal =      "Phys. Rev. B",
2813   volume =       "33",
2814   number =       "12",
2815   pages =        "8800--8802",
2816   numpages =     "2",
2817   year =         "1986",
2818   month =        jun,
2819   doi =          "10.1103/PhysRevB.33.8800",
2820   publisher =    "American Physical Society",
2821   notes =        "rapid communication gga",
2822 }
2823
2824 @Article{perdew02,
2825   title =        "Generalized gradient approximations for exchange and
2826                  correlation: {A} look backward and forward",
2827   journal =      "Physica B: Condensed Matter",
2828   volume =       "172",
2829   number =       "1-2",
2830   pages =        "1--6",
2831   year =         "1991",
2832   note =         "",
2833   ISSN =         "0921-4526",
2834   doi =          "DOI: 10.1016/0921-4526(91)90409-8",
2835   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVH-46G8GR9-3D/2/18e610a616e4d80b934079c89063ece7",
2836   author =       "John P. Perdew",
2837   notes =        "gga overview",
2838 }
2839
2840 @Article{perdew92,
2841   title =        "Atoms, molecules, solids, and surfaces: Applications
2842                  of the generalized gradient approximation for exchange
2843                  and correlation",
2844   author =       "John P. Perdew and J. A. Chevary and S. H. Vosko and
2845                  Koblar A. Jackson and Mark R. Pederson and D. J. Singh
2846                  and Carlos Fiolhais",
2847   journal =      "Phys. Rev. B",
2848   volume =       "46",
2849   number =       "11",
2850   pages =        "6671--6687",
2851   numpages =     "16",
2852   year =         "1992",
2853   month =        sep,
2854   doi =          "10.1103/PhysRevB.46.6671",
2855   publisher =    "American Physical Society",
2856   notes =        "gga pw91 (as in vasp)",
2857 }
2858
2859 @Article{baldereschi73,
2860   title =        "Mean-Value Point in the Brillouin Zone",
2861   author =       "A. Baldereschi",
2862   journal =      "Phys. Rev. B",
2863   volume =       "7",
2864   number =       "12",
2865   pages =        "5212--5215",
2866   numpages =     "3",
2867   year =         "1973",
2868   month =        jun,
2869   doi =          "10.1103/PhysRevB.7.5212",
2870   publisher =    "American Physical Society",
2871   notes =        "mean value k point",
2872 }
2873
2874 @Article{zhu98,
2875   title =        "Ab initio pseudopotential calculations of dopant
2876                  diffusion in Si",
2877   journal =      "Comput. Mater. Sci.",
2878   volume =       "12",
2879   number =       "4",
2880   pages =        "309--318",
2881   year =         "1998",
2882   note =         "",
2883   ISSN =         "0927-0256",
2884   doi =          "DOI: 10.1016/S0927-0256(98)00023-8",
2885   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TWM-3VB7F2K-7/2/aa864582273be8e054300efb7bd16a1b",
2886   author =       "Jing Zhu",
2887   keywords =     "TED (transient enhanced diffusion)",
2888   keywords =     "Boron dopant",
2889   keywords =     "Carbon dopant",
2890   keywords =     "Defect",
2891   keywords =     "ab initio pseudopotential method",
2892   keywords =     "Impurity cluster",
2893   notes =        "binding of c to si interstitial, c in si defects",
2894 }
2895
2896 @Article{nejim95,
2897   author =       "A. Nejim and P. L. F. Hemment and J. Stoemenos",
2898   collaboration = "",
2899   title =        "Si{C} buried layer formation by ion beam synthesis at
2900                  950 [degree]{C}",
2901   publisher =    "AIP",
2902   year =         "1995",
2903   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2904   volume =       "66",
2905   number =       "20",
2906   pages =        "2646--2648",
2907   keywords =     "SILICON; ION IMPLANTATION; CARBON IONS; SILICON
2908                  CARBIDES; BURIED LAYERS; SYNTHESIS; KEV RANGE 100 --
2909                  1000; CRYSTAL DEFECTS; MORPHOLOGY; RBS; TRANSMISSION
2910                  ELECTRON MICROSCOPY",
2911   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/66/2646/1",
2912   doi =          "10.1063/1.113112",
2913   notes =        "precipitation mechanism by substitutional carbon, si
2914                  self interstitials react with further implanted c",
2915 }
2916
2917 @Article{guedj98,
2918   author =       "C. Guedj and M. W. Dashiell and L. Kulik and J.
2919                  Kolodzey and A. Hairie",
2920   collaboration = "",
2921   title =        "Precipitation of beta-Si{C} in Si[sub 1 - y]{C}[sub y]
2922                  alloys",
2923   publisher =    "AIP",
2924   year =         "1998",
2925   journal =      "J. Appl. Phys.",
2926   volume =       "84",
2927   number =       "8",
2928   pages =        "4631--4633",
2929   keywords =     "silicon compounds; precipitation; localised modes;
2930                  semiconductor epitaxial layers; infrared spectra;
2931                  Fourier transform spectra; thermal stability;
2932                  annealing",
2933   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/84/4631/1",
2934   doi =          "10.1063/1.368703",
2935   notes =        "coherent 3C-SiC, topotactic, critical coherence size",
2936 }
2937
2938 @Article{jones04,
2939   author =       "R Jones and B J Coomer and P R Briddon",
2940   title =        "Quantum mechanical modelling of defects in
2941                  semiconductors",
2942   journal =      "J. Phys.: Condens. Matter",
2943   volume =       "16",
2944   number =       "27",
2945   pages =        "S2643",
2946   URL =          "http://stacks.iop.org/0953-8984/16/i=27/a=004",
2947   year =         "2004",
2948   notes =        "ab inito init, vibrational modes, c defect in si",
2949 }
2950
2951 @Article{park02,
2952   author =       "S. Y. Park and J. D'Arcy-Gall and D. Gall and J. A. N.
2953                  T Soares and Y.-W. Kim and H. Kim and P. Desjardins and
2954                  J. E. Greene and S. G. Bishop",
2955   collaboration = "",
2956   title =        "Carbon incorporation pathways and lattice sites in
2957                  Si[sub 1 - y]{C}[sub y] alloys grown on Si(001) by
2958                  molecular-beam epitaxy",
2959   publisher =    "AIP",
2960   year =         "2002",
2961   journal =      "J. Appl. Phys.",
2962   volume =       "91",
2963   number =       "9",
2964   pages =        "5716--5727",
2965   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/91/5716/1",
2966   doi =          "10.1063/1.1465122",
2967   notes =        "c substitutional incorporation pathway, dft and expt",
2968 }
2969
2970 @Article{leary97,
2971   title =        "Dynamic properties of interstitial carbon and
2972                  carbon-carbon pair defects in silicon",
2973   author =       "P. Leary and R. Jones and S. {\"O}berg and V. J. B.
2974                  Torres",
2975   journal =      "Phys. Rev. B",
2976   volume =       "55",
2977   number =       "4",
2978   pages =        "2188--2194",
2979   numpages =     "6",
2980   year =         "1997",
2981   month =        jan,
2982   doi =          "10.1103/PhysRevB.55.2188",
2983   publisher =    "American Physical Society",
2984   notes =        "ab initio c in si and di-carbon defect, no formation
2985                  energies, different migration barriers and paths",
2986 }
2987
2988 @Article{burnard93,
2989   title =        "Interstitial carbon and the carbon-carbon pair in
2990                  silicon: Semiempirical electronic-structure
2991                  calculations",
2992   author =       "Matthew J. Burnard and Gary G. DeLeo",
2993   journal =      "Phys. Rev. B",
2994   volume =       "47",
2995   number =       "16",
2996   pages =        "10217--10225",
2997   numpages =     "8",
2998   year =         "1993",
2999   month =        apr,
3000   doi =          "10.1103/PhysRevB.47.10217",
3001   publisher =    "American Physical Society",
3002   notes =        "semi empirical mndo, pm3 and mindo3 c in si and di
3003                  carbon defect, formation energies",
3004 }
3005
3006 @Article{besson91,
3007   title =        "Electronic structure of interstitial carbon in
3008                  silicon",
3009   author =       "Morgan Besson and Gary G. DeLeo",
3010   journal =      "Phys. Rev. B",
3011   volume =       "43",
3012   number =       "5",
3013   pages =        "4028--4033",
3014   numpages =     "5",
3015   year =         "1991",
3016   month =        feb,
3017   doi =          "10.1103/PhysRevB.43.4028",
3018   publisher =    "American Physical Society",
3019 }
3020
3021 @Article{kaxiras96,
3022   title =        "Review of atomistic simulations of surface diffusion
3023                  and growth on semiconductors",
3024   journal =      "Comput. Mater. Sci.",
3025   volume =       "6",
3026   number =       "2",
3027   pages =        "158--172",
3028   year =         "1996",
3029   note =         "Proceedings of the Workshop on Virtual Molecular Beam
3030                  Epitaxy",
3031   ISSN =         "0927-0256",
3032   doi =          "DOI: 10.1016/0927-0256(96)00030-4",
3033   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TWM-3VSFF1G-7/2/afc8408b00ded1ca2dc3ad1686c2dae6",
3034   author =       "Efthimios Kaxiras",
3035   notes =        "might contain c 100 db formation energy, overview md,
3036                  tight binding, first principles",
3037 }
3038
3039 @Article{kaukonen98,
3040   title =        "Effect of {N} and {B} doping on the growth of {CVD}
3041                  diamond
3042                  $(100):{H}(2\ifmmode\times\else\texttimes\fi{}1)$
3043                  surfaces",
3044   author =       "M. Kaukonen and P. K. Sitch and G. Jungnickel and R.
3045                  M. Nieminen and Sami P{\"o}ykk{\"o} and D. Porezag and
3046                  Th. Frauenheim",
3047   journal =      "Phys. Rev. B",
3048   volume =       "57",
3049   number =       "16",
3050   pages =        "9965--9970",
3051   numpages =     "5",
3052   year =         "1998",
3053   month =        apr,
3054   doi =          "10.1103/PhysRevB.57.9965",
3055   publisher =    "American Physical Society",
3056   notes =        "constrained conjugate gradient relaxation technique
3057                  (crt)",
3058 }
3059
3060 @Article{gali03,
3061   title =        "Correlation between the antisite pair and the ${DI}$
3062                  center in Si{C}",
3063   author =       "A. Gali and P. De\'ak and E. Rauls and N. T. Son and
3064                  I. G. Ivanov and F. H. C. Carlsson and E. Janz\'en and
3065                  W. J. Choyke",
3066   journal =      "Phys. Rev. B",
3067   volume =       "67",
3068   number =       "15",
3069   pages =        "155203",
3070   numpages =     "5",
3071   year =         "2003",
3072   month =        apr,
3073   doi =          "10.1103/PhysRevB.67.155203",
3074   publisher =    "American Physical Society",
3075 }
3076
3077 @Article{chen98,
3078   title =        "Production and recovery of defects in Si{C} after
3079                  irradiation and deformation",
3080   journal =      "J. Nucl. Mater.",
3081   volume =       "258-263",
3082   number =       "Part 2",
3083   pages =        "1803--1808",
3084   year =         "1998",
3085   note =         "",
3086   ISSN =         "0022-3115",
3087   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-3115(98)00139-1",
3088   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXN-43G486N-47/2/56905f48f025ab98e5de4d6cde09c62b",
3089   author =       "J. Chen and P. Jung and H. Klein",
3090 }
3091
3092 @Article{weber01,
3093   title =        "Accumulation, dynamic annealing and thermal recovery
3094                  of ion-beam-induced disorder in silicon carbide",
3095   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
3096   volume =       "175-177",
3097   number =       "",
3098   pages =        "26--30",
3099   year =         "2001",
3100   note =         "",
3101   ISSN =         "0168-583X",
3102   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(00)00542-5",
3103   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-435KH7Y-2R/2/8acc176700c95bb8614d96c40cfc5577",
3104   author =       "W. J. Weber and W. Jiang and S. Thevuthasan",
3105 }
3106
3107 @Article{bockstedte03,
3108   title =        "Ab initio study of the migration of intrinsic defects
3109                  in $3{C}-Si{C}$",
3110   author =       "Michel Bockstedte and Alexander Mattausch and Oleg
3111                  Pankratov",
3112   journal =      "Phys. Rev. B",
3113   volume =       "68",
3114   number =       "20",
3115   pages =        "205201",
3116   numpages =     "17",
3117   year =         "2003",
3118   month =        nov,
3119   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.205201",
3120   publisher =    "American Physical Society",
3121   notes =        "defect migration in sic",
3122 }
3123
3124 @Article{rauls03a,
3125   title =        "Theoretical study of vacancy diffusion and
3126                  vacancy-assisted clustering of antisites in Si{C}",
3127   author =       "E. Rauls and Th. Frauenheim and A. Gali and P.
3128                  De\'ak",
3129   journal =      "Phys. Rev. B",
3130   volume =       "68",
3131   number =       "15",
3132   pages =        "155208",
3133   numpages =     "9",
3134   year =         "2003",
3135   month =        oct,
3136   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.155208",
3137   publisher =    "American Physical Society",
3138 }
3139
3140 @Article{losev27,
3141   journal =      "Telegrafiya i Telefoniya bez Provodov",
3142   volume =       "44",
3143   pages =        "485--494",
3144   year =         "1927",
3145   author =       "O. V. Lossev",
3146 }
3147
3148 @Article{losev28,
3149   title =        "Luminous carborundum detector and detection effect and
3150                  oscillations with crystals",
3151   journal =      "Philosophical Magazine Series 7",
3152   volume =       "6",
3153   number =       "39",
3154   pages =        "1024--1044",
3155   year =         "1928",
3156   URL =          "http://www.informaworld.com/10.1080/14786441108564683",
3157   author =       "O. V. Lossev",
3158 }
3159
3160 @Article{losev29,
3161   journal =      "Physik. Zeitschr.",
3162   volume =       "30",
3163   pages =        "920--923",
3164   year =         "1929",
3165   author =       "O. V. Lossev",
3166 }
3167
3168 @Article{losev31,
3169   journal =      "Physik. Zeitschr.",
3170   volume =       "32",
3171   pages =        "692--696",
3172   year =         "1931",
3173   author =       "O. V. Lossev",
3174 }
3175
3176 @Article{losev33,
3177   journal =      "Physik. Zeitschr.",
3178   volume =       "34",
3179   pages =        "397--403",
3180   year =         "1933",
3181   author =       "O. V. Lossev",
3182 }
3183
3184 @Article{round07,
3185   title =        "A note on carborundum",
3186   journal =      "Electrical World",
3187   volume =       "49",
3188   pages =        "308",
3189   year =         "1907",
3190   author =       "H. J. Round",
3191 }
3192
3193 @Article{vashishath08,
3194   title =        "Recent trends in silicon carbide device research",
3195   journal =      "Mj. Int. J. Sci. Tech.",
3196   volume =       "2",
3197   number =       "03",
3198   pages =        "444--470",
3199   year =         "2008",
3200   author =       "Munish Vashishath and Ashoke K. Chatterjee",
3201   URL =          "http://www.doaj.org/doaj?func=abstract&id=286746",
3202   notes =        "sic polytype electronic properties",
3203 }
3204
3205 @Article{nelson69,
3206   author =       "W. E. Nelson and F. A. Halden and A. Rosengreen",
3207   collaboration = "",
3208   title =        "Growth and Properties of beta-Si{C} Single Crystals",
3209   publisher =    "AIP",
3210   year =         "1966",
3211   journal =      "Journal of Applied Physics",
3212   volume =       "37",
3213   number =       "1",
3214   pages =        "333--336",
3215   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/37/333/1",
3216   doi =          "10.1063/1.1707837",
3217   notes =        "sic melt growth",
3218 }
3219
3220 @Article{arkel25,
3221   author =       "A. E. van Arkel and J. H. de Boer",
3222   title =        "Darstellung von reinem Titanium-, Zirkonium-, Hafnium-
3223                  und Thoriummetall",
3224   publisher =    "WILEY-VCH Verlag GmbH",
3225   year =         "1925",
3226   journal =      "Z. Anorg. Chem.",
3227   volume =       "148",
3228   pages =        "345--350",
3229   URL =          "http://dx.doi.org/10.1002/zaac.19251480133",
3230   doi =          "10.1002/zaac.19251480133",
3231   notes =        "van arkel apparatus",
3232 }
3233
3234 @Article{moers31,
3235   author =       "K. Moers",
3236   year =         "1931",
3237   journal =      "Z. Anorg. Chem.",
3238   volume =       "198",
3239   pages =        "293",
3240   notes =        "sic by van arkel apparatus, pyrolitical vapor growth
3241                  process",
3242 }
3243
3244 @Article{kendall53,
3245   author =       "J. T. Kendall",
3246   title =        "Electronic Conduction in Silicon Carbide",
3247   publisher =    "AIP",
3248   year =         "1953",
3249   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
3250   volume =       "21",
3251   number =       "5",
3252   pages =        "821--827",
3253   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/21/821/1",
3254   notes =        "sic by van arkel apparatus, pyrolitical vapor growth
3255                  process",
3256 }
3257
3258 @Article{lely55,
3259   author =       "J. A. Lely",
3260   year =         "1955",
3261   journal =      "Ber. Deut. Keram. Ges.",
3262   volume =       "32",
3263   pages =        "229",
3264   notes =        "lely sublimation growth process",
3265 }
3266
3267 @Article{knippenberg63,
3268   author =       "W. F. Knippenberg",
3269   year =         "1963",
3270   journal =      "Philips Res. Repts.",
3271   volume =       "18",
3272   pages =        "161",
3273   notes =        "acheson process",
3274 }
3275
3276 @Article{hoffmann82,
3277   author =       "L. Hoffmann and G. Ziegler and D. Theis and C.
3278                  Weyrich",
3279   collaboration = "",
3280   title =        "Silicon carbide blue light emitting diodes with
3281                  improved external quantum efficiency",
3282   publisher =    "AIP",
3283   year =         "1982",
3284   journal =      "Journal of Applied Physics",
3285   volume =       "53",
3286   number =       "10",
3287   pages =        "6962--6967",
3288   keywords =     "light emitting diodes; silicon carbides; quantum
3289                  efficiency; visible radiation; experimental data;
3290                  epitaxy; fabrication; medium temperature; layers;
3291                  aluminium; nitrogen; substrates; pn junctions;
3292                  electroluminescence; spectra; current density;
3293                  optimization",
3294   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/53/6962/1",
3295   doi =          "10.1063/1.330041",
3296   notes =        "blue led, sublimation process",
3297 }
3298
3299 @Article{neudeck95,
3300   author =       "Philip Neudeck",
3301   affiliation =  "NASA Lewis Research Center M.S. 77-1, 21000 Brookpark
3302                  Road 44135 Cleveland OH",
3303   title =        "Progress in silicon carbide semiconductor electronics
3304                  technology",
3305   journal =      "Journal of Electronic Materials",
3306   publisher =    "Springer Boston",
3307   ISSN =         "0361-5235",
3308   keyword =      "Chemistry and Materials Science",
3309   pages =        "283--288",
3310   volume =       "24",
3311   issue =        "4",
3312   URL =          "http://dx.doi.org/10.1007/BF02659688",
3313   note =         "10.1007/BF02659688",
3314   year =         "1995",
3315   notes =        "sic data, advantages of 3c sic",
3316 }
3317
3318 @Article{bhatnagar93,
3319   author =       "M. Bhatnagar and B. J. Baliga",
3320   journal =      "Electron Devices, IEEE Transactions on",
3321   title =        "Comparison of 6{H}-Si{C}, 3{C}-Si{C}, and Si for power
3322                  devices",
3323   year =         "1993",
3324   month =        mar,
3325   volume =       "40",
3326   number =       "3",
3327   pages =        "645--655",
3328   keywords =     "3C-SiC;50 to 5000 V;6H-SiC;Schottky
3329                  rectifiers;Si;SiC;breakdown voltages;drift region
3330                  properties;output characteristics;power MOSFETs;power
3331                  semiconductor devices;switching characteristics;thermal
3332                  analysis;Schottky-barrier diodes;electric breakdown of
3333                  solids;insulated gate field effect transistors;power
3334                  transistors;semiconductor materials;silicon;silicon
3335                  compounds;solid-state rectifiers;thermal analysis;",
3336   doi =          "10.1109/16.199372",
3337   ISSN =         "0018-9383",
3338   notes =        "comparison 3c 6h sic and si devices",
3339 }
3340
3341 @Article{neudeck94,
3342   author =       "P. G. Neudeck and D. J. Larkin and J. E. Starr and J.
3343                  A. Powell and C. S. Salupo and L. G. Matus",
3344   journal =      "Electron Devices, IEEE Transactions on",
3345   title =        "Electrical properties of epitaxial 3{C}- and
3346                  6{H}-Si{C} p-n junction diodes produced side-by-side on
3347                  6{H}-Si{C} substrates",
3348   year =         "1994",
3349   month =        may,
3350   volume =       "41",
3351   number =       "5",
3352   pages =        "826--835",
3353   keywords =     "20 nA;200 micron;300 to 1100 V;3C-SiC layers;400
3354                  C;6H-SiC layers;6H-SiC substrates;CVD
3355                  process;SiC;chemical vapor deposition;doping;electrical
3356                  properties;epitaxial layers;light
3357                  emission;low-tilt-angle 6H-SiC substrates;p-n junction
3358                  diodes;polytype;rectification characteristics;reverse
3359                  leakage current;reverse voltages;temperature;leakage
3360                  currents;power electronics;semiconductor
3361                  diodes;semiconductor epitaxial layers;semiconductor
3362                  growth;semiconductor materials;silicon
3363                  compounds;solid-state rectifiers;substrates;vapour
3364                  phase epitaxial growth;",
3365   doi =          "10.1109/16.285038",
3366   ISSN =         "0018-9383",
3367   notes =        "comparison 6h 3c sic, cvd of 3c and 6h on single 6h
3368                  substrate",
3369 }
3370
3371 @Article{schulze98,
3372   author =       "N. Schulze and D. L. Barrett and G. Pensl",
3373   collaboration = "",
3374   title =        "Near-equilibrium growth of micropipe-free 6{H}-Si{C}
3375                  single crystals by physical vapor transport",
3376   publisher =    "AIP",
3377   year =         "1998",
3378   journal =      "Applied Physics Letters",
3379   volume =       "72",
3380   number =       "13",
3381   pages =        "1632--1634",
3382   keywords =     "silicon compounds; semiconductor materials;
3383                  semiconductor growth; crystal growth from vapour;
3384                  photoluminescence; Hall mobility",
3385   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/72/1632/1",
3386   doi =          "10.1063/1.121136",
3387   notes =        "micropipe free 6h-sic pvt growth",
3388 }